CN111925804A - 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 - Google Patents
高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111925804A CN111925804A CN202010817664.2A CN202010817664A CN111925804A CN 111925804 A CN111925804 A CN 111925804A CN 202010817664 A CN202010817664 A CN 202010817664A CN 111925804 A CN111925804 A CN 111925804A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching solution
- parts
- etching
- silicon nitride
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 67
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002207 metabolite Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本发明具体公开了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：0.20‑12.00份的如式A所示的化合物、74.00‑86.00份的磷酸和13.00‑15.00份的水。本发明的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
Description
技术领域
本发明涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。
背景技术
诸如氧化硅膜的氧化物膜和诸如氮化硅膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中，氧化硅膜或氮化硅膜可单独使用或以层叠体(laminate)的形式使用，在层叠体中一层或多层薄膜交替堆叠。此外，氧化物膜或氮化物膜也用作形成诸如金属布线的导电图案的硬掩模。
在用于去除氮化物膜的湿式蚀刻工艺中，通常使用磷酸水溶液。单独的磷酸水溶液存在很多问题，诸如：氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比不当，工艺过程中短时间内溶液中颗粒和沉淀较多，导致药水寿命短，无法适应层叠结构的层数增加等。
为了解决这些问题，亟需考虑在磷酸水溶液中增加添加剂，以提升磷酸水溶液的蚀刻能力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻选择性差、蚀刻液寿命短、无法适应层叠结构的层数增加等缺陷，而提供一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。本发明的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
本发明通过以下技术方案解决上述技术问题。
本发明提供了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：0.20-12.00份的如式A所示的化合物、74.00-86.00份的磷酸和13.00-15.00份的水；
在本发明某些方案中，按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量可为0.5-10份，例如0.50份、1.00份、4.50份、9.50份或10.00份，较佳地为1.00-9.50份，更佳地为4.50份。
在本发明某些方案中，按质量份数计，所述的磷酸的含量可为76.50-84.57份，例如76.50份、76.92份、81.17份、84.15份或84.57份，较佳地为76.92-84.15份，更佳地为81.17份。
在本发明某些方案中，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比可为7.65:1-169.14:1，例如7.65:1、8.10:1、18.04:1、84.15:1或169.14:1，较佳地为8.10:1-84.15:1，更佳地为18.04:1。
在本发明某些方案中，所述的水可为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种。
在本发明某些方案中，按质量份数计，所述的水的含量可为13.50-14.93份，例如13.50份、13.58份、14.33份、14.85份或14.93份，较佳地为13.58-14.85份，更佳地为14.33份。
在本发明某些方案中，按质量份数计，所述的蚀刻液由下述组分组成：如式A所示的化合物、磷酸和水。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：0.50％-10.00％的如式A所示的化合物、76.50％-84.57％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％-9.50％的如式A所示的化合物、76.92％-84.15％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：0.50％的如式A所示的化合物、84.57％的磷酸和14.93％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％的如式A所示的化合物、84.15％的磷酸和14.85％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：4.50％的如式A所示的化合物、81.17％的磷酸和14.33％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：9.50％的如式A所示的化合物、76.92％的磷酸和13.58％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液由下述组分组成：10.00％的如式A所示的化合物、76.50％的磷酸和13.50％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
在本发明某些方案中，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，较佳地为蚀刻氮化硅的蚀刻液。所述的氧化硅和/或氮化硅可为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜。所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度可为
所述的氧化硅和/或氮化硅可为层叠结构，所述的层叠结构的层数可为20-200层。
本发明还提供了一种上述的蚀刻液在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用。所述的蚀刻的条件和操作可为本领域常规的条件和操作。
所述的应用中，较佳地，所述的蚀刻液用于蚀刻氮化硅。
所述的应用中，所述的氧化硅和/或氮化硅可应用于半导体材料中。
所述的应用中，所述的氧化硅和/或氮化硅可为氧化硅膜和/或氮化硅膜，所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度可为
例如
或
所述的应用中，所述的氧化硅和/或氮化硅可为层叠结构。所述的层叠结构的层数可为20-200层，例如32层、64层、128层或192层。
所述的应用中，所述的蚀刻的温度可为150-165℃，例如159℃±2℃。
所述的应用中，所述的蚀刻的时间可为500-6500秒，例如600秒、700秒或6000秒。
所述的应用中，所述的蚀刻可包括以下步骤：将所述的氧化硅和/或氮化硅在150-165℃蚀刻500-6500秒后，将氧化硅和/或氮化硅取出，清洗，干燥，用TEM切片观察氧化硅和/或氮化硅的蚀刻情况。
本发明提供了一种上述的蚀刻液的制备方法，其包括以下步骤：将所述的如式A所示的化合物、磷酸和水进行混合，即可。
本发明还提供了一种如式A所示的化合物在作为蚀刻液添加剂中的应用；
所述的应用中，所述的如式A所示的化合物的含量可为0.50％-10.00％，较佳地为1.00％-9.50％，更佳地为4.50％，其中，百分比为所述的如式A所示的化合物的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
所述的应用中，所述的蚀刻液还可包含磷酸，所述的磷酸的含量可为76.50％-84.57％，例如76.50％、76.92％、81.17％、84.15％或84.57％，较佳地为76.92％-84.15％，更佳地为81.17％，其中，百分比为所述的磷酸的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
所述的应用中，所述的蚀刻液还可进一步包含水，所述的水的含量可为13.50％-14.93％，例如13.50％、13.58％、14.33％、14.85％或14.93％，较佳地为13.58％-14.85％，更佳地为14.33％，其中，百分比为所述的水的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
所述的应用中，所述的蚀刻液可如上述任一方案所述。
所述的应用中，所述的蚀刻液可用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅，较佳地为氮化硅。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明中，如式A所示的化合物参考专利申请CN110650992A制备获得。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的蚀刻液组合物可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
下述对比例中，如式B所示的化合物参考专利申请CN110650992A制备获得。
实施例1-5、对比例1-2
下述实施例1-5和对比例1-2中，所用的磷酸均为质量分数为85％的磷酸水溶液。化合物A和化合物B的质量百分比(即化合物占蚀刻液总质量的百分比)列于表1中。
下述实施例和对比例中，蚀刻液的制备方法均为将化合物A或化合物B和磷酸水溶液进行混合，搅拌均匀。
表1
| 编号 | 化合物 | 化合物的质量百分比 |
| 实施例1 | A | 4.50％ |
| 实施例2 | A | 1.00％ |
| 实施例3 | A | 9.50％ |
| 实施例4 | A | 0.50％ |
| 实施例5 | A | 10.00％ |
| 对比例1 | B | 4.50％ |
| 对比例2 | - | 0.00％ |
效果实施例1：蚀刻速率的检测
蚀刻对象：氧化硅膜和氮化硅膜；其中两种膜材分别为在图案化的硅半导体晶片上形成沉积厚度为
的氧化硅膜和在图案化的硅半导体晶片上形成沉积厚度为
的氮化硅膜。
蚀刻温度：159℃±2℃。
蚀刻容器：石英槽。
蚀刻时间：对氧化硅膜和氮化硅膜分别进行720秒和6000秒的蚀刻。
初始二氧化硅浓度：0ppm。
测速方法：使用薄膜厚度测量装置(NANO VIEW，SEMG-1000)，在蚀刻之前和蚀刻之后测量氧化硅膜和氮化物膜的薄膜厚度，蚀刻速率通过用初始厚度与蚀刻后的厚度之差除以蚀刻时间(分钟)计算得出(单位
)。选择比表示氮化物膜蚀刻速率与氧化物膜蚀刻速率的比值。
实施例1-5和对比例1-2制得的蚀刻液的测试结果如表2所示。
表2
在蚀刻实验中，选择比偏低则过刻逐渐加重，偏高则回沾逐渐加重。由表2可以看出，本发明实施例1-5制得的蚀刻液的选择比均在300-1000，较佳地为500-9000，此时不表现出过刻和回沾现象，表明本发明的蚀刻液对于氮化硅膜有很高的选择性，在蚀刻氮化硅膜的同时，很少或几乎不蚀刻氧化硅膜。
效果实施例2：蚀刻液寿命的检测
无论是氧化硅膜蚀刻，还是氮化硅膜蚀刻，蚀刻代谢物中均含有二氧化硅，随着蚀刻时间的延长，蚀刻液中溶解的二氧化硅的浓度会逐渐增加。因此配制二氧化硅浓度逐渐增加(0ppm/80ppm/120ppm/300ppm/500ppm)的蚀刻液作为初始蚀刻液，并分别测量氧化硅和氮化硅蚀刻速率及选择比。
实施例1-5和对比例1-2制得的蚀刻液的测试结果如表3所示。
表3
由表3可以看出，随着二氧化硅浓度的增加，本发明制得的蚀刻液的选择比仍然在300-1000，较佳地在500-900，依然表现出良好的选择性，表明本发明制得的蚀刻液的使用寿命长。
效果实施例3：不同层数的层叠结构的蚀刻测试
蚀刻对象：具有交叉层叠结构的硅晶片，层叠结构为
的氧化硅层和
的氮化硅层交叉层叠形成。层叠结构的层数分别为：32层/64层/128层/192层。
蚀刻条件：蚀刻液中二氧化硅初始浓度为0ppm。
检测方法：晶片在159℃±2℃蚀刻10min后，将晶片取出，清洗，干燥，用TEM切片观察晶片中层叠结构的蚀刻情况。
评价标准：A级为氮化硅层蚀刻完成且氧化硅层未损伤；B级为氮化硅层蚀刻完成但氧化硅层有损伤；C级为氮化硅层未蚀刻完成。
实施例1-5和对比例1-2制得的蚀刻液的测试结果如表4所示。
表4
由表4可以看出，本发明实施例1-3制得的蚀刻液对不同层数的层叠结构均表现出优异的蚀刻效果，氮化硅层蚀刻完成的同时且氧化硅层未损伤。本发明实施例4制得的蚀刻液对不同层数的层叠结构均表现出良好的蚀刻效果，氮化硅层蚀刻完成的同时氧化硅层有少量损伤。
Claims (10)
1.一种蚀刻液，其特征在于，按质量份数计，其包括下述组分：0.20-12.00份的如式A所示的化合物、74.00-86.00份的磷酸和13.00-15.00份的水；
2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为0.50-10.00份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.50-84.57份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为7.65:1-169.14:1；
和/或，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.50-14.93份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液。
3.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为1.00-9.50份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.92-84.15份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为8.10:1-84.15:1；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.58-14.85份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅的蚀刻液；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的层数为20-200层。
4.如权利要求3所述的蚀刻液，其特征在于，
按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为0.50份、1.00份、4.50份、9.50份或10.00份，较佳地为4.50份；
和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.50份、76.92份、81.17份、84.15份或84.57份，较佳地为81.17份；
和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为7.65:1、8.10:1、18.04:1、84.15:1或169.14:1，较佳地为18.04:1；
和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.50份、13.58份、14.33份、14.85份或14.93份，较佳地为14.33份；
和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度为
5.如权利要求1-4中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为以下任一方案：
方案1：
按质量份数计，所述的蚀刻液由下述组分组成：如式A所示的化合物、磷酸和水；
方案2：
所述的蚀刻液由下述组分组成：0.50％-10.00％的如式A所示的化合物、76.50％-84.57％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案3：
所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％-9.50％的如式A所示的化合物、76.92％-84.15％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案4：
所述的蚀刻液由下述组分组成：0.50％的如式A所示的化合物、84.57％的磷酸和14.93％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案5：
所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％的如式A所示的化合物、84.15％的磷酸和14.85％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案6：
所述的蚀刻液由下述组分组成：4.50％的如式A所示的化合物、81.17％的磷酸和14.33％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案7：
所述的蚀刻液由下述组分组成：9.50％的如式A所示的化合物、76.92％的磷酸和13.58％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
方案8：
所述的蚀刻液由下述组分组成：10.00％的如式A所示的化合物、76.50％的磷酸和13.50％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。
6.一种如权利要求1-5中任一项所述的蚀刻液在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用。
7.如权利要求6所述的蚀刻液在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用，其特征在于，
所述的蚀刻液用于蚀刻氮化硅；
和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅应用于半导体材料中；
和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅为氧化硅膜和/或氮化硅膜，所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度为
和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的所述的层叠结构的层数为20-200层；
和/或，所述的蚀刻的温度为150-165℃；
和/或，所述的蚀刻的时间为500-6500秒；
和/或，所述的蚀刻包括以下步骤：将所述的氧化硅和/或氮化硅在150-165℃蚀刻500-6500秒后，将氧化硅和/或氮化硅取出，清洗，干燥，用TEM切片观察氧化硅和/或氮化硅的蚀刻情况。
8.一种如权利要求1-5中任一项所述的蚀刻液的制备方法，其包括以下步骤：将所述的如式A所示的化合物、磷酸和水进行混合，即可。
9.一种如式A所示的化合物在作为蚀刻液添加剂中的应用；
10.如权利要求9所述的如式A所示的化合物在作为蚀刻液添加剂中的应用，其特征在于，
所述的如式A所示的化合物的含量为0.5％-10％，较佳地为1.00％-9.50％，更佳地为4.50％，其中，百分比为所述的如式A所示的化合物的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
和/或，所述的蚀刻液还包含磷酸，所述的磷酸的含量为76.50％-84.57％，例如76.50％、76.92％、81.17％、84.15％或84.57％，较佳地为76.92％-84.15％，更佳地为81.17％，其中，百分比为所述的磷酸的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
和/或，所述的蚀刻液还进一步包含水，所述的水的含量为13.50％-14.93％，例如13.50％、13.58％、14.33％、14.85％或14.93％，较佳地为13.58％-14.85％，更佳地为14.33％，其中，百分比为所述的水的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；
和/或，所述的蚀刻液用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅，较佳地为氮化硅；
较佳地，所述的蚀刻液的定义如权利要求1-5中任一项所述。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010817664.2A CN111925804B (zh) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010817664.2A CN111925804B (zh) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111925804A true CN111925804A (zh) | 2020-11-13 |
| CN111925804B CN111925804B (zh) | 2021-09-28 |
Family
ID=73310923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010817664.2A Active CN111925804B (zh) | 2020-08-14 | 2020-08-14 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111925804B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114989827A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-02 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108060420A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-22 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种刻蚀液及其制备方法和应用 |
| KR20200021827A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
| CN111048415A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
| CN111363550A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-08-14 CN CN202010817664.2A patent/CN111925804B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108060420A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-22 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种刻蚀液及其制备方法和应用 |
| KR20200021827A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
| CN111048415A (zh) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
| CN111363550A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114989827A (zh) * | 2022-08-04 | 2022-09-02 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 含硅氧烷类化合物的氮化硅蚀刻液及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111925804B (zh) | 2021-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111961472B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| US7947638B2 (en) | Composition for cleaning semiconductor device | |
| CN101098989A (zh) | 铜的蚀刻液以及蚀刻方法 | |
| CN111925804B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| WO2006068091A1 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| CN111925803B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| US20190241783A1 (en) | Composition and method for polishing silicon carbide | |
| CN111925797B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| CN111849487B (zh) | 一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| CN111925802B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| CN111925801B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用 | |
| CN111925805B (zh) | 一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用 | |
| DE69833692T2 (de) | Ätzlösung für das selektive ätzen von siliziumoxid mit fluorid-salz, komplexmittel und glykol-lösungsmittel | |
| CN111925798B (zh) | 一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用 | |
| CN111925800B (zh) | 一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用 | |
| CN111925799B (zh) | 一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用 | |
| CN111925796B (zh) | 高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用 | |
| CN112410036B (zh) | 一种低选择性的bpsg和peteos薄膜的蚀刻液 | |
| KR102435735B1 (ko) | 질화막에 대한 선택성이 우수한 식각액 조성물 | |
| KR20090020815A (ko) | 실리콘/실리콘산화물의 세정 및 식각 조성물 | |
| JP2009527908A (ja) | Ｕｂｍ層系を構造化するためのエッチング溶液および方法 | |
| JP4838578B2 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| JP2024028211A (ja) | エッチング液、該エッチング液を用いたシリコンデバイスの製造方法および基板処理方法 | |
| TW202309343A (zh) | 用於半導體基板的蝕刻液組合物 | |
| JP5709075B2 (ja) | リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |