CN111370541A - Micro-LED芯片坏点修复方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种Micro‑LED芯片坏点修复方法。该修复方法包括：提供一基板，基板上的每个子像素区中设有主凹槽和备份凹槽；通过流体巨量转移方法将巨量的主芯片转移至基板，使每个子像素区中的主凹槽装载一个主芯片；检测所有的主芯片以找出存在坏点的子像素区；通过流体巨量转移方法将若干备份芯片转移至基板，使检测出坏点的每个子像素区中的备份凹槽装载一个备份芯片；其中，同一子像素区中的备份芯片和主芯片发出的光的颜色相同。本申请在修复过程中使用了流体巨量转移方法，因此，只需将包含若干备份芯片的悬浮液向基板设有备份凹槽的一面倾倒一次或少量几次即可完成修复，提高了修复效率。

Description

Micro-LED芯片坏点修复方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片坏点修复方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)显示器是一种以Micro-LED芯片作为像素点的自发光显示器，因其具有高亮度、高发光效率和低功耗等优点，逐渐成为了国际显示行业竞争的焦点，业内多家公司也将其视为下一代显示技术而开始积极布局。
Micro-LED显示器在制造过程中一般采用巨量转移的方式将Micro-LED芯片转移至基板上，在完成巨量转移之后，对Micro-LED芯片进行坏点检测。现有技术中，在检测到坏点之后，一般采用坏点剔除与定点单个放置的修复方法对坏点进行修复，即，剔除每个坏点，并在坏点处放置一个新的Micro-LED芯片。然而，这种修复方法需要多次重复剔除坏点并多次重复放置新的Micro-LED芯片，修复效率极低。
发明内容
本申请实施例提供一种能够提高修复效率的Micro-LED芯片坏点修复方法。
本申请实施例提供一种Micro-LED芯片坏点修复方法，所述修复方法包括以下步骤：
提供一基板，所述基板上设有若干子像素区，每个所述子像素区中设有两个凹槽，所述两个凹槽分别为主凹槽和备份凹槽；
通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至所述基板，使每个所述子像素区中的所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片；
检测所有的所述主Micro-LED芯片以找出存在坏点的所述子像素区；
通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片；
其中，同一所述子像素区中的所述备份Micro-LED芯片和所述主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同。
在一些实施例中，同一所述子像素区中的所述主凹槽和所述备份凹槽具有相同的形状和大小，所述主凹槽的形状和大小与装载的所述主Micro-LED芯片的形状和大小相适配，所述备份凹槽的形状和大小与装载的所述备份Micro-LED芯片的形状和大小相适配。
在一些实施例中，若干所述子像素区划分为三个区域，每个所述区域内设有若干所述子像素区；其中，
位于同一所述区域内的所述主凹槽具有相同的形状和大小，位于同一所述区域内的所述主凹槽用于装载发出相同颜色的光的主Micro-LED芯片；
位于不同所述区域内的所述主凹槽具有相同的形状和不同的大小，位于不同所述区域内的所述主凹槽装载发出不同颜色的光的主Micro-LED芯片。
在一些实施例中，每个所述主凹槽和每个所述备份凹槽的底部均设有两个电极，所述主凹槽中的两个电极与第一焊接电路电连接，所述备份凹槽中的两个电极与第二焊接电路电连接。
在一些实施例中，每个所述电极的材料为共晶材料。
在一些实施例中，所述步骤“通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至所述基板，使每个所述子像素区中的所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片”包括以下步骤：
使用正光阻填充所有的所述主凹槽和所有的所述备份凹槽；
提供第一光罩，所述第一光罩上设有若干第一通孔，若干所述第一通孔分别与所有的所述主凹槽对应设置，每个所述第一通孔的形状和大小与对应设置的所述主凹槽的截面形状和截面大小相适配；
使用所述第一光罩覆盖所述基板设有所述主凹槽的一面；
对所有的所述主凹槽中的所述正光阻进行曝光和显影，以去除所有的所述主凹槽中的所述正光阻；
去除所述第一光罩；
提供含有巨量的所述主Micro-LED芯片的主悬浮液，使所述主悬浮液流经所述基板设有所述主凹槽的一面，以使得每个所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片。
在一些实施例中，所述修复方法在所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”之前还包括：
将检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽标记为修复凹槽。
在一些实施例中，所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”包括以下步骤：
提供第二光罩，所述第二光罩上设有若干第二通孔，若干所述第二通孔分别与所有的所述备份凹槽对应设置，每个所述第二通孔的形状和大小与对应设置的所述备份凹槽的截面形状和截面大小相适配；
使用所述第二光罩覆盖所述基板设有所述备份凹槽的一面；
对所有的所述修复凹槽中的所述正光阻进行曝光和显影，以去除所有的所述修复凹槽中的所述正光阻；
去除所述第二光罩；
提供含有若干所述备份Micro-LED芯片的备份悬浮液，使所述备份悬浮液流经所述基板设有所述备份凹槽的一面，以使得每个所述修复凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片。
在一些实施例中，所述步骤“检测所有的所述主Micro-LED芯片以找出存在坏点的所述子像素区”包括以下步骤：
将所述第一焊接电路通电，使每个所述主凹槽中的两个电极与装载的所述主Micro-LED芯片进行键合；
基于紫外线检测方法或Micro-LED芯片光电特性检测方法检测所有的所述主Micro-LED芯片，以找出存在坏点的所述子像素区。
在一些实施例中，所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”之后还包括：
将所述第二焊接电路通电，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽中的两个电极与装载的所述备份Micro-LED芯片进行键合。
本申请实施例提供的Micro-LED芯片坏点修复方法，基板的每个子像素区中均设有主凹槽和备份凹槽，使用流体巨量转移方法可以使每个子像素区中的主凹槽装载一个主Micro-LED芯片，当检测出所有的主Micro-LED芯片中存在坏点时，再次使用流体巨量转移方法使检测出坏点的每个子像素区中的备份凹槽装载一个备份Micro-LED芯片。由于同一子像素区中的备份Micro-LED芯片和主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，因此，对于任意一个子像素区来说，若该子像素区中的主Micro-LED芯片为坏点，则该子像素区中的备份Micro-LED芯片可以替代主Micro-LED芯片进行正常发光，从而完成对坏点的修复。由于修复过程中使用了流体巨量转移方法，因此，只需将包含若干备份Micro-LED芯片的悬浮液向基板设有备份凹槽的一面倾倒一次或少量几次即可完成修复，相比于现有的坏点剔除与定点单个放置的修复方法，提高了修复效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的基板的俯视图；
图2为图1中所示基板沿II-II线的剖视图；
图3为本申请实施例提供的一种Micro-LED芯片坏点修复方法流程图；
图4为本申请另一实施例提供的基板的俯视图；
图5为本申请实施例提供的一种电极与焊接电路的连接示意图；
图6为巨量的主Micro-LED芯片转移至基板的流程图；
图7为本申请实施例提供的正光阻填充示意图；
图8为本申请实施例提供的第一光罩的示意图；
图9为主凹槽中正光阻的曝光示意图；
图10为主凹槽中正光阻经曝光和显影后的基板的结构示意图；
图11为第一次流体巨量转移过程示意图；
图12为若干备份Micro-LED芯片转移至基板的流程图；
图13为本申请实施例提供的第二光罩的示意图；
图14为修复凹槽中正光阻的曝光示意图；
图15为修复凹槽中正光阻经曝光和显影后的基板的结构示意图；
图16为第二次流体巨量转移过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种Micro-LED芯片坏点修复方法，为了更清楚地说明该修复方法，首先对该修复方法所需使用到的基板进行说明。基板可以为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列基板或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)驱动基板，本申请实施例对此不作具体限定。
图1为本申请实施例提供的基板的俯视图，图2为图1中所示基板沿II-II线的剖视图，如图1和图2所示，该基板1上设有若干子像素区10，每个子像素区10中设有两个凹槽，为了便于后文描述，将这两个凹槽分别称为主凹槽110和备份凹槽120。
每个子像素区10中的主凹槽110用于装载一个Micro-LED芯片，为了便于后文描述，将该Micro-LED芯片称为主Micro-LED芯片。
每个子像素区10中的备份凹槽120，用于当该子像素区10中的主Micro-LED芯片为坏点时，装载另一个Micro-LED芯片，为了便于后文描述，将装载的另一个Micro-LED芯片称为备份Micro-LED芯片。
需要说明的是，主Micro-LED芯片和备份Micro-LED芯片均为能够发出特定颜色的光的元器件，其中，特定颜色为红色、绿色或蓝色。同一子像素区10中的备份Micro-LED芯片和主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同。对于任意一个子像素区10来说，若该子像素区10中的主Micro-LED芯片为坏点，则该子像素区10中的备份Micro-LED芯片可以替代主Micro-LED芯片，进行发光。
图3为本申请实施例提供的一种Micro-LED芯片坏点修复方法流程图，如图3所示，该修复方法包括：
步骤301，提供一基板1，该基板1上设有若干子像素区10，每个子像素区10中设有两个凹槽，这两个凹槽分别为主凹槽110和备份凹槽120。
由于该基板1已在上文中详细说明，因此此处不再赘述。
步骤302，通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至基板1，使每个子像素区10中的主凹槽110装载一个主Micro-LED芯片。
其中，流体巨量转移方法指的是：将包含巨量的主Micro-LED芯片的悬浮液向基板1设有主凹槽110的一面倾倒，使该悬浮液流经基板1设有主凹槽110的一面，进而使每个主凹槽110中均有一个主Micro-LED芯片落入。由于只能使每个主凹槽110装载一个主Micro-LED芯片，因此，需要将所有的备份凹槽120的开口进行遮挡。由于遮挡方法众多，因此，本申请实施例对遮挡方法不作具体说明。
步骤303，检测所有的主Micro-LED芯片以找出存在坏点的子像素区10。
步骤304，通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至基板1，使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片。
其中，流体巨量转移方法指的是：将包含若干备份Micro-LED芯片的悬浮液向基板1设有备份凹槽120的一面倾倒，使该悬浮液流经基板1设有备份凹槽120的一面，进而使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120中均有一个备份Micro-LED芯片落入。由于只能使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片，因此，将不需要装载备份Micro-LED芯片的备份凹槽120的开口进行遮挡。由于遮挡方法众多，因此，本申请实施例对遮挡方法不作具体说明。
可以理解的是，基板1的每个子像素区10中均设有主凹槽110和备份凹槽120，使用流体巨量转移方法可以使每个子像素区10中的主凹槽110装载一个主Micro-LED芯片，当检测出所有的主Micro-LED芯片中存在坏点时，再次使用流体巨量转移方法使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片。由于同一子像素区10中的备份Micro-LED芯片和主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，因此，对于任意一个子像素区10来说，若该子像素区10中的主Micro-LED芯片为坏点，则该子像素区10中的备份Micro-LED芯片可以替代主Micro-LED芯片进行正常发光，从而完成对坏点的修复。由于修复过程中使用了流体巨量转移方法，因此，只需将包含若干备份Micro-LED芯片的悬浮液向基板1设有备份凹槽120的一面倾倒一次或少量几次即可完成修复，相比于现有的坏点剔除与定点单个放置的修复方法，提高了修复效率。
在一些实施例中，如图1和图2所示，同一子像素区10中的主凹槽110和备份凹槽120具有相同的形状和大小。图1和图2中所示出的主凹槽110和备份凹槽120的形状为圆柱体，其截面形状为圆形，在其他实施例中，主凹槽110和备份凹槽120的形状还可为其他各种形状，本申请实施例对此不作具体限定。
主凹槽110与其装载的主Micro-LED芯片的形状和大小相适配。即，主Micro-LED芯片能够大体上填满主凹槽110，且装载有一个主Micro-LED芯片的主凹槽110的剩余空间无法再装载其他主Micro-LED芯片或备份Micro-LED芯片。
备份凹槽120与其装载的备份Micro-LED芯片的形状和大小相适配。即，备份Micro-LED芯片能够大体上填满备份凹槽120，且装载有一个备份Micro-LED芯片的备份凹槽120的剩余空间无法再装载其他备份Micro-LED芯片。
在一些实施例中，如图4所示，将若干子像素区10划分为三个区域，将这三个区域分别称为第一区域100、第二区域200和第三区域300，每个区域内设有若干子像素区10。
其中，位于同一区域内的主凹槽110具有相同的形状和大小，位于同一区域内的主凹槽110用于装载发出相同颜色的光的主Micro-LED芯片。
由于同一子像素区10中的主凹槽110和备份凹槽120具有相同的形状和大小，因此，同一区域内的主凹槽110和备份凹槽120均具有相同的形状和大小；由于同一子像素区10中的备份Micro-LED芯片和主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，因此，同一区域内的备份Micro-LED芯片和主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同。
位于不同区域内的主凹槽具有相同的形状和不同的大小，位于不同区域内的主凹槽装载发出不同颜色的光的主Micro-LED芯片。
如图4所示，在本申请实施例中，三个区域内的主凹槽110和备份凹槽120的截面形状均为圆形，但第一区域100内的主凹槽110的尺寸大于第二区域200内的主凹槽110的尺寸，第二区域200内的主凹槽110的尺寸大于第三区域300内的主凹槽110的尺寸。
并且，第一区域100内的主凹槽110装载发出红光的主Micro-LED芯片，第二区域200内的主凹槽110装载发出绿光的主Micro-LED芯片，第三区域300内的主凹槽110装载发出蓝光的主Micro-LED芯片。
在一些实施例中，每个主凹槽110和每个备份凹槽120的底部均设有两个电极，图2所示的每个斜线填充框代表一个电极。如图5所示，每个主凹槽110中的两个电极与第一焊接电路41电连接，每个备份凹槽120中的两个电极与第二焊接电路42电连接。
其中，第一焊接电路41用于在通电后使每个主凹槽110中的两个电极分别与其装载的主Micro-LED芯片键合，从而使得每个主Micro-LED芯片与基板1实现电性连接。
同样地，第二焊接电路42用于在通电后使每个备份Micro-LED芯片与装载其的备份凹槽120中的两个电极键合，从而使得每个备份Micro-LED芯片与基板1实现电性连接。
在一些实施例中，每个电极的材料为共晶材料。共晶材料为熔点较低的材料，当第一焊接电路41通电后，每个主凹槽110中的两个电极可在短时间内熔化，实现与装载的主Micro-LED芯片的键合。当第二焊接电路42通电后，装载有备份Micro-LED芯片的每个备份凹槽120中的两个电极可在短时间内熔化，实现与装载的备份Micro-LED芯片的键合。
在一些实施例中，如图6所示，步骤“通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至基板1，使每个子像素区10中的主凹槽110装载一个主Micro-LED芯片”包括以下步骤：
步骤3021，使用正光阻填充所有的主凹槽110和所有的备份凹槽120。
其中，正光阻为一种光敏材料，其照到光的部分会融于显影剂。在本申请实施例中，如图7所示，使用正光阻(点状区域)填充基板1中所有的主凹槽110和所有的备份凹槽120，并使之满足平坦化要求，便于后续悬浮液在其上流动。
步骤3022，提供第一光罩20，如图8所示，第一光罩20上设有若干第一通孔210(圆形空白区域)，这若干第一通孔210分别与图1所示基板1中所有的主凹槽110对应设置，且每个第一通孔210的形状和大小与对应设置的主凹槽110的截面形状和截面大小相适配。即，若将第一光罩20覆盖于基板1设有主凹槽110的一面，则基板1中所有的主凹槽110均不被遮挡，而所有的备份凹槽120均被遮挡。
步骤3023，使用第一光罩20覆盖基板1设有主凹槽110的一面。
需要说明的是，覆盖时需要保证第一光罩20的若干第一通孔210与基板1中所有的主凹槽110的位置对应，即，保证基板1中所有的主凹槽110均不被遮挡，而所有的备份凹槽120均被遮挡。
步骤3024，如图9所示，在覆盖完毕后，对基板1中所有的主凹槽110中的正光阻进行曝光，图9示出的多个箭头代表多束光照。曝光完毕后，使用显影剂对基板1中所有的主凹槽110中的正光阻进行显影，以去除基板1中所有的主凹槽110中的正光阻，去除所有的主凹槽110中正光阻后的基板1的结构如图10所示。
步骤3025，去除第一光罩20。
步骤3026，如图11所示，提供含有巨量的主Micro-LED芯片的主悬浮液，使主悬浮液流经基板1设有主凹槽110的一面，以使得每个主凹槽110装载一个主Micro-LED芯片。在图11中，波浪线代表主悬浮液，箭头代表主悬浮液的流向，6个不规则体分别代表6个主Micro-LED芯片。
需要说明的是，对于图4中所示的基板1，由于基板1中所有的子像素区10包括三个区域，位于同一区域内的主凹槽110具有相同的形状和大小，且位于同一区域内的主凹槽110装载的主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，位于不同区域内的主凹槽110的具有相同的形状和不同的大小，且位于不同区域内的主凹槽110装载的主Micro-LED芯片发出的光的颜色不同。因此，此时需要配置三类悬浮液，同一悬浮液中含有的主Micro-LED芯片的形状、大小和颜色均相同，不同悬浮液中的主Micro-LED芯片形状相同，大小不同且发出的光的颜色不同。
三类悬浮液配置完成后，按照包含的主Micro-LED芯片从大到小的顺序，依次将三类悬浮液向基板1设有主凹槽110的一面倾倒，完成主Micro-LED芯片的流体巨量转移过程。
在一些实施例中，修复方法在步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至基板1，使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片”之前还包括：
将检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120标记为修复凹槽。
在一些实施例中，如图12所示，步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至基板1，使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片”包括以下步骤：
步骤3041，提供第二光罩30，如图13所示，第二光罩30上设有若干第二通孔320(圆形空白区域)，这若干第二通孔320分别与图1所示基板1中所有的备份凹槽120对应设置，且每个第二通孔320的形状和大小与对应设置的备份凹槽120的截面形状和截面大小相适配。即，若将第二光罩30覆盖于基板1设有备份凹槽120的一面，则基板1中所有的备份凹槽120均不被遮挡，而所有的主凹槽110均被遮挡。
步骤3042，使用第二光罩30覆盖基板1设有备份凹槽120的一面。
需要说明的是，覆盖时需要保证第二光罩30的若干第二通孔320与基板1中所有的备份凹槽120的位置对应，即，保证基板1中所有的备份凹槽120均不被遮挡，而所有的主凹槽110均被遮挡。
步骤3043，如图14所示，在覆盖完毕后，对所有修复凹槽中的正光阻进行曝光，图14示出的多个箭头代表单束光照。曝光完毕后，使用显影剂对基板1中所有的修复凹槽中的正光阻进行显影，以去除基板1中所有的修复凹槽中的正光阻，去除所有的修复凹槽中的正光阻后的基板1的结构如图15所示。
步骤3044，去除第二光罩30。
步骤3045，如图16所示，提供含有若干备份Micro-LED芯片的备份悬浮液，使备份悬浮液流经基板1设有备份凹槽120的一面，以使得每个修复凹槽装载一个备份Micro-LED芯片。在图16中，波浪线代表备份悬浮液，箭头代表备份悬浮液的流向。
需要说明的是，对于图4中所示的基板1，由于基板1中所有的子像素区10包括三个区域，位于同一区域内的修复凹槽具有相同的形状和大小，且位于同一区域内的修复凹槽装载的备份Micro-LED芯片发出的光的颜色相同，位于不同区域内的修复凹槽的具有相同的形状和不同的大小，且位于不同区域内的修复凹槽装载的备份Micro-LED芯片发出的光的颜色不同。因此，此时需要配置三类悬浮液，同一悬浮液中含有的备份Micro-LED芯片的形状、大小和颜色均相同，不同悬浮液中的备份Micro-LED芯片形状相同，大小不同且发出的光的颜色不同。
三类悬浮液配置完成后，按照包含的备份Micro-LED芯片从大到小的顺序，依次将三类悬浮液向基板1设有备份凹槽120的一面倾倒，完成备份Micro-LED芯片的流体巨量转移过程。
在一些实施例中，步骤“检测所有的主Micro-LED芯片以找出存在坏点的子像素区10”包括以下步骤：
将第一焊接电路41通电，使每个主凹槽110中的两个电极与装载的主Micro-LED芯片进行键合；基于紫外线检测方法或Micro-LED光电特性检测方法检测所有的主Micro-LED芯片，以找出存在坏点的子像素区10。
需要说明的是，主凹槽110中的两个电极与主Micro-LED芯片进行键合后，可采用热退火方法，改善两个电极与主Micro-LED芯片间的应力关系，进而使两个电极与主Micro-LED芯片的键合性能更好。
在一些实施例中，步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至基板1，使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120装载一个备份Micro-LED芯片”之后还包括：
将第二焊接电路42通电，使检测出坏点的每个子像素区10中的备份凹槽120中的两个电极与装载的备份Micro-LED芯片进行键合。
需要说明的是，备份凹槽120中的两个电极与备份Micro-LED芯片进行键合后，也可采用热退火方法，改善两个电极与备份Micro-LED芯片间的应力关系，进而使两个电极与备份Micro-LED芯片键合性能更好。
综上所述，本申请实施例提供的修复方法，利用流体转移环境和转移特性对Micro-LED坏点进行更便捷的修复，具有工艺简单，修复效率高，成本低的特点，有利于提高Micro-LED显示器生产的良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种Micro-LED芯片坏点修复方法，其特征在于，所述修复方法包括以下步骤：
提供一基板，所述基板上设有若干子像素区，每个所述子像素区中设有两个凹槽，所述两个凹槽分别为主凹槽和备份凹槽；
通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至所述基板，使每个所述子像素区中的所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片；
检测所有的所述主Micro-LED芯片以找出存在坏点的所述子像素区；
通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片；
其中，同一所述子像素区中的所述备份Micro-LED芯片和所述主Micro-LED芯片发出的光的颜色相同。
2.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，同一所述子像素区中的所述主凹槽和所述备份凹槽具有相同的形状和大小，所述主凹槽的形状和大小与装载的所述主Micro-LED芯片的形状和大小相适配，所述备份凹槽的形状和大小与装载的所述备份Micro-LED芯片的形状和大小相适配。
3.如权利要求2所述的修复方法，其特征在于，若干所述子像素区划分为三个区域，每个所述区域内设有若干所述子像素区；其中，
位于同一所述区域内的所述主凹槽具有相同的形状和大小，位于同一所述区域内的所述主凹槽用于装载发出相同颜色的光的主Micro-LED芯片；
位于不同所述区域内的所述主凹槽具有相同的形状和不同的大小，位于不同所述区域内的所述主凹槽装载发出不同颜色的光的主Micro-LED芯片。
4.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，每个所述主凹槽和每个所述备份凹槽的底部均设有两个电极，所述主凹槽中的两个电极与第一焊接电路电连接，所述备份凹槽中的两个电极与第二焊接电路电连接。
5.如权利要求4所述的修复方法，其特征在于，每个所述电极的材料为共晶材料。
6.如权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述步骤“通过流体巨量转移方法将巨量的主Micro-LED芯片转移至所述基板，使每个所述子像素区中的所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片”包括以下步骤：
使用正光阻填充所有的所述主凹槽和所有的所述备份凹槽；
提供第一光罩，所述第一光罩上设有若干第一通孔，若干所述第一通孔分别与所有的所述主凹槽对应设置，每个所述第一通孔的形状和大小与对应设置的所述主凹槽的截面形状和截面大小相适配；
使用所述第一光罩覆盖所述基板设有所述主凹槽的一面；
对所有的所述主凹槽中的所述正光阻进行曝光和显影，以去除所有的所述主凹槽中的所述正光阻；
去除所述第一光罩；
提供含有巨量的所述主Micro-LED芯片的主悬浮液，使所述主悬浮液流经所述基板设有所述主凹槽的一面，以使得每个所述主凹槽装载一个所述主Micro-LED芯片。
7.如权利要求6所述的修复方法，其特征在于，所述修复方法在所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”之前还包括：
将检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽标记为修复凹槽。
8.如权利要求7所述的修复方法，其特征在于，所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”包括以下步骤：
提供第二光罩，所述第二光罩上设有若干第二通孔，若干所述第二通孔分别与所有的所述备份凹槽对应设置，每个所述第二通孔的形状和大小与对应设置的所述备份凹槽的截面形状和截面大小相适配；
使用所述第二光罩覆盖所述基板设有所述备份凹槽的一面；
对所有的所述修复凹槽中的所述正光阻进行曝光和显影，以去除所有的所述修复凹槽中的所述正光阻；
去除所述第二光罩；
提供含有若干所述备份Micro-LED芯片的备份悬浮液，使所述备份悬浮液流经所述基板设有所述备份凹槽的一面，以使得每个所述修复凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片。
9.如权利要求4所述的修复方法，其特征在于，所述步骤“检测所有的所述主Micro-LED芯片以找出存在坏点的所述子像素区”包括以下步骤：
将所述第一焊接电路通电，使每个所述主凹槽中的两个电极与装载的所述主Micro-LED芯片进行键合；
基于紫外线检测方法或Micro-LED芯片光电特性检测方法检测所有的所述主Micro-LED芯片，以找出存在坏点的所述子像素区。
10.如权利要求4所述的修复方法，其特征在于，所述步骤“通过流体巨量转移方法将若干备份Micro-LED芯片转移至所述基板，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽装载一个所述备份Micro-LED芯片”之后还包括：
将所述第二焊接电路通电，使检测出所述坏点的每个所述子像素区中的所述备份凹槽中的两个电极与装载的所述备份Micro-LED芯片进行键合。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111965866A (zh) * 2020-09-16 2020-11-20 惠科股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的修补方法
CN112002792A (zh) * 2020-07-06 2020-11-27 深圳市隆利科技股份有限公司 一种电泳组装制备led显示器的方法
CN112289909A (zh) * 2020-10-10 2021-01-29 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、显示模组及其修复方法
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
CN112614863A (zh) * 2020-12-15 2021-04-06 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管显示面板及坏点修复方法、显示器
CN112666178A (zh) * 2020-12-14 2021-04-16 杭州当虹科技股份有限公司 一种户外led大屏坏点在线监控方法
EP3993030A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-04 InnoLux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI807544B (zh) * 2021-12-17 2023-07-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
CN114420607B (zh) * 2022-01-19 2022-09-09 曲面超精密光电(深圳)有限公司 Micro LED巨量转移和修复装置、方法及其设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108257516A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示器及其修补方法
CN110034061A (zh) * 2019-04-24 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 芯片转移方法、芯片及目标基板
CN110047785A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置
CN110137128A (zh) * 2016-03-25 2019-08-16 美科米尚技术有限公司 用以处理半导体装置阵列的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US10643981B2 (en) * 2014-10-31 2020-05-05 eLux, Inc. Emissive display substrate for surface mount micro-LED fluidic assembly
TWI557702B (zh) 2015-06-01 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其修補方法
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10643980B2 (en) * 2018-01-23 2020-05-05 Epistar Corporation Light-emitting device, manufacturing method thereof and display module using the same
CN108682312B (zh) * 2018-05-12 2020-11-06 汕头超声显示器技术有限公司 一种led阵列装置的制造方法
CN109148506B (zh) * 2018-08-24 2021-04-13 上海天马微电子有限公司 Micro LED转移方法及显示面板、显示装置
CN111261653B (zh) * 2018-11-30 2023-08-01 成都辰显光电有限公司 微型发光二极管、显示面板及其转移方法
CN109637957B (zh) 2019-02-14 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法
CN110634906B (zh) * 2019-10-30 2021-10-01 深圳市思坦科技有限公司 一种发光二极管显示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137128A (zh) * 2016-03-25 2019-08-16 美科米尚技术有限公司 用以处理半导体装置阵列的方法
CN108257516A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示器及其修补方法
CN110034061A (zh) * 2019-04-24 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 芯片转移方法、芯片及目标基板
CN110047785A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112002792A (zh) * 2020-07-06 2020-11-27 深圳市隆利科技股份有限公司 一种电泳组装制备led显示器的方法
CN111965866A (zh) * 2020-09-16 2020-11-20 惠科股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的修补方法
CN112289909A (zh) * 2020-10-10 2021-01-29 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、显示模组及其修复方法
EP3993030A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-04 InnoLux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
US11711896B2 (en) 2020-10-29 2023-07-25 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
CN112666178A (zh) * 2020-12-14 2021-04-16 杭州当虹科技股份有限公司 一种户外led大屏坏点在线监控方法
CN112614863A (zh) * 2020-12-15 2021-04-06 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管显示面板及坏点修复方法、显示器

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