CN1772842A - 蚀刻溶液和除去低－k电介质层的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。

Description

蚀刻溶液和除去低-K电介质层的方法
                      相关申请的交叉参考
根据35U.S.C.§119，该美国非-临时专利申请要求于2004年11月10日提交的韩国专利申请2004-91503的优先权，其全部内容引入本发明中作为参考。
                      技术领域
本发明涉及半导体元件的制造，更具体地，本发明涉及蚀刻低-k电介质层的蚀刻溶液，及利用该蚀刻溶液蚀刻低-k电介质层的方法。
                      背景技术
在半导体集成电路的制造工艺中，常利用诸如SiO2等绝缘材料进行电隔离和电绝缘，或者使构成半导体集成电路至少一部分的导电结构(如金属配线线路)与其它相邻的导电结构相绝缘。然而，由于目前的半导体集成电路的制造工艺需要更高的集成度，所以彼此纵横相邻的金属配线线路之间的距离正在逐渐地缩短。结果，由彼此被SiO2绝缘的相邻金属配线线路引起的耦合电容增加了。该耦合电容的增加反过来又导致半导体元件的速度降低和串扰水平的增加。而且，耦合电容的增加还增加了元件的功耗。
为了解决该问题，需要更有效的利用介电常数比SiO2低的低-k介电材料使金属配线线路彼此电隔离和绝缘的方法。广泛地使用碳组分(包括碳本身)掺杂的SiOx作为这种低-k介电材料。在这种掺杂的SiO2中，至少部分与硅结合的氧原子被碳组分(如有机物基团，包括碳本身)所替代。在下文中，有机碳组分掺杂的氧化硅被称作有机-硅酸盐玻璃(OSG)。这种OSG材料通常是利用有机-硅烷和有机-硅氧烷通过化学气相沉积法形成的。
另一方面，在现代的高性能半导体集成电路的制造工艺中，为了控制工艺质量，在特定工艺之后常进行各种测试过程，并希望在测试后能够再利用该用于测试过程的晶片。具体地，近来由于这些晶片直径的增加，使得它们更加昂贵，所以节约成本的重要问题是能够再利用这些昂贵的晶片。
为了能够再利用晶片，通常需要除去为了测试而形成于晶片上的薄膜。这种薄膜的去除一般包括其中使用适当化学药品的湿法蚀刻法，或者其中使用浆料的化学机械抛光(CMP)法。然而，由于CMP法包括更复杂的工艺步骤，导致产率低于湿法蚀刻法，并且需要比湿法蚀刻法更困难的批量晶片处理，所以通常优选湿蚀刻法。
然而，众所周知，由硅-氧-碳形成的低-k电介质层具有一般为疏水性的性质。因此，由于低-k电介质层根本不能被去离子水所润湿，并且几乎不能被其它化学药品所湿法蚀刻，所以其上已经形成有低-k的OSG介质层的测试晶片往往不能再利用，而只能废弃。
引入本文作为参考的授予Lu的US 6693047公开了一种其上形成有低-k电介质层的晶片的再利用的方法。根据在US 6693047中所公开的方法，将其上形成有低-k电介质层的晶片进行炉-氧化(furnace oxidized)或等离子体氧化，以除去碳组分。然后，利用氧化物薄膜湿法蚀刻溶液，除去薄膜的氧化部分。然而，在US 6693047中，由于氧化过程和湿法蚀刻过程是作为单独的工艺步骤进行的，所以这些过程的组合并不经济。而且，在US 6693047中，由于用炉氧化或等离子体氧化作为氧化方法，所以需要花费较长的时间来进行氧化，这对于经济操作和生产率都是不利的。因此，需要一种新的技术，以蚀刻测试晶片等上的低-k的OSG或类似电介质层。
                         发明内容
因此，本发明的一般性目的是提供一种从晶片上除去低-k电介质层(如OSG层)的蚀刻溶液和采用该蚀刻溶液的蚀刻方法。
为了实现上述目的，根据本发明的实施方案提供一种用于除去低-k电介质层的蚀刻溶液。就本发明来说，利用这种蚀刻溶液，通过实施单一步骤的蚀刻工艺，即可蚀刻低-k电介质层。
根据本发明实施方案的低-k电介质层的蚀刻溶液，包含有效比例的氧化剂和有效比例的氧化物蚀刻剂。据信，蚀刻溶液中的氧化剂氧化低-k电介质层，形成SiOx物质。另一方面，据信，氧化物蚀刻剂接着基本上同时除去(剥去)SiOx物质。
更具体地，根据本发明，当其上形成有SiOC-基的低-k电介质层的晶片接触根据本发明的洗涤(蚀刻)溶液时，氧化和氟化连续地发生，使得低-k电介质层有效并较迅速地从晶片上除去。
已经发现的可采用本发明的蚀刻溶液和蚀刻方法的低-k电介质层并不限于上述OSG电介质层。例如，已经发现，三甲硅烷(TMS)(可以商品名BLACKDIAMONDTM得到)，四甲基环四硅烷(TMCTS)(可以商品名CoralTM得到)，二甲基二甲氧硅烷(DMDMOS)(可以商品名Aurora TM得到)，氢硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane)(HSG)，氟化聚亚芳基醚(FLARE)，干凝胶(Xerogel)，气凝胶(Aerogel)，聚对二甲苯(Parylene)，聚萘(Polynaphthalene)，可以商品名SiLKTM得到的物质，MSQ，BCB，聚酰亚胺(Polyimide)，特氟隆(Teflon)，及无定形的氟化碳均可用作低-k电介质层，且蚀刻效果优良。
例如，如果低-k电介质层为包含硅、氧和碳的电介质层(或者碳掺杂的氧化硅层，在下文中称作SiOC电介质层)，那么确信氧化剂将把SiOC电介质层氧化成SiOx物质，并除去包含碳的有机物基团。另一方面，在氧化物蚀刻剂将SiOx氟化成挥发性物质如SiFW和HySiFz(式中w、y和z为正整数)进而有效地将其从晶片表面除去的步骤中，氧化物蚀刻剂除去了SiOx物质。
根据本发明实施方案，为了提高一般为疏水性的低-k电介质层如OSG层的润湿性，本发明的蚀刻溶液还可以包含有效比例的表面活性剂。所选择的表面活性剂可以有效地将一般为疏水性的低-k电介质层转变成一般为亲水性的低-k电介质层。因此，与不含表面活性剂的相似的蚀刻溶液相比，包含表面活性剂的蚀刻溶液的蚀刻速度(etching ratio)会有利地增加。
用于本发明的低-k电介质层蚀刻溶液的氧化剂不限于一种特定的物质。例如，可以使用H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH(过乙酸：PAA)，及O3，或者其中的两种或多种的混合物作为氧化剂。对于本发明的某些实施方案，优选CH3COOOH作为氧化剂。
通过混合CH3COOH与H2O2，容易制得CH3COOOH，CH3COOOH作为试剂也相对便宜。
用于本发明的低-k电介质层蚀刻溶液的氧化物蚀刻剂不限于一种特定的物质，而相反其实例可以包括任何相容的氟化物基还原剂。可以使用HF，HBF4，及NH4F，或者其中的两种或多种的混合物作为氟化物基还原剂。对于本发明的某些实施方案，优选HF作为氧化物蚀刻剂。由于HF广泛地用于普通半导体的制造工艺，所以HF一般可以容易地得到。
用于本发明的蚀刻溶液的表面活性剂可以选自非离子型表面活性剂和离子型表面活性剂。离子型表面活性剂包括阴离子型、阳离子型或两性表面活性剂。阴离子型表面活性剂包括但不限于全氟烷基磺酸钾和胺全氟烷基磺酸盐。阳离子型表面活性剂包括但不限于氟化烷基季铵碘化物。两性表面活性剂包括但不限于含氟烷基磺酸盐和钠盐。非离子型表面活性剂包括氟化烷基烷氧基化，氟化聚酯，及由Wako Chemical公司出售的称为NCW1002R的物质。
根据本发明实施方案，提供一种利用本文中所定义的低-k电介质层蚀刻溶液从半导体晶片上除去低-k电介质层的方法。根据除去低-k电介质层的方法之一，通过将晶片在蚀刻溶液中浸渍有效的时间，以使其上形成有低-k电介质层的晶片与低-k电介质层蚀刻溶液接触。当蚀刻溶液的温度升高至室温之上时，蚀刻速度增加。例如，根据本发明，优选用于处理晶片的蚀刻溶液的温度为约25～80℃。
                         附图说明
说明书包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入说明书中并构成说明书的一部分。附图图示说明了本发明示例性实施方案，与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1利用方框图和相关的两步化学方程式来说明根据本发明的蚀刻SiOC电介质层的方法；
图2A至图2C按时间顺序给出了根据本发明处理的在不同浸渍时间的晶片的垂直扫描电镜(V-SEM)照片，其中该晶片上形成有低-k电介质层，并在约25℃下浸渍在根据本发明的蚀刻溶液中；
图3是晶片浸渍到根据本发明的低-k电介质层蚀刻溶液中之前和之后的FT-IR光谱；
图4A和图4B将本发明的低-k电介质层蚀刻溶液施加到其上形成低-k电介质层的基底上之前和之后的接触角的测量结果；及
图5至图8是图示下述实验例1至4的试验结果的曲线图。
                         具体实施方式
下面将参考附图更详细地描述本发明优选实施方案。然而，将会理解本发明可以以不同形式实施而不应该看作是限制于本文中所提出的实施方案。相反，提供这些实施方案以便公开将是彻底而完整的，并且对于本领域的技术人员来说将完全表达本发明的范围。
概括地讲，本发明涉及用于蚀刻半导体基底上的低-k电介质层的蚀刻溶液，及利用它蚀刻低-k电介质层的方法。具体地，本发明可以有效地用于从半导体晶片上除去SiOC-基电介质层。根据本发明，低-k电介质层的蚀刻包括利用本发明的蚀刻溶液，在低-k电介质层上基本同时地进行氧化和氟化处理过程。为了进行氧化和氟化，使用有效比例的氧化剂和有效比例的氧化物蚀刻剂，以形成蚀刻溶液。氧化剂将低-k电介质层氧化成SiOx物质。同时，以例如氢化碳即CHx物质的形式，从低-k电介质层上除去实际上包括碳的有机物基团。氧化物蚀刻剂将作为氧化产物而形成的SiOx物质氟化，以从晶片表面上除去(剥去)SiOx。蚀刻溶液中氧化剂和氧化物蚀刻剂的量(按体积百分比计)可以根据要除去的低-k电介质层及其它工艺参数而变化。
例如，蚀刻溶液中可以包含体积比为约1∶1～900∶1的氧化剂和氧化物蚀刻剂。更具体地，低-k电介质层蚀刻溶液可以包含约30～90％体积比例的氧化剂，并且它可以包含约0.1～30％体积比例的氧化物蚀刻剂。
作为更具体的实例，本发明的低-k电介质层蚀刻溶液可以包含约30～90％体积的氧化剂，约0.1～30％体积的氧化物蚀刻剂，及约0.1～40％体积的去离子水。
另一方面，在本发明的包含表面活性剂的实施方案中，按氧化剂和氧化物蚀刻剂的总的稀释体积计，可以包含约0.05～10％的表面活性剂。即，可以包含这样量的表面活性剂，使得氧化剂和氧化物蚀刻剂的总稀释体积与表面活性剂体积的比为约100∶0.05～10∶1。在本说明书中如果没有具体提及，则表面活性剂的用量，按氧化剂和氧化物蚀刻剂的总的稀释体积计，为规定的百分数。
图1利用方框图和相关的化学方程式说明根据本发明的蚀刻SiOC电介质层的方法。参考图1，将其上形成低-k电介质层SiOC的硅晶片(Si)浸入到蚀刻溶液中，该蚀刻溶液包含作为氧化剂的CH3COOOH和作为氧化物蚀刻剂的HF。此时，SiOC电介质层被氧化剂(如CH3COOOH)氧化成SiOx物质，该SiOx物质基本上立即被氧化物蚀刻剂(如HF)氟化成挥发性组分如SiF4和H2SiF6，由此该挥发性组分被从硅(Si)晶片表面上剥去。
在本发明的实施方案中，可以使用H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物作为低-k电介质层蚀刻溶液的氧化剂组分。对于本发明的许多实施方案，优选CH3COOOH作为氧化剂。通过混合CH3COOH与H2O2容易得到CH3COOOH，并且它相对便宜。可以用去离子水稀释CH3COOOH，如稀释到约15％，以便使用。
氧化物蚀刻剂可以包括，例如，氟化物基还原剂。可以使用HF，HBF4，NH4F，及其混合物作为该氟化物基还原剂。对于本发明的许多实施方案，优选HF作为氧化物蚀刻剂。可以用去离子水稀释HF，如稀释到约49％，以便使用。在另一个实例中，可以使用HF和NH4F的混合物(所谓的BOE)作为氟化物基还原剂。
(蚀刻溶液的制备)
通过下列步骤可以容易制得低-k电介质层蚀刻溶液：制备上述氧化剂和氧化物蚀刻剂组分，及将它们以适当比例彼此混合，得到具有所需的体积百分数的溶液。此外，为了提高要处理的低-k电介质层的水分特性(润湿性)，可以加入表面活性剂组分，相对于氧化剂和氧化物蚀刻剂的总稀释体积，表面活性剂用量一般按规定的百分数来计算。如果需要的话，可以控制表面活性剂的加入量，以便不阻止或不当地干扰蚀刻。作为表面活性剂，可以使用非离子型表面活性剂或离子型表面活性剂。作为离子型表面活性剂，可以使用阴离子型、阳离子型或两性表面活性剂。
(低-k电介质层的蚀刻)
当使用按上所述制得的蚀刻溶液时，可以通过单一处理工艺容易并迅速地除去低-k电介质层。仅通过使其上形成有低-k电介质层的晶片与蚀刻溶液接触，即可从晶片上除去低-k电介质层。例如，在一种接触法中，蚀刻溶液可以通过将晶片浸渍在装有蚀刻溶液的桶中与晶片接触。而且，为了提高蚀刻速度，可以在将晶片浸入到蚀刻溶液中的同时，利用任何适宜的流体搅拌方法搅拌蚀刻溶液。上述浸渍法可用于实施批量晶片处理工艺。然而，也可能通过旋转法使蚀刻溶液与晶片接触。即，可以将晶片固定在旋转盘上，以便将蚀刻溶液喷撒到晶片的表面上。该旋转法用于处理单个晶片，以节约使用蚀刻溶液。
图2A至图2C按时间顺序给出了根据本发明处理的在不同浸渍时间的晶片的垂直扫描电镜(V-SEM)照片，其中该晶片上形成有低-k电介质层，并在约65℃下浸渍在根据本发明的蚀刻溶液中。这里使用的蚀刻溶液基本上由90％体积的用水稀释到15％的CH3COOOH，10％体积的用水稀释到49％的HF，及按所使用的稀释的CH3COOOH和稀释的HF的总体积计为0.6％体积的非离子型表面活性剂组成。在本实验中，晶片最初具有形成于其上的厚度为约5320的低-k电介质层。为了开始本发明的处理方法，将具有电介质层的晶片浸渍在蚀刻溶液中。图2A是晶片浸渍在蚀刻溶液中之前的V-SEM照片。图2B是将晶片在蚀刻溶液中浸渍5分钟之后的V-SEM照片。图2C是将晶片在蚀刻溶液中浸渍8分钟之后的V-SEM照片。
首先，从图2B可以看出，处理5分钟之后的低-k电介质层比图2A的低-k电介质层具有更多的孔，而且还可以看出低-k电介质层的厚度由5320降低到3651。据信，这是因为包括碳的有机物基团在低-k电介质层被蚀刻溶液氧化时至少部分被除去。从图2C可以看出，在处理仅8分钟后，低-k电介质层已经基本上完全从晶片表面上除去。
为了更好地说明上述低-k电介质层蚀刻溶液的蚀刻性能，测得在施加蚀刻溶液之前和之后晶片的FT-IR光谱。图3图示了在将晶片浸入到蚀刻溶液中之前和之后的FT-IR光谱。如上所述，在65℃下，利用蚀刻溶液蚀刻SiOC基低-k电介质层约8分钟，该蚀刻溶液基本上由90％体积的用去离子水稀释到15％的CH3COOOH，10％体积的用去离子水稀释到49％的HF，及按稀释的CH3COOOH和稀释的HF的总体积计，0.6％体积的非离子型表面活性剂组成。在图3中，附图标记P1表示碳-氢键结构的峰，附图标记P2和P3表示Si-CH3键结构的峰，附图标记P4表示Si-O-Si键结构的峰。在图3中，光谱1表示在施加蚀刻溶液之前的FT-IR光谱，光谱2表示在施加蚀刻溶液之后的FT-IR光谱。
参考图3，可见所有P1、P2、P3和P4峰都出现在光谱1中，这表示在施加蚀刻溶液之前，低-k电介质层包含有机物基团，该有机物基团包含碳。另一方面，在光谱2中，不存在C-H键结构的峰(由光谱1中的P1表示)和Si-CH3键结构的峰(由光谱1中的P2和P3表示)；并且，显著减少甚至几乎根本不出现Si-O-Si键结构的峰(由光谱1中的P4表示)。即，通过由施加蚀刻溶液产生的低-k电介质层化学结构的变化，可见除去了包含碳的有机物基团，显著减少了SiOx，及基本上除去了低-k电介质层。
为了更好地说明根据本发明的低-k电介质层蚀刻溶液的性能，在蚀刻溶液处理之前和之后测量了接触角。在65℃下，将其上形成SiOC基低-k电介质层的晶片浸入到低-k电介质层蚀刻溶液中约8分钟，该蚀刻溶液基本上由90％体积的用去离子水稀释到15％的CH3COOOH，及10％体积的用去离子水稀释到49％的HF组成。图4A和4B图示了施加低-k电介质层蚀刻溶液到其上形成SiOC基低-k电介质层的基底之前和之后测量接触角的结果。如图4A所示，在施加蚀刻溶液之前，基底的接触角为约85°。然而，如图4B所示，在施加蚀刻溶液之后，基底的接触角为约65°，该接触角由处理前的85°充分减少。这表明已经从基底基本上除去了低-k电介质层。
测量了根据本发明各个实施方案的具有各种组成的蚀刻溶液的蚀刻能力和效果。这些对比试验的结果示于图5至8中。在下文中要描述的所有实验中，蚀刻进行约5分钟。即，将其上形成SiOC基低-k电介质层的晶片浸入到蚀刻溶液中约5分钟。用去离子水将用于本实验的CH3COOOH氧化剂稀释到15％，并用去离子水将用于本实验的HF氧化物蚀刻剂稀释到49％。在其中加入表面活性剂的实施方案中，按氧化剂和氧化物蚀刻剂的总稀释体积计，表面活性剂的量为规定值％体积。
(实验1)
为了说明表面活性剂对蚀刻的影响，进行了实验1。在本实验1中，为了检验它们在蚀刻低-k电介质层中的效果，比较了根据本发明的两种蚀刻溶液的蚀刻速度。在第一种情况下，低-k电介质层蚀刻溶液(第一蚀刻溶液)基本上由均被适当稀释的90％体积的CH3COOOH和10％体积的HF组成。在第二种情况下，通过向第一蚀刻溶液中加入约0.6％体积的非离子型表面活性剂，低-k电介质层蚀刻溶液(第二蚀刻溶液)额外包含表面活性剂。分别在约25℃下测量蚀刻速度。图5图示说明了实验1的结果。参考图5，可见第一蚀刻溶液(其不含表面活性剂)的蚀刻速度为约280/分钟，而第二蚀刻溶液(其包含表面活性剂)的蚀刻速度为约350/分钟。因而，与第一蚀刻溶液相比，第二蚀刻溶液(其包含表面活性剂)的蚀刻速度稍微增加。如前所述，向蚀刻溶液中加入表面活性剂增加了低-k电介质层的润湿能力(润湿性)。
(实验2)
为了比较基于包含在蚀刻溶液中氧化剂种类的根据本发明不同蚀刻溶液的蚀刻能力，进行了实验2。在实验2中，测量并比较了包含H2O2作为氧化剂的蚀刻溶液(第三蚀刻溶液)和包含CH3COOOH(PAA)作为氧化剂的蚀刻溶液(第四蚀刻溶液)的蚀刻速度。与用于实验1的条件相似，在约25℃下进行蚀刻。第三蚀刻溶液基本上由90％体积的H2O2，10％体积的HF，及0.6％体积的表面活性剂组成，H2O2和HF均被适当稀释。第四蚀刻溶液基本上由90％体积的PAA，10％体积的HF，及0.6％体积的表面活性剂组成，PAA和HF均被适当地稀释，该第四蚀刻溶液与第二蚀刻溶液(上面实验1)相似。实验2的结果示于图6中。
参考图6，可见第四蚀刻溶液(含有PAA)的蚀刻速度为约350/分钟，而第三蚀刻溶液(含有H2O2)的蚀刻速度仅为约40/分钟。因而，包含CH3COOOH作为氧化剂的第四蚀刻溶液比利用H2O2作为氧化剂的第三蚀刻溶液具有更高的蚀刻能力。相信该差别的解释在于CH3COOOH具有比H2O2更高的氧化电位。
(实验3)
为了说明包含在蚀刻溶液中的氧化物蚀刻剂的量，具体为HF的量，对蚀刻效果的影响，进行实验3。将包含10％体积HF的蚀刻溶液(第五蚀刻溶液)与包含20％体积HF的蚀刻溶液(第六蚀刻溶液)进行比较。第五蚀刻溶液基本上由90％体积的CH3COOOH，10％体积的HF，及0.6％体积的表面活性剂组成，CH3COOOH和HF均被适当地稀释，该第五蚀刻溶液与第二蚀刻溶液(上面实验1)相似。第六蚀刻溶液基本上由80％体积的CH3COOOH，20％体积的HF，及0.6％体积的表面活性剂组成，CH3COOOH和HF均被适当地稀释。在约25℃和约65℃下进行实验3。实验3的结果示于图7中。在图7中，使用符号◆(空心的小正方形)表示第五蚀刻溶液的蚀刻速度，使用符号■(填满的小正方形)表示第六蚀刻溶液的蚀刻速度。
参考图7，注意到蚀刻速度随着蚀刻溶液中HF的量(％体积)的增加而增加。然而同时，随着蚀刻温度增加，两种蚀刻溶液的蚀刻速度差没有较大地改变，即，每种溶液的蚀刻速度以大约相同的速度随着温度增加而增加。
(实验4)
为了说明本发明蚀刻溶液的蚀刻速度根据处理温度的变化，进行了实验4。在实验4中，在各个处理温度下，测量了蚀刻溶液(第七蚀刻溶液)的蚀刻速度，该蚀刻溶液基本上由均被适当稀释的90％体积的CH3COOOH和10％体积的HF组成。图8图示说明了实验4的结果。
参考图8，可见随着蚀刻溶液温度(处理温度)的增加，蚀刻速度增加。
对本领域的技术人员来说将显而易见，参考上述各个实验的结果，可以制得根据本发明具有各种组成并具有适当蚀刻特性的蚀刻溶液。
如上所述，根据本发明，通过单一和相对迅速而且便宜的方法，可能容易地从硅基底上除去低-k电介质层，因此，可能再利用用于测试的昂贵晶片。
尽管已经参考其优选实施方案具体说明和描述了本发明，但是本领域的技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节上的改变，而不脱离由所附的权利要求书所界定的本发明的精神和范围。例如，本发明的蚀刻溶液还可以有效地应用于在半导体元件制备过程中选择性地除去低-k电介质层的方法。例如，为了延伸形成在用于形成配线的低-k电介质层中的沟槽，可以使用根据本发明的蚀刻溶液。在此情况下，配线的宽度稍微增加，从而可以减小配线的电阻。
如上所述，根据本发明，通过单一方法可能容易地除去低-k电介质层。

Claims (23)

1.一种电介质层蚀刻溶液，包含：
有效比例的用于氧化低-k电介质层的氧化剂；及
有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。
2.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，该蚀刻溶液还包含有效比例的表面活性剂，所选择的表面活性剂可以改善低-k电介质层的润湿性。
3.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物。
4.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
5.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，
其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物；并且
其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
6.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，
其中该电介质层蚀刻溶液还包含去离子水；并且
其中该电介质层蚀刻溶液基本上由下列物质组成：约30～90％体积的氧化剂，约0.1～30％体积的氧化物蚀刻剂，及约0.1～40％体积的去离子水。
7.根据权利要求6的电介质层蚀刻溶液，
其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物；并且
其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
8.根据权利要求6的电介质层蚀刻溶液，还包含按所述氧化剂和氧化物蚀刻剂的总稀释体积计为约0.05～10％体积的表面活性剂。
9.根据权利要求1的电介质层蚀刻溶液，其中所述电介质层为碳掺杂的氧化硅层。
10.一种利用权利要求1的蚀刻溶液蚀刻低-k电介质层的方法，该方法包括下列步骤：
提供其上形成有低-k电介质层的晶片；及
使该晶片的电介质层与所述蚀刻溶液接触。
11.一种蚀刻低-k电介质层的方法，该方法包括下列步骤：
提供其上至少形成有低-k电介质层的晶片；及
使该晶片的电介质层与至少包含氧化剂和氧化物蚀刻剂的蚀刻溶液接触。
12.根据权利要求11的方法，其中所述低-k电介质层为碳掺杂的氧化硅层。
13.根据权利要求11的方法，还包括向所述蚀刻溶液中加入表面活性剂以改善低-k电介质层的润湿性的步骤。
14.根据权利要求11的方法，其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物。
15.根据权利要求11的方法，其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
16.一种由其上具有低-k电介质层的可再利用的晶片制备晶片的方法，该方法包括下列步骤：利用权利要求11的低-k电介质层蚀刻方法，从所述可再利用的晶片上完全除去低-k电介质层。
17.一种蚀刻基底上的低-k电介质层的方法，该方法包括下列步骤：氧化该低-k电介质层，形成氧化的低-k电介质层；及基本上同时将该氧化的低-k电介质层氟化成挥发性的氟化物。
18.根据权利要求17的方法，其中所述氧化低-k电介质层和将氧化的低-k电介质层氟化，是通过单一的蚀刻溶液完成的。
19.根据权利要求18的方法，其中所述蚀刻溶液基本上由下列物质组成：
有效比例的用于氧化低-k电介质层的氧化剂；及
有效比例的用于将氧化的低-k电介质层氟化成挥发性的氟化物，进而基本上完全从基底上除去低-k电介质层的氧化物蚀刻剂。
20.根据权利要求19的蚀刻低-k电介质层的方法，
其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物；并且
其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
21.一种低-k电介质层蚀刻溶液，包含：
有效比例的用于氧化低-k电介质层的氧化剂；及
有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂，
其中该蚀刻溶液中氧化剂与氧化物蚀刻剂的体积比为约1∶1～900∶1。
22.根据权利要求21的低-k电介质层蚀刻溶液，
其中所述氧化剂选自：H3PO4，HNO3，H2SO4，HClO4，HClO2，H2O2，NaOCl，ClO2，CH3COOOH，O3，及其混合物；并且
其中所述氧化物蚀刻剂选自：HF，HBF4，NH4F，及其混合物。
23.一种低-k电介质层蚀刻溶液组合物，包含：
约30～90％体积的用于有效氧化低-k电介质层的氧化剂；
约0.1～30％体积的用于有效除去氧化物的氧化物蚀刻剂；及
去离子水。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108963030A (zh) * 2018-06-14 2018-12-07 长安大学 硅基纳米结构光伏材料的制备方法

Families Citing this family (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706822B1 (ko) * 2005-10-17 2007-04-12 삼성전자주식회사 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법
US20070151949A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processes and apparatuses thereof
DE102007004060B4 (de) * 2007-01-22 2013-03-21 Gp Solar Gmbh Verwendung einer Ätzlösung aufweisend Wasser, Salpetersäure und Schwefelsäure und Ätzverfahren
KR101804573B1 (ko) * 2009-10-29 2017-12-06 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물
CN102041510B (zh) * 2010-06-09 2011-08-10 特变电工新疆硅业有限公司 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101367729B1 (ko) * 2012-03-09 2014-02-27 에스케이씨 주식회사 전도성 고분자 막용 에칭액 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10106737B2 (en) * 2017-03-22 2018-10-23 Lam Research Ag Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US20200109484A1 (en) * 2018-10-03 2020-04-09 Asm Ip Holding B.V. Susceptor and susceptor coating method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114395395B (zh) * 2022-01-27 2022-11-18 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 具有高选择比的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用
KR20240041391A (ko) * 2022-09-22 2024-04-01 한양대학교 산학협력단 세정 조성물 및 이를 이용한 기판의 세정방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4345969A (en) 1981-03-23 1982-08-24 Motorola, Inc. Metal etch solution and method
KR0175009B1 (ko) * 1995-07-28 1999-04-01 김광호 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법
KR100318467B1 (ko) * 1998-06-30 2002-02-19 박종섭 본딩형실리콘이중막웨이퍼제조방법
KR100338764B1 (ko) * 1999-09-20 2002-05-30 윤종용 반도체 기판의 오염 물질을 제거하기 위한 세정액 및 이를 이용한 세정방법
US6660655B2 (en) * 1999-10-12 2003-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and solution for preparing SEM samples for low-K materials
US6346490B1 (en) * 2000-04-05 2002-02-12 Lsi Logic Corporation Process for treating damaged surfaces of low k carbon doped silicon oxide dielectric material after plasma etching and plasma cleaning steps
US6762132B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use
US6562700B1 (en) * 2001-05-31 2003-05-13 Lsi Logic Corporation Process for removal of resist mask over low k carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure, and removal of residues from via etch and resist mask removal
US6693047B1 (en) * 2002-12-19 2004-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for recycling semiconductor wafers having carbon doped low-k dielectric layers
US6972217B1 (en) * 2002-12-23 2005-12-06 Lsi Logic Corporation Low k polymer E-beam printable mechanical support
US7176041B2 (en) * 2003-07-01 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. PAA-based etchant, methods of using same, and resultant structures
KR100588812B1 (ko) * 2004-05-07 2006-06-09 테크노세미켐 주식회사 실리콘 산화막 에칭용 조성물 및 이를 이용한 실리콘산화막 에칭방법
KR20050110470A (ko) * 2004-05-19 2005-11-23 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
KR100685738B1 (ko) * 2005-08-08 2007-02-26 삼성전자주식회사 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108963030A (zh) * 2018-06-14 2018-12-07 长安大学 硅基纳米结构光伏材料的制备方法

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