CN113748507B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113748507B
CN113748507B CN202080000385.5A CN202080000385A CN113748507B CN 113748507 B CN113748507 B CN 113748507B CN 202080000385 A CN202080000385 A CN 202080000385A CN 113748507 B CN113748507 B CN 113748507B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pad
layer
electrode
silicon
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080000385.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113748507A (zh
Inventor
朱志坚
卢鹏程
敖雨
李云龙
田元兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202210812348.5A priority Critical patent/CN115207060A/zh
Publication of CN113748507A publication Critical patent/CN113748507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113748507B publication Critical patent/CN113748507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Abstract

本公开关于一种显示装置、显示面板及其制造方法,该显示面板包括:硅基衬底、驱动层、第一电极层、有机发光层、第二电极层、多个焊盘。驱动层形成于硅基衬底中,且包括位于显示区的多个第一晶体管;各第一电极与各第一晶体管电连接;第二电极层于有机发光层背离驱动层的一侧,且包括位于显示区的第二电极和位于外围区的电极环;多个焊盘位于显示区至少一侧的外围区,多个焊盘包括显示信号接入焊盘和测试信号接入焊盘;其中显示信号接入焊盘被配置为在显示阶段接入显示信号,测试信号接入焊盘至少包括第一组测试阶段接入焊盘,第一组测试阶段接入焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,第一焊盘与电极环电连接,第二焊盘与硅基衬底电连接。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display,有机发光二极管)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被认为是最有发展前途的新一代显示技术。但是,OLED显示装置正在向微型化的方向发展。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板与显示装置。
根据本公开的一个方面,提供了一种显示面板,该显示面板包括:
硅基衬底,包括显示区与围绕所述显示区的外围区;
驱动层,形成于所述硅基衬底中,且包括位于所述显示区的多个第一晶体管;
第一电极层,设于所述驱动层背离所述硅基衬底的一侧,且包括位于所述显示区的多个第一电极,各所述第一电极与各所述第一晶体管电连接;
有机发光层,设于所述第一电极层背离所述驱动层的一侧;
第二电极层,设于有机发光层背离所述驱动层的一侧,且包括位于显示区的第二电极和位于外围区的电极环,所述电极环围绕所述第二电极且与所述第二电极连接;
多个焊盘,位于所述显示区至少一侧的所述外围区,所述多个焊盘包括显示信号接入焊盘和测试信号接入焊盘,所述测试信号接入焊盘位于所述显示信号接入焊盘的两侧;
其中,所述显示信号接入焊盘被配置为在显示阶段接入显示信号,所述测试信号接入焊盘被配置为在测试阶段接入测试信号,所述测试信号接入焊盘至少包括第一组测试阶段接入焊盘,所述第一组测试阶段接入焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与所述电极环电连接,所述第二焊盘与所述硅基衬底电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,各所述第一晶体管包括形成于所述硅基衬底中的有源区、位于所述有源区的两个掺杂区、位于两个所述掺杂区之间的沟道区以及位于所述沟道区上的栅极,两个所述掺杂区分别形成第一极与第二极,所述第二焊盘与各所述第一晶体管的有源区电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述测试信号接入焊盘还包括第二组测试阶段接入焊盘,所述第二组测试阶段接入焊盘包括第三焊盘和第四焊盘,所述第三焊盘与所述电极环电连接,所述第四焊盘与所述硅基衬底电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述外围区包括绑定区域,所述第三焊盘、所述第四焊盘及所述多个显示信号接入焊盘位于所述绑定区域内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一焊盘与所述第三焊盘位于所述显示信号接入焊盘的同一侧,所述第二焊盘与所述第四焊盘位于所述显示信号接入焊盘的另一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第三焊盘和所述第四焊盘分别与所述显示信号接入焊盘相邻设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板设有一个所述第一焊盘和一个所述第二焊盘。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板设有一个所述第三焊盘和一个所述第四焊盘。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第三焊盘与所述第一焊盘连接,所述第四焊盘与所述第二焊盘连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述测试信号接入焊盘与所述第一电极同层设置。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动层还包括:
连接线,与所述第二焊盘及所述第四焊盘电连接;
多个检测线,与所述连接线连接,且每个所述检测线与一列所述晶体管的有源区分别电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一焊盘通过导线与所述电极环电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
第二晶体管,形成于所述硅基衬底的外围区中,且包括形成于所述硅基衬底中的有源区、位于所述有源区的两个掺杂区、位于两个所述掺杂区之间的沟道区以及位于所述沟道区上的栅极,两个所述掺杂区分别形成第一极与第二极;所述第二晶体管的第二极与所述电极环电连接,所述第一焊盘与所述第二晶体管的第一极及栅极电连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动层包括:
栅绝缘层,设于所述硅基衬底一侧的所述沟道区上;
栅极层,设于所述栅绝缘层背离所述硅基衬底的一侧;
第一平坦层,设于所述硅基衬底的一侧并覆盖所述栅绝缘层与所述栅极层;
第一导电层,设于所述第一平坦层背离所述硅基衬底的一侧;
介质层,设于所述第一平坦层背离所述硅基衬底的一侧并覆盖所述第一导电层;
第二导电层,设于所述介质层背离所述硅基衬底的一侧;
第二平坦层,设于所述介质层背离所述硅基衬底的一侧并覆盖所述第二导电层,所述第一电极层位于第二平坦层背离所述硅基衬底的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
第一封装层,设于所述第二电极层远离所述有机发光层的一侧;
彩膜层,设于所述第一封装层远离所述第二电极层的一侧;
第二封装层,设于所述彩膜层远离所述第一封装层的一侧,所述第三焊盘与所述第四焊盘从所述第二封装层露出。
根据本公开的又一个方面,提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
本公开提供的显示面板,通过第一焊盘与电极环连接,进而实现与第二电极的连接;各第一电极均连接有第一晶体管,各第一晶体管对应的硅基衬底均连接第二焊盘;通过第一焊盘及第二焊盘输入测试信号,使第一电极与第二电极之间形成压差,从而点亮像素单元,进行IVL测试并收集测试数据,实现ILV测试的目的。此外,进行ILV测试时,仅需给第一焊盘及第二焊盘输入测试信号即可,第一焊盘及第二焊盘设于硅基衬底上的外围区,占用空间较小,可满足微型化硅基显示面板的设计。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
附图用来提供对本公开实施例的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开实施例一起用于解释本公开,并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述,以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见,在附图中:
图1为本公开的一种实施例提供的显示面板的示意图;
图2为图1中A区域的放大部;
图3为图1中B区域的放大部;
图4为本公开的一种实施例提供的图1中C-C面的剖视图;
图5为本公开的另一种实施例提供的图1中C-C面的剖视图;
图6为本公开的一种实施例提供的测试信号接入焊盘与第一电极及第二电极连接的示意图;
图7为本公开的一种实施例提供的第一焊盘与电极环电连接的电路示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
申请人发现,目前随着VR(Virtual Reality,虚拟现实)/AR(Augmented Reality,增强现实)技术的日益进步和市场的快速增长,适用于VR/AR领域的显示面板也正在加急步伐向微型化、高PPI、快速响应和高色域的方向发展,而硅基OLED显示面板凭借着其微型化和高PPI的优势,也正在成为VR/AR领域的新的关注焦点。
然而,现有的IVL测试(电流、电压和亮度的特性曲线测试)等测试方法在微型化显示面板上难以实现。具体地,OLED蒸镀完毕后,需要进行Inline IVL(腔内电流、电压和亮度的特性曲线测试)测试,可以将Probe Board(探头卡)的探针扎在CP(Chip Probe、芯片探针)的Pin(引脚)上,并输入测试信号进行IVL测试;但是,CP上有多对pad(焊盘),IVL测试只是其中一对pad,因版图Layout(布置)限制,没有设计CP的区域。此外,在现有设计中,完成IVL测试后,需要经过一次封装、彩胶、二次封装以及CG(盖板玻璃)贴片,CP被多层有机、无机材料覆盖,无法继续通过CP上的Pin输入测试信号。此外,MIT(模组检测)只能通过将Probe Board的探针扎在FPC/PCB bonding(绑定焊盘)上的5个用来实现正常显示的pad进行测试的。
本示例实施方式中首先提供了一种显示面板,如图1-图7所示,该显示面板10包括:硅基衬底20、驱动层30、第一电极层、有机发光层60、第二电极层70、多个焊盘。硅基衬底20包括显示区与围绕显示区的外围区;驱动层30形成于硅基衬底20中,且包括位于显示区的多个第一晶体管;第一电极层设于驱动层30背离硅基衬底20的一侧,且包括位于显示区的多个第一电极40,各第一电极40与各第一晶体管电连接;有机发光层60设于第一电极层背离驱动层30的一侧;第二电极层70设于有机发光层60背离驱动层30的一侧,且包括位于显示区的第二电极720和位于外围区的电极环710,电极环710绕第二电极720且与第二电极720连接;多个焊盘位于显示区至少一侧的外围区,多个焊盘包括显示信号接入焊盘和测试信号接入焊盘,测试信号接入焊盘位于显示信号接入焊盘的两侧。
其中,显示信号接入焊盘被配置为在显示阶段接入显示信号,测试信号接入焊盘被配置为在测试阶段接入测试信号,测试信号接入焊盘至少包括第一组测试阶段接入焊盘,第一组测试阶段接入焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,第一焊盘与电极环电连接,第二焊盘与硅基衬底电连接。
示例的,在显示面板进行IVL测试时,第二焊盘52接入VDD(+5V直流电压)测试信号、第一焊盘51接入Vcom(-2.5V直流电压)测试信号,其中VDD通过走线连接到各第一晶体管对应的硅基衬底区域,通过正向偏置使PN结导通,从而使VDD测试信号给到第一电极40;同时,Vcom通过电极环710将测试信号给到第二电极720,从而使第一电极40与第二电极720之间形成压差,进而点亮像素单元,以进行IVL测试并收集测试数据,实现ILV测试的目的。
本公开提供的显示面板,通过第一焊盘51与电极环710连接,进而实现与第二电极720的连接;各第一电极40均连接有第一晶体管,各第一晶体管对应的硅基衬底均连接第二焊盘52;通过第一焊盘51及第二焊盘52输入测试信号,使第一电极40与第二电极720之间形成压差,从而点亮像素单元,进行IVL测试并收集测试数据,实现ILV测试的目的。此外,进行ILV测试时,仅需给第一焊盘51及第二焊盘52输入测试信号即可,第一焊盘51及第二焊盘52设于硅基衬底20上的外围区,占用空间较小,可满足微型化硅基显示面板的设计。
具体地,如图4所示,硅基衬底20构成硅基OLED显示面板,本公开实施例提供的为顶发射型硅基OLED显示面板,图中C1所指的为第一晶体管,各第一晶体管包括形成于硅基衬底中的有源区380、位于有源区380的两个掺杂区、位于两个掺杂区之间的沟道区以及位于沟道区上的栅极320,两个掺杂区分别形成第一极310与第二极330,第二焊盘52与各第一晶体管的有源区380电连接。
示例的,第一晶体管为P型MOS管,有源区380为N型掺杂区,第一极310与第二极320为硅基衬底上的P型掺杂区,第一晶体管的第二极330为漏极,第一极310为源极。各第一晶体管对应的硅基衬底即为该第一晶体管的有源区380,通过第二焊盘52给第一晶体管的有源区380接入VDD测试信号,通过正向偏置使PN结导通,从而使VDD测试信号给到阳极。其中,电极环710为阴极环,阴极环为显示区外围的提供阴极公共电压(负)的环型走线,阴极蒸镀时覆盖显示区且搭接在阴极环上,从而为整个显示区的公共阴极提供负压。
示例的,如图4所示,第一晶体管的漏极通过第二导电层350和第一导电层340与第一电极40连接,通过第二导电层350和第一导电层340的设置,能够减少布线面积,提高分辨率。其中,第一电极40与第二导电层350之间,第二导电层350与第一导电层340之间,第一导电层340与第二极330、栅极320及第一极310之间,分别通过接触孔360电连接。可选地,接触孔360为钨孔。
具体地,图4中C2所指的为与电极环710电连接的第二晶体管,第二晶体管形成于硅基衬底的外围区中,包括形成于硅基衬底中的有源区、位于有源区的两个掺杂区、位于两个掺杂区之间的沟道区以及位于沟道区上的栅极393,两个掺杂区分别形成第一极391与第二极392。如图7所示,第二晶体管的第二极392与电极环710电连接,第一焊盘51与第二晶体管的第一极391及栅极393电连接。通过第一焊盘51与第二晶体管的第一极391及栅极393电连接,从而实现将Vcom通过电极环710传输至第二电极720,从而使第一电极40与第二电极720之间形成压差,进而点亮像素单元,以进行IVL测试并收集测试数据,实现ILV测试的目的。其中,第一极391可为源极,第二极392可为漏极。
示例的,第一焊盘51还可通过导线与电极环710电连接,从而实现将Vcom通过电极环710传输至第二电极720,使第一电极40与第二电极720之间形成压差,进而点亮像素单元,以进行IVL测试并收集测试数据,实现ILV测试的目的。此外,通过导线直接将第一焊盘51与电极环710电连接,降低了工艺难度。
如图4所示,测试信号接入焊盘还包括第二组测试阶段接入焊盘,第二组测试阶段接入焊盘包括第三焊盘53和第四焊盘54,第三焊盘53与电极环710电连接,第四焊盘54与硅基衬底电连接。本公开提供的显示面板,第三焊盘53与第四焊盘54位于外围区且能够从显示面板的封装层露出,显示面板进行MIT测试只需第三焊盘53与第四焊盘54即可,减少了MIT测试所需的pin角,进而减少所需探针,降低了成本。
具体地,硅基衬底的外围区包括绑定区域,第三焊盘53、第四焊盘54及多个显示信号接入焊盘位于绑定区域内,显示信号接入焊盘即为绑定焊盘(Bonding Pad)41。由于显示面板在封装工艺过程中多层有机、无机材料覆盖会将第一焊盘51与第二焊盘52覆盖,封装后无法通过第一焊盘51与第二焊盘52进行MIT测试。因此,可在绑定区域同时形成第三焊盘53、第四焊盘54及多个显示信号接入焊盘,第三焊盘53与第四焊盘54要同其它绑定焊盘41做光刻胶层,后续再通过激光烧蚀,将光刻胶层连同蒸镀、封装过程的有机、无机材料一起烧蚀干净,使各焊盘表面金属露出,满足MIT测试探针卡的扎针需要。其中,第三焊盘53与电极环710电连接,第四焊盘54与硅基衬底电连接,从而通过第三焊盘53与第四焊盘54进行MIT测试。
如图1-图3所示,第三焊盘53和第四焊盘54分别与显示信号接入焊盘相邻设置。多个绑定焊盘41设于硅基衬底20一侧的绑定区上,各绑定焊盘41位于第三焊盘53与第四焊盘54之间。将第三焊盘53与第四焊盘54设于绑定区且位于绑定焊盘41的两端,不会对绑定焊盘41的布设造成影响,第三焊盘53与第四焊盘54可与绑定焊盘41通过同一次激光烧蚀工艺露出,降低了工艺难度与工艺成本。
如图1所示,第一焊盘51、第二焊盘52、第三焊盘53及第四焊盘54位于绑定焊盘41与FPC Mark(柔性线路板基准点)之间,Mark为FPC柔性线路板装配工艺中的所有步骤提供共同的可定位电路图案。其中,第一焊盘51与第三焊盘53位于显示信号接入焊盘的同一侧,第二焊盘52与第四焊盘54位于显示信号接入焊盘的另一侧。
具体地,如图1所示,显示面板仅设有一个第一焊盘51与一个第二焊盘52,第二焊盘52与各MOS晶体管的有源区电连接。仅通过两个焊盘即可实现IVL测试,使得焊盘的数量达到最少,便于第一焊盘51与第二焊盘52在硅基衬底20上的布置。
具体地,如图1所示,显示面板10仅设有一个第三焊盘53与一个第四焊盘54,第四焊盘54与各MOS晶体管的有源区电连接。仅通过两个焊盘即可实现MIT测试,使得焊盘的数量达到最少,便于第三焊盘53与第四焊盘54在硅基衬底20上的布置。
具体地,第三焊盘53与第一焊盘51连接。如图2所示,第三焊盘53与第一焊盘51可位于硅基衬底20的同一侧,第一焊盘51通过导线与电极环710连接后,第三焊盘53可通过导线与第一焊盘51连接,从而间接与电极环710连接,能够减少连接电极环710的导线,从而降低了显示面板10的制造工艺难度。
具体地,第四焊盘54与第二焊盘52连接。如图3所示,第四焊盘54与第二焊盘52可位于硅基衬底20的同一侧,第二焊盘52通过导线与各第一电极40连接后,第四焊盘54可通过导线与第二焊盘52连接,从而间接与各第一电极40连接,能够减少连接各第一电极40的导线,从而降低了显示面板10的制造工艺难度。
具体地,如图4所示,第一焊盘51、第二焊盘52、第三焊盘53、第四焊盘54与第一电极40同层设置。通过使第一焊盘51、第二焊盘52、第三焊盘53、第四焊盘54与第一电极40位于同一层,可通过同一次工艺形成第一焊盘51、第二焊盘52、第三焊盘53、第四焊盘54与第一电极40,便于第一焊盘51、第二焊盘52、第三焊盘53、第四焊盘54的形成,降低了显示面板10的制造工艺难度。
具体地,如图6所示,驱动层30还包括:连接线381和多个检测线382。连接线381与第二焊盘52及第四焊盘54电连接;多个检测线382与连接线381连接,且每个检测线382与一列第一晶体管的有源区分别电连接。其中,多个检测线382呈网状走线,能够减少Loading(加载)的影响。
具体地,驱动层30包括:栅绝缘层370、栅极层、第一平坦层、第一导电层340、介质层、第二导电层350和第二平坦层。栅绝缘层370设于硅基衬底20的一侧;栅极层设于栅绝缘层370背离硅基衬底20的一侧;第一平坦层设于硅基衬底20的一侧并覆盖栅绝缘层370与栅极层;第一导电层340设于第一平坦层背离硅基衬底20的一侧;介质层设于第一平坦层背离硅基衬底20的一侧并覆盖第一导电层340;第二导电层350设于介质层背离硅基衬底20的一侧;第二平坦层设于介质层背离硅基衬底20的一侧并覆盖第二导电层350,第一电极层位于第二平坦层背离硅基衬底20的一侧。其中,连接线381和各检测线382可与第一导电层340同层设置。当然,也可连接线381与各检测线382分层设置,各检测线382与第一导电层340同层设置;或者,连接线381、各检测线382与第一导电层340分别分层设置,本公开对此不作限制。
具体地,如图4所示,显示面板还包括像素定义层(PDL)42,像素定义层42形成有多个开孔,各第一电极40一一对应设于各开孔中。此外,用于连接第二晶体管与电极环710的电极与相邻的第一电极40之间设有PDL,以将该电极与相邻的第一电极40绝缘。
示例的,本公开提供的硅基OLED显示面板可为白光OLED显示面板,有机发光层60包括依次层叠的红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。当然,红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层的层叠顺序可进行变换。
具体地,如图5所示,显示面板10还包括第一封装层81、彩膜层90与第二封装层82。第三焊盘53与第四焊盘54上设有光刻胶层,后续再通过激光烧蚀,将光刻胶层连同第一封装层81、彩膜层90与第二封装层82一起烧净,使第三焊盘53与第四焊盘54的表面露出,满足MIT测试探针卡的扎针需要。
具体地,显示面板10还包括盖板玻璃(图中未示出),盖板玻璃设于第二封装层82远离彩膜层90的一侧。
本公开的实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。显示装置的有益效果可参考上述显示面板的有益效果,在此处不再赘述。显示装置例如可为VR/AR等头戴显示设备。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (16)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
硅基衬底,包括显示区与围绕所述显示区的外围区;
驱动层,形成于所述硅基衬底中,且包括位于所述显示区的多个第一晶体管;
第一电极层,设于所述驱动层背离所述硅基衬底的一侧,且包括位于所述显示区的多个第一电极,各所述第一电极与各所述第一晶体管电连接;
有机发光层,设于所述第一电极层背离所述驱动层的一侧;
第二电极层,设于有机发光层背离所述驱动层的一侧,且包括位于显示区的第二电极和位于外围区的电极环,所述电极环围绕所述第二电极且与所述第二电极连接;
多个焊盘,位于所述显示区至少一侧的所述外围区,所述多个焊盘包括显示信号接入焊盘和测试信号接入焊盘,所述测试信号接入焊盘位于所述显示信号接入焊盘的两侧;
其中,所述显示信号接入焊盘被配置为在显示阶段接入显示信号,所述测试信号接入焊盘被配置为在测试阶段接入测试信号,所述测试信号接入焊盘至少包括第一组测试阶段接入焊盘,所述第一组测试阶段接入焊盘包括第一焊盘和第二焊盘,所述第一焊盘与所述电极环电连接,所述第二焊盘与所述硅基衬底电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,各所述第一晶体管包括形成于所述硅基衬底中的有源区、位于所述有源区的两个掺杂区、位于两个所述掺杂区之间的沟道区以及位于所述沟道区上的栅极,两个所述掺杂区分别形成第一极与第二极,所述第二焊盘与各所述第一晶体管的有源区电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试信号接入焊盘还包括第二组测试阶段接入焊盘,所述第二组测试阶段接入焊盘包括第三焊盘和第四焊盘,所述第三焊盘与所述电极环电连接,所述第四焊盘与所述硅基衬底电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述外围区包括绑定区域,所述第三焊盘、所述第四焊盘及多个 所述显示信号接入焊盘位于所述绑定区域内。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一焊盘与所述第三焊盘位于所述显示信号接入焊盘的同一侧,所述第二焊盘与所述第四焊盘位于所述显示信号接入焊盘的另一侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第三焊盘和所述第四焊盘分别与所述显示信号接入焊盘相邻设置。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板设有一个所述第一焊盘和一个所述第二焊盘。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板设有一个所述第三焊盘和一个所述第四焊盘。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第三焊盘与所述第一焊盘连接,所述第四焊盘与所述第二焊盘连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试信号接入焊盘与所述第一电极同层设置。
11.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述驱动层还包括:
连接线,与所述第二焊盘及所述第四焊盘电连接;
多个检测线,与所述连接线连接,且每个所述检测线与一列所述晶体管的有源区分别电连接。
12.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一焊盘通过导线与所述电极环电连接。
13.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二晶体管,形成于所述硅基衬底的外围区中,且包括形成于所述硅基衬底中的有源区、位于所述有源区的两个掺杂区、位于两个所述掺杂区之间的沟道区以及位于所述沟道区上的栅极,两个所述掺杂区分别形成第一极与第二极;所述第二晶体管的第二极与所述电极环电连接,所述第一焊盘与所述第二晶体管的第一极及栅极电连接。
14.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动层包括:
栅绝缘层,设于所述硅基衬底一侧的所述沟道区上;
栅极层,设于所述栅绝缘层背离所述硅基衬底的一侧;
第一平坦层,设于所述硅基衬底的一侧并覆盖所述栅绝缘层与所述栅极层;
第一导电层,设于所述第一平坦层背离所述硅基衬底的一侧;
介质层,设于所述第一平坦层背离所述硅基衬底的一侧并覆盖所述第一导电层;
第二导电层,设于所述介质层背离所述硅基衬底的一侧;
第二平坦层,设于所述介质层背离所述硅基衬底的一侧并覆盖所述第二导电层,所述第一电极层位于第二平坦层背离所述硅基衬底的一侧。
15.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一封装层,设于所述第二电极层远离所述有机发光层的一侧;
彩膜层,设于所述第一封装层远离所述第二电极层的一侧;
第二封装层,设于所述彩膜层远离所述第一封装层的一侧,所述第三焊盘与所述第四焊盘从所述第二封装层露出。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
CN202080000385.5A 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置 Active CN113748507B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210812348.5A CN115207060A (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2020/081858 WO2021189486A1 (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210812348.5A Division CN115207060A (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113748507A CN113748507A (zh) 2021-12-03
CN113748507B true CN113748507B (zh) 2022-08-23

Family

ID=77889907

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210812348.5A Pending CN115207060A (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置
CN202080000385.5A Active CN113748507B (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210812348.5A Pending CN115207060A (zh) 2020-03-27 2020-03-27 显示面板及显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11957013B2 (zh)
EP (1) EP4131375B1 (zh)
CN (2) CN115207060A (zh)
WO (1) WO2021189486A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114973970A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 合肥维信诺科技有限公司 显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002098999A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR20050026588A (ko) * 2003-09-09 2005-03-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
CN103972260A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 三星显示有限公司 集成有触摸屏面板的有机发光显示器
CN104965321A (zh) * 2015-07-01 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板检测系统及检测方法
CN108461480A (zh) * 2017-02-07 2018-08-28 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN108873525A (zh) * 2018-07-17 2018-11-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板的栅极线的测试线路
CN109256045A (zh) * 2017-07-12 2019-01-22 三星显示有限公司 显示装置
CN110634840A (zh) * 2019-09-24 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455437B1 (ko) * 2001-12-29 2004-11-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유리기판의 효율이 향상된 액정표시소자
JP2010010611A (ja) 2008-06-30 2010-01-14 Toshiba Corp プリント回路板及び電子機器
KR102043180B1 (ko) * 2013-04-25 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102246365B1 (ko) * 2014-08-06 2021-04-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR102284142B1 (ko) * 2015-01-13 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 리페어 방법
CN105185816A (zh) * 2015-10-15 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US10692411B2 (en) 2017-12-21 2020-06-23 Lg Display Co., Ltd. Display device, test circuit, and test method thereof
KR102565907B1 (ko) * 2017-12-27 2023-08-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 전계발광 표시장치
CN209016060U (zh) * 2018-12-06 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及电子装置
KR102581763B1 (ko) * 2018-12-13 2023-09-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈의 검사 장치, 그것을 포함하는 검사 시스템 및 그것의 검사 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002098999A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR20050026588A (ko) * 2003-09-09 2005-03-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
CN103972260A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 三星显示有限公司 集成有触摸屏面板的有机发光显示器
CN104965321A (zh) * 2015-07-01 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板检测系统及检测方法
CN108461480A (zh) * 2017-02-07 2018-08-28 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN109256045A (zh) * 2017-07-12 2019-01-22 三星显示有限公司 显示装置
CN108873525A (zh) * 2018-07-17 2018-11-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板的栅极线的测试线路
CN110634840A (zh) * 2019-09-24 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4131375A1 (en) 2023-02-08
CN115207060A (zh) 2022-10-18
US20220140051A1 (en) 2022-05-05
EP4131375A4 (en) 2023-05-31
US11957013B2 (en) 2024-04-09
EP4131375B1 (en) 2024-05-08
CN113748507A (zh) 2021-12-03
US20230017885A1 (en) 2023-01-19
WO2021189486A1 (zh) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11552124B2 (en) Manufacturing method of display apparatus
CN109859647B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN109786421B (zh) 一种显示装置、显示背板及制作方法
CN209016060U (zh) 有机发光二极管阵列基板及电子装置
CN108470526A (zh) 显示面板及其制造方法
CN109741684B (zh) 一种电路基板、显示面板及制作方法
KR102206782B1 (ko) 디스플레이 장치
US20210159287A1 (en) Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN101419978A (zh) 有机发光显示器
WO2022179139A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
CN113380929B (zh) 显示面板制造方法、显示面板及显示设备
CN113811938B (zh) 显示基板及其测试方法
US20220238503A1 (en) Display module
WO2021212560A1 (zh) 检测装置以及检测方法
CN113748507B (zh) 显示面板及显示装置
CN113097193B (zh) 显示面板及其制造方法
US20220293577A1 (en) Display device and display unit
US11817054B2 (en) Pixel structure having repairing light emitting diode die and extending conductor and display having pixel structure
CN113748514B (zh) 显示面板及显示装置
CN114864647A (zh) 显示装置及其制备方法
CN114694590A (zh) 显示装置及其制备方法
CN219679162U (zh) 显示基板及显示装置
CN114464755B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
KR20220164112A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN114530482A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant