KR101580411B1 - 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 41
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003669 anti-smudge Effects 0.000 claims description 2
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
- H01F27/255—Magnetic cores made from particles
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
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- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
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Abstract
본 발명은 금속 자성체 분말과 열경화성 수지를 포함하는 자성체 본체; 상기 자성체 본체 내부에 매설된 내부 코일부; 및 상기 자성체 본체의 표면에 코팅된 표면 보호층;을 포함하는 칩 전자부품을 제공한다.
상기 표면 보호층은 외부전극 형성 시 칩 전자부품의 표면에서 발생하는 도금 번짐을 방지할 수 있다.
상기 표면 보호층은 외부전극 형성 시 칩 전자부품의 표면에서 발생하는 도금 번짐을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판에 관한 것이다.
칩 전자부품 중 하나인 인덕터(inductor)는 저항, 커패시터와 더불어 전자회로를 이루어 노이즈(Noise)를 제거하는 대표적인 수동소자이다.
박막형 인덕터는 도금으로 내부 코일부를 형성한 후, 자성체 분말 및 수지를 혼합시킨 자성체 분말-수지 복합체를 경화하여 자성체 본체를 제조하고, 자성체 본체의 외측에 외부전극을 형성하여 제조한다.
본 발명은 외부전극 형성 시 칩 전자부품의 표면에서 발생하는 도금 번짐을 개선한 칩 전자부품에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 금속 자성체 분말을 포함하는 자성체 본체; 상기 자성체 본체 내부에 매설된 내부 코일부; 및 상기 자성체 본체의 표면에 코팅되어 도금 번짐 방지층의 역할을 하는 표면 보호층;을 포함하는 칩 전자부품을 제공한다.
본 발명에 따르면, 외부전극 형성 시 칩 전자부품의 표면에서 발생하는 도금 번짐을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 내부 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 의한 단면도이다.
도 4는 도 1의 'A'부분을 확대 관찰한 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)사진이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 LT 방향의 단면도이다.
도 6은 도 1의 칩 전자부품이 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 의한 단면도이다.
도 4는 도 1의 'A'부분을 확대 관찰한 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)사진이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 LT 방향의 단면도이다.
도 6은 도 1의 칩 전자부품이 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
칩 전자부품
이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품을 설명하되, 특히 박막형 인덕터로 설명하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 칩 전자부품에 따른 내부 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 1을 참조하면, 칩 전자부품의 일 예로써 전원 공급 회로의 전원 라인에 사용되는 박막형 인덕터(100)가 개시된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품(100)은 자성체 본체(50), 상기 자성체 본체(50)의 내부에 매설된 내부 코일부(42, 44), 상기 자성체 본체(50)의 표면에 코팅된 표면 보호층(60) 및 상기 자성체 본체(50)의 외측에 배치되어 상기 내부 코일부(42, 44)와 전기적으로 연결된 외부전극(80)을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품(100)에 있어서, '길이' 방향은 도 1의 'L' 방향, '폭' 방향은 'W' 방향, '두께' 방향은 'T' 방향으로 정의하기로 한다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이며, 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선에 의한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 자성체 본체(50)는 금속 자성체 분말(51, 52)을 포함한다.
상기 금속 자성체 분말(51, 52)은 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 예를 들어, Fe-Si-B-Cr계 비정질 금속 일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 자성체 본체(50)는 열경화성 수지를 더 포함하며, 상기 금속 자성체 분말(51, 52)은 에폭시(epoxy) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 열경화성 수지에 분산된 형태로 포함될 수 있다.
상기 자성체 본체(50)에 포함되는 금속 자성체 분말의 충진율을 향상시키기 위하여 입도가 서로 다른 2종 이상의 금속 자성체 분말(51, 52)을 일정 비율로 혼합하여 제조할 수 있다.
정해진 단위 부피에서 높은 인덕턴스를 얻기 위해서 투자율이 높은 입도가 큰 금속 자성체 분말을 사용하며, 상기 입도가 큰 금속 자성체 분말과 함께 입도가 작은 금속 자성체 분말을 혼합함으로써 충진율을 향상시켜 고투자율을 확보할 수 있고, 고주파수 및 고전류에서의 자성 손실(Core Loss)에 따른 효율 저하를 방지할 수 있다.
그러나, 이와 같이 입도가 큰 금속 자성체 분말과 입도가 작은 금속 자성체 분말을 혼합하는 경우, 자성체 본체의 표면 조도가 커지게 된다. 특히, 개별 칩 사이즈로 절단된 자성체 본체를 연마하는 과정에서 자성체 본체의 표면에 입도가 큰 금속 자성체 분말이 돌출되고, 돌출된 부위의 절연 코팅층이 박리된다.
이에 따라, 외부전극의 도금층 형성 시 절연 코팅층이 박리된 금속 자성체 분말 상에 도금층이 형성되는 도금 번짐 불량이 발생되는 문제가 있다.
이에, 본 발명의 일 실시형태는 자성체 본체(50)의 표면에 표면 보호층(60)을 형성하여 상술한 문제를 해결하였다. 상기 표면 보호층(60)은 자성체 본체의 표면에 돌출된 금속 자성체 분말을 커버(cover)하여 도금 번짐 방지층의 역할을 한다.
상기 표면 보호층과 도금 번짐 방지층은 동일한 구성요소로서, 이하에서는, 표면 보호층으로 통일하여 설명한다.
상기 표면 보호층(60)은 상기 자성체 본체(50)에 포함된 열경화성 수지와 동일한 열경화성 수지를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 자성체 본체(50)는 에폭시 수지에 금속 자성체 분말(51, 52)이 분산된 형태일 수 있으며, 상기 표면 보호층(60)은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 표면 보호층(60)을 상기 자성체 본체(50)에 포함된 열경화성 수지와 동일한 열경화성 수지로 형성함으로써 표면 보호층(60)의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 후공정의 그라인딩(grinding) 시에도 외부 충격에 의한 표면 보호층(60)의 파괴를 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 표면 보호층(60)에 대한 구체적인 설명은 후술하도록 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 자성체 본체(50)는 제 1 금속 자성체 분말(51)과, 상기 제 1 금속 자성체 분말(51)보다 D50이 작은 제 2 금속 자성체 분말(52)이 혼합되어 포함된다.
D50이 큰 제 1 금속 자성체 분말(51)은 고투자율을 구현하며, D50이 큰 제 1 금속 자성체 분말(51)과 D50이 작은 제 2 금속 자성체 분말(52)을 함께 혼합함으로써 충진율을 향상시켜 투자율을 더욱 향상시키고, Q 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 제 1 금속 자성체 분말(51)은 D50이 18㎛ 내지 22㎛일 수 있고, 상기 제 2 금속 자성체 분말(52)은 D50이 2㎛ 내지 4㎛일 수 있다.
상기 D50은 레이저 회절 산란법을 이용한 입자 지름, 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정된다.
상기 제 1 금속 자성체 분말(51) 및 제 2 금속 자성체 분말(52) 각각의 입경은, 상기 제 1 금속 자성체 분말(51)은 11㎛ 내지 53㎛일 수 있고, 상기 제 2 금속 자성체 분말(52)은 0.5㎛ 내지 6㎛일 수 있다.
상기 자성체 본체(50)는 평균 입경이 큰 제 1 금속 자성체 분말(51)과, 상기 제 1 금속 자성체 분말(51)보다 평균 입경이 작은 제 2 금속 자성체 분말(52)이 혼합되어 포함된다.
상기 자성체 본체(50)의 내부에 배치된 절연 기판(20)의 일면에는 코일 형상의 패턴을 가지는 내부 코일부(42)가 형성되며, 상기 절연 기판(20)의 반대 면에도 코일 형상의 패턴을 가지는 내부 코일부(44)가 형성된다.
상기 절연 기판(20)은 예를 들어, 폴리프로필렌글리콜(PPG) 기판, 페라이트 기판 또는 금속계 연자성 기판 등으로 형성된다.
상기 절연 기판(20)의 중앙부는 관통되어 홀을 형성하고, 상기 홀은 금속 자성체 분말로 충진되어 코어부(55)를 형성한다. 금속 자성체 분말로 충진되는 코어부(55)를 형성함에 따라 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.
상기 내부 코일부(42, 44)는 스파이럴(spiral) 형상으로 코일 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 절연 기판(20)의 일면과 반대 면에 형성되는 내부 코일부(42, 44)는 상기 절연 기판(20)에 형성되는 비아(46)를 통해 전기적으로 접속된다.
상기 내부 코일부(42, 44) 및 비아(46)는 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
상기 절연 기판(20)의 일면에 형성되는 내부 코일부(42)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이(L) 방향의 일 단면으로 노출될 수 있으며, 절연 기판(20)의 반대 면에 형성되는 내부 코일부(44)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이(L) 방향의 타 단면으로 노출될 수 있다.
상기 자성체 본체(50)의 길이(L) 방향의 양 단면으로 노출되는 상기 내부 코일부(42, 44)와 접속하도록 길이(L) 방향의 양 단면에는 외부전극(80)이 형성된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 내부 코일부(42, 44)의 단부와 외부전극(80)이 접속하도록 상기 내부 코일부(42, 44)의 단부 부분의 표면 보호층(60)은 연마하여 제거할 수 있다.
상기 외부전극(80)은 전도성 수지층(81)과, 상기 전도성 수지층(81) 상에 형성된 도금층(82)을 포함할 수 있다.
상기 전도성 수지층(81)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 은(Ag)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 도전성 금속과 열경화성 수지를 포함할 수 있다.
상기 전도성 수지층(81)에 포함된 열경화성 수지와 상기 표면 보호층(60)에 포함된 열경화성 수지는 동일한 열경화성 수지일 수 있으며, 예를 들어, 상기 표면 보호층(60)과 전도성 수지층(81)은 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 자성체 본체(50), 표면 보호층(60) 및 전도성 수지층(81)에 포함되는 열경화성 수지를 동일한 열경화성 수지, 예를 들어, 모두 에폭시 수지로 형성함으로써 자성체 본체(50)와 외부전극(80)의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
상기 도금층(82)은 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni)층과 주석(Sn)층이 순차로 형성될 수 있다.
상기 도금층(82)을 형성하는 도금 공정 시 자성체 본체(50)의 표면에 노출된 조분의 금속 자성체 분말 상에 도금층이 형성되는 도금 번짐 불량이 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시형태는 자성체 본체(50)의 표면에 상기 표면 보호층(60)을 형성하여 조분의 금속 자성체 분말에 의한 도금 번짐 현상을 개선할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 표면 보호층(60)은 자성체 본체(50)의 두께(T) 방향으로 서로 마주보는 상면 및 하면, 폭(W) 방향으로 서로 마주보는 양 측면, 길이(L) 방향으로 서로 마주보는 양 단면에 형성될 수 있다.
이때, 상기 내부 코일부(42, 44)의 단부와 외부전극(80)이 접속하도록 상기 내부 코일부(42, 44)의 단부 부분의 표면 보호층(60)은 연마하여 제거될 수 있다.
상기 표면 보호층(60)은 열경화성 수지를 포함할 수 있으며, 상기 표면 보호층(60)의 열경화성 수지의 함량은 97중량% 이상일 수 있다.
상기 열경화성 수지는 예를 들어, 에폭시 수지일 수 있다.
상기 에폭시 수지는 이종 재료 간의 접착력이 뛰어나 흡착 사이트가 거의 존재하지 않는 조분인 금속 자성체 분말 상에도 효과적으로 형성될 수 있으며, 균일한 표면 보호층(60)을 형성할 수 있다.
또한, 표면 보호층(60)을 자성체 본체(50)에 포함된 열경화성 수지와 동일한 열경화성 수지인 에폭시 수지로 형성함으로써 표면 보호층(60)의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 나아가, 에폭시 수지를 포함하는 전도성 수지층(81)과의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
상기 표면 보호층(60)에 절연성 부여의 목적으로 사용되는 절연 필러(filler)를 더 포함할 수 있다.
상기 절연 필러(filler)는 실리카(SiO2), 이산화티타늄(TiO2), 알루미나, 유리 및 티탄산바륨계 파우더로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.
상기 절연 필러(fiiler)는 치밀도를 향상시키기 위해서 구형 또는 프레이크(flake) 등의 형상을 가질 수 있다.
상기 표면 보호층(60)은 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 상기 절연 필러(filler)를 100 중량부 이하로 포함할 수 있다.
상기 표면 보호층(60)은 두께 편차가 2㎛ 이하일 수 있다.
상기 자성체 본체(50)의 표면 중 미분인 금속 자성체 분말과 열경화성 수지가 위치한 부분뿐만 아니라 노출된 조분인 금속 자성체 분말 상에도 균일하게 표면 보호층(60)이 형성됨으로써 상기 표면 보호층(60)의 두께 편차가 2㎛ 이하를 만족할 수 있다.
상기 표면 보호층(60)의 두께 편차가 2㎛를 초과할 경우 조분인 금속 자성체 분말은 노출되어 도금 번짐이 발생할 수 있다.
상기 표면 보호층(60)의 평균 두께는 0.1㎛ 내지 50㎛일 수 있다.
상기 표면 보호층(60)의 평균 두께가 0.1㎛ 미만일 경우 금속 자성체 분말이 노출되어 도금 번짐이 발생할 수 있으며, 평균 두께가 50㎛를 초과할 경우 그만큼 자성체 본체의 체적이 감소하기 때문에 인덕턴스의 저하가 크게 발생할 수 있다.
도 4는 도 1의 'A'부분을 확대 관찰한 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)사진이다.
도 4를 참조하면, 자성체 본체(50)의 표면에 표면 보호층(60)이 형성되었다.본 발명의 일 실시형태에 따른 표면 보호층(60)은 조분인 제 1 금속 자성체 분말(51) 상에도 균일하게 형성되었으며, 따라서, 도금 번짐 불량을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 LT 방향의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 표면 보호층(60)은 자성체 본체(50)의 두께(T) 방향으로 서로 마주보는 상면 및 하면에만 형성될 수 있다.
조분인 금속 자성체 분말이 노출되어 발생하는 도금 번짐 불량은 자성체 본체의 전면에서 발생할 수 있으나, 자성체 본체의 상면 및 하면에서 주로 발생할 수 있다.
따라서, 상기 도금 번짐 방지를 위한 표면 보호층(60)은 자성체 본체(50)의 상면 및 하면에 형성될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니고, 자성체 본체(50)의 적어도 일면에 형성될 수 있다.
상기 자성체 본체(50)의 적어도 일면에 형성된 표면 보호층(60)은 상기 자성체 본체(50)에 포함된 열경화성 수지와 동일한 열경화성 수지를 포함할 수 있다.
상기 표면 보호층(60)은 자성체 본체의 표면에 돌출된 금속 자성체 분말을 커버(cover)하여 도금 번짐 방지층의 역할을 한다.
칩 전자부품의 실장 기판
도 7은 도 1의 칩 전자부품이 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품(100)의 실장 기판(1000)은 칩 전자부품(100)이 수평하도록 실장되는 인쇄회로기판(210)과, 인쇄회로기판(210)의 상면에 서로 이격되게 형성된 제 1 및 제 2 전극 패드(221, 222)를 포함한다.
이때, 상기 칩 전자부품(100)의 양 단면에 형성된 외부전극(80)이 각각 제 1 및 제 2 전극 패드(221, 222) 위에 접촉되게 위치한 상태에서 솔더링(230)에 의해 인쇄회로기판(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기의 설명을 제외하고 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 특징과 중복되는 설명은 여기서는 생략하도록 한다.
본 발명은 실시 형태에 의해 한정되는 것이 아니며, 당 기술분야의 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환 및 변형이 가능하고 동일하거나 균등한 사상을 나타내는 것이라면, 본 실시예에 설명되지 않았더라도 본 발명의 범위 내로 해석되어야 할 것이고, 본 발명의 실시형태에 기재되었지만 청구범위에 기재되지 않은 구성 요소는 본 발명의 필수 구성요소로서 한정해석되지 아니한다.
100 : 칩 전자부품 1000 : 실장 기판
20 : 절연 기판 210 : 인쇄회로기판
42, 44 : 내부 코일부 221, 222 : 제 1 및 제 2 전극 패드
46 : 비아 230 : 솔더링
50 : 자성체 본체
51, 52 : 제 1 및 제 2 금속 자성체 분말
55 : 코어부
60 : 표면 보호층
80 : 외부전극
81 : 전도성 수지층
82 : 도금층
20 : 절연 기판 210 : 인쇄회로기판
42, 44 : 내부 코일부 221, 222 : 제 1 및 제 2 전극 패드
46 : 비아 230 : 솔더링
50 : 자성체 본체
51, 52 : 제 1 및 제 2 금속 자성체 분말
55 : 코어부
60 : 표면 보호층
80 : 외부전극
81 : 전도성 수지층
82 : 도금층
Claims (16)
- 금속 자성체 분말을 포함하는 자성체 본체;
상기 자성체 본체 내부에 매설되며, 상기 자성체 본체의 길이 방향 단면으로 노출된 내부 코일부;
상기 자성체 본체의 표면에 코팅된 표면 보호층; 및
상기 자성체 본체의 외측에 배치되되, 상기 내부 코일부와 연결된 외부전극;
을 포함하며, 상기 표면 보호층은 상기 자성체 본체의 폭 방향으로 서로 마주보는 측면과 두께 방향으로 서로 마주보는 상면 및 하면에 형성되고, 상기 외부전극은 상기 자성체 본체의 길이 방향으로 서로 마주보는 단면 중 적어도 일부와 접촉하는 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 자성체 본체는 열경화성 수지를 더 포함하며,
상기 표면 보호층은 상기 자성체 본체에 포함된 열경화성 수지와 동일한 열경화성 수지를 포함하는 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 표면 보호층은 에폭시 수지를 포함하는 칩 전자부품.
- 제 3항에 있어서,
상기 표면 보호층은 에폭시 수지의 함량이 97중량% 이상인 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 표면 보호층의 평균 두께는 0.1㎛ 내지 50㎛인 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 표면 보호층의 두께 편차는 2㎛ 이하인 칩 전자부품.
- 제 2항에 있어서,
상기 표면 보호층은 절연 필러(filler)를 더 포함하는 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 자성체 본체는 제 1 금속 자성체 분말 및 상기 제 1 금속 자성체 분말보다 D50이 작은 제 2 금속 자성체 분말을 포함하며,
상기 제 1 금속 자성체 분말은 D50이 18㎛ 내지 22㎛이고, 상기 제 2 금속 자성체 분말은 D50이 2㎛ 내지 4㎛인 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 자성체 본체는 제 1 금속 자성체 분말 및 상기 제 1 금속 자성체 분말보다 평균 입경이 작은 제 2 금속 자성체 분말을 포함하며,
상기 제 1 금속 자성체 분말은 입경이 11㎛ 내지 53㎛이고, 상기 제 2 금속 자성체 분말은 입경이 0.5㎛ 내지 6㎛인 칩 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 내부 코일부의 단부와 연결되도록 상기 자성체 본체의 외측에 배치된 외부전극;을 더 포함하며,
상기 외부전극은 전도성 수지층과, 상기 전도성 수지층 상에 형성된 도금층을 포함하는 칩 전자부품.
- 제 10항에 있어서,
상기 전도성 수지층은 도전성 금속 및 열경화성 수지를 포함하는 칩 전자부품.
- 제 10항에 있어서,
상기 도금층은 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 칩 전자부품.
- 금속 자성체 분말과 열경화성 수지를 포함하는 자성체 본체;
상기 자성체 본체 내부에 매설되며, 상기 자성체 본체의 길이 방향 단면으로 노출된 내부 코일부;
상기 자성체 본체의 적어도 일면에 배치된 도금 번짐 방지층; 및
상기 자성체 본체의 외측에 배치되되, 상기 내부 코일부와 연결된 외부전극;을 포함하며,
상기 도금 번짐 방지층은 열경화성 수지를 97중량% 이상 포함하고, 상기 도금 번짐 방지층은 상기 자성체 본체의 폭 방향으로 서로 마주보는 측면과 두께 방향으로 서로 마주보는 상면 및 하면에 형성되고, 상기 외부전극은 상기 자성체 본체의 길이 방향으로 서로 마주보는 단면 중 적어도 일부와 접촉하는 칩 전자부품.
- 제 13항에 있어서,
상기 도금 번짐 방지층에 포함된 열경화성 수지는 상기 자성체 본체에 포함된 열경화성 수지와 동일한 칩 전자부품.
- 제 13항에 있어서,
상기 도금 번짐 방지층에 포함된 열경화성 수지는 에폭시 수지인 칩 전자부품.
- 상부에 제 1 및 제 2 전극 패드를 갖는 인쇄회로기판; 및
상기 인쇄회로기판 위에 설치된 제 1항의 칩 전자부품;을 포함하는 칩 전자부품의 실장 기판.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020140126206A KR101580411B1 (ko) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판 |
US14/686,651 US9583251B2 (en) | 2014-09-22 | 2015-04-14 | Chip electronic component and board having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020140126206A KR101580411B1 (ko) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101580411B1 true KR101580411B1 (ko) | 2015-12-23 |
Family
ID=55082658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140126206A KR101580411B1 (ko) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판 |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US9583251B2 (ko) |
KR (1) | KR101580411B1 (ko) |
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KR102511867B1 (ko) | 2017-12-26 | 2023-03-20 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 |
KR20190077935A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 |
KR20190123849A (ko) * | 2018-04-25 | 2019-11-04 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자부품 |
KR20190123960A (ko) * | 2018-04-25 | 2019-11-04 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
US11398343B2 (en) | 2018-04-25 | 2022-07-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil component |
KR102064070B1 (ko) * | 2018-04-25 | 2020-01-08 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR102064068B1 (ko) | 2018-04-25 | 2020-01-08 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자부품 |
KR102632345B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2024-02-02 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR20200025048A (ko) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
US11869698B2 (en) | 2019-08-20 | 2024-01-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil component |
KR102248520B1 (ko) * | 2019-08-20 | 2021-05-06 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR20210022363A (ko) * | 2019-08-20 | 2021-03-03 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
US11688546B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-06-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil component |
KR102333080B1 (ko) * | 2019-12-24 | 2021-12-01 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR20210081667A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
US11721468B2 (en) | 2019-12-30 | 2023-08-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil component |
KR20210085365A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR102335428B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2021-12-06 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR20220084254A (ko) * | 2020-05-08 | 2022-06-21 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
KR102632346B1 (ko) | 2020-05-08 | 2024-02-02 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9583251B2 (en) | 2017-02-28 |
US20160086714A1 (en) | 2016-03-24 |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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