CN110310814A - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案并且具有在所述一个方向上的至少一匝；绝缘层，包围所述主体；外电极，连接到所述线圈部，贯穿所述绝缘层，并且设置在所述主体的所述一个表面上；屏蔽层，设置在所述绝缘层上并且至少设置在所述主体的与所述主体的所述一个表面相对的所述另一表面上；以及种子层，设置在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0035325号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(线圈组件)连同电阻器和电容器是在电子装置中使用的代表性无源电子组件。
随着电子装置的性能的逐渐改善和尺寸的逐渐减小，在电子装置中使用的电子组件的数量已经增大，并且电子组件的尺寸已经减小。
出于上述原因，对消除电子组件的诸如电磁干扰(EMI)的噪声产生源的需求已经逐渐增大。
在当前的普通的EMI屏蔽技术中，将电子组件安装在板上，然后通过屏蔽罩将电子组件和板同时包围。
发明内容
本公开的一方面可提供一种可减小漏磁通的线圈组件。
本公开的一方面也可提供一种在减小漏磁通的同时可大体上保持特性的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面；线圈部，包括线圈图案并且具有在所述一个方向上的至少一匝，并且嵌入所述主体中；绝缘层，包围所述主体；屏蔽层，设置在所述绝缘层上并且至少设置在所述主体的与所述主体的所述一个表面相对的所述另一表面上；以及种子层，设置在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。
所述屏蔽层可包括：盖部，设置在所述主体的所述另一表面上；以及侧壁部，分别设置在所述主体的多个壁上。
所述种子层的至少部分可渗透到所述绝缘层中。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的壁；线圈部，嵌在所述主体中，并且包括沿所述一个方向堆叠的线圈图案和内绝缘层；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个表面上以彼此分开并且均连接到所述线圈部；外绝缘层，覆盖所述主体以及所述第一外电极和所述第二外电极；屏蔽层，设置在所述外绝缘层上，并且包括设置在所述主体的所述另一表面上的盖部以及设置在所述主体的所述壁上的侧壁部；种子层，设置在所述外绝缘层和所述屏蔽层之间，并且具有渗透到所述外绝缘层中的至少部分；以及贯穿电极，设置在所述主体的所述一个表面上，贯穿所述外绝缘层，并分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在所述主体的长度方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在所述主体的宽度方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在所述主体的厚度方向上彼此相对的第五表面和第六表面；线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案；第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，并且延伸到所述第六表面上；绝缘层，设置在所述主体上，并且具有使设置在所述第六表面上的所述第一外电极和所述第二外电极的部分暴露的第一开口和第二开口，所述绝缘层的所述第一开口和所述第二开口分别填充有第一贯穿电极和第二贯穿电极；以及第一导电层，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述第五表面的至少一部分，其中，所述第一贯穿电极和所述第二贯穿电极分别电连接到所述第一外电极和所述第二外电极。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示意性透视图；
图2A是沿图1的线I-I’截取的截面图，图2B是沿图1的线II-II’截取的截面图，并且图2C至图2E是图2A的A部分的放大图；
图3是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图；
图4是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图；
图5是示出根据本公开中的第三示例性实施例的变型示例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图；
图6A是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的示意性透视图，并且图6B是沿图6A的LT平面截取的截面图；
图7是示出根据本公开的第五示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图；以及
图8A至图11是示出本公开中变型示例的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
在附图中，L方向指的是第一方向或长度方向，W方向指的是第二方向或宽度方向，T方向指的是第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件。在参照附图描述本公开中的示例性实施例时，彼此相同或彼此对应的组件将由相同的标号表示，并且将省略对其的重复描述。
可在电子装置中使用各种类型的电子组件，并且可根据电子组件的用途在这些电子组件之间适当地使用各种类型的线圈组件以消除噪声等。
也就是说，在电子装置中使用的线圈组件可以是功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、用于高频(GHz)的磁珠、共模滤波器等。
第一示例性实施例
图1是示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示意性透视图。图2A是沿图1的线I-I’截取的截面图。图2B是沿图1的线II-II’截取的截面图。图2C至图2E是图2A的A部分的放大图。
参照图1至图2E，根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、外电极300和400、屏蔽层500、绝缘层600以及种子层SL，并且还可包括覆盖层700、内绝缘层IL和绝缘膜IF。
主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外观，并且可将线圈部200嵌入其中。
主体100可通常具有六面体形状。
在下文中，将基于主体100具有六面体形状的假设来描述本公开中的第一示例性实施例。然而，这样的描述不将包括具有除六面体形状之外的形状的主体的线圈组件排除在本示例性实施例的范围之外。
主体100可具有在长度方向(L)上彼此相对的第一表面和第二表面、在宽度方向(W)上彼此相对的第三表面和第四表面以及在厚度方向(T)上彼此相对的第五表面和第六表面。
主体100可形成为使得其中形成有将在下面描述的外电极300和400、绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的根据本示例性实施例的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。
主体100可包括磁性材料和树脂。详细地，可通过堆叠磁性材料分散在树脂中的一个或更多个磁性复合片形成主体。然而，主体100也可具有除磁性材料分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末颗粒。
铁氧体可以是例如尖晶石型铁氧体(诸如，Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体或Ni-Zn基铁氧体)、六角晶系铁氧体(诸如，Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体或Ba-Ni-Co基铁氧体)和石榴石型铁氧体(诸如，Y基铁氧体或Li基铁氧体)中的一种或更多种。
金属磁性粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性粉末颗粒可以是纯铁粉末颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒中的一种或更多种。
金属磁性粉末颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但不必然限于此。
铁氧体和金属磁性粉末颗粒可分别具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种磁性材料。这里，不同种类的磁性材料意味着分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状中的任意一者来彼此区分。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等或它们的混合物，但不限于此。
主体100可包括贯穿将在下面描述的线圈部200的芯110。可通过利用磁性复合片填充线圈部200的通孔来形成芯110，但不限于此。
线圈部200可嵌在主体100中，并且可实现线圈组件的特性。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可用于将电场存储为磁场以保持输出电压，结果使电子装置的功率稳定。
线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212以及过孔220。
将在下面描述的第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212可沿主体100的厚度方向(T)依次堆叠。
第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个可具有平面螺旋形状。作为示例，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面上沿主体100的厚度方向(T)形成至少一匝。
过孔220可贯穿内绝缘层IL以使第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接，并且可与第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个接触。结果，根据本示例性实施例的线圈部200可利用在主体100的厚度方向(T)上产生磁场的一个线圈形成。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一者可包括一个或更多个导电层。
作为示例，当通过镀覆形成第二线圈图案212和过孔220时，第二线圈图案212和过孔220中的每个可包括无电镀层的内部种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或具有多层结构。具有多层结构的电镀层可以以一个电镀层覆盖其他任何一个电镀层的共形膜结构形成，或者可以以一个电镀层仅堆叠在其他任何一个电镀层的一个表面上的形状形成。第二线圈图案212的内部种子层以及过孔220的内部种子层可彼此一体地形成，使得它们之间的边界可不形成，但不限于此。第二线圈图案212的电镀层以及过孔220的电镀层可彼此一体地形成，使得它们之间的边界可不形成，但不限于此。
作为另一示例，当通过单独地形成第一线圈图案211和第二线圈图案212然后分别在内绝缘层IL的下方和内绝缘层IL上共同堆叠第一线圈图案211和第二线圈图案212来形成线圈部200时，过孔220可包括高熔点金属层和具有低于高熔点金属层的熔点的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。低熔点金属层的至少一部分可在共同堆叠时由于压力和温度而熔化，使得可在低熔点金属层和第二线圈图案212之间的边界上形成金属间化合物(IMC)层。
作为示例，第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别在内绝缘层IL的下表面和上表面上突出。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可在内绝缘层IL的上表面上突出。在这种情况下，凹部可形成在第一线圈图案211的下表面中，使得内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可不被设置为彼此共面。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可嵌在内绝缘层IL的上表面中，使得第二线圈图案212的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。
第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与将在下面描述的第一外电极300接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与将在下面描述的第二外电极400接触，使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极400。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用具有增强材料(诸如，玻璃纤维或无机填料)浸在这样的绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光介电质(PID)等的绝缘材料形成，但不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉末颗粒、氢氧化铝(AlOH3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料可用作无机填料。
当利用包括增强材料的绝缘材料形成内绝缘层IL时，内绝缘层IL可提供更优异的刚性。当利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成内绝缘层IL时，内绝缘层IL可有利于减小线圈部200的整体厚度。当利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成内绝缘层IL时，可减小工艺的数量，这有利于降低生产成本，并且可钻出精细的孔。
绝缘膜IF可沿着第一线圈图案211的表面、内绝缘层IL的表面和第二线圈图案212的表面形成。可设置绝缘膜IF以保护第一线圈图案211和第二线圈图案212并使第一线圈图案211和第二线圈图案212绝缘，并且绝缘膜IF可包括任何已知的绝缘材料(诸如，聚对二甲苯等)。包括在绝缘膜IF中的绝缘材料没有具体地限制，而可以是任何绝缘材料。可通过诸如气相沉积等的方法形成绝缘膜IF，但不限于此。也就是说，可通过在形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的内绝缘层IL的相对表面上堆叠绝缘膜来形成绝缘膜IF。
同时，尽管未示出，但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一者的数量可以是多个。作为示例，线圈部200可包括多个第一线圈图案211，并且可具有一个第一线圈图案堆叠在其他任何一个第一线圈图案的下表面上的结构。在这种情况下，附加的绝缘层可设置在多个第一线圈图案211之间，但不限于此。
绝缘层600可包围主体，并且可使将在下面描述的屏蔽层500与主体100、外电极300和400电绝缘。在本示例性实施例中，绝缘层600可设置在主体100的第一表面至第六表面中的所有表面上。同时，在本示例性实施例中，外电极300的将在下面描述的连接部310和外电极400的将在下面描述的连接部410分别形成在主体100的第一表面和第二表面上，并且绝缘层600、种子层SL和屏蔽层500可依次设置在外电极300的连接部310和外电极400的连接部410中的每个上。
绝缘层600可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶或丙烯酸)、热固性树脂(诸如，苯酚、环氧树脂、聚氨酯、三聚氰胺或醇酸)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx。绝缘层600和主体100可利用不同的材料制成。
可通过将液相绝缘树脂涂覆到主体100、将诸如干膜(DF)的绝缘膜堆叠在主体100上或者经过气相沉积在主体100的表面上形成绝缘树脂来形成绝缘层600。绝缘膜可以是不包括感光绝缘树脂的ABF、聚酰亚胺膜等。
绝缘层600可以以10nm至100μm的厚度范围形成。当绝缘层600的厚度小于10nm时，线圈组件的诸如Q因数等的特性可能减小，并且当绝缘层600的厚度超过100μm时，线圈组件的整体长度、宽度和厚度可能过度增大，这不利于线圈组件的纤薄化。
外电极300和400可设置在主体100的一个表面上，并且可分别连接到线圈图案211和212。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300和连接到第二线圈图案212的第二外电极400。详细地，第一外电极300可包括：第一连接部310，设置在主体100的第一表面上并且连接到第一线圈图案211的端部；第一延伸部320，从第一连接部310延伸到主体100的第六表面；第一贯穿部330，贯穿绝缘层600的开口并且连接到第一延伸部320。第二外电极400可包括：第二连接部410，设置在主体100的第二表面上并且连接到第二线圈图案212的端部；第二延伸部420，从第二连接部410延伸到主体100的第六表面；第二贯穿部430，贯穿绝缘层600的另一开口并且连接到第二延伸部420。第一延伸部320和第二延伸部420可彼此分开并且第一贯穿部330和第二贯穿部430可彼此分开，使得第一外电极300和第二外电极400彼此不接触。
当根据本示例性实施例的线圈组件1000安装到印刷电路板等上时，外电极300和400可使线圈组件1000电连接到印刷电路板等。作为示例，根据本示例性实施例的线圈组件1000可安装在印刷电路板上，使得主体100的第六表面面对印刷电路板的上表面，并且设置在主体100的第六表面上的外电极300的贯穿部330和外电极400的贯穿部430与印刷电路板的连接部可通过焊料等彼此电连接。
外电极300和400可分别包括导电树脂层和形成在导电树脂层上的导电层。导电树脂层可通过印刷膏形成，并且可包括从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。导电层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的一种或更多种，并且可通过例如镀覆形成。
作为示例，连接部310和410以及延伸部320和420可通过同一电解铜镀覆工艺彼此一体地形成，并且在形成绝缘层600和覆盖层700之后，贯穿部330和430可通过贯穿绝缘层600和覆盖层700而与延伸部320和420的部分接触，然后分别形成在暴露的延伸部320和420上，但是连接部310和410、延伸部320和420以及贯穿部330和430不限于此。作为示例，贯穿部330和430可分别包括与延伸部320和420接触的镍镀层以及形成在镍镀层上的锡镀层。在这种情况下，贯穿部330和430可利用与用于形成连接部310和410以及延伸部320和420的材料不同的材料制成。作为另一示例，贯穿部330和430可以是分别与延伸部320和420接触的铜镀层。尽管附图示出了贯穿部330和430的下表面与覆盖层700的下表面共面，但是本公开不限于此。例如，贯穿部330和430可包括从覆盖层700的下表面向下突出的部分。
种子层SL可形成在绝缘层600和将在下面描述的屏蔽层500之间。在本示例性实施例中，将在下面描述的屏蔽层500可包括：盖部510，设置在主体100的第五表面上；以及第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524，分别形成在主体100的第一表面至第四表面(主体100的壁)上，因此种子层SL可形成在主体100的第一表面至第五表面上。
可通过诸如无电镀覆、溅射等的气相沉积形成种子层SL。在前一种情况下，种子层SL可以是无电铜镀层，但不限于此。在后一种情况下，种子层SL可包括铜(Cu)、金(Au)、铂(Pt)、钼(Mo)、钛(Ti)和铬(Cr)中的至少一种，并且可包括例如钛层和形成在钛层上的铬层，但不限于此。当种子层SL包括钛(Ti)和铬(Cr)中的至少一种时，种子层SL可改善屏蔽层500与绝缘层600之间的粘合性。
参照图2C，种子层SL可在绝缘层600上以相对均匀的膜厚度形成。这里，种子层SL以相对均匀的膜厚度形成意味着种子层SL的厚度分布与图2D的种子层SL相比是相对恒定的。因此，当在绝缘层600的上表面上存在粗糙度时，种子层SL可沿绝缘层600的上表面的形状以均匀的膜厚度形成，使得可在种子层SL的下表面上形成与绝缘层600的上表面的粗糙度对应的粗糙度。
参照图2D和图2E，种子层SL的至少一部分可渗透到绝缘层600中。作为示例，如图2D中所示，种子层SL可在绝缘层600上以非均匀膜厚度形成。这可能是种子层SL的渗透水平在绝缘层600的相邻区域中彼此不同，使得在绝缘层600和种子层SL之间的界面上形成粗糙度。作为另一示例，如图2E中所示，组成种子层SL的颗粒可渗透到绝缘层600中，使得种子层SL包括绝缘层600的绝缘树脂与组成种子层SL的颗粒彼此混合的混合层。
作为形成图2C的种子层SL的示例，可使用诸如无电镀覆、溅射等的气相沉积。作为形成图2D和图2E中示出的种子层SL的示例，可使用通过另外的能量使用于形成种子层的汽化的颗粒朝向绝缘层600加速的特定种类的气相沉积方法，但是形成种子层SL的方法不限于此。
屏蔽层500可形成在种子层SL上，以设置在主体100的至少第五表面上，并且可减少从根据本示例性实施例的线圈组件1000向外泄露的漏磁通。
屏蔽层500可以以10nm至100μm的厚度形成。当屏蔽层500的厚度小于10nm时，可能基本上不存在电磁干扰(EMI)屏蔽效果，并且当屏蔽层500的厚度超过100μm时，线圈组件的整体长度、宽度和厚度可能过度增大，这对线圈组件的纤薄化是不利的。
在本示例性实施例中，屏蔽层500可包括：盖部510，设置在主体100的第五表面上；以及第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524，分别设置在主体100的第一表面至第四表面(主体100的壁)上。根据本示例性实施例的屏蔽层500可设置在主体100的除主体100的第六表面以外的所有表面上，第六表面是根据本示例性实施例的线圈组件1000的安装表面。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可彼此一体地形成。也就是说，可通过同一工艺形成第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524，使得它们之间的边界可不形成。作为示例，可通过执行诸如溅射等的气相沉积在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第四表面上彼此一体地形成第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524。作为另一示例，可通过执行电镀在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第四表面上彼此一体地形成第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524。
盖部510以及侧壁部521、522、523和524可彼此一体地形成。也就是说，可通过同一工艺形成盖部510以及侧壁部521、522、523和524，使得它们之间的边界可不形成。作为示例，可通过执行诸如溅射的气相沉积在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第五表面上彼此一体地形成盖部510以及侧壁部521、522、523和524。作为另一示例，可通过执行电镀在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第五表面上彼此一体地形成盖部510以及侧壁部521、522、523和524。
盖部510以及侧壁部521、522、523和524的连接部中的每个可具有弯曲表面形状。作为示例，当通过诸如溅射的气相沉积在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第五表面上形成屏蔽层500时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。作为另一示例，当通过电镀在主体100的其上形成有种子层SL的第一表面至第五表面上形成屏蔽层500时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个可包括连接到盖部510的一端和与所述一端相对的另一端，并且从主体100的第六表面到第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中任何一个侧壁部的另一端的距离可与从主体100的第六表面到第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的另一侧壁部的另一端的距离不同。作为示例，当通过电镀或气相沉积形成屏蔽层500时，从侧壁部的另一端到主体100的第六表面的距离可由于公差或设计的需要而彼此不同。
屏蔽层500可包括导体和磁性材料中的至少一种。作为示例，导体可以是包括从由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种的金属或者合金，并且可以是Fe-Si或者Fe-Ni。此外，屏蔽层500可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种。屏蔽层500可以是例如铜镀覆层，但不限于此。屏蔽层500可具有多层结构。作为示例，屏蔽层500可以以包括导体层和形成在导体层上的磁性层的双层结构、包括第一导体层和形成在第一导体层上的第二导体层的双层结构或者多个导体层的结构形成。这里，第一导体层和第二导体层可包括不同的导体，但也可包括相同的导体。
屏蔽层500可包括彼此分开的两个或更多个精细结构。作为示例，当通过溅射形成盖部510以及侧壁部521、522、523和524中的每个时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524中的每个可包括通过晶界彼此区分开的多个精细结构。
覆盖层700可设置在屏蔽层500上以覆盖屏蔽层500，并且可与绝缘层600接触。也就是说，覆盖层700可使屏蔽层500与绝缘层600一起嵌在其中。在本示例性实施例中，覆盖层700可设置在主体100的第一表面至第六表面上，并且可覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的另一端，以与绝缘层600接触。覆盖层700可覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的另一端，以防止第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524与外电极300和400之间的电连接。此外，覆盖层700可防止屏蔽层500电连接到其他外部电子组件。
覆盖层700可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶或丙烯酸)、热固性树脂(诸如，苯酚、环氧树脂、聚氨酯、三聚氰胺或醇酸)、感光绝缘树脂、聚对二甲苯、SiOx和SiNx中的至少一种。
可通过在其上形成有屏蔽层500的主体100上堆叠诸如干膜(DF)的覆盖膜来形成覆盖层700。可选地，可通过使用绝缘材料在其上形成有屏蔽层500的主体100上执行诸如化学气相沉积(CVD)等的气相沉积来形成覆盖层700。
覆盖层700可具有粘合功能。作为示例，当通过在主体100上堆叠覆盖膜来形成覆盖层700时，覆盖层700可包括粘合成分以粘合到屏蔽层500。
同时，覆盖层700可与绝缘层600一起被上述外电极300的贯穿部330和外电极400的贯穿部430贯穿。其中形成有贯穿绝缘层600和覆盖层700的贯穿部330和430的通孔可通过光刻法、激光钻孔、喷砂等形成，但不限于此。
覆盖层700可以以10nm至100μm的厚度范围形成。当覆盖层700的厚度小于10nm时，绝缘性质可能是弱的，使得外部装置和线圈组件之间可能发生短路，当覆盖层700的厚度超过100μm时，线圈组件的整体长度、宽度和厚度可能过度地增大，这不利于线圈组件的纤薄化。
绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和可超过30nm，并且可以是100μm或更小。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和小于30nm时，可能发生诸如电气短路、线圈组件的特性(诸如，Q因数)减小等的问题，当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和超过100μm时，线圈组件的整体长度、宽度和厚度可能过度地增大，这不利于线圈组件的纤薄化。
同时，尽管在图1至图2E中未示出，但区别于绝缘层600的另外的绝缘层可形成在主体100的表面的其上没有形成外电极300和400的区域上。也就是说，另外的绝缘层可形成在主体100的其上没有形成连接部310和410的第三表面至第五表面上以及主体100的第六表面的其上没有形成延伸部320和420的区域上。在这种情况下，根据本示例性实施例的绝缘层600可形成在主体100的表面上，以与另外的绝缘层接触。另外的绝缘层可在通过镀覆形成外电极300和400时用作阻镀剂，但不限于此。
由于根据本公开的绝缘层600和覆盖层700设置在线圈组件本身中，因此在将线圈组件安装到印刷电路板的工艺中，绝缘层600和覆盖层700可与使线圈组件和印刷电路板成型的模制材料区分开。因此，根据本公开的绝缘层600可不与印刷电路板接触。此外，与模制材料不同，绝缘层600和覆盖层700可不由印刷电路板支撑或固定。另外，与包围使线圈组件和印刷电路板彼此连接的诸如焊球的连接构件的模制材料不同，根据本公开的绝缘层600和覆盖层700可不形成为包围连接构件。另外，由于根据本公开的绝缘层600不是通过加热环氧塑封料(EMC)等、将EMC移动到印刷电路板上然后使EMC硬化而形成的模制材料，因此不需要考虑由于模制材料的CTE和印刷电路板的CTE之间的差异等而引起的在形成模制材料时的空隙的产生以及印刷电路板的翘曲的产生。
此外，由于根据本公开的屏蔽层500设置在线圈组件本身中，因此屏蔽层500可与在将线圈组件安装到印刷电路板之后结合到印刷电路板以屏蔽EMI等的屏蔽罩区分开。作为示例，与屏蔽罩不同，可不考虑将根据本公开的屏蔽层500连接到印刷电路板的接地层。作为另一示例，在根据本公开的屏蔽层500中，可以不需要用于将屏蔽罩固定到印刷电路板的固定构件。也就是说，屏蔽层500以及种子层SL可以是电浮置的。
在根据本示例性实施例的线圈组件1000中，通过在线圈组件本身中形成屏蔽层500可更有效地阻挡在线圈组件中产生的漏磁通。尽管附图示出本实施例包括屏蔽层500，但是在种子层SL有效地阻挡线圈组件中产生的漏磁通的情况下，可省略屏蔽层500。随着电子装置的纤薄化和性能改善，包括在电子装置中的电子组件的总数量以及相邻的电子组件之间的距离已经减小，并且屏蔽层可屏蔽相应的线圈组件本身，以更有效地阻挡在相应的线圈组件中产生的漏磁通，这可更有利于电子装置的纤薄化和性能改善。此外，与使用屏蔽罩的情况相比，在根据本示例性实施例的线圈组件1000中，可增大在屏蔽区域中有效磁性材料的量，并且因此可改善线圈组件的特性。
第二示例性实施例
图3是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图。
参照图1至图3，根据本示例性实施例的线圈组件2000可在盖部510方面不同于根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例的盖部510不同的盖部510。本公开的第一示例性实施例中的关于其他组件的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其他组件。
参照图3，盖部510的中央部分可被形成为具有比其外侧部分的厚度T2大的厚度T1。这将详细地描述。
组成根据本示例性实施例的线圈部200的相应的线圈图案211和212可分别在内绝缘层IL的相对表面上从内绝缘层IL的中央到内绝缘层IL的外侧形成多个匝，并且可沿主体100的厚度方向(T)堆叠并通过过孔220(参照图2B)彼此连接。结果，在根据本示例性实施例的线圈组件2000中，磁通密度可在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的长度方向(L)-宽度方向(W)平面的中央部分处最高。因此，在本示例性实施例中，在形成设置在主体100的大体上平行于主体100的长度方向(L)-宽度方向(W)平面的第五表面上的盖部510时，考虑到在主体100的长度方向(L)-宽度方向(W)平面上磁通密度分布，盖部510的中央部分可被形成为具有比其外侧部分的厚度T2大的厚度T1。
以这种方式，在根据本示例性实施例的线圈组件2000中，盖部510可根据磁通密度分布而被形成为具有不同的厚度，以更有效地减小漏磁通。
第三示例性实施例
图4是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图。图5是示出根据本公开中的第三示例性实施例的变型示例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图。
参照图1至图5，根据本示例性实施例的线圈组件3000和线圈组件3000A可在盖部510以及侧壁部521、522、523和524方面不同于根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000和根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件2000。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与根据本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的盖部510以及侧壁部521、522、523和524不同的盖部510以及侧壁部521、522、523和524。本公开中的第一示例性实施例或第二示例性实施例的关于其他组件的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其他组件。
参照图4，盖部510的厚度T3可大于侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度T4。
如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向(T)上产生磁场。结果，在主体100的厚度方向(T)上泄露的磁通量可大于在其他方向上泄露的磁通量。因此，设置在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的第五表面上的盖部510可被形成为具有比设置在主体100的壁上的侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度大的厚度，以更有效地减小漏磁通。
参照图4和图5，在盖部510被形成为具有比侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度T4大的厚度T3的情况下，侧壁部520的一端的厚度T5可以大于侧壁部520的另一端的厚度。这里，侧壁部520可包括第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524。
作为示例，当通过镀覆形成盖部510以及侧壁部521、522、523和524时，由于主体100的在主体100的第五表面与主体100的第一表面至第四表面彼此连接处的边缘部分(即，形成侧壁部520的一端的区域)的边缘形状，电流密度可能集中。因此，侧壁部520的一端可形成为具有比侧壁部520的另一端的厚度相对大的厚度。作为另一示例，通过设置主体100使得主体100的第五表面面对目标然后执行用于形成屏蔽层500的溅射，侧壁部520的一端可形成为具有比侧壁部520的另一端的厚度相对大的厚度。然而，本示例性实施例的范围不限于以上描述的示例。
以这种方式，在根据本示例性实施例的线圈组件3000和3000A中，考虑到由线圈部200形成的磁场的方向，可有效地减小漏磁通。
第四示例性实施例
图6A是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的示意性透视图。图6B是沿图6A的LT平面截取的截面图。
参照图1至图6B，根据本示例性实施例的线圈组件4000可在屏蔽层500的结构方面不同于根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000和第三示例性实施例的线圈组件3000。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的屏蔽层500的结构不同的屏蔽层500的结构。本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例中关于其他组件的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其他组件。
详细地，在本示例性实施例中，屏蔽层500可仅包括盖部。包括第一外电极300、第二外电极400、绝缘层600、种子层SL和覆盖层700的其他元件可相应地变型。例如，与屏蔽层类似，绝缘层600、种子层SL和覆盖层700可被变型为仅形成在主体100的第五表面上。在这种情况下，可省略包括在第一示例性实施例至第三示例性实施例中的第一外电极300的第一贯穿部330和第二外电极400的第二贯穿部430。
如在本公开中的另一示例性实施例中所描述的，在线圈部200中，最大的漏磁通可能在主体100的厚度方向(T)上产生。因此，在本示例性实施例中，屏蔽层500可仅形成在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的第五表面上，以更简单并更有效地阻挡漏磁通。
第五示例性实施例
图7是示出根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的截面图，并且图7对应于沿图1的线I-I’截取的截面图。
参照图1至图7，根据本示例性实施例的线圈组件5000可在屏蔽层500的结构方面不同于根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000、第三示例性实施例的线圈组件3000和第四示例性实施例的线圈组件4000。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例的屏蔽层500不同的屏蔽层500。本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例中关于其他组件的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其他组件。
参照图7，根据本示例性实施例的屏蔽层500可以以中间绝缘层ML插设在其间的双层结构形成。
在本示例性实施例中，屏蔽层500可以以双层结构形成，因此穿过设置为相对邻近主体100的第一屏蔽层500的漏磁通可被设置为与主体100相对分开的第二屏蔽层500屏蔽。因此，在根据本示例性实施例的线圈组件5000中，可更有效地阻挡漏磁通。此外，中间绝缘层ML可用作从第二屏蔽层500反射的噪声的波导。
对本公开中第一示例性实施例至第四示例性实施例中的绝缘层600的描述可按照原样应用于中间绝缘层ML的材料、形成中间绝缘层ML的方法等。
变型示例
图8A至图10是示出本公开中的第一变型示例至第三变型示例的示意图。详细地，图8A是示出根据第一变型示例的线圈组件的透视图，图8B是沿图8A的LT平面截取的截面图，并且图8C是沿图8A的WT平面截取的截面图。图9A是示出根据第二变型示例的线圈组件的透视图，图9B是沿图9A的LT平面截取的截面图，并且图9C是沿图9A的WT平面截取的截面图。图10是示出根据第三变型示例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线I-I’截取的截面图。
参照图8A至图10，根据本公开的线圈组件可以为根据第一变型示例至第三变型示例的其中外电极300和400的形状被变型的线圈组件1000A、1000B和1000C。
详细地，参照图8A至图8C，在根据本公开中的第一变型示例的线圈组件1000A中，外电极300和400还可包括分别从连接部310和410延伸到主体100的第五表面的带部340和440。作为示例，第一外电极300还可包括从第一连接部310延伸到主体100的第五表面的第一带部340，并且第二外电极400还可包括从第二连接部410延伸到主体100的第五表面的第二带部440。也就是说，在本变型示例中，外电极300和400可以是具有形状的电极。
参照图9A至图9C，在根据本公开中的第二变型示例的线圈组件1000B中，外电极300和400还可包括分别从连接部310和410延伸到主体100的第三表面、第四表面和第五表面的带部340和440。作为示例，第一外电极300还可包括第一带部340，第一带部340从第一连接部310延伸并且设置在主体100的第三表面、第四表面和第五表面上。也就是说，在本变型示例中，外电极300和400可以是五面电极。
参照图10，在根据本公开中的第三变型示例的线圈组件1000C中，外电极300和400的连接部310和410可形成在主体100的第六表面上。在这种情况下，第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部可以不分别暴露于主体100的第一表面和第二表面，而可暴露于主体100的第六表面并且连接到外电极300的连接部310和外电极400的连接部410。第二线圈图案212的端部可贯穿内绝缘层IL和主体100，并且可暴露于主体100的第六表面。
图11是示出本公开中的第四变型示例的示意图。
参照图11，根据本公开的线圈组件可以为根据第四变型示例的其中线圈部的形式被变型的线圈组件1000D。
详细地，参照图11，根据本变型示例的线圈部200可以以多个线圈图案211、212和213沿主体100的厚度方向(T)堆叠的结构形成。这里，多个线圈图案211、212和213可通过沿主体的厚度方向(T)形成的连接过孔(未示出)彼此连接，以组成一个线圈部200。
根据本变型示例的线圈组件可不包括根据本公开中的第一示例性实施例的内绝缘层IL(见图2A)和绝缘膜IF(见图2A)。
在本变型示例中，可通过堆叠涂覆有用于形成线圈部200的导电膏的多个磁性复合片来形成主体100。在这种情况下，可在组成主体的磁性复合片的至少部分中钻出用于形成连接过孔的通路孔。与线圈部类似，可通过涂覆导电膏形成过孔。
同时，尽管未示出，但是本公开中的变型示例中也可包括具有通过沿主体的长度方向或宽度方向依次堆叠各个线圈图案而形成的线圈部的线圈组件，各个线圈图案形成为垂直于主体的第六表面。
另外，虽然图8A至图11示出了根据本公开中关于本公开中的第一示例性实施例的变型示例的线圈组件1000A、1000B、1000C和1000D，但是以上所描述的变型示例可类似地应用于本公开中的第二示例性实施例至第五示例性实施例。
如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，可减小线圈组件的漏磁通。
另外，可在减小线圈组件的漏磁通的同时大体上保持线圈组件的特性。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (32)

1.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面；
线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案并且具有在所述一个方向上的至少一匝；
绝缘层，包围所述主体；
外电极，连接到所述线圈部，贯穿所述绝缘层，并且设置在所述主体的所述一个表面上；
屏蔽层，设置在所述绝缘层上并且至少设置在所述主体的所述另一表面上；以及
种子层，设置在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述种子层的至少部分渗透到所述绝缘层中。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述种子层和所述绝缘层包括组成所述种子层的材料的颗粒渗透到所述绝缘层中的混合层。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层的在所述主体的所述另一表面的中央部分上的一部分的厚度大于所述屏蔽层的在所述主体的所述另一表面上的外侧部分上的一部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括导体和磁性材料中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖所述屏蔽层的覆盖层。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层完全嵌在所述覆盖层和所述绝缘层之间。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括：
盖部，设置在所述主体的所述另一表面上；以及
侧壁部，从所述盖部延伸并且设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述另一表面彼此连接的壁上。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。
10.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述侧壁部的连接到所述盖部的一端的厚度大于所述侧壁部的另一端的厚度。
11.根据权利要求8所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖层，所述覆盖层设置在所述侧壁部和所述盖部上以覆盖所述屏蔽层。
12.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述覆盖层延伸到所述主体的所述一个表面上，并且
所述外电极贯穿所述覆盖层。
13.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述主体的壁的数量为多个，并且
所述侧壁部分别设置在所述主体的所述多个壁上。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，多个侧壁部和所述盖部彼此一体地形成。
15.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述外电极包括：
连接部，设置在所述主体的所述壁上并且连接到所述线圈部；
延伸部，从所述连接部延伸到所述主体的所述一个表面；以及
贯穿部，贯穿所述绝缘层并连接到所述延伸部，并且
所述绝缘层覆盖所述连接部和所述延伸部。
16.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述连接部和所述延伸部中的每个包括铜。
17.根据权利要求16所述的线圈组件，其中，所述贯穿部包括铜、锡和镍中的至少一种。
18.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述种子层包括钛、铬和铜中的至少一种。
19.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，所述绝缘层包括从由聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶、丙烯酸、苯酚、环氧树脂、聚氨酯、三聚氰胺、醇酸、感光树脂及其组合物组成的组中选择的一种。
20.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括铜。
21.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
另一绝缘层，设置在所述屏蔽层上；
另一屏蔽层，设置在所述另一绝缘层上；以及
另一种子层，设置在所述另一绝缘层和所述另一屏蔽层之间。
22.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的壁；
线圈部，嵌在所述主体中，并且包括沿所述一个方向堆叠的线圈图案和内绝缘层；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个表面上以彼此分开并且均连接到所述线圈部；
外绝缘层，覆盖所述主体以及所述第一外电极和所述第二外电极；
屏蔽层，设置在所述外绝缘层上，并且包括设置在所述主体的所述另一表面上的盖部以及设置在所述主体的所述壁上的侧壁部；
种子层，设置在所述外绝缘层和所述屏蔽层之间，并且具有渗透到所述外绝缘层中的至少部分；以及
贯穿电极，设置在所述主体的所述一个表面上，贯穿所述外绝缘层，并分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极。
23.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有在所述主体的长度方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在所述主体的宽度方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在所述主体的厚度方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
线圈部，包括嵌在所述主体中的线圈图案；
第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，并且延伸到所述第六表面上；
绝缘层，设置在所述主体上，并且具有使设置在所述第六表面上的所述第一外电极和所述第二外电极的部分暴露的第一开口和第二开口，所述绝缘层的所述第一开口和所述第二开口分别填充有第一贯穿电极和第二贯穿电极；以及
第一导电层，设置在所述绝缘层上并且覆盖所述第五表面的至少一部分，
其中，所述第一贯穿电极和所述第二贯穿电极分别电连接到所述第一外电极和所述第二外电极。
24.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述第一导电层的一部分渗透到所述绝缘层中。
25.根据权利要求24所述的线圈组件，其中，所述第一导电层和所述绝缘层包括组成所述第一导电层的材料的颗粒渗透到所述绝缘层中的混合层。
26.根据权利要求23所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖所述第一导电层的第二导电层。
27.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述第一导电层至少覆盖所述主体的整个所述第五表面。
28.根据权利要求27所述的线圈组件，其中，所述第一导电层从所述主体的所述第五表面延伸到所述主体的所述第一表面至所述第四表面的没有被所述第一外电极和所述第二外电极覆盖的至少部分上。
29.根据权利要求28所述的线圈组件，其中，所述第一导电层覆盖所述第一外电极和所述第二外电极。
30.根据权利要求23所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖层，所述覆盖层覆盖所述主体的除了所述主体的设置有所述第一开口和所述第二开口的部分之外的全部。
31.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述第一导电层是电浮置的。
32.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述第一贯穿电极和所述第二贯穿电极与所述主体的所述第六表面的边缘分开。
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