CN104751796B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括发光单元和像素电路单元。发光单元包括有机发光二极管。像素电路单元包括：驱动晶体管、至少一个或更多个开关晶体管、电容器、光阻挡单元和开口，在该开口中没有形成光阻挡层。光阻挡单元包括光阻挡层，该光阻挡层阻挡光输入到像素电路单元。像素电路单元被构造为驱动发光单元，并且选择性地阻挡光输入到像素电路单元。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2013-0166795的权益，由此通过引用而并入其内容，如同在此完全阐述。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置，更具体地，涉及一种用于调整阈值电压偏移的有机发光显示装置。
背景技术
现有技术中的平板显示装置正变得轻薄，并且具有低的功耗。在平板显示装置中所包括的液晶显示(LCD)装置包括薄膜晶体管(TFT)，并具有高质量的分辨率、色彩显示和图像质量。针对笔记本电脑、平板电脑和台式电脑，对液晶显示装置进行商业化。具体地，有机发光显示装置是自发光装置，并且具有快速的响应时间、低的功耗、高的发光效率以及宽的视角。
图1是示意性地例示现有技术的有机发光显示装置的示例图。现有技术的有机发光显示装置包括：发光单元OA，其包括有机发光二极管OLED；和用于驱动发光单元OA的像素电路单元CA，其包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT、以及电容器Cst。
像素电路单元CA包括：数据线DL，通过该数据线DL向第一开关晶体管ST1提供数据电压Vdata；选通线GL，通过该选通线GL提供扫描信号Scan；电力线PL，通过该电力线PL向提供驱动晶体管DT提供第一驱动电压Vdd；感测信号线SL，通过该感测信号线SL向第二开关晶体管ST2提供感测信号Sense；以及参考电压线RL，通过该参考电压线RL提供参考电压Vref。发光单元OA中所包括的有机发光二极管OLED电连接在驱动晶体管DT的源极和阴极电压Vss端子之间。有机发光二极管OLED以从驱动晶体管DT提供的数据电流Ioled来发光。
像素电路单元CA包括光阻挡层20，其形成为防止外部光输入到像素电路单元CA的第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、和驱动晶体管DT。即，光阻挡层20覆盖像素电路单元CA。
然而，在现有技术的有机发光显示装置中，由于工艺差异而在每个像素中出现驱动晶体管的阈值电压“Vth”的特性偏差(characteristic deviation)，并且当现有技术的有机发光显示装置被长时间驱动时，多个驱动晶体管以不同的速度劣化。多个的驱动晶体管的劣化致使图像质量降低。
发明内容
因此，本发明涉及提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置大体上避免了由于现有技术的限制和缺点造成的一个或更多个问题。本发明的一方面涉及提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置控制晶体管的阈值电压偏移，以提高阈值电压的可靠性。
本发明的另外的优点和特征将部分地在本说明书中阐述，对于本领域技术人员而言，在审阅了如下内容之后，这些优点和特征将变得显而易见，或者可以从本发明的实践中认识到。通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如本文具体实施并广泛描述的，根据本发明的实施方式，提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：发光单元，其被构造为包括有机发光二极管；以及像素电路单元，其包括驱动晶体管、至少一个或更多个开关晶体管、和电容器，以便驱动发光单元。像素电路单元包括：光阻挡单元，该光阻挡单元包括光阻挡层，光阻挡层阻挡光输入到像素电路单元；以及开口，在该开口中没有形成光阻挡层，并且像素电路单元被构造为选择性地阻挡光输入到像素电路单元。
除了本发明的上述目的之外，下面将描述本发明的其它特征和优点，但其从下面的描述中将被本领域技术人员清楚地理解。应该理解的是，本发明的上面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，其旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本申请的一部分，附图例示本发明的实施方式，并且和说明书一起用来说明本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地例示现有技术的有机发光显示装置的示例图；
图2是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图3A和图3B是例示相对于第一开关晶体管和第二开关晶体管的阈值电压的电流量改变的示例图；
图4是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的驱动晶体管的截面图；
图5是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的第一开关晶体管和第二开关晶体管的截面图；
图6是示意性地例示根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图7是示意性地例示根据本发明的第三实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图8A和图8B是例示当子像素发射白光和蓝光时，相对于驱动晶体管的阈值电压的电流量的改变的示例图；以及
图9是示意性地例示根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置的平面图。
具体实施方式
将详细地参考本发明的示例性实施方式，其中，示例性实施方式的示例在附图中例示。尽可能的，在附图中，同样附图标记将被用于同样的或类似的部件。
在说明书中，在针对每个图中元件增加附图标记时，应当注意的是，对元件尽可能地使用已经在其它图中用于代表相同的元件的相同的附图标记。
说明书中描述的术语应当如下理解。
如本文使用的，单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非在上下文中明确地另外说明。术语“第一”和“第二”用于将一个元件从其它元件区分开，并且这些元件不应受这些术语所限制。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、”包括”、“具有”和/或“带有”时，指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。术语“至少一个”应当被理解为包括一个或更多个关联列出的项中的任何和全部组合。例如，“第一项、第二项、第三项中的至少一个”的意思是，从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合、以及第一项、第二项或第三项，术语“在...上”应当解释为包括一个元件形成在另一个元件的上面的情况，并且还包括第三元件放置在其间的情况。
以下，将参考附图来详细地描述本发明的实施方式。
图2是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的平面图。像素电路单元CA包括：第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和电容器Cst。然而，本发明不限于此。例如，像素电路单元CA可以包括至少一个或更多个开关晶体管。根据第一实施方式的有机发光显示装置包括发光单元OA，该发光单元OA包括有机发光二极管OLED。有机发光显示装置包括像素电路单元CA。像素电路单元CA包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT、电容器Cst、选通线GL、感测信号线SL、数据线DL、驱动电力线PL、以及参考电压线RL，其驱动发光单元OA。为了提供另外的描述，有机发光显示装置中所包括的子像素包括发光单元OA和像素电路单元CA。
选通线GL和感测信号线SL可以在第一方向(例如，水平方向)上平行地形成。数据线DL、驱动电力线PL和参考电压线RL可以在第二方向(例如，竖直方向)上平行地形成，以与选通线GL和感测信号线SL相交。扫描信号(例如，选通驱动信号)可以从选通驱动器施加到选通线GL，并且感测信号可以施加到感测信号线SL。可以从数据驱动器向数据线DL提供数据电压“Vdata”，可以向参考电压线RL提供参考电压“Vref”，并且可以向驱动电力线PL提供第一驱动电压“Vdd”。第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2以及驱动晶体管DT中的每一个可以是N型晶体管，并且可以由氧化物晶体管形成。然而，本实施方式不限于此。例如，晶体管ST1、ST2、和DT中的每一个可以由P型晶体管形成。
第一开关晶体管ST1根据提供到选通线GL上的具有栅极导通(gate-on)电压电平的扫描信号而导通，并且经由数据线DL向驱动晶体管DT提供数据电压。第二开关晶体管ST2根据提供到感测信号线SL上的具有栅极导通电压电平的感测信号而导通，并且经由参考电压线RL向驱动晶体管DT提供参考电压。
电容器Cst连接到驱动晶体管DT。电容器Cst以一电压充电，并且以所充的电压来使驱动晶体管DT导通。以电容器Cst的电压导通的驱动晶体管DT控制从第一驱动电压端子向有机发光二极管OLED流动的电流的量。
有机发光二极管OLED以从驱动晶体管DT提供的数据电流“Ioled”来发光，以发射具有与数据电流对应的亮度的单色光。
为此目的，有机发光二极管OLED可以包括：连接到第二节点“N2”的阳极、形成在阳极上的有机层、以及形成在有机层上的阴极。
有机层可以形成为具有空穴传输层/有机发光层/电子传输层的结构，或者空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/电子注入层的结构。有机层可以进一步包括功能层，该功能层用于提高有机发光层的发光效率和/或使用寿命。可以通过第二驱动电力线(其形成为线型)向有机发光二极管OLED的阴极提供第二驱动电压“Vss”。
当第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT均由氧化物晶体管形成时，阈值电压“Vth”由于光而偏移。像素电路单元CA可以包括光阻挡单元LS，该光阻挡单元LS包括光阻挡层110，光阻挡层110形成为用于阻挡光输入到像素电路单元CA。像素电路单元CA可以包括开口OP，在该开口OP中没有形成光阻挡层110。具体地，在根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置中，由包括光阻挡层110的光阻挡单元LS来阻挡光，并且因此防止阈值电压向负极性(-)偏移。通过开口OP输入光，并且因此，防止阈值电压向正极性(+)偏移。
光阻挡单元LS(形成有光阻挡层110的区域)设置在驱动晶体管DT下方，并且防止光输入到驱动晶体管DT。开口OP(其是没有形成光阻挡层110的区域)设置在第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2下方，并且允许光输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2。不同于驱动晶体管DT的驱动条件，在短的导通时段期间，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2接收很高的开关电压。
开关电压是20V或更大的高压，并且在每个框架处提供，并且因此阈值电压向正极性(+)偏移。然而，当设置在第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2下方没有形成光阻挡层110的开口时，光能够输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2，并且因此，防止阈值电压向正极性(+)偏移。
之后，图3A和图3B是示出相对于第一开关晶体管和第二开关晶体管的阈值电压的电流量改变的示例图。当第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的阈值电压偏向正极性(+)偏移时，电流量减少。因为在第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2下方提供没有形成光阻挡层110的开口，所以光能够输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2，并且因此，阈值电压向负极性(-)偏移，导致电流量增加。
之后，图4是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的驱动晶体管的截面图，并且例示了沿着图2的线A-B截取的横截面。驱动晶体管DT包括顺序地形成在基板100上的光阻挡层110、缓冲层120、有源层130、栅绝缘层140、栅极150、层间电介质160、源极170a、漏极170b、和保护层180。
基板100由透明绝缘基板形成，该透明绝缘基板由玻璃、石英、陶瓷或塑料形成。然而，本实施方式不限于此。例如，当基板100由塑料形成时，基板100能够由柔性基板形成。阻挡光输入到有源层130的光阻挡层110形成在基板100上。光阻挡层110可以由如下各项中的一个形成：导体、诸如非晶硅或非晶锗这样的半导体、黑树脂材料，并且可以由光阻挡材料形成。
而且，可以通过调整光阻挡层110的厚度S来使驱动晶体管的阈值电压偏移。即，当光阻挡层110较厚地形成时，输入到晶体管的光的量减少，并且当光阻挡层110较薄地形成时，输入到晶体管的光的量增加。因此，光阻挡层110可以较厚地形成，以允许阈值电压向正极性(+)偏移。此外，光阻挡层110可以较薄地形成，以允许阈值电压向负极性(-)偏移。
缓冲层120形成在光阻挡层110上，并且可以由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料形成。设置缓冲层120用于防止：有源层130的特性由于在对形成在缓冲层120的有源层130进行晶化时从基板100的内部发出的碱离子而造成的劣化。然而，当设置对其不执行晶化处理的有源层130时，不能设置缓冲层120。
有源层130包括有源区130a(该有源区130a由硅形成并构成沟道)以及设置在有源区130a的两个侧表面处的源区130b和漏区130c(在源区130b和漏区130c上掺杂有高浓度杂质)。栅绝缘层140形成在有源层130上。栅极150和选通线可以形成在栅绝缘层140上。层间电介质160形成在形成有栅极150和选通线的整个基板的上方。在这种情形下，层间电介质160包括接触孔CH，该接触孔CH通过设置在有源区130a的两个侧表面处的源区130b和漏区130c来与源极和漏极接触。源极170a和漏极170b形成在包括接触孔CH的层间电介质160上，源极170a和漏极170b彼此隔开并分别与通过接触孔CH暴露的源区130b和漏区130c接触。保护层180形成在源极170a和漏极170b上。
在以下描述中，不提供针对每个元件的材料和结构的重复描述。
之后，图5是示意性地例示根据本发明的第一实施方式的第一驱动晶体管和第二开关晶体管的截面图，并且例示了沿着图2的线C-D截取的横截面。除了已经移除了光阻挡层110之外，图5的第一开关晶体管和第二开关晶体管与图4的上述驱动晶体管一样。因此相同的附图标记指代相同的元件，并且不再重复对相同的元件的描述。如图5所示，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2(参照图2)(其已经移除了光阻挡层110)中的每个包括：顺序地形成在基板100上的缓冲层120、有源层130、栅绝缘层140、栅极150、层间电介质160、源极170a、漏极170b以及保护层180。
如上所述，根据本实施方式，在形成有第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的区域中没有形成光阻挡层110，并且因此，光可以输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2。因此，可以防止阈值电压向正极性(+)偏移。
为此目的，根据本实施方式的有机发光显示装置包括像素电路单元CA，该像素电路单元CA包括至少一个或更多个开关晶体管ST1和ST2以及驱动晶体管DT。像素电路单元CA包括：光阻挡单元LS，其包括光阻挡层110，光阻挡层110形成为用于阻挡光输入到驱动晶体管DT；以及开口OP，在该开口OP中没有形成光阻挡层110，以便光输入到第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2。根据本实施方式的有机发光显示装置选择性地阻挡光输入到像素电路单元CA，以调整阈值电压，因此提高阈值电压的可靠性。
之后，图6是示意性地例示根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的平面图。除了像素电路单元CA的结构不同之外，图6的有机发光显示装置与图2有机发光显示装置一样。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且不再重复对相同的元件的描述。
根据第二实施方式的有机发光显示装置包括：发光单元OA，其包括有机发光二极管OLED；以及驱动发光单元OA的像素电路单元CA，其包括至少一个或更多个开关晶体管(例如，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2)、驱动晶体管DT、电容器Cst、选通线GL、感测信号线SL、数据线DL、驱动电力线PL以及参考电压线RL。
像素电路单元CA包括：光阻挡单元LS，该光阻挡单元LS包括光阻挡层110，光阻挡层110形成为用于阻挡光输入到像素电路单元CA；以及开口OP，在开口OP中没有形成光阻挡层110。开口OP是其中形成至少一个或更多个开关晶体管(例如，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2)的区域，并且光阻挡单元LS是在包括发光单元OA和像素电路单元CA的子像素中的、除了发光单元OA和开口OP以外的区域。可以根据第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的驱动时段，来更改第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2的应力程度，以使驱动晶体管DT的阈值电压偏移。因此，开口OP形成在形成有第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2中的一个的区域中，并且因此，可以有效地控制阈值电压偏移，由此提高阈值电压的可靠性。
之后，图7是示意性地例示根据本发明的第三实施方式的有机发光显示装置的平面图。除了像素电路单元CA的结构不同之外，图7的有机发光显示装置与图2有机发光显示装置一样。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且不再重复对相同元件的描述。如图7所看到的，根据第三实施方式的有机发光显示装置包括：发光单元OA，其包括有机发光二极管OLED；以及驱动发光单元OA的像素电路单元CA，其包括至少一个或更多个开关晶体管(例如，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2)、驱动晶体管DT、电容器Cst、选通线GL、感测信号线SL、数据线DL、驱动电力线PL以及参考电压线RL。
像素电路单元CA包括：光阻挡单元LS，该光阻挡单元LS包括光阻挡层110，光阻挡层110形成为用于阻挡光输入到像素电路单元CA；以及开口OP，在开口OP中没有形成光阻挡层110。形成有光阻挡单元LS和开口OP的区域可以根据包括发光单元OA的子像素的颜色R、W、G或B而不同。
当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，开口OP是形成有所述至少一个或更多个开关晶体管(例如，第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2)和驱动晶体管DT的区域。当子像素发射红(R)或绿(G)光时，开口OP是形成有第二开关晶体管ST2的区域。在这种情形下，光阻挡单元LS是包括发光单元OA和像素电路单元CA的子像素中的、除了发光单元OA和开口OP之外的区域。
子像素发射白(W)光或蓝(B)的频率比子像素发射红(R)光或绿(G)光的频率高。即，在子像素发射白(W)光或蓝(B)光时驱动晶体管DT的阈值电压向正极性(+)偏移的次数比在子像素发射红(R)光或绿(G)光时驱动晶体管DT的阈值电压向正极性(+)偏移的次数高。因此，当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，在形成有驱动晶体管DT的区域中没有形成光阻挡层110，并且因此，可以防止阈值电压向正极性(+)偏移。
之后，图8A和图8B是示出根据本发明的第三实施方式的当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时相对于驱动晶体管的阈值电压的电流量的改变的示例图。当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，驱动晶体管DT的阈值电压向正极性(+)偏移，并且因此，数据电流的量“Ioled”减少。开口OP包括在发射白(W)光或蓝(B)光的子像素的驱动晶体管DT中，并且光输入到驱动晶体管DT。因此，阈值电压可以向负极性(-)偏移，并且因此，电流量增加。
之后，图9是示意性地例示根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置的平面图。除了在形成有驱动晶体管DT的区域中形成的开口OP的结构不同之外，图9的有机发光显示装置与图7的有机发光显示装置相同。因此，相同的附图标记指代相同的元件，并且不再重复对相同的元件的描述。
像素电路单元CA包括：光阻挡单元LS，该光阻挡单元LS包括光阻挡层110，光阻挡层110形成为用于阻挡光输入到像素电路单元CA；以及开口OP，在开口OP中没有形成光阻挡层110。在这种情形下，光阻挡单元LS和开口OP可以根据包括发光单元OA的子像素的颜色R、W、G或B而不同。当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，开口OP是形成有至少一个或更多个开关晶体管(例如，第二开关晶体管ST2)和驱动晶体管DT的区域。当子像素发射红(R)或绿(G)光时，开口OP是形成有第二开关晶体管ST2的区域，并且光阻挡单元LS是除了发光单元OA和开口OP之外的区域。
在根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置中，当子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，在形成有驱动晶体管DT的区域的部分d处设置没有形成光阻挡层110的开口OP。因此，在根据本发明的第四实施方式的有机发光显示装置中，根据子像素发射白(W)光或蓝(B)光的频率的值，来调整驱动晶体管DT的阈值电压偏移，由此提高阈值电压的可靠性。例如，像素电路单元CA可以具有3T1C结构，所述3T1C结构包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和电容器Cst。或者，像素电路单元CA可以具有2T1C结构以及第二开关晶体管ST2(其不具有开口OP)。有机发光显示装置包括：像素电路单元；光阻挡单元，其包括形成为阻挡光输入到像素电路单元的光阻挡层；以及开口，其中没有形成光阻挡层。有机发光显示装置选择性地阻挡光输入到像素电路单元CA，由此调整驱动晶体管的阈值电压，以提高阈值电压的可靠性。开口可以设置在形成一个或更多个开关晶体管的区域中，以有效地控制阈值电压偏移，由此实现稳定的开关功能。
当包括发光单元的子像素发射白(W)光或蓝(B)光时，开口设置在形成有开关晶体管和驱动晶体管的区域中，并且当子像素发射红(R)或绿(G)光，开口设置在形成有开关晶体管的区域中，由此调整白(W)或蓝(B)子像素的阈值电压，以提高阈值电压的可靠性。当包括发光单元的子像素发射白(W)光或蓝(B)光，开口仅设置在形成有驱动晶体管的区域的一部分中，并且因此，基于与白(W)或蓝(B)子像素发射的光对应的频率的值来调整驱动晶体管的阈值电压偏移，由此提高阈值电压的可靠性。
对本领域技术人员显然的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的各种修改和变化，只要它们落在所附权利要求和它们的等同物的范围内。

Claims (16)

1.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
发光单元，其包括有机发光二极管；以及
像素电路单元，其包括：
驱动晶体管，
至少一个或更多个开关晶体管，
电容器，
光阻挡单元，以及
开口，在该开口中没有设置光阻挡层，并且在该开口中设置有所述至少一个或更多个开关晶体管，其中，
所述光阻挡单元设置在所述像素电路单元下方并包括光阻挡层，该光阻挡层阻挡光输入到所述像素电路单元，并且
所述像素电路单元被构造为驱动所述发光单元，并且选择性地阻挡光输入到所述像素电路单元，
其中，子像素中设置有所述开口的区域根据从包括所述发光单元的子像素发射的光的颜色而不同。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述光阻挡单元是包括所述发光单元和所述像素电路单元的子像素中的、除了所述发光单元和所述开口之外的区域，并且
所述光阻挡单元包括所述电容器的一部分。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
当所述子像素被构造为发射白光或蓝光时，所述开口是设置有所述至少一个或更多个开关晶体管和所述驱动晶体管的区域，
当所述子像素被构造为发射红光或绿光时，所述开口是形成有所述至少一个或更多个开关晶体管的区域。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，
当所述子像素被构造为发射白光或蓝光时，所述开口是所述子像素中的、设置有所述至少一个或更多个开关晶体管的区域的一部分和设置有所述驱动晶体管的区域的一部分。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个或更多个开关晶体管和所述驱动晶体管中的每个包括有源层、栅极、源极和漏极。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述有源层由氧化物半导体形成。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光阻挡层由导电材料、半导体材料和黑树脂材料中的一种形成。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光阻挡层的透射率根据所述光阻挡层的厚度而改变。
9.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
发光单元，其包括有机发光二极管；
电容器；
光阻挡单元，其包括光阻挡层；以及
像素电路单元，其包括第一开关晶体管和第二开关晶体管、驱动晶体管以及开口，该开口是没有设置所述光阻挡层的区域，所述像素电路单元被构造为驱动所述发光单元，
其中，所述光阻挡单元设置在所述像素电路单元下方并且被构造为防止光输入到所述像素电路单元，
其中，所述开口是设置有所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的区域，
其中，所述光阻挡层被构造为允许光输入到所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管，并且
其中，子像素中设置有所述开口的区域根据从包括所述发光单元的子像素发射的光的颜色而不同。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，
所述光阻挡单元是包括所述发光单元和所述像素电路单元的子像素中的、除了所述发光单元和所述开口之外的区域，并且
所述光阻挡单元包括所述电容器的一部分。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，
当所述子像素被构造为发射白光或蓝光时，所述开口是形成有所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管以及所述驱动晶体管的区域，
当所述子像素被构造为发射红光或绿光时，所述开口是设置有所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的区域。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，
当所述子像素被构造为发射白光或蓝光时，所述开口是所述子像素中的设置有所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的区域的一部分以及设置有所述驱动晶体管的区域的一部分。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管以及所述驱动晶体管中的每个包括有源层、栅极、源极和漏极。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述有源层由氧化物半导体形成。
15.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述光阻挡层由导电材料、半导体材料和黑树脂材料中的一种形成。
16.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述光阻挡层的透射率根据所述光阻挡层的厚度而改变。
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