CN111384110B - 电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的非显示区域中的至少一个裂纹检测单元，至少一个裂纹检测单元被配置为检测电致发光显示装置中的裂纹；层间绝缘层，层间绝缘层覆盖裂纹检测单元；电源电极，电源电极设置在层间绝缘层上，并设置在裂纹检测单元和显示区域之间；保护层，保护层覆盖电源电极；平坦化层，平坦化层设置在保护层上，并设置为与至少一个裂纹检测单元重叠；以及在基板的非显示区域中的对准基准单元，对准基准单元位于平坦化层上并与所述非显示区域中的裂纹检测单元重叠。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0173270的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种电致发光显示装置。
背景技术
当前，随着进入全面信息时代，视觉上呈现电信息信号的显示装置领域得到了快速发展，并且研究在不断进行以改善各种显示装置的性能，诸如薄厚度、轻重量、低功耗。显示装置的代表性示例可以包括液晶显示装置(LCD)、电致发光显示装置和微LED显示装置。
电致发光显示装置是自发光显示装置，从而不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，电致发光显示装置可以制造为具有轻的重量和小的厚度。此外，电致发光显示装置以低电压驱动，从而不仅在功耗方面而且在响应速度、视角和对比度方面都是有利的，因此电致发光显示装置正在作为下一代显示器被研究着。
电致发光显示装置将具有发光器件的子像素布置成矩阵，并利用数据电压和扫描电压选择性地控制子像素，从而显示图像。
在这种情况下，电致发光显示装置分为无源矩阵型和使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型。在两种类型之间，根据有源矩阵型，选择性地导通作为有源元件的TFT以选择子像素，并利用存储电容器中维持的电压保持子像素发光。在普通的电致发光显示装置中，为了避免由于外部光的反射而导致的可视性降低，将偏振器应用于显示面板的上表面。然而，当偏振器未在精确位置处附接到显示面板时，色调在侧视角处变得异常。此外，当背板设置在基板的下表面上以支撑基板时，存在由于背板和基板未对准而导致的工艺出品率降低的问题。
发明内容
根据本公开，在显示面板的上表面或在基板的后表面的精确位置设置偏振器或设置背板，因此改善了电致发光显示装置的显示质量。此外，当在电致发光显示装置的非显示区域中形成对准基准单元时，可以在显示面板中精确地对准偏振器或背板。
因此，本公开的一个目的是提供一种采用对准基准单元的电致发光显示装置。
此外，在基板上形成对准基准单元，以便在电致发光显示装置中精确地对准基板和背板，或者显示面板和偏振器。然而，当在特定区域中形成对准基准单元时，形成有对准基准单元的区域和未形成对准基准单元的区域之间产生台阶，这会不利地影响对准基准单元形成工艺之后的工艺，使得显示装置的可靠性降低。
因此，本公开的另一个目的是，提供一种电致发光显示装置，其中，在形成有对准基准单元的区域和未形成对准基准单元的区域之间不产生台阶。
本公开的目的不限于上述目的，本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开的一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的非显示区域中的至少一个裂纹检测单元，至少一个裂纹检测单元被配置为检测电致发光显示装置中的裂纹；层间绝缘层，层间绝缘层覆盖裂纹检测单元；电源电极，电源电极设置在层间绝缘层上，并设置在裂纹检测单元和显示区域之间；保护层，保护层覆盖电源电极；平坦化层，平坦化层设置在保护层上，并设置为与至少一个裂纹检测单元重叠；以及在基板的非显示区域中的对准基准单元，对准基准单元位于平坦化层上并与非显示区域中的裂纹检测单元重叠。
根据本公开的另一方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的非显示区域中的第一裂纹检测单元，第一裂纹检测单元被配置为识别电致发光显示装置中的裂纹；以及设置在基板的非显示区域中的第二裂纹检测单元，第二裂纹检测单元与第一裂纹检测单元隔开，其中，第二裂纹检测单元被配置为识别电致发光显示装置中的裂纹；对准基准单元，对准基准单元至少与第一裂纹检测单元一体地形成，并且对准基准单元包括与第一裂纹检测单元相同的材料；在非显示区域中的电源电极，电源电极设置在第二裂纹检测单元和显示区域之间，并且电源电极被配置为向电致发光显示装置的发光器件供应电力；以及至少一个堰部，至少一个堰部设置在第二裂纹检测单元和显示区域之间，并且至少一个堰部与电源电极重叠。
根据本公开的另一方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板，基板包括显示区域和与围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的显示区域中的发光器件；设置在非显示区域中的第一裂纹检测单元和第二裂纹检测单元，第一裂纹检测单元和第二裂纹检测单元被配置为识别电致发光显示装置中的一个或多个裂纹；设置在基板的非显示区域中的对准基准单元；以及耦接到基板的下表面的背板。
根据本公开的效果不限于上面例举的内容，在本说明书中包括更多各种效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的电致发光显示装置的平面图；
图2是示出了子像素的横截面结构的视图；
图3A是沿图1的I-I’线截取的剖视图；
图3B是沿图1的II-II’线截取的剖视图；
图4是根据本公开另一示例性实施例的电致发光显示装置的平面图；
图5A是沿图4的I-I’线截取的剖视图；
图5B是沿图4的II-II’线截取的剖视图；以及
图6是根据本公开另一示例性实施例的电致发光显示装置的平面图。
具体实施方式
通过参考以下结合附图详细描述的示例性实施例，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施例，而是可用各种形式实现。示例性实施例仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施例的附图中所示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，会省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由...组成”等术语通常旨在允许添加其他组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另外明确说明，否则对单数的任何提及可以包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“接着”等术语描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或多个部分可以位于该两个部分之间。
当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，另一个元件可插设在它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但这些组件不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个组件与其他组件。因此，在本公开的技术概念中，下面将提到的第一组件可以是第二组件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示组件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此连接或组合，并且可以在技术上以各种方式进行互锁和操作，并且这些实施例可以相互独立地或相互关联地实施。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置。
图1是根据本公开的一个示例性实施例的电致发光显示装置的示意性平面图。参照图1，显示装置100包括显示信息的显示区域DA和不显示信息的非显示区域NDA。在一个实施例中，非显示区域NDA围绕显示区域DA。
显示区域DA是多个子像素P布置成矩阵并且显示输入图像的区域。非显示区域NDA可以包括设置有焊盘端子的焊盘区域PA、基板110弯曲的弯曲区域BA以及链接区域LA。
链接区域LA可以设置在显示区域DA和弯曲区域BA之间。链接区域LA是布置有链接线的区域，其中链接线将信号发送到在显示区域DA中设置的布线，并且可以在链接区域中布置各种链接线。例如，可以在链接区域LA中布置栅极链接线GLLa和GLLb(以下称为GLL)、数据链接线DLL1至DLLn(以下称为DLL)、第一电力链接线VDDLa和VDDLb(以下称为VDDL)、第一电源线VDL1至VDLn(以下称为VDL)以及第二电力链接线VSSLa和VSSLb(以下称为VSSL)。链接线也可以布置在弯曲区域BA和焊盘区域PA中，并且可以连接到焊盘区域PA中的焊盘PAD。
弯曲区域BA可以是基板110发生弯曲的区域。弯曲区域BA可以设置在链接区域LA和焊盘区域PA之间。基板110在弯曲区域BA之外的区域中可以是平坦的，而基板110的弯曲区域BA是弯曲的。因此，显示装置100可以弯曲，使得在基板110的弯曲区域BA之外的两个非弯曲区域中，基板110彼此面对。
焊盘区域PA可以是不显示图像并且形成多个焊盘的区域。焊盘区域PA可以是从弯曲区域BA的一侧延伸的区域。焊盘区域PA可以是设置焊盘PAD的区域。例如，可以设置第一电源焊盘VDDPa和VDDPb(以下称为VDDP)、数据焊盘DP1至DPn(以下称为DP)、栅极焊盘GPa和GPb(以下称为GP)、第二电源焊盘VSSPa和VSSPb(以下称为VSSP)以及裂纹检测焊盘CDPa和CDPb(以下称为CDP)。
在非显示区域NDA中，可以设置作为栅极驱动电路的栅极驱动器GIPa和GIPb(以下称为GIP)、栅极电压供应线GIPL1a至GIPLna(称为GIPLa)和GIPL1b至GIPLnb(称为GIPLb)(以下称为GIPL)、第二电源电极VSSE、第一电源电极VDDEa和VDDEb(以下称为VDDE)、堰部DAM1和DAM2(以下称为DAM)、对准基准单元FK以及裂纹检测单元CD1和CD2(以下称为CD)。
此外，在显示区域DA中，数据线DL1至DLn(以下称为DL)和栅极线GL1a至GLna(称为GLa)和GL1b至GLnb(称为GLb)(以下称为GL)设置为彼此交叉。按矩阵布置的子像素P可以包括在每个交叉区域中。
每个子像素P包括发光器件、控制流入发光器件的电流量的驱动薄膜晶体管(以下称为驱动TFT)以及用于设置驱动TFT的栅极-源极电压的编程单元。显示装置100的子像素P可以通过连接到非显示区域NDA中设置的第一电源电极VDDE的第一电源线VD1至VDn(以下称为VD)而施加有第一电力Vdd(其为高电位电压)，并且通过第二电源电极VSSE而施加有第二电力Vss(其为低电位电压)。
第一电源线VD可以通过非显示区域NDA中设置的第一电源电极VDDE而施加有有第一电力Vdd。通过第一电源电极VDDE供应的第一电力Vdd可以通过第一电源线VDL供应到显示区域DA中设置的第一电源线VD。例如，可以将第一电力Vdd供应到焊盘区域PA中的第一电源焊盘VDDP。供应到第一电源焊盘VDDP的第一电力Vdd可以通过第一电力链接线VDDL供应到链接区域LA的第1a电源电极VDDEa。供应到第1a电源电极VDDEa的第一电力Vdd可以通过链接区域LA的第一电源线VDL供应到显示区域DA的第一电源线VD。第一电源线VD的一侧连接到第1a电源电极VDDEa，第一电源线VD的另一侧连接到第1b电源电极VDDEb。
第1a电源电极VDDEa可以设置在弯曲区域BA和显示区域DA之间。第1b电源电极VDDEb可以设置为与第1a电源电极VDDEa相对，其中显示区域DA在第1b电源电极VDDEb和第1a电源电极VDDEa之间。第1a电源电极VDDEa的两端的宽度可以小于第1a电源电极VDDEa的中心部分的宽度。第1a电源电极VDDEa的两端可以设置在第二电源电极VSSE和显示区域DA之间。例如，第1a电源电极VDDEa可以包括具有第一线宽的第一区域和具有大于第一线宽的第二线宽的第二区域。第一区域可以是第1a电源电极VDDEa的两端，而第二区域可以是第1a电源电极VDDEa的中心部分。
第二电力Vss可以通过焊盘区域PA的第二电源焊盘VSSP供应到非显示区域NDA的第二电力链接线VSSL。供应到第二电力链接线VSSL的第二电力Vss可以通过第二电源电极VSSE供应到显示区域DA的子像素P。例如，第二电力Vss可以供应到与位于焊盘PAD中的第二电源焊盘VSSP连接的第二电力链接线VSSL中的第2a电力链接线VSSLa和第2b电力链接线VSSLb。此外，供应到第二电力链接线VSSL中的第2a电力链接线VSSLa和第2b电力链接线VSSLb的第二电力Vss可以通过第二电源电极VSSE供应到显示区域DA的子像素P。第二电力链接线VSSL的第2a电力链接线VSSLa可以连接到第二电源电极VSSE的一侧以供应第二电力Vss。第二电力链接线VSSL的第2b电力链接线VSSLb可以连接到第二电源电极VSSE的另一侧以供应第二电力Vss。
参考图1，在非显示区域NDA中，第二电源电极VSSE可以设置为围绕显示区域DA的至少第一边，第二边和第三边。第二电源电极VSSE的两端可以沿着显示区域DA的第四边的一部分延伸。第二电源电极VSSE的围绕显示区域DA的第一边、第二边和第三边的一部分具有第一线宽，第二电源电极VSSE的沿着第四边的两端具有小于第一线宽的第二线宽。第二电源电极VSSE的两端可以设置在链接区域LA中以彼此相对。此外，在链接区域LA中，第1a电源电极VDDEa的两端的第一线宽小于第1a电源电极VDDEa的中部的第二线宽。第1a电源电极VDDEa的一端可以设置在第二电源电极VSSE的一端与显示区域DA之间。在链接区域LA中，具有第一线宽的第1a电源电极VDDEa的另一端可以设置在第二电源电极VSSE的另一端与显示区域DA之间。
子像素P可以包括至少一个开关TFT和至少一个存储电容器。开关TFT响应来自栅极线GL的扫描信号而导通，以将来自数据线DL的数据电压施加到存储电容器的一个电极。驱动TFT可以根据存储电容器中所充电压的大小来控制供应到发光器件的电流量，从而控制发光器件的发光量。发光器件的发光量可以正比于驱动TFT所供应的电流量。此外，配置子像素P的TFT其半导体层可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体材料中的至少一种。发光器件可以包括阳极、阴极和插设在阳极和阴极之间的发光结构。阳极可以连接到驱动TFT。发光结构包括发光层(EML)，设置在发光层的一侧的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)和设置在发光层的一侧的电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)，发光层在它们之间。
数据电压可以通过焊盘区域PA中的数据焊盘DP供应到非显示区域NDA中的数据链接线DLL。供应到数据链接线DLL的数据电压可以供应到显示区域DA中的数据线DL。
栅极驱动电压可以通过焊盘区域PA的栅极焊盘GP供应到非显示区域NDA的栅极链接线GLL。供应到栅极链接线GLL的栅极驱动电压可以供应到栅极驱动器GIP。栅极驱动电压可以通过连接到栅极驱动器GIP的栅极电压供应线GIPL供应到显示区域DA的栅极线GL。栅极驱动电压可以包括栅极高电压VGH和栅极低电压VGL。还可以向栅极驱动器GIP供应诸如起始脉冲、栅极移位时钟和闪烁信号等信号以及栅极驱动电压。起始脉冲、栅极移位时钟和闪烁信号可以在0V和3.3V之间变化。栅极移位时钟可以是具有预定相位差的n相时钟信号。栅极高电压VGH是比显示装置100的薄膜晶体管阵列中所形成的薄膜晶体管TFT的阈值电压高的电压，并且可以是大约28V。栅极低电压VGL是比显示装置100的薄膜晶体管阵列中所形成的薄膜晶体管TFT的阈值电压低的电压，并且可以是大约-5V，但不限于此。
栅极驱动器GIP可以包括设置在显示区域DA的左侧的第一栅极驱动器GIPa和设置在显示区域DA的右侧的第二栅极驱动器GIPb。在一个实施例中，第二栅极驱动器GIPb与第一栅极驱动器GIPa平行。第一栅极驱动器GIPa可以通过栅极链接线GLL中的第一栅极链接线GLLa而供应有栅极驱动电压。第二栅极驱动器GIPb可以通过栅极链接线GLL中的第二栅极链接线GLLb而供应有栅极驱动电压。此外，供应到第一栅极驱动器GIPa的栅极驱动电压可以通过栅极电压供应线GIPL中的第一栅极电压供应线GIPL1a至GIPLna(以下称为GIPLa)供应到栅极线GL中的第一栅极线GL1a至GLna(以下称为GLa)。此外，供应到第二栅极驱动器GIPb的栅极驱动电压可以通过栅极电压供应线GIPL中的第二栅极电压供应线GIPL1b至GIPLnb(以下称为GIPLb)供应到栅极线GL中的第二栅极线GL1b至GLnb(以下称为GLb)。
栅极驱动器GIP可以设置在第二电源电极VSSE和显示区域DA之间。
尽管在图1中示出了栅极驱动器GIP设置为邻近显示区域DA的两侧，以从显示区域DA的两侧向栅极线GL供应栅极脉冲，但是本公开不限于此。栅极驱动器可以设置为仅邻近显示区域DA的一侧，使得显示区域DA的一侧可以向栅极线GL供应栅极脉冲。当栅极驱动器GIP设置在显示区域DA之外的两侧上时，具有相同相位和相同幅度的栅极脉冲可以通过栅极线GL供应到在同一水平线上设置的子像素P。
堰部DAM可以设置在第二电源电极VSSE上。堰部DAM可以设置为与第二电源电极VSSE重叠。此外，堰部DAM设置为围绕显示区域DA的四侧以阻挡在子像素P的发光器件LED上设置的封装单元的有机材料层的流动。堰部DAM可以包括第一堰部DAM1和第二堰部DAM2。第一堰部DAM1和第二堰部DAM2可以设置为彼此隔开，并且第一堰部DAM1可以设置在第二堰部DAM2和显示区域DA之间。
参考图1，检测显示面板裂纹的裂纹检测单元CD可以设置在非显示区域NDA中。裂纹检测单元CD包括沿着第二电源电极VSSE的外边缘处设置的第一裂纹检测单元CD1和设置在第一裂纹检测单元CD1和第二电源电极VSSE之间的第二裂纹检测单元CD2。第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2彼此间隔开，使得第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2不与第二电源电极VSSE接触。此外，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2与第二电源电极VSSE间隔开。
在链接区域LA中，第一裂纹检测单元CD1的第一端可以连接到第二裂纹检测单元CD2的第一端。在链接区域LA中，第一裂纹检测单元CD1的第二端可以连接到第二裂纹检测单元CD2的第二端。裂纹检测焊盘CDP中的第一裂纹检测焊盘CDPa连接第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的第一端，裂纹检测焊盘CDP中的第二裂纹检测焊盘CDPb连接第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的第二端。
在一个实施例中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2设置在焊盘区域PA中。线LNa从第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的第一端延伸以通过弯曲区域BA与第一裂纹检测焊盘CDPa的第一端电连接。类似地，线LNb从第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的第二端延伸以通过弯曲区域BA与第二裂纹检测焊盘CDPb的第二端电连接。
当由于外力而在显示面板中产生裂纹时，可以通过测量裂纹检测焊盘CDPa与裂纹检测焊盘CDPb之间的电阻的变化来检测裂纹。
参考图1，一个或多个对准基准单元FK可以设置在非显示区域NDA中的裂纹检测单元CD上。对准基准单元FK可以设置为与裂纹检测单元CD中的第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠。对准基准单元FK可用作精确地设置支撑基板110下表面的背板的引导件。在一些实施例中，背板可以包括用于与对准基准单元FK对准使得背板精确地设置在基板110的下表面上的槽。或者，对准基准单元FK可用作在不会引起未对准的情况下将设置在显示面板上的偏振器进行附接的引导件。与背板类似，偏振器可以包括用于与对准基准单元FK对准的槽。
对准基准单元FK可以设置在与显示区域DA相邻的区域中。在图1中，尽管两个对准基准单元设置在显示区域DA的左侧，并且两个对准基准单元设置在显示区域DA的右侧，但是本公开不限于此。例如，三个对准基准单元FK可以设置在左侧，并且三个对准基准单FK元可以设置在右侧。此外，对准基准单元FK的形状可以是诸如三角形或矩形等多边形。
此外，在对准基准单元FK与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以彼此隔开第二距离D2。在未设置对准基准单元FK的区域，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以彼此隔开第一距离D1。然而，如图1所示，在对准基准单元FK设置为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以彼此隔开比第一距离D1短的第二距离D2。
在下文中，将参考图2至图3B更详细地描述根据本公开的一个示例性实施例的显示装置100的组件。
图2示出了根据本公开的一个示例性实施例的显示装置100中的子像素P的横截面结构。子像素可以包括基板110、缓冲层111、薄膜晶体管120、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、保护层114、第一平坦化层116、第二平坦化层117、堤部118、辅助电极161、间隔物119、发光器件140和封装单元210。
基板110可以由具有柔性的塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时，例如，基板可以由聚酰亚胺(PI)形成。当基板110由聚酰亚胺(PI)形成时，在由玻璃形成的支撑基板设置在基板110下方时的情形下实施显示装置的制造工艺，并且在完成显示装置的制造工艺之后可以将支撑基板释放。此外，在释放支撑基板之后，对基板110进行支撑的背板可以设置在基板110下方。
当基板110由聚酰亚胺(PI)形成时，水分穿过由聚酰亚胺(PI)形成的基板110而渗透到薄膜晶体管120或发光器件140，从而显示装置100的性能可能会劣化。根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以通过双基层来配置基板110，以抑制由于水分渗透而导致的显示装置100的性能劣化。此外，在双基层之间形成具有优异的水分阻挡效果的氧化硅(SiOx)层，从而阻挡水分穿过下基层。因此，可以提高产品性能的可靠性。
此外，在配置基板110的基层中的电荷会形成影响第一薄膜晶体管120的反向偏压。因此，为了阻挡在基层中的电荷，可以在基板110和第一薄膜晶体管120之间设置单独的金属层。或者，在两个聚酰亚胺(PI)之间形成无机层以阻挡在下部聚酰亚胺(PI)中的电荷，从而提高产品的可靠性。
在基板110的弯曲区域BA中，设置在双基层之间的氧化硅(SiOx)层与基层之间的粘附性会由于水分而劣化。此外，由于氧化硅(SiOx)层与基层之间的粘附性劣化，当应力施加在弯曲区域BA中的基板110时，使得基层与双基层分离。因此，产品的可靠性会由于基板110的基层的松动现象而降低。因此，在根据本公开的一个示例性实施例的显示装置中，为了具有坚固结构以抗弯曲，同时提高环境可靠性(诸如抑制水分渗透)，设置在双基层之间的无机绝缘层可以形成为包括氧化硅(SiOx)层和氮化硅(SiNx)层的双层。然而，本公开不限于此，无机绝缘层可以形成为包括氧化硅(SiOx)层和氮化硅(SiNx)层的三层。
参考图2，具有单层或多层结构的缓冲层111可以设置在基板110上。设置在基板110上的缓冲层111可以由单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx、或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx形成。
缓冲层111可以用于改善缓冲层111上形成的层与基板110之间的粘附性，并阻挡从基板110泄漏的碱金属离子成分。缓冲层111不是必要组件，可以基于基板110的类型或材料及薄膜晶体管的结构和类型而省略。
根据本公开的示例性实施例，缓冲层111可以形成为二氧化硅SiO2和氮化硅SiNx交替地形成的多层。
在基板110的显示区域DA中，用于驱动发光器件140的薄膜晶体管120可以设置在缓冲层111上。薄膜晶体管120包括有源层121、栅极124、源极122和漏极123。这里，根据子像素电路的设计，源极122可以用作漏极，漏极123可以用作源极。在基板110的显示区域DA中，薄膜晶体管120的有源层121可以设置在缓冲层111上。
有源层121可以包括低温多晶硅(LTPS)。多晶硅材料具有高迁移率(100cm2/Vs以上)，因此能耗低并且可靠性优异。因此，多晶硅材料可以应用于驱动元件(其为显示元件和/或多路复用器(MUX)驱动薄膜晶体管)的栅极驱动器，还可以用作根据示例性实施例的显示装置的驱动薄膜晶体管的有源层，但不限于此。例如，多晶硅材料可以根据显示装置的特性用作开关薄膜晶体管的有源层。在缓冲层111上沉积非晶硅(a-Si)材料，并且进行脱氢工艺和结晶工艺以形成多晶硅，并且将多晶硅图案化以形成有源层121。有源层121可以包括沟道区121a(其中在驱动薄膜晶体管120时形成沟道)以及位于沟道区121a的两侧上的源极区121b和漏极区121c。源极区121b是指有源层121的与源极122连接的部分，漏极区121c是指有源层121的与漏极123连接的部分。源极区121b和漏极区121c可以通过有源层121的离子掺杂(杂质掺杂)来配置。源极区121b和漏极区121c可以通过将离子掺杂到多晶硅材料中来制造，而沟道区121a可以指未掺杂离子并保留多晶硅材料的部分。
栅极绝缘层112可以设置在缓冲层111上以覆盖薄膜晶体管120的有源层121的上表面。栅极绝缘层112可以形成为单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。在栅极绝缘层112中可以形成接触孔，薄膜晶体管120的源极122和漏极123通过该接触孔连接到薄膜晶体管120的有源层121的源极区121b和漏极区121c。栅极绝缘层112可以不设置在基板110的非显示区域NDA的弯曲区域BA中。
栅极绝缘层112可以形成在整个基板110上。然而，本公开不限于此。例如，栅极绝缘层112可以图案化为具有与栅极124相同的宽度。栅极绝缘层112可以不设置在基板110的非显示区域NDA的弯曲区域BA中。
薄膜晶体管120的栅极124可以设置在栅极绝缘层112上。
栅极124可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任意一种形成的单层或多层形成。栅极124可以形成在栅极绝缘层112上，以便与薄膜晶体管120的有源层121的沟道区121a重叠。
有源层121可以由氧化物半导体形成。与硅材料相比，氧化物半导体材料具有宽的带隙，使得电子在截止状态下不能跳过带隙。因此，氧化物半导体材料具有低的截止电流。因此，包括由氧化物半导体形成的有源层的薄膜晶体管适合于保持导通时间短而关断时间长的开关薄膜晶体管，但不限于此。根据显示装置的特性，氧化物半导体可以应用到驱动薄膜晶体管。此外，由于截止电流小，寄生电容的大小可以减小，使得氧化物半导体可以适合于高分辨率显示元件。例如，有源层121可以由金属氧化物形成，并且例如，可以由诸如铟镓锌氧化物(IGZO)等各种金属氧化物形成。在假设薄膜晶体管120的有源层121由各种金属氧化物中的IGZO形成的情况下，描述了基于IGZO层形成有源层，但是不限于此。因此，有源层可以由除了IGZO之外的诸如铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或铟镓氧化物(IGO)等其他金属氧化物形成。
可以通过在缓冲层111上沉积金属氧化物、进行用于稳定化的热处理、然后将金属氧化物图案化来形成有源层121。
在包括有源层121的基板的整个表面上设置绝缘材料层和金属材料层使得金属材料层位于绝缘材料层上，并且在金属材料层上形成光致抗蚀剂图案。
可以使用PECVD方法形成绝缘材料层，并且可以使用溅射方法形成金属材料层。
利用光致抗蚀剂图案PR作为掩模对金属材料层进行湿蚀刻以形成栅极124。作为用于蚀刻金属材料层的湿蚀刻剂，可以使用选择性蚀刻构成金属材料层的钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金、但不蚀刻绝缘材料层的材料。
利用光致抗蚀剂图案PR和栅极124作为掩模对绝缘材料层进行干蚀刻以形成栅极绝缘层112。
通过干蚀刻工艺蚀刻绝缘材料层，使得栅极绝缘层112的图案可以形成在有源层121上。有源层121的由图案化的栅极绝缘层112露出的部分可以通过干蚀刻工艺变得导电。
包括不导电的沟道区121a以及在有源层121的两端经过导电处理的源极区121b和漏极区121c的有源层121可以形成为与形成栅极124的区域相对应。
有源层121的变得可导电的源极区121b和漏极区121c的电阻降低，从而提高了薄膜晶体管120的性能。因此，根据本公开的示例性实施例的显示装置100的可靠性得以提高。
有源层121的沟道区121a可以设置为与栅极124重叠。有源层121的源极区121b和漏极区121c可以设置在沟道区121a的两侧。栅极绝缘层112可以设置在栅极124和有源层121之间。栅极绝缘层112可以设置为与栅极124和有源层121的沟道区121a重叠。
使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模来蚀刻绝缘材料层和金属材料层，栅极绝缘层112和栅极124可以形成为具有相同的图案。栅极绝缘层112可以设置在有源层121上。栅极绝缘层112可以形成为单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。栅极绝缘层112可以进行图案化，以便与有源层121的沟道区121a重叠。栅极124可以设置在栅极绝缘层112上。栅极124可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任意一种形成的单层或多层形成。栅极124可以图案化，以便与有源层121和栅极绝缘层112重叠。栅极124可以图案化，以便与有源层121的沟道区121a重叠。栅绝缘层112可以图案化，以便与有源层121的沟道区121a重叠。因此，栅极124和栅极绝缘层112可以与有源层121的沟道区121a重叠。栅极绝缘层112可以形成为单层氧化硅SiOx或多层氧化硅SiOx。
参考图2，覆盖栅极124的层间绝缘层113可以设置在栅极绝缘层112上。层间绝缘层113可以形成为单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。可以在层间绝缘层113中形成接触孔，薄膜晶体管120的有源层121的源极区121b和漏极区121c通过该接触孔露出。此外，如图2所示，层间绝缘层113可以形成在整个基板上，但不限于此。例如，层间绝缘层113可以不设置在基板110的弯曲区域BA中。或者，层间绝缘层113可以仅形成在显示区域DA中。
薄膜晶体管120的源极122和漏极123可以设置在层间绝缘层113上。
薄膜晶体管120的源极122和漏极123可以通过形成在栅极绝缘层112和层间绝缘层113中的接触孔连接到薄膜晶体管120的有源层121。因此，薄膜晶体管120的源极122可以通过形成在栅极绝缘层112和层间绝缘层113中的接触孔连接到有源层121的源极区121b。此外，薄膜晶体管120的漏极123可以通过形成在栅极绝缘层112和层间绝缘层113中的接触孔连接到有源层121的漏极区121c。
薄膜晶体管120的源极122和漏极123可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任意一种形成的单层或多层形成。例如，薄膜晶体管120的源极122和漏极123可以由钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层结构形成，但不限于此。
参考图2，可以在薄膜晶体管120的源极122和漏极123上设置保护层114。例如，覆盖源极122和漏极123的保护层114可以设置在中间绝缘层113上。
保护层114可以由单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx配置。露出薄膜晶体管120的漏极123的接触孔可以形成在保护层114中。保护层114可以不设置在基板110的弯曲区域BA中。
露出薄膜晶体管120的漏极123的接触孔可以形成在保护层114中，但不限于此。例如，露出薄膜晶体管120的源极122的接触孔可以形成在保护层114中。保护层114可以由单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx配置。然而，本公开不限于此，保护层114可以是有机材料层，其保护薄膜晶体管120并且使基板110上的台阶平缓，从而使基板110的上部平坦化。例如，保护层114可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等有机材料形成。
当保护层114由诸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等无机材料层形成时，在保护层114上可以设置第一平坦化层116。第一平坦化层116可以包括露出薄膜晶体管120的漏极123的接触孔。此外，第一平坦化层116可以是使基板110的台阶平缓以使基板110的上部平坦化的有机材料层。例如，第一平坦化层116可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等有机材料形成。
辅助电极161可以设置在第一平坦化层116上。辅助电极161可以通过第一平坦化层116和保护层114的接触孔连接到薄膜晶体管120的漏极123。辅助电极161可以用于电连接薄膜晶体管120和发光器件140的第一电极141。例如，辅助电极161可以用于电连接薄膜晶体管120的漏极123和发光器件140的第一电极141。辅助电极161可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任意一种形成的单层或多层形成。辅助电极161可以由与薄膜晶体管120的源极122和漏极123相同的材料形成。
在辅助电极161和第一平坦化层116上可以设置第二平坦化层117。例如，第二平坦化层117可以设置为覆盖第一平坦化层116上的辅助电极161。此外，如图2所示，可以在第二平坦化层117中形成接触孔以露出辅助电极161。第二平坦化层117可以是使薄膜晶体管120的上部平坦化的有机材料层。例如，第二平坦化层117可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等有机材料形成。
发光器件140的第一电极141可以设置在第二平坦化层117上。第一电极141可以通过第二平坦化层117中形成的接触孔电连接到辅助电极161。因此，第一电极141通过第二平坦化层117中形成的接触孔电连接到辅助电极161，从而电连接到薄膜晶体管120。
第一电极141可以形成为具有多层结构，包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层。透明导电层可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等功函数高的材料形成。不透明导电层可以形成为具有单层或多层结构，包含Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金。例如，第一电极141可以形成为透明导电层、不透明导电层和透明导电层依次层叠的结构。然而，第一电极141不限于此，还可以形成为透明导电层和不透明导电层依次层叠的结构。
由于根据本公开的示例性实施例的显示装置100是顶部发光显示装置，因此第一电极141可以是阳极。当显示装置100是底部发光型时，设置在第二平坦化层117上的第一电极141可以是阴极。
堤部118可以设置在第一电极141和第二平坦化层117上。可以在堤部118中形成开口以露出第一电极141。由于堤部118限定了显示装置100的发光区域，因此堤部118也可以称为子像素定义层。可以在堤部118上进一步设置间隔物119。
堤部118和间隔物119可以由相同的材料形成。此外，堤部118和间隔物119可以由有机材料形成。例如，堤部118和间隔物119可以由聚酰亚胺、丙烯酸树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂形成，但是本公开不限于此。
此外，可以在第一电极141上进一步设置包括发光层的发光结构142。可以形成发光结构142，使得空穴层、发光层和电子层依次或以相反顺序层叠在
第一电极141上。此外，发光结构142可以包括彼此相对的第一发光结构和第二发光结构，其中电荷产生层在第一发光结构和第二发光结构之间。在这种情况下，第一发光结构和第二发光结构中的任一个产生蓝光，而第一发光结构和第二发光结构中的另一个产生黄绿光，从而可以通过第一发光结构和第二发光结构产生白光。发光结构142中所产生的白光入射到发光结构142上方所设置的滤色器(未示出)上，以实现彩色图像。另外，各个发光结构142在没有单独的滤色器的情况下产生与各个子像素相对应的色光，以实现彩色图像。也就是说，红色R子像素的发光结构142产生红光，绿色G子像素的发光结构142产生绿光，蓝色B子像素的发光结构142产生蓝光。
可以在发光结构142上进一步设置第二电极143。第二电极143可以设置在发光结构142上，与第一电极141相对，而发光结构142在第二电极143和第一电极141之间。在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第二电极143可以是阴极。可以在发光器件140的第二电极143上进一步设置封装单元210以抑制水分渗透。
第二电极143可以延伸到下面将要描述的非显示区域NDA。延伸到非显示区域NDA的第二电极143可以连接到通过堤部118的接触孔露出的连接电极150。连接电极150可以用于将第二电源电极VSSE和发光器件140的第二电极143彼此电连接。
参考图2，封装单元210形成为覆盖发光器件140以抑制水分渗透到发光器件140上。例如，封装单元210可以进一步设置在发光器件140的第二电极143上以抑制水分渗透。封装单元210可以不设置在基板110的弯曲区域BA中。
封装单元210可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，封装单元210可以包括第一无机封装层211、第二有机封装层212和第三无机封装层213。封装单元210的第一无机封装层211可以设置在第二电极143上。第二有机封装层212可以设置在第一无机封装层211上。此外，第三无机封装层213可以设置在第二有机封装层212上。封装单元210的第一无机封装层211和第三无机封装层213可以由诸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等无机材料形成。封装单元210的第二有机封装层212可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等有机材料形成。
图3A是沿图1的I-I’线截取的剖视图。图3B是沿图1的II-II’线截取的剖视图。图3A是示出了设置在非显示区域NDA中的第二电源电极VSSE、裂纹检测单元CD、对准基准单元FK和堰部DAM区域的横截面结构的视图。图3B是示出了设置在非显示区域NDA中的第二电源电极VSSE、裂纹检测单元CD和堰部DAM区域的横截面结构的视图。在图3A和图3B中，与图2所示的组件基本相同的部分将简要描述或者将省略其描述。虽然没有在附图中示出，支撑基板110的背板可以设置在基板110的下表面(即，与基板110的前表面相对的表面)上。此外，虽然没有在附图中示出，偏振器可以设置在封装单元210上。
参考图3A和图3B，裂纹检测单元CD可以设置在栅极绝缘层112上。例如，可以设置裂纹检测单元CD中的第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2。在未设置对准基准单元FK的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以设置成彼此隔开第一距离D1。在设置有对准基准单元FK的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以设置为彼此隔开比第一距离D1小的第二距离D2。
可以在栅极绝缘层112上设置覆盖裂纹检测单元CD的层间绝缘层113。
第二电源电极VSSE可以设置在层间绝缘层113上。第二电源电极VSSE可以与薄膜晶体管120的源极122和漏极123设置在同一层上并且可以由相同的材料形成。然而，第二电源电极VSSE不限于此，并且可以与辅助电极161设置在同一层上并且由相同的材料形成。
第二电源电极VSSE可以供应有第二电力Vss(其为低电位电压)。此外，第二电力Vss可以通过第二电源电极VSSE供应到显示区域DA的子像素P。如下面将描述的，第二电源电极VSSE可以电连接到发光器件140的第二电极143，从而将第二电力Vss供应到第二电极143。
参考图3A和图3B，在非显示区域NDA中，可以在第二电源电极VSSE上设置保护层114。保护层114可以设置在层间绝缘层113上以便覆盖第二电源电极VSSE。此外，保护层114可以包括露出第二电源电极VSSE的接触孔。
第一平坦化层116可以设置在保护层114上。第一平坦化层116可以包括露出第二电源电极VSSE的开口。因此，第一平坦化层116可以不覆盖保护层114上的接触孔。例如，第一平坦化层116的开口可以与保护层114的接触孔重叠。第一平坦化层116的开口可以露出保护层114的接触孔。
堰部DAM可以设置在保护层114上，与第一平坦化层116的一侧隔开。堰部DAM可以包括第一堰部DAM1和第二堰部DAM2，第一堰部DAM1与第一平坦化层116的一侧隔开，第二堰部DAM2与第一堰部DAM1隔开。第一堰部DAM1可以设置在显示区域DA和第二堰部DAM2之间。第一堰部DAM1可以设置在第一平坦化层116的一侧和第二堰部DAM2之间，使得第一堰部DAM1比第二堰部DAM2更靠近显示区域DA。
第一堰部DAM1和第二堰部DAM2可以设置为与第二电源电极VSSE的至少一部分重叠。在一个实施例中，第一堰部DAM1和第二堰部DAM2在覆盖第二电源电极VSSE的保护层114上。
第一堰部DAM1和第二堰部DAM2可以由有机材料层形成的多层形成。例如，参考图3A和图3B，第一堰部DAM1和第二堰部DAM2可以由三层形成。第一堰部DAM1可以由第1a堰部层311、第1a堰部层311上的第1b堰部层312和第1b堰部层312上的第1c堰部层313形成。第二堰部DAM2可以由第2a堰部层321、第2a堰部层321上的第2b堰部层322和第2b堰部层322上的第2c堰部层323形成。第1a堰部层311和第2a堰部层321可以通过与第二平坦化层117相同的工艺形成并且可以由相同的材料形成。第1b堰部层312和第2b堰部层322可以通过与堤部118相同的工艺形成并且可以由相同的材料形成。此外，第1c堰部层313和第2c堰部层323可以通过与间隔物119相同的工艺形成并且可以由相同的材料形成。
第1b堰部层312和第1c堰部层313可以由相同的材料形成并且可以通过一个工艺一起形成。第2b堰部层322和第2c堰部层323也可以由相同的材料形成并且可以通过一个工艺一起形成。当第1b堰部层312和第1c堰部层313以及第2b堰部层322和第2c堰部层323为相同的材料时，堰部DAM可以由双层形成。
参考图3A和图3B，连接电极150中的第一连接电极151可以设置在第一平坦化层116和保护层114上。连接电极150中的第一连接电极151可以连接到通过第一平坦化层116的开口和保护层114的接触孔露出的第二电源电极VSSE。连接电极150可以将第二电源电极VSSE和发光器件140的第二电极143彼此电连接。第一连接电极151的一侧可以设置在第一堰部DAM1中的第1a堰部层311和保护层114之间。第一堰部DAM1中的第1a堰部层311可以设置为覆盖连接电极150中的第一连接电极151的一侧。
第二平坦化层117可以设置在裂纹检测单元CD、第一连接电极151和第一平坦化层116上。第二平坦化层117可以设置为覆盖第一连接电极151的一端，而第一堰部DAM1覆盖第一连接电极151的另一端。此外，第二平坦化层117可以不设置在第二电源电极VSSE所在的区域的一部分中。此外，第二平坦化层117可以不设置在栅极驱动器GIP中的第一栅极驱动器GIPa所在的区域中的与显示区域DA相邻的区域中。例如，第二平坦化层117可以不设置在与显示区域DA相邻并且与第一栅极驱动器GIPa重叠的区域中。
参考图3A和图3B，第二平坦化层117可以设置在裂纹检测单元CD中的第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2上。例如，第二平坦化层117可以形成为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠。设置为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠的第二平坦化层117可以与第二堰部DAM2隔开。此外，设置为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠的第二平坦化层117可以与保护层114的上表面直接接触。
第二平坦化层117可以包括开口，该开口露出在第一堰部DAM1和第一平坦化层116彼此隔开的区域中所设置的第一连接电极151。
参考图3A，对准基准单元FK和连接电极150中的第二连接电极152可以设置在第二平坦化层117上。第二连接电极152可以设置在第1a堰部层311和第2a堰部层321上。对准基准单元FK可以设置在设置为覆盖第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的第二平坦化层117上。例如，对准基准单元FK可以设置为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠。对准基准单元FK设置在第二平坦化层117上并与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠。
对准基准单元FK和第二连接电极152可以通过与发光器件140的第一电极141相同的工艺形成并且可以由相同的材料形成。
参考图3A和图3B，在非显示区域NDA中，第二连接电极152设置在第一堰部DAM1和第一平坦化层116彼此间隔开的区域中，以与第一连接电极151的上表面直接接触。第二连接电极152可以设置在第二平坦化层117的上表面上。第二连接电极152可以设置在第1a堰部层311和第1b堰部层312之间。第二连接电极152可以设置在第2a堰部层321和第2b堰部层322之间。第二连接电极152也可以设置在第一堰部DAM1和第二堰部DAM2彼此隔开的区域中。
参考图3A和图3B，堤部118可以设置在设置于第二平坦化层117上的第二连接电极152上。堤部118可以包括露出第二连接电极152的接触孔。在堤部118上可以设置间隔物119。
此外，发光器件140的第二电极143可以设置在堤部118和间隔物119上以延伸到非显示区域NDA。延伸到非显示区域NDA的第二电极143可以连接到通过堤部118的接触孔露出的第二连接电极152。第二连接电极152将第二电源电极VSSE和发光器件140的第二电极143彼此电连接。
参考图3A，在对准基准单元FK上可以设置第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420。例如，第一裂纹阻挡单元410可以设置为覆盖对准基准单元FK的一侧。此外，第二裂纹阻挡单元420可以设置为覆盖对准基准单元FK的另一侧。
第一裂纹阻挡单元410中的第一裂纹阻挡下层411可以设置为覆盖对准基准单元FK的一侧。第二裂纹阻挡单元420中的第二裂纹阻挡下层421可以设置为覆盖对准基准单元FK的另一侧。第一裂纹阻挡下层411和第二裂纹阻挡下层421可以通过与堤部118相同的工艺形成。此外，第一裂纹阻挡下层411和第二裂纹阻挡下层421可以由与堤部118相同的材料形成。
第一裂纹阻挡上层412可以设置在第一裂纹阻挡下层411上。此外，第二裂纹阻挡上层422可以设置在第二裂纹阻挡下层421上。第一裂纹阻挡上层412和第二裂纹阻挡上层422可以通过与间隔物119相同的工艺形成并且可以由相同的材料形成。
尽管第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420示为由下层和上层形成的双层，但不限于此。第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420可以形成为单层。第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420可以设置为彼此隔开以露出对准基准单元FK的上表面。例如，第一裂纹阻挡单元410可以设置为与第一裂纹检测单元CD1及对准基准单元FK的一侧重叠。第二裂纹阻挡单元420可以被设置为与第二裂纹检测单元CD2及对准基准单元FK的另一侧重叠。第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420彼此隔开的区域可以与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2彼此隔开的区域重叠。
参考图3B，第一裂纹阻挡单元410中的第一裂纹阻挡下层411可以设置为覆盖与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117的一侧。此外，第二裂纹阻挡单元420中的第二裂纹阻挡下层421可以设置为覆盖与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117的另一侧。如上所述，在未设置对准基准单元FK的区域中，第一裂纹阻挡下层411和第二裂纹阻挡下层421可以与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117的上表面直接接触。
此外，第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420可以设置为彼此隔开，以露出与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117的上表面。例如，第一裂纹阻挡单元410可以设置为与第一裂纹检测单元CD1重叠。此外，第二裂纹阻挡单元420可以设置为与第二裂纹检测单元CD2重叠。由彼此隔开的第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420形成的区域可以与由彼此隔开的第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2形成的区域重叠。
参考图3A和图3B，封装单元210可以设置在第一裂纹阻挡单元410、对准基准单元FK、第二裂纹阻挡单元420、第二电极143和堰部DAM上。封装单元210中的第一无机封装层211可以设置为覆盖第一裂纹阻挡单元410、对准基准单元FK、第二裂纹阻挡单元420、延伸到非显示区域NDA的第二电极143、第二连接电极152和堰部DAM。第二有机封装层212可以设置为覆盖延伸到非显示区域NDA的第二电极143以及第二连接电极150。此外，第三无机封装层213可以设置为覆盖第一裂纹阻挡单元410、第二裂纹阻挡单元420、第二电极143、第二连接电极150和堰部DAM。然而，本公开不限于此，第一无机封装层211和第三无机封装层213可以不覆盖第一裂纹阻挡单元410、对准基准单元FK和第二裂纹阻挡单元420。
第一无机封装层211和第三无机封装层213可以在堰部DAM、第一裂纹阻挡单元410和第二裂纹阻挡单元420上彼此接触。
根据本公开的示例性实施例的显示装置100将对准基准单元FK设置为，在非显示区域NDA中与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2重叠，使得用于支撑基板110下表面的背板可以精确地设置在基板110的下表面上。此外，对准基准单元FK用作引导件，使得设置在基板110的封装单元210上的偏振器在不会引起未对准的情况下进行附接。然而，对准基准单元FK可另外地设置在基板110的特定区域中，这会在设置有对准基准单元FK的区域和未设置对准基准单元FK的区域之间产生台阶。因此，根据本公开的另一示例性实施例的显示装置100提出了一种层叠结构，其中台阶不会由对准基准单元FK产生。
图4是根据本公开另一实施例的电致发光显示装置的示意性平面图。图5A是沿图4的I-I’线截取的剖视图。图5B是沿图4的II-II’线截取的剖视图。在图4中，与图1所示的组件基本相同的部分将简要描述或者将省略其描述。在图5A和图5B中，与图2至图3B所示的组件基本相同的部分将简要描述或者将省略其描述。
参考图4和图5A，对准基准单元FK可以配置为与第一裂纹检测单元CD1集成。例如，可以通过扩展第一裂纹检测单元CD1的宽度而形成对准基准单元FK。第一裂纹检测单元CD1和对准基准单元FK可以一体地形成。对准基准单元FK和第一裂纹检测单元CD1可以与第二裂纹检测单元CD2间隔开。然而，本公开不限于此，对准基准单元FK可以形成为与第二裂纹检测单元CD2集成。当对准基准单元FK形成为与第二裂纹检测单元CD2集成时，对准基准单元FK可以与第一裂纹检测单元CD1间隔开。
参考图5A，第一裂纹检测单元CD1和对准基准单元FK可以形成为具有第一宽度。第二裂纹检测单元CD2可以具有小于第一宽度的第二宽度。
对准基准单元FK和第二裂纹检测单元CD2可以设置在同一层上。例如，对准基准单元FK、第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以设置在栅极绝缘层112上。对准基准单元FK、第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以由相同的材料形成。例如，对准基准单元FK、第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以由与薄膜晶体管120的栅极124相同的材料形成。
在设置有对准基准单元FK的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以彼此隔开第二距离D2。在没有设置对准基准单元FK的区域中，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以彼此隔开比第二距离D2长的第一距离D1。
在根据本公开另一示例性实施例的显示装置100中，对准基准单元FK形成为与第一裂纹检测单元CD1集成，使得对准基准单元FK、第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以设置在同一层上。上表面的台阶可以通过与对准基准单元FK、第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117来补偿。根据本公开示例性实施例的显示装置可以将对准基准单元FK配置为与第一裂纹检测单元CD1或第二裂纹检测单元CD2一体地形成。在与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117的上表面上，可以不设置用于配置对准基准单元FK的单独的层。因此，参考图5A和图5B，在设置有对准基准单元FK的区域和未设置对准基准单元FK的区域中，在与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2相对应的区域中设置的第二平坦化层117上设置的层叠结构可以是相同的。因此，可以提供一种显示装置，其中，设置有对准基准单元FK的区域和未设置对准基准单元FK的区域之间不产生台阶。
图6是根据本公开另一示例性实施例的显示装置的示意性平面图。在图6中，与图4所示的组件基本相同的部分将简要描述或者将省略其描述。
参考图6，对准基准单元FK可以形成为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2集成。对准基准单元FK可以将第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2彼此连接。例如，对准基准单元FK设置在第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2之间，并且可以形成为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2集成。当对准基准单元FK配置为与第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2集成以电连接第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2时，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2可以通过对准基准单元FK形成为多个平行连接结构。此外，当由外力引起裂纹时，对通过对准基准单元FK连接为多个平行结构的第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的电阻的变化进行测量，以识别裂纹产生位置和裂纹的数量。
在一些实施例中，显示区域DA可以被分为四段，其中每一段对应于第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2的平行结构。这四段可以通过桥电阻器连接。因为当裂纹产生时，平行结构或桥电阻器的电阻值改变。在第一裂纹检测焊盘CDPa和第二裂纹检测焊盘CDPb之间测量的电阻值的变化可以用来确定裂纹在哪一段。
例如，参考图6，在左侧设置的第一裂纹检测单元CD1中可能产生裂纹，并且在右侧设置的第二裂纹检测单元CD2中可能产生裂纹。即使在第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2中产生裂纹，第一裂纹检测单元CD1和第二裂纹检测单元CD2也通过对准基准单元FK连接为多个平行结构。因此，可以通过第一裂纹检测焊盘CDPa和第二裂纹检测焊盘CDPb测量电阻。此外，通过第一裂纹检测焊盘CDPa和第二裂纹检测焊盘CDPb测量由于裂纹而变化的电阻，以识别裂纹产生位置和裂纹的数量。
本公开的示例性实施例还可以描述如下：
根据本公开的一个方面，提供了一种电致发光显示装置。所述电致发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；在所述非显示区域中位于所述基板上的裂纹检测单元；设置为覆盖所述裂纹检测单元的层间绝缘层；电源电极，所述电源电极位于所述层间绝缘层上并设置在所述裂纹检测单元和所述显示区域之间；设置为覆盖所述电源电极的保护层；平坦化层，所述平坦化层位于所述保护层上并设置为与所述裂纹检测单元重叠；以及对准基准单元，所述对准基准单元位于所述平坦化层上并且与所述裂纹检测单元重叠。
所述电致发光显示装置还可以包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述显示区域中并且包括栅极、源极和漏极；以及发光器件，所述发光器件设置在所述薄膜晶体管上并且包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、发光结构和连接到所述电源电极的第二电极。所述发光器件的所述第一电极可以设置在所述平坦化层上。
所述对准基准单元可以由与所述第一电极相同的材料形成。
所述裂纹检测单元可以包括第一裂纹检测单元和第二裂纹检测单元，所述第二裂纹检测单元设置在所述第一裂纹检测单元和所述电源电极之间。
所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元可以彼此隔开第一距离。
在与所述对准基准单元重叠的区域中的所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元可以设置为彼此隔开比所述第一距离短的第二距离。
所述电致发光显示装置还可以包括：第一裂纹阻挡单元，所述第一裂纹阻挡单元设置为覆盖所述对准基准单元的一侧；以及第二裂纹阻挡单元，所述第二裂纹阻挡单元设置为覆盖所述对准基准单元的另一侧。
所述电致发光显示装置还可以包括堰部，所述堰部设置在所述对准基准单元和所述显示区域之间，并且与所述电源电极重叠。
根据本公开的另一方面，提供了一种电致发光显示装置。所述电致发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；在所述非显示区域中位于所述基板上的第一裂纹检测单元以及与所述第一裂纹检测单元隔开的第二裂纹检测单元；对准基准单元，所述对准基准单元与所述第一裂纹检测单元一体地形成并且由与所述第一裂纹检测单元相同的材料形成；电源电极，所述电源电极设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间，并向发光器件供应电力；以及堰部，所述堰部设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间并且与所述电源电极重叠。
所述第二裂纹检测单元可以设置在所述电源电极和所述第一裂纹检测单元之间。
所述堰部可以包括设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间的第一堰部和设置在所述第一堰部和所述第二裂纹检测单元之间的第二堰部。
所述第二裂纹检测单元可以设置在所述第二堰部和所述第一裂纹检测单元之间。
所述电致发光显示装置还可以包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述显示区域中并且包括栅极、源极和漏极，其中，所述发光器件包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、所述第一电极上的发光结构以及连接到所述电源电极的第二电极。
所述第一裂纹检测单元、所述第二裂纹检测单元和所述对准基准单元可以由与所述栅极相同的材料形成并且设置在同一绝缘层上。
所述对准基准单元可以与所述第二裂纹检测单元一体地形成。
所述对准基准单元可以电连接到所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元。
尽管参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实施。因此，本公开的示例性实施例的提供仅用于说明目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (23)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
设置在所述基板的所述非显示区域中的至少一个裂纹检测单元，所述至少一个裂纹检测单元被配置为检测所述电致发光显示装置中的裂纹；
层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述裂纹检测单元；
电源电极，所述电源电极设置在所述层间绝缘层上，并设置在所述裂纹检测单元和所述显示区域之间；
保护层，所述保护层覆盖所述电源电极；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述保护层上，并设置为与所述至少一个裂纹检测单元重叠；以及
在所述基板的所述非显示区域中的对准基准单元，所述对准基准单元位于所述平坦化层上并与所述非显示区域中的所述裂纹检测单元重叠。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述显示区域中，并且所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；以及
发光器件，所述发光器件设置在所述薄膜晶体管上，并且所述发光器件包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、在所述第一电极上的发光结构和连接到所述电源电极的第二电极，
其中，所述发光器件的所述第一电极设置在所述平坦化层上。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述对准基准单元由与所述发光器件的所述第一电极相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述至少一个裂纹检测单元包括第一裂纹检测单元和第二裂纹检测单元，所述第二裂纹检测单元设置在所述第一裂纹检测单元和所述电源电极之间。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第一裂纹检测单元的第一部分和所述第二裂纹检测单元的第一部分不与所述对准基准单元重叠，所述第一裂纹检测单元的所述第一部分和所述第二裂纹检测单元的所述第一部分彼此隔开第一距离。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中，所述第一裂纹检测单元的第二部分和所述第二裂纹检测单元的第二部分与所述对准基准单元重叠，所述第一裂纹检测单元的所述第二部分和所述第二裂纹检测单元的所述第二部分以小于所述第一距离的第二距离彼此隔开。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：
在所述非显示区域中的第一裂纹阻挡单元，所述第一裂纹阻挡单元覆盖所述对准基准单元的第一端；以及
在所述非显示区域中的第二裂纹阻挡单元，所述第二裂纹阻挡单元覆盖所述对准基准单元的第二端。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：
堰部，所述堰部设置在所述对准基准单元和所述显示区域之间，并且所述堰部与所述电源电极重叠。
9.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
设置在所述基板的所述非显示区域中的第一裂纹检测单元，所述第一裂纹检测单元被配置为识别所述电致发光显示装置中的裂纹；以及
设置在所述基板的所述非显示区域中的第二裂纹检测单元，所述第二裂纹检测单元与所述第一裂纹检测单元间隔开，其中，所述第二裂纹检测单元被配置为识别所述电致发光显示装置中的裂纹；
对准基准单元，所述对准基准单元至少与所述第一裂纹检测单元一体地形成，并且所述对准基准单元包括与所述第一裂纹检测单元相同的材料；
在所述非显示区域中的电源电极，所述电源电极设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间，并且所述电源电极被配置为向所述电致发光显示装置的发光器件供应电力；以及
至少一个堰部，所述至少一个堰部设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间，并且所述至少一个堰部与所述电源电极重叠。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第二裂纹检测单元设置在所述电源电极和所述第一裂纹检测单元之间。
11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述至少一个堰部包括设置在所述第二裂纹检测单元和所述显示区域之间的第一堰部以及设置在所述第一堰部和所述第二裂纹检测单元之间的第二堰部。
12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，其中，所述第二裂纹检测单元设置在所述第二堰部和所述第一裂纹检测单元之间。
13.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述显示区域中，并且包括栅极、源极和漏极，
其中，所述发光器件包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、所述第一电极上的发光结构以及连接到所述电源电极的第二电极。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置，其中，所述第一裂纹检测单元、所述第二裂纹检测单元和所述对准基准单元包括与所述栅极相同的材料，并且
其中，所述第一裂纹检测单元、所述第二裂纹检测单元和所述对准基准单元设置在同一绝缘层上。
15.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述对准基准单元也与所述第二裂纹检测单元一体地形成。
16.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，其中，所述对准基准单元电连接到所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元。
17.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
设置在所述基板的所述显示区域中的发光器件；
设置在所述非显示区域中的第一裂纹检测单元和第二裂纹检测单元，所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元被配置为识别所述电致发光显示装置中的一个或多个裂纹；
设置在所述基板的所述非显示区域中的对准基准单元；以及
耦接到所述基板的下表面的背板，
其中，所述对准基准单元与所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元重叠。
18.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中，所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元与两个裂纹检测焊盘电连接，所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元在所述两个裂纹检测焊盘之间的电阻改变。
19.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，还包括：
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元，其中，所述对准基准单元设置在所述平坦化层上。
20.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中，所述第一裂纹检测单元和所述第二裂纹检测单元彼此间隔开并且与所述显示区域的边缘平行，并且
所述第一裂纹检测单元距离所述显示区域的边缘比所述第二裂纹检测单元更远。
21.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中，所述对准基准单元与所述第一裂纹检测单元一体地形成。
22.根据权利要求21所述的电致发光显示装置，其中，所述对准基准单元也与所述第二裂纹检测单元一体地形成。
23.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，还包括在所述基板上的偏振器，所述偏振器与所述对准基准单元对准。
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