CN106206654A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。在一个方面，该显示装置包括：包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域的基底以及形成在显示区域中的多个像素。该显示装置还包括形成在基底上并且电连接到像素的多条信号线以及形成在基底上的包封层，其中，信号线包括形成在基底上的多条栅极线和多条数据线以及电连接到所述多条数据线中的第一条数据线并且在显示装置的深度维度上与包封层叠置的第一裂纹感测线。

Description

显示装置
本申请要求于2015年5月26日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0073171号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
描述的技术总地涉及一种显示装置。
背景技术
随着便携式显示装置获得普及，针对柔性显示装置的需求存在甚至更快速的增长。
当制造期间产生基板裂纹时，水分会透过整个显示区域。这导致劣化和最终的故障。因此，精确检测裂纹形成的时刻和位置是非常重要的。
作为示例，裂纹会沿着覆盖显示区域以及围绕显示区域的非显示区域的薄膜层的边缘产生。
在该背景部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此它可能包含不构成对本领域普通技术人员而言在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及一种显示装置，该显示装置能够通过容易地检测裂纹来防止在薄膜层(覆盖显示区域以及作为显示装置的边缘的非显示区域)的边缘的部分处产生的裂纹所导致的显示装置的劣化。
另一个方面是一种显示装置，该显示装置包括：基底，被配置为包括显示区域和形成在显示区域的外围区域中的非显示区域；多个像素，形成在基底的显示区域中；多条信号线，形成在基底中并且连接到像素；以及包封部分(或包封层)，形成在基底上，其中，多条信号线包括：形成在基底上的多条栅极线和多条数据线，以及连接到数据线中的第一数据线并且形成在与包封部分叠置的部分处的第一裂纹感测线。
包封部分可以形成在显示区域和非显示区域中，第一裂纹感测线可以形成在非显示区域中。
显示装置还可以包括形成在包封部分上的触摸部分(或触摸层)，第一裂纹感测线可以形成在与触摸部分的触摸布线的层相同的层处。
信号线还可以包括形成在基底的非显示区域中的第一信号线和第二信号线，第一裂纹感测线可以连接到第一数据线并且沿着显示区域的一个边缘以半圆(semi-circular)的形状行进，数据线可以通过第一晶体管连接到第一信号线并且通过第二晶体管连接到第二信号线。
第一裂纹感测线可以连接在第二信号线与第二晶体管之间。
显示装置还可以包括：第一栅极线，形成在基底的非显示区域中并且连接到第一晶体管；以及第二栅极线，连接到第二晶体管。当第一栅极导通电压供应给第一栅极线时，数据线可以从第一信号线接收第一信号，当第二栅极导通电压供应给第二栅极线时，数据线可以从第二信号线接收第二信号。
第二栅极导通电压可以在第一栅极导通电压施加之后施加，并且第一信号和第二信号可以包括不同的信号。
显示装置还可以包括第二裂纹感测线，其连接到数据线中的第二数据线，形成为不与包封部分叠置，并且形成在非显示区域中。
第二裂纹感测线可以形成在与栅极线的层相同的层处。
显示装置还可以包括绝缘层，其形成在第二裂纹感测线和栅极线之间以具有用于暴露第二裂纹感测线的一部分的接触孔，并且第二裂纹感测线可以通过接触孔连接到第二数据线。
第二裂纹感测线可以形成在与栅极线的层相同的层处。
信号线还可以包括形成在基底的非显示区域中的第一信号线和第二信号线，第一裂纹感测线可以连接到第一数据线并且沿着显示区域的一个边缘以半圆的形状行进，第二裂纹感测线可以沿着显示区域的边缘平行于第一裂纹感测线以半圆的形状行进，数据线可以通过第一晶体管连接到第一信号线并且通过第二晶体管连接到第二信号线。
第一裂纹感测线可以连接在第二信号线与第二晶体管之间，第二裂纹感测线可以连接在第二信号线与第二晶体管之间。
另一个方面是一种显示装置，包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，形成在显示区域中；多条信号线，形成在基底上并且电连接到像素；以及包封层，形成在基底上，其中，信号线包括：多条栅极线和多条数据线，形成在基底上，以及第一裂纹感测线，电连接到数据线中的第一数据线并且在显示装置的深度维度上与包封层叠置。
在上述显示装置中，包封层形成在显示区域和非显示区域中，其中，第一裂纹感测线形成在非显示区域中。上述显示装置还包括：触摸层，包括触摸布线并且形成在包封层上，其中，第一裂纹感测线与触摸层的触摸布线形成在同一层上。在上述显示装置中，信号线还包括形成在非显示区域中的第一信号线和第二信号线，其中，第一裂纹感测线电连接到第一数据线，并且沿着显示区域的边缘基本以半圆的形状延伸，其中，数据线经由第一晶体管电连接到第一信号线，并且经由第二晶体管电连接到第二信号线。
在上述显示装置中，第一裂纹感测线被电连接到第二信号线和第二晶体管。上述显示装置还包括：第一栅极线，形成在非显示区域中并且电连接到第一晶体管；以及第二栅极线，电连接到第二晶体管，其中，数据线被配置为基于施加到第一栅极线的第一栅极导通电压而从第一信号线接收第一信号，其中，数据线被配置为基于施加到第二栅极线的第二栅极导通电压而从第二信号线接收第二信号。在上述显示装置中，第二栅极导通电压被配置为在第一栅极导通电压施加之后施加，其中，第一信号和第二信号不同。
上述显示装置还包括：电连接到数据线中的第二数据线的第二裂纹感测线，其中，第二裂纹感测线形成在非显示区域中，并且在显示装置的深度维度上不与包封层叠置。在上述显示装置中，第二裂纹感测线与栅极线形成在同一层上。上述显示装置还包括绝缘层，该绝缘层具有接触孔并且置于第二裂纹感测线和栅极线之间，其中，第二裂纹感测线经由接触孔连接到第二数据线。
在上述显示装置中，信号线还包括形成在非显示区域中的第一信号线和第二信号线，其中，第一裂纹感测线电连接到第一数据线并且沿着显示区域的边缘基本以半圆的形状延伸，其中，第二裂纹感测线沿着显示区域的边缘基本平行于第一裂纹感测线延伸，其中，数据线经由第一晶体管电连接到第一信号线并且经由第二晶体管电连接到第二信号线。在上述显示装置中，第一裂纹感测线电连接到第二信号线和第二晶体管，其中，第二裂纹感测线电连接到第二信号线和第二晶体管。
上述显示装置还包括：第一栅极线，形成在非显示区域中并且电连接到第一晶体管；以及第二栅极线，电连接到第二晶体管，其中，数据线被配置为基于施加到第一栅极线的第一栅极导通电压而从第一信号线接收第一信号，其中，数据线被配置为基于施加到第二栅极线的第二栅极导通电压而从第二信号线接收第二信号。在上述显示装置中，第二栅极导通电压被配置为在第一栅极导通电压施加之后施加，其中，第一信号和第二信号不同。
在上述显示装置中，第二裂纹感测线与栅极线形成在同一层上。在上述显示装置中，信号线还包括形成在基底的非显示区域中的第一信号线和第二信号线，其中，第一裂纹感测线电连接到第一数据线，并且沿着显示区域的边缘以半圆的形状延伸，其中，第二裂纹感测线沿着显示区域的边缘基本平行于第一裂纹感测线延伸，其中，数据线经由第一晶体管电连接到第一信号线并且经由第二晶体管电连接到第二信号线。在上述显示装置中，第一裂纹感测线电连接到第二信号线和第二晶体管，其中，第二裂纹感测线电连接到第二信号线和第二晶体管。
上述显示装置还包括：第一栅极线，形成在基底的非显示区域中并且电连接到第一晶体管；以及第二栅极线，电连接到第二晶体管，其中，数据线被配置为基于施加到第一栅极线的第一栅极导通电压而从第一信号线接收第一信号，其中，数据线被配置为基于施加到第二栅极线的第二栅极导通电压而从第二信号线接收第二信号。上述显示装置中，第二栅极导通电压被配置为在第一栅极导通电压施加之后施加，其中，第一信号和第二信号包括不同的信号。上述显示装置还包括：触摸层，该触摸层包括触摸布线并且形成在包封层上，其中，第一裂纹感测线与触摸布线形成在同一层中。
另一个方面是一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，形成在显示区域中；包封层，形成在基底上；多条数据线，形成在基底上；以及第一裂纹感测线，形成在非显示区域中并且电连接到数据线中的第一数据线，其中，第一裂纹感测线在显示装置的深度维度上与包封层叠置。
上述显示装置还包括：电连接到数据线中的第二数据线的第二裂纹感测线，其中，第二裂纹感测线形成在非显示区域中，并且在显示装置的深度维度上不与包封层叠置。在上述显示装置中，第二裂纹感测线比包封层更远离第一裂纹感测线。
根据公开的实施例中的至少一个，能够容易地检测覆盖显示装置的显示区域以及边缘的薄膜层的裂纹，以防止显示装置的劣化。
附图说明
图1是根据示例性实施例的显示装置的俯视图。
图2是根据示例性实施例的显示装置的电路图。
图3是示出根据示例性实施例的显示装置的信号的波形图。
图4A、图4B和图4C是在图3的第一时间段和第二时间段期间供应给像素的电压的波形图。
图5是示出图3中示出的测试晶体管和裂纹感测线之间以及测试晶体管和电阻器之间的连接结构的俯视图。
图6是沿着图5的线I-I’截取的剖视图。
图7是沿着图5的线II-II’截取的剖视图。
图8是部分地示出图2中示出的显示装置的剖视图。
图9是部分地示出根据另一个示例性实施例的图2中示出的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出所描述的技术的示例性实施例的附图来更充分地描述所述的技术。本领域技术人员将认识到，在全部不脱离所描述的技术的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在附图中，为了清晰起见，夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。将理解，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全、或者在一些应用下并对于本领域技术人员来说达到任何显著程度的含义。此外，“形成在……上”也可指“形成在……上方”。术语“连接”可包括电连接。
首先，将参照图1描述根据示例性实施例的显示装置。
图1是根据示例性实施例的显示装置的俯视图。
参照图1，根据本示例性实施例的显示装置包括基底SUB、包封部分EN和触摸部分TM。
基底SUB是包括玻璃、聚合物的绝缘基底或不锈钢。基底SUB可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基底SUB是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，所以显示装置可以是完全柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。例如，基底SUB形成为包括诸如聚酰亚胺等树脂的柔性膜。
基底SUB包括用于显示图像的显示区域DA和形成为围绕显示区域DA的非显示区域NDA。尽管在本示例性实施例中已经将非显示区域NDA描述为围绕显示区域DA，但是在根据另一个示例性实施例的显示装置中，非显示区域NDA可以形成在显示区域DA的相对侧处。
基底SUB的显示区域DA包括多个像素。一个像素是用于显示图像的最小单元。
包封部分(或包封层)EN遍布整个显示区域DA和非显示区域NDA地形成在基底SUB上，并且与基底SUB一起包封显示区域DA的像素。包封部分EN可以形成为薄膜包封部分。包封部分EN包括形成在显示区域DA上的有机层OL和形成在有机层OL上的无机层IL。根据另一个示例性实施例的包封部分EN可以包括交替堆叠的一个或多个有机层以及一个或多个无机层。例如，无机层和有机层分别包括多个无机层和多个有机层，无机层和有机层可以分别交替地堆叠。例如，包封部分EN包括在至少两个无机层之间插入至少一个有机层的至少一个夹层结构。
在下文中，将参照图1和图2描述根据示例性实施例的显示装置的设置。图2是根据示例性实施例的显示装置的电路图。
参照图1和图2，根据本示例性实施例的显示装置包括形成有多个像素RP的显示区域DA和形成在显示区域周围的非显示区域NDA。
根据示例性实施例的显示装置包括形成在基底SUB上的多个像素RP和多条信号线，像素RP形成在基底SUB的显示区域DA中，信号线的至少一部分形成在基底SUB的非显示区域NDA上。
信号线包括形成在基底SUB的显示区域DA中的栅极线S1-Sn和数据线D1a-Dma以及形成在基底SUB的非显示区域NDA中的第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22。应当理解，信号线不限于此，信号线还可以包括设置在非显示区域NDA中的未示出的其他信号线。
第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在与在触摸部分(或触摸层)TM处形成的触摸布线的层相同的层上。第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在包封部分EN上。第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22与信号线的一部分(例如，栅极布线或数据布线)形成在同一层上。第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22形成在非显示区域NDA中，并且在基底SUB的不与包封部分EN叠置的边缘处。
形成有第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22的非显示区域NDA可以弯曲。
数据焊盘DP1-DPo，初始化控制焊盘IP1、IP2和IP3，第一测试控制焊盘TP1，测试电压焊盘TVP1和TVP2，初始化晶体管IT1、IT2和IT3，测试晶体管TT1和电阻器R形成在基底SUB的非显示区域NDA中。这里，“o”表示大于m的正整数。
数据焊盘DP1-DPo通过初始化晶体管IT1、IT2和IT3连接到数据线D1a-Dma。在开始时，可以将初始化电压供应给数据焊盘DP1-DPo。
尽管未示出，但是显示装置还可以包括源极驱动IC。在这种情况下，数据焊盘DP1-DPo连接到源极驱动IC。具体地，源极驱动IC可以将数据电压供应给数据焊盘DP1-DPo，使得数据电压被供应给显示装置的数据线D1a-Dma。
在示出的示例性实施例中，形成了初始化控制焊盘IP1、IP2和IP3以及初始化晶体管IT1、IT2和IT3。在这种情况下，第一初始化控制焊盘IP1可以连接到第一初始化晶体管IT1的控制电极，第二初始化控制焊盘IP2可以连接到第二初始化晶体管IT2的控制电极，第三初始化控制焊盘IP3可以连接到第三初始化晶体管IT3的控制电极。第一初始化信号、第二初始化信号和第三初始化信号可以分别供应给第一初始化控制焊盘IP1、第二初始化控制焊盘IP2和第三初始化控制焊盘IP3。
第一测试控制焊盘TP1连接到测试晶体管TT1的每个控制电极。测试控制信号供应给第一测试控制焊盘TP1。
测试电压焊盘TVP1和TVP2连接到测试晶体管TT1的第一电极。测试电压供应给测试电压焊盘TVP1和TVP2。相同的测试电压或不同的测试电压可以供应给第一测试电压焊盘TVP1和第二测试电压焊盘TVP2。例如，第一测试电压供应给第一测试电压焊盘TVP1，第二测试电压供应给第二测试电压焊盘。在这一点上，第一测试电压可以与第二测试电压相同或不同。
初始化晶体管IT1、IT2和IT3连接在数据线D1a-Dma和数据焊盘DP1-DPo之间。第一初始化晶体管IT1的控制电极可以连接到第一初始化控制焊盘IP1，第二初始化晶体管IT2的控制电极可以连接到第二初始化控制焊盘IP2，第三初始化晶体管IT3的控制电极可以连接到第三初始化控制焊盘IP3。
例如，每个第一初始化晶体管IT1的控制电极连接到第一初始化控制焊盘IP1，其第一电极连接到数据线D1a-Dma中的相应的一条数据线，其第二电极连接到数据焊盘DP1-DPo中的相应的一个数据焊盘。每个第二初始化晶体管IT2的控制电极可以连接到第二初始化控制焊盘IP2，其第一电极可以连接到数据线D1a-Dma中的相应的一条数据线，其第二电极可以连接到数据焊盘中DP1-DPo的相应的一个数据焊盘。每个第三初始化晶体管IT3的控制电极可以连接到第三初始化控制焊盘IP3，其第一电极可以连接到数据线D1a-Dma中的相应的一条数据线，其第二电极可以连接到数据焊盘DP1-DPo中的相应的一个数据焊盘。
测试晶体管TT1可以连接在数据线D1a-Dma与测试电压焊盘TVP1和TVP2之间。测试晶体管TT1的控制电极连接到第一测试控制焊盘TP1。例如，每个测试晶体管TT1的控制电极连接到第一测试控制焊盘TP1，第一电极连接到测试电压焊盘TVP1和TVP2中的相应的一个测试电压焊盘，第二电极连接到数据线D1a-Dma中的相应的一条数据线。另外，显示装置还可以包括位于非显示区域NDA中的第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线与初始化晶体管电连接，第二栅极线与测试晶体管电连接，如图2中所示。
裂纹感测线可以形成在测试电压焊盘与测试晶体管TT1的第一电极之间。
第一裂纹感测线CD1形成在第一测试电压焊盘TVP1与连接到第一数据线D1b的测试晶体管TT1的第一电极之间，第二裂纹感测线CD2形成在第二测试电压焊盘TVP2与连接到第二数据线Dmb的测试晶体管TT1的第一电极之间。第三裂纹感测线CD11形成在第二测试电压焊盘TVP2与连接到第三数据线D1a的测试晶体管TT1的第一电极之间，第四裂纹感测线CD22形成在第一测试电压焊盘TVP1与连接到第四数据线Dma的测试晶体管TT1的第一电极之间。
第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22可以形成在非显示区域NDA中，其中，非显示区域NDA形成在显示区域DA的外侧。例如，第一裂纹感测线CD1和第三裂纹感测线CD11形成在显示区域DA的外部左侧，第二裂纹感测线CD2和第四裂纹感测线CD22形成在显示区域DA的外部右侧。此外，当在形成在显示区域DA的外侧处的非显示区域NDA中形成了栅极驱动器(未示出)时，第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22可以形成在比栅极驱动器更外侧。
第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22中的每条裂纹感测线可以形成为在显示区域DA的外侧周围行进。
第一裂纹感测线CD1和第三裂纹感测线CD11可以形成为在显示区域DA的外部左侧周围行进，第二裂纹感测线CD2和第四裂纹感测线CD22可以形成为在显示区域DA的外部右侧周围行进。
电阻器R可以形成在测试电压焊盘TVP1和TVP2与测试晶体管TT1的未连接到第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22的第一电极之间。通过电阻器R的活动，能够根据第一裂纹感测线CD1、第二裂纹感测线CD2、第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22的布线电阻来补偿测试电压差。
在示出的示例性实施例中，测试晶体管TT1和电阻器R示出为形成在非显示区域NDA的上部分处。数据焊盘DP1-DPo，初始化控制焊盘IP1、IP2和IP3，第一测试控制焊盘TP1，测试电压焊盘TVP1和TVP2，初始化晶体管IT1、IT2和IT3示出为形成在非显示区域NDA的下部分处。然而，非显示区域NDA的焊盘单元、晶体管和信号线的设置不限于此。例如，非显示区域NDA中的信号线还可以包括与数据焊盘DP1-DPo连接的第一信号线(未示出)以及与测试电压焊盘TVP1和TVP2连接的第二信号线(未示出)，从而数据线经由数据焊盘连接到第一信号线以接收第一信号(例如，初始化电压)，裂纹感测线经由测试电压焊盘电连接到第二信号线以接收第二信号(例如，测试电压)。
在下文中，将参照图3描述供应给显示装置的信号。图3是示出根据示例性实施例的显示装置的信号的波形图。
在图3中，示出了供应给初始化控制焊盘IP1、IP2和IP3的初始化信号IS1、IS2和IS3，供应给第一测试控制焊盘TP1的测试控制信号TS，供应给数据焊盘DP1-DPo的初始化电压IV，供应给测试电压焊盘TVP1和TVP2的测试电压TV，以及第一至第三和第n扫描信号SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn。
参照图3，一个帧周期包括多个水平周期，一个水平周期包括第一时间段t1和第二时间段t2。一个帧周期表示将数据电压供应给显示面板的所有像素的时间段，一个水平周期表示将数据电压供应给与一条扫描线连接的像素的时间段。
第一初始化信号IS1在奇数水平周期oh的第一时间段t1期间形成为具有第一栅极导通电压Von1，并且在奇数水平周期oh的第二时间段t2和偶数水平周期eh期间形成为具有第一栅极截止电压Voff1。第二初始化信号IS2在偶数水平周期eh的第一时间段t1期间形成为具有第一栅极导通电压Von1，并且在偶数水平周期eh的第二时间段t2和奇数水平周期oh期间形成为具有第一栅极截止电压Voff1。第三初始化信号IS3在每个水平周期的第一时间段t1期间形成为具有第一栅极导通电压Von1，并且在第二时间段t2期间形成为具有第一栅极截止电压Voff1。
测试控制信号TS在每个水平周期的第一时间段t1期间形成为具有第一栅极截止电压Voff1，并且在每个水平周期的第二时间段t2期间形成为具有第一栅极导通电压Von1。如图3中所示，当初始化晶体管IT1、IT2和IT3以及测试晶体管TT1被形成为P型时，第一栅极导通电压Von1可以具有比第一栅极截止电压Voff1的电压电平低的电压电平。即，测试控制信号TS和第三初始化信号IS3可以具有彼此相反的电平，如图3中所示。
初始化电压IV可以被设置为峰值白灰度电压PWV(peak white grayvoltage)，测试电压TV可以被设置为峰值黑灰度电压PBV(peak black grayvoltage)。当驱动晶体管DT被形成为P型时，峰值白灰度电压PWV的电压电平可以比峰值黑灰度电压PBV的电压电平低，如图3所示。同时，图3仅示出初始化电压IV和测试电压TV的示例，因此初始化电压IV和测试电压TV不限于此。
第一至第三和第n扫描信号SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn可以在每个水平周期的第一时间段t1期间形成为具有第二栅极截止电压Voff2并且可以在每个水平周期的第二时间段t2之内形成为具有第二栅极导通电压Von2。尽管图3示出第一至第三和第n扫描信号SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn在每个水平周期的第二时间段t2内的比第二时间段t2短的时间段期间形成为具有第二栅极导通电压Von2，但是本示例性实施例不限于此。例如，第一至第三和第n扫描信号SCAN1、SCAN2、SCAN3和SCANn在每个水平周期的第二时间段t2期间形成为具有第二栅极导通电压Von2。当扫描晶体管ST被形成为P型时，第二栅极导通电压Von2可以具有比第二栅极截止电压Voff2的电压电平低的电压电平，如图3所示。
同时，当像素RP的扫描晶体管ST被设计为与第一至第三初始化晶体管IT1、IT2和IT3及测试晶体管TT1具有相同的晶体管特性时，第二栅极导通电压Von2可以与第一栅极导通电压Von1具有基本相同的电压电平，第二栅极截止电压Voff2可以与第一栅极截止电压Voff1具有相同的电压电平。
在下文中，将参照图4A至图4C以及图2和图3来详细描述根据示例性实施例的显示装置的裂纹检查方法。图4A至图4C是在图3的第一时间段和第二时间段期间供应给像素的电压的波形图。
首先，在奇数水平周期oh的第一时间段t1期间，第一初始化信号IS1和第三初始化信号IS3形成为具有第一栅极导通电压Von1。第二初始化信号IS2和测试控制信号TS形成为具有第一栅极截止电压Voff1。因此，第一初始化晶体管IT1和第三初始化晶体管IT3导通，第二初始化晶体管IT2和测试晶体管TT1截止。结果，初始化电压IV通过第一初始化晶体管IT1和第三初始化晶体管IT3供应给数据线D1a-Dma。
接着，在奇数水平周期oh的第二时间段t2期间，第一至第三初始化信号IS1、IS2和IS3形成为具有第一栅极截止电压Voff1，测试控制信号TS形成为具有第一栅极导通电压Von1。因此，第一至第三初始化晶体管IT1、IT2和IT3截止，测试晶体管TT1导通。结果，测试电压TV通过测试晶体管TT1供应给数据线D1a-Dma。
此外，当第一扫描信号SCAN1在奇数水平周期oh的第二时间段t2之内形成为具有第二栅极导通电压Von2时，数据线D1a-Dma的电压被供应到与第一扫描线S1连接的像素RP。
在初始化电压IV为峰值白灰度电压PWV并且测试电压TV为峰值黑灰度电压PBV的情况下，如图4A所示，将要供应给像素RP的电压在第一时间段t1期间减小至峰值白灰度电压PWV并且在第二时间段t2期间增大至峰值黑灰度电压PBV。然而，当显示装置中产生裂纹时，数据线D1a-Dma或第一至第四裂纹感测线CD1、CD2、CD11和CD22会断开，或者数据线D1a-Dma或第一至第四裂纹感测线CD1、CD2、CD11和CD22的布线电阻会增大。
例如，当数据线D1a-Dma或第一至第四裂纹感测线CD1、CD2、CD11和CD22因显示装置中产生的裂纹而断开时，如图4B中所示，在第二时间段t2期间没有峰值黑灰度电压PBV，将要供应给像素RP的电压在第一时间段t1期间减小至峰值白灰度电压PWV并且在第二时间段t2期间保持为峰值白灰度电压PWV。结果，由于与因裂纹而断开的数据线或裂纹感测线连接的像素RP显示峰值白灰度，所以可以观察到强亮线。
此外，在数据线D1a-Dma或第一至第四裂纹感测线CD1、CD2、CD11和CD22的布线电阻因显示装置中产生的裂纹而增大的情况下，虽然在第二时间段t2期间供应峰值黑灰度电压PBV，但是如图4C中所示，由于布线电阻的增大，导致将要供应给像素RP的电压在第一时间段t1期间减小至其峰值白灰度电压PWV，但是在第二时间段t2期间没有增大至峰值黑灰度电压PBV。结果，与因产生的裂纹导致布线电阻增大的数据线或裂纹感测线连接的像素RP显示灰灰度，可以观察到弱亮线。
如上所述，根据本示例性实施例，通过在每个水平周期的第一时间段t1期间借助初始化晶体管IT1、IT2和IT3供应初始化电压IV并且在每个水平周期的第二时间段t2期间借助测试晶体管TT1供应测试电压TV，能够通过使用数据线D1a-Dma的断开或其布线电阻的变化以及在显示区域DA的外面形成的裂纹感测线的断开或其布线电阻的变化，来确定显示装置中是否产生裂纹。结果，当观察到强或弱的亮线时，确定产生了裂纹。
如此，根据本示例性实施例的显示装置，当在显示区域DA周围形成的非显示区域NDA的形成包封部分EN的部分处产生裂纹时，从与包封部分EN叠置的第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2所连接的数据线相连的像素观察到强或弱的亮线。
此外，当形成在显示区域DA周围的非显示区域NDA的最外部处产生裂纹时，损坏被施加到在显示区域DA周围形成的非显示区域NDA的最外部分处形成的第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22。因此，从与第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22所连接的数据线相连的像素观察到强或弱的亮线。
如此，根据本示例性实施例的显示装置，能够检测从形成包封部分EN的区域以及未形成包封部分EN的非显示区域NDA产生的裂纹。
在下文中，将参照图5至图7描述测试晶体管与裂纹感测线之间和测试晶体管与电阻器之间的连接结构。图5是示出图2中所示的测试晶体管与裂纹感测线之间和测试晶体管与电阻器之间的连接结构的俯视图，图6是沿着图5的线I-I’截取的剖视图，图7是沿着图5的线II-II’截取的剖视图。
为了便于描述，图5中仅示出三条数据线D1、D2和D3以及与其连接的三个测试晶体管TT1。
在图6中，与裂纹感测线CD连接的测试晶体管TT1被称为第一测试晶体管TT1-1，与电阻器R连接的测试晶体管TT1分别被称为第二测试晶体管TT1-2。
参照图5和图6，第一测试晶体管TT1-1的控制电极TT_G在预定区域与第一有源层TT_ACT叠置。第一测试晶体管TT1-1的第一有源层TT_ACT的第一端通过第一接触孔CNT1连接到数据线D1，并且第一有源层TT_ACT的第二端通过第二接触孔CNT2连接到裂纹感测线CD的第一端。如图2中所示，裂纹感测线CD形成为在显示区域DA的外侧周围行进。在这种情况下，裂纹感测线CD的第二端通过第三接触孔CNT3连接到桥电极BE。桥电极BE可以通过第四接触孔CNT4连接到测试电压线TVL。测试电压线TVL是与被供给测试电压TV的测试电压焊盘TVP1和TVP2中的任意一个测试电压焊盘相连的线。
桥电极BE和第一测试晶体管TT1-1的控制电极TT_G可以形成在第一金属图案中，第一测试晶体管TT1-1的第一有源层TT_ACT可以形成在半导体图案中，而数据线D1和测试电压线TVL可以形成在第二金属图案中。在这里，第一金属图案可以是栅极金属图案，第二金属图案可以是源极/漏极金属图案。半导体图案可以由多晶硅形成，但是本示例性实施例不限于此。例如，半导体图案由单晶硅、非晶硅或氧化物半导体材料形成。栅极绝缘层GI可以形成在第一金属图案和半导体图案之间，以使第一金属图案和半导体图案彼此绝缘。此外，绝缘层IL可以形成在半导体图案与第二金属图案之间以使半导体图案与第二金属图案彼此绝缘。在示出的示例性实施例中，已经将裂纹感测线CD描述为形成在与数据线D1和测试电压线TVL的层相同的层上。然而，根据另一个示例性实施例，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以形成在与触摸部分TM处形成的触摸布线的层相同的层上，第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22可以形成在与显示区域DA中形成的信号线的一部分(例如，栅极布线或数据布线)的层相同的层上。
参照图5和图7，第二测试晶体管TT1-2的控制电极TT_G在预定区域处与第一有源层TT_ACT叠置。第二测试晶体管TT1-2的第一有源层TT_ACT的第一端通过第一接触孔CNT1连接到两条数据线D2和D3中的任意一条，第一有源层TT_ACT的第二端通过第五接触孔CNT5连接到桥电极BE。桥电极BE可以通过第四接触孔CNT4连接到测试电压线TVL。
桥电极BE和第二测试晶体管TT1-2的控制电极TT_G可以形成在第一金属图案中，第二测试晶体管TT1-2的第一有源层TT_ACT可以形成在半导体图案中，两条数据线D2和D3以及测试电压线TVL可以形成在第二金属图案中。这里，第一金属图案可以是栅极金属图案，第二金属图案可以是源极/漏极金属图案。半导体图案可以由多晶硅形成，但是本示例性实施例不限于此。例如，半导体图案由单晶硅、非晶硅或氧化物半导体材料形成。栅极绝缘层GI可以形成在第一金属图案和半导体图案之间以使第一金属图案和半导体图案彼此绝缘。此外，绝缘层IL可以形成在半导体图案与第二金属图案之间以使半导体图案与第二金属图案彼此绝缘。
同时，第二测试晶体管TT1-2的第一有源层TT_ACT被形成为比第一测试晶体管TT1-1的第一有源层TT_ACT长。例如，被形成为比第一测试晶体管TT1-1的第一有源层TT_ACT长的第二测试晶体管TT1-2的第一有源层TT_ACT用作电阻器R。例如，第二测试晶体管TT1-2的掺杂有杂质的第一有源层TT_ACT起电阻器R的作用。在这种情况下，通过将电阻器R的电阻设计为与裂纹感测线CD的布线电阻基本相同，能够使因裂纹感测线CD的布线电阻所导致的测试电压的偏差最小化。
在下文中，除了图1和图2以外还将参照图8描述根据示例性实施例的显示装置的层结构。图8是部分地示出图2中所示的显示装置的剖视图。
参照图8以及图1和图2，显示区域DA的每个像素包括有机发光二极管(OLED)和与其连接的薄膜晶体管(TFT)。
TFT包括第二有源层AL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
第二有源层AL可以由多晶硅或氧化物半导体形成。氧化物半导体可以包括以下中的任意一种：诸如钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(GE)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物，以及诸如铟镓锌氧化物(InGaZnO4)、铟锌氧化物(Zn-In-O)、锌锡氧化物(Zn-Sn-O)、铟镓氧化物(In-Ga-O)、铟锡氧化物(In-Sn-O)、铟锆氧化物(In-Zr-O)、铟锆锌氧化物(In-Zr-Zn-O)、铟锆锡氧化物(In-Zr-Sn-O)、铟锆镓氧化物(In-Zr-Ga-O)、铟铝氧化物(In-Al-O)、铟锌铝氧化物(In-Zn-Al-O)、铟锡铝氧化物(In-Sn-Al-O)、铟铝镓氧化物(In-Al-Ga-O)、铟钽氧化物(In-Ta-O)、铟钽锌氧化物(In-Ta-Zn-O)、铟钽锡氧化物(In-Ta-Sn-O)、铟钽镓氧化物(In-Ta-Ga-O)、铟锗氧化物(In-Ge-O)、铟锗锌氧化物(In-Ge-Zn-O)、铟锗锡氧化物(In-Ge-Sn-O)、铟锗镓氧化物(In-Ge-Ga-O)、钛铟锌氧化物(Ti-In-Zn-O)和铪铟锌氧化物(Hf-In-Zn-O)的复合氧化物。
第二有源层AL包括未掺杂有杂质的沟道区和通过被掺杂有杂质而形成在沟道区的相对侧上的源极区和漏极区。这里，这些杂质可以根据薄膜晶体管的类型而变化，并且可以包括N型或P型杂质。当第二有源层AL由氧化物半导体形成时，可以形成附加的钝化层以保护易于受包括高温处置的环境伤害的氧化物半导体。
栅电极GE形成在覆盖第二有源层AL的第一绝缘层IL1上，源电极SE和漏电极DE形成在覆盖栅电极GE的第二绝缘层IL2上，以通过第二绝缘层IL2和第一绝缘层IL1中形成的接触孔而分别连接到第二有源层AL的源极区和漏极区。漏电极DE通过接触孔连接到OLED的第一电极E1。
OLED包括连接到TFT的漏电极DE的第一电极E1、形成在第一电极E1上的有机发射层EL以及形成在有机发射层EL上的第二电极E2。
第一电极E1可以是用作空穴注入电极的阳极，并且可以是光反射性的电极、光透反射性的电极和透射性的电极中的任意一种。同时，根据另一个示例性实施例，第一电极E1可以是用作电子注入电极的阴极。
有机发射层EL形成在第一电极E1上。有机发射层EL可以由低分子有机材料或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有机材料形成。此外，有机发射层EL可以包括用于发射红光的红有机发射层、用于发射绿光的绿有机发射层和用于发射蓝光的蓝有机发射层中的至少一种。红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层分别形成在红像素、绿像素和蓝像素中以实现彩色图像。有机发射层EL可以通过将红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层一起层压在红像素、绿像素和蓝像素中并且针对每个像素形成红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器来实现彩色图像。作为另一个示例，在所有的红像素、绿像素和蓝像素中形成发射白光的白有机发射层并且针对每个像素形成红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器，从而实现彩色图像。在通过使用白有机发射层和彩色滤色器作为有机发射层EL来实现彩色图像的情况下，不需使用用于在各个像素(即，红像素、绿像素和蓝像素)上沉积红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层的沉积掩模。在另一个示例中描述的白有机发射层可以由一个有机发射层来形成，并且可以包括被形成为通过层压多个有机发射层来发射白光的构造。例如，白有机发射层包括：通过结合至少一个黄有机发射层和至少一个蓝光发射层来发射白光的构造、通过结合至少一个青有机发射层和至少一个红光发射层来发射白光的构造、通过结合至少一个品红有机发射层和至少一个绿光发射层来发射白光的构造等。
第二电极E2形成在有机发射层EL上，并且可以是用作电子注入电极的阴极。第二电极E2可以是光反射性的电极、光透反射性的电极和透射性的电极中的任意一种。第二电极E2形成为遍布基底SUB的显示区域DA以覆盖有机发射层EL。在另一个示例性实施例中，第二电极E2是用作空穴注入电极的阳极。
包封部分EN遍布显示区域DA和非显示区域NDA地形成在基底SUB上，并且与基底SUB一起包封显示区域DA。包封部分EN包括形成在显示区域DA上的有机层OL和形成在有机层OL上的无机层IL。
有机层OL由聚合物形成，可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的任意一种形成的单层或堆叠的层。例如，有机层OL由聚丙烯酸酯(例如，通过使包括二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的单体组分聚合而产生的材料)形成。这里，单体组分中还可以包括单丙烯酸酯类单体，并且单体组分中还可以包括诸如TPO的光引发剂，但是描述的技术不限于此。
无机层IL可以是由金属氧化物或金属氮化物形成的单层或多层。例如，无机层IL由SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任意一种形成。
作为包封部分EN的最上层的无机层IL被以比有机层OL更宽的区域来层叠以覆盖作为另一层的有机层OL的端部。例如，在基底SUB的非显示区域NDA中，无机层IL覆盖有机层OL的端部。即，层叠在比其他层的区域更宽的区域处的上无机层可以形成在包封部分EN的最上层上，以覆盖其他层的端部。因此，渗入OLED的外部水分可以被无机层IL抑制。
触摸部分TM包括形成在与基底SUB的显示区域DA对应的包封部分EN上的第一触摸线TL1和第二触摸线TL2。当触摸部分TM被触摸而触摸部分TM可以是电容型，并且电压分别施加到第一触摸线TL1和第二触摸线TL2，因此电荷被充入第一触摸线TL1和第二触摸线TL2的每条中或者充入第一触摸线TL1和第二触摸线TL2之间时，作为第一触摸线TL1和第二触摸线TL2之一的触摸部分的电容被改变，以检测触摸部分的位置。触摸部分TM还可以包括覆盖第一触摸线TL1和第二触摸线TL2的一个或多个绝缘层。第一触摸线TL1和第二触摸线TL2中的每条触摸线可以由透明导电材料(诸如ITO、IZO、IGZO等)、被以网格形式图案化的金属网格、导电聚合物(诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)等)、纳米尺寸的导电材料(诸如银纳米线(AGNW)等)等的一种或多种形成。
第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在包封部分EN的最上层上形成的无机层IL的边缘处。在这种情况下，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在与第一触摸线TL1和第二触摸线TL2的层相同的层上。第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以形成在与显示区域DA相邻的非显示区域NDA中，并且可以形成在包封部分EN上。
第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22形成在非显示区域NDA的未形成包封部分EN的最外部处。第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22可以形成在与显示区域DA的栅电极GE的层相同的层上。
在下文中，将参照图9描述根据示例性实施例的显示装置。图9是部分地示出根据另一个示例性实施例的在图2中示出的显示装置的剖视图。参照图1、图2和图9，显示区域DA的每个像素包括发光的OLED以及与OLED连接的TFT。
TFT包括第二有源层AL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
OLED包括与TFT的漏电极DE连接的第一电极E1、形成在第一电极E1上的有机发射层EL以及形成在有机发射层EL上的第二电极E2。
包封部分EN遍布显示区域DA和非显示区域NDA地形成在基底SUB上，并且与基底SUB一起包封显示区域DA。包封部分EN包括形成在显示区域DA上的有机层OL和形成在有机层OL上的无机层IL。
触摸部分TM包括形成在与基底SUB的显示区域DA对应的包封部分EN上的第一触摸线TL1和第二触摸线TL2。
第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在包封部分EN的最上层上形成的无机层IL的边缘处。在这种情况下，第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2形成在与第一触摸线TL1和第二触摸线TL2的层相同的层上。第一裂纹感测线CD1和第二裂纹感测线CD2可以形成在与显示区域DA相邻的非显示区域NDA中，并且可以形成在包封部分EN上。
第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22形成在非显示区域NDA的未形成包封部分EN的最外部处。第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22形成在与显示区域DA的源电极SE和漏电极DE以及数据线D的层相同的层上。
根据公开实施例的至少一个，第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22已经描述为形成在与显示区域DA的栅电极GE的层或显示区域DA的源电极SE和漏电极DE以及数据线D的层相同的层上。然而，根据另一个示例性实施例的显示装置，第三裂纹感测线CD11和第四裂纹感测线CD22可以形成为包括多个层，其中，所述多个层包括形成在与显示区域DA的栅电极GE的层相同的层上的第一层，以及形成在与显示区域DA的源电极SE和漏电极DE以及数据线D的层相同的层上的第二层。
在前述示例性实施例中，OLED显示器已被描述为显示装置的示例，但是前述示例性实施例的许多特性适用于诸如包括用于显示图像的显示区域和用于识别触摸的触摸部分的液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PD)、场发射显示器(FED)、电泳显示器(EPD)和电润湿显示器(EWD)的各种显示装置。
虽然已经参照附图描述了发明的技术，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
多个像素，形成在所述显示区域中；
多条信号线，形成在所述基底上并且电连接到所述像素；以及
包封层，形成在所述基底上，其中，所述信号线包括：
多条栅极线和多条数据线，形成在所述基底上，以及
第一裂纹感测线，电连接到所述数据线中的第一数据线并且在所述显示装置的深度维度上与所述包封层叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
触摸层，包括触摸布线并且形成在所述包封层上，
其中，所述包封层形成在所述显示区域和所述非显示区域中，其中所述第一裂纹感测线形成在所述非显示区域中，
其中，所述第一裂纹感测线与所述触摸层的所述触摸布线形成在同一层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一栅极线，形成在所述非显示区域中并且电连接到第一晶体管；
第二栅极线，电连接到第二晶体管，
其中，所述信号线还包括形成在所述非显示区域中的第一信号线和第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第一数据线并且沿着所述显示区域的边缘以半圆的形状延伸，
其中，所述数据线经由所述第一晶体管电连接到所述第一信号线，并且经由所述第二晶体管电连接到所述第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第二信号线和所述第二晶体管，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第一栅极线的第一栅极导通电压而从所述第一信号线接收第一信号，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第二栅极线的第二栅极导通电压而从所述第二信号线接收第二信号，
其中，所述第二栅极导通电压被配置为在所述第一栅极导通电压施加之后施加，
其中，所述第一信号和所述第二信号不同。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：电连接到所述数据线中的第二数据线的第二裂纹感测线，其中，所述第二裂纹感测线形成在所述非显示区域中，并且在所述显示装置的深度维度上不与所述包封层叠置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二裂纹感测线与所述栅极线形成在同一层上。
6.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，具有接触孔并且置于第二裂纹感测线和所述栅极线之间，
其中，所述第二裂纹感测线经由所述接触孔连接到所述数据线中的第二数据线，
其中，所述信号线还包括形成在所述非显示区域中的第一信号线和第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第一数据线，并且沿着所述显示区域的边缘以半圆的形状延伸，
其中，所述第二裂纹感测线沿着所述显示区域的边缘平行于所述第一裂纹感测线来延伸，
其中，所述数据线经由第一晶体管电连接到所述第一信号线，并且经由第二晶体管电连接到所述第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第二信号线和第二晶体管，
其中，所述第二裂纹感测线电连接到所述第二信号线和所述第二晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一栅极线，形成在所述非显示区域中并且电连接到所述第一晶体管；以及
第二栅极线，电连接到所述第二晶体管，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第一栅极线的第一栅极导通电压而从所述第一信号线接收第一信号，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第二栅极线的第二栅极导通电压而从所述第二信号线接收第二信号，
其中，所述第二栅极导通电压被配置为在所述第一栅极导通电压施加之后施加，
其中，所述第一信号和所述第二信号不同。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，第二裂纹感测线与所述栅极线形成在同一层上，
其中，所述信号线还包括形成在所述基底的所述非显示区域中的第一信号线和第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第一数据线并且沿着所述显示区域的边缘以半圆的形状延伸，
其中，所述第二裂纹感测线沿着所述显示区域的边缘平行于所述第一裂纹感测线延伸，
其中，所述数据线经由第一晶体管电连接到所述第一信号线，并且经由第二晶体管电连接到所述第二信号线，
其中，所述第一裂纹感测线电连接到所述第二信号线和所述第二晶体管，
其中，所述第二裂纹感测线电连接到所述第二信号线和所述第二晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一栅极线，形成在所述基底的所述非显示区域中并且电连接到所述第一晶体管；以及
第二栅极线，电连接到所述第二晶体管，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第一栅极线的第一栅极导通电压而从所述第一信号线接收第一信号，
其中，所述数据线被配置为基于施加到所述第二栅极线的第二栅极导通电压而从所述第二信号线接收第二信号，
其中，所述第二栅极导通电压被配置为在所述第一栅极导通电压施加之后施加，
其中，所述第一信号和所述第二信号包括不同的信号。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括触摸层，所述触摸层包括触摸布线并且形成在所述包封层上，其中，所述第一裂纹感测线与所述触摸布线形成在同一层中。
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