TW201628470A - 電子零件之製造方法及電子零件 - Google Patents

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Shinichiro Izumi
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Hirotsugu Tomioka
Tsuyoshi Kawada
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Murata Manufacturing Co
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Abstract

本發明之電子零件之製造方法，具備：以被覆形成在構成電子零件之晶片雛形體上之外部電極本體之方式，在外部電極本體上形成絕緣層之步驟；以及將絕緣層之吸收係數大於構成外部電極本體表面之材料之吸收係數之雷射光照射至絕緣層之既定區域，將位於既定區域之絕緣層加以除去，使外部電極本體之既定區域露出之步驟。

Description

電子零件之製造方法及電子零件
本發明係關於一種電子零件之製造方法及電子零件。
例如積層陶瓷電容器等表面構裝型之電子零件，一般而言，係藉由將配置在晶片雛形體表面之外部電極以回焊等方法電性、機械性連接於作為構裝對象之構成電子機器之電路基板上之電極等方式進行構裝。
然而，近年來，隨著構裝此種電子零件之電子機器之小型化，電子零件之構裝逐漸高密度化，以至於產生電子零件之外部電極接觸其他電子零件而短路之問題。
為了解決上述問題，如圖12所示，專利文獻1揭示以絕緣層130覆蓋與基板等構裝對象對向之面(下面)101a以外之面(兩端面、上面及兩側面)之電子零件101。
此外，作為電子零件101之製造方法，如圖13(a)~(c)所示，專利文獻1揭示了一種將電子零件101之下面101a(參照圖12)固定在黏著性保持夾具140，在外部電極120及晶片雛形體110表面塗布絕緣性樹脂130a並使其固化後，使電子零件101從黏著性保持夾具140分離，據以將電子零件101之下面以外之面(兩端面、上面及兩側面)以絕緣層130覆蓋，且使下面露出的電子零件之製造方法。
以上述方式構成之電子零件101，藉由其下面以和構裝基板對向之姿勢 搭載於構裝基板上，即能防止外部電極120與其他電子零件等短路，進行可靠性高之高密度構裝。
專利文獻1：日本特開2013-26392號公報
然而，專利文獻1揭示之電子零件之製造方法中，由於電子零件101之下面側、亦即抵接於黏著性保持夾具140之區域全部露出，因此在將電子零件101搭載於構裝基板時，會有無法將作為接合於構裝基板之區域之外部電極120之露出區域形成為所欲形狀之問題。
又，亦考慮將電子零件浸漬於作為絕緣層之樹脂，在電子零件101表面整體形成絕緣層130後，以旋轉磨石等將絕緣層130之一部分加以除去之方法。然而，由於此方法不易控制除去量，因此會有位於絕緣層130內側之外部電極120亦被除去之問題。
本發明，為了解決上述問題，目的在於提供一種可製造電子零件之電子零件之製造方法及電子零件，該電子零件，可在不損及外部電極之情況下確實地將被覆電子零件具備之外部電極之絕緣層加以除去，且可防止與其他電子零件等產生短路。
為了解決上述問題，本發明之電子零件之製造方法，具備：以被覆形成在構成電子零件之晶片雛形體上之外部電極本體之方式，在該外部電極本體上形成絕緣層之步驟；以及將該絕緣層之吸收係數大於構成該外部電極本體表面之材料之吸收係數之雷射光照射至該絕緣層之既定區域，將位於該既定區域之該絕緣層加以除去，使該外部電極本體之既定區域露出之步驟。
本發明之電子零件之製造方法中，較佳為，該外部電極本體具備形成在該晶片雛形體上之由導電性樹脂材料構成之電極本體、及以被覆該電極本體之方式形成之金屬鍍層。
即使在由導電性樹脂材料形成外部電極本體之電極本體之情形，由於由導電性樹脂材料構成之電極本體被不易吸收雷射光之金屬鍍層被覆，因此在照射雷射光以將位於既定區域之絕緣層加以除去之步驟，電極本體(樹脂電極)不會被除去，可將外部電極本體之露出區域形成為所欲形狀。
再者，較佳為，該金屬鍍層為Ni鍍層。
由於雷射光不易被Ni鍍層吸收，因此可將外部電極本體之露出區域形成為所欲形狀，能使本發明更具實效。
再者，電子零件之製造方法，較佳為，具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Sn鍍層之步驟。
藉由具備上述構成，在使用焊料將電子零件接合於構裝對象之情形，可提升接合可靠性。
又，該外部電極本體亦可由不含樹脂成分之材料形成。
以不含樹脂成分之材料形成外部電極本體之情形時，即使不在表面形成金屬鍍層亦不易吸收雷射光，因此能省略雷射光照射前之鍍敷步驟，可簡化步驟。
由不含樹脂成分之材料形成之外部電極本體，例如例示藉由塗布、燒成含有金屬粒子與玻璃之導電性糊形成之鍛燒電極(厚膜電極)、或藉由濺鍍法或蒸鍍法形成之薄膜電極。
再者，較佳為，具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成被覆鍍層之步驟。
藉由具備上述構成，在將電子零件接合於構裝對象之情形，可提升接合可靠性。
再者，較佳為，形成該被覆鍍層之步驟具備形成Ni鍍層作為底層之步驟、及形成Sn鍍層作為最外層之步驟。
藉由具備上述構成，在使用焊料將電子零件接合於構裝對象之情形，可提升接合可靠性。
再者，該晶片雛形體係由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成；該外部電極本體係由形成在該晶片雛形體上之導電性材料、與以被覆該導電性材料之方式形成之金屬鍍層構成。
在上述構成，由於晶片雛形體之樹脂材料被不易吸收雷射光之金屬鍍層被覆，因此在照射雷射光以將位於既定區域之絕緣層加以除去之步驟，晶片雛形體之樹脂材料不會被除去，可將外部電極本體之露出區域形成為所欲形狀。
再者，該金屬鍍層為Cu鍍層。
在上述構成，由於金屬鍍層選擇Cu，因此在鍍敷時，容易附著在導電性材料。
再者，該金屬鍍層係由Cu鍍層、與以覆蓋該Cu鍍層之方式形成之Ni鍍層構成。
在上述構成，由於Cu鍍層選擇Cu，因此在鍍敷時，容易附 著在導電性材料，又，Ni鍍層保護Cu鍍層。
再者，具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Sn鍍層之步驟。
在上述構成，由於形成Sn鍍層，因此在使用焊料將電子零件接合於構裝對象之情形，可提升接合可靠性。
再者，具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Ni鍍層作為底層與形成Sn鍍層作為最外層之步驟。
在上述構成，由於形成Sn鍍層，因此在使用焊料將電子零件接合於構裝對象之情形，可提升接合可靠性。又，Ni鍍層可防止Cu鍍層與Sn鍍層間之相互擴散。
較佳為，在將該電子零件搭載於構裝對象上時，藉由該雷射光之照射，將被覆該電子零件之該外部電極本體待直接或透過鍍層接合之區域之該絕緣層加以除去。
藉由具備上述構成，可提升電子零件與構裝對象之電性、機械性接合可靠性，能使本發明更具實效。
又，較佳為，在該晶片雛形體之兩端部之各個形成有該外部電極本體時，以針對形成在該晶片雛形體之兩端部之該外部電極本體之各個將該絕緣層之複數處分離地加以除去之方式，照射該雷射光。
藉由具備上述構成，在將電子零件接合於構裝對象時，能以在各外部電極本體之複數處接合，因此能使電子零件構裝時之姿勢穩定。
又，較佳為，構成該絕緣層之材料為樹脂材料。
構成絕緣層之材料為樹脂材料之情形，由於雷射光易於被樹 脂材料吸收，因此能使本發明更具實效。
再者，較佳為，作為該雷射光，使用波長1.06μm以上、10.6μm以下之雷射光。
作為雷射光，使用波長1.06μm以上、10.6μm以下之雷射光之情形，雷射光易於被樹脂材料吸收，能使本發明更具實效。
本發明之電子零件，具備：晶片雛形體；外部電極本體，係設在該晶片雛形體上；絕緣層，以使該外部電極本體之既定區域露出之方式覆蓋該外部電極本體；以及被覆鍍層，覆蓋該外部電極本體之該既定區域，從該絕緣層露出。
在上述構成，由於被覆鍍層覆蓋外部電極本體之既定區域，因此可將被覆鍍層設在所欲區域。是以，可防止與其他電子零件等短路，可進行可靠性高之高密度構裝。
又，由於被覆鍍層覆蓋外部電極本體之既定區域，從絕緣層露出，因此被覆鍍層之表面未被絕緣層覆蓋。是以，在藉由焊料將電子零件之被覆鍍層構裝在構裝對象時，焊料不會進入被覆鍍層之表面與絕緣層之間，不會破壞絕緣層。
相對於此，當以絕緣層覆蓋被覆鍍層表面之至少一部分時，在藉由焊料將電子零件之被覆鍍層構裝在構裝對象時，焊料即進入被覆鍍層之表面與絕緣層之間，會有破壞絕緣層之虞。
再者，該外部電極本體係由設在該晶片雛形體上之由導電性 樹脂材料構成之電極本體、與覆蓋該電極本體之金屬鍍層構成。
在上述構成，由於外部電極本體由電極本體與金屬鍍層構成，因此金屬鍍層可防止電極本體與被覆鍍層間之相互擴散。
再者，該金屬鍍層為Ni鍍層，該被覆鍍層為Sn鍍層。
在上述構成，由於金屬鍍層為Ni鍍層，被覆鍍層為Sn鍍層，因此金屬鍍層可防止電極本體與被覆鍍層間之相互擴散。
再者，該外部電極本體係由不含樹脂成分之材料構成；該被覆鍍層係由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
在上述構成，由於外部電極本體係由不含樹脂成分之材料構成，被覆鍍層係由Ni鍍層與Sn鍍層構成，因此Ni鍍層可防止外部電極本體與Sn鍍層間之相互擴散。
再者，該晶片雛形體係由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成；該外部電極本體係由設在該晶片雛形體上之導電性材料、與覆蓋該導電性材料之金屬鍍層構成。
在上述構成，雖晶片雛形體由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成，但可透過導電性材料將金屬鍍層設在晶片雛形體。
再者，該金屬鍍層為Cu鍍層；該被覆鍍層係由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
在上述構成，Ni鍍層可防止Cu鍍層與Sn鍍層間之相互擴散。由於Ni鍍層存在於Cu鍍層與Sn鍍層之間，因此可防止因Cu鍍層與Sn鍍層之積層產生之晶鬚(whisker)。
再者，該金屬鍍層係由Cu鍍層、與覆蓋該Cu鍍層之Ni鍍層構成；該被覆鍍層為Sn鍍層。
在上述構成，Ni鍍層可防止Cu鍍層與Sn鍍層間之相互擴散。由於Ni鍍層存在於Cu鍍層與Sn鍍層之間，因此可防止因Cu鍍層與Sn鍍層之積層產生之晶鬚。
再者，該金屬鍍層係由Cu鍍層、與覆蓋該Cu鍍層之Ni鍍層構成；該被覆鍍層係由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
在上述構成，Ni鍍層可防止Cu鍍層與Sn鍍層間之相互擴散。由於Ni鍍層存在於Cu鍍層與Sn鍍層之間，因此可防止因Cu鍍層與Sn鍍層之積層產生之晶鬚。
本發明之電子零件之製造方法中，由於將絕緣層之吸收係數大於構成電極層表面之材料之吸收係數之雷射光照射至絕緣層之既定區域，將絕緣層加以除去，因此可將被覆外部電極之絕緣層之所欲區域確實地加以除去。
其結果，可將作為接合於構裝對象之區域之外部電極之露出區域形成為所欲形狀，因此可確實地且高效率地製造與構裝對象之電性、機械性接合可靠性高之電子零件。
此外，本發明之電子零件之製造方法中，在形成上述絕緣層之步驟，以被覆外部電極本體之方式形成絕緣層是相當重要的，若確實地被覆外部電極本體，則外部電極本體以外之晶片雛形體之表面可被絕緣層 被覆，亦可不被被覆。然而，若考量製造之電子零件之耐濕性或耐候性等，較佳為，晶片雛形體之表面亦被絕緣層被覆。
又，本發明之電子零件之製造方法中，上述外部電極本體可為照射雷射光以除去絕緣層，使外部電極本體之既定區域露出後，經由在露出區域形成金屬鍍層之步驟成為外部電極者，又，亦可為使外部電極本體之既定區域露出後，不特別施以鍍敷處理，使用為外部電極者。
又，本發明之電子零件中，由於被覆鍍層覆蓋外部電極本體之既定區域，因此可將被覆鍍層設在所欲區域。是以，可防止與其他電子零件等短路，可進行可靠性高之高密度構裝。
1‧‧‧電子零件
10‧‧‧晶片雛形體
10a‧‧‧晶片雛形體之端面
10b‧‧‧晶片雛形體之上面
10c‧‧‧晶片雛形體之下面
10d‧‧‧晶片雛形體之側面
11‧‧‧磁性體陶瓷層
12‧‧‧內部導體
13‧‧‧線圈
13a‧‧‧線圈之端部
20‧‧‧外部電極
25‧‧‧外部電極本體
25a‧‧‧電極本體
25b‧‧‧金屬鍍層
30‧‧‧絕緣層
40‧‧‧導電性材料
50‧‧‧金屬鍍層
51‧‧‧Cu鍍層
52‧‧‧Ni鍍層
b1‧‧‧(被覆鍍層之一例之)Sn鍍層
c1‧‧‧(被覆鍍層之一例之)Ni鍍層(底層)
c2‧‧‧(被覆鍍層之一例之)Sn鍍層(最外層)
L‧‧‧雷射光
R‧‧‧既定區域(將絕緣層加以除去之區域)
圖1係顯示以本發明實施形態1之電子零件之製造方法製作之電子零件之圖，(a)係從正面觀察時之剖面圖，(b)係仰視圖。
圖2(a)~(d)係顯示本發明實施形態1之電子零件之製造方法之圖。
圖3係顯示以本發明實施形態2之電子零件之製造方法製作之電子零件之圖，(a)係從正面觀察時之剖面圖，(b)係仰視圖。
圖4(a)~(d)係顯示本發明實施形態2之電子零件之製造方法之圖。
圖5係顯示以本發明實施形態3之電子零件之製造方法製作之電子零件之圖，(a)係從正面觀察時之剖面圖，(b)係仰視圖。
圖6係顯示本發明實施形態3之電子零件之製造方法之圖。
圖7係顯示用於本發明之電子零件之製造方法之遮罩之圖，(a)係俯視圖，(b)係A-A剖面圖。
圖8(a)~(d)係顯示本發明實施形態3之電子零件之製造方法之圖。
圖9係顯示本發明實施形態3之電子零件之不同形態之圖，(a)係其他形態之剖面圖，(b)係另一形態之剖面圖。
圖10係顯示以本發明實施形態1之電子零件之製造方法製作之另一電子零件之圖，(a)係從正面觀察時之剖面圖，(b)係仰視圖。
圖11係顯示本發明實施形態1~3之電子零件之另一電子零件之圖，(a)係L字狀電極之立體圖，(b)係字狀電極之立體圖。
圖12係顯示習知電子零件之圖。
圖13(a)~(c)係顯示習知電子零件之製造方法之圖。
以下，例示本發明之實施形態，進一步詳細說明本發明之特徵。此外，此實施形態中，作為電子零件，以積層型電感器為例進行說明。
(實施形態1)
圖1(a)、(b)係顯示以本發明實施形態1之電子零件之製造方法製作之電子零件1之圖。
電子零件1具有下述構造，即在晶片雛形體10之端面10a以與線圈13之兩端部13a導通之方式配置有一對外部電極20，該晶片雛形體10具備複數個磁性體陶瓷層11、及透過磁性體陶瓷層11積層之複數個內部導體12由通孔導體(未圖示)層間連接而形成之線圈13。
外部電極20係以從晶片雛形體10之端面10a繞至晶片雛形體10之上面10b、下面10c及兩側面10d之一部分之方式形成。
又，電子零件1，除了外部電極20之與作為構裝對象之電路基板等對 向之面、即下面側之區域(下面區域)R以外，整體被絕緣層30覆蓋。
此外，外部電極20具備下述(a)及(b)。
(a)外部電極本體25，以與線圈13導通之方式形成在晶片雛形體10之表面，具備由導電材料粒子(金屬粒子)分散於樹脂之樹脂電極構成之電極本體25a、及以覆蓋電極本體25a之表面整體之方式形成之金屬鍍層(此實施形態中為Ni鍍層)25b。
(b)Sn鍍層b1，以被覆外部電極本體25之未被上述絕緣層30覆蓋之下面區域(露出區域)R之方式形成。
將以上述方式構成之電子零件1搭載於電路基板等構裝對象上時，將露出在未被絕緣層30覆蓋之下面區域R之外部電極20(構成外部電極之表面之Sn鍍層b1)，以回焊等方法電性、機械性連接於構裝對象上之導體(島電極圖案等)來進行構裝。
亦即，此處，形成在晶片雛形體10上之電極本體25a係透過金屬鍍層(Ni鍍層)25b、Sn鍍層b1接合於構裝對象上之導體。此外，外部電極本體25之未被絕緣層30覆蓋之下面區域R之形狀，並未特別限定，只要是可確保電子零件1與構裝對象之電性、機械性接合之可靠性的形狀即可。
綜上所述，電子零件1，具有：晶片雛形體10；外部電極本體25，係設在晶片雛形體10上；絕緣層30，以使外部電極本體25之既定區域R露出之方式覆蓋外部電極本體25；以及被覆鍍層，覆蓋外部電極本體25之既定區域R，從絕緣層30露出。
在上述構成，由於被覆鍍層係覆蓋外部電極本體25之既定區域R，因此可將被覆鍍層設在所欲區域。是以，可防止與其他電子零件1等之短路， 進行高可靠性之高密度構裝。
又，由於被覆鍍層覆蓋外部電極本體25之既定區域R，從絕緣層30露出，因此被覆鍍層之表面未被絕緣層30覆蓋。是以，在以焊料將電子零件1構裝在構裝對象時，焊料不會進入被覆鍍層之表面與絕緣層30之間，不會破壞絕緣層30。
相對於此，當以絕緣層30覆蓋被覆鍍層表面之至少一部分時，在以焊料將電子零件1之被覆鍍層構裝在構裝對象時，焊料即進入被覆鍍層之表面與絕緣層30之間，會有破壞絕緣層30之虞。
外部電極本體25係由設在晶片雛形體10上之由導電性樹脂材料構成之電極本體25a、與覆蓋電極本體25a之金屬鍍層25b構成。藉此，金屬鍍層25可防止電極本體25a與被覆鍍層間之相互擴散。
金屬鍍層25b為Ni鍍層，被覆鍍層為Sn鍍層b1。藉此，Ni鍍層可防止電極本體25a(Ag金屬粒)與Sn鍍層b1間之相互擴散。
晶片雛形體10係由兩端面10a、上面10b、下面10c、及兩側面10d構成之大致長方體形狀。外部電極本體25係設在端面10a、上面10b、下面10c、及兩側面10d之五面電極。
Ni鍍層(金屬鍍層25b)覆蓋電極本體25a整體。藉此，如後述，在藉由雷射除去既定區域R之絕緣層30時，Ni鍍層防止雷射對電極本體25a造成損傷。此外，亦可替代Ni鍍層而設置Cu鍍層，但相較於Cu鍍層，Ni鍍層不易受到雷射之損傷。
接著，參照圖2(a)~(d)說明具有上述構成之電子零件之製造方法。
此外，此實施形態中，電子零件係經由以下說明之形成晶片雛形體之步驟、形成外部電極本體之步驟、形成絕緣層之步驟、除去既定區域之絕緣層之步驟、以及形成Sn鍍層之步驟而製造。
(1)晶片雛形體之形成
首先，將在表面具備塗布導電性糊形成之內部導體圖案之磁性體坯片、及不具備內部導體圖案之外層用磁性體坯片，以既定順序積層、壓接以形成積層塊。接著，將此積層塊切割，分割成各晶片後，藉由燒成形成晶片雛形體10。
晶片雛形體10係由兩端面10a、上面10b、下面10c、及兩側面10d構成之大致長方體形狀，角部及稜部係以筒式研磨等方法加以去角、修圓。
此外，作為構成磁性體坯片之材料，可使用以肥粒鐵、金屬磁性體等為主成分之磁性體材料。又，作為構成內部導體圖案之材料，可使用以Ag、Pd、Cu等為主成分之導電材料。
(2)外部電極本體之形成
接著，在晶片雛形體10之兩端面10a塗布導電性樹脂材料，藉由使其硬化以形成電極本體25a。導電性樹脂材料由以Ag或Cu為主成分之金屬粒子與樹脂材料構成。
接著，進行鍍敷處理，以被覆電極本體25a之方式形成金屬鍍層25b。具體而言，進行Ni電鍍，以覆蓋電極本體25a表面之方式形成Ni鍍層。此外，亦可在Ni電鍍前，藉由化學鍍等形成作為底層之鍍層。
(3)絕緣層之形成
接著，如圖2(b)所示，在包含外部電極本體25之晶片雛形體10表面整 體形成絕緣層30。絕緣層30，可藉由例如以將晶片雛形體10浸漬於絕緣材料(絕緣性糊等)之方法塗布絕緣材料後，使其乾燥形成。
絕緣層30之厚度，較佳為例如3μm~20μm。作為塗布絕緣性糊之方法，亦可使用噴塗塗布法、電鍍塗布法、筒式旋轉塗布法等。
作為構成絕緣層30之材料，使用具有絕緣性且雷射光之吸收係數大之樹脂材料。此實施形態中，作為構成絕緣層30之材料，使用氟樹脂。此外，亦可使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂材料或樹脂材料以外之具有絕緣性之材料，即陶瓷材料等。
(4)既定區域之絕緣層之除去
接著，如圖2(c)所示，對絕緣層30之既定區域(下面區域)R照射雷射光L，以除去位於下面區域R之絕緣層30。亦即，除去在下面區域R被覆外部電極本體25之絕緣層30，使外部電極本體25在下面10c露出。
使外部電極本體25露出之下面區域R之形狀，可藉由掃描雷射光L，以形成適合各種構裝對象之形狀。
此實施形態中，作為照射雷射光L之雷射之種類，使用波長1.06μm之YVO4雷射。由於構成外部電極本體25表面(Ni鍍層)之材料之YVO4雷射光之吸收係數，小於絕緣層30之YVO4雷射光之吸收係數，因此在照射雷射光L時，絕緣層30雖吸收YVO4雷射光，但外部電極本體25不會吸收YVO4雷射光，而將其大部分反射。其結果，外部電極本體25不會被除去加工，實質上僅絕緣層30被除去加工。
藉由此雷射光L之照射，被絕緣層30被覆之外部電極本體25之下面區域R露出，形成外部電極本體25之露出區域。
此外，作為雷射之種類，除了YVO4以外，亦可使用YAG雷射、CO2雷射、準分子雷射、UV雷射等。
(5)Sn鍍層之形成
接著，如圖2(d)所示，在下面區域R露出之外部電極本體25(Ni鍍層)上形成Sn鍍層b1。
藉此，獲得具有圖1所示構造之電子零件1。
此外，此實施形態1中，僅由Ni鍍層構成外部電極本體25之金屬鍍層25b，但亦可以被覆Ni鍍層之方式進一步形成Sn鍍層並在其表面形成絕緣層30。此情形，可省略除去絕緣層30之既定區域R後形成Sn鍍層之步驟。
(實施形態2)
圖3(a)、(b)係顯示以本發明實施形態2之電子零件之製造方法製作之電子零件1之圖。電子零件1中，外部電極本體25係藉由塗布、燒成含有金屬粒子與玻璃之導電性糊形成之鍛燒電極(厚膜電極)之點，與上述實施形態1之具備以Ni鍍層被覆由樹脂電極構成之電極本體25a表面之外部電極本體25之電子零件1之構成不同。
以下，說明此實施形態2之電子零件。
如圖3(a)、(b)所示，此實施形態2之電子零件1，與上述實施形態1之電子零件同樣的，除了外部電極20之與作為構裝對象之電路基板等對向之面即下面側之區域(下面區域)R外，亦係整體被絕緣層30覆蓋。
亦即，實施形態2之電子零件1，具備為鍛燒電極(厚膜電極)之外部電極本體25的晶片雛形體10被絕緣層30直接被覆。
又，電子零件1，除了外部電極20之與作為構裝對象之電路基板等對向之面即下面側之區域(下面區域)R外，整體被絕緣層30覆蓋。
又，外部電極20，在未被上述絕緣層30覆蓋之下面區域(露出區域)R具備直接形成在外部電極本體25表面之作為底層之Ni鍍層c1、及作為最外層形成在Ni鍍層c1表面之Sn鍍層c2。
其他構成與上述實施形態1之電子零件1之情形相同。
綜上所述，實施形態2之電子零件1，相較於上述實施形態1之電子零件，外部電極本體25由不含樹脂成分之材料構成，被覆鍍層由Ni鍍層c1及覆蓋Ni鍍層c1之Sn鍍層c2構成。藉此，Ni鍍層c1可防止外部電極本體25(Ag鍛燒電極)與Sn鍍層c2間之相互擴散。又，Ni鍍層c1可藉由製作NiSn合金提升構裝性。
Ni鍍層c1僅覆蓋從絕緣層30露出之外部電極本體25之既定區域R。亦即，由於外部電極本體25為不含樹脂成分之鍛燒電極，因此在藉由雷射除去既定區域R之絕緣層30時，外部電極本體25之樹脂成分不會飛濺。藉此，Ni鍍層c1可不設在外部電極本體25整體，而僅設在既定區域R。
接著，參照圖4(a)~(d)說明具有上述構成之電子零件之製造方法。
首先，如圖4(a)所示，藉由在晶片雛形體10之兩端面10a塗布、燒成含有以Ag或Cu為主成分之金屬粒子與玻璃之導電性糊形成外部電極本體25。此實施形態2之外部電極本體25，如上述，為藉由塗布、燒成導電性糊形成之鍛燒電極(厚膜電極)，不含樹脂成分。
此外，不含樹脂成分之外部電極本體25，除了上述塗布、燒成導電性糊之方法外，亦可藉由例如濺鍍法或蒸鍍法等其他方法形成。
接著，如圖4(b)所示，在具備外部電極本體25之晶片雛形體10表面整體形成絕緣層30。
此外，作為構成絕緣層30之材料，與實施形態1同樣的，係使用雷射光L之吸收係數大之樹脂材料。
接著，如圖4(c)所示，對絕緣層30之既定區域(下面區域)R照射雷射光L，以除去位於下面區域R之絕緣層30。亦即，除去在下面區域R被覆外部電極本體25之絕緣層30，使外部電極本體25露出於下面10c。
接著，如圖4(d)所示，在露出於下面區域R之外部電極本體25表面形成Ni鍍層c1作為底層，在Ni鍍層c1表面形成Sn鍍層c2作為最外層。
藉此，獲得具有圖3所示之構造之電子零件1。
(實施形態3)
圖5(a)、(b)係顯示以本發明實施形態3之電子零件之製造方法製作之電子零件1之圖。實施形態3與實施形態2，晶片雛形體及外部電極本體之構成不同。以下說明此不同之構成。此外，由於其他構造與實施形態2相同，因此省略其說明。
晶片雛形體10由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成。樹脂材料為例如環氧系樹脂或由雙馬來醯亞胺、液晶聚合物、聚醯亞胺等構成之有機絕緣材料。金屬粉為例如FeSiCr等FeSi系合金、FeCo系合金、NiFe等Fe系合金、或該等之非晶質合金。
外部電極本體25係由設在晶片雛形體10上之導電性材料40、與覆蓋導電性材料40之金屬鍍層50構成。導電性材料40係可附著於晶片雛形體10並賦予導電性之材料，可舉出例如遷移金屬之離子、包含該等之膠體、導電性高分子或石墨等。導電性材料40係選自由例如鈀、錫、銀、銅構成之群之至少一種金屬。
金屬鍍層50係Cu鍍層。被覆鍍層係由Ni鍍層c1與覆蓋Ni鍍層c1之Sn鍍層c2構成。
藉此，Ni鍍層c1可防止Cu鍍層與Sn鍍層c2間之相互擴散。由於Ni鍍層c1存在於Cu鍍層與Sn鍍層c2之間，因此可防止因Cu鍍層與Sn鍍層c2之積層產生之晶鬚。
又，晶片雛形體10雖由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成，但亦可在晶片雛形體10透過導電性材料設置金屬鍍層50。
接著，說明電子零件1之製造方法。
首先，如圖6所示，以晶片雛形體10之兩側面10a側露出之方式，以遮罩200覆蓋晶片雛形體10之一部分。為了使晶片雛形體10之兩側面10a側具有導電性，在晶片雛形體10之兩側面10a側形成導電性材料40。此時，藉由使晶片雛形體10浸漬於含有導電性材料40之導電性溶液，使導電性溶液附著於晶片雛形體10之兩端部，在晶片雛形體10之兩端部形成導電性材料40。
此處，遮罩200，如圖7(a)所示，具有複數個長方形狀之孔200a，孔200a排列成矩陣狀。遮罩200之構造，如圖7(b)所示，係由橡膠202覆蓋由不銹鋼構成之芯材201之構造。此外，各孔200a係以收容一個 本體10之方式設置。然而，孔200a之大小小於晶片雛形體10。
在將晶片雛形體10插入孔200a時，以棒狀構件從遮罩200之一面側將晶片雛形體10壓入孔200。藉此，能使晶片雛形體10之兩端部從孔200a露出。此外，亦可使晶片雛形體10之一方端部從孔200a露出。
之後，將因導電性材料40之附著而被賦予導電性之晶片雛形體10從遮罩200拔出。接著，將晶片雛形體10浸漬於鍍敷浴以施以電鍍，如圖8(a)所示，在晶片雛形體10中附著有導電性材料40之端部形成金屬鍍層50。金屬鍍層50係以被覆導電性材料40之方式形成。
金屬鍍層50係Cu鍍層。是以，由於金屬鍍層50選擇Cu，因此在鍍敷時，藉由鍍敷容易附著於導電性材料40。
以上述方式，由導電性材料40與金屬鍍層50形成外部電極本體25。
接著，如圖8(b)所示，在具備外部電極本體25之晶片雛形體10表面整體形成絕緣層30。
此外，作為構成絕緣層30之材料，與實施形態1同樣的，使用雷射光L之吸收係數大之樹脂材料。
接著，如圖8(c)所示，對絕緣層30之既定區域(下面區域)R照射雷射光L，除去位於下面區域R之絕緣層30。亦即，除去在下面區域R被覆外部電極本體25之絕緣層30，使外部電極本體25露出於下面10c。
承上所述，由於晶片雛形體10之樹脂材料被不易吸收雷射光之金屬鍍層50被覆，因此在照射雷射光以除去位於既定區域R之絕緣層30之步驟，晶片雛形體10之樹脂材料不會被除去，可將外部電極本體25之露出區域形成為所欲形狀。
接著，如圖8(d)所示，在露出於下面區域R之外部電極本體25之表面形成Ni鍍層c1作為底層，在Ni鍍層c1之表面形成Sn鍍層c2作為最外層。
是以，由於形成Sn鍍層c2，因此在使用焊料將電子零件1接合於構裝對象時，可提升接合可靠性。又，Ni鍍層c1可防止Cu鍍層與Sn鍍層c2間之相互擴散。又，由於Ni鍍層c1存在於Cu鍍層與Sn鍍層c2之間，因此可防止因Cu鍍層與Sn鍍層c2之積層產生之晶鬚。
藉此，可獲得具有圖5所示之構造之電子零件1。
接著，說明實施形態3之另一形態。說明與圖5所示之電子零件1不同之構成。
如圖9(a)所示，金屬鍍層50係由Cu鍍層51與覆蓋Cu鍍層51之Ni鍍層52構成，被覆鍍層係Sn鍍層b1。此外，在金屬鍍層50，Ni鍍層52雖覆蓋Cu鍍層51整體，但亦可覆蓋Cu鍍層51之與既定區域R對應之部分。
是以，Ni鍍層52可防止Cu鍍層51與Sn鍍層b1間之相互擴散。由於Ni鍍層52存在於Cu鍍層51與Sn鍍層b1之間，因此可防止因Cu鍍層51與Sn鍍層b1之積層產生之晶鬚。
說明此電子零件1之製造方法。說明與圖8所示之電子零件1之製造方法不同之方法。
圖8(a)中，由Cu鍍層51、與以覆蓋Cu鍍層51之方式形成之Ni鍍層52構成金屬鍍層50。藉此，Cu鍍層51藉由鍍敷容易附著於導電性材料40。又，Ni鍍層52保護Cu鍍層51。
圖8(d)中，以被覆外部電極本體之除去絕緣層而露出之區域之方式形成Sn鍍層b1。如上述，由於形成Sn鍍層b1，因此在使用焊料將電子零件1接合於構裝對象時，可提升接合可靠性。
接著，說明實施形態3之另一形態。說明與圖5所示之電子零件1不同之構成。
如圖9(b)所示，金屬鍍層50係由Cu鍍層51與覆蓋Cu鍍層51之Ni鍍層52構成，被覆鍍層係由Ni鍍層c1與覆蓋Ni鍍層c1之Sn鍍層c2構成。
是以，Ni鍍層52,c1可防止Cu鍍層51與Sn鍍層c2間之相互擴散。由於Ni鍍層52,c1存在於Cu鍍層51與Sn鍍層c2之間，因此可防止因Cu鍍層51與Sn鍍層c2之積層產生之晶鬚。
說明此電子零件1之製造方法。說明與圖8所示之電子零件1之製造方法不同之方法。
圖8(a)中，由Cu鍍層51、與以覆蓋Cu鍍層51之方式形成之Ni鍍層52構成金屬鍍層50。藉此，由於Cu鍍層51選擇Cu，因此在鍍敷時，容易附著於導電性材料40。又，Ni鍍層52保護Cu鍍層51。之後，進行與圖8(b)~(d)中說明之方法相同之方法。
此處，參照圖8(c)，以使外部電極本體25之既定區域R露出之方式以雷射光除去與既定區域R對應之絕緣層30時，金屬鍍層50之Ni鍍層52被雷射光之熱氧化。因此，此方法，參照圖8(d)，係再次施加被覆鍍層之Ni鍍層c1後，施加Sn鍍層c2。
此外，上述實施形態1中，以除去絕緣層30之區域(下面區 域)R係在一對外部電極20之一側及另一側分別設有一個(亦即合計二個)之情形為例進行說明，但如圖10(a)、(b)所示，亦可在一方之外部電極20之下面區域R形成複數個(圖10(b)中為二個)，在另一方之外部電極20之下面區域R亦形成複數個(圖10(b)中為二個)。
亦即，亦可將雷射光分別分離地照射被覆一方之外部電極本體之絕緣膜之複數處(二處以上)與被覆另一方之外部電極本體之絕緣膜之複數處(二處以上)，以除去絕緣層。此外，針對實施形態2、3亦相同。
又，上述實施形態1~3中，外部電極本體25雖為設在端面10a、上面10b、下面10c、及兩側面10d之五面電極，但如圖11(a)所示，外部電極本體25亦可為設在端面10a及下面10c之L字狀電極，又，如圖11(b)所示，外部電極本體25亦可為設在端面10a、上面10b及下面10c之字狀電極。
又，上述實施形態1~3中，雖係除去晶片雛形體10之下面10c側之絕緣層30，但亦可是除去端面10a側之絕緣層30。
例如，藉由使外部電極20之端面10a側之一部分露出，在將電子零件1搭載於構裝對象時，在端面10a側之外部電極20亦形成可接合區域，可提升與構裝對象之接合可靠性。
又，亦可不覆蓋晶片雛形體10表面整體，僅覆蓋外部電極本體25。
此外，上述實施形態中，雖以積層型電感器為例進行說明，但除此之外，本發明亦可適用於積層型電容器、積層型熱阻器、積層型LC複合零件、捲繞有導線之繞線線圈零件、雜訊濾波器等各種電子零件。
此外，本發明即使在其他方面亦不限於上述實施形態，在本發明之範圍內，可施加各種應用、變形。
1‧‧‧電子零件
10‧‧‧晶片雛形體
10a‧‧‧晶片雛形體之端面
10b‧‧‧晶片雛形體之上面
10c‧‧‧晶片雛形體之下面
11‧‧‧磁性體陶瓷層
12‧‧‧內部導體
13‧‧‧線圈
13a‧‧‧線圈之端部
20‧‧‧外部電極
25‧‧‧外部電極本體
25a‧‧‧電極本體
25b‧‧‧金屬鍍層
30‧‧‧絕緣層
b1‧‧‧(被覆鍍層之一例之)Sn鍍層
L‧‧‧雷射光
R‧‧‧既定區域(將絕緣層加以除去之區域)

Claims (24)

  1. 一種電子零件之製造方法，具備：以被覆在構成電子零件之晶片雛形體上形成之外部電極本體之方式，在該外部電極本體上形成絕緣層之步驟；以及將吸收係數在該絕緣層大於在構成該外部電極本體表面之材料的雷射光，照射至該絕緣層之既定區域，以除去位於該既定區域之該絕緣層，使該外部電極本體之既定區域露出之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其中，該外部電極本體具備形成在該晶片雛形體上之由導電性樹脂材料構成之電極本體、及以被覆該電極本體之方式形成之金屬鍍層。
  3. 如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方法，其中，該金屬鍍層為Ni鍍層。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之電子零件之製造方法，其具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Sn鍍層之步驟。
  5. 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其中，該外部電極本體由不含樹脂成分之材料形成。
  6. 如申請專利範圍第5項之電子零件之製造方法，其具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成被覆鍍層之步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之電子零件之製造方法，其中，形成該被覆鍍層之步驟具備形成Ni鍍層作為底層之步驟、與形成Sn鍍層作為最外層之步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其中，該晶片雛形體 由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成；該外部電極本體由形成在該晶片雛形體上之導電性材料、與以被覆該導電性材料之方式形成之金屬鍍層構成。
  9. 如申請專利範圍第8項之電子零件之製造方法，其中，該金屬鍍層為Cu鍍層。
  10. 如申請專利範圍第8項之電子零件之製造方法，其中，該金屬鍍層由Cu鍍層、與以覆蓋該Cu鍍層之方式形成之Ni鍍層構成。
  11. 如申請專利範圍第10項之電子零件之製造方法，其具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Sn鍍層之步驟。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之電子零件之製造方法，其具備以被覆該外部電極本體之除去該絕緣層而露出之區域之方式形成Ni鍍層作為底層、與形成Sn鍍層作為最外層之步驟。
  13. 如申請專利範圍第1至3、5至11項中任一項之電子零件之製造方法，其中，在將該電子零件搭載於構裝對象上時，藉由該雷射光之照射，將被覆該電子零件之該外部電極本體待直接或透過鍍層接合之區域之該絕緣層加以除去。
  14. 如申請專利範圍第13項之電子零件之製造方法，其中，在該晶片雛形體之兩端部之各個形成有該外部電極本體時，針對形成在該晶片雛形體之兩端部之該外部電極本體之各個，以使該絕緣層之複數處分離而除去之方式照射該雷射光。
  15. 如申請專利範圍第1至3、5至11項中任一項之電子零件之製造方法，其中，構成該絕緣層之材料為樹脂材料。
  16. 如申請專利範圍第15項之電子零件之製造方法，其中，作為該雷射光，使用波長1.06μm以上、10.6μm以下之雷射光。
  17. 一種電子零件，具備：晶片雛形體；外部電極本體，係設在該晶片雛形體上；絕緣層，以使該外部電極本體之既定區域露出之方式覆蓋該外部電極本體；以及被覆鍍層，覆蓋該外部電極本體之該既定區域，從該絕緣層露出。
  18. 如申請專利範圍第17項之電子零件，其中，該外部電極本體由設在該晶片雛形體上之由導電性樹脂材料構成之電極本體、與覆蓋該電極本體之金屬鍍層構成。
  19. 如申請專利範圍第18項之電子零件，其中，該金屬鍍層為Ni鍍層，該被覆鍍層為Sn鍍層。
  20. 如申請專利範圍第17項之電子零件，其中，該外部電極本體由不含樹脂成分之材料構成；該被覆鍍層由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
  21. 如申請專利範圍第17項之電子零件，其中，該晶片雛形體由樹脂材料及金屬粉之複合材料構成；該外部電極本體由設在該晶片雛形體上之導電性材料、與覆蓋該導電性材料之金屬鍍層構成。
  22. 如申請專利範圍第21項之電子零件，其中，該金屬鍍層為Cu鍍層；該被覆鍍層由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
  23. 如申請專利範圍第21項之電子零件，其中，該金屬鍍層由Cu鍍層、與覆蓋該Cu鍍層之Ni鍍層構成；該被覆鍍層為Sn鍍層。
  24. 如申請專利範圍第21項之電子零件，其中，該金屬鍍層由Cu鍍層、與覆蓋該Cu鍍層之Ni鍍層構成；該被覆鍍層由Ni鍍層、與覆蓋該Ni鍍層之Sn鍍層構成。
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