WO2016121575A1 - 電子部品の製造方法および電子部品 - Google Patents
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Abstract
電子部品の製造方法において、電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、外部電極本体の表面を構成する材料よりも絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、絶縁層の所定の領域に照射して、所定の領域に位置する絶縁層を除去し、外部電極本体の所定の領域を露出させる工程とを具備する。
Description
本発明は、電子部品の製造方法および電子部品に関する。
例えば積層セラミックコンデンサなどの表面実装型の電子部品は、通常、チップ素体の表面に配設された外部電極を、リフローはんだ付けなどの方法で、実装対象である、電子機器を構成する回路基板上の電極などに、電気的、機械的に接続することにより実装されている。
ところで、近年、この種の電子部品が実装される電子機器の小型化に伴って、電子部品の実装の高密度化が進み、電子部品の外部電極が他の電子部品などに接触してショートするという問題が発生するに至っている。
このような問題を解決するために、特許文献１には、図１２に示すように、基板などの実装対象と対向する面（下面）１０１ａ以外の面（両端面、上面および両側面）を絶縁層１３０で覆った電子部品１０１が提案されている。
そして、特許文献１には、電子部品１０１の製造方法として、図１３（ａ）～（ｃ）に示すように、電子部品１０１の下面１０１ａ（図１２参照）を粘着性保持治具１４０に固定し、外部電極１２０およびチップ素体１１０の表面に絶縁性樹脂１３０ａを塗布し固化させた後、電子部品１０１を粘着性保持治具１４０から分離することで、電子部品１０１の下面以外の面（両端面、上面および両側面）を絶縁層１３０で覆うとともに、下面を露出させるようにした電子部品の製造方法が示されている。
そして、このように構成された電子部品１０１は、その下面が実装基板と対向するような姿勢で実装基板上に搭載することにより、外部電極１２０が他の電子部品などとショートすることを防止して、信頼性の高い、高密度実装を行うことができるとされている。
そして、特許文献１には、電子部品１０１の製造方法として、図１３（ａ）～（ｃ）に示すように、電子部品１０１の下面１０１ａ（図１２参照）を粘着性保持治具１４０に固定し、外部電極１２０およびチップ素体１１０の表面に絶縁性樹脂１３０ａを塗布し固化させた後、電子部品１０１を粘着性保持治具１４０から分離することで、電子部品１０１の下面以外の面（両端面、上面および両側面）を絶縁層１３０で覆うとともに、下面を露出させるようにした電子部品の製造方法が示されている。
そして、このように構成された電子部品１０１は、その下面が実装基板と対向するような姿勢で実装基板上に搭載することにより、外部電極１２０が他の電子部品などとショートすることを防止して、信頼性の高い、高密度実装を行うことができるとされている。
しかし、特許文献１に開示されたような電子部品の製造方法では、電子部品１０１の下面側、すなわち粘着性保持基板１４０に当接させた領域のすべてが露出するような構成となってしまうので、電子部品１０１を実装基板に搭載する場合に、実装基板に接合する領域となる外部電極１２０の露出領域を所望の形状に形成することができないという問題がある。
また、絶縁層となる樹脂に電子部品を浸漬して電子部品１０１の表面の全体に絶縁層１３０を形成した後、回転砥石などで一部の絶縁層１３０を除去する方法も考えられる。しかし、この方法では除去量の制御が困難であるため、絶縁層１３０の内側にある外部電極１２０も除去されてしまうという問題がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品が備える外部電極を被覆する絶縁層の所望の領域を、外部電極にダメージを与えることなく確実に除去することが可能で、他の電子部品などとのショートを防止することが可能な電子部品を製造することが可能な電子部品の製造方法および電子部品を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の電子部品の製造方法は、
電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、前記外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、
前記外部電極本体の表面を構成する材料よりも前記絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、前記絶縁層の所定の領域に照射して、前記所定の領域に位置する前記絶縁層を除去し、前記外部電極本体の所定の領域を露出させる工程と
を具備することを特徴としている。
電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、前記外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、
前記外部電極本体の表面を構成する材料よりも前記絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、前記絶縁層の所定の領域に照射して、前記所定の領域に位置する前記絶縁層を除去し、前記外部電極本体の所定の領域を露出させる工程と
を具備することを特徴としている。
本発明の電子部品の製造方法においては、前記外部電極本体が、前記チップ素体上に形成された、導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を被覆するように形成された金属めっき層とを備えたものであることが好ましい。
外部電極本体の電極本体を導電性樹脂材料から形成した場合でも、導電性樹脂材料からなる電極本体が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域に位置する絶縁層を除去する工程で電極本体（樹脂電極）が除去されてしまうことがなく、外部電極本体の露出領域を所望の形状とすることができる。
さらに、前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層であることが好ましい。
レーザ光がＮｉめっき層で吸収されにくくなるので、外部電極本体の露出領域を所望の形状に形成することができ、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
さらに、本発明の電子部品の製造方法が、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
上記構成を備えることにより、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
また、前記外部電極本体が、樹脂成分を含まない材料から形成されたものであってもよい。
外部電極本体を、樹脂成分を含まない材料で形成した場合には、表面に金属めっき層を形成しなくてもレーザ光が吸収されにくくなるので、レーザ光を照射する前のめっき工程をなくし、工程を簡略化することができる。
樹脂成分を含まない材料から形成された外部電極本体とは、例えば、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することにより形成される焼付け電極（厚膜電極）や、スパッタ法や蒸着法などにより形成される薄膜電極などが例示される。
樹脂成分を含まない材料から形成された外部電極本体とは、例えば、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することにより形成される焼付け電極（厚膜電極）や、スパッタ法や蒸着法などにより形成される薄膜電極などが例示される。
さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、被覆めっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
上記構成を備えることにより、電子部品を実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
さらに、前記被覆めっき層を形成する工程が、下地層としてＮｉめっき層を形成する工程と、最外層としてＳｎめっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
上記構成を備えることにより、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
さらに、前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に形成された導電性材料と、前記導電性材料を被覆するように形成された金属めっき層とから構成される。
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に形成された導電性材料と、前記導電性材料を被覆するように形成された金属めっき層とから構成される。
上記構成では、チップ素体の樹脂材料が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域に位置する絶縁層を除去する工程でチップ素体の樹脂材料が除去されてしまうことがなく、外部電極本体の露出領域を所望の形状とすることができる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層である。
上記構成では、金属めっき層は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料に付着しやすくなる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うように形成されたＮｉめっき層とから構成される。
上記構成では、Ｃｕめっき層は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層を保護する。
さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている。
上記構成では、Ｓｎめっき層を形成するので、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、下地層としてＮｉめっき層と最外層としてＳｎめっき層とを形成する工程を備えている。
上記構成では、Ｓｎめっき層を形成するので、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。また、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。
前記レーザ光の照射により、前記電子部品を実装対象上に搭載する場合において、前記電子部品の前記外部電極本体が直接またはめっき層を介して接合されるべき領域を被覆している前記絶縁層を除去することが好ましい。
上記構成を備えることにより、電子部品と実装対象の電気的、機械的な接合信頼性を向上させることができ、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
また、前記チップ素体の両端部のそれぞれに前記外部電極本体が形成されている場合において、前記レーザ光を、前記チップ素体の両端部に形成された前記外部電極本体それぞれについて、前記絶縁層の複数箇所を離間して除去するように照射することが好ましい。
上記構成を備えることにより、電子部品を実装対象に接合する場合に、それぞれの外部電極本体における複数の箇所で接合ができるため、電子部品の実装時の姿勢を安定させることが可能になる。
また、前記絶縁層を構成する材料が、樹脂材料であることが好ましい。
絶縁層を構成する材料が樹脂材料である場合、レーザ光が樹脂材料に吸収されやすくなるので、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
さらに、前記レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いることが好ましい。
レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いた場合、レーザ光が樹脂材料に吸収されやすくなり、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
本発明の電子部品は、
チップ素体と、
前記チップ素体上に設けられた外部電極本体と、
前記外部電極本体の所定の領域を露出させるように前記外部電極本体を覆う絶縁層と、
前記外部電極本体の前記所定の領域を覆って、前記絶縁層から露出している被覆めっき層と
を備える。
チップ素体と、
前記チップ素体上に設けられた外部電極本体と、
前記外部電極本体の所定の領域を露出させるように前記外部電極本体を覆う絶縁層と、
前記外部電極本体の前記所定の領域を覆って、前記絶縁層から露出している被覆めっき層と
を備える。
上記構成では、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
また、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆って、絶縁層から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層に覆われていない。したがって、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込むことがなく、絶縁層を破壊しない。
これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層にて覆うと、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込んで、絶縁層を破壊するおそれがある。
また、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆って、絶縁層から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層に覆われていない。したがって、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込むことがなく、絶縁層を破壊しない。
これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層にて覆うと、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込んで、絶縁層を破壊するおそれがある。
さらに、前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を覆う金属めっき層とから構成される。
上記構成では、外部電極本体は、電極本体と金属めっき層とから構成されるので、金属めっき層は、電極本体と被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である。
上記構成では、金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層であるので、金属めっき層は、電極本体と被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
さらに、前記外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
上記構成では、外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とから構成されるので、Ｎｉめっき層は、外部電極本体とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。
さらに、前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられた導電性材料と、前記導電性材料を覆う金属めっき層とから構成される。
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられた導電性材料と、前記導電性材料を覆う金属めっき層とから構成される。
上記構成では、チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなるが、チップ素体に導電性材料を介して金属めっき層を設けることができる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層であり、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である。
前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である。
上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
本発明の電子部品の製造方法においては、電極層の表面を構成する材料よりも絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、絶縁層の所定の領域に照射して、絶縁層を除去するようにしているので、外部電極を被覆する絶縁層の所望の領域を確実に除去することが可能になる。
その結果、実装対象に接合される領域となる外部電極の露出領域を、所望の形状に形成することが可能になり、実装対象との電気的、機械的な接合信頼性の高い電子部品を確実に、しかも効率よく製造することができるようになる。
その結果、実装対象に接合される領域となる外部電極の露出領域を、所望の形状に形成することが可能になり、実装対象との電気的、機械的な接合信頼性の高い電子部品を確実に、しかも効率よく製造することができるようになる。
なお、本発明の電子部品の製造方法では、上記絶縁層を形成する工程において、外部電極本体が被覆されるように絶縁層を形成することが重要であり、外部電極本体が確実に被覆されるのであれば、外部電極本体以外のチップ素体の表面は、絶縁層により被覆されていてもよく、被覆されていなくてもよい。ただし、製造される電子部品の耐湿性や耐候性などを考慮すれば、チップ素体の表面も絶縁層により被覆されていることが望ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法において、上述の外部電極本体は、レーザ光を照射して絶縁層を除去し、外部電極本体の所定の領域を露出させた後に、露出領域に金属めっき層を形成する工程を経て、外部電極となるものであってもよく、また、外部電極本体の所定の領域を露出させた後に、特にめっき処理などを施すことなく、外部電極として用いられるものであってもよい。
また、本発明の電子部品において、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
以下に、本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。なお、この実施形態では、電子部品として積層型インダクタを例に挙げて説明する。
［実施形態１］
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。
電子部品１は、複数の磁性体セラミック層１１と、磁性体セラミック層１１を介して積層された複数の内部導体１２がビア導体（図示せず）により層間接続されることで形成されたコイル１３とを備えたチップ素体１０の両端１０ａに、コイル１３の両端部１３ａと導通するように一対の外部電極２０が配設された構造を有している。
外部電極２０は、チップ素体１０の端面１０ａからチップ素体１０の上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄの一部に回り込むように形成されている。
また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
外部電極２０は、チップ素体１０の端面１０ａからチップ素体１０の上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄの一部に回り込むように形成されている。
また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
そして、外部電極２０は、
（ａ）コイル１３と導通するようにチップ素体１０の表面に形成された、導電材料粒子（金属粒子）が樹脂に分散した樹脂電極からなる電極本体２５ａと、電極本体２５ａの表面全体を覆うように形成された金属めっき層（この実施形態ではＮｉめっき層）２５ｂとを備えた外部電極本体２５と、
（ｂ）外部電極本体２５の上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒを被覆するように形成されたＳｎめっき層ｂ１とを備えている。
（ａ）コイル１３と導通するようにチップ素体１０の表面に形成された、導電材料粒子（金属粒子）が樹脂に分散した樹脂電極からなる電極本体２５ａと、電極本体２５ａの表面全体を覆うように形成された金属めっき層（この実施形態ではＮｉめっき層）２５ｂとを備えた外部電極本体２５と、
（ｂ）外部電極本体２５の上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒを被覆するように形成されたＳｎめっき層ｂ１とを備えている。
このように構成された電子部品１を回路基板などの実装対象上に搭載する場合、絶縁層３０に覆われていない下面領域Ｒに露出した外部電極２０（外部電極の表面を構成するＳｎめっき層ｂ１）を、実装対象上の導体（ランドパターンなど）にリフローはんだ付けなどの方法で、電気的、機械的に接続することにより実装が行われる。
すなわち、ここでは、チップ素体１０上に形成された電極本体２５ａが、金属めっき層（Ｎｉめっき層）２５ｂ、Ｓｎめっき層ｂ１を介して実装対象上の導体に接合される。なお、外部電極本体２５の絶縁層３０により被覆されていない下面領域Ｒの形状には、特別の制約はなく、電子部品１と実装対象との電気的、機械的な接合信頼性が確保できるような形状であればよい。
すなわち、ここでは、チップ素体１０上に形成された電極本体２５ａが、金属めっき層（Ｎｉめっき層）２５ｂ、Ｓｎめっき層ｂ１を介して実装対象上の導体に接合される。なお、外部電極本体２５の絶縁層３０により被覆されていない下面領域Ｒの形状には、特別の制約はなく、電子部品１と実装対象との電気的、機械的な接合信頼性が確保できるような形状であればよい。
要するに、電子部品１は、チップ素体１０と、チップ素体１０上に設けられた外部電極本体２５と、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを露出させるように外部電極本体２５を覆う絶縁層３０と、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆って、絶縁層３０から露出している被覆めっき層とを有する。
上記構成では、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品１などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
また、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆って、絶縁層３０から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層３０に覆われていない。したがって、電子部品１をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込むことがなく、絶縁層３０を破壊しない。
これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層３０にて覆うと、電子部品１の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込んで、絶縁層３０を破壊するおそれがある。
上記構成では、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品１などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
また、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆って、絶縁層３０から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層３０に覆われていない。したがって、電子部品１をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込むことがなく、絶縁層３０を破壊しない。
これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層３０にて覆うと、電子部品１の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込んで、絶縁層３０を破壊するおそれがある。
外部電極本体２５は、チップ素体１０上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体２５ａと、電極本体２５ａを覆う金属めっき層２５ｂとから構成される。これにより、金属めっき層２５ｂは、電極本体２５ａと被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
金属めっき層２５ｂは、Ｎｉめっき層であり、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層ｂ１である。これにより、Ｎｉめっき層は、電極本体２５ａ（Ａｇ金属粒）とＳｎめっき層ｂ１との間の相互拡散を防止できる。
チップ素体１０は、両端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄからなる略直方体形状である。外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄに設けられた、５面電極である。
Ｎｉめっき層（金属めっき層２５ｂ）は、電極本体２５ａの全体を覆う。これにより、後述するように、所定の領域Ｒの絶縁層３０をレーザにより除去する際に、Ｎｉめっき層は、電極本体２５ａへのレーザのダメージを防止する。なお、Ｎｉめっき層の代わりにＣｕめっき層を設けてもよいが、Ｎｉめっき層の方が、Ｃｕめっき層に比べて、レーザのダメージをうけにくい。
次に、図２（ａ）～（ｄ）を参照しつつ、上述した構成を有する電子部品の製造方法について説明する。
なお、この実施形態では、電子部品は、以下に説明するような、チップ素体を形成する工程、外部電極本体を形成する工程、絶縁層を形成する工程、所定の領域の絶縁層を除去する工程、Ｓｎめっき層を形成する工程を経て製造される。
なお、この実施形態では、電子部品は、以下に説明するような、チップ素体を形成する工程、外部電極本体を形成する工程、絶縁層を形成する工程、所定の領域の絶縁層を除去する工程、Ｓｎめっき層を形成する工程を経て製造される。
（１）チップ素体の形成
まず、導電性ペーストを塗布することにより形成された内部導体パターンを表面に備えた磁性体グリーンシート、および、内部導体パターンを備えていない外層用の磁性体グリーンシートを、所定の順序で積層、圧着することで積層ブロックを形成する。そしてこの積層ブロックをカットして、個々のチップに分割した後、焼成することにより、チップ素体１０を形成する。
チップ素体１０は、両端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄからなる略直方体形状をしており、コーナー部および稜部がバレル研磨などの方法で面取りされ、丸みを有している。
まず、導電性ペーストを塗布することにより形成された内部導体パターンを表面に備えた磁性体グリーンシート、および、内部導体パターンを備えていない外層用の磁性体グリーンシートを、所定の順序で積層、圧着することで積層ブロックを形成する。そしてこの積層ブロックをカットして、個々のチップに分割した後、焼成することにより、チップ素体１０を形成する。
チップ素体１０は、両端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄからなる略直方体形状をしており、コーナー部および稜部がバレル研磨などの方法で面取りされ、丸みを有している。
なお、磁性体グリーンシートを構成する材料としては、フェライト、金属磁性体などを主成分とする磁性体材料を用いることができる。また、内部導体パターンを構成する材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とする導電材料を用いることができる。
（２）外部電極本体の形成
次に、チップ素体１０の両端面１０ａに導電性樹脂材料を塗布し、硬化させることにより電極本体２５ａを形成する。導電性樹脂材料は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子と樹脂材料とにより構成されている。
次に、めっき処理を行い、電極本体２５ａを被覆するように金属めっき層２５ｂを形成する。具体的には、Ｎｉ電解めっきを行って、電極本体２５ａの表面を覆うようにＮｉめっき層を形成する。なお、Ｎｉ電解めっきの前に、無電解めっきなどにより、下地となるめっき層を形成してもよい。
次に、チップ素体１０の両端面１０ａに導電性樹脂材料を塗布し、硬化させることにより電極本体２５ａを形成する。導電性樹脂材料は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子と樹脂材料とにより構成されている。
次に、めっき処理を行い、電極本体２５ａを被覆するように金属めっき層２５ｂを形成する。具体的には、Ｎｉ電解めっきを行って、電極本体２５ａの表面を覆うようにＮｉめっき層を形成する。なお、Ｎｉ電解めっきの前に、無電解めっきなどにより、下地となるめっき層を形成してもよい。
（３）絶縁層の形成
次に、図２（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を含むチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。絶縁層３０は、例えば、チップ素体１０を絶縁材料（絶縁性ペーストなど）に浸漬する方法で、絶縁材料を塗布した後、乾燥させることにより形成することができる。
絶縁層３０の厚みは、例えば、３μｍ～２０μｍとすることが望ましい。絶縁性ペーストを塗布する方法としては、スプレー塗布法、電着塗装法、ドラム式回転コーティング法などを用いることも可能である。
次に、図２（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を含むチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。絶縁層３０は、例えば、チップ素体１０を絶縁材料（絶縁性ペーストなど）に浸漬する方法で、絶縁材料を塗布した後、乾燥させることにより形成することができる。
絶縁層３０の厚みは、例えば、３μｍ～２０μｍとすることが望ましい。絶縁性ペーストを塗布する方法としては、スプレー塗布法、電着塗装法、ドラム式回転コーティング法などを用いることも可能である。
絶縁層３０を構成する材料としては、絶縁性を有する樹脂材料で、かつ、レーザ光の吸収係数が大きい材料が用いられる。この実施形態では、絶縁層３０を構成する材料として、フッ素系樹脂が用いられている。なお、その他にも、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料や、樹脂材料以外の絶縁性を有する材料であるセラミック材料などを用いることができる。
（４）所定領域の絶縁層の除去
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
外部電極本体２５を露出させる下面領域Ｒの形状は、レーザ光Ｌを走査させることで、種々の実装対象に適合した形状とすることができる。
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
外部電極本体２５を露出させる下面領域Ｒの形状は、レーザ光Ｌを走査させることで、種々の実装対象に適合した形状とすることができる。
この実施形態では、レーザ光Ｌを照射するレーザの種類として、波長が１．０６μｍのＹＶＯ4レーザを用いている。外部電極本体２５の表面（Ｎｉめっき層）を構成する材料の、ＹＶＯ4レーザ光の吸収係数が、絶縁層３０のＹＶＯ4レーザ光の吸収係数より小さいので、レーザ光Ｌを照射した場合、絶縁層３０はＹＶＯ4レーザ光を吸収するが、外部電極本体２５はＹＶＯ4レーザ光を吸収せず、その大部分を反射する。その結果、外部電極本体２５は除去加工されず、実質的に絶縁層３０のみが除去加工されることになる。
このレーザ光Ｌの照射によって、絶縁層３０に被覆されていた外部電極本体２５の下面領域Ｒが露出し、外部電極本体２５の露出領域が形成される。
なお、レーザの種類としては、ＹＶＯ4以外にも、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザなどを用いることが可能である。
このレーザ光Ｌの照射によって、絶縁層３０に被覆されていた外部電極本体２５の下面領域Ｒが露出し、外部電極本体２５の露出領域が形成される。
なお、レーザの種類としては、ＹＶＯ4以外にも、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザなどを用いることが可能である。
（５）Ｓｎめっき層の形成
それから、図２（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５（Ｎｉめっき層）上に、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。
これにより、図１に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
それから、図２（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５（Ｎｉめっき層）上に、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。
これにより、図１に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
なお、この実施形態１では、外部電極本体２５の金属めっき層２５ｂをＮｉめっき層のみにより構成したが、Ｎｉめっき層を被覆するように、さらにＳｎめっき層を形成したうえで、その表面に絶縁層３０を形成することも可能である。その場合、絶縁層３０の所定の領域Ｒを除去した後にＳｎめっき層を形成する工程を省略することができる。
［実施形態２］
図３（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態２にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。電子部品１は、外部電極本体２５が、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することで形成された焼付け電極（厚膜電極）である点において、上記実施形態１の、樹脂電極からなる電極本体２５ａの表面をＮｉめっき層で被覆した外部電極本体２５を備えた電子部品１とは、その構成を異にしている。
図３（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態２にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。電子部品１は、外部電極本体２５が、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することで形成された焼付け電極（厚膜電極）である点において、上記実施形態１の、樹脂電極からなる電極本体２５ａの表面をＮｉめっき層で被覆した外部電極本体２５を備えた電子部品１とは、その構成を異にしている。
以下、この実施形態２にかかる電子部品について説明する。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、この実施形態２の電子部品１も、上述の実施形態１の電子部品の場合と同様に、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
すなわち、実施形態２の電子部品１においては、焼付け電極（厚膜電極）である外部電極本体２５を備えたチップ素体１０が、絶縁層３０により直接に被覆されている。
また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
また、外部電極２０は、上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒに、外部電極本体２５の表面に直接形成された下地層であるＮｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層として形成されたＳｎめっき層ｃ２を備えている。
その他の構成は、上記実施形態１の電子部品１と場合と同様である。
図３（ａ），（ｂ）に示すように、この実施形態２の電子部品１も、上述の実施形態１の電子部品の場合と同様に、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
すなわち、実施形態２の電子部品１においては、焼付け電極（厚膜電極）である外部電極本体２５を備えたチップ素体１０が、絶縁層３０により直接に被覆されている。
また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
また、外部電極２０は、上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒに、外部電極本体２５の表面に直接形成された下地層であるＮｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層として形成されたＳｎめっき層ｃ２を備えている。
その他の構成は、上記実施形態１の電子部品１と場合と同様である。
要するに、実施形態２の電子部品１は、上述の実施形態１の電子部品と比べて、外部電極本体２５は、樹脂成分を含まない材料から構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、外部電極本体２５（Ａｇ焼付け電極）とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、ＮｉＳｎ合金を作ることで実装性を上げることができる。
Ｎｉめっき層ｃ１は、絶縁層３０から露出した外部電極本体２５の所定の領域Ｒのみを覆う。つまり、外部電極本体２５は、樹脂成分を含まない焼付け電極であるので、所定の領域Ｒの絶縁層３０をレーザにより除去する際に、外部電極本体２５の樹脂成分が飛ぶことがない。これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、外部電極本体２５の全体でなく、所定の領域Ｒのみに設けることができる。
次に、図４（ａ）～（ｄ）を参照しつつ、上述した構成を有する電子部品の製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）示すように、チップ素体１０の両端面１０ａに、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することで外部電極本体２５を形成する。この実施形態２の外部電極本体２５は、上述のように、導電性ペーストを塗布、焼成することで形成された焼付け電極（厚膜電極）であって、樹脂成分を含まないものである。
なお、樹脂成分を含まない外部電極本体２５は、上述の導電性ペーストを塗布、焼成する方法以外にも、例えば、スパッタ法や蒸着法などの他の方法によっても形成することができる。
なお、樹脂成分を含まない外部電極本体２５は、上述の導電性ペーストを塗布、焼成する方法以外にも、例えば、スパッタ法や蒸着法などの他の方法によっても形成することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を備えたチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。
なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
それから、図４（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５の表面に、下地層としてＮｉめっき層ｃ１を形成し、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層としてＳｎめっき層ｃ２を形成する。
これにより、図３に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
これにより、図３に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
［実施形態３］
図５（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。実施形態３は、実施形態２とは、チップ素体および外部電極本体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、その他の構造は、実施形態２と同じであるため、その説明を省略する。
図５（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。実施形態３は、実施形態２とは、チップ素体および外部電極本体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、その他の構造は、実施形態２と同じであるため、その説明を省略する。
チップ素体１０は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなる。樹脂材料は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。
外部電極本体２５は、チップ素体１０上に設けられた導電性材料４０と、導電性材料４０を覆う金属めっき層５０とから構成される。導電性材料４０は、チップ素体１０に付着して導電性を与えることができる材料であり、例えば、遷移金属のイオン、それらを含むコロイド、導電性高分子やグラファイト等が挙げられる。導電性材料４０は、例えば、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種の金属である。
金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
また、チップ素体１０は樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなるが、チップ素体１０に導電性材料を介して金属めっき層５０を設けることができる。
金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
また、チップ素体１０は樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなるが、チップ素体１０に導電性材料を介して金属めっき層５０を設けることができる。
次に、電子部品１の製造方法について説明する。
まず、図６に示すように、チップ素体１０の両端面１０ａ側が露出するように、チップ素体１０の一部をマスク２００で覆う。チップ素体１０の両端面１０ａ側に導電性を持たせるために、チップ素体１０の両端面１０ａ側に導電性材料４０を形成する。このとき、導電性材料４０を含有する導電性溶液にチップ素体１０を浸漬することで、チップ素体１０の両端部に導電性溶液を付着して、チップ素体１０の両端部に導電性材料４０を形成する。
ここで、マスク２００は、図７（ａ）に示すように、複数の長方形状の孔２００ａを有し、孔２００ａは、マトリクス状に配列されている。マスク２００の構造は、図７（ｂ）に示すように、ステンレスからなる芯材２０１をゴム２０２により覆った構造である。そして、各孔２００ａは、一つの本体１０が収まるように設けられている。ただし、孔２００ａの大きさはチップ素体１０よりも小さい。
そして、チップ素体１０を孔２００ａに挿入する際には、棒状の部材でマスク２００の一面側から、チップ素体１０を孔２００に押し込む。これにより、チップ素体１０の両端部を孔２００ａから露出することができる。なお、チップ素体１０の一方の端部を孔２００ａから露出させるようにしてもよい。
そして、チップ素体１０を孔２００ａに挿入する際には、棒状の部材でマスク２００の一面側から、チップ素体１０を孔２００に押し込む。これにより、チップ素体１０の両端部を孔２００ａから露出することができる。なお、チップ素体１０の一方の端部を孔２００ａから露出させるようにしてもよい。
その後、導電性材料４０の付着により導電性が付与されたチップ素体１０をマスク２００から抜き取る。そして、チップ素体１０をめっき浴に浸漬し電解めっき施して、図８（ａ）に示すように、チップ素体１０において導電性材料４０が付着した端部に金属めっき層５０を形成する。金属めっき層５０は、導電性材料４０を被覆するように形成される。
金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。したがって、金属めっき層５０は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなる。
このようにして、導電性材料４０と金属めっき層５０とから、外部電極本体２５を形成する。
金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。したがって、金属めっき層５０は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなる。
このようにして、導電性材料４０と金属めっき層５０とから、外部電極本体２５を形成する。
次に、図８（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を備えたチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。
なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
次に、図８（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
したがって、チップ素体１０の樹脂材料が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層５０により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する工程で、チップ素体１０の樹脂材料が除去されてしまうことがなく、外部電極本体２５の露出領域を所望の形状とすることができる。
したがって、チップ素体１０の樹脂材料が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層５０により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する工程で、チップ素体１０の樹脂材料が除去されてしまうことがなく、外部電極本体２５の露出領域を所望の形状とすることができる。
それから、図８（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５の表面に、下地層としてＮｉめっき層ｃ１を形成し、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層としてＳｎめっき層ｃ２を形成する。
したがって、Ｓｎめっき層ｃ２を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
これにより、図５に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
したがって、Ｓｎめっき層ｃ２を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
これにより、図５に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
次に、実施形態３の他の形態を説明する。図５に示す電子部品１と異なる構成を説明する。
図９（ａ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層ｂ１である。なお、金属めっき層５０において、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１の全体を覆っているが、Ｃｕめっき層５１の所定の領域Ｒに対応する部分を覆うようにしてもよい。
したがって、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との積層で発生するウィスカを防止できる。
この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。
図８（ｄ）において、外部電極本体の、絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。このように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
図９（ａ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層ｂ１である。なお、金属めっき層５０において、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１の全体を覆っているが、Ｃｕめっき層５１の所定の領域Ｒに対応する部分を覆うようにしてもよい。
したがって、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との積層で発生するウィスカを防止できる。
この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。
図８（ｄ）において、外部電極本体の、絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。このように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
次に、実施形態３の別の形態を説明する。図５に示す電子部品１と異なる構成を説明する。
図９（ｂ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
したがって、Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。その後、図８（ｂ）～（ｄ）にて説明した方法と同じ方法を行う。
ここで、図８（ｃ）を参照して、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを露出させるように所定の領域Ｒに対応する絶縁層３０をレーザ光で除去するとき、金属めっき層５０のＮｉめっき層５２は、レーザ光の熱で酸化する。そこで、この方法では、図８（ｄ）を参照して、被覆めっき層のＮｉめっき層ｃ１を再度施してから、Ｓｎめっき層ｃ２を行っている。
図９（ｂ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
したがって、Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。その後、図８（ｂ）～（ｄ）にて説明した方法と同じ方法を行う。
ここで、図８（ｃ）を参照して、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを露出させるように所定の領域Ｒに対応する絶縁層３０をレーザ光で除去するとき、金属めっき層５０のＮｉめっき層５２は、レーザ光の熱で酸化する。そこで、この方法では、図８（ｄ）を参照して、被覆めっき層のＮｉめっき層ｃ１を再度施してから、Ｓｎめっき層ｃ２を行っている。
なお、上述の実施形態１では、絶縁層３０を除去する領域（下面領域）Ｒが、一対の外部電極２０の、一方側および他方側においてそれぞれ一つずつ（すなわち、合計２個）とした場合を例にとって説明したが、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、一方の部電極２０の下面領域Ｒに複数個（図１０（ｂ）では２個）形成し、他方の外部電極２０の下面領域Ｒにも複数個（図１０（ｂ）では２個）形成するようにしてもよい。
すなわち、レーザ光を、一方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）と他方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）に、それぞれ離間して照射し、絶縁層を除去するようにしてもよい。なお、実施形態２，３についても同様である。
すなわち、レーザ光を、一方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）と他方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）に、それぞれ離間して照射し、絶縁層を除去するようにしてもよい。なお、実施形態２，３についても同様である。
また、上記実施形態１～３では、外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄに設けられた、５面電極であるが、図１１（ａ）に示すように、外部電極本体２５は、端面１０ａおよび下面１０ｃに設けられた、Ｌ字状電極であってもよく、または、図１１（ｂ）に示すように、外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂおよび下面１０ｃに設けられた、コ字状電極であってもよい。
また、上記実施形態１～３では、チップ素体１０の下面１０ｃ側の絶縁層３０を除去したが、端面１０ａ側の絶縁層３０も除去することもできる。
例えば、外部電極２０の端面１０ａ側の一部を露出させることにより、電子部品１を実装対象に搭載した場合に、端面１０ａ側の外部電極２０にも接合可能な領域が形成され、実装対象との接合信頼性を向上させることができる。
例えば、外部電極２０の端面１０ａ側の一部を露出させることにより、電子部品１を実装対象に搭載した場合に、端面１０ａ側の外部電極２０にも接合可能な領域が形成され、実装対象との接合信頼性を向上させることができる。
また、チップ素体１０の表面の全体を覆わずに、外部電極本体２５のみを覆うようにすることも可能である。
なお、上記実施形態では、積層型インダクタを例に挙げて説明したが、本発明は、その他にも、積層型コンデンサ、積層型サーミスタ、積層型ＬＣ複合部品、導線を巻回した巻線コイル部品、ノイズフィルタなどの種々の電子部品に適用することが可能である。
なお、本発明は、その他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
１ 電子部品
１０ チップ素体
１０ａ チップ素体の端面
１０ｂ チップ素体の上面
１０ｃ チップ素体の下面
１０ｄ チップ素体の側面
１１ 磁性体セラミック層
１２ 内部導体
１３ コイル
１３ａ コイルの端部
２０ 外部電極
２５ 外部電極本体
２５ａ 電極本体
２５ｂ 金属めっき層
３０ 絶縁層
４０ 導電性材料
５０ 金属めっき層
５１ Ｃｕめっき層
５２ Ｎｉめっき層
ｂ１ （被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層
ｃ１ （被覆めっき層の一例の）Ｎｉめっき層（下地層）
ｃ２ （被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層（最外層）
Ｌ レーザ光
Ｒ 所定の領域（絶縁層を除去する領域）
１０ チップ素体
１０ａ チップ素体の端面
１０ｂ チップ素体の上面
１０ｃ チップ素体の下面
１０ｄ チップ素体の側面
１１ 磁性体セラミック層
１２ 内部導体
１３ コイル
１３ａ コイルの端部
２０ 外部電極
２５ 外部電極本体
２５ａ 電極本体
２５ｂ 金属めっき層
３０ 絶縁層
４０ 導電性材料
５０ 金属めっき層
５１ Ｃｕめっき層
５２ Ｎｉめっき層
ｂ１ （被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層
ｃ１ （被覆めっき層の一例の）Ｎｉめっき層（下地層）
ｃ２ （被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層（最外層）
Ｌ レーザ光
Ｒ 所定の領域（絶縁層を除去する領域）
Claims (24)
- 電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、前記外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、
前記外部電極本体の表面を構成する材料よりも前記絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、前記絶縁層の所定の領域に照射して、前記所定の領域に位置する前記絶縁層を除去し、前記外部電極本体の所定の領域を露出させる工程と
を具備する、電子部品の製造方法。 - 前記外部電極本体が、前記チップ素体上に形成された、導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を被覆するように形成された金属めっき層とを備えたものである、請求項１記載の電子部品の製造方法。
- 前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層である、請求項２記載の電子部品の製造方法。
- 前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項２または３記載の電子部品の製造方法。
- 前記外部電極本体が、樹脂成分を含まない材料から形成されたものである、請求項１記載の電子部品の製造方法。
- 前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、被覆めっき層を形成する工程を備えている、請求項５記載の電子部品の製造方法。
- 前記被覆めっき層を形成する工程が、下地層としてＮｉめっき層を形成する工程と、最外層としてＳｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項６記載の電子部品の製造方法。
- 前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に形成された導電性材料と、前記導電性材料を被覆するように形成された金属めっき層とから構成される、請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層である、請求項８記載の電子部品の製造方法。
- 前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うように形成されたＮｉめっき層とから構成される、請求項８記載の電子部品の製造方法。
- 前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項１０記載の電子部品の製造方法。
- 前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、下地層としてＮｉめっき層と最外層としてＳｎめっき層とを形成する工程を備えている、請求項９または１０記載の電子部品の製造方法。
- 前記レーザ光の照射により、前記電子部品を実装対象上に搭載する場合において、前記電子部品の前記外部電極本体が直接またはめっき層を介して接合されるべき領域を被覆している前記絶縁層を除去する、請求項１～１２のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
- 前記チップ素体の両端部のそれぞれに前記外部電極本体が形成されている場合において、前記レーザ光を、前記チップ素体の両端部に形成された前記外部電極本体それぞれについて、前記絶縁層の複数箇所を離間して除去するように照射する、請求項１３記載の電子部品の製造方法。
- 前記絶縁層を構成する材料が、樹脂材料である、請求項１～１４のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
- 前記レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いる、請求項１５記載の電子部品の製造方法。
- チップ素体と、
前記チップ素体上に設けられた外部電極本体と、
前記外部電極本体の所定の領域を露出させるように前記外部電極本体を覆う絶縁層と、
前記外部電極本体の前記所定の領域を覆って、前記絶縁層から露出している被覆めっき層と
を備える、電子部品。 - 前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を覆う金属めっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。
- 前記金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である、請求項１８記載の電子部品。
- 前記外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。 - 前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられた導電性材料と、前記導電性材料を覆う金属めっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。 - 前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層であり、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項２１記載の電子部品。 - 前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である、請求項２１記載の電子部品。 - 前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項２１記載の電子部品。
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