CN110634840A - 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法 - Google Patents

检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法。检测基板包括基底，所述基底包括多个通孔，所述通孔内嵌设有电极柱，所述基底包括检测区域和焊盘区域，所述检测区域包括驱动电路，所述焊盘区域设置有焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。本发明通过引入检测基板，实现了在巨量转移前对发光元件进行点亮检测，保证了巨量转移前发光元件的良品率，降低了巨量转移后的修复比例，有效克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前发光元件的良品率等问题。

Description

检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种用于巨量检测发光二极管的检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术发展了近三十年，具有体积小、亮度高和能耗小等特点，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，尺寸约在100微米的次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)显示和50微米以下的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，Micro LED显示具有低功耗、高色域、超高分辨率、超薄等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Diode，OLED)的更优显示技术。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法，以克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前发光元件的良品率等问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种检测基板，包括基底，所述基底包括多个通孔，所述通孔内嵌设有电极柱，所述基底包括检测区域和焊盘区域，所述检测区域包括驱动电路，所述焊盘区域设置有焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
可选地，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述电极柱分别凸出于所述第一表面和第二表面，在所述第一表面一侧形成第一触点，在所述第二表面一侧形成第二触点。
可选地，所述第一表面上设置有导电胶层，所述导电胶层包括多个覆盖所述第一触点的导电胶块。
可选地，所述焊盘和驱动电路设置在第二表面上，所述焊盘通过驱动电路连接所述电极柱的第二触点。
可选地，所述驱动电路包括与所述焊盘连接的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个测试单元，所述多个测试单元中的至少一个中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的第一电极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述电极柱的第二触点连接；或者，所述驱动电路包括连接线，所述连接线的一端连接所述焊盘，所述连接线的另一端连接所述电极柱的第二触点。
可选地，所述通孔的侧壁上设置有种子层，所述种子层为管状结构，所述电极柱为设置在种子层内的柱结构，所述电极柱的外表面与种子层的内表面紧密贴合。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种检测基板的制备方法，包括：
提供包括多个通孔的基底，所述基底包括检测区域和焊盘区域；
在所述多个通孔内形成电极柱；
在所述检测区域形成驱动电路，在所述焊盘区域形成焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
可选地，在所述多个通孔内形成电极柱，包括：
在具有所述多个通孔的基底上沉积金属薄膜；
通过构图工艺对所述金属薄膜进行构图，以在所述通孔的侧壁上形成种子层；
通过电镀工艺，在所述通孔内形成电极柱；所述电极柱分别凸出于所述基底的第一表面和第二表面，在所述第一表面一侧形成第一触点，在所述第二表面一侧形成第二触点；所述第二表面是与所述第一表面相对的表面。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种检测装置，包括：
承载基板，用于承载如上所述的检测基板；
转移设备，用于将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构，与所述检测基板的焊盘电连接，用于对所述待检测元件施加电信号。
可选地，所述待检测元件为发光二极管，还包括自动光学检测装置，所述自动光学检测装置用于采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种检测方法，包括：
将如上所述的检测基板设置在承载基板上，所述检测基板的焊盘与控制机构电连接；
转移设备将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述多个待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构向所述待检测元件施加电信号。
可选地，所述待检测元件为发光二极管，还包括：
自动光学检测装置采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
本发明实施例提供了一种检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法，通过引入检测基板，实现了在巨量转移前对待检测元件进行检测，保证了巨量转移前待检测元件的良品率，降低了巨量转移后的修复比例，有效克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前待检测元件的良品率等问题。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例检测基板的结构示意图；
图2为本发明实施例基底的结构示意图；
图3为本发明实施例沉积第一金属薄膜后的示意图；
图4为本发明实施例形成种子层图案后的示意图；
图5为本发明实施例形成电极柱图案后的示意图；
图6为本发明实施例形成保护层图案后的示意图；
图7为本发明实施例形成驱动电路和焊盘图案后的示意图；
图8为本发明实施例检测基板中驱动电路和焊盘的等效电路示意图；
图9为本发明实施例检测基板中薄膜晶体管与电极柱连接的示意图；
图10为本发明实施例形成封装层图案后的示意图；
图11为本发明实施例检测基板中驱动电路和焊盘的另一结构示意图；
图12为本发明实施例检测基板设置在承载基板上的示意图；
图13为本发明实施例转移设备转移发光元件的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 11—第一表面； 12—第二表面；
20—种子层； 30—电极柱； 31—第一触点；
32—第二触点； 40—保护层； 41—导电胶块；
51—驱动电路； 52—焊盘； 53—封装层；
100—承载基板； 200—检测基板； 300—外部检测装置；
400—转移设备； 401—转移板； 402—传送头；
403—控制器； 500—发光元件； 501—引脚。
具体实施方式
巨量转移技术是将大量(通常为几万至几十万个)Micro/Mini LED转移到驱动电路板上形成LED阵列，而巨量检测技术是在巨量转移前对Micro/Mini LED进行检测。目前，现有巨量检测方式仅仅是对Micro/Mini LED的平面及3D形貌进行外观检测，以剔除存在裂纹不良等缺陷的Micro/Mini LED。
经本申请发明人研究发现，现有巨量检测虽然可以剔除存在外观缺陷的Micro/Mini LED，但外观合格后的Micro/Mini LED仍可能存在不能点亮等缺陷，因而现有巨量检测方式不能保证巨量转移前Micro/Mini LED的良品率。由于巨量转移前Micro/Mini LED的良品率较低，不能保证绑定(bonding)到驱动电路板上的Micro/Mini LED都是能够点亮的，因而使得巨量转移后修复比例较高，不仅降低了Micro/Mini LED的转移效率，而且无法满足实际量产的需求。
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前发光元件的良品率等问题，本发明实施例提供了一种用于巨量检测待检测元件的检测基板。本发明实施例检测基板的主体结构包括基底，所述基底包括多个通孔，所述通孔内嵌设有电极柱，所述基底包括检测区域和焊盘区域，所述检测区域包括驱动电路，所述焊盘区域设置有焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
图1为本发明实施例检测基板的结构示意图。如图1所示，发明实施例的检测基板包括：
基底10，包括检测区域和位于检测区域外围的焊盘区域，基底10的检测区域内开设有多个规则排布的通孔；同时，基底10具有相互背离的两个表面：第一表面11和第二表面12；
多个电极柱30，分别嵌设在基底10的多个通孔内，且凸出于基底10的第一表面11和第二表面12；在基底10第一表面11一侧，电极柱30凸出于第一表面11的部分形成多个第一触点31；在基底10第二表面12一侧，电极柱30凸出于第二表面12的部分形成多个第二触点32；
多个导电胶块41，设置在基底10的第一表面11上，每个导电胶块41覆盖一个第一触点31，形成位于检测区域的导电胶层；
驱动电路51，设置在基底10的第二表面12上，位于检测区域，驱动电路51与每个电极柱30的第二触点32连接；
多个焊盘52，设置在基底10的第二表面12上，位于焊盘区域，多个焊盘52与驱动电路51连接。
在巨量检测待检测元件时，焊盘52与外部测试装置电连接，电极柱30通过导电胶块42与待检测元件的引脚电连接，外部测试装置输出的测试信号通过焊盘52、驱动电路51、电极柱30和导电胶块42传输给待检测元件。其中，待检测元件可以是发光元件，如发光二极管，发光二极管包括Micro LED或者Mini LED。
其中，所述驱动电路包括多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个规则排布的测试单元，多个测试单元的至少一个中设置有薄膜晶体管和电极柱，所述薄膜晶体管的栅电极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的第一电极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述电极柱的第二触点连接。或者，驱动电路包括连接线，所述连接线的一端连接所述焊盘，所述连接线的另一端连接所述电极柱的第二触点。
其中，基底的每个通孔的侧壁上设置有种子层，所述种子层用于通过电镀工艺形成所述电极柱。
其中，基底的第二表面上还设置有覆盖驱动电路和第二触点的封装层。
本发明实施例提供了一种检测基板，通过在基底上形成电极柱、驱动电路和焊盘，实现了在巨量转移前对巨量发光元件进行点亮检测，保证了巨量转移前发光元件的良品率，降低了巨量转移后的修复比例，有效克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前发光元件的良品率等问题。
下面通过本实施例检测基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。其中，待检测元件以Micro LED为例。
(1)形成基底10。在平行于基底10的平面内，基底10包括检测区域和位于检测区域外围的焊盘区域，检测区域开设有多个规则排布的通孔K。在垂于于基底10的平面内，基底10包括相互背离的两个表面：第一表面11和第二表面12，第一表面11作为检测时与待检测Micro LED相对的检测面(上表面)，第二表面12作为检测时与承载基板相对的承载面(下表面)，通孔K贯通基底10的第一表面11和第二表面12，如图2所示。其中，基底10可以采用玻璃等硬质材料，既可以是定制的通孔玻璃(Through Glass Via，TGV)，也可以采用成熟的刻蚀技术在玻璃上形成多个通孔，这里不再赘述。其中，基底的厚度为150微米～200微米。在平行于基底的平面内，通孔的截面形状可以是圆形、椭圆形、矩形或多边形，相邻通孔之间的距离可以根据待检测元件的引脚的间距来设置。当通孔的截面形状为圆形时，通孔的直径为5微米～20微米；当通孔的截面形状为多边形时，通孔的对角线为5微米～20微米。
(2)形成种子层20图案。形成种子层20图案包括：将基底10设置在机台上，在基底10的第一表面11一侧采用溅射方式沉积第一金属薄膜21，使第一金属薄膜21形成在基底10的第一表面11上、多个通孔K的侧壁上和多个通孔K底部的机台上，如图3所示。随后，通过构图工艺对第一金属薄膜21进行构图，去除第一表面11上的第一金属薄膜，保留通孔K侧壁上的第一金属薄膜，将基底10从机台上移走以去除机台上的第一金属薄膜，形成位于多个通孔K侧壁上的种子层20图案，种子层20为管状结构，如图4所示。其中，第一金属薄膜可以采用金属材料，如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，第一金属薄膜的厚度为0.3微米～0.8微米。优选地，第一金属薄膜采用铜Cu材料。
(3)形成电极柱30图案。形成电极柱30图案包括：在形成前述图案的基底10上，通过电镀工艺，在基底10的多个通孔K内利用通孔K侧壁上的种子层20形成多个电极柱30图案。其中，电镀工艺采用的材料与种子层20的材料可以相同，也可以不同。当电镀工艺采用的材料与种子层的材料相同时，电极柱和种子层形成一体的柱结构。当电镀工艺采用的材料与种子层的材料不相同时，种子层为管状结构，电极柱为设置在种子层管状内的柱结构，电极柱的外表面与种子层的内表面紧密贴合，实现电极柱与种子层的连接。通过控制电镀的工艺参数，使得每个电极柱30不仅完全填充通孔K，而且每个电极柱30的高度大于基底10的厚度，使每个电极柱30在基底10的两个表面上凸出出来，即在基底10的第一表面11一侧，电极柱30凸出于第一表面11之上，在第一表面11一侧形成第一触点31；在基底10的第二表面12一侧，电极柱30凸出于第二表面12之下，在第二表面12一侧形成第二触点32，如图5所示。
(4)形成保护层40图案。形成保护层40图案包括：在形成前述图案的基底10上，在第一表面11一侧涂覆保护薄膜，形成覆盖多个第一触点31的保护层40图案，如图6所示。其中，保护薄膜可以采用树脂材料。实际实施时，保护层40图案可以仅形成在检测区域，也可以形成在检测区域和部分焊盘区域，还可以形成在整个基底10上，在第一表面11形成保护层40图案是为了保护多个第一触点31，使得后续工艺不会影响第一触点31的形貌和导电性能。
(5)形成驱动电路51和焊盘52图案。形成驱动电路51和焊盘52图案包括：首先，将前述形成图案的基底10翻转，使得基底10的第二表面12朝上。然后，在基底10的第二表面12上形成驱动电路51和多个焊盘52图案2，如图7所示。其中，驱动电路51形成在检测区域，多个焊盘52形成在焊盘区域，驱动电路51包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线与多个焊盘52分别连接。图8为本发明检测基板中驱动电路和焊盘的等效电路示意图。如图8所示，驱动电路包括多条栅线G、多条数据线D和多个薄膜晶体管T((Thin FilmTransistor，TFT)，多条栅线G和多条数据线D垂直交叉限定出多个规则排布的测试单元，薄膜晶体管T和电极柱30设置在每个测试单元中，薄膜晶体管T的栅电极与栅线G连接，薄膜晶体管T的第一电极(如源电极)与数据线D连接，薄膜晶体管T的第二电极(如漏电极)与电极柱30的第二触点32连接。本实施例中，驱动电路51和焊盘52图案的结构与液晶显示面板阵列基板的结构相近。图9为本发明检测基板中薄膜晶体管与电极柱连接的示意图。如图9所示，薄膜晶体管包括设置在基底10上的栅电极，覆盖栅电极的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第一电极和第二电极，覆盖第一电极和第二电极的第三绝缘层，设置在第三绝缘层上的连接电极，连接电极通过第三绝缘层上开设的过孔分别与第二电极和电极柱30连接。本实施例中，形成驱动电路51和焊盘52图案的过程可以采用成熟的制备阵列基板的工艺。例如，具体的制备过程包括：通过构图工艺在基底10上形成栅线和栅电极图案，形成覆盖栅线和栅电极的第一绝缘层，通过构图工艺在第一绝缘层上形成有源层，形成覆盖有源层的第二绝缘层，通过构图工艺在第二绝缘层上形成数据线、第一电极(如源电极)和第二电极(如漏电极)，通过构图工艺形成覆盖第一电极和第二电极的第三绝缘层，第三绝缘层上开设有暴露出第二电极的第一过孔和暴露出电极柱的第二触点的第二过孔，通过构图工艺在第三绝缘层上形成连接电极，连接电极一方面通过第一过孔与第二电极连接，另一方面通过第二过孔与电极柱连接。此外，在形成栅线和数据线的同时，在焊盘区域形成多个焊盘，多个焊盘分别与栅线和数据线连接。
(6)形成封装层53图案。形成封装层53图案包括：在形成前述图案的基底10上，在第二表面12涂覆封装薄膜，通过固化处理，在检测区域形成覆盖驱动电路51和多个第二触点32的封装层53图案，焊盘区域的多个焊盘52暴露出来，如图10所示。其中，封装薄膜可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET等材料。实际实施时，封装层53图案可以形成在整个基底10的第二表面12上，通过过孔暴露出焊盘区域的多个焊盘52。
(7)形成导电胶块42图案。形成导电胶块42图案包括：首先，将前述形成图案的基底10翻转，使得基底10的第一表面11朝上。然后，通过灰化工艺去除覆盖多个第一触点31的保护层40图案，暴露出多个第一触点31。随后，在基底10的第一表面11上涂覆一层导电薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺，在基底10的第一表面11形成导电胶层，导电胶层包括多个导电胶块42图案，多个导电胶块42图案的位置与多个电极柱30的位置一一对应，且一个导电胶块42完全覆盖一个电极柱30的第一触点31，使基底10的第一表面11形成检测基板的检测面，如图1所示。其中，导电薄膜的材料可以采用异方向性导电材料。实际实施时，导电薄膜也可以采用刷胶的方式形成。
通过上述过程，即完成了本实施例检测基板的制备。在检测时，检测基板的第二表面12形成承载面，外部检测装置与第二表面12焊盘区域的多个焊盘52连接，通过焊盘52和驱动电路51向每个电极柱30单独输出的测试信号。检测基板的第一表面11形成检测面，导电胶块42与待检测Micro LED的电极电连接，每个电极柱30的测试信号通过导电胶42向待检测的Micro LED输出，使Micro LED点亮。
通过本发明实施例检测基板的结构以及制备过程可以看出，本发明实施例通过嵌设在基底内的电极柱、设置在基底一侧表面上的导电胶、设置在基底另一侧表面上的驱动电路和焊盘，即可形成在巨量转移前对巨量Micro LED进行点亮检测的检测基板，具有结构简单、成本低、易于实现等优点。本发明实施例检测基板保证了巨量转移前Micro LED的良品率，降低了巨量转移后的修复比例，有效克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前Micro LED的良品率等问题。进一步地，检测基板的制备可以采用现有成熟的工艺流程，利用现有的工艺设备，工艺兼容性好，工艺可实现性高，实用性强，具有良好的应用前景。
需要说明的是，本发明实施例描述的检测基板及其制备过程仅仅是一种示例，实际实施时，检测基板的结构可以采用其它形式，制备检测基板的流程也可以采用其它次序，本实施例在此不做具体限定。例如，驱动电路中还可以包括公共电极，检测时电极柱和公共电极同时连接Micro LED的两个引脚。又如，驱动电路中的薄膜晶体管可以是底栅结构，也可以是顶栅结构，薄膜晶体管中的有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料a-IGZO、氮氧化锌ZnON、氧化铟锌锡IZTO、非晶硅a-Si、多晶硅p-Si、六噻吩、聚噻吩等各种材料。再如，检测基板中的驱动电路也可以简化成连接线形式。具体地，形成驱动电路和焊盘图案的过程可以包括：在基底的第二表面上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在第二表面上形成多条连接线和焊盘图案，多条连接线形成在检测区域，焊盘形成在焊盘区域，每条连接线的一端连接一个电极柱30的第二触点32，另一端连接一个焊盘52，如图11所示，这样，焊盘区域的焊盘通过多条连接线，也可实现检测区域每个电极柱的单独加电控制。
基于前述实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种用于巨量检测发光二极管的检测装置。本发明实施例检测装置的主体结构包括承载基板、转移设备、控制机构和光学检测装置，其中：
承载基板，用于承载本发明实施例的检测基板；
转移设备，用于将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构，与所述检测基板的焊盘电连接，用于对所述待检测元件施加电信号。
其中，所述待检测元件可以是发光元件，如发光二极管，还包括自动光学检测装置，所述自动光学检测装置用于采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
其中，发光二极管包括Micro LED或Mini LED。
下面通过发光元件的巨量检测过程详细说明本发明实施例的技术方案。
(1)将检测基板设置在承载基板上。图12为本发明实施例检测基板设置在承载基板上的示意图。如图12所示，在开始进行巨量前，首先将检测基板200放置在水平放置的承载基板100，一方面使承载基板100牢牢吸住检测基板200，另一方面使检测基板200上的多个焊盘52与外部检测装置300电连接。
(2)转移设备400吸附多个发光元件，移动至检测基板100的上方并对位。图13为本发明实施例转移设备转移发光元件的示意图。本发明实施例中，转移设备400吸附发光元件500并与检测基板进行对位的设备和方式与相关技术中巨量转移发光元件的设备和方式基本上相同。转移设备400包括转移板401、传送头402和控制器403，传送头402设置在转移板401的表面上，每个传送头402设置有阵列电极，控制器403用于向传送头上的阵列电极施加电压，使阵列电极充电并产生静电力，以吸附发光元件500，同时控制转移板401移动到检测基板200的上方，被吸附的发光元件500的引脚501朝向下方的检测基板200。当吸附有发光元件500的传送头402距离检测基板200一定距离时开始对位，传送头402上排布的发光元件500的位置与检测基板上排布的电极柱30的位置一一对应。
(3)对位完成后，外部检测装置300通过多个焊盘和驱动电路向检测基板200的多个电极柱30单独加电。控制器403控制传送头402逐渐靠近检测基板200，当传送头402上吸附的发光元件500的引脚501与检测基板200上电极柱30端部的导电胶42接触时，发光元件500被点亮。实际实施时，可以通过控制器403控制传送头402的下压程度和对位精度，通过外部检测装置300控制点亮所有的发光元件，或者点亮某区域的发光元件，或者点亮某个发光元件，以及控制输出的电流大小。同时，自动光学检测(Automated Optical Inspection，AOI)装置通过摄像头采集发光元件点亮后的图像，生成点亮图谱(mapping)，对点亮图谱进行识别，确定有缺陷(未点亮)的发光元件的位置，供维修人员更换。更换有缺陷的发光元件后，重新进行加电检测。其中，外部检测装置输出的测试信号包括向驱动电路中的栅线输出的行开启信号和向驱动电路中的数据线输出的数据信号，行开启信号控制薄膜晶体管导通后，数据信号通过薄膜晶体管向电极柱输出。检测基板相邻的两个电极柱分别与发光元件的两个引脚电连接，外部检测装置通过向一个发光元件的两个引脚输出不同的数据信号，控制发光元件的点亮。
(4)当通过点亮图谱确定所有的发光元件均可点亮后，可以通过清洗方式去除发光元件引脚上粘附的导电胶，然后控制器403控制转移板401移动到待绑定的驱动电路板上方，对位后将传送头402上的发光元件绑定在驱动电路板上，完成发光元件的巨量转移。
通过本发明实施例巨量检测的过程可以看出，本发明实施例通过引入检测基板，实现了发光元件的巨量点亮检测，可以保证巨量转移的发光元件均是能够点亮的，有效保证了巨量转移发光元件的良品率，有效降低了巨量转移后的修复比例。同时，本发明实施例通过引入自动光学检测装置，运用高速高精度视觉处理技术通过点亮图谱检测未点亮的发光元件，实现了真正意义的在线光学检测，有效提高了检测效率，有效保证了检测质量。因此，本发明实施例技术方案有效克服了现有巨量检测方式不能保证巨量转移发光元件的良品率等问题，检测方法简单，检测时间短，检测精度高，提高了发光元件的检测和转移效率，缩短了检测和转移时间，降低了检测和转移成本，能够满足实际量产的需求。
实际实施时，通过调整基板上通孔的直径，可以满足不同规格发光元件的测试，通过调整基板上通孔之间的间距，可以配合不同规格的传送头。同时，通过刷胶的方式进行异方向性导电胶的清洗和涂覆，可以实现检测基板的重复使用。因此，本发明实施例检测基板具有结构简单、使用便利、检测成本低、检测可靠度高等优点。
基于前述实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种检测基板的制备方法，用于制备实现巨量检测待检测元件的检测基板。本发明实施例检测基板的制备方法包括：
S1、提供包括多个通孔的基底，所述基底包括检测区域和焊盘区域；
S2、在所述多个通孔内形成电极柱；
S3、在所述检测区域形成驱动电路，在所述焊盘区域形成焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
其中，步骤S2包括：
在具有所述多个通孔的基底上沉积金属薄膜；
通过构图工艺对所述金属薄膜进行构图，以在所述通孔的侧壁上形成种子层；
通过电镀工艺，在所述通孔内形成电极柱；所述电极柱分别凸出于所述基底的第一表面和第二表面，在所述第一表面一侧形成第一触点，在所述第二表面一侧形成第二触点；所述第二表面是与所述第一表面相对的表面。
其中，步骤S3包括：
在所述基底的第二表面的检测区域形成驱动电路，在所述基底的第二表面的焊盘区域形成焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路连接所述电极柱的第二触点。
其中，所述驱动电路包括与所述焊盘连接的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个测试单元，所述测试单元中形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的第一电极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述电极柱的第二触点连接；或者，所述驱动电路包括连接线，所述连接线的一端连接所述焊盘，所述连接线的另一端连接所述电极柱的第二触点。
其中，还包括：在所述基底的第一表面上形成导电胶层，所述导电胶层包括多个覆盖所述第一触点的导电胶块。
本发明实施例检测基板的制备方法的具体过程，已在前述检测基板实施例中详细说明，这里不再赘述。
本发明实施例提供了一种检测基板的制备方法，通过在基底上形成电极柱、驱动电路和焊盘，实现了在巨量转移前对巨量待检测元件进行检测，保证了巨量转移前待检测元件的良品率，降低了巨量转移后的修复比例，有效克服现有巨量检测方式不能保证巨量转移前待检测元件的良品率等问题。进一步地，检测基板的制备可以采用现有成熟的工艺流程，利用现有的工艺设备，工艺兼容性好，工艺可实现性高，实用性强，具有良好的应用前景。
基于前述实施例的技术构思，本发明实施例还提供了一种检测方法，采用前述的检测装置实现巨量待检测元件的检测。本发明实施例检测方法包括：
将本发明实施例的检测基板设置在承载基板上，所述检测基板的焊盘与控制机构电连接；
转移设备将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述多个待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构向所述待检测元件施加电信号。
其中，所述待检测元件可以是发光元件，如发光二极管，还包括：
自动光学检测装置采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
其中，发光二极管包括Micro LED或Mini LED。
本发明实施例检测方法的具体过程，已在前述检测装置实施例中详细说明，这里不再赘述。
本发明实施例提供了一种检测方法，通过引入检测基板，实现了待检测元件的巨量检测，有效保证了巨量转移待检测元件的良品率，有效降低了巨量转移后的修复比例。同时，本发明实施例通过引入自动光学检测装置，运用高速高精度视觉处理技术通过点亮图谱检测待检测元件，实现了真正意义的在线光学检测，有效提高了检测效率，有效保证了检测质量。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“绑定”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种检测基板，其特征在于，包括基底，所述基底包括多个通孔，所述通孔内嵌设有电极柱，所述基底包括检测区域和焊盘区域，所述检测区域包括驱动电路，所述焊盘区域设置有焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
2.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述电极柱分别凸出于所述第一表面和第二表面，在所述第一表面一侧形成第一触点，在所述第二表面一侧形成第二触点。
3.根据权利要求2所述的检测基板，其特征在于，所述第一表面上设置有导电胶层，所述导电胶层包括多个覆盖所述第一触点的导电胶块。
4.根据权利要求2所述的检测基板，其特征在于，所述焊盘和驱动电路设置在第二表面上，所述焊盘通过驱动电路连接所述电极柱的第二触点。
5.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，所述驱动电路包括与所述焊盘连接的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个测试单元，所述多个测试单元中的至少一个中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的第一电极与所述数据线连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述电极柱的第二触点连接；或者，所述驱动电路包括连接线，所述连接线的一端连接所述焊盘，所述连接线的另一端连接所述电极柱的第二触点。
6.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述通孔的侧壁上设置有种子层，所述种子层为管状结构，所述电极柱为设置在种子层内的柱结构，所述电极柱的外表面与种子层的内表面紧密贴合。
7.一种检测基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供包括多个通孔的基底，所述基底包括检测区域和焊盘区域；
在所述多个通孔内形成电极柱；
在所述检测区域形成驱动电路，在所述焊盘区域形成焊盘，所述焊盘通过所述驱动电路与所述电极柱连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述多个通孔内形成电极柱，包括：
在具有所述多个通孔的基底上沉积金属薄膜；
通过构图工艺对所述金属薄膜进行构图，以在所述通孔的侧壁上形成种子层；
通过电镀工艺，在所述通孔内形成电极柱；所述电极柱分别凸出于所述基底的第一表面和第二表面，在所述第一表面一侧形成第一触点，在所述第二表面一侧形成第二触点；所述第二表面是与所述第一表面相对的表面。
9.一种检测装置，其特征在于，包括：
承载基板，用于承载如权利要求1～6所述的检测基板；
转移设备，用于将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构，与所述检测基板的焊盘电连接，用于对所述待检测元件施加电信号。
10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述待检测元件为发光二极管，还包括自动光学检测装置，所述自动光学检测装置用于采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
11.一种检测方法，其特征在于，包括：
将如权利要求1～6所述的检测基板设置在承载基板上，所述检测基板的焊盘与控制机构电连接；
转移设备将多个待检测元件转移至所述检测基板，所述多个待检测元件的引脚与所述检测基板的导电胶块直接接触；
控制机构向所述待检测元件施加电信号。
12.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述待检测元件为发光二极管，还包括：
自动光学检测装置采集多个发光二极管的图像，生成点亮图谱，通过所述点亮图谱确定未点亮的发光二极管。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111430402A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
CN112394272A (zh) * 2021-01-19 2021-02-23 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
CN113451165A (zh) * 2020-11-11 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示背板的检测方法及其检测结构
WO2021189486A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113644183A (zh) * 2021-09-03 2021-11-12 昆山兴协和科技股份有限公司 一种发光二极管及其制作方法
WO2021259085A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 基板、背光模组及显示装置
WO2022156285A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED 缺陷检测柔性探头及其制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11830833B2 (en) * 2020-07-24 2023-11-28 Innolux Corporation Electronic substrate and electronic device
CN113301718B (zh) * 2021-05-28 2022-11-04 淮南师范学院 一种微型电子元件检修方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816751A (zh) * 2003-07-01 2006-08-09 佛姆法克特股份有限公司 用于电机测试和确认探针板的设备和方法
JP2006275579A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Kyocera Corp 検査基板および検査装置
JP2007005490A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Sharp Corp 半導体デバイスの検査用プローブ装置、半導体デバイスの検査装置および半導体デバイスの検査方法
TW200952107A (en) * 2008-05-30 2009-12-16 Advantest Corp Testing unit and test system
JP2011007597A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Kyocera Corp プローブカードを構成するプローブカード用基板およびプローブカード用積層体ならびにこのプローブカード用積層体を用いたプローブカード
CN102742010A (zh) * 2010-02-03 2012-10-17 聚合物视象有限公司 具有多种集成电路芯片凸块间距的半导体元件
US20140197409A1 (en) * 2011-08-17 2014-07-17 Rambus Inc. Multi-chip package and interposer with signal line compression
CN107247163A (zh) * 2017-06-13 2017-10-13 睿力集成电路有限公司 一种集成电路元件测试插座及测试平台
US20190011484A1 (en) * 2010-05-12 2019-01-10 Stmicroelectronics S.R.L. Method for producing probes for testing integrated electronic circuits

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012155115A1 (en) * 2011-05-12 2012-11-15 Rambus Inc. Stacked dram device and method of manufacture
US9559040B2 (en) * 2013-12-30 2017-01-31 International Business Machines Corporation Double-sided segmented line architecture in 3D integration

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816751A (zh) * 2003-07-01 2006-08-09 佛姆法克特股份有限公司 用于电机测试和确认探针板的设备和方法
JP2006275579A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Kyocera Corp 検査基板および検査装置
JP2007005490A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Sharp Corp 半導体デバイスの検査用プローブ装置、半導体デバイスの検査装置および半導体デバイスの検査方法
TW200952107A (en) * 2008-05-30 2009-12-16 Advantest Corp Testing unit and test system
JP2011007597A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Kyocera Corp プローブカードを構成するプローブカード用基板およびプローブカード用積層体ならびにこのプローブカード用積層体を用いたプローブカード
CN102742010A (zh) * 2010-02-03 2012-10-17 聚合物视象有限公司 具有多种集成电路芯片凸块间距的半导体元件
US20190011484A1 (en) * 2010-05-12 2019-01-10 Stmicroelectronics S.R.L. Method for producing probes for testing integrated electronic circuits
US20140197409A1 (en) * 2011-08-17 2014-07-17 Rambus Inc. Multi-chip package and interposer with signal line compression
CN107247163A (zh) * 2017-06-13 2017-10-13 睿力集成电路有限公司 一种集成电路元件测试插座及测试平台

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021189486A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113748507A (zh) * 2020-03-27 2021-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113748507B (zh) * 2020-03-27 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN111430402A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
CN111430402B (zh) * 2020-03-31 2023-06-20 京东方科技集团股份有限公司 发光组件及其制备方法、显示基板、背光模组、显示装置
WO2021259085A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 基板、背光模组及显示装置
CN113451165A (zh) * 2020-11-11 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示背板的检测方法及其检测结构
CN112394272A (zh) * 2021-01-19 2021-02-23 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
CN112394272B (zh) * 2021-01-19 2021-05-04 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED缺陷检测柔性探头及其制造方法
WO2022156285A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 浙江清华柔性电子技术研究院 MicroLED 缺陷检测柔性探头及其制造方法
CN113644183A (zh) * 2021-09-03 2021-11-12 昆山兴协和科技股份有限公司 一种发光二极管及其制作方法

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