CN109637957B - 一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，该转印基板，包括：基板，位于基板一侧的表面上沟槽，以及位于基板与沟槽之间的微流控制电路；沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于通道的任意一侧且与通道连接的容置槽；其中，通道的表面具有疏水层，容置槽的表面具有亲水层；微流控制电路，用于驱动携带有发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内。由于微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续将发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法。
背景技术
随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术的发展，微型发光二极管(Micro-LED)显示技术将成为下一代具有革命性的技术，Micro-LED是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、反应时间等各种指标都强于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多产家视为下一代显示技术而开始积极布局。
在Micro-LED在产业化过程中面临的一个核心技术难题是Micro-LED元器件的巨量转移(Mass Transfer)技术，如何将大量的Micro-LED元器件转移到驱动背板上成为该技术的重大挑战。
发明内容
本发明实施例提供了一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，用以解决现有技术中存在的无法将大量的Micro-LED元器件转移到驱动背板上的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种转印基板，包括：基板，位于所述基板一侧的表面上沟槽，以及位于所述基板与所述沟槽之间的微流控制电路；所述沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于所述通道的任意一侧且与所述通道连接的用于转印发光二极管芯片的容置槽；其中，
所述通道的表面具有疏水层，所述容置槽的表面具有亲水层；
所述微流控制电路，用于驱动携带有所述发光二极管芯片的液滴在所述通道内移动至所述容置槽处，并控制所述液滴将所述发光二极管芯片置于所述容置槽内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，所述沟槽还包括：位于所述基板上与所述通道连通的储液槽；
所述微流控制电路，还用于将所述储液槽内的液体分离成用于携带所述发光二极管芯片的液滴。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，所述基板上具有两个所述储液槽和多个所述通道；
各所述通道的两端分别与不同的所述储液槽连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，还包括：位于所述基板上除所述沟槽以外的位置的支撑结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，所述微流控制电路，包括：分布于所述沟槽内的多个子控制电路；
所述子控制电路，包括：微流控电极，以及与所述微流控电极电连接的第一开关晶体管。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，所述子控制电路，还包括：光敏检测电路；
所述光敏检测电路，用于检测所述子控制电路所在位置处的光线强度，以确定所述液滴的实际位置。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转印基板中，所述光敏检测电路，包括：光敏二极管，以及与所述光敏二极管连接的第二开关晶体管。
第二方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的转移方法，包括：
提供多个发光二极管芯片，以及提供具有多个驱动电极的驱动背板；
采用上述转印基板，控制微流控制电路驱动携带有所述发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制所述液滴将所述发光二极管芯片置于所述容置槽内；
将所述驱动背板具有所述驱动电极的一面与所述转印基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位并压合，压合完成后将所述转印基板与所述驱动背板分离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述转移方法中，将所述转印基板与所述驱动背板分离后，且在移走所述驱动背板之前，还包括：
向所述驱动背板上的各所述驱动电极输入检测信号；
控制各容置槽内的各光敏检测电路检测对应位置处的光线强度；
根据各所述光敏检测电路的光线强度，判断对应位置处的发光二极管芯片是否转移成功。
第三方面，本发明实施例提供了一种转印设备，包括：上述转印基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，该转印基板，包括：基板，位于基板一侧的表面上沟槽，以及位于基板与沟槽之间的微流控制电路；沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于通道的任意一侧且与通道连接的用于转印发光二极管芯片的容置槽；其中，通道的表面具有疏水层，容置槽的表面具有亲水层；微流控制电路，用于驱动携带有发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内。本发明实施例提供的上述转印基板，微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续可以将多个发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转印基板的俯视结构示意图；
图2为图1中的局部放大示意图；
图3为图1中一个子控制电路处的截面示意图；
图4为用于控制微流控电极的电路结构示意图；
图5为用于控制光敏检测电路的结构示意图；
图6为本发明实施例中的发光二极管芯片的转移方法的流程图；
图7和图8为本发明实施例提供发光二极管芯片的转移方法中的结构示意图。
具体实施方式
针对现有技术中存在的无法将大量的Micro-LED元器件转移到驱动背板上的问题，本发明实施例提供了一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法。
下面结合附图，对本发明实施例提供的转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
第一方面，本发明实施例提供了一种转印基板，如图1所示，包括：基板101，位于基板101一侧的表面上沟槽，以及位于基板101与沟槽之间的微流控制电路(图中未示出)；沟槽包括用于传输液滴的通道103，以及位于通道103的任意一侧且与通道103连接的用于转印发光二极管芯片的容置槽104；其中：
通道103的表面具有疏水层，容置槽104的表面具有亲水层；
微流控制电路，用于驱动携带有发光二极管芯片的液滴105在通道内移动至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内。
本发明实施例提供的上述转印基板，微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续可以将多个发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移，通过微流控技术提高了发光二极管芯片的转印精度，且实现了大量发光二极管芯片的转印，提高了发光二极管芯片的转印效率，使得到的驱动背板具有较高的良品率。
在具体实施时，为了便于使发光二极管芯片与驱动背板上的驱动电极实现电连接，可以采用阴极(N电极)和阳极(P电极)位于同一侧的发光二极管芯片，在进行转移之前，需要将连在一起的多个发光二极管芯片刻蚀为多个独立的微米级晶粒，然后进行防水封装处理，以得到待转移的发光二极管芯片，一般待转移的发光二极管芯片的尺寸在10～1000μm，高度在5～10μm，参照图1，上述转印基板上的容置槽104的深度和口径可以根据待转印的发光二极管芯片的尺寸来设置，以保证容置槽104能够容置发光二极管芯片，具体地，可以将容置槽102的口径设置为稍大于发光二极管芯片的尺寸，以使容置槽能够容置发光二极管芯片，而且，可以将容置槽102的深度设置为小于发光二极管芯片的高度，以使后续与驱动背板压印的过程中，能够使发光二极管芯片与驱动背板上的驱动电极粘合到一起。
在具体实施时，驱动背板上具有多个像素，每一个像素对应两个驱动电极，可以根据驱动背板上像素的分布来设置沟槽的形状和分布，其中容置槽104的位置对应于驱动背板上像素的位置，通道103的位置可以对应于驱动背板上除像素以外的位置，若驱动背板上除像素以外的位置不足时，也可以分为多次进行转移，此时通道103的位置也可以对应于驱动背板上具有像素的位置。以多个像素呈阵列排布为例，若相邻像素行之间的间距较大时，通道103可以对应于相邻像素行之间的位置处，若像素行之间的间距较小时，可以设置为容置槽104对应奇数行像素的位置，通道103对应于偶数行像素的位置处，这种情况需要两次转移操作，此处只是举例说明，在具体实施时，也可以采用其他对应方式或其他转印次数，此处不做限定。
如图1所示，沟槽中的容置槽104与通道103连接，且容置槽104位于通道103的任意一侧，从而保证液滴105能够顺利的在通道103内移动，在通道103的表面具有疏水层，例如可以采用特氟龙等材料制作疏水层，在容置槽104的内表面具有亲水层，微流控制电路可以通过控制电场的大小和方向，来改变液滴105的疏水角度，以实现对液滴105的定向驱动。
具体地，可以采用对液体进行分离的方式或者直接滴入的方式来获得液滴105，获得液滴105后通过其他设备将待转印的发光二极管芯片106置于液滴105上，通过微流控制电路驱动携带有发光二极管芯片106的液滴105在通道103内移动，将该液滴105移动至对应的容置槽104附近后，同时参照图2，可以通过调整该液滴105的疏水角度，控制该液滴105朝向容置槽104移动，由于容置槽104的内表面具有亲水层，也就是容置槽104具有亲水结构，因而该液滴105到达容置槽104的位置处会平坦开，从而将待转移的发光二极管芯片106放置到容置槽104内，之后再将液滴105移走，从而完成发光二极管芯片106的移动，按照同样的方式将多个发光二极管芯片106移动至对应的容置槽104内，可以逐个移动也可以同时移动多个发光二极管芯片106。
进一步地，本发明实施例提供的上述转印基板，如图1所示，沟槽还可以包括：位于基板101上与通道103连通的储液槽102；
微流控制电路，还用于将储液槽102内的液体分离成用于携带发光二极管芯片106的液滴105。
如图1所示，可以将转印基板划分为两种区域，图中虚线框A所示的母液区，以及虚线框B所示的转印区，储液槽102位于母液区A中，可以提供用于携带发光二极管芯片106的液滴105，在具体实施时，可以通过微流控制电路将储液槽102内的液体分离为液滴105，具体可以通过控制电场的大小来改变液滴的疏水角度，以控制液滴分离，从而便于后续控制液滴105携带发光二极管芯片106在通道103内移动，并且运送完发光二极管芯片106的液滴105也可以再返回至储液槽102，从而使储液槽102中的液体可以反复利用。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述转印基板中，如图1所示，基板101上可以具有两个储液槽102和多个通道103；
各通道103的两端分别与不同的储液槽102连接。
通过设置两个储液槽102，各通道103的一端连接至其中一个储液槽102，各通道103的另一端连接至另一个储液槽102，对应地，可以在转印基板上设置两个母液区B，每一个母液区B中设有一个储液槽102。微流控制电路可以同时分离出多个液滴105，并将各液滴105分别移动至各通道103内，从而提高移动发光二极管芯片的效率，设置多个通道103以及两个储液槽102是本发明实施例中的一种实现方式，在具体实施时，也可以设置一个折线形的通道103，或者也可以设置一个或更多个储液槽102，此处不对容置槽102和通道103的数量进行限定。
此外，本发明实施例提供的上述转印基板中，如图3所示，还可以包括：位于基板101上除沟槽以外的位置的支撑结构216。
同时参照图7，为了使压合过程中发光二极管芯片106不发生滑动，使发光二极管芯片106与驱动电极302对齐，可以在驱动基板301上设置凹槽，将驱动电极302设置在凹槽内，每一个凹槽对应驱动背板上的一个像素，每一个像素中的两个驱动电极可以位于同一个凹槽内，上述转印基板与驱动背板301进行压合的过程中，需要将位于容置槽内的发光二极管芯片106与对应的位于凹槽内的驱动电极粘合到一起，以使发光二极管芯片的N电极和P电极分别与对应的驱动电极实现电连接，因而需要将容置槽的深度设置为小于发光二极管芯片的高度，才能使发光二极管芯片能够接触到驱动电极。在压合过程中，为了避免压力过大而损坏发光二极管芯片106，在转印基板的基板101上可以设置支撑结构216进行支撑，支撑结构216的高度可以结合发光二极管芯片106的高度和容置槽的深度来确定。具体地，为了保证压合过程中的稳定性，可以设置多个支撑结构216，此处不对支撑结构216的数量进行限定。
具体地，本发明实施例提供的上述转印基板中，如图1和3所示，上述微流控制电路，包括：分布于沟槽内的多个子控制电路(如图1所示，位于沟槽内每一个虚线框表示一个子控制电路所在的位置)；
图3为每一个子控制电路的截面示意图，如图3所示，子控制电路，包括：微流控电极213，以及与微流控电极213电连接的第一开关晶体管TFT1。
在具体实施时，微流控制电路可以通过向相邻的子控制电路中的微流控电极213施加不同的电压，从而形成特定方向和大小的电场，以改变液滴105的疏水角度，从而驱动液滴105在疏水层215的表面移动或者实现液滴105的分离。
此外，微流控电极213与第一开关晶体管TFT1电连接，因而微流控制电路可以单独控制微流控制电极213的电压，从而可以实现相邻的微流控电极213可以施加不同的电压，具体地，同时参照图4，以多个微流控电极213呈阵列排布为例，微流控制电路还可以包括多条第一信号线L1和多条第二信号线L2，每一个微流控电极213连接对应的第一开关晶体管TFT1的漏极D1，如图3所示，第一开关晶体管TFT1中的漏极D1通过导电连接部205和第一导电部210与对应的微流控电极213连接，每一条第一信号线L1连接一列微流控电极213对应的第一开关晶体管TFT1的源极S1，每一条第二信号线L2连接一行微流控电极213对应的第一开关晶体管TFT1的栅极G1。通过向第二信号线L2施加电信号，能够控制一行微流控电极213对应的第一开关晶体管TFT1的通断，当第一开关晶体管TFT1导通时，该第一开关晶体管TFT1连接的第一信号线L1上的电信号能够施加到微流控电极213上，从而实现向特定的微流控电极213施加电压，以驱动液滴移动。
进一步地，本发明实施例提供的上述转印基板中，子控制电路，还可以包括：光敏检测电路；
光敏检测电路，用于检测子控制电路所在位置处的光线强度，以确定液滴的实际位置。
由于被液滴遮挡的位置处的光线强度与没有液滴的位置处的光线强度不同，从而可以通过光敏检测电路检测到的光线强度来确定液滴的实际位置，以精确控制液滴的移动，保证液滴能够携带发光二极管芯片至容置槽的位置处。并且，在发光二极管芯片的转印过程中，将转印基板与驱动背板压合后，且在移走驱动背板之前，可以向驱动背板上的各驱动电极施加检测信号以进行点灯测试，这样转印成功的像素位置处由于发光二极管芯片发光而光线强度较强，而转印失败的像素位置处由于发光二极管芯片不发光而光线强度较弱，从而可以通过光敏检测电路检测驱动背板上对应位置处的光线强度，来判断各像素位置处的发光二极管芯片是否转印成功，若存在转印失败的像素位置，可以通过光敏检测电路确定转印失败的各像素位置，以便后续进行修复，可以通过再次转印的方式进行修复，转印失败的各像素位置较少时，也可以采用其他设备直接将发光二极管芯片放置到驱动背板上的对应位置处，或者采用其他方式进行修复，此处不做限定。
具体地，本发明实施例提供的上述转印基板中，如图3和图5所示，光敏检测电路，包括：光敏二极管(如图5中的PIN)，以及与光敏二极管PIN连接的第二开关晶体管TFT2。
如图3所示，光敏二极管可以包括光敏层203，以及位于光敏层203两侧的上电极204和下电极202，同时参照图5，该微流控制电路还可以包括多条第三信号线L3、多条第四信号线L4和多条第五信号线L5，光敏二极管PIN通过上电极204和第二导电部211与第五信号线L5连接，光敏二极管PIN通过下电极202与第二开关晶体管TFT2的漏极D2连接，每一条第三信号线L3与一列光敏二极管PIN对应的第二开关晶体管TFT2的源极S连接，每一条第四信号线L4与一行光敏二极管PIN对应的第二开关晶体管TFT2的栅极连接。
通过向第四信号线L4施加电信号，能够控制一行光敏二极管PIN对应的第二开关晶体管TFT2的通断，当第二开关晶体管TFT2导通时，该第二开关晶体管TFT2连接的第三信号线L3上的电信号能够施加到光敏二极管PIN上，第三信号线L3可以向光敏二极管PIN提供初始电流，光敏二极管PIN被光线照射后可以产生光生电流，第五信号线L5可以检测光敏二极管PIN的输出电流，通过比较光敏二极管PIN的初始电流与输出电流，可以确定该光敏二极管PIN对应位置处的光线强度。
应该说明的是，为了更清楚的示意本发明实施例中的微流控制电路的结构，在图3中仅示出有限数量的微流控电极213、第一信号线L1、第二信号线L2以及第一开关晶体管TFT1，并不对微流控电极的数量和排布进行限定，也不对第一信号线L1、第二信号线L2和第一开关晶体管TFT1的数量进行限定。同理，也不限定图4中光敏二极管PIN、第二开关晶体管TFT2、第三信号线L3、第四信号线L4和第五信号线L5的数量。
如图3所示，在具体实施时，可以按照以下顺序制作上述转印基板，在基板101上形成各第一开关晶体管TFT1中的栅极G1和各第二开关晶体管TFT2中的栅极G2，在栅极G1和G2所在膜层之上形成栅极绝缘层201，在栅极绝缘层201之上形成各第一开关晶体管TFT1中的有源层T1和各第二开关晶体管TFT2中的有源层T2，在有源层T1和T2所在膜层之上形成各第一开关晶体管TFT1中的源极S1和漏极D1，以及各第二开关晶体管TFT2中的源极S2和漏极D2，在源极S1所在膜层之上形成第一绝缘层206，在第一绝缘层206之上形成光敏二极管的下电极202和导电连接部205，在下电极202之上形成光敏层203，在光敏层203之上形成光敏二极管的上电极204，该上电极204可以采用透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium tinoxide，ITO)，在上电极204之上形成保护层207，在保护层207之上形成第一平坦层208，在第一平坦层208之上形成第二绝缘层209，在第二绝缘层209之上形成第一导电部210和第二导电部211，在第一导电部210所在膜层之上形成阻隔层212，在阻隔层212之上形成微流控电极213，在微流控电极213之上形成第二平坦层214，在第二平坦层之上形成疏水层215，在疏水层215所在膜层之上形成支撑结构216。
第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种发光二极管芯片的转移方法，由于该转移方法解决问题的原理与上述转印基板相似，因此该转移方法的实施可以参见上述转印基板的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的发光二极管芯片的转移方法，如图6所示，包括：
S401、提供多个发光二极管芯片，以及提供具有多个驱动电极的驱动背板；
S402、采用上述转印基板，可以参照图1，控制微流控制电路驱动携带有发光二极管芯片106的液滴105在通道103内移动至容置槽104处，并控制液滴105将发光二极管芯片106置于容置槽104内；
S403、参照图7，将驱动背板301具有驱动电极302的一面与转印基板具有发光二极管芯片106的一面进行对位并压合，压合完成后将转印基板与驱动背板分离，如图8所示。
本发明实施例提供的发光二极管芯片的转移方法，采用上述转印基板可以将发光二极管芯片移动至容置槽内，然后将转印基板与驱动背板进行对位并压合，以实现将发光二极管芯片移动至驱动背板上，从而可以实现发光二极管芯片的批量转移。
在具体实施时，可以在转印基板和驱动背板上均设置对位标记，以实现精准对位。为了使压合过程中发光二极管芯片106不发生滑动，使发光二极管芯片106与驱动电极302对齐，可以在驱动基板301上设置凹槽，将驱动电极302设置在凹槽内，在驱动电极302上点上导电胶或微小焊球，从而在压合过程中实现发光二极管芯片106与对应的驱动电极302的电连接。并且，在转印基板和驱动背板上设有对位标记，例如图1中的转印基板上的对位标记107，从而使转印基板和驱动背板能够精准对齐，实现精确对盒。
在实际应用中，分辨率较高的驱动背板，也就是驱动背板上的像素较多且较密集的情况，由于转印基板上的通道会占据一定的空间，可能会出现某些像素在转印基板上没有对应的容置槽，对于这种情况可以采用多次转印的方式，以提高分辨率和转印精度。以驱动背板上的像素呈阵列排布为例，每一个像素对应驱动背板上的一个凹槽，或者可以理解为每一个像素对应两个驱动电极，例如驱动背板上共有10行像素，在转印基板上可以仅设置对应于奇数行(或偶数行)像素的容置槽，如图1所示，可以设置两组对位标记107，图中以在转印基板上下左右四个方位均设置对位标记107为例，各方位靠上的对位标记107为一组，各方位靠下的对位标记107为另一组，先通过靠上的一组对位标记107进行对位，对奇数行像素进行转印，再通过靠下的一组对位标记107进行对位，对偶数行像素进行转印，在转印之前会将发光二极管芯片移动到各容置槽内。
进一步地，本发明实施例提供的上述转移方法中，上述步骤S403中将转印基板与驱动背板分离后，且在移走驱动背板之前，还可以包括：
参照图8，向驱动背板上的各驱动电极输入检测信号；
控制各容置槽内的各光敏检测电路检测对应位置处的光线强度；
根据各光敏检测电路的光线强度，判断对应位置处的发光二极管芯片是否转移成功。
如图7和图8所示，在图7中靠右侧的发光二极管芯片106与驱动背板301上的凹槽没有对齐，因而在图8中压合完成后没有成功转印，在转印完成后通过向驱动背板301上的各驱动电极302输入检测信号，以进行点灯测试，通过各光敏检测电路检测对应位置处的光线强度，根据各光敏检测电路的光线强度，可以判断对应位置处的发光二极管芯片106是否转移成功，例如图8中，由于向各驱动电极302输入了检测信号，如果发光二极管芯片106转印成功，则对应位置处的光敏检测电路检测到的光线强度会比较强，也就是图8中左侧和中间位置处的光敏检测电路检测到的光线强度较强，而转印失败的位置处的发光二极管芯片不发光，该位置处对应的光敏检测电路检测到的光线强度比较弱，也就是图8中右侧的光敏检测电路检测到的光线强度较弱。在具体实施时，可以通过光敏检测电路确定转印成功的像素位置，再结合驱动背板上各像素的排布来确定转印失败的像素位置，进行修复时，微流控制电路可以根据转印失败的像素位置，仅在这些像素位置对应的容置槽放置发光二极管芯片，从而能够快速进行修复，提高转印良率。
对于转印失败的像素，可以再次采用上述转移方法进行修复，具体地，在上述步骤S402中，仅向需要修复的像素对应的容置槽内移动发光二极管芯片，之后再将转印基板与驱动背板进行对齐和压合。在具体实施时，也可以采用其他方式进行修复，例如转印失败的像素个数较少时，也可以采用手动或者其他设备直接将发光二极管置于驱动背板上。
第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种转印设备，包括：上述转印基板。由于该转印设备解决问题的原理与上述转印基板相似，因此该转印设备的实施可以参见上述转印基板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法，由于微流控制电路可以驱动液滴在通道内移动，以将发光二极管芯片携带至容置槽处，并控制液滴将发光二极管芯片置于容置槽内，以便后续可以将多个发光二极管芯片转移到对应的驱动背板上，实现了大量发光二极管芯片的转移。此外，上述转印基板的微流控制电路中的每一个子控制电路中还包括光敏检测电路，在微流控制电路驱动液滴的过程中，可以通过光敏检测电路确定液滴的实际位置，并且在后续发光二极管芯片转移到驱动背板上，并且移走驱动背板之前，还可以通过向驱动背板上的驱动电极施加电信号，并通过光敏检测电路可以确定发光二极管芯片是否转印成功，从而可以确定转印失败的位置，以便于及时修复。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种转印基板，其特征在于，包括：基板，位于所述基板一侧的表面上沟槽，以及位于所述基板与所述沟槽之间的微流控制电路；所述沟槽包括用于传输液滴的通道，以及位于所述通道的任意一侧且与所述通道连接的用于转印发光二极管芯片的容置槽；其中，
所述通道的表面具有疏水层，所述容置槽的表面具有亲水层；
所述微流控制电路，用于驱动携带有所述发光二极管芯片的液滴在所述通道内移动至所述容置槽处，并控制所述液滴将所述发光二极管芯片置于所述容置槽内。
2.如权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述沟槽还包括：位于所述基板上与所述通道连通的储液槽；
所述微流控制电路，还用于将所述储液槽内的液体分离成用于携带所述发光二极管芯片的液滴。
3.如权利要求2所述的转印基板，其特征在于，所述基板上具有两个所述储液槽和多个所述通道；
各所述通道的两端分别与不同的所述储液槽连接。
4.如权利要求1所述的转印基板，其特征在于，还包括：位于所述基板上除所述沟槽以外的位置的支撑结构。
5.如权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述微流控制电路，包括：分布于所述沟槽内的多个子控制电路；
所述子控制电路，包括：微流控电极，以及与所述微流控电极电连接的第一开关晶体管。
6.如权利要求5所述的转印基板，其特征在于，所述子控制电路，还包括：光敏检测电路；
所述光敏检测电路，用于检测所述子控制电路所在位置处的光线强度，以确定所述液滴的实际位置。
7.如权利要求6所述的转印基板，其特征在于，所述光敏检测电路，包括：光敏二极管，以及与所述光敏二极管连接的第二开关晶体管。
8.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，包括：
提供多个发光二极管芯片，以及提供具有多个驱动电极的驱动背板；
采用如权利要求1～7任一项所述的转印基板，控制微流控制电路驱动携带有所述发光二极管芯片的液滴在通道内移动至容置槽处，并控制所述液滴将所述发光二极管芯片置于所述容置槽内；
将所述驱动背板具有所述驱动电极的一面与所述转印基板具有所述发光二极管芯片的一面进行对位并压合，压合完成后将所述转印基板与所述驱动背板分离。
9.如权利要求8所述的转移方法，其特征在于，将所述转印基板与所述驱动背板分离后，且在移走所述驱动背板之前，还包括：
向所述驱动背板上的各所述驱动电极输入检测信号；
控制各容置槽内的各光敏检测电路检测对应位置处的光线强度；
根据各所述光敏检测电路的光线强度，判断对应位置处的发光二极管芯片是否转移成功。
10.一种转印设备，其特征在于，包括：如权利要求1～6任一项所述的转印基板。
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