CN109256045A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基体基底，包括显示区域和外围区域，所述外围区域包括弯曲区域；第一测试信号线和第二测试信号线，位于外围区域上；下绝缘层，位于第一测试信号线和第二测试信号线上；第一测试连接图案，位于下绝缘层上，并连接到第一测试信号线；第二测试连接图案，位于下绝缘层上，与第一测试连接图案分隔开，并且连接到第二测试信号线；上绝缘层；以及第一裂纹检测线，位于上绝缘层上，连接到第一测试连接图案和第二测试连接图案，并且具有与弯曲区域叠置的至少一部分。

Description

显示装置
本申请要求于2017年7月12日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0088616号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明构思的实施例的各方面涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的市场正在增加。因此，诸如液晶显示器和有机发光显示器的显示装置的使用正在增加。
如果显示装置具有柔性，则可以被弯曲、折叠或卷绕以便随身携带。因此，显示装置的柔性可以对确保便携性做出重大贡献，同时扩大显示装置的屏幕。
就这点而言，正在进行对柔性显示装置的研究，并且正在进行各种尝试，以减小显示装置的非显示区域的面积。
当显示装置的至少一部分弯曲时，诸如位于弯曲部分中的布线的导电图案会断裂，从而降低了显示装置的可靠性。
发明内容
根据实施例的一方面，显示装置具有外围区域的至少一部分可以被弯曲的结构。
根据实施例的另一方面，显示装置能够检测产生在弯曲部分中的裂纹。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基体基底，包括显示区域和除了显示区域之外的外围区域，其中，外围区域包括弯曲区域；第一测试信号线和第二测试信号线，位于基体基底的外围区域上，并彼此至少部分地分隔开；下绝缘层，位于第一测试信号线和第二测试信号线上；第一测试连接图案，位于下绝缘层上，并连接到第一测试信号线；第二测试连接图案，位于下绝缘层上，与第一测试连接图案分隔开，并且连接到第二测试信号线；上绝缘层，位于第一测试连接图案和第二测试连接图案上；以及第一裂纹检测线，位于上绝缘层上，连接到第一测试连接图案和第二测试连接图案，并且具有与基体基底的弯曲区域叠置的至少一部分。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基体基底，包括显示区域和除了显示区域之外的外围区域，其中，外围区域包括弯曲区域；第一测试信号线和第二测试信号线，位于基体基底的外围区域上，并彼此至少部分地分隔开；裂纹检测线，具有位于基体基底的弯曲区域上的至少一部分，并电连接到第一测试信号线和第二测试信号线；以及数据线和驱动电压线，位于基体基底的显示区域上，其中，数据线和驱动电压线位于不同的层上，数据线和裂纹检测线位于不同的层上，裂纹检测线与第一测试信号线和第二测试信号线位于不同的层上。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基体基底，包括显示区域和除了显示区域之外的外围区域，其中，外围区域包括弯曲区域；第一测试信号线和第二测试信号线，位于基体基底的外围区域上，并彼此至少部分地分离；裂纹检测线，具有位于基体基底的弯曲区域上的至少一部分，并电连接到第一测试信号线和第二测试信号线；数据线，位于基体基底的显示区域上；连接垫，位于基体基底的外围区域上；以及桥接布线，电连接数据线和连接垫，其中，数据线和桥接布线位于不同的层上，裂纹检测线和桥接布线位于不同的层上，裂纹检测线与第一测试信号线和第二测试信号线位于不同的层上。
附图说明
通过以下结合附图对一些示例实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是示出沿弯曲区域弯曲的图1的显示装置的透视图；
图3是图2中示出的显示装置的示意性剖视图；
图4是图1中示出的像素的实施例的等效电路图；
图5是进一步详细地示出了图4的像素的示例性结构的平面图；
图6是沿图5的线X1-X2截取的剖视图；
图7是沿图5的线X3-X4截取的剖视图；
图8是图1的区域“Q1”的放大平面图；
图9是沿图8的线X5-X6截取的剖视图；
图10是图1的区域“Q2”的放大平面图；
图11是沿图10的线X7-X8截取的剖视图；
图12是沿图10的线X9-X10截取的剖视图；
图13是沿图10的线X11-X12截取的剖视图；
图14是图1的区域“Q3”的放大平面图；
图15是沿图14的线X13-X14截取的剖视图；
图16是沿图14的线X15-X16截取的剖视图；
图17是用于解释使用图14中示出的结构来检测裂纹的工艺的图；
图18是图14中示出的结构的修改示例的平面图；
图19是沿图18的线X17-X18截取的剖视图；
图20是图14中示出的结构的修改示例的平面图；
图21是沿图20的线X19-X20截取的剖视图；
图22是用于解释使用图20中示出的结构来检测裂纹的工艺的图；
图23是沿与图10的线X7-X8对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图；
图24是沿与图10的线X9-X10对应的线截取的图23的显示装置的剖视图；
图25是沿与图10的线X11-X12对应的线截取的图23的显示装置的剖视图；
图26是沿与图14的线X13-X14对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图；
图27是沿与图18的线X17-X18对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图；以及
图28是沿与图20的线X19-X20对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
参照附图描述了一些示例实施例。示例实施例可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为被限制。在描述中同样的附图标记可以表示同样的元件。
尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以用来将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，以下讨论的“第一”元件可以被命名为“第二”元件。作为“第一”元件的元件的描述可以不要求或暗示存在第二元件或其它元件。在此也可以使用术语“第一”、“第二”等来区分不同的类别或元件组。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
在此使用的术语用来描述具体实施例，而不意图成为限制。除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也可以包括复数形式。术语“包括”和/或“包含”可以说明存在陈述的步骤和/或元件，但是可以不排除或添加一个或更多个其它步骤和/或元件。
当第一元件被称作“在”第二元件“上”、“连接到”或“结合到”第二元件时，第一元件可以直接在第二元件上、直接连接到或直接结合到第二元件，或者可以在第一元件与第二元件之间存在一个或更多个中间元件。相反，当第一元件(元素)被称作“直接”在第二元件(元素)“上”、“直接连接到”或“直接结合到”第二元件(元素)时，在第一元件(元素)与第二元件(元素)之间不意图存在中间元件(元素)(除了诸如空气的环境元素之外)。术语“和/或”可以包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”的空间相对术语来描述一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。除了所描述的方位之外，空间相对术语可以包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果装置被翻转，则被描述为“在”另外的元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述另外的元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种位置。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，并且可以相应地解释空间相对描述语。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本申请所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文和该说明书中它们的含义相一致的含义，并且除非在此明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义来进行解释。
在附图中，为了便于解释，可以夸大或减小组件的尺寸。
术语“图案”可以表示“构件”、“单元”或“元件”。术语“剖面”可以表示“横截面”。术语“连接”可以表示“电连接”。术语“绝缘”可以表示“电绝缘”或“电隔离”。术语“包含”可以表示“由……形成”和/或“包括”。术语“叠置”或“覆盖”可以在与基体基底的底表面垂直的方向上或根据与基体基底的底表面垂直的方向；即，当装置的第一元件与装置的第二元件叠置或者覆盖装置的第二元件时，在与装置的基体基底垂直的方向上观看装置(或第一元件和第二元件的组合)时第二元件被第一元件部分地或完全地阻挡。
贯穿说明书，附图中的相同的附图标记表示相同的或相似的元件。
这里，将参照附图描述发明构思的实施例。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。图2是示出沿弯曲区域BA弯曲的图1的显示装置的透视图。图3是图2中示出的显示装置的示意性剖视图。
参照图1至图3，显示装置可以包括：基体基底110；显示结构DS，设置在基体基底110上；扫描驱动器20；导体，用于检测弯曲或裂纹；共电压供应布线ELVSSL；驱动电压供应布线ELVDDL；以及垫。显示结构DS可以包括像素结构PXS和封装层300。在一些实施例中，显示装置还可以包括驱动器IC。
基体基底110可以是绝缘基底，并可以包括多个区域。例如，基体基底110可以包括显示区域DA和位于显示区域DA周围的外围区域NDA，外围区域NDA可以包括弯曲区域BA。
基体基底110可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料(例如，聚合物材料)的任意一种。例如，聚合物材料可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(CAT)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或这些材料的组合。
基体基底110的显示区域DA是用于显示图像的区域。像素结构PXS可以设置在基体基底110的显示区域DA上，封装层300可以位于像素结构PXS上。在位于基体基底110的显示区域DA上的结构之中，像素结构PXS可以被限定为位于基体基底110与封装层300之间的结构。
像素结构PXS可以包括：多条扫描线S1、Si和Sn，在第一方向y上延伸；多条数据线D1、D2、D3和Dm，与扫描线S1、Si和Sn交叉，并在第二方向x上延伸；多条驱动电压布线PL；以及多个像素PX。
在一些实施例中，像素PX中的每个可以包括自发光元件。在示例性实施例中，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管和无机超小型发光二极管(例如，微型LED)中的至少一种。在实施例中，为了易于描述，作为示例将描述自发光元件是有机发光二极管的情况。
在一些实施例中，像素PX中的每个可以发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种。然而，发明构思不限于该情况。例如，像素PX中的每个可以发射具有诸如青色、品红色、黄色或白色的颜色的光。
随后将更加详细地描述像素PX。
封装层300可以防止或基本上防止会从外部引入的湿气和空气渗透像素结构PXS。在实施例中，封装层300可以包括第一无机层310、有机层330和第二无机层350。
第一无机层310可以设置在像素结构PXS上。在实施例中，第一无机层310可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种。
有机层330可以设置在第一无机层310上。在实施例中，有机层330可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任意一种。
第二无机层350可以设置在有机层330上。在实施例中，第二无机层350可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种。
在图3中，第一无机层310、有机层330和第二无机层350中的每个被示出为单层。然而，发明构思不限于该情况。即，第一无机层310、有机层330和第二无机层350中的至少一个可以具有多层结构。
另外，当第一无机层310和第二无机层350中的至少一个具有多层结构时，第一无机层310和第二无机层350中的具有多层结构的至少一个可以是六甲基二硅氧烷(HMDSO)层。HMDSO层可以吸收应力。因此，封装层300可以制成更具柔性。可选择地，在实施例中，有机层330可以改变为HMDSO层。
基体基底110的外围区域NDA可以位于显示区域DA周围。在一些实施例中，外围区域NDA可以围绕显示区域DA。像素结构PXS可以不设置在基体基底110的外围区域NDA上。即，基体基底110的外围区域NDA可以是不显示图像的非显示区域。
扫描驱动器20、共电压供应布线ELVSSL、驱动电压供应布线ELVDDL、驱动电压供应垫(driving voltage supply pad，或驱动电压供应焊盘)VDP、共电压供应垫VSP、连接布线部分CL1、CL2和CL3、桥接布线BL1、BL2和BL3、连接垫CN、第一裂纹检测线RL1、第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2以及第一测试垫TP1和第二测试垫TP2可以设置在基体基底110的外围区域NDA上。在一些实施例中，还可以在基体基底110的外围区域NDA上设置驱动器IC和输入垫PP。
扫描驱动器20连接到扫描线S1、Si和Sn，并且产生扫描信号并通过扫描线S1、Si和Sn将扫描信号传输到像素PX。在一些实施例中，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧和右侧上。在实施例中，一个扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧或右侧上。
驱动电压供应布线ELVDDL连接到驱动电压布线PL，并通过驱动电压布线PL向像素PX供应驱动电压。驱动电压供应布线ELVDDL可以设置在基体基底110上，以围绕外围区域NDA的至少一部分。在实施例中，驱动电压供应布线ELVDDL可以设置在显示区域DA的一侧上，以部分地围绕显示区域DA，如图1中所示。
驱动电压供应布线ELVDDL的至少一部分可以沿第一方向y在外围区域NDA上延伸，驱动电压供应布线ELVDDL的其它部分可以沿第二方向x延伸，以连接到位于基体基底110的外围区域NDA上的驱动电压供应垫VDP。
共电压供应布线ELVSSL可以向像素PX提供共电压。在实施例中，共电压供应布线ELVSSL可以电连接到外围区域NDA中的随后将描述的阴极CD(见图6)，以向阴极CD提供共电压。
共电压供应布线ELVSSL可以设置在基体基底110上，以围绕外围区域NDA的至少一部分，如图1中所示。在实施例中，共电压供应布线ELVSSL可以完全围绕显示区域DA。
共电压供应布线ELVSSL的至少一部分可以沿第二方向x在外围区域NDA上延伸，以连接到位于基体基底110的外围区域NDA上的共电压供应垫VSP。
包括桥接布线BL的连接布线部分CL1、CL2和CL3可以位于基体基底110的外围区域NDA上。
连接布线部分CL1、CL2和CL3之中的第一连接布线部分CL1将第一数据线D1电连接到连接垫CN中的任意一个。第一连接布线部分CL1可以包括桥接布线BL之中的位于基体基底110的弯曲区域BA上的第一桥接布线BL1。相似地，第二连接布线部分CL2可以将第二数据线D2电连接到连接垫CN中的另一个，并可以包括桥接布线BL之中的位于弯曲区域BA上的第二桥接布线BL2。第三连接布线部分CL3可以将第三数据线D3电连接到连接垫CN中的另一个，并可以包括桥接布线BL之中的位于弯曲区域BA上的第三桥接布线BL3。
随后将进一步详细地描述连接布线部分CL1、CL2和CL3的结构。
在一些实施例中，驱动器IC可以设置在基体基底110的外围区域NDA上。在此情况下，驱动器IC可以连接到连接垫CN。驱动器IC可以产生并传输用于驱动像素PX的驱动信号(例如，数据信号)。当驱动器IC设置在基体基底110的外围区域NDA上时，电连接到驱动器IC的输入垫PP可以设置在基体基底110的外围区域NDA上。
在一些实施例中，驱动器IC可以是驱动器芯片。
当驱动器IC设置在基体基底110的外围区域NDA上时，输入垫PP可以电连接到印刷电路板(PCB)(未示出)。
然而，发明构思不限于该情况。在实施例中，如果驱动器IC不设置在基体基底110的外围区域NDA上，则可以不设置输入垫PP。在此情况下，连接垫CN可以电连接到PCB，并且驱动器IC可以设置在PCB上。
第一裂纹检测线RL1可以位于基体基底110的外围区域NDA上。第一裂纹检测线RL1可以位于基体基底110的外围区域NDA的弯曲区域BA上，并可以包括多个弯曲部分。
当在第一裂纹检测线RL1中出现裂纹时，能够估计将在设置于弯曲区域BA上的布线(诸如桥接布线BL1、BL2和BL3)中出现裂纹的可能性。
在一些实施例中，第一裂纹检测线RL1可以沿第二方向x设置在桥接布线BL的两侧上，如图1中所示。然而，在实施例中，第一裂纹检测线RL1可以沿第二方向x仅设置在桥接布线BL的一侧上。
连接到第一裂纹检测线RL1的一侧的第一测试信号线TL1、连接到第一测试信号线TL1的第一测试垫TP1、连接到第一裂纹检测线RL1的另一侧的第二测试信号线TL2以及连接到第二测试信号线TL2的第二测试垫TP2可以位于基体基底110的外围区域NDA上。
用于裂纹检测的测试信号可以传输到第一测试垫TP1和第二测试垫TP2。可以经由第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2向第一裂纹检测线RL1提供测试信号。另外，响应于测试信号产生的输出信号可以经由第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2输出到第一测试垫TP1和第二测试垫TP2。
在一些实施例中，第一测试信号线TL1可以包括连接到第一裂纹检测线RL1的一侧的第一子测试信号线TL1a和第二子测试信号线TL1b。第一测试垫TP1可以包括连接到第一子测试信号线TL1a的第一子测试垫TP1a以及连接到第二子测试信号线TL1b的第二子测试垫TP1b。相似地，第二测试信号线TL2可以包括连接到第一裂纹检测线RL1的另一侧的第三子测试信号线TL2a和第四子测试信号线TL2b。第二测试垫TP2可以包括连接到第三子测试信号线TL2a的第三子测试垫TP2a以及连接到第四子测试信号线TL2b的第四子测试垫TP2b。
在一些实施例中，第一测试信号线TL1、第二测试信号线TL2、第一测试垫TP1和第二测试垫TP2可以位于基体基底110的外围区域NDA的除了弯曲区域BA的区域上。
外围区域NDA包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可以设置在连接垫CN与显示区域DA之间。弯曲区域BA可以沿与位于外围区域NDA上的桥接布线BL交叉的方向延伸。例如，弯曲区域BA可以沿第一方向y延伸，同时沿第二方向x具有一定宽度(例如，预定宽度)。
根据当前的实施例的显示装置可以在与第三方向z相反的方向上在弯曲区域BA处弯曲。例如，显示装置的基体基底110的一部分可以在与第三方向z相反的方向上弯曲，如图2中所示。例如，基体基底110可以关于在第一方向y上延伸的弯曲轴弯曲。因此，显示装置也可以具有像基体基底110一样的弯曲形状。即，可以通过使外围区域NDA的一部分在与第三方向z相反的方向上弯曲来减小对用户可见的外围区域NDA的面积。
如上面提及的，桥接布线BL和第一裂纹检测线RL1位于基体基底110的外围区域NDA的弯曲区域BA上。另外，驱动电压供应布线ELVDDL的一部分和共电压供应布线ELVSSL的一部分可以位于基体基底110的弯曲区域BA上。
如果位于基体基底110的弯曲区域BA上的桥接布线BL、驱动电压供应布线ELVDDL的一部分和共电压供应布线ELVSSL的一部分统称为弯曲线BNC，则弯曲线BNC会由于张应力或压应力而在弯曲区域BA中断裂，从而显示装置的可靠性劣化。然而，在根据当前的实施例的显示装置中，第一裂纹检测线RL1位于基体基底110的弯曲区域BA上。另外，能够在显示装置的制造工艺中检测在第一裂纹检测线RL1中是否已经出现裂纹，并且能够从第一裂纹检测线RL1中的裂纹来判断弯曲线BNC已经断裂。即，由于可以在制造工艺中检测裂纹，因此可以改善显示装置的可靠性。
另外，即使在显示装置的使用期间也能够检测第一裂纹检测线RL1是否已经断裂，如果第一裂纹检测线RL1已经断裂，则停止显示装置的操作。这可以防止由于故障而给用户带来的不便。
图4是图1中示出的像素PX的实施例的等效电路图。在图4中，为了易于描述，示出了连接到第j数据线Dj、第(i-1)扫描线Si-1、第i扫描线Si和第(i+1)扫描线Si+1的像素PX。
参照图4，根据当前的实施例的像素PX包括有机发光二极管OLED、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容器Cst。
有机发光二极管OLED的阳极可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，有机发光二极管OLED的阴极可以连接到提供有共电压ELVSS的共电源。有机发光二极管OLED可以产生与从第一晶体管T1供应的电流量对应的亮度水平的光。
驱动电压ELVDD的电压可以被设定为比共电压ELVSS高，使得电流可以流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7连接在提供有初始化电压Vint的初始化电源与有机发光二极管OLED的阳极之间。第七晶体管T7的栅电极连接到第(i+1)扫描线Si+1。第七晶体管T7在扫描信号传输到第(i+1)扫描线Si+1时导通，以将初始化电压Vint供应到有机发光二极管OLED的阳极。这里，初始化电压Vint的电压可以被设定为比提供到第j数据线Dj的数据电压低。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1与有机发光二极管OLED之间。第六晶体管T6的栅电极连接到第i发射控制布线Ei。第六晶体管T6在发射控制信号供应到第i发射控制布线Ei时截止，而在其它情况下导通。
第五晶体管T5连接在提供有驱动电压ELVDD的驱动电源与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极连接到第i发射控制布线Ei。第五晶体管T5在发射控制信号供应到第i发射控制布线Ei时截止，而在其它情况下导通。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极经由第五晶体管T5连接到提供有驱动电压ELVDD的驱动电源，第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极。另外，第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1根据第一节点N1的电压来控制从提供有驱动电压ELVDD的驱动电源经由有机发光二极管OLED流到共电压ELVSS的电流的量。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极与第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到第i扫描线Si。第三晶体管T3在扫描信号供应到第i扫描线Si时导通，以电连接第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管形式连接。
第四晶体管T4连接在第一节点N1与初始化电压Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到第(i-1)扫描线Si-1。第四晶体管T4在扫描信号传输到第(i-1)扫描线Si-1时导通，以将初始化电压Vint的电压供应到第一节点N1。
第二晶体管T2连接在第j数据线Dj与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到第i扫描线Si。第二晶体管T2在扫描信号供应到第i扫描线Si时导通，以电连接第j数据线Dj和第一晶体管T1的第一电极。
存储电容器Cst连接在提供有驱动电压ELVDD的驱动电源与第一节点N1之间。存储电容器Cst存储与数据电压对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压。
图5是进一步详细地示出图4的像素PX的示例性结构的平面图。图6是沿图5的线X1-X2截取的剖视图。图7是沿图5的线X3-X4截取的剖视图。
在图5至图7中，示出了连接到设置在第i行第j列中的一个像素PX的三条扫描线Si-1、Si和Si+1、发射控制布线Ei、驱动电压布线PL以及数据线Dj。在图5至图7中，为了易于描述，第(i-1)行中的扫描线将被称作“第(i-1)扫描线Si-1”，第i行中的扫描线将被称作“第i扫描线Si”，第(i+1)行中的扫描线将被称作“第(i+1)扫描线Si+1”，第i行中的发射控制布线将被称作“发射控制布线Ei”，第j列中的数据线将被称作“数据线Dj”，第j列中的驱动电压布线将被称作“驱动电压布线PL”。
参照图4至图7，根据实施例的显示装置可以包括基体基底110、布线部分和像素PX。
基体基底110包括透明绝缘材料，并且能够透射光。由于上面已经描述了基体基底110，因此将省略基体基底110的描述。
布线部分向像素PX提供信号，并可以包括扫描线Si-1、Si和Si+1、数据线Dj、发射控制布线Ei、驱动电压布线PL以及初始化驱动电压布线IPL。
扫描线Si-1、Si和Si+1可以在第一方向y上延伸。扫描线Si-1、Si和Si+1可以包括沿与第一方向y交叉的第二方向x顺序地布置的第(i-1)扫描线Si-1、第i扫描线Si和第(i+1)扫描线Si+1。扫描信号可以传输到扫描线Si-1、Si和Si+1。例如，第(i-1)扫描信号可以传输到第(i-1)扫描线Si-1，第i扫描信号可以传输到第i扫描线Si，第(i+1)扫描信号可以传输到第(i+1)扫描线Si+1。
在一个或更多个实施例中，三条扫描线Si-1、Si和Si+1被设置为向像素PX传输扫描信号。然而，也可以通过两条扫描线Si-1和Si向像素PX传输扫描信号。在此情况下，两条扫描线Si-1和Si之中的第i扫描线Si可以分支成两条线，从第i扫描线Si分支的线可以连接到不同的晶体管。例如，第i扫描线Si可以包括与第(i-1)扫描线Si-1相邻的上第i扫描线以及被设置为比上第i扫描线远离第(i-1)扫描线Si-1的下第i扫描线。
发射控制布线Ei在第一方向y上延伸，并设置在第i扫描线Si与第(i+1)扫描线Si+1之间，以与第i扫描线Si和第(i+1)扫描线Si+1分离或分隔开。发射控制信号传输到发射控制布线Ei。
数据线Dj可以在第二方向x上延伸。可以沿第一方向y顺序地布置每条数据线Dj。可以向数据线Dj提供数据信号(或数据电压)。
驱动电压布线PL可以沿第二方向x延伸。驱动电压布线PL可以与数据线Dj分离或分隔开。驱动电压ELVDD(见图4)可以施加到驱动电压布线PL。驱动电压布线PL可以是双层。例如，驱动电压布线PL可以包括驱动电压线PLb和附加驱动电压线PLa。当从上面看时，驱动电压线PLb可以设置在附加驱动电压线PLa上，以与附加驱动电压线PLa叠置。驱动电压线PLb可以通过第十二接触孔CH12电连接到附加驱动电压线PLa。
初始化驱动电压布线IPL可以沿第一方向y延伸。初始化驱动电压布线IPL可以设置在第(i+1)扫描线Si+1与下一行中的像素PX的第(i-1)扫描线Si-1之间。可以向初始化驱动电压布线IPL施加初始化电压Vint。
像素PX可以包括有机发光二极管OLED、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容器Cst。
第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一连接电极CNL1。
第一栅电极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3和第四晶体管T4的第四漏电极DE4。第一连接电极CNL1可以将第一栅电极GE1连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。第一连接电极CNL1的一端可以通过第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1，第一连接电极CNL1的另一端可以通过第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
在实施例中，第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第一有源图案ACT1可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。即，一个半导体层可以形成第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1，并且可以根据是否掺杂有杂质来划分为第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一有源图案ACT1。
第一有源图案ACT1的形状可以像在一定方向(例如，预定方向)上延伸的条状物，并可以沿纵向延伸方向弯曲多次。当从上面看时，第一有源图案ACT1可以与第一栅电极GE1叠置。由于第一有源图案ACT1是长的，因此第一晶体管T1的沟道区也可以是长的。因此，向第一晶体管T1施加的栅极电压的驱动范围变宽，因此，可以精细地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度级。
第一源电极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一端。第一源电极SE1可以连接到第二晶体管T2的第二漏电极DE2和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。第一漏电极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一端。另外，第一漏电极DE1可以连接到第三晶体管T3的第三源电极SE3和第六晶体管T6的第六源电极SE6。
第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2可以连接到第i扫描线Si。第二栅电极GE2可以被设置为第i扫描线Si的一部分，或者可以从第i扫描线Si突出。在实施例中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂有或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第二有源图案ACT2可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第二有源图案ACT2与第二栅电极GE2叠置。第二源电极SE2具有连接到第二有源图案ACT2的一端和通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj的另一端。第二漏电极DE2具有连接到第二有源图案ACT2的一端以及连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第五晶体管T5的第五漏电极DE5的另一端。
在一些实施例中，第三晶体管T3可以具有双栅结构，以防止或基本上防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a可以包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a。第3b晶体管T3b可以包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。在实施例中，为了易于描述，第3a栅电极GE3a和第3b栅电极GE3b将被称作第三栅电极GE3，第3a有源图案ACT3a和第3b有源图案ACT3b将被称作第三有源图案ACT3，第3a源电极SE3a和第3b源电极SE3b将被称作第三源电极SE3，第3a漏电极DE3a和第3b漏电极DE3b将被称作第三漏电极DE3。
第三栅电极GE3可以连接到第i扫描线Si。第三栅电极GE3可以被设置为第i扫描线Si的一部分，或者可以从第i扫描线Si突出。
第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第三有源图案ACT3可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第三有源图案ACT3与第三栅电极GE3叠置。第三源电极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源电极SE3的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第六晶体管T6的第六源电极SE6。第三漏电极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏电极DE3的另一端可以连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。另外，第三漏电极DE3可以通过第一连接电极CNL1、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第四晶体管T4可以具有双栅结构，以防止或基本上防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a可以包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a和第4a漏电极DE4a。第4b晶体管T4b可以包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b和第4b漏电极DE4b。在实施例中，为了易于描述，第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b将被称作第四栅电极GE4，第4a有源图案ACT4a和第4b有源图案ACT4b将被称作第四有源图案ACT4，第4a源电极SE4a和第4b源电极SE4b将被称作第四源电极SE4，第4a漏电极DE4a和第4b漏电极DE4b将被称作第四漏电极DE4。
第四栅电极GE4可以连接到第(i-1)扫描线Si-1。第四栅电极GE4可以被设置为第(i-1)扫描线Si-1的一部分，或者可以从第(i-1)扫描线Si-1突出。
第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第四有源图案ACT4可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第四有源图案ACT4与第四栅电极GE4叠置。
第四源电极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源电极SE4的另一端可以连接到第(i-1)行中的像素PX的初始化驱动电压布线IPL以及第(i-1)行中的像素PX的第七晶体管T7的第七漏电极DE7。辅助连接布线AUX可以设置在第四源电极SE4与初始化驱动电压布线IPL之间。辅助连接布线AUX的一端可以通过第九接触孔CH9连接到第四源电极SE4。辅助连接布线AUX的另一端可以通过第(i-1)行中的像素PX的第八接触孔CH8连接到第(i-1)行中的像素PX的初始化驱动电压布线IPL。第四漏电极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏电极DE4的另一端可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。第四漏电极DE4也通过第一连接电极CNL1、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
第五栅电极GE5可以连接到发射控制布线Ei。第五栅电极GE5可以被设置为发射控制布线Ei的一部分，或者可以从发射控制布线Ei突出。第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂或未掺杂有有杂质的半导体层制成。例如，第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第五有源图案ACT5可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第五有源图案ACT5与第五栅电极GE5叠置。第五源电极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源电极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5连接到驱动电压布线PL。第五漏电极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏电极DE5的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第二晶体管T2的第二漏电极DE2。
第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
第六栅电极GE6可以连接到发射控制布线Ei。第六栅电极GE6可以被设置为发射控制布线Ei的一部分，或者可以从发射控制布线Ei突出。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第六有源图案ACT6可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第六有源图案ACT6与第六栅电极GE6叠置。第六源电极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源电极SE6的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第三晶体管T3的第三源电极SE3。第六漏电极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏电极DE6的另一端可以连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7。
第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。
第七栅电极GE7可以连接到第(i+1)扫描线Si+1。第七栅电极GE7可以被设置为第(i+1)扫描线Si+1的一部分，或者可以从第(i+1)扫描线Si+1突出。第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂或未掺杂有杂质的半导体层制成。例如，第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂有杂质的半导体层制成，第七有源图案ACT7可以由未掺杂有杂质的半导体层制成。第七有源图案ACT7与第七栅电极GE7叠置。第七源电极SE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七源电极SE7的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第七漏电极DE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七漏电极DE7的另一端可以连接到初始化驱动电压布线IPL。另外，第七漏电极DE7可以连接到设置在第(i+1)行中的像素PX的第四晶体管T4的第四源电极SE4。可以通过辅助连接布线AUX、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9来连接第七漏电极DE7和设置在第(i+1)行中的像素PX的第四晶体管T4的第四源电极SE4。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以由第一晶体管T1的第一栅电极GE1制成。
当从上面看时，上电极UE可以与下电极LE叠置，并覆盖下电极LE。可以通过加宽上电极UE与下电极LE之间的叠置区域来增大存储电容器Cst的电容。上电极UE可以在第一方向y上延伸。在实施例中，可以向上电极UE施加与驱动电压ELVDD具有相同电平的电压。上电极UE可以在其中设置有第一接触孔CH1的区域中具有开口OPN。第一栅电极GE1和第一连接电极CNL1通过第一接触孔CH1来连接。
作为自发光元件的有机发光二极管OLED可以包括阳极AD、阴极CD和设置在阳极AD与阴极CD之间的发光层EML。
阳极AD可以设置在与每个像素PX对应的发光区域中。阳极AD可以通过第七接触孔CH7和第十接触孔CH10连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7和第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第二连接电极CNL2和桥接图案BRP可以分别设置在第七接触孔CH7与第十接触孔CH10中，以将第六漏电极DE6和第七源电极SE7连接到阳极AD。
这里，将参照图5至图7以堆叠顺序来描述根据实施例的显示装置的结构。
有源图案ACT1至ACT7(这里，由“ACT”表示)可以设置在基体基底110上。有源图案ACT可以包括第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7。第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7可以由半导体材料制成。
缓冲层111可以设置在基体基底110与有源图案ACT之间。缓冲层111可以是包含无机材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON))的无机绝缘层。
栅极绝缘层130可以位于具有有源图案ACT的基体基底110上。栅极绝缘层130可以是包含无机材料(诸如氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx))的无机绝缘层。
扫描线Si-1、Si和Si+1、发射控制布线Ei以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以设置在栅极绝缘层130上。第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与第i扫描线Si一体地形成。第四栅电极GE4可以与第(i-1)扫描线Si-1一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与发射控制布线Ei一体地形成。第七栅电极GE7可以与第(i+1)扫描线Si+1一体地形成。
在实施例中，扫描线Si-1、Si和Si+1、发射控制布线Ei、第一栅电极GE1以及第七栅电极GE7可以由相同的材料(例如，第一导电材料)制成，并可以设置在同一层上。例如，扫描线Si-1、Si和Si+1、发射控制布线Ei、第一栅电极GE1以及第七栅电极GE7可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的第一导电材料来制成，并可以均具有多层结构或单层结构。
当元件设置在同一层上时，它们位于同一水平处。另外，当元件设置在同一层上时，表示它们在基体基底110上以相同的顺序堆叠，并在同一工艺中并发地(例如，同时地)形成。
第一下绝缘层150可以设置在具有扫描线Si-1、Si和Si+1等的基体基底110上。
存储电容器Cst的上电极UE和初始化驱动电压布线IPL可以设置在第一下绝缘层150上。上电极UE可以覆盖下电极LE。上电极UE和下电极LE可以形成存储电容器Cst，并且第一下绝缘层150置于上电极UE与下电极LE之间。
上电极UE和初始化驱动电压布线IPL可以由相同的材料制成，并可以设置在同一层上。例如，上电极UE和初始化驱动电压布线IPL可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并可以均形成为多层或单层。
第二下绝缘层170可以设置在具有上电极UE和初始化驱动电压布线IPL的基体基底110上。
第一下绝缘层150和第二下绝缘层170中的每个可以是包含无机材料(诸如氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx))的无机绝缘层。
数据线Dj、驱动电压布线PL的附加驱动电压线PLa、第一连接电极CNL1、第二连接电极CNL2和辅助连接布线AUX可以设置在第二下绝缘层170上。
数据线Dj可以通过顺序地穿过栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第六接触孔CH6来连接到第二源电极SE2。
驱动电压布线PL的附加驱动电压线PLa可以通过穿过第二下绝缘层170的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4来连接到存储电容器Cst的上电极UE。另外，驱动电压布线PL的附加驱动电压线PLa可以通过顺序地穿过栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第五接触孔CH5来连接到第五源电极SE5。
第一连接电极CNL1可以通过顺序地穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第一接触孔CH1来连接到第一栅电极GE1。另外，第一连接电极CNL1可以通过顺序地穿过栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二接触孔CH2来连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
第二连接电极CNL2可以是设置为这样的媒介的图案：其设置在第六漏电极DE6与阳极AD之间，以连接第六漏电极DE6和阳极AD。第二连接电极CNL2可以通过顺序地穿过栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第七接触孔CH7来连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。
辅助连接布线AUX可以通过穿过第二下绝缘层170的第八接触孔CH8来连接到初始化驱动电压布线IPL。另外，辅助连接布线AUX可以通过顺序地穿过栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第九接触孔CH9来连接到第四源电极SE4和设置在第(i-1)行中的像素PX的第七漏电极DE7。
在实施例中，数据线Dj、附加驱动电压线PLa、第一连接电极CNL1、第二连接电极CNL2和辅助连接布线AUX可以由相同的材料(例如，第二导电材料)制成，并可以设置在同一层上。例如，数据线Dj、附加驱动电压线PLa、第一连接电极CNL1、第二连接电极CNL2和辅助连接布线AUX可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的第二导电材料制成，并可以均形成为多层或单层。在一些可选择的实施例中，数据线Dj、附加驱动电压线PLa、第一连接电极CNL1、第二连接电极CNL2和辅助连接布线AUX可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一上绝缘层210可以设置在具有数据线Dj等的基体基底110上。
桥接图案BRP和驱动电压布线PL的驱动电压线PLb可以设置在第一上绝缘层210上。
桥接图案BRP可以通过穿过第一上绝缘层210的第十接触孔CH10来连接到第二连接电极CNL2。
驱动电压布线PL的驱动电压线PLb可以通过穿过第一上绝缘层210的第十二接触孔CH12来连接到附加驱动电压线PLa。
在实施例中，桥接图案BRP和驱动电压线PLb可以由相同的材料(例如，第三导电材料)制成，并可以设置在同一层上。例如，桥接图案BRP和驱动电压线PLb可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的第三导电材料制成，并可以均形成为多层或单层。在一些可选择的实施例中，桥接图案BRP和驱动电压线PLb可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二上绝缘层230可以设置在具有桥接图案BRP等的基体基底110上。
第一上绝缘层210和第二上绝缘层230中的每个可以是包含有机材料的有机绝缘层。在实施例中，有机材料可以是酰亚胺聚合物、一般常见的聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物或者这些材料的混合物。
阳极AD可以位于第二上绝缘层230上。阳极AD可以通过穿过第二上绝缘层230的第十一接触孔CH11来连接到桥接图案BRP。由于桥接图案BRP通过第十接触孔CH10连接到第二连接电极CNL2，因此阳极AD可以通过桥接图案BRP和第二连接电极CNL2最终连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。
像素限定层250可以位于具有阳极AD的基体基底110上，以限定与每个像素PX对应的发光区域。像素限定层250可以暴露阳极AD的上表面，并沿每个像素PX的外围从基体基底110突出。像素限定层250可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
发光层EML可以设置在被像素限定层250围绕的区域中，阴极CD可以设置在发光层EML上。
封装层300可以位于阴极CD上以覆盖阴极CD。封装层300可以包括位于阴极CD上的第一无机层310、位于第一无机层310上的有机层330和位于有机层330上的第二无机层350。
图8是图1的区域“Q1”的放大平面图。图9是沿图8的线X5-X6截取的剖视图。图10是图1的区域“Q2”的放大平面图。图11是沿图10的线X7-X8截取的剖视图。图12是沿图10的线X9-X10截取的剖视图。图13是沿图10的线X11-X12截取的剖视图。
参照图1和图8至图13，附加驱动电压线PLa沿第二方向x向上延伸到外围区域NDA，以连接到驱动电压供应布线ELVDDL。在一些实施例中，驱动电压供应布线ELVDDL可以与附加驱动电压线PLa位于同一层上。例如，驱动电压供应布线ELVDDL可以位于第二下绝缘层170上。
如果多条数据线之中沿第一方向y顺序地布置的数据线被称作第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3，则第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3可以沿第二方向x向上延伸到外围区域NDA，并可以与驱动电压供应布线ELVDDL分离或分隔开。
第一连接布线部分CL1(见图1)电连接第一数据线D1和位于外围区域NDA上的连接垫CN之中的第一连接垫CN1。第二连接布线部分CL2(见图1)电连接第二数据线D2和位于外围区域NDA上的第二连接垫CN2，第三连接布线部分CL3(见图1)电连接第三数据线D3和位于外围区域NDA上的第三连接垫CN3。
第一连接布线部分CL1(见图1)包括第一连接布线CL1a、第二连接布线CL1b、第一连接图案CNP1a、第二连接图案CNP1b和第一桥接布线BL1。第二连接布线部分CL2(见图1)包括第三连接布线CL2a、第四连接布线CL2b和第二桥接布线BL2。另外，第三连接布线部分CL3(见图1)包括第五连接布线CL3a、第六连接布线CL3b、第三连接图案CNP3a、第四连接图案CNP3b和第三桥接布线BL3。
缓冲层111和栅极绝缘层130位于基体基底110的外围区域NDA上，第一连接布线CL1a、第三连接布线CL2a和第五连接布线CL3a设置在栅极绝缘层130上以彼此分离或分隔开。第一连接布线CL1a、第三连接布线CL2a和第五连接布线CL3a与驱动电压供应布线ELVDDL绝缘并与驱动电压供应布线ELVDDL相交。第一连接布线CL1a、第三连接布线CL2a和第五连接布线CL3a可以位于基体基底110的外围区域NDA上，但是可以不与弯曲区域BA叠置。另外，当从上面看时，第一连接布线CL1a、第三连接布线CL2a和第五连接布线CL3a中的每个的两侧可以被设置为比驱动电压供应布线ELVDDL的边缘靠外，并且不与驱动电压供应布线ELVDDL叠置。
第二连接布线CL1b、第四连接布线CL2b和第六连接布线CL3b位于栅极绝缘层130上以彼此分离或分隔开。第二连接布线CL1b可以通过置于第二连接布线CL1b与第一连接布线CL1a之间的弯曲区域BA与第一连接布线CL1a分离或分隔开，并可以连接到第一连接垫CN1。在一些实施例中，第二连接布线CL1b的一部分可以构成第一连接垫CN1。与第二连接布线CL1b一样，第四连接布线CL2b可以通过置于第四连接布线CL2b与第三连接布线CL2a之间的弯曲区域BA与第三连接布线CL2a分离或分隔开，并可以连接到第二连接垫CN2。在一些实施例中，第四连接布线CL2b的一部分可以构成第二连接垫CN2。另外，第六连接布线CL3b可以通过置于第六连接布线CL3b与第五连接布线CL3a之间的弯曲区域BA与第五连接布线CL3a分离或分隔开，并可以连接到第三连接垫CN3。在一些实施例中，第六连接布线CL3b的一部分可以构成第三连接垫CN3。
在实施例中，第一连接布线CL1a、第二连接布线CL1b、第三连接布线CL2a、第四连接布线CL2b、第五连接布线CL3a和第六连接布线CL3b可以与扫描线Si-1、Si和Si+1由相同的第一导电材料来制成，并可以与扫描线Si-1、Si和Si+1设置在相同的层上。在实施例中，第一导电材料可以包括如上面描述的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)。
第一下绝缘层150和第二下绝缘层170可以位于第一连接布线CL1a、第二连接布线CL1b、第三连接布线CL2a、第四连接布线CL2b、第五连接布线CL3a和第六连接布线CL3b上。
第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3和驱动电压供应布线ELVDDL可以位于第二下绝缘层170上。第一数据线D1通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第十三接触孔CH13来连接到第一连接布线CL1a的一侧。第二数据线D2通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第十四接触孔CH14来连接到第三连接布线CL2a的一侧。第三数据线D3通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第十五接触孔CH15来连接到第三连接布线CL2a的一侧。
彼此分离的第一连接图案CNP1a、第二连接图案CNP1b、第三连接图案CNP3a、第四连接图案CNP3b和第二桥接布线BL2位于第二下绝缘层170上。
第一连接图案CNP1a通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第十六接触孔CH16来连接到第一连接布线CL1a的另一侧。第三连接图案CNP3a通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十二接触孔CH22来连接到第五连接布线CL3a的另一侧。
第二连接图案CNP1b通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第十九接触孔CH19来连接到第二连接布线CL1b。第四连接图案CNP3b通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十五接触孔CH25来连接到第六连接布线CL3b。
参照围绕弯曲区域BA的外围区域NDA，设置在基体基底110上的缓冲层111、栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170中的每个可以由上面描述的无机绝缘层制成。
在一些实施例中，诸如缓冲层111、栅极绝缘层130、第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的无机绝缘层可以具有与弯曲区域BA对应的开口OPB。
无机绝缘层111、130、150和170具有明显低的柔性，并且会由于它们的脆性而被外力损坏。因此，弯曲区域BA的无机绝缘层111、130、150和170会被由于弯曲而产生的张力损坏，并且所产生的裂纹会传播到其它部分。产生在无机绝缘层111、130、150和170中的裂纹会导致布线的断裂，这会造成显示装置的故障。
根据实施例，无机绝缘层111、130、150和170包括与弯曲区域BA对应的开口OPB，以防止由于应力而出现裂纹，或者降低裂纹出现的可能性。在一些实施例中，开口OPB可以沿平行于弯曲轴的方向(例如，第一方向y)延伸。
应力释放层220可以设置在与弯曲区域BA对应的开口OPB中。应力释放层220由脆性比无机绝缘层111、130、150和170低并且柔性比无机绝缘层111、130、150和170高的材料制成。例如，应力释放层220可以由有机绝缘材料制成，并可以包括聚酰亚胺、丙烯酸酯和环氧树脂中的至少一种。应力释放层220可以填充整个开口OPB，并可以与开口OPB的侧壁紧密接触，以防止或基本上防止在应力释放层220与无机绝缘层111、130、150和170之间形成间隙。
第二桥接布线BL2横跨弯曲区域BA，并连接到第三连接布线CL2a和第四连接布线CL2b。
第二桥接布线BL2通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十接触孔CH20来连接到第三连接布线CL2a的一侧，并通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十一接触孔CH21来连接到第四连接布线CL2b。
第二桥接布线BL2的与弯曲区域BA叠置的一部分可以位于应力释放层220上。
在实施例中，第一连接图案CNP1a、第二连接图案CNP1b、第三连接图案CNP3a、第四连接图案CNP3b和第二桥接布线BL2可以与第一数据线D1至第三数据线D3由相同的第二导电材料制成，并可以与第一数据线D1至第三数据线D3设置在相同的水平处。在实施例中，第二导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并可以形成为多层或单层。
第一上绝缘层210位于第一连接图案CNP1a、第二连接图案CNP1b、第三连接图案CNP3a、第四连接图案CNP3b、第二桥接布线BL2和应力释放层220上。
第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3位于第一上绝缘层210上。
第一桥接布线BL1横跨弯曲区域BA，并连接到第一连接图案CNP1a和第二连接图案CNP1b。另外，第三桥接布线BL3横跨弯曲区域BA，并连接到第三连接图案CNP3a和第四连接图案CNP3b。
第一桥接布线BL1的一侧通过穿过第一上绝缘层210的第十七接触孔CH17来连接到第一连接图案CNP1a，第一桥接布线BL1的另一侧通过穿过第一上绝缘层210的第十八接触孔CH18来连接到第二连接图案CNP1b。
第三桥接布线BL3的一侧通过穿过第一上绝缘层210的第二十三接触孔CH23来连接到第三连接图案CNP3a，第三桥接布线BL3的另一侧通过穿过第一上绝缘层210的第二十四接触孔CH24来连接到第四连接图案CNP3b。
在一些实施例中，第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3与驱动电压线PLb由相同的第三导电材料制成，并可以与驱动电压线PLb设置在相同的层上。第三导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并可以形成为多层或单层。
在弯曲区域BA上沿第一方向y彼此相邻的第一桥接布线BL1和第二桥接布线BL2位于不同的层上，并且第一上绝缘层210置于第一桥接布线BL1与第二桥接布线BL2之间。另外，沿第一方向y彼此相邻的第二桥接布线BL2和第三桥接布线BL3位于不同的层上，并且第一上绝缘层210置于第二桥接布线BL2与第三桥接布线BL3之间。因此，可以防止或基本上防止位于弯曲区域BA上的相邻的桥接布线之间的短路，并且当从上面看时，桥接布线可以分离或分隔开小的间隙。
沿第一方向y相邻的接触孔可以不位于同一直线上，但是可以以之字形式布置。例如，假设假想线沿第一方向y延伸，则用于连接第一桥接布线BL1和第一连接图案CNP1a的第十七接触孔CH17以及/或者用于连接第一连接图案CNP1a和第一连接布线CL1a的第十六接触孔CH16以及用于连接第二桥接布线BL2和第三连接布线CL2a的第二十接触孔CH20可以不位于假想线上。
可选择地，假设沿第二方向x测量的弯曲区域BA与第十七接触孔CH17之间的最短距离为W1，弯曲区域BA与第十六接触孔CH16之间的最短距离为W2，弯曲区域BA与第二十接触孔CH20之间的最短距离为W3，则W3可以与W1和W2不同。因此，能够防止或基本上防止在接触孔附近沿第一方向y彼此相邻的元件之间的意外短路，并改善显示装置的可靠性。
图14是图1的区域“Q3”的放大平面图。图15是沿图14的线X13-X14截取的剖视图。图16是沿图14的线X15-X16截取的剖视图。
参照图1和图14至图16，缓冲层111和栅极绝缘层130位于基体基底110的外围区域NDA上，第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2设置在栅极绝缘层130上，以彼此分离或分隔开。第一测试信号线TL1连接到第一测试垫TP1，第二测试信号线TL2连接到第二测试垫TP2。
在一些实施例中，第一测试垫TP1可以是第一测试信号线TL1的一部分，第二测试垫TP2可以是第二测试信号线TL2的一部分。
第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2可以不与基体基底110的弯曲区域BA叠置。如果第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2与基体基底110的弯曲区域BA叠置，则会难以确定在第一裂纹检测线RL1中或者在第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2中是否已经出现裂纹。因此，第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2可以不与基体基底110的弯曲区域BA叠置，以防止或基本上防止第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2通过显示装置的弯曲损坏。
在一些实施例中，第一测试信号线TL1可以包括第一子测试信号线TL1a和第二子测试信号线TL1b。第一子测试信号线TL1a和第二子测试信号线TL1b可以如图中所示出地彼此分离或分隔开。然而，发明构思不限于该情况。在实施例中，第一子测试信号线TL1a和第二子测试信号线TL1b可以彼此部分地连接。
第二测试信号线TL2可以包括第三子测试信号线TL2a和第四子测试信号线TL2b。第三子测试信号线TL2a和第四子测试信号线TL2b可以如图中所示出地彼此分离或分隔开。然而，发明构思不限于该情况。
第一测试垫TP1可以包括连接到第一子测试信号线TL1a的第一子测试垫TP1a和连接到第二子测试信号线TL1b的第二子测试垫TP1b。
第二测试垫TP2可以包括连接到第三子测试信号线TL2a的第三子测试垫TP2a和连接到第四子测试信号线TL2b的第四子测试垫TP2b。在一些实施例中，第一子测试垫TP1a、第二子测试垫TP1b、第三子测试垫TP2a和第四子测试垫TP2b可以彼此分离或分隔开。
在实施例中，与第一连接布线CL1a、第二连接布线CL1b、第三连接布线CL2a、第四连接布线CL2b、第五连接布线CL3a和第六连接布线CL3b一样，第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2可以与扫描线Si-1、Si和Si+1由相同的第一导电材料制成，并可以与扫描线Si-1、Si和Si+1设置在相同的层上。在实施例中，第一导电材料可以包括如上面所描述的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)。
第一下绝缘层150和第二下绝缘层170可以位于第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2上。
第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2可以位于第二下绝缘层170上以彼此分离或分隔开。
第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2是用于改善连接可靠性的元件。第一测试连接图案TCP1可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十六接触孔CH26来连接到第二子测试信号线TL1b，并可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十七接触孔CH27来连接到第一子测试信号线TL1a。第二测试连接图案TCP2可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十九接触孔CH29来连接到第四子测试信号线TL2b，并可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第三十接触孔CH30来连接到第三子测试信号线TL2a。
在实施例中，与第一连接图案CNP1a、第二连接图案CNP1b、第三连接图案CNP3a、第四连接图案CNP3b和第二桥接布线BL2一样，第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2可以与第一数据线D1至第三数据线D3由相同的第二导电材料制成，并可以与第一数据线D1至第三数据线D3位于相同的水平处。
第一上绝缘层210可以位于第一测试连接图案TCP1、第二测试连接图案TCP2和应力释放层220上。
第一裂纹检测线RL1可以位于第一上绝缘层210上。
第一裂纹检测线RL1包括与弯曲区域BA叠置的一部分，并连接到第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2。
第一裂纹检测线RL1的一侧通过穿过第一上绝缘层210的第二十八接触孔CH28来连接到第一测试连接图案TCP1，第一裂纹检测线RL1的另一侧通过穿过第一上绝缘层210的第三十一接触孔CH31来连接到第二测试连接图案TCP2。
第一裂纹检测线RL1的与弯曲区域BA叠置的一部分可以包括多个弯曲部分。
在一些实施例中，与第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3一样，第一裂纹检测线RL1可以与驱动电压线PLb由相同的第三导电材料制成，并可以与驱动电压线PLb设置在相同的层上。在实施例中，第三导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并可以形成为多层或单层。
图17是用于解释使用图14中示出的结构来检测裂纹的工艺的图。
参照图17，在显示装置弯曲之前，使一对测试信号探针与第一子测试垫TP1a和第三子测试垫TP2a接触，以向第一裂纹检测线RL1提供测试信号。另外，使一对输出信号探针与第二子测试垫TP1b和第四子测试垫TP2b接触，以测量响应于测试信号产生的输出信号。在示例中，电流It可以作为测试信号被提供到第一裂纹检测线RL1，可以测量电压Vt作为输出信号，可以将电流It(即，测试信号)和电压Vt(即，输出信号)进行比较以获得电阻值。
在显示装置弯曲之后，电流It可以作为测试信号被提供到第一裂纹检测线RL1，可以测量电压Vt作为输出信号，以获得电阻值。然后，可以通过将弯曲显示装置之前的电阻值与弯曲显示装置之后的电阻值进行比较来检测第一裂纹检测线RL1是否已经断裂。
在位于弯曲区域BA上的布线之中，相对更靠外设置的元件或被设置为远离基体基底110的元件相对更可能断裂。例如，由于第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3被设置为在基体基底110上比第二桥接布线BL2相对高，因此第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3比第二桥接布线BL2相对可能断裂。
根据当前的实施例，当在第一裂纹检测线RL1中检测到裂纹时，可以基于在第一裂纹检测线RL1中产生的裂纹来估计位于弯曲区域BA上的元件(具体地，与第一裂纹检测线RL1位于相同的水平处的第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3)将断裂的可能性。因此，能够在制造显示装置的工艺期间通过使用第一裂纹检测线RL1来容易地检测由于显示装置中可能潜在地出现的裂纹而引起的故障。
另外，根据当前的实施例，第一子测试垫TP1a和第三子测试垫TP2a被设置为测试信号输入垫，与第一子测试垫TP1a和第三子测试垫TP2a分离或分隔开的第二子测试垫TP1b和第四子测试垫TP2b被设置为输出信号测量垫。因此，可以使用总共四个探针来容易地执行测试。具体地，由于可以并发地(例如，同时地)执行测试信号输入工艺和输出信号获取工艺，因此可以更容易并且更快地执行测试。
图18是图14中示出的结构的修改示例的平面图。图19是沿图18的线X17-X18截取的剖视图。除了还设置有第二裂纹检测线RL2之外，当前的修改示例与图14的结构基本上相同。因此，以下将主要描述与图14的结构的差异。
参照图18和图19，第二裂纹检测线RL2位于第二下绝缘层170上，使得第二裂纹检测线RL2的至少一部分与弯曲区域BA叠置。第二裂纹检测线RL2的一侧连接到第一测试连接图案TCP1，第二裂纹检测线RL2的另一侧连接到第二测试连接图案TCP2。
在实施例中，与第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2一样，第二裂纹检测线RL2可以与第一数据线D1至第三数据线D3由相同的第二导电材料制成，并可以与第一数据线D1至第三数据线D3位于相同的水平处。
第二裂纹检测线RL2的与弯曲区域BA叠置的一部分可以包括多个弯曲部分，与弯曲区域BA叠置的第二裂纹检测线RL2可以位于应力释放层220上。
当前的实施例的测试工艺可以与上面参照图17描述的方法基本上相同。
根据当前的实施例，可以估计与第一裂纹检测线RL1位于相同的水平处的第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3将断裂的可能性。另外，可以估计与第二裂纹检测线RL2位于相同的水平处的元件(例如，第二桥接布线BL2)将断裂的可能性。
图20是图14中示出的结构的修改示例的平面图。图21是沿图20的线X19-X20截取的剖视图。除了还设置有第三测试信号线TL3、第四测试信号线TL4、第三测试垫TP3、第四测试垫TP4和第二裂纹检测线RL2之外，当前的修改示例与图14的结构基本上相同。因此，以下将主要描述与图14的结构的差异。
参照图1、图20和图21，缓冲层111和栅极绝缘层130设置在基体基底110的外围区域NDA上，彼此分离或分隔开的第三测试信号线TL3和第四测试信号线TL4位于栅极绝缘层130上。第三测试信号线TL3和第四测试信号线TL4与第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2分离或分隔开。
第三测试信号线TL3连接到第三测试垫TP3，第四测试信号线TL4连接到第四测试垫TP4。在一些实施例中，第三测试垫TP3可以是第三测试信号线TL3的一部分，第四测试垫TP4可以是第四测试信号线TL4的一部分。
在一些实施例中，第三测试信号线TL3可以包括第五子测试信号线TL3a和第六子测试信号线TL3b。第五子测试信号线TL3a和第六子测试信号线TL3b可以如图中所示出地彼此分离或分隔开。然而，发明构思不限于该情况。在实施例中，第五子测试信号线TL3a和第六子测试信号线TL3b可以彼此部分地连接。
第四测试信号线TL4可以包括第七子测试信号线TL4a和第八子测试信号线TL4b。第七子测试信号线TL4a和第八子测试信号线TL4b可以但不必如图中所示出地彼此分离或分隔开。
第三测试垫TP3可以包括连接到第五子测试信号线TL3a的第五子测试垫TP3a和连接到第六子测试信号线TL3b的第六子测试垫TP3b。
第四测试垫TP4可以包括连接到第七子测试信号线TL4a的第七子测试垫TP4a和连接到第八子测试信号线TL4b的第八子测试垫TP4b。
在一些实施例中，第五子测试垫TP3a和第六子测试垫TP3b可以与第七子测试垫TP4a和第八子测试垫TP4b分离或分隔开。
在实施例中，与第一测试信号线TL1和第二测试信号线TL2一样，第三测试信号线TL3和第四测试信号线TL4可以与扫描线Si-1、Si和Si+1由相同的第一导电材料制成，并可以与扫描线Si-1、Si和Si+1设置在相同的层上。在实施例中，第一导电材料可以包括如上面所描述的钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)。
第一下绝缘层150和第二下绝缘层170可以位于第一测试信号线TL1、第二测试信号线TL2、第三测试信号线TL3和第四测试信号线TL4上。
第二裂纹检测线RL2位于第二下绝缘层170上，使得第二裂纹检测线RL2的至少一部分与弯曲区域BA叠置。第二裂纹检测线RL2的一侧连接到第五子测试信号线TL3a和第六子测试信号线TL3b，第二裂纹检测线RL2的另一侧连接到第七子测试信号线TL4a和第八子测试信号线TL4b。
第二裂纹检测线RL2的一侧可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第三十二接触孔CH32来连接到第六子测试信号线TL3b，并可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第三十三接触孔CH33来连接到第五子测试信号线TL3a。
第二裂纹检测线RL2的另一侧可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第三十四接触孔CH34来连接到第八子测试信号线TL4b，并可以通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第三十五接触孔CH35来连接到第七子测试信号线TL4a。
第二裂纹检测线RL2的与弯曲区域BA叠置的一部分可以包括多个弯曲部分，与弯曲区域BA叠置的第二裂纹检测线RL2可以位于应力释放层220上。
在实施例中，与第一测试连接图案TCP1和第二测试连接图案TCP2一样，第二裂纹检测线RL2可以与第一数据线D1至第三数据线D3由相同的第二导电材料制成，并可以与第一数据线D1至第三数据线D3位于相同的水平处。
图22是用于解释使用图20中示出的结构来检测裂纹的工艺的图。
参照图22，在显示装置弯曲之前，使一对测试信号探针与第一子测试垫TP1a和第三子测试垫TP2a接触，以向第一裂纹检测线RL1提供测试信号。另外，使一对输出信号探针与第二子测试垫TP1b和第四子测试垫TP2b接触，以测量响应于测试信号产生的输出信号。在示例中，电流It可以作为测试信号被提供到第一裂纹检测线RL1，可以测量电压Vt作为输出信号，可以将电流It(即，测试信号)和电压Vt(即，输出信号)进行比较以获得电阻值。
在显示装置弯曲之后，电流It可以作为测试信号被提供到第一裂纹检测线RL1，可以测量电压Vt作为输出信号，以获得电阻值。然后，可以通过将弯曲显示装置之前的电阻值与弯曲显示装置之后的电阻值进行比较来检测第一裂纹检测线RL1是否已经断裂。
另外，在显示装置弯曲之前，使另一对测试信号探针与第五子测试垫TP3a和第七子测试垫TP4a接触，以向第二裂纹检测线RL2提供测试信号。另外，使另一对输出信号探针与第六子测试垫TP3b和第八子测试垫TP4b接触，以测量响应于测试信号产生的输出信号。在示例中，电流Ita可以作为测试信号被提供到第二裂纹检测线RL2，可以测量电压Vta作为输出信号，并可以将电流Ita(即，测试信号)和电压Vta(即，输出信号)进行比较以获得电阻值。
在显示装置弯曲之后，电流Ita可以作为测试信号被提供到第二裂纹检测线RL2，可以测量电压Vta作为输出信号，以获得电阻值。然后，可以通过将弯曲显示装置之前的电阻值与弯曲显示装置之后的电阻值进行比较来检测第二裂纹检测线RL2是否已经断裂。
根据当前的实施例，可以独立地测量第一裂纹检测线RL1的输出信号和第二裂纹检测线RL2的输出信号。因此，当在第一裂纹检测线RL1中检测到裂纹时，可以判断的是，位于弯曲区域BA上的元件(具体地，与第一裂纹检测线RL1位于相同的水平处的第一桥接布线BL1和第三桥接布线BL3)已经断裂。
即，根据当前的实施例，能够判断位于弯曲区域BA上的布线之中的位于哪一水平的布线是否已经断裂。
图23是沿与图10的线X7-X8对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图。图24是沿与图10的线X9-X10对应的线截取的图23的显示装置的剖视图。图25是沿与图10的线X11-X12对应的线截取的根据图23的显示装置的剖视图。除了不设置有应力释放层220并且开口OPB被第一上绝缘层210填充之外，根据当前的实施例的显示装置与图11至图13中示出的实施例基本上相同。因此，以下将主要描述与图11至图13的结构的差异。
参照图10和图23至图25，形成在无机绝缘层111、130、150和170中以与弯曲区域BA对应的开口OPB被第一上绝缘层210填充。
第二桥接布线BL2的不与弯曲区域BA叠置的一部分位于第二下绝缘层170上。第二桥接布线BL2通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十接触孔CH20来连接到第三连接布线CL2a的一侧，并通过穿过第一下绝缘层150和第二下绝缘层170的第二十一接触孔CH21来连接到第四连接布线CL2b。
第二桥接布线BL2的与弯曲区域BA叠置的一部分位于基体基底110上。第二桥接布线BL2可以接触无机绝缘层111、130、150和170的围绕开口OPB的侧边。
其它元件可以与上面描述的那些相同，因此将省略这些元件的描述。
图26是沿与图14的线X13-X14对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图。当前的实施例与图15和图16中示出的实施例的不同之处在于：不设置应力释放层220，开口OPB填充有第一上绝缘层210。由于其它元件可以与上面参照图14至图16描述的那些基本上相同，因此将省略这些元件的描述。
图27是沿与图18的线X17-X18对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图。当前的实施例与图19中示出的实施例的不同之处在于：不设置应力释放层220，开口OPB填充有第一上绝缘层210，第二裂纹检测线RL2的与弯曲区域BA叠置的一部分位于基体基底110上。由于其它元件可以与上面参照图18和图19描述的那些基本上相同，因此将省略这些元件的描述。
图28是沿与图20的线X19-X20对应的线截取的根据实施例的显示装置的剖视图。当前的实施例与图21中示出的实施例的不同之处在于：不设置应力释放层220，开口OPB填充有第一上绝缘层210，第二裂纹检测线RL2的与弯曲区域BA叠置的一部分位于基体基底110上。由于其它元件可以与上面参照图20和图21描述的那些基本上相同，因此将省略这些元件的描述。
根据实施例，能够提供一种非显示区域的至少一部分被弯曲的显示装置。
另外，根据实施例，能够提供一种能够检测弯曲部分中产生的裂纹的显示装置。
然而，本发明构思的效果不限于在此阐述的那些。通过参照权利要求，本发明构思的以上和其它效果对本发明构思所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
尽管出于说明的目的已经公开了一些示例性实施例，但是这些实施例仅作为示例来呈现，并不限制本发明构思。本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所公开的实施例的范围和精神的情况下，能够进行各种修改和应用。例如，可以对实施例中说明的每个元件进行不同地修改和实施。另外，与这样的修改和应用相关的差异应被解释为包括在如由权利要求限定的实施例的范围内。

Claims (33)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括显示区域和除了所述显示区域之外的外围区域，其中，所述外围区域包括弯曲区域；
第一测试信号线和第二测试信号线，位于所述基体基底的所述外围区域上，并且彼此至少部分地分隔开；
下绝缘层，位于所述第一测试信号线和所述第二测试信号线上；
第一测试连接图案，位于所述下绝缘层上，并连接到所述第一测试信号线；
第二测试连接图案，位于所述下绝缘层上，与所述第一测试连接图案分隔开，并且连接到所述第二测试信号线；
上绝缘层，位于所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案上；以及
第一裂纹检测线，位于所述上绝缘层上，连接到所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案，并且包括与所述基体基底的所述弯曲区域叠置的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一测试信号线和所述第二测试信号线由第一导电材料制成，所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案由第二导电材料制成，所述第一裂纹检测线由第三导电材料制成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一测试信号线和所述第二测试信号线不与所述基体基底的所述弯曲区域叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一测试垫，位于所述基体基底的所述外围区域上，并连接到所述第一测试信号线；以及
第二测试垫，与所述第一测试垫分隔开，并连接到所述第二测试信号线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一测试垫包括第一子测试垫和第二子测试垫，所述第二测试垫包括第三子测试垫和第四子测试垫，所述第一测试信号线包括第一子测试信号线和第二子测试信号线，所述第一子测试信号线连接到所述第一测试连接图案和所述第一子测试垫，所述第二子测试信号线连接到所述第一测试连接图案和所述第二子测试垫，所述第二测试信号线包括第三子测试信号线和第四子测试信号线，所述第三子测试信号线连接到所述第二测试连接图案和所述第三子测试垫，所述第四子测试信号线连接到所述第二测试连接图案和所述第四子测试垫，其中，所述第一子测试垫、所述第二子测试垫、所述第三子测试垫和所述第四子测试垫彼此分隔开。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，用于裂纹检测的测试信号被传输到所述第一子测试垫和所述第三子测试垫，响应于所述测试信号产生的输出信号被输出到所述第二子测试垫和所述第四子测试垫。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括应力释放层，所述应力释放层位于所述基体基底的所述弯曲区域上，并与所述第一裂纹检测线叠置，其中，所述下绝缘层包括开口，所述开口形成在所述基体基底的所述弯曲区域上，并与所述第一裂纹检测线叠置，所述应力释放层位于所述开口中，所述上绝缘层位于所述应力释放层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括无机材料，所述应力释放层包括有机材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括开口，所述开口形成在所述基体基底的所述弯曲区域上，且与所述第一裂纹检测线叠置，所述上绝缘层还位于所述开口中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括无机材料，所述上绝缘层包括有机材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三测试信号线，位于所述基体基底的所述外围区域上；
第四测试信号线，与所述第三测试信号线至少部分地分隔开；以及
第二裂纹检测线，位于所述下绝缘层上，连接到所述第三测试信号线和所述第四测试信号线，并且包括与所述基体基底的所述弯曲区域叠置的至少一部分，
其中，所述第三测试信号线和所述第四测试信号线与所述第一测试信号线和所述第二测试信号线分隔开，所述上绝缘层位于所述第二裂纹检测线上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一测试信号线、所述第二测试信号线、所述第三测试信号线和所述第四测试信号线由第一导电材料制成，所述第一测试连接图案、所述第二测试连接图案和所述第二裂纹检测线由第二导电材料制成，所述第一裂纹检测线由第三导电材料制成。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一测试信号线包括连接到所述第一测试连接图案的第一子测试信号线和第二子测试信号线，所述第二测试信号线包括连接到所述第二测试连接图案的第三子测试信号线和第四子测试信号线，所述第三测试信号线包括连接到所述第二裂纹检测线的第五子测试信号线和第六子测试信号线，所述第四测试信号线包括连接到所述第二裂纹检测线的第七子测试信号线和第八子测试信号线。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一数据线，位于所述基体基底的所述显示区域上；
第一连接垫，位于所述基体基底的所述外围区域上；以及
第一连接布线部分，连接所述第一数据线和所述第一连接垫，
其中，所述第一连接布线部分包括：第一连接布线，位于所述基体基底的所述外围区域上并连接到所述第一数据线；第二连接布线，位于所述基体基底的所述外围区域上，通过布置在所述第一连接布线与所述第二连接布线之间的所述弯曲区域与所述第一连接布线分隔开，并且连接到所述第一连接垫；第一连接图案，位于所述下绝缘层上，并连接到所述第一连接布线；第二连接图案，位于所述下绝缘层上，连接到所述第二连接布线，并且与所述第一连接图案分隔开；以及第一桥接布线，位于所述上绝缘层上，连接到所述第一连接图案和所述第二连接图案，并且与所述基体基底的所述弯曲区域叠置，
其中，所述第一连接布线和所述第二连接布线位于所述下绝缘层与所述基体基底之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一测试信号线、所述第二测试信号线、所述第一连接布线和所述第二连接布线由第一导电材料制成，所述第一数据线、所述第一测试连接图案、所述第二测试连接图案、所述第一连接图案和所述第二连接图案由第二导电材料制成，所述第一裂纹检测线和所述第一桥接布线由第三导电材料制成。
16.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括应力释放层，所述应力释放层位于所述基体基底的所述弯曲区域上，并与所述第一桥接布线叠置，其中，所述下绝缘层包括开口，所述开口形成在所述基体基底的所述弯曲区域上，且与所述第一桥接布线叠置，所述应力释放层位于所述开口中，所述上绝缘层位于所述应力释放层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括无机材料，所述应力释放层包括有机材料。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括开口，所述开口形成在所述基体基底的所述弯曲区域上，且与所述第一桥接布线叠置，所述上绝缘层还位于所述开口中。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述下绝缘层包括无机材料，所述上绝缘层包括有机材料。
20.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二数据线，位于所述基体基底的所述显示区域上，并与所述第一数据线相邻设置；
第二连接垫，位于所述基体基底的所述外围区域上；以及
第二连接布线部分，连接所述第二数据线和所述第二连接垫，
其中，所述第二连接布线部分包括：第三连接布线，位于所述基体基底的所述外围区域上，并连接到所述第二数据线；第四连接布线，位于所述基体基底的所述外围区域上，通过布置在所述第三连接布线与所述第四连接布线之间的所述弯曲区域与所述第三连接布线分隔开，并且连接到所述第二连接垫；以及第二桥接布线，位于所述下绝缘层上，连接到所述第三连接布线和所述第四连接布线，并且与所述弯曲区域叠置，
其中，所述第三连接布线和所述第四连接布线位于所述下绝缘层与所述基体基底之间，所述上绝缘层位于所述第二桥接布线上。
21.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描线，位于所述基体基底的所述显示区域上；以及
数据线和驱动电压线，位于所述基体基底的所述显示区域上，与所述扫描线绝缘，并且与所述扫描线交叉，
其中，所述扫描线位于所述基体基底与所述下绝缘层之间，所述数据线位于所述下绝缘层与所述上绝缘层之间，所述驱动电压线位于所述上绝缘层上。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述扫描线、所述第一测试信号线和所述第二测试信号线由第一导电材料制成，所述数据线、所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案由第二导电材料制成，所述驱动电压线和所述第一裂纹检测线由第三导电材料制成。
23.根据权利要求22所述的显示装置，所述显示装置还包括附加驱动电压线，所述附加驱动电压线位于所述下绝缘层与所述上绝缘层之间，并与所述驱动电压线叠置，其中，所述附加驱动电压线由所述第二导电材料制成。
24.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
开关元件，位于所述基体基底的所述显示区域上，并包括半导体层和与所述半导体层叠置的栅电极；
连接电极，连接到所述开关元件的所述半导体层；
桥接图案，连接到所述连接电极；
绝缘层，位于所述桥接图案上；以及
发光元件，位于所述绝缘层上，并连接到所述桥接图案，
其中，所述下绝缘层位于所述开关元件与所述连接电极之间，所述上绝缘层位于所述连接电极与所述桥接图案之间。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述栅电极、所述第一测试信号线和所述第二测试信号线由第一导电材料制成，所述连接电极、所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案由第二导电材料制成，所述桥接图案和所述第一裂纹检测线由第三导电材料制成。
26.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括显示区域和除了所述显示区域之外的外围区域，其中，所述外围区域包括弯曲区域；
第一测试信号线和第二测试信号线，位于所述基体基底的所述外围区域上，并彼此至少部分地分隔开；
裂纹检测线，包括位于所述基体基底的所述弯曲区域上的至少一部分，并电连接到所述第一测试信号线和所述第二测试信号线；以及
数据线和驱动电压线，位于所述基体基底的所述显示区域上，
其中，所述数据线和所述驱动电压线位于不同的层上，所述数据线和所述裂纹检测线位于不同的层上，所述裂纹检测线与所述第一测试信号线和所述第二测试信号线位于不同的层上。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述裂纹检测线和所述驱动电压线位于同一层上，并由相同的材料制成。
28.根据权利要求26所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一测试连接图案，位于所述第一测试信号线上，并连接到所述第一测试信号线和所述裂纹检测线；以及
第二测试连接图案，位于所述第二测试信号线上，与所述第一测试连接图案分隔开，并且连接到所述第二测试信号线和所述裂纹检测线，
其中，所述数据线、所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案位于同一层上，并由相同的材料制成。
29.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括显示区域和除了所述显示区域之外的外围区域，其中，所述外围区域包括弯曲区域；
第一测试信号线和第二测试信号线，位于所述基体基底的所述外围区域上，并彼此至少部分地分隔开；
裂纹检测线，包括位于所述基体基底的所述弯曲区域上的至少一部分，并电连接到所述第一测试信号线和所述第二测试信号线；
数据线，位于所述基体基底的所述显示区域上；
连接垫，位于所述基体基底的所述外围区域上；以及
桥接布线，电连接所述数据线和所述连接垫，
其中，所述数据线和所述桥接布线位于不同的层上，所述裂纹检测线和所述桥接布线位于不同的层上，所述裂纹检测线与所述第一测试信号线和所述第二测试信号线位于不同的层上。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述裂纹检测线和所述桥接布线由相同的材料制成，并位于同一层上。
31.根据权利要求29所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一测试连接图案，位于所述第一测试信号线上，并连接到所述第一测试信号线和所述裂纹检测线；以及
第二测试连接图案，位于所述第二测试信号线上，与所述第一测试连接图案分隔开，并且连接到所述第二测试信号线和所述裂纹检测线，
其中，所述数据线、所述第一测试连接图案和所述第二测试连接图案位于同一层上，并由相同的材料制成。
32.根据权利要求31所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一连接布线，连接所述数据线和所述桥接布线；以及
第二连接布线，连接所述连接垫和所述桥接布线，
其中，所述第一连接布线、所述第二连接布线、所述第一测试信号线和所述第二测试信号线位于同一层上，并由相同的材料制成。
33.根据权利要求32所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一连接图案，位于所述第一连接布线上，并连接到所述第一连接布线和所述桥接布线；以及
第二连接图案，位于所述第二连接布线上，与所述第一连接图案分隔开，并且连接到所述第二连接布线和所述桥接布线，
其中，所述第一测试连接图案、所述第二测试连接图案、所述第一连接图案和所述第二连接图案位于同一层上，并由相同的材料制成。
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