CN107210129A - 电子部件的制造方法以及电子部件 - Google Patents

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Abstract

在电子部件的制造方法中，具备：在构成电子部件的芯片基体上形成的外部电极主体上形成绝缘层以使外部电极主体被覆盖的工序；以及对绝缘层的规定的区域照射绝缘层的吸收系数比构成外部电极主体的表面的材料大的激光，来除去位于规定的区域的绝缘层，使外部电极主体的规定的区域露出的工序。

Description

电子部件的制造方法以及电子部件
技术领域
本发明涉及电子部件的制造方法以及电子部件。
背景技术
例如层叠陶瓷电容器等表面安装型的电子部件通常通过利用回流焊接(reflowsoldering)等方法将配设在芯片基体(chip element)的表面的外部电极与作为安装对象的、构成电子设备的电路基板上的电极等电连接、机械式连接来安装。
然而，近年来，随着安装有这种电子部件的电子设备的小型化，电子部件的安装的高密度化发展，导致产生电子部件的外部电极与其他的电子部件等接触而短路这一问题。
为了解决这样的问题，在专利文献1中提出了如图12所示，用绝缘层130覆盖与基板等安装对象对置的面(下表面)101a以外的面(两端面、上表面以及两侧面)的电子部件101。
而且，专利文献1中示出了如下的电子部件的制造方法作为电子部件101的制造方法，如图13(a)～(c)所示，将电子部件101的下表面101a(参照图12)固定于粘着性保持夹具140，在外部电极120以及芯片基体110的表面涂覆绝缘性树脂130a并使其固化后，将电子部件101与粘着性保持夹具140分离，从而由绝缘层130覆盖电子部件101的下表面以外的面(两端面、上表面以及两侧面)，并且使下表面露出。
而且，这样构成的电子部件101通过以其下表面与安装基板对置那样的姿势搭载到安装基板上，从而防止外部电极120与其他的电子部件等短路，能够进行可靠性高的高密度安装。
专利文献1:日本特开2013－26392号公报
但是，在如专利文献1所公开那样的电子部件的制造方法中，由于成为电子部件101的下表面侧、即与粘着性保持基板140抵接的区域全部露出那样的构成，所以在将电子部件101搭载到安装基板的情况下，存在无法使成为与安装基板接合的区域的外部电极120的露出区域形成为所希望的形状这一问题。
另外，也可考虑在将电子部件浸渍到成为绝缘层的树脂而在电子部件101的整个表面形成了绝缘层130之后，用旋转砂轮等除去一部分的绝缘层130的方法。但是，由于在该方法中难以控制除去量，所以存在位于绝缘层130的内侧的外部电极120也被除去这样的问题。
发明内容
本发明用于解决上述课题，其目的在于，提供可制造能够不对外部电极造成损伤地将覆盖电子部件所具备的外部电极的绝缘层的所希望的区域可靠地除去，且能够防止与其他的电子部件等的短路的电子部件的电子部件的制造方法以及电子部件。
为了解决上述课题，本发明的电子部件的制造方法的特征在于，具备：
在构成电子部件的芯片基体上形成的外部电极主体上形成绝缘层以使上述外部电极主体被覆盖的工序；以及
对上述绝缘层的规定的区域照射上述绝缘层的吸收系数比构成上述外部电极主体的表面的材料大的激光，来除去位于上述规定的区域的上述绝缘层，使上述外部电极主体的规定的区域露出的工序。
在本发明的电子部件的制造方法中，优选上述外部电极主体具备形成在上述芯片基体上的由导电性树脂材料构成的电极主体、和形成为覆盖上述电极主体的金属镀层。
由于即使在由导电性树脂材料形成了外部电极主体的电极主体的情况下，由导电性树脂材料构成的电极主体也被难以吸收激光的金属镀层覆盖，所以不会在照射激光来除去位于规定的区域的绝缘层的工序中除去电极主体(树脂电极)，能够使外部电极主体的露出区域成为所希望的形状。
并且，优选上述金属镀层是镀Ni层。
因为激光难以被镀Ni层吸收，所以能够使外部电极主体的露出区域形成为所希望的形状，可使本发明更加有实效。
并且，优选本发明的电子部件的制造方法具备形成镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
通过具备上述构成，在使用焊锡将电子部件与安装对象接合的情况下，能够使接合可靠性提高。
另外，上述外部电极主体也可以由不包括树脂成分的材料形成。
由于在由不包括树脂成分的材料形成了外部电极主体的情况下，即使不在表面形成金属镀层，激光也难以被吸收，所以能够不需要照射激光之前的镀覆工序，使工序简化。
由不包括树脂成分的材料形成的外部电极主体例如可例示通过涂覆包括金属粒子和玻璃的导电性糊剂并进行烧制而形成的烧结电极(厚膜电极)、通过溅射法或蒸镀法等形成的薄膜电极等。
并且，优选具备形成覆盖镀层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
通过具备上述构成，能够在将电子部件与安装对象接合的情况下，使接合可靠性提高。
并且，优选形成上述覆盖镀层的工序具备形成镀Ni层作为基底层的工序和形成镀Sn层作为最外层的工序。
通过具备上述构成，能够在使用焊锡将电子部件与安装对象接合的情况下，使接合可靠性提高。
并且，上述芯片基体由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，
上述外部电极主体由形成在上述芯片基体上的导电性材料和形成为覆盖上述导电性材料的金属镀层构成。
在上述构成中，由于芯片基体的树脂材料被难以吸收激光的金属镀层覆盖，所以不会在照射激光来除去位于规定的区域的绝缘层的工序中除去芯片基体的树脂材料，能够使外部电极主体的露出区域成为所希望的形状。
并且，上述金属镀层是镀Cu层。
在上述构成中，因为金属镀层选择Cu，所以在镀覆时容易附着于导电性材料。
并且，上述金属镀层由镀Cu层和形成为覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成。
在上述构成中，因为镀Cu层选择Cu，所以在镀覆时容易附着于导电性材料，另外，镀Ni层保护镀Cu层。
并且，具备形成镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
在上述构成中，因为形成镀Sn层，所以在使用焊锡将电子部件与安装对象接合的情况下，能够使接合可靠性提高。
并且，具备形成作为基底层的镀Ni层和作为最外层的镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
在上述构成中，因为形成镀Sn层，所以在使用焊锡将电子部件与安装对象接合的情况下，能够使接合可靠性提高。另外，镀Ni层能够防止镀Cu层与镀Sn层之间的相互扩散。
优选通过上述激光的照射来除去对在将上述电子部件搭载于安装对象上的情况下上述电子部件的上述外部电极主体应该直接或者经由镀层而接合的区域进行覆盖的上述绝缘层。
通过具备上述构成，能够使电子部件与安装对象的电接合、机械式的接合可靠性提高，能够使本发明更加有实效。
另外，优选在上述芯片基体的两端部分别形成有上述外部电极主体的情况下，照射上述激光以便对形成于上述芯片基体的两端部的上述外部电极主体分别分离地除去上述绝缘层的多个位置。
通过具备上述构成，由于在将电子部件与安装对象接合的情况下，能够在各个外部电极主体中的多个位置接合，所以能够使电子部件的安装时的姿势稳定。
另外，优选构成上述绝缘层的材料是树脂材料。
由于在构成绝缘层的材料是树脂材料的情况下，激光容易被树脂材料吸收，所以能够使本发明更加有实效。
并且，优选使用波长为1.06μm以上10.6μm以下的激光作为上述激光。
在使用波长为1.06μm以上10.6μm以下的激光作为上述激光的情况下，激光容易被树脂材料吸收，能够使本发明更加有实效。
本发明的电子部件具备：
芯片基体；
外部电极主体，设置在上述芯片基体上；
绝缘层，覆盖上述外部电极主体以使上述外部电极主体的规定的区域露出；以及
覆盖镀层，覆盖上述外部电极主体的上述规定的区域，并从上述绝缘层露出。
在上述构成中，由于覆盖镀层覆盖外部电极主体的规定的区域，所以能够将覆盖镀层设置在所希望的区域。因此，能够防止与其他的电子部件等的短路，能够进行可靠性高的高密度安装。
另外，由于覆盖镀层覆盖外部电极主体的规定的区域，并从绝缘层露出，所以覆盖镀层的表面不被绝缘层覆盖。因此，当通过焊锡使电子部件的覆盖镀层安装于安装对象时，焊锡不会进入覆盖镀层的表面与绝缘层之间，不破坏绝缘层。
相对于此，若用绝缘层对覆盖镀层的表面的至少一部分进行覆盖，则在通过焊锡使电子部件的覆盖镀层安装于安装对象时，存在焊锡进入覆盖镀层的表面与绝缘层之间，破坏绝缘层之虞。
并且，上述外部电极主体由设置在上述芯片基体上且由导电性树脂材料构成的电极主体和覆盖上述电极主体的金属镀层构成。
在上述构成中，由于外部电极主体由电极主体和金属镀层构成，所以金属镀层能够防止电极主体与覆盖镀层之间的相互扩散。
并且，上述金属镀层是镀Ni层，上述覆盖镀层是镀Sn层。
在上述构成中，由于金属镀层是镀Ni层，覆盖镀层是镀Sn层，所以金属镀层能够防止电极主体与覆盖镀层之间的相互扩散。
并且，上述外部电极主体由不包括树脂成分的材料构成，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
在上述构成中，由于外部电极主体由不包括树脂成分的材料构成，覆盖镀层由镀Ni层和镀Sn层构成，所以镀Ni层能够防止外部电极主体与镀Sn层之间的相互扩散。
并且，上述芯片基体由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，
上述外部电极主体由设置在上述芯片基体上的导电性材料和覆盖上述导电性材料的金属镀层构成。
在上述构成中，虽然芯片基体由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，但能够经由导电性材料将金属镀层设置在芯片基体。
并且，上述金属镀层是镀Cu层，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
在上述构成中，镀Ni层能够防止镀Cu层与镀Sn层之间的相互扩散。因为镀Ni层存在于镀Cu层与镀Sn层之间，所以能够防止在镀Cu层与镀Sn层的层叠中产生的须状结晶。
并且，上述金属镀层由镀Cu层和覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成，
上述覆盖镀层是镀Sn层。
在上述构成中，镀Ni层能够防止镀Cu层与镀Sn层之间的相互扩散。因为镀Ni层存在于镀Cu层与镀Sn层之间，所以能够防止在镀Cu层与镀Sn层的层叠中产生的须状结晶。
并且，上述金属镀层由镀Cu层和覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
在上述构成中，镀Ni层能够防止镀Cu层与镀Sn层之间的相互扩散。因为镀Ni层存在于镀Cu层与镀Sn层之间，所以能够防止在镀Cu层与镀Sn层的层叠中产生的须状结晶。
在本发明的电子部件的制造方法中，由于向绝缘层的规定的区域照射绝缘层的吸收系数比构成电极层的表面的材料大的激光，来使绝缘层除去，所以能够可靠地除去覆盖外部电极的绝缘层的所希望的区域。
结果，能够使作为与安装对象接合的区域的外部电极的露出区域形成为所希望的形状，能够可靠地并且高效地制造与安装对象的电接合、机械式的接合可靠性高的电子部件。
此外，在本发明的电子部件的制造方法中，重要的是在形成上述绝缘层的工序中，形成绝缘层以覆盖外部电极主体，如果外部电极主体被可靠地覆盖，则外部电极主体以外的芯片基体的表面既可以被绝缘层覆盖，也可以不被覆盖。但是，若考虑制造出的电子部件的耐湿性、耐久性等，则优选芯片基体的表面也被绝缘层覆盖。
另外，在本发明的电子部件的制造方法中，上述的外部电极主体既可以在照射激光除去绝缘层，使外部电极主体的规定的区域露出之后，经过在露出区域形成金属镀层的工序而成为外部电极，另外，也可以在使外部电极主体的规定的区域露出之后，不特别实施镀覆处理等，就作为外部电极使用。
另外，在本发明的电子部件中，由于覆盖镀层覆盖外部电极主体的规定的区域，所以能够将覆盖镀层设置在所希望的区域。因此，能够防止与其他的电子部件等的短路，能够进行可靠性高的高密度安装。
附图说明
图1是表示通过本发明的实施方式1所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件的图，(a)是从正面观察的情况下的剖视图，(b)是仰视图。
图2是表示本发明的实施方式1所涉及的电子部件的制造方法的图。
图3是表示通过本发明的实施方式2所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件的图，(a)是从正面观察的情况下的剖视图，(b)是仰视图。
图4是表示本发明的实施方式2所涉及的电子部件的制造方法的图。
图5是表示通过本发明的实施方式3所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件的图，(a)是从正面观察的情况下的剖视图，(b)是仰视图。
图6是表示本发明的实施方式3所涉及的电子部件的制造方法的图。
图7是表示本发明的电子部件的制造方法所使用的掩膜的图，(a)是俯视图，(b)是A－A剖视图。
图8是表示本发明的实施方式3所涉及的电子部件的制造方法的图。
图9是表示本发明的实施方式3所涉及的电子部件的不同的形态的图，(a)是另一形态的剖视图，(b)是又一形态的剖视图。
图10是表示通过本发明的实施方式1所涉及的电子部件的制造方法制成的其他的电子部件的图，(a)是从正面观察的情况下的剖视图，(b)是仰视图。
图11是表示本发明的实施方式1～3所涉及的电子部件的其他的电子部件的图，(a)是L字状电极的立体图，(b)是“コ”字型电极的立体图。
图12是表示以往的电子部件的图。
图13是表示以往的电子部件的制造方法的图。
具体实施方式
以下，示出本发明的实施方式，进一步详细地说明本发明的特征。此外，在该实施方式中，作为电子部件，举出层叠型电感器为例来进行说明。
[实施方式1]
图1(a)、(b)是表示通过本发明的实施方式1所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件1的图。
电子部件1具有在具备多个磁性体陶瓷层11和线圈13的芯片基体10的两端10a以与线圈13的两端部13a导通的方式配设有一对外部电极20的结构，其中，上述线圈13通过经由磁性体陶瓷层11而层叠的多个内部导体12利用导通孔导体(未图示)层间连接而形成。
外部电极20形成为从芯片基体10的端面10a绕芯片基体10的上表面10b、下表面10c以及两侧面10d的一部分。
另外，电子部件1除了外部电极20的与作为安装对象的电路基板等对置的面、即下表面侧的区域(下表面区域)R以外，整体被绝缘层30覆盖。
而且，外部电极20具备：
(a)外部电极主体25，其具备以与线圈13导通的方式形成于芯片基体10的表面并由导电材料粒子(金属粒子)分散到树脂而成的树脂电极构成的电极主体25a、和形成为覆盖电极主体25a的表面整体的金属镀层(在该实施方式中为镀Ni层)25b；以及
(b)镀Sn层b1，其形成为覆盖外部电极主体25的不被上述绝缘层30覆盖的下表面区域(露出区域)R。
在将这样构成的电子部件1搭载到电路基板等安装对象上的情况下，通过利用回流焊接等方法将在未被绝缘层30覆盖的下表面区域R露出的外部电极20(构成外部电极的表面的镀Sn层b1)与安装对象上的导体(焊盘图案等)电连接、机械式连接来进行安装。
即，此处，形成在芯片基体10上的电极主体25a经由金属镀层(镀Ni层)25b、镀Sn层b1与安装对象上的导体接合。此外，对于外部电极主体25的未被绝缘层30覆盖的下表面区域R的形状没有特别的限制，只要是能够确保电子部件1与安装对象的电接合可靠性、机械式的接合可靠性的形状即可。
总之，电子部件1具有芯片基体10、设置在芯片基体10上的外部电极主体25、覆盖外部电极主体25以使外部电极主体25的规定的区域R露出的绝缘层30、以及覆盖外部电极主体25的规定的区域R且从绝缘层30露出的覆盖镀层。
在上述构成中，由于覆盖镀层覆盖外部电极主体25的规定的区域R，所以能够将覆盖镀层设置在所希望的区域。因此，能够防止与其他的电子部件1等的短路，能够进行可靠性高的高密度安装。
另外，由于覆盖镀层覆盖外部电极主体25的规定的区域R且从绝缘层30露出，所以覆盖镀层的表面不被绝缘层30覆盖。因此，在通过焊锡使电子部件1安装到安装对象时，焊锡不会进入覆盖镀层的表面与绝缘层30之间，不破坏绝缘层30。
相对于此，若通过绝缘层30对覆盖镀层的表面的至少一部分进行覆盖，则在通过焊锡使电子部件1的覆盖镀层安装到安装对象时，存在焊锡进入覆盖镀层的表面与绝缘层30之间，破坏绝缘层30之虞。
外部电极主体25由设置在芯片基体10上且由导电性树脂材料构成的电极主体25a、和覆盖电极主体25a的金属镀层25b构成。由此，金属镀层25b能够防止电极主体25a与覆盖镀层之间的相互扩散。
金属镀层25b是镀Ni层，覆盖镀层是镀Sn层b1。由此，镀Ni层能够防止电极主体25a(Ag金属粒)与镀Sn层b1之间的相互扩散。
芯片基体10是由两端面10a、上表面10b、下表面10c以及两侧面10d构成的大致直六面体形状。外部电极主体25是设置于端面10a、上表面10b、下表面10c以及两侧面10d的5面电极。
镀Ni层(金属镀层25b)覆盖电极主体25a的整体。由此，如后述那样，在通过激光除去规定的区域R的绝缘层30时，镀Ni层防止激光对电极主体25a造成的损伤。此外，也可以代替镀Ni层而设置镀Cu层，但镀Ni层与镀Cu层相比，更难以受到激光的损伤。
接下来，参照图2(a)～(d)对具有上述的构成的电子部件的制造方法进行说明。
此外，在该实施方式中，电子部件经由以下说明那样的、形成芯片基体的工序、形成外部电极主体的工序、形成绝缘层的工序、除去规定的区域的绝缘层的工序、形成镀Sn层的工序而制造。
(1)芯片基体的形成
首先，将在表面具备通过涂覆导电性糊剂而形成的内部导体图案的磁性体生片、以及不具备内部导体图案的外层用的磁性体生片按规定的顺序层叠、压接，来形成层叠块。然后，在切割该层叠块而分割成一个个芯片之后，通过进行烧制来形成芯片基体10。
芯片基体10呈由两端面10a、上表面10b、下表面10c以及两侧面10d构成的大致直六面体形状，角部以及棱部通过滚筒研磨等方法被倒角，具有圆度。
此外，作为构成磁性体生片的材料，能够使用以铁素体、金属磁性体等为主成分的磁性体材料。另外，作为构成内部导体图案的材料，能够使用以Ag、Pd、Cu等为主成分的导电材料。
(2)外部电极主体的形成
接下来，通过对芯片基体10的两端面10a涂覆导电性树脂材料，并使其固化来形成电极主体25a。导电性树脂材料由以Ag或者Cu为主成分的金属粒子和树脂材料构成。
接下来，进行镀覆处理，形成金属镀层25b以覆盖电极主体25a。具体而言，进行Ni电解镀覆来形成镀Ni层以覆盖电极主体25a的表面。此外，也可以在Ni电解镀覆之前，通过无电解镀覆等形成作为基底的镀层。
(3)绝缘层的形成
接下来，如图2(b)所示，在包括外部电极主体25的芯片基体10的表面整体形成绝缘层30。绝缘层30例如能够通过在利用将芯片基体10浸渍到绝缘材料(绝缘性糊剂等)的方法涂覆了绝缘材料之后，使其干燥来形成。
绝缘层30的厚度例如优选为3μm～20μm。作为涂覆绝缘性糊剂的方法，也能够使用喷涂法、电沉积涂装法、滚筒式旋转涂层法等。
作为构成绝缘层30的材料，可使用具有绝缘性的树脂材料且激光的吸收系数大的材料。在该实施方式中，使用了氟类树脂作为构成绝缘层30的材料。此外，除此以外也能够使用环氧树脂、丙烯酸树脂等树脂材料、作为树脂材料以外的具有绝缘性的材料的陶瓷材料等。
(4)规定区域的绝缘层的除去
接下来，如图2(c)所示，对绝缘层30的规定的区域(下表面区域)R照射激光L，来除去位于下表面区域R的绝缘层30。即，除去在下表面区域R中覆盖外部电极主体25的绝缘层30，使外部电极主体25在下表面10c露出。
使外部电极主体25露出的下表面区域R的形状能够通过使激光L扫描而成为适合于各种安装对象的形状。
在该实施方式中，作为照射激光L的激光器的种类，使用波长为1.06μm的YVO4激光器。由于构成外部电极主体25的表面(镀Ni层)的材料的YVO4激光的吸收系数小于绝缘层30的YVO4激光的吸收系数，所以在照射了激光L的情况下，绝缘层30吸收YVO4激光，但外部电极主体25不吸收YVO4激光，而反射其大部分。结果，外部电极主体25不被除去加工，实际上仅绝缘层30被除去加工。
通过该激光L的照射，被绝缘层30覆盖的外部电极主体25的下表面区域R露出，形成了外部电极主体25的露出区域。
此外，作为激光器的种类，除了YVO4以外，也能够使用YAG激光器、CO2激光器、准分子激光器、UV激光器等。
(5)镀Sn层的形成
然后，如图2(d)所示，在下表面区域R露出的外部电极主体25(镀Ni层)上形成镀Sn层b1。
由此，得到具有图1所示那样的结构的电子部件1。
此外，在该实施方式1中，仅由镀Ni层构成了外部电极主体25的金属镀层25b，但也能够在进一步形成了镀Sn层以覆盖镀Ni层之后，在其表面形成绝缘层30。该情况下，能够省略在除去了绝缘层30的规定的区域R之后形成镀Sn层的工序。
[实施方式2]
图3(a)、(b)是表示通过本发明的实施方式2所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件1的图。电子部件1在外部电极主体25是通过涂覆包括金属粒子和玻璃的导电性糊剂，并进行烧制而形成的烧结电极(厚膜电极)的点上，与上述实施方式1的具备利用镀Ni层覆盖了由树脂电极构成的电极主体25a的表面的外部电极主体25的电子部件1构成不同。
以下，对该实施方式2所涉及的电子部件进行说明。
如图3(a)、(b)所示，该实施方式2的电子部件1也与上述的实施方式1的电子部件的情况同样，除了外部电极20的与作为安装对象的电路基板等对置的面即下表面侧的区域(下表面区域)R以外，整体被绝缘层30覆盖。
即，在实施方式2的电子部件1中，具备了作为烧结电极(厚膜电极)的外部电极主体25的芯片基体10被绝缘层30直接覆盖。
另外，电子部件1除了外部电极20的与作为安装对象的电路基板等对置的面即下表面侧的区域(下表面区域)R以外，整体被绝缘层30覆盖。
另外，外部电极20在未被上述绝缘层30覆盖的下表面区域(露出区域)R具备直接形成于外部电极主体25的表面的作为基底层的镀Ni层c1和在镀Ni层c1的表面形成为最外层的镀Sn层c2。
其他的构成与上述实施方式1的电子部件1的情况相同。
总之，实施方式2的电子部件1与上述的实施方式1的电子部件相比，外部电极主体25由不包括树脂成分的材料构成，覆盖镀层由镀Ni层c1和覆盖镀Ni层c1的镀Sn层c2构成。由此，镀Ni层c1能够防止外部电极主体25(Ag烧结电极)与镀Sn层c2之间的相互扩散。另外，镀Ni层c1能够通过制成NiSn合金而提高安装性。
镀Ni层c1仅覆盖从绝缘层30露出的外部电极主体25的规定的区域R。即，由于外部电极主体25是不包括树脂成分的烧结电极，所以在通过激光除去规定的区域R的绝缘层30时，不会飞散外部电极主体25的树脂成分。由此，镀Ni层c1能够不设置在外部电极主体25的整体，而仅设置在规定的区域R。
接下来，参照图4(a)～(d)对具有上述的构成的电子部件的制造方法进行说明。
首先，如图4(a)所示，通过在芯片基体10的两端面10a涂覆包括以Ag或者Cu为主成分的金属粒子和玻璃的导电性糊剂并进行烧制来形成外部电极主体25。该实施方式2的外部电极主体25是如上述那样通过涂覆、烧制导电性糊剂而形成的烧结电极(厚膜电极)，不包括树脂成分。
此外，不包括树脂成分的外部电极主体25除了上述的涂覆、烧制导电性糊剂的方法以外，例如也能够通过溅射法、蒸镀法等其他的方法形成。
接下来，如图4(b)所示，在具备外部电极主体25的芯片基体10的表面整体形成绝缘层30。
此外，作为构成绝缘层30的材料，与实施方式1同样地使用了激光L的吸收系数大的树脂材料。
接下来，如图4(c)所示，对绝缘层30的规定的区域(下表面区域)R照射激光L，来除去位于下表面区域R的绝缘层30。即，除去在下表面区域R中覆盖外部电极主体25的绝缘层30，使外部电极主体25在下表面10c露出。
然后，如图4(d)所示，在下表面区域R露出的外部电极主体25的表面形成镀Ni层c1作为基底层，在镀Ni层c1的表面形成镀Sn层c2作为最外层。
由此，得到具有如图3所示那样的构造的电子部件1。
[实施方式3]
图5(a)、(b)是表示通过本发明的实施方式3所涉及的电子部件的制造方法制成的电子部件1的图。实施方式3的芯片基体以及外部电极主体的构成与实施方式2不同。以下对该不同的构成进行说明。此外，由于其他的结构与实施方式2相同，所以省略其说明。
芯片基体10由树脂材料以及金属粉的复合材料构成。树脂材料例如是由环氧类树脂、或双马来酰亚胺、液晶聚合物、聚酰亚胺等构成的有机绝缘材料。金属粉例如是FeSiCR等FeSi系合金、FeCo系合金、NiFe等Fe系合金、或者它们的非晶体合金。
外部电极主体25由在芯片基体10上设置的导电性材料40和覆盖导电性材料40的金属镀层50构成。导电性材料40是能够附着于芯片基体10并赋予导电性的材料，例如，可举出过渡金属的离子、包括它们的胶体、导电性高分子、石墨等。导电性材料40例如是从由钯、锡、银、铜构成的组中选择的至少1种金属。
金属镀层50是镀Cu层。覆盖镀层由镀Ni层c1和覆盖镀Ni层c1的镀Sn层c2构成。
由此，镀Ni层c1能够防止镀Cu层与镀Sn层c2之间的相互扩散。因为镀Ni层c1存在于镀Cu层与镀Sn层c2之间，所以能够防止在镀Cu层与镀Sn层c2的层叠中产生的须状结晶(Whisker)。
另外，芯片基体10由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，能够经由导电性材料在芯片基体10设置金属镀层50。
接下来，对电子部件1的制造方法进行说明。
首先，如图6所示，用掩膜200覆盖芯片基体10的一部分以使芯片基体10的两端面10a侧露出。为了使芯片基体10的两端面10a侧具有导电性，在芯片基体10的两端面10a侧形成导电性材料40。此时，通过将芯片基体10浸渍到含有导电性材料40的导电性溶液，从而将导电性溶液附着在芯片基体10的两端部，在芯片基体10的两端部形成导电性材料40。
此处，如图7(a)所示，掩膜200具有多个长方形的孔200a，孔200a排列成矩阵状。如图7(b)所示，掩膜200的结构是用橡胶202覆盖由不锈钢构成的芯材201的结构。而且，各孔200a被设置为收纳一个主体10。但是，孔200a的大小小于芯片基体10。
而且，在将芯片基体10插入到孔200a时，利用棒状的部件从掩膜200的一面侧将芯片基体10塞进孔200。由此，能够将芯片基体10的两端部从孔200a露出。此外，也可以使芯片基体10的一方的端部从孔200a露出。
其后，将通过导电性材料40的附着而被赋予了导电性的芯片基体10从掩膜200拔出。然后，将芯片基体10浸渍到镀浴并实施电解镀覆，如图8(a)所示，在芯片基体10中导电性材料40所附着的端部形成金属镀层50。金属镀层50形成为覆盖导电性材料40。
金属镀层50是镀Cu层。因此，由于金属镀层50选择Cu，所以在镀覆时，通过镀覆容易附着于导电性材料40。
这样一来，由导电性材料40和金属镀层50形成外部电极主体25。
接下来，如图8(b)所示，在具备了外部电极主体25的芯片基体10的表面整体形成绝缘层30。
此外，作为构成绝缘层30的材料，与实施方式1相同地使用激光L的吸收系数大的树脂材料。
接下来，如图8(c)所示，对绝缘层30的规定的区域(下表面区域)R照射激光L，来除去位于下表面区域R的绝缘层30。即，除去在下表面区域R中覆盖外部电极主体25的绝缘层30，使外部电极主体25在下表面10c露出。
因此，由于芯片基体10的树脂材料被难以吸收激光的金属镀层50覆盖，所以在照射激光来除去位于规定的区域R的绝缘层30的工序中，不会除去芯片基体10的树脂材料，能够使外部电极主体25的露出区域成为所希望的形状。
然后，如图8(d)所示，在下表面区域R露出的外部电极主体25的表面形成镀Ni层c1作为基底层，在镀Ni层c1的表面形成镀Sn层c2作为最外层。
因此，由于形成镀Sn层c2，所以在使用焊锡将电子部件1与安装对象接合的情况下，能够使接合可靠性提高。另外，镀Ni层c1能够防止镀Cu层与镀Sn层c2之间的相互扩散。另外，由于镀Ni层c1存在于镀Cu层与镀Sn层c2之间，所以能够防止在镀Cu层与镀Sn层c2的层叠中产生的须状结晶。
由此，得到具有如图5所示那样的结构的电子部件1。
接下来，对实施方式3的另一形态进行说明。对与图5所示的电子部件1不同的构成进行说明。
如图9(a)所示，金属镀层50由镀Cu层51和覆盖镀Cu层51的镀Ni层52构成，覆盖镀层是镀Sn层b1。此外，在金属镀层50中，镀Ni层52覆盖镀Cu层51的整体，但也可以覆盖镀Cu层51的与规定的区域R对应的部分。
因此，镀Ni层52能够防止镀Cu层51与镀Sn层b1之间的相互扩散。因为镀Ni层52存在于镀Cu层51与镀Sn层b1之间，所以能够防止在镀Cu层51与镀Sn层b1的层叠中产生的须状结晶。
对该电子部件1的制造方法进行说明。对与图8所示的电子部件1的制造方法不同的方法进行说明。
在图8(a)中，由镀Cu层51和形成为覆盖镀Cu层51的镀Ni层52构成金属镀层50。由此，镀Cu层51通过镀覆容易附着于导电性材料40，另外，镀Ni层52保护镀Cu层51。
在图8(d)中，形成镀Sn层b1以便覆盖外部电极主体的通过除去绝缘层而露出的区域。因为这样形成镀Sn层b1，所以在使用焊锡将电子部件1与安装对象接合的情况下，能够使接合可靠性提高。
接下来，对实施方式3的又一形态进行说明。对与图5所示的电子部件1不同的构成进行说明。
如图9(b)所示，金属镀层50由镀Cu层51和覆盖镀Cu层51的镀Ni层52构成，覆盖镀层由镀Ni层c1和覆盖镀Ni层c1的镀Sn层c2构成。
因此，镀Ni层52、c1能够防止镀Cu层51与镀Sn层c2之间的相互扩散。因为镀Ni层52、c1存在于镀Cu层51与镀Sn层c2之间，所以能够防止在镀Cu层51与镀Sn层c2的层叠中产生的须状结晶。
对该电子部件1的制造方法进行说明。对与图8所示的电子部件1的制造方法不同的方法进行说明。
在图8(a)中，由镀Cu层51和形成为覆盖镀Cu层51的镀Ni层52构成金属镀层50。由此，由于镀Cu层51选择Cu，所以在镀覆时，容易附着于导电性材料40，另外，镀Ni层52保护镀Cu层51。其后，进行与利用图8(b)～(d)说明的方法相同的方法。
这里，参照图8(c)，在为了使外部电极主体25的规定的区域R露出而利用激光除去与规定的区域R对应的绝缘层30时，金属镀层50的镀Ni层52由于激光的热而氧化。鉴于此，在该方法中，参照图8(d)，在再次实施覆盖镀层的镀Ni层c1后，进行镀Sn层c2。
此外，在上述的实施方式1中，采取除去绝缘层30的区域(下表面区域)R在一对外部电极20的一方侧以及另一方侧各为一个(即，合计2个)的情况为例进行了说明，但也可以如图10(a)、(b)所示，在一方的外部电极20的下表面区域R形成多个(图10(b)中为2个)，在另一方的外部电极20的下表面区域R也形成多个(图10(b)中为2个)。
即，也可以将激光分别分离地照射到覆盖一方的外部电极主体的绝缘层的多处位置(2处位置以上)和覆盖另一方的外部电极主体的绝缘层的多处位置(2处位置以上)，来除去绝缘层。此外，对于实施方式2、3而言也相同。
另外，在上述实施方式1～3中，外部电极主体25是设置于端面10a、上表面10b、下表面10c以及两侧面10d的5面电极，但也可以如图11(a)所示，外部电极主体25是设置于端面10a以及下表面10c的L字状电极，或者也可以如图11(b)所示，外部电极主体25是设置于端面10a、上表面10b以及下表面10c的“コ”字型电极。
另外，在上述实施方式1～3中，除去了芯片基体10的下表面10c侧的绝缘层30，但也能够还除去端面10a侧的绝缘层30。
例如，通过使外部电极20的端面10a侧的一部分露出，能够在将电子部件1搭载到安装对象的情况下，在端面10a侧的外部电极20也形成可接合的区域，使与安装对象的接合可靠性提高。
另外，也能够不覆盖芯片基体10的整个表面而仅覆盖外部电极主体25。
此外，在上述实施方式中，举出层叠型电感器为例进行了说明，但本发明除此以外也能够应用于层叠型电容器、层叠型热敏电阻、层叠型LC复合部件、卷绕了导线的绕组线圈部件、噪声过滤器等各种电子部件。
此外，本发明在其他的点上也并不局限于上述实施方式，能够在本发明的范围内施加各种应用、变形。
附图标记的说明
1...电子部件；10...芯片基体；10a...芯片基体的端面；10b...芯片基体的上表面；10c...芯片基体的下表面；10d...芯片基体的侧面；11...磁性体陶瓷层；12...内部导体；13...线圈；13a...线圈的端部；20...外部电极；25...外部电极主体；25a...电极主体；25b...金属镀层；30...绝缘层；40...导电性材料；50...金属镀层；51...镀Cu层；52...镀Ni层；b1...(覆盖镀层的一个例子的)镀Sn层；c1...(覆盖镀层的一个例子的)镀Ni层(基底层)；c2...(覆盖镀层的一个例子的)镀Sn层(最外层)；L...激光；R...规定的区域(除去绝缘层的区域)。

Claims (24)

1.一种电子部件的制造方法，其中，具备：
在构成电子部件的芯片基体上形成的外部电极主体上形成绝缘层以使上述外部电极主体被覆盖的工序；以及
对上述绝缘层的规定的区域照射上述绝缘层的吸收系数比构成上述外部电极主体的表面的材料大的激光，来除去位于上述规定的区域的上述绝缘层，使上述外部电极主体的规定的区域露出的工序。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，
上述外部电极主体具备形成在上述芯片基体上的由导电性树脂材料构成的电极主体、和形成为覆盖上述电极主体的金属镀层。
3.根据权利要求2所述的电子部件的制造方法，其中，
上述金属镀层是镀Ni层。
4.根据权利要求2或者3所述的电子部件的制造方法，其中，
具备形成镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
5.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，
上述外部电极主体由不包括树脂成分的材料形成。
6.根据权利要求5所述的电子部件的制造方法，其中，
具备形成覆盖镀层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
7.根据权利要求6所述的电子部件的制造方法，其中，
形成上述覆盖镀层的工序具备形成镀Ni层作为基底层的工序和形成镀Sn层作为最外层的工序。
8.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其中，
上述芯片基体由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，
上述外部电极主体由形成在上述芯片基体上的导电性材料和形成为覆盖上述导电性材料的金属镀层构成。
9.根据权利要求8所述的电子部件的制造方法，其中，
上述金属镀层是镀Cu层。
10.根据权利要求8所述的电子部件的制造方法，其中，
上述金属镀层由镀Cu层和形成为覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成。
11.根据权利要求10所述的电子部件的制造方法，其中，
具备形成镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
12.根据权利要求9或者10所述的电子部件的制造方法，其中，具备形成作为基底层的镀Ni层和作为最外层的镀Sn层以覆盖上述外部电极主体的通过除去上述绝缘层而露出的区域的工序。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，
通过上述激光的照射来除去对在将上述电子部件安装到安装对象上的情况下上述电子部件的上述外部电极主体应该直接或者经由镀层而接合的区域进行覆盖的上述绝缘层。
14.根据权利要求13所述的电子部件的制造方法，其中，
在上述芯片基体的两端部分别形成有上述外部电极主体的情况下，照射上述激光以便对形成于上述芯片基体的两端部的上述外部电极主体分别分离地除去上述绝缘层的多处位置。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，
构成上述绝缘层的材料是树脂材料。
16.根据权利要求15所述的电子部件的制造方法，其中，
使用波长为1.06μm以上10.6μm以下的激光作为上述激光。
17.一种电子部件，其中，具备：
芯片基体；
外部电极主体，设置在上述芯片基体上；
绝缘层，覆盖上述外部电极主体以使上述外部电极主体的规定的区域露出；以及
覆盖镀层，覆盖上述外部电极主体的上述规定的区域并从上述绝缘层露出。
18.根据权利要求17所述的电子部件，其中，
上述外部电极主体由设置在上述芯片基体上且由导电性树脂材料构成的电极主体和覆盖上述电极主体的金属镀层构成。
19.根据权利要求18所述的电子部件，其中，
上述金属镀层是镀Ni层，上述覆盖镀层是镀Sn层。
20.根据权利要求17所述的电子部件，其中，
上述外部电极主体由不包括树脂成分的材料构成，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
21.根据权利要求17所述的电子部件，其中，
上述芯片基体由树脂材料以及金属粉的复合材料构成，
上述外部电极主体由设置在上述芯片基体上的导电性材料和覆盖上述导电性材料的金属镀层构成。
22.根据权利要求21所述的电子部件，其中，
上述金属镀层是镀Cu层，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
23.根据权利要求21所述的电子部件，其中，
上述金属镀层由镀Cu层和覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成，
上述覆盖镀层是镀Sn层。
24.根据权利要求21所述的电子部件，其中，
上述金属镀层由镀Cu层和覆盖上述镀Cu层的镀Ni层构成，
上述覆盖镀层由镀Ni层和覆盖上述镀Ni层的镀Sn层构成。
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