KR102284142B1 - 표시 패널 및 그 리페어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 관련된 표시 패널은 복수의 화소 및 복수의 신호선이 형성되는 활성 영역, 활성 영역 주변에 형성되고, 신호선과 활성 영역에서 중첩하는 리페어 배선, 활성 영역 주변에 형성되고, 리페어 배선과 일단이 중첩되는 복수의 제1 트랜지스터, 활성 영역, 리페어 배선 및 복수의 제1 트랜지스터를 씰링(sealing)하는 씰링부, 씰링부 외곽에 형성되고, 복수의 제1 트랜지스터 중 대응하는 제1 트랜지스터에 연결되는 복수의 더미 패드 및 신호선과 연결되는 복수의 구동 패드를 포함하는 패드부 및 복수의 더미 패드 및 복수의 구동 패드 중 대응하는 패드와 연결되고, 테스트 신호를 전달하는 복수의 테스트 신호선을 포함한다.

Description

표시 패널 및 그 리페어 방법{DISPLAY PANEL AND REPAIRING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 패널 및 그 리페어 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 이용한다. 유기 발광 표시 장치는 높은 콘트라스트 및 빠른 응답에 적합하므로, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 PC(slate PC), 태블릿 PC(tablet PC), 울트라북(ultrabook), 웨어러블 디바이스(wearable device), 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터, 디지털 사이니지 등에 사용되고 있다.
표시 패널은 복수의 데이터 선 및 복수의 스캔 선과 같은 신호 배선 및 대응하는 신호 배선에 연결되는 화소가 복수로 형성되어 있다. 스캔 선과 데이터 선 각각은 화소마다 형성되기 때문에 마이크로 미터 단위 이하의 매우 미세한 크기로 형성된다. 따라서, 기판의 제조과정에서 신호 배선들이 단선된다.
이러한 표시 패널에서 신호 배선에 단선이 발생하면, 신호가 단선이 발생한 신호 배선에 연결된 화소로 전달되지 않는 문제가 있으므로, 표시 품질이 악화되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 데이터 선에 단선이 발생하는 경우 데이터 선의 단선을 용이하게 수리하는 표시 패널 및 그 리페어 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시 예에 관련된 표시 패널은 복수의 화소 및 복수의 신호선이 형성되는 활성 영역, 활성 영역 주변에 형성되고, 신호선과 활성 영역에서 중첩하는 리페어 배선, 활성 영역 주변에 형성되고, 리페어 배선과 일단이 중첩되는 복수의 제1 트랜지스터, 활성 영역, 리페어 배선 및 복수의 제1 트랜지스터를 씰링(sealing)하는 씰링부, 씰링부 외곽에 형성되고, 복수의 제1 트랜지스터 중 대응하는 제1 트랜지스터에 연결되는 복수의 더미 패드 및 신호선과 연결되는 복수의 구동 패드를 포함하는 패드부 및 복수의 더미 패드 및 복수의 구동 패드 중 대응하는 패드와 연결되고, 테스트 신호를 전달하는 복수의 테스트 신호선을 포함한다.
복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선은 중첩하는 리페어 배선과 연결될 수 있다.
불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 복수의 제1 트랜지스터가 선택적으로 리페어 배선과 연결될 수 있다.
불량이 발생한 불량 지점의 주변 지점이 절단될 수 있다.
복수의 더미 패드 중 대응하는 더미 패드에 일단이 연결되고, 타단이 대응하는 테스트 신호선에 연결되며, 게이트는 제1 트랜지스터와 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 복수의 제2 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
복수의 제1 트랜지스터 중 적어도 하나의 트랜지스터는 리페어 배선과 일단이 연결되고, 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 일단이 연결된 제1 트랜지스터가 리페어 배선과 격리될 수 있다.
씰링부 외곽에 형성되고, 리페어 배선과 연결되는 리페어 패드 및 리페어 패드에 일단이 연결되고, 타단이 복수의 테스트 신호선에 모두 중첩하며, 게이트는 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 제2 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라, 대응하는 테스트 신호선과 제2 트랜지스터의 타단이 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 관련된 표시 패널 리페어 방법은 복수의 화소 및 복수의 신호선이 형성되는 활성 영역, 활성 영역 주변에 형성되고, 신호선과 활성 영역에서 중첩하는 리페어 배선, 활성 영역 주변에 형성되고, 리페어 배선과 일단이 중첩되는 복수의 제1 트랜지스터, 활성 영역, 리페어 배선 및 복수의 제1 트랜지스터를 씰링(sealing)하는 씰링부, 씰링부 외곽에 형성되고, 복수의 제1 트랜지스터 중 대응하는 제1 트랜지스터에 연결되는 복수의 더미 패드 및 신호선과 연결되는 복수의 구동 패드를 포함하는 패드부 및 복수의 더미 패드 및 복수의 구동 패드 중 대응하는 패드와 연결되고, 테스트 신호를 전달하는 복수의 테스트 신호선을 포함하는 표시 패널의 리페어 방법에 있어서, 신호선의 불량이 발생한 지점의 주변 지점을 절단하는 단계, 복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선을 중첩하는 리페어 배선과 연결하는 단계 및 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 복수의 제1 트랜지스터을 선택하여 리페어 배선과 연결하는 단계를 포함한다.
표시 패널은 복수의 더미 패드 중 대응하는 더미 패드에 일단이 연결되고, 타단이 대응하는 테스트 신호선에 연결되며, 게이트는 제1 트랜지스터와 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 복수의 제2 트랜지스터를 더 포함하고, 제1 트랜지스터와 리페어 배선이 연결되면, 테스트 시작 신호를 디스에이블 레벨로 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 패널 및 그 리페어 방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 데이터 선에 단선이 발생하는 경우에도 표시 품질을 개선할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시 예와 같은 특정 실시 예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 다양한 실시 예에 관련된 표시 패널의 리페어 방법에 대해 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일?유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 리페어 방법에서, 특정 전극을 절단하거나, 복수의 전극 또는 층을 연결하는 경우 레이저 장치를 이용할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 일반적인 표시 장치의 제조 또는 수리 공정에서 절단 또는 연결하는 데 사용될 수 있는 공지의 다양한 방법이 적용될 수 있다.
도 1은 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 표시 패널의 활성 영역 (active area, 10)에는 복수의 데이터 선(D1~Dm) 및 복수의 스캔 선(S1~Sn)이 형성될 수 있다. 데이터 선은 데이터 신호를 전달하며 제1 방향으로 연장되어 형성된다. 스캔 선은 스캔 신호를 전달하며 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
그리고, 스캔 선과 데이터 선이 교차하는 영역에 대응하여 화소(PX)가 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 화소(PX)가 스캔 선과 데이터 선이 교차하는 영역마다 대응하여 배치될 수 있다.
화소(PX)는 대응하는 스캔 선과 연결될 수 있다. 또한, 화소(PX)는 대응하는 데이터 선과 연결될 수 있다. 화소(PX)는 캐소드, 애노드 및 유기 발광층으로 이루어진 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 화소(PX) 회로를 포함할 수 있다.
다음으로, 활성 영역(10)의 주변 영역에 씰링부(20)가 형성될 수 있다. 씰링부(20)는 활성 영역(10)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 씰링부(20)는 기판과 봉지 기판을 안정적으로 결합시키고, 또한, 외부의 공기, 습기 기타 이물이 활성 영역(10)으로 침투하지 않도록 한다. 씰링부(20)는 바나듐(V) 산화물 또는 비스무스(Bi) 산화물을 포함한다. 또한, 씰링부(20)는 다양한 재료를 함유할 수 있는데, 예를 들면 TeO2, ZnO, BaO, Nb2O5, SiO2, Al2O3, ZrO2, P2O5로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다
그리고, 신호 배선은 패드부(40)를 통해 드라이버 IC와 연결될 수 있다. 패드부(40)는 활성 영역(10)을 둘러싼 씰링부(20)의 외곽에 형성될 수 있다. 패드부(40)는 복수의 패드를 포함하며, 각각의 패드는 대응하는 데이터 선의 단부와 연결되어 있다.
구동 회로(30)는 복수의 패드에 데이터 신호를 전달할 수 있다. 구동 회로(30)와 복수의 패드 사이에는 복수의 구동 회로(30) 출력선이 형성되어 구동 회로(30)와 복수의 패드를 연결할 수 있다.
구동 회로(30)에서 출력되고, 패드를 통과한 데이터 신호가 데이터 선을 통해서 화소(PX)로 전달될 수 있다. 화소(PX)로 전달된 데이터 신호에 따라 유기 발광 다이오드에 구동 전류가 흐르게 되어, 유기 발광 다이오드가 발광한다.
이와 같이 구성된 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)가 불량인 경우, 해당 화소(PX)를 리페어(repair)한다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 신호선이 단선된 경우, 단선된 신호선을 리페어한다.
일반적으로, 신호선을 리페어하는 배선 및 패드와 화소(PX)를 리페어하는 배선 및 패드는 하나로 구성될 수 있다. 따라서, 신호선 또는 화소(PX)를 선택적으로 리페어하는 문제점이 있다.
또한, 신호선 또는 화소(PX)를 리페어하기 위해서는 씰링부(20) 외각의 패드 영역에서 레이저 등을 이용하여 배선을 단락하거나, 절단하는 공정이 수행되므로, 이후 배선이 부식될 수 있는 문제점이 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 여러 실시 예에 따른 신호선 리페어 방법에 대해 설명한다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 다양한 실시 예에 관련된 표시 패널의 리페어 방법에 대해 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예에 따르면 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)을 리페어하는 배선(RL2, 이하, 리페어 배선(RL2)으로 설명함) 및 패드(RLP)와 화소(PX)를 리페어하는 배선(RL1) 및 패드(RPP)가 표시 패널에 별도로 구성될 수 있다. 그리고, 씰링부(20) 내부에 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)가 형성될 수 있다. 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단은 리페어 배선(RL2)과 중첩할 수 있다. 리페어 배선(RL2)과 중첩한 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단은 리페어 공정을 통해 리페어 배선(RL2)과 연결될 수 있다.
또한, 복수의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 더미 패드(DP1, DP2, DP3)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)를 통해 연결될 수 있다.
각각의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)는 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되고, 일단이 대응하는 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 또는 DC_B 배선(DC_B)에 연결되며, 타단이 대응하는 더미 패드(DP1, DP2, DP3)에 연결될 수 있다. 그리고, 각각의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)는 대응하는 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)에 연결된다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(T1)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 더미 패드(DP1)를 통해 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)로 전달될 수 있다.
그리고, 도 1에 설명한 바와 같이, 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)가 씰링부(20) 외곽에 형성될 수 있다. 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)는 대응하는 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)과 연결될 수 있다. 복수의 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)에는 각각 복수의 화소(PX)가 연결될 수 있다.
또한, 구동 패드(RP, GP, BP)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 구동 패드(RP, GP, BP)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(TR, TG, TB)를 통해 연결될 수 있다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(TR)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 구동 패드(RP)를 통해 대응하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj)에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 신호선(Dj)에 연결된 모든 화소(PX)에 R 데이터가 전달되지 않을 수 있다. 예를 들어, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)과 연결된 화소(PX_F)에는 R 데이터가 전달될 수 없다.
DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제1 방향으로 위치하는 신호선은 구동 패드(RP)가 직접 연결되어 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 있다. 그러나, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선은 불량 지점(LF)에 의해 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 없다.
그러면, 불량 지점(LF)을 격리시키기 위해, 불량 지점(LF)의 주변 지점(CP1, CP2)을 절단한다. 예를 들어, 불량 지점(LF)의 제1 방향 및 제2 방향의 지점(CP1, CP2)을 절단할 수 있다. 불량 지점(LF)의 신호선(Dj)에 연결된 화소(PX_F)와 인접한 화소로 정상적으로 신호가 공급되도록 불량 지점(LF)을 적절하게 격리시킨다.
그리고, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결한다. 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 단락시키기 위해, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)이 중첩하는 지점(SP1)에 레이저 등을 조사하여 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결할 수 있다.
다음으로, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)의 일단(SP2)을 리페어 배선(RL2)과 연결한다. 리페어 배선(RL2)과 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단을 단락시키기 위해 별도의 연결 부재를 형성하고, 레이저 등을 이용하여 리페어 배선(RL2)과 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단을 연결할 수 있다.
그러면, 턴 온된 제1 트랜지스터(TS1)를 통해 DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 R 데이터가 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 씰링부(20) 내부에서 레이저를 이용하여 절단 또는 단락 공정이 수행되므로, 배선의 부식을 경감시킬 수 있다. 또한, 화소(PX) 리페어 공정과 별도로 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2) 리페어 공정이 수행될 수 있는 장점이 있다. 그리고, 불량이 발생한 신호선으로 공급되는 데이터의 종류에 따라 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)를 선택하여 리페어 배선(RL2)과 연결할 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하여 제2 실시 예에 따른 표시 패널의 리페어 방법에 대해 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예에 따르면 리페어 배선(RL2) 및 패드(RLP)와 화소(PX)를 리페어하는 배선(RL1) 및 패드(RPP)가 표시 패널에 별도로 구성될 수 있다. 그리고, 씰링부(20) 내부에 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)가 형성될 수 있다. 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단은 리페어 배선(RL2)과 모두 연결될 수 있다.
또한, 복수의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 더미 패드(DP1, DP2, DP3)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)를 통해 연결될 수 있다.
각각의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)는 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되고, 일단이 대응하는 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 또는 DC_B 배선(DC_B)에 연결되며, 타단이 대응하는 더미 패드(DP1, DP2, DP3)에 연결될 수 있다. 그리고, 각각의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)는 대응하는 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)에 연결된다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(T1)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 더미 패드(DP1)를 통해 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)로 전달될 수 있다.
그리고, 도 1에 설명한 바와 같이, 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)가 씰링부(20) 외곽에 형성될 수 있다. 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)는 대응하는 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)과 연결될 수 있다. 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)에는 복수의 화소(PX)가 연결될 수 있다.
또한, 구동 패드(RP, GP, BP)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 구동 패드(RP, GP, BP)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(TR, TG, TB)를 통해 연결될 수 있다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(TR)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 구동 패드(RP)를 통해 대응하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj)에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 신호선(Dj)에 연결된 모든 화소(PX)에 R 데이터가 전달되지 않을 수 있다. 예를 들어, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제1 방향으로 위치하는 신호선은 구동 패드(RP)가 직접 연결되어 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 있다. 그러나, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선은 불량 지점(LF)에 의해 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 없다.
그러면, 불량 지점(LF)을 격리시키기 위해, 불량 지점(LF)의 주변 지점(CP3, CP4)을 절단한다. 예를 들어, 불량 지점(LF)의 제1 방향 및 제2 방향의 지점(CP3, CP4)을 절단할 수 있다. 불량 지점(LF)의 신호선(Dj)에 연결된 화소(PX_F)와 인접한 화소로 정상적으로 신호가 공급되도록 불량 지점(LF)을 적절하게 격리시킨다.
그리고, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결한다. 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 단락시키기 위해, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)이 중첩하는 지점(SP3)에 레이저 등을 조사하여 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결할 수 있다.
다음으로, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)를 제외한 제1 트랜지스터(TS2, TS3)의 일단을 리페어 배선(RL2)과 격리시킨다. 리페어 배선(RL2)과 DC_G 배선(DC_G)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS2)의 일단(CP5)을 격리시키기 위해 레이저 등을 이용하여 리페어 배선(RL2)에 연결된 DC_G 배선(DC_G)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS2)의 일단(CP5)을 절단할 수 있다. 리페어 배선(RL2)과 DC_B 배선(DC_B)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS3)의 일단(CP6)을 격리시키기 위해 레이저 등을 이용하여 리페어 배선(RL2)에 연결된 DC_B 배선(DC_B)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS3)의 일단(CP6)을 절단할 수 있다.
그러면, 턴 온된 제1 트랜지스터(TS1)를 통해 DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 R 데이터가 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선으로 전달될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 씰링부(20) 내부에서 레이저를 이용하여 절단 또는 단락 공정이 수행되므로, 배선의 부식을 경감시킬 수 있다. 또한, 화소(PX) 리페어 공정과 별도로 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2) 리페어 공정이 수행될 수 있는 장점이 있다. 그리고, 불량이 발생한 신호선(Dj)으로 공급되는 데이터의 종류에 따라 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)와 리페어 배선(RL2)과의 연결을 유지할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하여 제3 실시 예에 따른 표시 패널의 리페어 방법에 대해 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예에 따르면 리페어 배선(RL2) 및 패드(RLP)와 화소(PX)를 리페어하는 배선(RL1) 및 패드(RPP)가 표시 패널에 별도로 구성될 수 있다. 그리고, 씰링부(20) 내부에 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)가 형성될 수 있다. 적어도 하나의 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)의 일단은 리페어 배선(RL2)과 연결될 수 있다.
또한, 복수의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 더미 패드(DP1, DP2, DP3)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)를 통해 연결될 수 있다.
각각의 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)는 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되고, 일단이 대응하는 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 또는 DC_B 배선(DC_B)에 연결되며, 타단이 대응하는 더미 패드(DP1, DP2, DP3)에 연결될 수 있다. 그리고, 각각의 더미 패드(DP1, DP2, DP3)는 대응하는 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)에 연결된다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(T1)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 더미 패드(DP1)를 통해 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)로 전달될 수 있다.
그리고, 도 1에 설명한 바와 같이, 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)가 씰링부(20) 외곽에 형성될 수 있다. 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)는 대응하는 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)과 연결될 수 있다. 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)에는 복수의 화소(PX)가 연결될 수 있다.
또한, 구동 패드(RP, GP, BP)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 구동 패드(RP, GP, BP)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(TR, TG, TB)를 통해 연결될 수 있다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(TR)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 구동 패드(RP)를 통해 대응하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj)에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 신호선(Dj)에 연결된 모든 화소(PX)에 R 데이터가 전달되지 않을 수 있다. 예를 들어, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제1 방향으로 위치하는 신호선은 구동 패드(RP)가 직접 연결되어 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 있다. 그러나, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선은 불량 지점(LF)에 의해 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 없다.
그러면, 불량 지점(LF)을 격리시키기 위해, 불량 지점(LF)의 주변 지점(CP7, CP8)을 절단한다. 예를 들어, 불량 지점(LF)의 제1 방향 및 제2 방향의 지점(CP7, CP8)을 절단할 수 있다. 불량 지점(LF)의 신호선(Dj)에 연결된 화소(PX_F)와 인접한 화소로 정상적으로 신호가 공급되도록 불량 지점(LF)을 적절하게 격리시킨다.
그리고, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결한다. 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 단락시키기 위해, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)이 중첩하는 지점(SP4)에 레이저 등을 조사하여 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결할 수 있다.
다음으로, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS1)의 일단(SP5)을 리페어 배선(RL2)과 연결하고, 리페어 배선(RL2)과 미리 연결되어 있던 제1 트랜지스터(TS2)의 일단(CP9)을 일단을 리페어 배선(RL2)과 격리시킨다. 리페어 배선(RL2)과 제1 트랜지스터(TS1)의 일단(SP5)을 단락시키기 위해 별도의 연결 부재를 형성하고, 레이저 등을 이용하여 리페어 배선(RL2)과 제1 트랜지스터(TS1)의 일단(SP5)을 연결할 수 있다. 그리고, 리페어 배선(RL2)과 DC_G 배선(DC_G)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS2)의 일단(CP9)을 격리시키기 위해 레이저 등을 이용하여 리페어 배선(RL2)에 연결된 DC_G 배선(DC_G)에 대응하는 제1 트랜지스터(TS2)의 일단(CP9)을 절단할 수 있다.
그러면, 턴 온된 제1 트랜지스터(TS1)를 통해 DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 R 데이터가 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 씰링부(20) 내부에서 레이저를 이용하여 절단 또는 단락 공정이 수행되므로, 배선의 부식을 경감시킬 수 있다. 또한, 화소(PX) 리페어 공정과 별도로 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2) 리페어 공정이 수행될 수 있는 장점이 있다. 그리고, 불량이 발생한 신호선(Dj)으로 공급되는 데이터의 종류에 따라 제1 트랜지스터(TS1, TS2, TS3)와 리페어 배선(RL2)과의 연결을 유지할 수 있다.
다음으로, 도 5을 참조하여 제4 실시 예에 따른 표시 패널의 리페어 방법에 대해 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예에 따르면 리페어 배선(RL2) 및 패드(RLP)와 화소(PX)를 리페어하는 배선(RL1) 및 패드(RPP)가 표시 패널에 별도로 구성될 수 있다.
리페어 배선(RL2)에 연결된 리페어 패드(RLP)는 제2 트랜지스터(TL)와 연결된다. 일단이 리페어 패드(RLP)와 연결된 제2 트랜지스터(TL)의 타단은 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 및 DC_B 배선(DC_B)과 모두 중첩한다.
그리고, 도 1에 설명한 바와 같이, 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)가 씰링부(20) 외곽에 형성될 수 있다. 복수의 구동 패드(RP, GP, BP)는 대응하는 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)과 연결될 수 있다. 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2)에는 복수의 화소(PX)가 연결될 수 있다.
또한, 구동 패드(RP, GP, BP)가 각각 RGB 데이터 중 R 데이터를 공급하는 DC_R 배선(DC_R), G 데이터를 공급하는 DC_G 배선(DC_G) 및 B 데이터를 공급하는 DC_B 배선(DC_B) 중 어느 하나의 배선에 연결될 수 있다. 구동 패드(RP, GP, BP)와 각각의 배선은 DC 게이트 신호 배선(DC GATE)에 게이트가 연결되는 복수의 제2 트랜지스터(TR, TG, TB)를 통해 연결될 수 있다.
따라서, DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 신호는 대응하는 제2 트랜지스터(TR)가 DC 게이트 신호에 의해 턴 온되면, 구동 패드(RP)를 통해 대응하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj)에 불량이 발생하는 경우, 불량이 발생한 신호선(Dj)에 연결된 모든 화소(PX)에 R 데이터가 전달되지 않을 수 있다. 예를 들어, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제1 방향으로 위치하는 신호선은 구동 패드(RP)가 직접 연결되어 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 있다. 그러나, DC_R 배선(DC_R)에 대응하는 신호선(Dj) 중 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선은 불량 지점(LF)에 의해 R 데이터를 화소(PX)로 전달할 수 없다.
그러면, 불량 지점(LF)을 격리시키기 위해, 불량 지점(LF)의 주변 지점(CP10, CP11)을 절단한다. 예를 들어, 불량 지점(LF)의 제1 방향 및 제2 방향의 지점(CP10, CP11)을 절단할 수 있다. 불량 지점(LF)의 신호선(Dj)에 연결된 화소(PX_F)와 인접한 화소로 정상적으로 신호가 공급되도록 불량 지점(LF)을 적절하게 격리시킨다.
그리고, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결한다. 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 단락시키기 위해, 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)이 중첩하는 지점(SP6)에 레이저 등을 조사하여 리페어 배선(RL2)과 불량이 발생한 신호선(Dj)을 연결할 수 있다.
다음으로, 제2 트랜지스터(TL)의 타단(SP7)과 DC_R 배선(DC_R)을 연결한다. DC_R 배선(DC_R)과 제2 트랜지스터(TL)의 타단(SP7)을 단락시키기 위해 별도의 연결 부재를 형성하고, 레이저 등을 이용하여 DC_R 배선(DC_R)과 제2 트랜지스터(TL)의 타단(SP7)을 연결할 수 있다.
즉, 불량이 발생한 신호선(Dj)으로 공급하는 데이터의 종류에 따라, 중첩하는 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 및 DC_B 배선(DC_B) 중 하나가 선택되어 제2 트랜지스터(TL)의 타단과 연결될 수 있다.
그러면, 턴 온된 제1 트랜지스터(TS1)를 통해 DC_R 배선(DC_R)을 통해 전달되는 R 데이터가 불량 지점(LF)으로부터 제2 방향으로 위치하는 신호선(Dj)으로 전달될 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 화소(PX) 리페어 공정과 별도로 신호선(Dj, Dj+1, Dj+2) 리페어 공정이 수행될 수 있는 장점이 있다. 그리고, 불량이 발생한 신호선(Dj)으로 공급되는 데이터의 종류에 따라 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)의 타단을 DC_RGB 배선과 연결할 수 있다.
도 2 내지 도 5의 실시 예에 따른 리페어 방법에 의해 불량이 발생한 신호선(Dj)으로 공급되는 데이터의 종류에 따라 R 데이터, G데이터, B 데이터를 선택하여 연결하는 리페어 공정을 수행할 수 있다.
이후, 구동 회로(30)와 표시 패널을 연결하면, DC 게이트 신호를 디스에이블 레벨로 공급하여, 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)를 턴 오프 시킬 수 있다. 따라서, 패드로 DC_R 배선(DC_R), DC_G 배선(DC_G) 및 DC_B 배선(DC_B)으로부터의 신호 공급이 중지된다. 또한, 제2 트랜지스터(T1, T2, T3)를 턴 오프시킴에 따라 리페어 라인(RL2)의 로드가 감소될 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10: 활성 영역 20: 씰링부
30: 구동 회로 40: 패드부

Claims (10)

  1. 복수의 화소 및 복수의 신호선이 형성되는 활성 영역;
    상기 활성 영역 주변에 형성되고, 상기 신호선과 상기 활성 영역에서 중첩하는 리페어 배선;
    상기 활성 영역 주변에 형성되고, 상기 리페어 배선과 일단이 중첩되는 복수의 제1 트랜지스터;
    상기 활성 영역, 상기 리페어 배선 및 상기 복수의 제1 트랜지스터를 씰링(sealing)하는 씰링부;
    상기 씰링부 외곽에 형성되고, 상기 복수의 제1 트랜지스터 중 대응하는 제1 트랜지스터에 연결되는 복수의 더미 패드 및 상기 신호선과 연결되는 복수의 구동 패드를 포함하는 패드부; 및
    상기 복수의 더미 패드 및 상기 복수의 구동 패드 중 대응하는 패드와 연결되고, 테스트 신호를 전달하는 복수의 테스트 신호선;
    을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선은 중첩하는 상기 리페어 배선과 연결되는 표시 패널.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 상기 복수의 제1 트랜지스터가 선택적으로 상기 리페어 배선과 연결되는 표시 패널.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 불량이 발생한 불량 지점의 주변 지점이 절단되는 표시 패널.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 더미 패드 중 대응하는 더미 패드에 일단이 연결되고, 타단이 대응하는 테스트 신호선에 연결되며, 게이트는 상기 제1 트랜지스터와 상기 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 복수의 제2 트랜지스터;
    를 더 포함하는 표시 패널.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 트랜지스터 중 적어도 하나의 트랜지스터는 상기 리페어 배선과 일단이 연결되고, 상기 복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 상기 일단이 연결된 제1 트랜지스터가 상기 리페어 배선과 격리되는 표시 패널.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 씰링부 외곽에 형성되고, 상기 리페어 배선과 연결되는 리페어 패드; 및
    상기 리페어 패드에 일단이 연결되고, 타단이 복수의 테스트 신호선에 모두 중첩하며, 게이트는 상기 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 제2 트랜지스터;
    를 더 포함하는 표시 패널.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라, 상기 대응하는 테스트 신호선과 상기 제2 트랜지스터의 타단이 연결되는 표시 패널.
  9. 복수의 화소 및 복수의 신호선이 형성되는 활성 영역, 상기 활성 영역 주변에 형성되고, 상기 신호선과 상기 활성 영역에서 중첩하는 리페어 배선, 상기 활성 영역 주변에 형성되고, 상기 리페어 배선과 일단이 중첩되는 복수의 제1 트랜지스터, 상기 활성 영역, 상기 리페어 배선 및 상기 복수의 제1 트랜지스터를 씰링(sealing)하는 씰링부, 상기 씰링부 외곽에 형성되고, 상기 복수의 제1 트랜지스터 중 대응하는 제1 트랜지스터에 연결되는 복수의 더미 패드 및 상기 신호선과 연결되는 복수의 구동 패드를 포함하는 패드부 및 상기 복수의 더미 패드 및 상기 복수의 구동 패드 중 대응하는 패드와 연결되고, 테스트 신호를 전달하는 복수의 테스트 신호선을 포함하는 표시 패널의 리페어 방법에 있어서,
    상기 신호선의 불량이 발생한 지점의 주변 지점을 절단하는 단계;
    상기 복수의 신호선 중 불량이 발생한 신호선을 중첩하는 상기 리페어 배선과 연결하는 단계; 및
    상기 불량이 발생한 신호선에 공급되는 테스트 신호의 종류에 따라 상기 복수의 제1 트랜지스터을 선택하여 상기 리페어 배선과 연결하는 단계;
    를 포함하는 표시 패널의 리페어 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 복수의 더미 패드 중 대응하는 더미 패드에 일단이 연결되고, 타단이 대응하는 테스트 신호선에 연결되며, 게이트는 상기 제1 트랜지스터와 상기 씰링부 외곽에서 테스트 시작 신호가 공급되는 테스트 시작 신호 선에 연결되는 복수의 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터와 상기 리페어 배선이 연결되면, 상기 테스트 시작 신호를 디스에이블 레벨로 공급하는 단계;
    를 더 포함하는 표시 패널의 리페어 방법.
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