CN111048415A - 一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
Description
技术领域
本发明涉及一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。
背景技术
氧化物层和氮化物层均可作为半导体的绝缘层。氧化物层可以包括二氧化硅(SiO2)层；氮化物层可以包括氮化硅(SiN2)层。绝缘层可为二氧化硅层和氮化硅(SiN2)层独立地使用，或者交替性地互相堆叠地使用。另外，氧化物层和氮化物层还可以作为硬质掩膜用于形成金属互连的导电图案。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，NAND闪存在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存的存储容量已接近实际扩展的极限，为了进一步提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D(三维)结构的NAND存储器。在3D NAND存储器结构中，通过采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，来实现堆叠式的3DNAND存储器结构。该层堆叠结构中包括交替生长的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜，及对这些交替膜层的选择性刻蚀或选择性腐蚀，形成需要的结构。现阶段，氮化物层采用湿式蚀刻工艺来选择性地去除。选择性刻蚀液组合物通常选用高浓度的磷酸和去离子水。但是，该选择性刻蚀液组合物在刻蚀速率选择比方面不尽如人意，往往会带来氧化物膜层的过刻蚀(具体为刻蚀速率过高)或负刻蚀(具体为颗粒再沉积，又称为回沾变厚)。
目前亟需一种选择性刻蚀液组合物，能很好地解决上述过刻蚀或负刻蚀的刻蚀选择性不佳的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术中的刻蚀液组合物在刻蚀过程中出现氧化物膜层的过刻蚀(具体为刻蚀速率过高)或负刻蚀(具体为颗粒再沉积，又称为回沾变厚)的缺陷，而提供了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
本发明通过以下技术方案解决上述技术问题。
本发明提供了一种选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水；
其中，式I中，n为1～15任一整数；X为O或N；R1、R2、R3和R4独立地C1-10烷基、卤素取代的C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10烷氧基、C6-30芳基、取代的C6-30芳基、C1-10炔基、C1-10烷基硅基、C1-10烷氧基硅基、脲基、氰基、异氰酸酯基、氨基或C1-6烷基取代的氨基；
式II中，m为0、1、2、3、4、5或6；p为0或1；q为0、1、2、3、4、5或6；R5、R6和R7独立地直链C1-10烷基、支链C3-10烷基或C1-10烷氧基；R8为C3-30杂芳基、取代的C3-30杂芳基；所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基的杂原子为N、S和O中的一种或多种；
R1、R2、R3和R4中取代的C6-30芳基、和R8中取代的C3-30杂芳基中的取代基独立选自卤素、C1-6羧酸、硼酸、硝基和氨基。
较佳地，所述选择性刻蚀液组合物，其由以下组分组成：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水；
其中，X、n、m、p、q、R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7和R8的定义均如上所述。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物的含量可为0.1～5.0％，较佳地为2.0～4.0％，更佳地为2.5～3.5％，所述百分比为含硅杂原子化合物的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
所述如式I所示含硅杂原子化合物和/或所述如式II所示的含硅杂原子化合物在添加至所述选择性刻蚀液组合物前，所述如式I所示含硅杂原子化合物和/或所述如式II所示的含硅杂原子化合物可与酸形成酸式盐，所述盐为盐酸盐、硫酸盐或季铵盐中的一种或多种。
所述选择性刻蚀液组合物中，所述磷酸的含量为75～99％，例如80～85％，，所述百分比为磷酸的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。所述磷酸在添加至所述选择性刻蚀液组合物前，可为本领域常规的磷酸。较佳地为，正磷酸的固体或85％磷酸溶液，所述百分比为磷酸的质量占磷酸和水的总质量的质量百分比。
所述水为本领域常规的水。较佳地为去离子水。
如式I所示含硅杂原子化合物中，所述卤素取代的C1-10烷基和卤素中的卤素可为F、Cl、Br或I，较佳地为F或I。
如式I所示含硅杂原子化合物中，所述n可为1～9中任一整数，较佳地为2～9中任一整数。
如式I所示含硅杂原子化合物中，所述X可为O。
如式II所示含硅杂原子化合物中，所述m可为0、1、2、3。
如式II所示含硅杂原子化合物中，所述q可为0、1、2。
R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷基、所述直链C1-10烷基、所述卤素取代的C1-10烷基中的C1-10烷基独立地可为C1-6烷基，较佳地为C1-3烷基。所述C1-3烷基可为甲基、乙基、正丙基或异丙基，较佳地为甲基或乙基，更佳地为甲基。
R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷氧基独立地可为C1-6烷氧基，较佳地为C1-3烷氧基。所述C1-3烷氧基可为甲氧基、乙氧基、正丙烷氧基或异丙烷氧基，较佳地为甲氧基或乙氧基。
R1、R2、R3和R4中，所述C2-10烯基独立地可为C2-6烯基，较佳地为C2-3烯基。所述C2-3烯基可为乙烯基或丙烯基，较佳地为乙烯基。
R1、R2、R3和R4中，所述C6-30芳基和所述取代的C6-30芳基中C6-30芳基独立地可为C6-14芳基，较佳地为C6-10芳基。所述C6-10芳基可为苯基、萘基或菲基，较佳为苯基。
R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷基硅基独立地可为C1-6烷基硅基，较佳地为C1-3烷基硅基。所述C1-3烷基硅基可为甲基硅基、乙基硅基、丙烷基硅基，较佳地为甲基硅基。
R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷氧基硅基独立地可为C1-6烷氧基硅基，较佳地为C1-3烷氧基硅基。所述C1-3烷氧基硅基可为甲氧基硅基、乙氧基硅基、丙烷氧基硅基，较佳地为甲氧基硅基。
R1、R2、R3和R4中，所述取代的氨基中的取代基独立地可为C1-3烷基。
R8中，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中的杂原子的个数独立地可为1个或多个；较佳地为1、2或3个。
R8中，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中C3-30杂芳基独立地可为C3-14杂芳基，较佳地为C3-10杂芳基。所述C3-10杂芳基可为三氮唑基、吲哚基、吡咯基、苯并三唑即、咪唑基、苯并[b]噻吩基、吡唑基、吡咯并[2,3-b]吡啶基、吲唑基或吡咯并[2,3-b]吡啶基。
R1、R2、R3、R4和R8中，所述取代基的个数独立地可为1个或多个；当所述取代基的个数为多个时，所述取代基的种类相同或不同。
所述如式II所示的含硅杂原子化合物中，当R8中含有N时，所述如式II所示的含硅杂原子化合物中
与R8中的N原子相连。
R1、R2、R3、R4和R8中，所述取代的C6-30芳基和所述取代的C3-30杂芳基中的取代基的取代位置可不做具体限定。
所述R1、R2、R3和R4独立地可为C1-10烷基、卤素取代的C1-10烷基、C1-10烯基或C6-30芳基；较佳地为C1-10烷基。
所述R1、R2、R3和R4独立地可为甲基、乙基、三氟丙基、乙烯基或苯基；较佳为甲基。
R5、R6和R7独立地可为支链C3-10烷基或C1-10烷氧基。
R5、R6和R7独立地可为甲基、乙基、异丙基或甲氧基，较佳地为异丙基或甲氧基。
R8为C3-30杂芳基、取代的C3-30杂芳基，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基的杂原子独立地可为N或S。
R8可为
所述如式I所示的含硅杂原子化合物为十二甲基环六硅氧烷(CAS号为540-97-6))、六乙基环三硅氧烷(CAS号为2031-79-0)、四乙基环四硅氧烷(CAS号为16066-10-7)、七甲基环四硅氧烷(CAS号为15721-05-8)、六苯基环三硅氧烷(CAS号为512-63-0)、五甲基环五硅氧烷(CAS号为6166-86-5)、八甲基环四硅氧烷(CAS号为556-67-2)、八苯基环四硅氧烷(CAS号为546-56-5)、六甲基环三硅氧烷(CAS号为541-05-9)、十甲基环五硅氧烷(CAS号为541-02-6)、三氟丙基甲基环三硅氧烷(CAS号为2374-14-3)、十四甲基环七硅氧烷(CAS号为107-50-6)、二十甲基环十硅氧烷(CAS号为18772-36-6)、四甲基四苯基环四硅氧烷(CAS号为77-63-4)、七甲基苯基环状四硅氧烷(CAS号为10448-09-6)、六甲基环三硅氮烷(CAS号为1009-93-4)、六苯基环三硅氮烷(CAS号为4570-25-6)、八甲基环四硅氮烷(CAS号为1020-84-4)、三乙烯基三甲基环三硅氮烷(CAS号为5505-72-6)、1,2,3,4,5,6,7,8-八甲基环四硅氮烷(CAS号为2587-47-5)或1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氮烷(CAS号为5162-63-0)；较佳地为十二甲基环六硅氧烷、七甲基环四硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷或二十甲基环十硅氧烷。
所述如式II所示的含硅杂原子化合物为2-(三甲基硅基)-1,2,3-三氮唑(CAS号为13518-80-4)、1-(三异丙基硅基)吲哚(CAS号为123191-00-4)、N-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯(CAS号为80906-67-8)、1-(三甲基硅基)苯并三氮唑(CAS号为43183-36-4)、1-[2-(三甲基硅基)乙氧羰氧基]苯并三唑(CAS号为113306-55-1)、1-[(三甲基甲硅烷基)甲基]苯并三唑(CAS号为122296-00-8)、1-(三甲基硅基)咪唑(CAS号为18156-74-6)、2-(三甲基甲硅烷基)苯并[b]噻吩-7-基硼酸(CAS号为1217501-33-1)、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)吡唑-5-硼酸(CAS号为188978-71-4)、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶(CAS号为879132-46-4)、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-5-羧酸(CAS号为1203955-66-1)、3-甲基-1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吲唑-6-胺(CAS号为1214900-04-5)、3-碘-6-硝基-1-[[2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基]甲基]-1H-吲唑(CAS号为319472-83-8)、4-氯-1-[[2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基]甲基]-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-5-羧酸(CAS号为1039740-71-0)。
本发明还提供了一种所述选择性刻蚀液组合物的制备方法，其包括如下步骤：将所述上述原料组分混合均匀，即可。
其中，所述的混合优选为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合的温度为室温。
本发明还提供了一种所述如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物作为选择性刻蚀液添加剂的应用；
其中，X、n、m、p、q、R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7和R8均如上所述。
本发明还提供了一种所述选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层中的应用。
本发明中室温是指10-30℃。
在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层时，7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1～36及对比例1～3
刻蚀组合物的制备
将含硅杂原子化合物加入到水和磷酸中，混合均匀，得到本发明的选择性刻蚀液组合物，其中含硅杂原子化合物的质量百分比如下表1所示，磷酸的质量百分比为85％，其余为去离子水，百分比为各原料组分的质量占选择性刻蚀液组合物的总质量的质量百分比。
表1刻蚀组合物的组分及浓度
效果实施例1～36
刻蚀工艺
利用表1中选择性刻蚀液组合物，在157℃的温度下，进行氮化物膜和氧化物膜的刻蚀。采用薄膜厚度测量系统的偏振光椭圆率测量仪(NANOVIEW,SEMG-1000)来测量氮化物膜和氧化物膜的刻蚀速率和选择性。
刻蚀速率是将各个膜刻蚀300秒并测量各个膜在刻蚀前的厚度与各个膜在刻蚀后的厚度之差来决定的。通过用厚度差除以刻蚀时间(分钟)来得到刻蚀速率。刻蚀选择性以氮化物膜的刻蚀速率与氧化物膜的刻蚀速率之比来表示。层叠片刻蚀效果实验，由刻蚀组合物在157℃的工艺温度执行氮化物膜和氧化物膜层叠片的刻蚀，刻蚀时间为35min；其中层叠片的氧化物膜层为LP-TEOS。刻蚀组合物每小时刻蚀一批层叠片，考察8小时内层叠片刻蚀效果。
表2为实施例1～36及对比例1～3刻蚀组合物刻蚀后测量结果
由上述效果实施例1～36可知，本发明的含有如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物类添加剂的选择性刻蚀液组合物对氮化物膜和氧化物膜进行刻蚀，7h内均无出现氧化物膜层过刻蚀和氧化物膜层负刻蚀现象；尤其是含有添加剂为被甲基取代的环状硅氧烷化合物或化合物2刻蚀组合物，8h内均无出现氧化物膜层过刻蚀和氧化物膜层负刻蚀现象。
而对比例1～3中的含有磷酸酯类添加剂的组合物对氮化物膜和氧化物膜进行刻蚀，均会不同程度出现过刻蚀或负刻蚀的问题，且初始刻蚀液就会出现此类问题。
Claims (10)
1.一种选择性刻蚀液组合物，其特征在于，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水；
其中，式I中，n为1～15任一整数；X为O或N；R1、R2、R3和R4独立地为C1-10烷基、卤素取代的C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10烷氧基、C6-30芳基、取代的C6-30芳基、C1-10炔基、C1-10烷基硅基、C1-10烷氧基硅基、脲基、氰基、异氰酸酯基、氨基或C1-6烷基取代的氨基；
式II中，m为0、1、2、3、4、5或6；p为0或1；q为0、1、2、3、4、5或6；R5、R6和R7独立地为直链C1-10烷基、支链C3-10烷基或C1-10烷氧基；R8为C3-30杂芳基、取代的C3-30杂芳基；所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基的杂原子独立为N、S和O中的一种或多种；
R1、R2、R3、R4中取代的C6-30芳基和R8中取代的C3-30杂芳基中的取代基独立选自卤素、C1-6羧酸、硼酸、硝基和氨基。
2.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述选择性刻蚀液组合物中，所述如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物的含量为0.1～5.0％，较佳地为2.0～4.0％，更佳地为2.5～3.5％，所述百分比为含硅杂原子化合物的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述如式I所示含硅杂原子化合物和所述如式II所示的含硅杂原子化合物在添加至组合物前，所述如式I所示含硅杂原子化合物和如式II所示的含硅杂原子化合物与酸形成酸式盐，所述盐为盐酸盐、硫酸盐或季铵盐中的一种或多种；
和/或，所述选择性刻蚀液组合物中，所述磷酸的含量为75～99％，例如80～85％，所述百分比为磷酸的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述水为去离子水。
3.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，如式I所示含硅杂原子化合物中，所述卤素取代的C1-10烷基和卤素中的卤素为F、Cl、Br或I；
和/或，如式I所示含硅杂原子化合物中，所述n为1～9中任一整数；
和/或，如式I所示含硅杂原子化合物中，所述X为O；
和/或，如式II所示含硅杂原子化合物中，所述m为0、1、2、3；
和/或，如式II所示含硅杂原子化合物中，所述q为0、1、2；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷基、所述直链的C1-10烷基、所述卤素取代的C1-10烷基中的C1-10烷基独立地为C1-6烷基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷氧基独立地为C1-6烷氧基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷氧基独立地为C1-6烷氧基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C6-30芳基和所述取代的C6-30芳基中C6-30芳基独立地为C6-14芳基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷基硅基独立地为C1-6烷基硅基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷氧基硅基独立地为C1-6烷氧基硅基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述取代的氨基中的取代基独立地为C1-3烷基；
和/或，R8中，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中的杂原子的个数为1个或多个；
和/或，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中C3-30杂芳基独立地为C3-14杂芳基；
和/或，R1、R2、R3、R4和R8中，所述取代基的个数独立地为1个或多个；
和/或，所述如式II所示的含硅杂原子化合物中，当R8中含有N时，所述如式II所示的含硅杂原子化合物中
与R8中的N原子相连。
4.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，如式I所示含硅杂原子化合物中，所述卤素取代的C1-10烷基和卤素中的卤素为F或I；
和/或，如式I所示含硅杂原子化合物中，所述n为2～9中任一整数；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷基、所述卤素取代的C1-10烷基中的C1-10烷基独立地为C1-3烷基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷氧基独立地为C1-3烷氧基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-10烷氧基独立地为C1-3烷氧基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C6-30芳基和所述取代的C6-30芳基中C6-30芳基独立地为C6-10芳基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷基硅基独立地为C1-3烷基硅基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-10烷氧基硅基独立地为C1-3烷氧基硅基；
和/或，R8中，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中的杂原子的个数为1、2或3个；
和/或，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中C3-30杂芳基独立地为C3-10杂芳基；
和/或，R1、R2、R3、R4和R8中，当所述取代基的个数为多个时，所述取代基的种类相同或不同。
5.如权利要求4所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-3烷基独立地为甲基、乙基、正丙基或异丙基，较佳地为甲基或乙基，更佳地为甲基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-3烷氧基独立地为甲氧基、乙氧基、正丙烷氧基或异丙烷氧基，较佳地为甲氧基或乙氧基；
和/或，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7中，所述C1-3烷氧基独立地为甲氧基、乙氧基、正丙烷氧基或异丙烷氧基，较佳地为甲氧基或乙氧基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C6-10芳基独立地为苯基、萘基或菲基，较佳为苯基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-3烷基硅基独立地为甲基硅基、乙基硅基、丙烷基硅基，较佳地为甲基硅基；
和/或，R1、R2、R3和R4中，所述C1-3烷氧基硅基独立地为甲氧基硅基、乙氧基硅基、丙烷氧基硅基，较佳地为甲氧基硅基；
和/或，R8中，所述C3-10杂芳基为三氮唑基、吲哚基、吡咯基、苯并三唑即、咪唑基、苯并[b]噻吩基、吡唑基、吡咯并[2,3-b]吡啶基、吲唑基或吡咯并[2,3-b]吡啶基。
6.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述R1、R2、R3和R4独立地为C1-10烷基、卤素取代的C1-10烷基、C1-10烯基或C6-30芳基；较佳地为C1-10烷基；
和/或，R5、R6和R7独立地为支链C3-10烷基或C1-10烷氧基；
和/或，R8为C3-30杂芳基、取代的C3-30杂芳基，所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基的杂原子为N或S。
7.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物，其特征在于，所述R1、R2、R3和R4独立地为甲基、乙基、三氟丙基、乙烯基或苯基；较佳为甲基；
和/或，R5、R6和R7独立地为甲基、乙基、异丙基或甲氧基，较佳地为异丙基或甲氧基；
和/或，R8为
较佳地为
和/或，所述如式I所示的含硅杂原子化合物为十二甲基环六硅氧烷、六乙基环三硅氧烷、四乙基环四硅氧烷、七甲基环四硅氧烷、六苯基环三硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、八苯基环四硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、三氟丙基甲基环三硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷、二十甲基环十硅氧烷、四甲基四苯基环四硅氧烷、七甲基苯基环状四硅氧烷、六甲基环三硅氮烷、六苯基环三硅氮烷、八甲基环四硅氮烷、三乙烯基三甲基环三硅氮烷、1,2,3,4,5,6,7,8-八甲基环四硅氮烷或1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氮烷；较佳地为十二甲基环六硅氧烷、七甲基环四硅氧烷、五甲基环五硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基环三硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷或二十甲基环十硅氧烷；
和/或，所述如式II所示的含硅杂原子化合物为2-(三甲基硅基)-1,2,3-三氮唑、1-(三异丙基硅基)吲哚、N-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯、1-(三甲基硅基)苯并三氮唑、1-[2-(三甲基硅基)乙氧羰氧基]苯并三唑、1-[(三甲基甲硅烷基)甲基]苯并三唑、1-(三甲基硅基)咪唑、2-(三甲基甲硅烷基)苯并[b]噻吩-7-基硼酸、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)吡唑-5-硼酸、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶、1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-5-羧酸、3-甲基-1-((2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基)甲基)-1H-吲唑-6-胺、3-碘-6-硝基-1-[[2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基]甲基]-1H-吲唑、4-氯-1-[[2-(三甲基甲硅烷基)乙氧基]甲基]-1H-吡咯并[2,3-b]吡啶-5-羧酸。
8.一种如权利要求1～7任一项所述选择性刻蚀液组合物的制备方法，其包括如下步骤：将如权利要求1～7任一项中所述原料组分混合均匀，即可。
9.一种如权利要求1～7所述式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物作为选择性刻蚀液添加剂的应用，
其中，X、n、m、p、q、R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7和R8的定义均如权利要求1所述。
10.一种如权利要求1～7任一项所述选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层中的应用。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111925804A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
| CN111925803A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090081881A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Hiromi Kiyose | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
| US20130092872A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Soulbrain Co., Ltd. | Compositions for etching and methods of forming a semiconductor device using the same |
| CN103160282A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 爱思开海力士有限公司 | 刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法 |
| KR20140079267A (ko) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 솔브레인 주식회사 | 식각 조성물, 식각 방법 및 반도체 소자 |
| CN104576313A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置 |
| US20150371869A1 (en) * | 2015-08-31 | 2015-12-24 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
| KR20170093430A (ko) * | 2016-02-05 | 2017-08-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법 |
| CN107345137A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | Oci有限公司 | 能够抑制颗粒出现的蚀刻溶液 |
| CN107573940A (zh) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | Oci有限公司 | 氮化硅膜蚀刻溶液 |
| CN108102654A (zh) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法 |
| CN108291132A (zh) * | 2015-12-04 | 2018-07-17 | 秀博瑞殷株式公社 | 蚀刻用组合物以及利用该组合物半导体器件的制造方法 |
| KR20180109745A (ko) * | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
-
2018
- 2018-10-11 CN CN201811185568.XA patent/CN111048415B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090081881A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Hiromi Kiyose | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
| US20130092872A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Soulbrain Co., Ltd. | Compositions for etching and methods of forming a semiconductor device using the same |
| CN103160282A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 爱思开海力士有限公司 | 刻蚀组合物以及利用其制造半导体器件的方法 |
| KR20140079267A (ko) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 솔브레인 주식회사 | 식각 조성물, 식각 방법 및 반도체 소자 |
| CN104576313A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置 |
| US20150371869A1 (en) * | 2015-08-31 | 2015-12-24 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
| CN108291132A (zh) * | 2015-12-04 | 2018-07-17 | 秀博瑞殷株式公社 | 蚀刻用组合物以及利用该组合物半导体器件的制造方法 |
| KR20170093430A (ko) * | 2016-02-05 | 2017-08-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법 |
| CN107345137A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | Oci有限公司 | 能够抑制颗粒出现的蚀刻溶液 |
| CN107573940A (zh) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | Oci有限公司 | 氮化硅膜蚀刻溶液 |
| CN108102654A (zh) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 三星电子株式会社 | 蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法 |
| KR20180109745A (ko) * | 2017-03-28 | 2018-10-08 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111925804A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
| CN111925803A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
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| Publication number | Publication date |
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