JP2012069779A - 積層コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＳＲの向上を図ると共に、積層体内の発熱を抑制することのできる積層コンデンサを提供する。
【解決手段】内部電極４１，４２，５０，５１を静電容量部として機能させると共に内部電極４０，５２をＥＳＲ制御部として機能させ、ＥＳＲを向上させる。接続導体１１，２１と端子電極１０，２０との界面に高抵抗層１３，２３が形成されることによって、各内部電極による抵抗成分Ｒ１と、高抵抗層１３，２３による抵抗成分Ｒ２によって、並列等価回路が形成されている。これによって、各内部電極に流れる電流の一部を高抵抗層１３，２３に流すことができるため、積層体内での発熱を抑制することが可能となる。
【選択図】図７

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

従来の積層コンデンサとして、誘電体層の間に内部電極を介在させたものが知られている。例えば、特許文献１に係る積層コンデンサは、積層体の一方の側面から露出する第一内部電極と、当該一方の側面を覆うように形成されて第一内部電極と接続される第一端子電極と、積層体の他方の側面から露出する第二内部電極と、当該他方の側面を覆うように形成されて第二内部電極と接続される第二端子電極と、を備えている。

特開平０９−１４８１７４号公報

近年のＣＰＵなどの動作周波数の更なる高周波数化に伴い、負荷電流はより高速により大きなものとなっており、デカップリングコンデンサに用いられる積層コンデンサには、ＥＳＲ（等価直列抵抗）の向上が要求されている。一方、ＥＳＲを向上させるためにＥＳＲ制御用の内部電極を設ける構造が提案されているが、このような構造に係る積層コンデンサにおいては、大電流を流したときに、積層体内での発熱が大きくなってしまうという問題が生じていた。

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ＥＳＲの向上を図ると共に、積層体内の発熱を抑制することのできる積層コンデンサを提供することを目的とする。

上記課題の解決のため、本発明に係る積層コンデンサは、互いに異なる極性になると共に互いに対向する複数の内部電極を有する積層コンデンサであって、複数の誘電体層が積層された積層体と、積層体内に配置され、積層体の側面から露出する引出部及び第一接続導体用引出部を有する第一内部電極と、積層体内において第一内部電極と誘電体層を挟むように配置され、積層体の側面から露出する第二接続導体用引出部を有する第二内部電極と、積層体の側面に形成されると共に、第一接続導体用引出部及び第二接続導体用引出部に接続され、引出部には接続されない接続導体と、積層体の側面において接続導体を覆うように形成されると共に、引出部に接続される端子電極と、接続導体と端子電極との間の界面に形成される高抵抗層と、を備え、第一内部電極及び第二内部電極による抵抗成分と、高抵抗層による抵抗成分によって、並列等価回路が形成されることを特徴とする。

本発明に係る積層コンデンサによれば、第一内部電極は、回路基板などに実装される端子電極と引出部を介して直接接続される。一方、第二内部電極は、端子電極とは直接には接続されず、接続導体を介して第一内部電極と接続される。このような構成によって、第二内部電極を静電容量部として機能させると共に第一内部電極をＥＳＲ制御部として機能させることができ、ＥＳＲを向上させることができる。ここで、このような内部電極構造において、接続導体と端子電極とが絶縁され、電流が遮断される構成となっていた場合、大電流を流したときに、各内部電極に流れる電流が大きくなり積層体内での発熱が大きくなってしまう可能性がある。しかしながら、本発明に係る積層コンデンサでは、接続導体と端子電極との界面に高抵抗層が形成されることによって、第一内部電極及び第二内部電極による抵抗成分と、高抵抗層による抵抗成分によって、並列等価回路が形成されている。これによって、内部電極に流れる電流の一部を高抵抗層を介して端子電極に流すことができるため、積層体内での発熱を抑制することが可能となる。以上によって、ＥＳＲの向上を図ると共に、積層体内の発熱を抑制することができる。

また、本発明に係る積層コンデンサにおいて、高抵抗層は、高抵抗膜が接続導体の外表面の全体を覆うことによって形成されていることが好ましい。接続導体の外表面の全体を高い抵抗を有する高抵抗膜で覆うことにより、接続導体と端子電極との間の界面において抵抗成分が形成され、端子電極側に電流を流すことができる。

また、本発明に係る積層コンデンサにおいて、高抵抗膜は、卑金属で構成される接続導体を酸化することによって形成されることが好ましい。これによって、簡単に高抵抗膜を形成することが可能となる。

また、本発明に係る積層コンデンサにおいて、高抵抗膜には、ガラス成分、もしくは、セラミック粉が含有されることが好ましい。これによって、高抵抗膜の抵抗を一層高くすることができる。

また、本発明に係る積層コンデンサにおいて、高抵抗層は、接続導体と端子電極とが部分的に導通するように接続導体を覆う絶縁膜によって形成されていることが好ましい。絶縁膜に部分的に導通する部分を形成することにより、接続導体と端子電極との間の界面において抵抗成分が形成され、端子電極側に電流を流すことができる。

また、本発明に係る積層コンデンサにおいて、端子電極の外表面にめっき層が形成されることが好ましい。これによって、積層コンデンサを回路基板に確実に実装することが可能となる。

本発明によれば、ＥＳＲの向上を図ると共に、積層体内の発熱を抑制することができる。

実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第一側面上に配置される接続導体、高抵抗層、及び端子電極の構成を説明するための図である。 実施形態に係る積層コンデンサの第二側面上に配置される接続導体、高抵抗層、及び端子電極の構成を説明するための図である。 図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図である。 図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図である。 内部電極を積層方向から見た図であり、電流の流れを説明するための図である。 実施形態に係る積層コンデンサにおける等価回路図である。

以下、添付図面を参照して、好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図６を参照して、実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。図３は、実施形態に係る積層コンデンサの第一側面上に配置される接続導体、高抵抗層、及び端子電極の構成を説明するための図である。図４は、実施形態に係る積層コンデンサの第二側面上に配置される接続導体、高抵抗層、及び端子電極の構成を説明するための図である。図５は、図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図である。図６は、図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図である。

実施形態に係る積層コンデンサＣ１は、積層体Ｌ１と、積層体Ｌ１の外表面に配置される接続導体１１、２１、高抵抗層１３、２３、並びに端子電極１０、２０と、を備える。

積層体Ｌ１は、図１に示されるように、直方体状であり、互いに対向する長方形状の第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂと、第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に伸び且つ互いに対向する第一及び第二側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄと、第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの短辺方向に伸び且つ互いに対向する第三及び第四側面Ｌ１ｅ、Ｌ１ｆとを有する。

積層体Ｌ１は、図２に示されるように、複数（本実施形態では、７層）の誘電体層３０〜３６が第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの対向方向に積層されて形成された積層体である。各誘電体層３０〜３６は、例えば誘電体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層３０〜３６の間の境界が視認できない程度に一体化されている。

積層体Ｌ１内には、一部が積層体Ｌ１の第一側面Ｌ１ｃから露出する内部電極（第一内部電極）４０、内部電極（第二内部電極）４１、内部電極（第二内部電極）４２が形成されている。また、積層体Ｌ１内には、一部が積層体Ｌ１の第二側面Ｌ１ｄから露出する内部電極（第二内部電極）５０、内部電極（第二内部電極）５１、内部電極（第一内部電極）５２が形成されている。このうち、内部電極４０及び内部電極５２は、積層コンデンサＣ１のＥＳＲを制御するＥＳＲ制御部として機能する。また、内部電極４１，４２，５０，５１は、積層コンデンサＣ１の静電容量に主として寄与する静電容量部として機能する。内部電極４０〜４２、５０〜５２は、複数の誘電体層３０〜３６のうち少なくとも一層を間に挟んで対向するように、交互に積層体Ｌ１内に配置される。各内部電極４０〜４２、５０〜５２は、例えば、導電性ペースト（例えばＮｉ、Ａｇ／Ｐｄを主成分とした導体ペースト）の焼結体から構成される。

各内部電極４０〜４２は、積層体Ｌ１の第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向を長辺方向とする矩形状の主電極部４０ａ〜４２ａを有する。また、ＥＳＲ制御部を構成する内部電極４０は、主電極部４０ａから第一側面Ｌ１ｃに端部が露出するように伸びる第一接続導体用引出部４０ｂを有する。静電容量部を構成する内部電極４１，４２は、主電極部４１ａ，４２ａから第一側面Ｌ１ｃに端部が露出するように伸びる第二接続導体用引出部４１ｂ，４２ｂを有する。各接続導体用引出部４０ｂ〜４２ｂは、対応する主電極部４０ａ〜４２ａの第一側面Ｌ１ｃ側の長辺の中心付近から第一側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。

ＥＳＲ制御部を構成する内部電極４０は、主電極部４０ａから第一側面Ｌ１ｃに端部が露出するように伸びる引出部４０ｃ、４０ｄを更に含む。引出部４０ｃは、主電極部４０ａの第一側面Ｌ１ｃ側の長辺の第三側面Ｌ１ｅ側から、第一側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。引出部４０ｄは、主電極部４０ａの第一側面Ｌ１ｃ側の長辺の第四側面Ｌ１ｆ側から、第一側面Ｌ１ｃに向けて伸びる。

ＥＳＲ制御部を構成する内部電極４０では、積層体Ｌ１の第三側面Ｌ１ｅ側から第四側面Ｌ１ｆ側に向かって、引出部４０ｃ、第一接続導体用引出部４０ｂ、引出部４０ｄがこの順で配置されている。

各内部電極５０〜５２は、積層体Ｌ１の第一及び第二主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向を長辺方向とする矩形状の主電極部５０ａ〜５２ａを有する。また、ＥＳＲ制御部を構成する内部電極５２は、主電極部５２ａから第二側面Ｌ１ｄに端部が露出するように伸びる第一接続導体用引出部５２ｂを有する。静電容量部を構成する内部電極５０，５１は、主電極部５０ａ，５１ａから第二側面Ｌ１ｄに端部が露出するように伸びる第二接続導体用引出部５０ｂ，５１ｂを有する。各接続導体用引出部５０ｂ〜５２ｂは、対応する主電極部５０ａ〜５２ａの第二側面Ｌ１ｄ側の長辺の中心付近から第二側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。

ＥＳＲ制御部を構成する内部電極５２は、主電極部５２ａから第二側面Ｌ１ｄに端部が露出するように伸びる引出部５２ｃ、５２ｄをさらに含む。引出部５２ｃは、主電極部５２ａの第二側面Ｌ１ｄ側の長辺の第三側面Ｌ１ｅ側から、第二側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。引出部５２ｄは、主電極部５２ａの第二側面Ｌ１ｄ側の長辺の第四側面Ｌ１ｆ側から、第二側面Ｌ１ｄに向けて伸びる。

ＥＳＲ制御部を構成する内部電極５２では、積層体Ｌ１の第三側面Ｌ１ｅ側から第四側面Ｌ１ｆ側に向かって、引出部５２ｃ、第一接続導体用引出部５２ｂ、引出部５２ｄがこの順で配置されている。

内部電極４０の主電極部４０ａと内部電極５０の主電極部５０ａとは、誘電体層３１を挟んで対向している。内部電極４１の主電極部４１ａと内部電極５０の主電極部５０ａとは、誘電体層３２を挟んで対向している。内部電極４１の主電極部４１ａと内部電極５１の主電極部５１ａとは、誘電体層３３を挟んで対向している。内部電極４２の主電極部４２ａと内部電極５１の主電極部５１ａとは、誘電体層３４を挟んで対向している。内部電極４２の主電極部４２ａと内部電極５２の主電極部５２ａとは、誘電体層３５を挟んで対向している。

第一側面Ｌ１ｃ上は、図３に示されるように、接続導体１１、高抵抗層１３、及び端子電極１０が配置される。第二側面Ｌ１ｄ上には、図４に示されるように、接続導体２１、高抵抗層２３、及び端子電極２０が配置されている。

接続導体１１は、第一側面Ｌ１ｃに露出する内部電極４０の第一接続導体用引出部４０ｂの端部、及び内部電極４１，４２の第二接続導体用引出部４１ｂ，４２ｂの端部をすべて連続的に覆うように、第一側面Ｌ１ｃ上に形成されている。接続導体１１は、第一側面Ｌ１ｃと端子電極１０との間に配置される。接続導体１１は、第一側面Ｌ１ｃに露出する内部電極４０の引出部４０ｃ、４０ｄの端部のいずれも覆わない。接続導体２１は、第二側面Ｌ１ｄに露出する内部電極５２の第一接続導体用引出部５２ｂの端部、及び内部電極５０，５１の引出部５０ｂ，５１ｂの端部をすべて連続的に覆うように、第二側面Ｌ１ｄ上に配置されている。接続導体２１は、第二側面Ｌ１ｄと端子電極２０との間に配置される。接続導体２１は、第二側面Ｌ１ｄに露出する内部電極５２の引出部５２ｃ、５２ｄの端部をいずれも覆わない。

接続導体１１，２１は、側面Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄに導体ペーストを塗布して焼き付けることによって形成される。接続導体１１，２１を構成する金属として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄなどを用いることができる。接続導体１１，２１を構成する金属には、端子電極１０，２０を構成する金属と同じ成分のものを用いてもよく、異なる成分のものを用いても良い。高抵抗層１３，２３を金属の酸化による金属酸化膜によって形成する場合、接続導体１１，２１は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属によって形成されていることが好ましい。卑金属を用いることによって、高抵抗層１３，２３を構成する金属酸化膜を形成し易くなる。接続導体１１，２１の厚みは５〜５０μｍに設定される。また、接続導体１１，２１には、セラミック粉が含有されていることが好ましい。

高抵抗層１３は、第一側面Ｌ１ｃに露出する内部電極４０の引出部４０ｃ、４０ｄの端部を覆うことなく接続導体１１を覆うように、接続導体１１上、すなわち接続導体１１と端子電極１０との間の界面に形成されている。高抵抗層２３は、第二側面Ｌ１ｄに露出する内部電極５２の引出部５２ｃ、５２ｄの端部を覆うことなく接続導体２１を覆うように、接続導体２１上、すなわち、接続導体２１と端子電極２０との間の界面に形成される。

高抵抗層１３，２３は、高い抵抗を有する層である。高抵抗層１３，２３は、積層コンデンサのコンデンサとしての特性に影響を及ぼさない程度に、電流を流すことができる抵抗値に設定されている。なお、接続導体１１，２１から端子電極１０，２０への電流の流れを完全に遮断する層は、本願における高抵抗層には含まれない。すなわち、高抵抗層１３，２３は、少なくとも各内部電極、接続導体１１，２１、及び端子電極１０，２０よりも高い抵抗値を有し、電流の流れを完全に遮断する層（例えば、絶縁体で接続導体１１，２１の外表面の全体を覆う層）よりも低い抵抗値を有している。

高抵抗層１３，２３は、高い抵抗を有する高抵抗膜が接続導体１１，２１の外表面に均一に形成されることによって、すなわち高抵抗膜が接続導体１１，２１の外表面の全体を覆うことによって形成されている。このような構成とすることで、接続導体１１，２１の外表面の全体を高抵抗膜で覆うことにより、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０との間の界面において抵抗成分が形成され、端子電極１０，２０側に電流を流すことができる。高抵抗膜としては、具体的に、接続導体１１，２１を酸化することによって形成される金属酸化膜を適用することができる。高抵抗層１３，２３には、ガラス成分、もしくはセラミック粉が含有されていることが好ましい。例えば、接続導体１１，２１がセラミック粉を含有するＮｉ焼付層で構成され、端子電極１０，２０がガラスを含有するＣｕ焼結体で構成されている場合、高抵抗層１３，２３を構成するＮｉ酸化膜には、セラミック粉が含有されることが好ましい。セラミック粉を含有することにより、高抵抗膜を一層高抵抗化することができる。また、例えば、接続導体１１，２１がＣｕ焼付層で構成される場合、高抵抗層１３，２３を構成するＣｕ酸化膜にはガラスが含有されることが好ましい。ガラスを含有することにより、高抵抗膜を一層高抵抗化することができる。高抵抗膜として金属酸化膜を採用する場合、膜厚や材質の調整によって、接続導体１１，２１から端子電極１０，２０への電流を遮断しないように構成する。例えば、厚みを１〜１０μｍとする。金属酸化膜を採用することで、簡単に高抵抗膜を形成することが可能となる。なお、金属酸化膜の材質や厚みによって接続導体１１，２１から端子電極１０，２０への電流を遮断するものであっても、ピンホールによって部分的に接続導体１１，２１と端子電極１０，２０が導通するものであれば、高抵抗層１３，２３として機能させることができる。

あるいは、高抵抗層１３，２３は、絶縁膜を不均一に形成することで構成されていてもよい。すなわち、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０とが部分的に導通するように、絶縁膜で接続導体１１，２１を覆うことによって、高抵抗層１３，２３を構成することができる。絶縁膜に部分的に導通する部分を形成することにより、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０との間の界面において抵抗成分が形成され、端子電極１０，２０側に電流を流すことができる。絶縁膜として、物理蒸着膜（スパッタ膜）、ガラスペースト膜、セラミックペースト膜、樹脂膜を採用することができる。また、絶縁膜において、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０とを部分的に導通させる方法として、絶縁膜を形成した後に研磨を行う方法やレーザーを用いて絶縁膜を除去（トリミング）する方法などが挙げられる。

端子電極１０は、積層体Ｌ１の第一側面Ｌ１ｃを覆うように形成されている。従って、端子電極１０は、第一側面Ｌ１ｃに露出する内部電極４０の引出部４０ｃ、４０ｄの端部、及び高抵抗層１３を覆うことになる。端子電極２０は、積層体Ｌ１の第二側面Ｌ１ｄを覆うように形成されている。従って、端子電極２０は、第二側面Ｌ１ｄに露出する内部電極５２の引出部５２ｃ、５２ｄの端部、及び高抵抗層２３を覆うことになる。

端子電極１０，２０は、側面Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄに導体ペーストを塗布して焼き付けることによって形成される。端子電極１０，２０を構成する金属として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄなどを用いることができる。端子電極１０，２０の厚みは５〜５０μｍに設定される。また、端子電極１０，２０には、ガラスが含有されていることが好ましい。また、端子電極１０，２０の外表面にめっき層を形成してもよい。これによって、積層コンデンサＣ１を回路基板に確実に実装することができる。

図５に、図１に示した積層コンデンサのV−V矢印断面の構成を説明するための図を示す。図５から理解されるように、内部電極４０〜４２の接続導体用引出部４０ｂ〜４２ｂの端部は、接続導体１１に機械的に接続される。内部電極５０〜５２の接続導体用引出部５０ｂ〜５２ｂの端部は、接続導体２１に機械的に接続される。また、図５から、接続導体１１は、第一側面Ｌ１ｃと高抵抗層１３との間に配置され、高抵抗層１３は、接続導体１１と端子電極１０との間に配置されることが理解される。さらに、接続導体２１は、第二側面Ｌ１ｄと高抵抗層２３との間に配置され、高抵抗層２３は、接続導体２１と端子電極２０との間に配置されることが理解される。

図６に、図１に示した積層コンデンサのVI−VI矢印断面の構成を説明するための図を示す。図６から理解されるように、内部電極４０の引出部４０ｃの端部は、端子電極１０に機械的に接続される。内部電極５２の引出部５２ｃの端部は、端子電極２０に機械的に接続される。図示は省略するが、内部電極４０の引出部４０ｄの端部は、端子電極１０に機械的に接続される。内部電極５２の引出部５２ｄの端部は、端子電極２０に機械的に接続される。

次に、積層コンデンサＣ１の積層体Ｌ１に対して接続導体、高抵抗層、及び端子電極を形成して、積層コンデンサＣ１を製造する方法の一例を説明する。

まず、積層体Ｌ１の第一側面Ｌ１ｃ上に接続導体１１を形成する。接続導体１１の形成は、第一側面Ｌ１ｃ上において、内部電極４０〜４２の接続導体用引出部４０ｂ〜４２ｂが露出する端部をすべて連続的に覆うように導体ペーストを塗布した後、このペーストに対して加熱（焼き付け）処理を施すことにより行う。このように、焼き付け処理を行うことによって、電気的接続が確実になる。

次に、接続導体１１上に高抵抗層１３を形成する。高抵抗層１３は、接続導体１１上に高抵抗膜を形成するためのペーストを塗布し、焼付けや乾燥を行うことで高抵抗膜を形成する。金属酸化膜を形成する場合は、接続導体１１に熱処理を施すことで外表面を酸化させる。

絶縁膜によって高抵抗層１３を形成する場合、接続導体１１全域を覆うように、接続導体１１上に絶縁体ペースト（例えばガラス、あるいはセラミクス、あるいは樹脂を主成分とする）を塗布し、塗布されたペーストを焼き付け（絶縁体ペーストが例えばガラスあるいはセラミクスを主成分とする場合）又は乾燥（絶縁体ペーストが例えば樹脂を主成分とする場合）する。その後、研磨やトリミングによって、接続導体１１と端子電極１０とを部分的に同通させるための孔を設ける。

続いて、高抵抗層１３上に端子電極１０を形成する。端子電極１０は、高抵抗層１３を覆うように、第一側面Ｌ１ｃ上に導体ペーストを塗布して焼き付け（導体ペーストが例えばＣｕ、あるいはＮｉ、あるいはＡｇを主成分とする場合）することにより形成される。必要に応じて、焼き付けされた端子電極１０の上にめっき層を形成する。以上により、第１の端子電極１０は積層体Ｌ１に形成される。同様の方法により、接続導体２１、高抵抗層２３、端子電極２０を形成することができる。

次に、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の作用・効果について説明する。

図７を参照して、積層コンデンサＣ１における電流の流れについて説明する。図７は、内部電極４０〜４２、５０〜５２を積層方向から見た図である。また、図７には、各内部電極に対して、対応する位置に接続導体１１，２１、高抵抗層１３，２３、及び端子電極１０，２０の断面を記載している。また、図７においては、端子電極１０を陰極に実装し、端子電極２０を陽極に実装したものとしている。積層コンデンサＣ１においては、主にＣＲ１に示すような経路で充電電流が流れる（図中、実線で示した矢印）。すなわち、充電電流が、端子電極２０、内部電極５２、内部電極５０，５１、内部電極４１，４２、内部電極４０という経路で流れ、端子電極１０を介して出力される。一方、積層コンデンサＣ１においては、一部の電流はＣＲ２に示すような方向にも流れる（図中、点線で示した矢印）。端子電極２０と接続導体２１との間に高抵抗層２３が配置されているため、端子電極２０より一部の電流が高抵抗層２３を介して接続導体２１へ流れる。また、一方、端子電極１０と接続導体１１との間に高抵抗層１３が配置されているため、接続導体１１より一部の電流が高抵抗層１３を介して端子電極１０へ流れる。以上により、積層コンデンサＣ１は、図８に示すような等価回路を形成する。図８に示すように、静電容量部を構成する内部電極４１，４２，５０，５１による容量成分Ｃが形成される。また、各内部電極による抵抗成分Ｒ１と、高抵抗層１３，２３による抵抗成分Ｒ２が並列等価回路を形成する。

このように、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１によれば、内部電極４０，５２は、回路基板などに実装される端子電極１０，２０と引出部４０ｂ，５２ｂを介して直接接続される。一方、内部電極４１，４２，５０，５１は、端子電極１０，２０とは直接には接続されず、接続導体１１，２１を介して内部電極４０，５２と接続される。このような構成によって、内部電極４１，４２，５０，５１を静電容量部として機能させると共に内部電極４０，５２をＥＳＲ制御部として機能させることができ、ＥＳＲを向上させることができる。ここで、このような内部電極構造において、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０とが絶縁され、電流が遮断される構成となっていた場合、大電流を流したときに各内部電極に流れる電流が大きくなり積層体内での発熱が大きくなってしまう可能性がある。しかしながら、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１では、接続導体１１，２１と端子電極１０，２０との界面に高抵抗層１３，２３が形成されることによって、各内部電極による抵抗成分Ｒ１と、高抵抗層１３，２３による抵抗成分Ｒ２によって、並列等価回路が形成されている。これによって、各内部電極に流れる電流の一部を高抵抗層１３，２３を介して端子電極１０，２０に流すことができるため、積層体内での発熱を抑制することが可能となる。以上によって、ＥＳＲの向上を図ると共に、積層体内の発熱を抑制することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、誘電体層３０〜３６及び各内部電極４０〜４２、５０〜５２の積層数や積層の順序は、上述した実施形態に記載された数に限られない。また、各引出部や接続導体用引出部の数や位置は、上述した実施形態に記載された数及び位置に限られない。また、各引出部や接続導体用引出部が露出する位置は、積層体Ｌ１の側面Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄ，Ｌ１ｅ，Ｌ１ｆのいずれであってもよい。

接続導体１１、２１はいずれも、上述した実施形態に記載された数に限られず、例えばそれぞれ１つであっても、あるいは２つ以上であってもよい。接続導体１１、２１は、同じ数でなくてもよい。高抵抗層１３、２３はいずれも、上述した実施形態に記載された数に限られない。

１０，２０…端子電極、１１，２１…接続導体、１３，２３…高抵抗層、３０，３１，３２，３３，３４，３５，３６…誘電体層、４０，５２…内部電極（第一内部電極）、４０ｃ，４０ｄ，５２ｃ，５２ｄ…引出部、４０ｂ，５２ｂ…第一接続導体用引出部、４１，４２，５０，５１…内部電極（第二内部電極）、４１ｂ，４２ｂ，５０ｂ，５１ｂ…第二接続導体用引出部、Ｃ１…積層コンデンサ、Ｌ１…積層体、Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄ，Ｌ１ｅ，Ｌ１ｆ…側面（積層体の側面）。

Claims (6)

1. 互いに異なる極性になると共に互いに対向する複数の内部電極を有する積層コンデンサであって、
   複数の誘電体層が積層された積層体と、
   前記積層体内に配置され、前記積層体の側面から露出する引出部及び第一接続導体用引出部を有する第一内部電極と、
   前記積層体内において前記第一内部電極と前記誘電体層を挟むように配置され、前記積層体の前記側面から露出する第二接続導体用引出部を有する第二内部電極と、
   前記積層体の前記側面に形成されると共に、前記第一接続導体用引出部及び前記第二接続導体用引出部に接続され、前記引出部には接続されない接続導体と、
   前記積層体の前記側面において前記接続導体を覆うように形成されると共に、前記引出部に接続される端子電極と、
   前記接続導体と前記端子電極との間の界面に形成される高抵抗層と、を備え、
   前記第一内部電極及び前記第二内部電極による抵抗成分と、前記高抵抗層による抵抗成分によって、並列等価回路が形成されることを特徴とする積層コンデンサ。
2. 前記高抵抗層は、高抵抗膜が前記接続導体の外表面の全体を覆うことによって形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
3. 前記高抵抗膜は、卑金属で構成される前記接続導体を酸化することによって形成されることを特徴とする請求項２記載の積層コンデンサ。
4. 前記高抵抗膜には、ガラス成分、もしくは、セラミック粉が含有されることを特徴とする請求項２または３記載の積層コンデンサ。
5. 前記高抵抗層は、前記接続導体と前記端子電極とが部分的に導通するように前記接続導体を覆う絶縁膜によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
6. 前記端子電極の外表面にめっき層が形成されることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項記載の積層コンデンサ。

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