JP2019176121A - コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】漏れ磁束を低減しながらも、部品の特性を実質的に維持することができるコイル部品を提供する。
【解決手段】本発明コイル部品１０００は、一方向に沿って互いに向かい合う一面と他面を有する本体１００と、コイルパターン２１１、２１２を含み、一方向を軸に、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成し、本体１００に埋設されたコイル部２００と、本体１００を取り囲む絶縁層６００と、コイル部２００と連結され、絶縁層６００を貫通して本体１００の一面に配置された外部電極４００と、絶縁層６００に形成され、本体１００の一面と向かい合う本体１００の他面上に配置された遮蔽層５００と、絶縁層６００と遮蔽層５００との間に形成されたシード層ＳＬと、を含む。
【選択図】図２ａ

Description

本発明は、コイル部品に関するものである。

コイル部品の一つであるインダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）及びキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とともに電子機器に用いられる代表的な受動電子部品である。

電子機器が徐々に高性能化して小さくなるにつれて、電子機器に用いられる電子部品もその数が増加し、小型化している。

上述の理由から、電子部品のＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）のようなノイズ発生源の除去に対する必要性が次第に増加している。

現在の一般的なＥＭＩシールド技術は、電子部品を基板に実装した後、シールド缶（Ｓｈｉｅｌｄ Ｃａｎ）で電子部品及び基板をともに取り囲むことである。

特開２００５−３１０８６３号公報（２００５．１１．０４．公開）

本発明の目的は、漏れ磁束を低減することができるコイル部品を提供することである。

また、漏れ磁束を低減しながらも、部品の特性を実質的に維持することができるコイル部品を提供することである。

本発明の一側面によると、一方向に沿って互いに向かい合う一面と他面を有する本体と、コイルパターンを含み、一方向を軸に、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成し、本体に埋設されたコイル部と、本体を取り囲む絶縁層と、絶縁層に形成され、本体の一面と向かい合う本体の他面上に配置された遮蔽層と、絶縁層と遮蔽層との間に形成されたシード層と、を含むコイル部品を提供する。

ここで、遮蔽層は、本体の他面上に配置されたキャップ部と、本体の複数の壁面にそれぞれ配置された側壁部と、を含むことができる。

シード層の少なくとも一部は、絶縁層に浸透して形成されることができる。

本発明によると、コイル部品の漏れ磁束を低減することができる。

また、コイル部品の漏れ磁束を低減しながらも、部品の特性を実質的に維持することができる。

本発明の第１実施例によるコイル部品を概略的に示す斜視図である。 図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。 図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。 図２ａのＡ部分を拡大した図である。 図２ａのＡ部分を拡大した図である。 図２ａのＡ部分を拡大した図である。 本発明の第２実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第３実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第３実施例の変形例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第４実施例によるコイル部品を概略的に示す斜視図である。 図６ａのＬＴ平面に沿った断面を示す図である。 本発明の第５実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。 本発明の変形例を概略的に示す図である。

本明細書で用いられた用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されたものであって、本発明を限定する意図ではない。単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。本明細書において、「含む」又は「有する」などという用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定するためのものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。また、明細書全体において、「上に」とは、対象部分の上又は下に位置することを意味するものであり、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するものではない。

また、組み合わせとは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間の物理的に直接接触している場合だけを意味するのではなく、他の構成が各構成要素間に介在し、その他の構成が各構成要素間に介在して、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合までを包括する概念として使用する。

図面に示された各構成のサイズと厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。

図面において、Ｌ方向は第１方向又は長さ方向、Ｗ方向は第２方向又は幅方向、Ｔ方向は第３方向又は厚さ方向と定義することができる。

以下では、添付の図面を参照し、本発明の実施例よるコイル部品について説明する。添付図面を参照して説明するにあたり、同一であるか、又は対応する構成要素に対しては同一の図面符号を付与し、これに対する重複説明は省略する。

電子機器には、様々な種類の電子部品が用いられるが、このような電子部品の間には、ノイズ除去などを目的に、様々な種類のコイル部品が適切に用いられることができる。

すなわち、電子機器のコイル部品は、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、高周波インダクタ（ＨＦ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｂｅａｄ）、高周波用ビーズ（ＧＨｚ Ｂｅａｄ）、コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）などで用いられることができる。

（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例によるコイル部品を概略的に示す斜視図である。図２ａは図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。図２ｂは図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。また、図２ｃ、図２ｄ、及び図２ｅはそれぞれ図２ａのＡ部分を拡大した図である。

図１及び図２ａ〜図２ｅを参照すると、本発明の第１実施例によるコイル部品１０００は、本体１００、コイル部２００、外部電極３００、４００、遮蔽層５００、絶縁層６００、及びシード層ＳＬを含み、カバー層７００、内部絶縁層ＩＬ、及び絶縁膜ＩＦをさらに含むことができる。

本体１００は、本実施例によるコイル部品１０００の外観をなし、内部にコイル部２００を埋設する。

本体１００は、全体的に六面体形状で形成されることができる。

以下では、例示的に、本体１００が六面体形状であることを前提に、本発明の第１実施例を説明する。しかし、このような説明が六面体以外の形状に形成された本体を含むコイル部品を本実施例の範囲から除外するものではない。

本体１００は、長さ方向（Ｌ）において向かい合う第１面及び第２面、幅方向（Ｗ）において向かい合う第３面及び第４面、及び厚さ方向（Ｔ）において向かい合う第５面及び第６面を含む。

本体１００は、例示的に、後述する外部電極３００、４００、絶縁層６００、遮蔽層５００、及びカバー層７００が形成された本実施例によるコイル部品１０００が長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍを有するように形成されることができるが、これに制限されるものではない。

本体１００は、磁性材料と樹脂を含むことができる。具体的には、本体は、磁性材料が樹脂に分散された磁性複合シートを一つ以上積層して形成されることができる。但し、本体１００は、磁性材料が樹脂に分散された構造の他に、他の構造を有することもできる。例えば、本体１００は、フェライトのような磁性材料からなることもできる。

磁性材料はフェライト又は金属磁性粉末であることができる。

フェライトは、例えば、Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などのスピネル型フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系、Ｂａ−Ｍｇ系、Ｂａ−Ｎｉ系、Ｂａ−Ｃｏ系、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系などの六方晶フェライト、Ｙ系などのガーネット型フェライト、及びＬｉ系フェライトのうち少なくとも一つ以上であればよい。

金属磁性粉末は、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。例えば、金属磁性粉末は、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｎｂ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、及びＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末のうち少なくとも一つ以上であればよい。

金属磁性粉末は、非晶質又は結晶質であることができる。例えば、金属磁性粉末は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質合金粉末であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。

フェライト及び金属磁性粉末はそれぞれ、平均直径が約０．１μｍ〜３０μｍであればよいが、これに制限されるものではない。

本体１００は、樹脂に分散された２種類以上の磁性材料を含むことができる。ここで、種類が異なる磁性材料、すなわち、２種類以上の磁性材料とは、樹脂に分散された磁性材料が、平均直径、組成、結晶性及び形状のうちいずれかで互いに区別され得ることを意味する。

樹脂は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶結晶性ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）などを単独又は混合して含むことができるが、これに限定されるものではない。

本体１００は、後述するコイル部２００を貫通するコア１１０を含むことができる。コア１１０は、磁性複合シートがコイル部２００の貫通孔を充填することによって形成されることができるが、これに制限されるものではない。

コイル部２００は、本体１００に埋設されて、コイル部品の特性を発現する。例えば、コイル部品１０００がパワーインダクタとして活用される場合には、コイル部２００は、電場を磁場で保存して出力電圧を維持することにより、電子機器の電源を安定させる役割を果たすことができる。

コイル部２００は、第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０を含む。

第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２ならびに後述する内部絶縁層ＩＬは、本体１００の厚さ方向（Ｔ）に沿って順次積層された形態で形成されることができる。

第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２はそれぞれ、平面らせん状に形成することができる。一例として、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの一面において本体１００の厚さ方向（Ｔ）を軸に少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。

ビア２２０は、第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２とを電気的に連結するように、内部絶縁層ＩＬを貫通して第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２にそれぞれ接触する。その結果、本実施例に適用されるコイル部２００は、本体１００の厚さ方向（Ｔ）に磁場を発生させる一つのコイルで形成されることができる。

第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０のうち少なくとも一つは、少なくとも一つ以上の導電層を含むことができる。

一例として、第２コイルパターン２１２とビア２２０をメッキで形成する場合、第２コイルパターン２１２及びビア２２０はそれぞれ、無電解メッキ層の内部シード層と電解メッキ層を含むことができる。ここで、電解メッキ層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。多層構造の電解メッキ層は、いずれか一つの電解メッキ層を他の一つの電解メッキ層がカバーするコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜構造で形成されてもよく、いずれか一つの電解メッキ層の一面にのみ他の一つの電解メッキ層が積層された形状に形成されてもよい。第２コイルパターン２１２の内部シード層とビア２２０の内部シード層とが一体に形成されて、相互間の境界が明確に形成されなくてもよいが、これに制限されるものではない。また、第２コイルパターン２１２の電解メッキ層とビア２２０の電解メッキ層とが一体に形成されて、相互間の境界が明確に形成されなくてもよいが、これに制限されるものではない。

他の例として、第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２をそれぞれ別に形成した後、内部絶縁層ＩＬに一括して積層して、コイル部２００を形成する場合、ビア２２０は、高融点金属層と、高融点金属層の融点よりも低い融点を有する低融点金属層と、を含むことができる。ここで、低融点金属層は、鉛（Ｐｂ）、及び／又はスズ（Ｓｎ）を含む半田で形成されることができる。低融点金属層は、一括積層時の圧力及び温度により少なくとも一部が溶融して、低融点金属層と第２コイルパターン２１２との間の境界には、金属間化合物層（Ｉｎｔｅｒ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｌａｙｅｒ、ＩＭＣ Ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。

第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２はそれぞれ、一例として、内部絶縁層ＩＬの下面及び上面に突出形成されることができる。他の例として、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの下面に埋め込まれて、下面が内部絶縁層ＩＬの下面に露出し、第２コイルパターン２１２は、内部絶縁層ＩＬの上面に突出形成されることができる。この場合、第１コイルパターン２１１の下面には凹部が形成されて、内部絶縁層ＩＬの下面と第１コイルパターン２１１の下面は同一の平面上に位置しなくてもよい。さらに他の例として、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの下面に埋め込まれて、下面が内部絶縁層ＩＬの下面に露出し、第２コイルパターン２１２は、内部絶縁層ＩＬの上面に埋め込まれて、上面が内部絶縁層ＩＬの上面に露出することができる。

第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２のそれぞれの端部は、本体１００の第１面及び第２面に露出することができる。第１コイルパターン２１１は、本体１００の第１面に露出している端部が、後述する第１外部電極３００と接触することにより、第１外部電極３００と電気的に連結される。第２コイルパターン２１２は、本体１００の第２面に露出している端部が、後述する第２外部電極４００と接触することにより、第２外部電極４００と電気的に連結される。

第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性材料で形成されることができるが、これに限定されるものではない。

内部絶縁層ＩＬは、エポキシ樹脂のような熱硬化性絶縁樹脂、ポリイミドのような熱可塑性絶縁樹脂又は感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成されるか、又はこれらの絶縁樹脂にガラス繊維や無機フィラーなどの補強材が含浸された絶縁材料で形成されることができる。例えば、内部絶縁層ＩＬは、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの絶縁材料で形成されることができるが、これに制限されるものではない。

無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、タルク、泥、マイカ粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）からなる群より選択された少なくとも一つ以上を用いることができる。

内部絶縁層ＩＬが補強材を含む絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、より優れた剛性を提供することができる。内部絶縁層ＩＬがガラス繊維を含まない絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、コイル部２００の全体の厚さを薄型化するのに有利である。内部絶縁層ＩＬが感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成される場合には、工程数が減って生産費の削減に有利であり、微細孔加工が可能である。

絶縁膜ＩＦは、第１コイルパターン２１１、内部絶縁層ＩＬ、及び第２コイルパターン２１２の表面に沿って形成される。絶縁膜ＩＦは、各コイルパターン２１１、２１２を保護し、絶縁させるためのものであって、パリレンなどの公知の絶縁材料を含む。絶縁膜ＩＦに含まれる絶縁材料は、いかなるものであってもよく、特に制限されない。絶縁膜ＩＦは、気相蒸着などの方法で形成されることができるが、これに制限されるものではなく、絶縁フィルムを第１及び第２コイルパターン２１１、２１２が形成された内部絶縁層ＩＬの両面に積層することにより形成されることもできる。

一方、図示されてはいないが、第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２のうち少なくとも一つは、複数で形成されることができる。一例として、コイル部２００は、複数の第１コイルパターン２１１が形成されて、いずれか一つの第１コイルパターンの下面上に他の一つの第１コイルパターンが積層された構造であることができる。この場合、複数の第１コイルパターン２１１の間に追加の絶縁層が配置されてもよいが、これに制限されるものではない。

絶縁層６００は、本体を取り囲み、後述する遮蔽層５００を本体１００及び外部電極３００、４００と電気的に分離させる。本実施例の場合、絶縁層６００は、本体１００の第１〜第６面全体に配置される。一方、本実施例の場合、本体１００の第１及び第２面に、後述する外部電極３００、４００の連結部３１０、４１０が形成されるため、本体１００の第１及び第２面にはそれぞれ、外部電極の連結部３１０、４１０、絶縁層６００、シード層ＳＬ、及び遮蔽層５００の第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４が順次配置される。

絶縁層６００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性樹脂、パラリン、ＳｉＯ_ｘ又はＳｉＮ_ｘを含むことができる。

絶縁層６００は、液状の絶縁樹脂を本体１００に塗布したり、ドライフィルム（ＤＦ）のような絶縁フィルムを本体１００に積層したり、気相蒸着により絶縁樹脂を本体１００の表面に形成したりすることによって形成されることができる。絶縁フィルムの場合には、感光性絶縁樹脂を含まないＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）又はポリイミドフィルムなどを用いても構わない。

絶縁層６００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さの範囲で形成されることができる。絶縁層６００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、Ｑ特性（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）などのコイル部品の特性が低下する可能性があり、絶縁層６００の厚さが１００μｍを超えると、コイル部品の総長さ、幅及び厚さが増加して薄型化に不利である。

外部電極３００、４００は、本体１００の一面に配置され、コイルパターン２１１、２１２と連結される。外部電極３００、４００は、第１コイルパターン２１１と連結される第１外部電極３００と、第２コイルパターン２１２と連結される第２外部電極４００と、を含む。具体的には、第１外部電極３００は、本体１００の第１面に配置され、第１コイルパターン２１１の端部と連結される第１連結部３１０と、第１連結部３１０から本体１００の第６面に延びる第１延長部３２０と、絶縁層６００を貫通して第１延長部３２０と連結される第１貫通部３３０と、を含む。第２外部電極４００は、本体１００の第２面に配置され、第２コイルパターン２１２の端部と連結される第２連結部４１０と、第２連結部４１０から本体１００の第６面に延びる第２延長部４２０と、絶縁層６００を貫通して第２延長部４２０と連結される第２貫通部４３０と、を含む。第１外部電極３００と第２外部電極４００が互いに接触しないように、第１延長部３２０と第２延長部４２０は互いに離隔し、第１貫通部３３０と第２貫通部４３０は互いに離隔する。

外部電極３００、４００は、本実施例によるコイル部品１０００がプリント回路基板などに実装されるとき、コイル部品１０００をプリント回路基板などと電気的に連結させる。一例として、本実施例によるコイル部品１０００は、本体１００の第６面がプリント回路基板の上面に向くように実装されることができる。このとき、本体１００の第６面に配置された外部電極３００、４００の貫通部３３０、４３０とプリント回路基板の接続部とが半田などを介して電気的に連結されることができる。

外部電極３００、４００は、導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に形成された導電層と、を含むことができる。導電性樹脂層は、ペースト印刷などで形成されることができ、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び銀（Ａｇ）からなる群より選択されたいずれか一つの導電性金属と熱硬化性樹脂を含むことができる。導電層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びスズ（Ｓｎ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができ、例えば、メッキにより形成されることができる。

例えば、連結部３１０、４１０と延長部３２０、４２０が同一の電解銅メッキ工程を経て一体に形成され、貫通部３３０、４３０は、絶縁層６００とカバー層７００を形成し、絶縁層６００及びカバー層７００を貫通して延長部３２０、４２０の一部を露出させた後、露出している延長部３２０、４２０に形成されることができるが、これに制限されるものではない。貫通部３３０、４３０は、一例として、延長部３２０、４２０と接触するニッケルメッキ層と、ニッケルメッキ層に形成されたスズメッキ層と、を含むことができ、他の例として、延長部３２０、４２０と接触する銅メッキ層であることができる。

シード層ＳＬは、絶縁層６００と後述する遮蔽層５００との間に形成される。本実施例の場合、後述する遮蔽層５００は、本体１００の第５面上に配置されたキャップ部５１０と、本体１００の壁面である本体１００の第１〜第４面上にそれぞれ形成された第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４と、を含むため、シード層ＳＬは本体１００の第１〜第５面上に形成される。

シード層ＳＬは、無電解メッキ又はスパッタリングなどの気相蒸着により形成されることができる。前者の場合、シード層ＳＬは、無電解銅メッキ層であればよいが、これに制限されるものではない。後者の場合、シード層ＳＬは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、及びクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一つを含むことができ、一例として、シード層ＳＬは、チタン層と、チタン層上に形成されたクロム層と、を含むことができるが、これに制限されるものではない。シード層ＳＬがチタン（Ｔｉ）及びクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一つを含む場合、シード層ＳＬは、後述する遮蔽層５００と絶縁層６００との間の接着力を向上させることができる。

図２ｃを参照すると、シード層ＳＬは、絶縁層６００に比較的均一な膜厚で形成されることができる。ここで、シード層ＳＬが比較的均一な膜厚で形成されるとは、図２ｄのシード層ＳＬと比較して、シード層ＳＬの厚さ分布が比較的一定であることを意味する。したがって、絶縁層６００の上面に粗さが形成された場合であれば、シード層ＳＬは、絶縁層６００の上面の形状に沿って均一な膜厚で形成されて、シード層ＳＬの上面には絶縁層６００の上面の粗さに対応する粗さが形成されることができる。

図２ｄ及び図２ｅを参照すると、シード層ＳＬは、少なくとも一部が絶縁層６００に浸透することができる。一例として、図２ｄに示すように、シード層ＳＬは、絶縁層６００に均一でない膜厚で形成されることができる。これは、絶縁層６００の領域ごとにシード層ＳＬの浸透度が異なるためであって、絶縁層６００とシード層ＳＬの界面に粗さが形成されたものであってもよい。他の例として、図２ｅのように、シード層ＳＬを構成する粒子が絶縁層６００に浸透して、シード層ＳＬが絶縁層６００の絶縁樹脂とシード層ＳＬの構成粒子が混在した混在層を含むものであってもよい。

図２ｃのシード層ＳＬを形成する例として、無電解メッキ又はスパッタリングなどの気相蒸着を用いることができる。図２ｄ及び図２ｅに示されたシード層ＳＬを形成する例としては、気化されたシード層形成用粒子を、追加のエネルギーで絶縁層６００の側に加速する、特定の種類の気相蒸着法を用いることができるが、これに制限されるものではない。

遮蔽層５００は、シード層ＳＬに形成されて本体１００の他面上に配置され、本実施例によるコイル部品１０００から外部に漏れる漏れ磁束を減少させることができる。

遮蔽層５００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さで形成されることができる。遮蔽層５００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、ＥＭＩシールド効果が殆どなく、遮蔽層５００の厚さが１００μｍを超えると、コイル部品の総長さ、幅、厚さが増加するため薄型化に不利である。

本実施例の場合、遮蔽層５００は、本体１００の第５面上に配置されたキャップ部５１０と、本体１００の壁面である本体１００の第１〜第４面のそれぞれ上に配置された第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４と、を含む。本実施例に適用される遮蔽層５００は、本実施例によるコイル部品１０００の実装面である本体１００の第６面を除いた本体１００のすべての表面上に配置される。

第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は一体に形成されることができる。すなわち、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は、同一の工程で形成されて、相互間の境界が明確に形成されない。例えば、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第４面にスパッタリングなどの気相蒸着を行い、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４を一体に形成することができる。他の例として、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第４面に電解メッキを行い、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４を一体に形成することができる。

キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は一体に形成されることができる。すなわち、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は、同一の工程で形成されて、相互間の境界が明確に形成されない。一例としては、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第５面にスパッタリングのような気相蒸着を行うことで一体に形成することができる。他の例として、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４は、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第５面に電解メッキを行うことで一体に形成することができる。

キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４との間の連結部のそれぞれは曲面状を有することができる。一例として、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第５面にスパッタリングのような気相蒸着により遮蔽層５００を形成する場合、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４が連結されている領域の断面（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）は曲面で形成されることができる。他の例として、シード層ＳＬが形成された本体１００の第１〜第５面に電解メッキにより遮蔽層５００を形成する場合、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４が連結されている領域の断面（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）は曲面で形成されることができる。

第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４はそれぞれ、キャップ部５１０と連結される一端と、上記一端と向かい合う他端と、を含み、本体１００の第６面から第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のうちいずれか一つの他端までの距離は、本体１００の第６面から第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のうち他の一つの他端までの距離と異なり得る。例えば、電解メッキ又は気相蒸着により遮蔽層５００を形成する場合、公差や設計上の必要に応じて側壁部のそれぞれの他端から本体１００の第６面までの距離は、互いに異なり得る。

遮蔽層５００は、導電体及び磁性体のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、導電体は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含む金属又は合金であることができ、Ｆｅ−Ｓｉ又はＦｅ−Ｎｉであることができる。また、遮蔽層５００は、フェライト、パーマロイ、非晶質リボンからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。遮蔽層５００は、一例として、銅メッキ層であることができるが、これに制限されるものではない。遮蔽層５００は、複層構造であってもよく、例えば、導電体層と導電体層に形成された磁性体層の二重層構造、第１導電体層と第１導電体層に形成された第２導電体層の二重層構造、又は複数の導電体層の構造で形成されることができる。ここで、第１及び第２導電体層は、互いに異なる導電体を含むことができるが、同一の導電体を含むこともできる。

遮蔽層５００は、互いに分離された２以上の微細構造を含むことができる。一例として、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のそれぞれをスパッタリングにより形成する場合、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のそれぞれは、結晶粒界で区別される複数の微細構造を含むことができる。

カバー層７００は、遮蔽層５００をカバーするように遮蔽層５００に配置されて絶縁層６００と接触する。すなわち、カバー層７００の内部には、絶縁層６００とともに遮蔽層５００が埋設される。本実施例の場合、カバー層７００は、本体１００の第１〜第６面上に配置され、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のそれぞれの他端をカバーして絶縁層６００と接触するように形成される。カバー層７００は、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４のそれぞれの他端をカバーすることにより、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４と外部電極３００、４００との間の電気的連結を防止する。加えて、カバー層７００は、遮蔽層５００が、外部の他の電子部品と電気的に連結されることを防止する。

カバー層７００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性絶縁樹脂、パラリン、ＳｉＯ_ｘ又はＳｉＮ_ｘのうち少なくとも一つを含むことができる。

カバー層７００は、遮蔽層５００が形成された本体１００にドライフィルム（ＤＦ）のようなカバーフィルムを積層して形成されることができる。又は、カバー層７００は、遮蔽層５００が形成された本体１００に絶縁材料を化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）などの気相蒸着により形成することで形成されることができる。

カバー層７００は、接着機能を有することができる。一例として、カバーフィルムを本体１００に積層してカバー層７００を形成する場合、カバー層７００は、遮蔽層５００と接着されるように接着成分を含むことができる。

一方、カバー層７００は、上述した外部電極３００、４００の貫通部３３０、４３０を介して絶縁層６００とともに貫通される。絶縁層６００とカバー層７００を貫通する貫通部３３０、４３０が形成される貫通孔は、フォトリソグラフィや、レーザードリル又はサンドブラストなどで形成されることができるが、これに制限されるものではない。

カバー層７００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さの範囲で形成されることができる。カバー層７００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、絶縁特性が弱く、外部電極とコイル部品との間にショート（Ｓｈｏｒｔ）が発生することがあり、カバー層７００の厚さが１００μｍを超えると、コイル部品の総長さ、幅、厚さが増加して薄型化に不利である。

絶縁層６００、遮蔽層５００、及びカバー層７００の厚さの合計は、３０ｎｍ超過１００μｍ以下であればよい。絶縁層６００、遮蔽層５００、及びカバー層７００の厚さの合計が３０ｎｍ未満の場合には、電気的ショート（ｓｈｏｒｔ）の問題、Ｑ特性（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）のようなコイル部品の特性が劣化するという問題などが発生する可能性がある。これに対し、絶縁層６００、遮蔽層５００、及びカバー層７００の厚さの合計が１００μｍを超えると、コイル部品の総長さ、幅、厚さが増加して薄型化に不利である。

一方、図１及び図２ａ〜図２ｅには示されていないが、本体１００の表面のうち外部電極３００、４００が形成されていない領域には、絶縁層６００と区別される追加の絶縁層が形成されることができる。すなわち、連結部３１０、４１０が形成されていない本体１００の第３〜第５面、及び第６面のうち延長部３２０、４２０が形成されていない領域には追加の絶縁層が形成されることができる。この場合、本実施例において、絶縁層６００は、追加の絶縁層と接触するように本体１００の表面に形成されることができる。追加の絶縁層は、外部電極３００、４００をメッキで形成するにあたり、メッキレジストとして機能したものであってよいが、これに制限されるものではない。

本発明の絶縁層６００及びカバー層７００は、コイル部品自体に配置されるものであるため、コイル部品をプリント回路基板に実装する段階で、コイル部品とプリント回路基板を成形する成形材とは区別される。したがって、本発明の絶縁層６００は、プリント回路基板と接触しない。また、絶縁層６００及びカバー層７００は、成形材とは異なり、プリント回路基板によって支持又は固定されるものではない。また、コイル部品とプリント回路基板を連結するための半田ボールなどの連結部材を取り囲む成形材とは異なり、本発明の絶縁層６００とカバー層７００は、連結部材を取り囲む形で形成されない。また、本発明の絶縁層６００は、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などを加熱してプリント回路基板上に流動させ、硬化させて形成する成形材ではないため、成形材形成時のボイド発生や、成形材とプリント回路基板との間の熱膨張係数差に起因するプリント回路基板の反り発生などを考慮する必要がない。

また、本発明において、遮蔽層５００は、コイル部品自体に配置されるため、コイル部品をプリント回路基板に実装した後、ＥＭＩなどの遮蔽のためにプリント回路基板に結合するシールド缶とは区別される。一例として、本発明の遮蔽層５００は、シールド缶とは異なり、プリント回路基板のグランド層との連結を考慮しなくてよい。他の例として、本発明の遮蔽層５００には、シールド缶をプリント回路基板に固定するための固定部材が求められない。

本実施例によるコイル部品１０００は、コイル部品自体に遮蔽層５００を形成することにより、コイル部品で発生する漏れ磁束をより効率的に遮断することができる。すなわち、電子機器の薄型化や高性能化に伴い、電子機器に含まれる電子部品の総数、及び隣接する電子部品間の距離が減少しつつあるが、遮蔽層が各コイル部品自体を遮蔽することにより、各コイル部品で発生する漏れ磁束をより効率的に遮断することができる。これは、電子機器の薄型化及び高性能化により有利である。加えて、本実施例によるコイル部品１０００は、シールド缶を用いる場合に比べて、遮蔽領域内の実効磁性体の量が増加するため、コイル部品の特性を向上させることができる。

（第２実施例）
図３は、本発明の第２実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

図１〜図３を参照すると、本実施例によるコイル部品２０００は、本発明の第１実施例によるコイル部品１０００と比較すると、キャップ部５１０が異なる。したがって、本実施例を説明するにあたり、本発明の第１実施例と異なるキャップ部５１０だけを説明する。本実施例の残りの構成には、本発明の第１実施例についての説明がそのまま適用されることができる。

図３を参照すると、キャップ部５１０は、中央部の厚さ（Ｔ_１）が外側部の厚さ（Ｔ_２）よりも厚く形成される。これを具体的に説明する。

本実施例のコイル部２００を構成する各コイルパターン２１１、２１２は、内部絶縁層ＩＬの両面においてそれぞれの内部絶縁層ＩＬの中央から内部絶縁層ＩＬの外側に複数のターンを形成し、各コイルパターン２１１、２１２は、本体１００の厚さ方向（Ｔ）に積層されてビア２２０を介して連結される。その結果、本実施例によるコイル部品２０００は、本体１００の厚さ方向（Ｔ）と直交する本体１００の長さ方向（Ｌ）−幅方向（Ｗ）平面の中央部において磁束密度が最も高い。したがって、本実施例の場合、本体１００の長さ方向（Ｌ）−幅方向（Ｗ）平面と実質的に平行な本体１００の第５面に配置されたキャップ部５１０を形成するにあたり、本体１００の長さ方向（Ｌ）−幅方向（Ｗ）平面における磁束密度分布を考慮して、キャップ部５１０の中央部の厚さ（Ｔ_１）を外側部の厚さ（Ｔ_２）よりも厚く形成する。

これにより、本実施例によるコイル部品２０００は、磁束密度分布に対応してキャップ部５１０の厚さを異ならせて形成することにより、より効率的に漏れ磁束を減少させることができる。

（第３実施例）
図４は、本発明の第３実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。また、図５は、本発明の第３実施例の変形例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

図１〜図５を参照すると、本実施例によるコイル部品３０００は、本発明の第１及び第２実施例によるコイル部品１０００、２０００と比較すると、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４が異なる。したがって、本実施例を説明するにあたり、本発明の第１及び第２実施例と異なるキャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４だけを説明する。本実施例の残りの構成には、本発明の第１又は第２実施例についての説明がそのまま適用されることができる。

図４を参照すると、キャップ部５１０の厚さＴ_３は、第１及び第２側壁部５２１、５２２の厚さＴ_４よりも厚ければよい。

上述のように、コイル部２００は、本体１００の厚さ方向（Ｔ）に磁場を発生させる。その結果、本体１００の厚さ方向（Ｔ）に漏れる磁束が、それ以外の方向に漏れる磁束よりも大きい。したがって、本体１００の厚さ方向（Ｔ）と直交する本体１００の第５面に配置されたキャップ部５１０の厚さを本体１００の壁面に配置された第１及び第２側壁部５２１、５２２の厚さよりも厚く形成することにより、漏れ磁束をより効率的に減少させることができる。

図４及び図５を参照すると、キャップ部５１０の厚さＴ_３が第１及び第２側壁部５２１、５２２の厚さＴ_４よりも厚く形成した場合、第１及び第２側壁部５２１、５２２の一端の厚さＴ_５は、第１及び第２側壁部５２１、５２２の他端の厚さよりも厚くてよい。

一例として、キャップ部５１０と第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４をメッキで形成する場合、本体１００の第５面と本体１００の第１〜第４面が連結される本体１００の角部、すなわち、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４の一端が形成される領域には、該当領域の角付けた形状により、電流密度が集中することができる。これにより、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４の一端は、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４の他端よりも比較的厚い厚さで形成することができる。他の例として、本体１００の第５面がターゲットと向かい合うように本体１００を配置した後、遮蔽層５００を形成するためのスパッタリングを行うことにより、第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４の一端は第１〜第４側壁部５２１、５２２、５２３、５２４の他端よりも比較的厚い厚さで形成することができる。但し、上述の例によって本変形例の範囲が制限されるものではない。

一方、図４及び図５はそれぞれ図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図であるため、第１及び第２側壁部５２１、５２２だけを図示しているが、これは説明の便宜且つ図面の図示上の便宜のためのものに過ぎない。すなわち、本実施例の第３及び第４側壁部５２３、５２４にも上述の第１及び第２側壁部５２１、５２２についての説明が同一に適用されることができる。

これにより、本実施例によるコイル部品３０００は、コイル部２００が形成される磁場の方向を考慮して効率的に漏れ磁束を減少させることができる。

（第４実施例）
図６ａは本発明の第４実施例によるコイル部品を概略的に示す斜視図である。また、図６ｂは図６ａのＬＴ平面に沿った断面を示す図である。

図１〜図６ｂを参照すると、本実施例によるコイル部品４０００は、本発明の第１〜第３実施例によるコイル部品１０００、２０００、３０００と比較すると、遮蔽層５００の構造が異なる。したがって、本実施例を説明するにあたり、本発明の第１〜第３実施例と異なる遮蔽層５００だけを説明する。本実施例の残りの構成には、本発明の第１〜第３実施例についての説明がそのまま適用されることができる。

具体的には、本実施例の場合、遮蔽層５００がキャップ部のみで構成される。

本発明の他の実施例で説明したように、コイル部２００は、本体１００の厚さ方向（Ｔ）において漏れ磁束が最も多く発生する。したがって、本実施例の場合、本体１００の厚さ方向（Ｔ）と直交する本体１００の第５面にのみ遮蔽層５００を形成することにより、より簡単且つ効率的に漏れ磁束を遮断することができる。

（第５実施例）
図７は、本発明の第５実施例によるコイル部品の断面を示す図であって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

図１〜図７を参照すると、本実施例によるコイル部品５０００は、本発明の第１〜第４実施例によるコイル部品１０００、２０００、３０００、４０００と比較すると、遮蔽層５００の構造が異なる。したがって、本実施例を説明するにあたり、本発明の第１〜第４実施例と異なる遮蔽層５００だけを説明する。本実施例の残りの構成には、本発明の第１〜第４実施例についての説明がそのまま適用されることができる。

図７を参照すると、本実施例に適用される遮蔽層５００は、中間絶縁層ＭＬがその間に介在する二重層の構造で形成される。

本実施例の場合には、遮蔽層５００が二重層構造で形成されるため、比較的本体１００と近接して配置された第１遮蔽層５００を透過した漏れ磁束が、比較的本体１００と離隔して配置された第２遮蔽層５００で遮蔽されることができる。したがって、本実施例によるコイル部品５０００は、漏れ磁束をより効率的に遮断することができる。加えて、中間絶縁層ＭＬは、第２遮蔽層５００で反射されたノイズの導波管（ｗａｖｅ ｇｕｉｄｅ）として機能することができる。

中間絶縁層ＭＬの材料や形成方法などには、本発明の第１〜第４実施例についての絶縁層６００の説明がそのまま適用されることができる。

（変形例）
図８ａ〜図１０は、本発明の第１から第３の変形例を概略的に示す図である。具体的には、図８ａは、第１変形例によるコイル部品の斜視図であり、図８ｂは、図８ａのＬＴ平面に沿った断面を示す図であり、図８ｃは、図８ａのＷＴ平面に沿った断面を示す図である。図９ａは、第２変形例によるコイル部品の斜視図であり、図９ｂは、図９ａのＬＴ平面に沿った断面を示す図であり、図９ｃは、図９ａのＷＴ平面に沿った断面を示す図である。図１０は、第３変形例によるコイル部品の断面を示すものであって、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

図８ａ〜図１０を参照すると、本発明によるコイル部品は、外部電極３００、４００の形状が変更された様々な第１〜第３変形例１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃを有することができる。

具体的には、図８ａ〜図８ｃを参照すると、本発明の第１変形例によるコイル部品１０００Ａは、外部電極３００、４００が、連結部３１０、４１０から延びて本体１００の第５面に延長されたバンド部３４０、４４０をさらに含む。例えば、第１外部電極３００は、第１連結部３１０から延びて本体１００の第５面に延長された第１バンド部３４０をさらに含む。すなわち、本変形例の場合、外部電極３００、４００は、「コ」状又は逆「コ」状の電極で形成される。

図９ａ〜図９ｃを参照すると、本発明の第２変形例によるコイル部品１０００Ｂは、外部電極３００、４００が連結部３１０、４１０から延びて本体１００の第３〜第５面のそれぞれに延長されたバンド部３４０、４４０を含む。例えば、第１外部電極３００は、第１連結部３１０から延びて本体１００の第３〜第５面のそれぞれに配置された第１バンド部３４０をさらに含む。すなわち、本変形例の場合、外部電極３００、４００は、５面電極で形成される。

図１０を参照すると、本発明の第３変形例によるコイル部品１０００Ｃは、外部電極３００、４００の連結部３１０、４１０が本体１００の第６面に形成される。この場合、第１コイルパターン２１１及び第２コイルパターン２１２の各端部は、本体１００の第１及び第２面に露出するのではなく、本体１００の第６面にそれぞれ露出して、外部電極３００、４００の連結部３１０、４１０と連結される。第２コイルパターン２１２の端部は、内部絶縁層ＩＬと本体１００を貫通して本体１００の第６面に露出することができる。

図１１は本発明の第４変形例を概略的に示した図である。

図１１を参照すると、本発明によるコイル部品は、コイル部の形状が変更された第４変形例１０００Ｄを有することができる。

具体的には、図１１を参照すると、本変形例によるコイル部２００は、複数のコイルパターン２１１、２１２、２１３が本体１００の厚さ方向（Ｔ）に沿って積層された構造で形成される。ここで、複数のコイルパターン２１１、２１２、２１３は、本体の厚さ方向（Ｔ）に形成された連結ビア（図示せず）を介して連結されて一つのコイル部２００を構成する。

本変形例は、本発明の第１実施例の内部絶縁層（図２ａのＩＬ）と絶縁膜（図２ａのＩＦ）を含んでいない。

本変形例において、本体１００は、コイル部２００を形成する導電性ペーストが塗布された磁性複合シートを複数個積層して形成することができる。このとき、本体を構成する磁性複合シートの少なくとも一部には、連結ビアを形成するためのビアホールが加工されていることができる。ビアホールは、コイル部と同様に導電性ペーストを塗布することで形成されることができる。

一方、図示されていないが、本発明の変形例には、本体の第６面に垂直に形成された各コイルパターンが本体の長さ方向又は幅方向に順次積層されて形成されたコイル部を有するコイル部品も含まれる。

また、本発明の変形例１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ、１０００Ｄは、図８ａ〜図１１を図示するにあたり、本発明の第１実施例に基づいて図示したが、本発明の第２から第５実施例も、上述した変形例と同様に適用されることができる。

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１００ 本体
１１０ コア
２００ コイル部
２１１、２１２、２１３ コイルパターン
２２０ ビア
３００、４００ 外部電極
３１０、４１０ 連結部
３２０、４２０ 延長部
３３０、４３０ 貫通部
３４０、４４０ バンド部
５００ 遮蔽層
５１０ キャップ部
５２１ 第１側壁部
５２２ 第２側壁部
５２３ 第３側壁部
５２４ 第４側壁部
６００ 絶縁層
７００ カバー層
ＳＬ シード層
ＩＬ 内部絶縁層
ＩＦ 絶縁膜
ＭＬ 中間絶縁層
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ、１０００Ｄ コイル部品

Claims (19)

1. 一方向に沿って互いに向かい合う一面と他面を有する本体と、
   前記本体に埋設されたコイルパターンを含み、前記一方向を軸に、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成するコイル部と、
   前記本体を取り囲む絶縁層と、
   前記コイル部と連結され、前記絶縁層を貫通して前記本体の一面に配置された外部電極と、
   前記絶縁層に形成され、前記本体の他面上に配置された遮蔽層と、
   前記絶縁層と前記遮蔽層との間に形成されたシード層と、
   を含む、コイル部品。
2. 前記シード層の少なくとも一部は、前記絶縁層の内部に浸透される、請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記シード層は、
   前記シード層を構成する材料の粒子が前記絶縁層に浸透された混在層を含む、請求項２に記載のコイル部品。
4. 前記遮蔽層の厚さは、
   前記本体の他面外側部よりも前記本体の他面中央部においてさらに厚い、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。
5. 前記遮蔽層は、導電体及び磁性体のうち少なくとも一つを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。
6. 前記遮蔽層をカバーするカバー層をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のコイル部品。
7. 前記遮蔽層は、
   前記本体の他面上に配置されたキャップ部と、
   前記キャップ部と連結され、前記本体の一面と前記本体の他面とを連結する前記本体の壁面上に配置された側壁部と、
   を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のコイル部品。
8. 前記キャップ部の厚さは、側壁部の厚さよりも厚い、請求項７に記載のコイル部品。
9. 前記キャップ部と連結される前記側壁部一端の厚さは、前記側壁部他端の厚さよりも厚い、請求項７または８に記載のコイル部品。
10. 前記遮蔽層をカバーするように、前記側壁部及び前記キャップ部に配置されるカバー層をさらに含む、請求項７から９のいずれか一項に記載のコイル部品。
11. 前記カバー層は、前記本体の一面上に延長形成され、
    前記外部電極は、前記カバー層及び前記絶縁層を貫通する、請求項１０に記載のコイル部品。
12. 前記本体の壁面は複数で形成され、
    前記側壁部は、前記本体の複数の壁面のそれぞれ上に配置される、請求項７から１１のいずれか一項に記載のコイル部品。
13. 複数の側壁部と前記キャップ部は一体に形成される、請求項１２に記載のコイル部品。
14. 前記外部電極は、
    前記本体の壁面に配置され、前記コイル部と連結される連結部と、
    前記連結部から前記本体の一面に延長形成される延長部と、
    前記絶縁層を貫通して前記延長部と連結される貫通部と、を含み、
    前記絶縁層は、前記連結部及び前記延長部をカバーする、請求項７から１３のいずれか一項に記載のコイル部品。
15. 前記連結部及び前記延長部はそれぞれ銅を含む、請求項１４に記載のコイル部品。
16. 前記貫通部は、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、及びニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１５に記載のコイル部品。
17. 前記シード層は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載のコイル部品。
18. 前記遮蔽層は銅（Ｃｕ）を含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載のコイル部品。
19. 一方向に沿って互いに向かい合う一面及び他面、ならびに前記一面と前記他面を連結する壁面を有する本体と、
    前記本体に埋設され、前記一方向に積層されたコイルパターン及び内部絶縁層を含むコイル部と、
    前記本体の一面に互いに離隔して配置され、前記コイル部にそれぞれ連結される第１及び第２外部電極と、
    前記本体ならびに前記第１及び第２外部電極をカバーする外部絶縁層と、
    前記外部絶縁層に形成され、前記本体の他面上に配置されたキャップ部、及び前記本体の壁上に配置された側壁部を含む遮蔽層と、
    前記外部絶縁層と前記遮蔽層との間に形成され、少なくとも一部が前記外部絶縁層に浸透されたシード層と、
    前記本体の一面に形成された前記外部絶縁層を貫通して前記外部電極と連結される貫通電極と、を含む、コイル部品。