CN110739116B - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有底表面和顶表面以及多个壁；线圈部，埋设在主体中，并且具有第一引出部和第二引出部；第一外电极和第二外电极，设置在主体的底表面上并且彼此间隔开；过孔电极，穿入主体，并且使第一引出部和第二引出部分别连接到第一外电极和第二外电极；第三外电极，包括设置在主体的底表面上的焊盘部，以及延伸到主体的所述多个壁的部分的连接部，第三外电极与第一外电极和第二外电极间隔开；屏蔽层，包括设置在主体的顶表面上的盖部以及分别设置在所述多个壁上的侧壁部，屏蔽层连接到第三外电极；以及绝缘层，设置在屏蔽层与主体之间以及第一外电极、第二外电极和第三外电极与主体之间。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年7月20日在韩国知识产权局提交的第 10-2018-0084646号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器是线圈组件并且是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的代表性无源电子组件。
由于电子装置被设计为具有较高性能并且尺寸减小，因此用在电子装置中的电子组件数量增多并且尺寸减小。
因此，对去除电子组件中诸如电磁干扰(EMI)的造成噪声的因素的需求已逐渐提高。
目前使用的EMI屏蔽技术是：在电子组件安装在基板上之后，用屏蔽罩包封电子组件和基板。
发明内容
本公开的一方面提供一种能够减小漏磁通的线圈组件。
本公开的另一方面提供一种在减小漏磁通的同时具有减小的尺寸和厚度的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面，以及多个壁，每个壁将所述主体的所述一个表面连接到所述另一表面；线圈部，埋设在所述主体中，并且具有第一引出部和第二引出部；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个表面上并且彼此间隔开；过孔电极，穿入所述主体，并且使所述第一引出部与所述第一外电极彼此连接和/或使所述第二引出部和所述第二外电极彼此连接；第三外电极，包括设置在所述主体的所述一个表面上的焊盘部，以及延伸到所述主体的所述多个壁的部分的连接部，并且所述第三外电极与所述第一外电极和第二外电极间隔开；屏蔽层，包括设置在所述主体的所述另一表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁上的侧壁部，并且所述屏蔽层连接到所述第三外电极；以及绝缘层，设置在所述屏蔽层与所述主体之间以及在所述第一外电极与所述主体之间、所述第二外电极与所述主体之间和所述第三外电极与所述主体之间。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，包括绝缘树脂以及分散在所述绝缘树脂中的磁性金属粉末；内绝缘层，埋设在所述主体中；线圈部，包括设置在所述内绝缘层的一个表面上并且埋设在所述主体中的引出部，所述内绝缘层的所述一个表面与所述主体的下表面相对；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述下表面上并且彼此间隔开；过孔电极，穿入所述主体并且延伸到所述引出部中，以连接所述引出部与所述第一外电极和/ 或连接所述引出部与所述第二外电极；屏蔽层，形成在所述主体上，并且包括延伸到所述主体的下表面的焊盘部；以及绝缘层，设置在所述主体与所述第一外电极之间、所述主体与所述第二外电极之间以及所述主体与所述屏蔽层之间。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的示意图；
图2是示出线圈组件的省略图1中示出的一些元件的示图；
图3是示出从下部方向观察图2中示出的线圈组件的示图；
图4是示出线圈部的分解图；
图5是沿图1中的线I-I’截取的截面图；
图6是沿图1中的线II-II’截取的截面图；
图7是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的示意图；
图8是示出线圈组件的省略图7中示出的一些元件的示图；
图9是示出从下部方向观察图8中示出的线圈组件的示图；
图10沿图7中的线III-III’截取的截面图；
图11是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1 中的线I-I’截取的截面相对应的截面图；
图12是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1 的线I-I’截取的截面相对应的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
示例性实施例中使用的术语仅用于描述示例性实施例，而非意图限制本公开。除非另外指出，否则单数形式包括复数形式。说明书的术语“包含”、“包括”和“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合，但是不排除组合或添加一个或更多个特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件位于物体之上或物体之下，并不一定意味着元件参照重力方向位于物体之上。
术语“连接到”、“结合到”等不仅可指示彼此直接且物理接触的元件，而是还可包括其它元件介于元件之间使得元件还与其它元件接触的构造。
为了便于描述，附图中示出的元件的尺寸和厚度指示为示例，并且本公开中的示例性实施例不限于此。
在附图中，L方向是第一方向或者长度方向，W方向是第二方向或者宽度方向，T方向是第三方向或者厚度方向。
在参照附图描述的描述中，相同的元件或者彼此相对应的元件将使用相同的附图标记描述，并且将不重复描述重复的说明。
在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且各种类型的线圈组件可用在电子组件之间以去除噪声或用于其它目的。
换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频电感器、普通磁珠、高频磁珠、共模滤波器等。
第一实施例
图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的示意图。图2是示出线圈组件的省略图1中示出的一些元件的示图。图3是示出从下部方向观察图2中示出的线圈组件的示图。图4是示出线圈组件的分解图。图5是沿图1中的线I-I’截取的截面图。图6是沿图1中的线II-II’截取的截面图。关于图2，图2示出了图1中示出的线圈组件省略屏蔽层和覆盖层的示图。
参照图1至图6，根据示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、内绝缘层IL、线圈部200、第一外电极300、第二外电极400和第三外电极 500、第一过孔电极610和第二过孔电极620、绝缘层700以及屏蔽层800，并且还可包括覆盖层900。
主体100可形成线圈组件1000的外观，并且可将线圈部200埋设在主体 100中。
主体100可具有六面体形状。
参照图1至图2，主体100可包括在长度方向L上彼此相对的第一表面 101和第二表面102、在宽度方向W上彼此相对的第三表面103和第四表面 104以及在厚度方向T上彼此相对的第五表面105(顶表面)和第六表面106 (底表面)。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可以是主体100的连接主体100的第五表面105与第六表面106的壁。在以下描述中，“主体的前表面和后表面二者”可指第一表面101和第二表面102，并且“主体的侧表面二者”可指主体的第三表面103和第四表面 104。
作为示例，主体100可被构造成使得形成有外电极300和400的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但线圈组件 1000的示例性实施例不限于此。在一个实施例中，线圈组件1000的长度为 1.9mm、1.8mm、1.7mm、1.6mm或1.5mm。在一个实施例中，线圈组件1000 的宽度为1.1mm、1.0mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm或0.6mm。在一个实施例中，线圈组件的厚度为0.60mm、0.55mm、0.50mm、0.45mm、0.40mm、0.35mm 或0.30mm。
主体100可包含磁性材料和树脂材料。例如，主体100可通过层叠包括分散在树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片而形成。可选地，主体 100可具有与磁性材料分散在树脂中的结构不同的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。
铁氧体可包括例如以下材料中的一种或更多种材料：诸如Mg-Zn铁氧体、 Mn-Zn铁氧体、Mn-Mg铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Mg-Mn-Sr铁氧体以及Ni-Zn 铁氧体等的尖晶石型铁氧体；诸如Ba-Zn铁氧体、Ba-Mg铁氧体、Ba-Ni铁氧体、Ba-Co铁氧体、Ba-Ni-Co铁氧体等的六方晶型铁氧体；诸如钇(Y) 铁氧体的石榴石型铁氧体；以及锂(Li)铁氧体。
磁性金属粉末可包含从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Al合金粉末、 Fe-Ni合金粉末、Fe-Ni-Mo合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu合金粉末、Fe-Co合金粉末、Fe-Ni-Co合金粉末、Fe-Cr合金粉末、Fe-Cr-Si合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb 合金粉末、Fe-Ni-Cr合金粉末和Fe-Cr-Al合金粉末中的一种或更多种。
磁性金属粉末可以是非晶的或结晶的。例如，磁性金属粉末可以是 Fe-Si-B-Cr非晶合金粉末，但磁性金属粉末的示例性实施例不限于此。
铁氧体和磁性金属粉末可具有0.1μm至30μm的平均直径，但平均直径的示例不限于此。在一个实施例中，铁氧体和磁性金属粉末的平均直径为 0.5μm、1μm、5μm、10μm、15μm、20μm或25μm。
主体100可包含分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。概念“磁性材料的类型不同”可指磁性材料中的一种磁性材料的平均直径、组成、结晶度以及形状中的一个与另一磁性材料不同。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等中的一种或它们的混合物，但树脂的示例不限于此。
主体100可包括贯穿线圈部200的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部200的通孔而形成，但其示例性实施例不限于此。
内绝缘层IL可埋设在主体100中。内绝缘层IL可支撑线圈部200。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂或者感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中诸如玻璃纤维或者无机填料的增强材料浸在这样的绝缘树脂中的绝缘材料形成。例如，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，但内绝缘层的材料的示例不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料可用作无机填料。
当内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可提供改善的刚性。当内绝缘层IL利用不包括增强材料(例如，玻璃纤维)的绝缘材料形成时，可期望内绝缘层IL减小线圈部200的总厚度。当内绝缘层IL 利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈部200的工艺的数量，从而可降低制造成本，并且可形成精细的过孔。
线圈部200可埋设在主体100中，并且可实现线圈组件的特性。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可将电场存储为磁场，这样可保持输出电压，从而使电子装置的功率稳定。
线圈部200可包括线圈图案和引出部。引出部可将线圈图案连接到外电极。作为示例，可通过穿入主体的一个或更多个过孔电极将引出部连接到外电极。
另外，所述线圈部还可包括一个或更多个辅助引出部。辅助引出部可设置在内绝缘层的表面上并与线圈图案接触，并且辅助引出部可连接到所述引出部。
线圈部200可包括第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部 231和第二引出部232、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223。
例如，参照图5和图6，第一线圈图案211、第一引出部231和第二引出部232可设置在内绝缘层IL的与主体100的第六表面106相对的下表面上，并且第二线圈图案212、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242可设置在与内绝缘层IL的下表面相对的内绝缘层IL的上表面上。
参照图4至图6，第一线圈图案211可与第一引出部231接触并连接到第一引出部231，并且第一线圈图案211和第一引出部231可在内绝缘层IL 的下表面上与第二引出部232间隔开。另外，第二线圈图案212可与第二辅助引出部242接触并连接到第二辅助引出部242，并且第二线圈图案212和第二辅助引出部242可在内绝缘层IL的上表面上与第一辅助引出部241间隔开。另外，第一过孔221可贯穿内绝缘层IL并且可与第一线圈图案211和第二线圈图案212接触，第二过孔222可贯穿内绝缘层IL并且可与第一引出部 231和第一辅助引出部241接触，并且第三过孔223可贯穿内绝缘层IL并且可与第二引出部232和第二辅助引出部242接触。因此，线圈部200可用作单个线圈。
第一线圈图案211和第二线圈图案212均可具有以作为轴的芯110为中心形成至少一匝的平面螺旋形状。例如，第一线圈图案211可在内绝缘层IL 的下表面上以作为轴的芯110为中心形成至少一匝。
第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242可分别暴露于主体100的前表面101和后表面102二者。换句话说，第一引出部231可暴露于主体100的第一表面101，并且第二引出部232 可暴露于主体100的第二表面102。另外，第一辅助引出部241可暴露于主体100的第一表面101，并且第二辅助引出部242可暴露于主体100的第二表面102。
第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223、第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241 和第二辅助引出部242中的至少一者可包括至少一个或更多个导电层。
例如，当第二线圈图案212、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242 以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223通过镀覆工艺形成在内绝缘层IL的另一表面上时，第二线圈图案212、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223均可包括诸如无电镀层等的种子层和电镀层。电镀层可具有单层结构，或者可具有多层结构。具有多层结构的电镀层可具有电镀层中的一层被另一电镀层覆盖的共形膜结构，或者可具有电镀层中的一层被设置在另一镀层的一个表面上的形式。第二线圈图案212的种子层、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242 的种子层以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223的种子层可彼此一体化，使得它们之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。第二线圈图案212的电镀层、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242的电镀层以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223的电镀层可彼此一体化，使得它们之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
参照图1至图6，作为另一示例，当设置在内绝缘层IL的下表面上的第一线圈图案211、第一引出部231和第二引出部232以及设置在内绝缘层IL 的上表面上的第二线圈图案212、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242 独立地形成，并且线圈部200通过在内绝缘层IL上层叠第一线圈图案211、第一引出部231和第二引出部232、第二线圈图案212以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242而形成时，第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223可包括具有高熔点的金属层以及具有低熔点(比具有高熔点的金属层的熔点相对低)的金属层。具有低熔点的金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡 (Sn)的焊料形成。具有低熔点的金属层可具有因在层叠工艺期间产生的压力和温度而熔化的至少一部分，并且金属间化合物层(IMC层)可形成在例如具有低熔点的金属层与第二线圈图案212之间的边界上。
参照图5和图6，第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部 231和第二引出部232以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242可形成在内绝缘层IL的下表面和上表面上，并且从内绝缘层IL的下表面和上表面突出。作为另一示例，第一线圈图案211以及第一引出部231和第二引出部232可形成在内绝缘层IL的下表面上并从内绝缘层IL的下表面突出，并且第二线圈图案212以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242可埋设在内绝缘层IL的上表面中，并且第二线圈图案212以及第一辅助引出部241 和第二辅助引出部242的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。在这种情况下，凹部可形成在第二线圈图案212的上表面上和/或第一辅助引出部241和第二辅助引出部242的上表面上，使得第二线圈图案212的上表面和/或第一辅助引出部241和第二辅助引出部242的上表面可以不与内绝缘层IL的上表面可共面。
第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部 232、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223均可利用诸如铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。
参照图4，第一辅助引出部241可以与其它组件之间的电连接无关，因此第一辅助引出部241可省略。然而，优选地，期望可提供第一辅助引出部 241，以便省去用于使主体100的第五表面105和第六表面106彼此区分的工艺。
第一外电极300和第二外电极400可设置在主体100的第六表面106上，并且彼此间隔开。
第一外电极300和第二外电极400可利用单个层或多个层形成。例如，第一外电极300可包括：第一层，包含铜(Cu)；第二层，设置在第一层上并包含镍(Ni)；以及第三层，设置在第二层上并包含锡(Sn)。第二外电极400 可包括：第一层，包含铜(Cu)；第二层，设置在第一层上并包含镍(Ni)；以及第三层，设置在第二层上并包含锡(Sn)。
过孔电极610和620可穿入主体100，并且可将外电极300和400连接到线圈部200。例如，过孔电极可使外电极与线圈部的引出部彼此连接。
第一过孔电极610和第二过孔电极620可穿入主体100，并且可分别连接第一外电极300与第一引出部231以及第二外电极400与第二引出部232。换句话说，在示例性实施例中，第一外电极300与第一引出部231以及第二外电极400与第二引出部232可分别通过设置在主体100中的第一过孔电极 610以及第二过孔电极620而彼此连接，而不是通过主体100的表面来连接第一外电极300与第一引出部231以及第二外电极400与第二引出部232。例如，第一过孔电极610可使第一外电极300与第一引出部231彼此连接，并且第二过孔电极620可使第二外电极400与第二引出部232彼此连接。
过孔电极610和620可包括穿入主体100中的通过部和连接到通过部并设置在线圈部200中的延伸部。例如，延伸部可延伸到线圈部的引出部中。
第一过孔电极610可包括：第一通过部611，穿入主体100；以及第一延伸部612，连接到第一通过部611，并且设置在第一引出部231中，第二过孔电极620可包括：第二通过部621，穿入主体100；以及第二延伸部622，连接到第二通过部621，并且设置在第二引出部232中。换句话说，第一过孔电极610可包括：第一通过部611，穿入主体100；以及第一延伸部612，从第一通过部611延伸到第一引出部231中。第二过孔电极620可包括：第二通过部621，穿入主体100；以及第二延伸部622，延伸到第二引出部232中。在分别设置第一延伸部612和第二延伸部622的第一引出部231和第二引出部232中可分别形成凹入部。随着在主体100中形成通路孔VH以使第一过孔电极610和第二过孔电极620分别延伸到第一引出部231和第二引出部232，可形成凹入部。在一个实施例中，线圈组件1000可包括多于两个过孔电极。
第一通过部611和第二通过部621以及第一延伸部612和第二延伸部622 可在同一工艺中形成，使得它们之间可不形成边界，但示例性实施例不限于此。
第一过孔电极610和第二过孔电极620可通过钻孔工艺在主体100中加工通路孔VH并且用导电材料填充通路孔VH而形成。作为示例，过孔电极610和620可通过电镀工艺形成。在以上示例中，过孔电极610和620还可包括设置在通路孔VH的内壁上的种子层。作为另一示例，过孔电极610和 620可通过用导电膏填充通路孔VH而形成。钻孔工艺可涉及使用钻头的机械钻孔工艺，还可涉及使用激光的激光钻孔工艺。
第三外电极500可与第一外电极300和第二外电极400间隔开，并且可包括设置在主体100的第六表面106上的焊盘部510，以及延伸到主体100 的第三表面103一部分和第四表面104的一部分的连接部520。由于连接部 520在主体100的表面上与屏蔽层800接触，因此第三外电极500可连接到屏蔽层800。可选地，第三外电极500可以是屏蔽层800的一部分，换句话说，屏蔽层800可包括延伸到在主体的底表面上的焊盘部，从而省去第三外电极。第三外电极500可不电连接到第一外电极300和第二外电极400。在示例性实施例中，连接部520可从焊盘部510延伸到主体100的第三表面103 和第四表面104上。只要连接部520在主体100的表面上连接到焊盘部510 和屏蔽层800，并且与第一外电极300和第二外电极400间隔开，连接部520 的设置位置、连接部520的形状等可进行不同地构造。
焊盘部510和连接部520可在同一工艺中彼此一体化，使得在它们之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
当线圈组件1000安装在印刷电路板等上时，第三外电极500可电连接到印刷电路板的接地层。因此，第三外电极500可将产生的电能量从屏蔽层800 传递到印刷电路板。
第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500以及第一过孔电极 610和第二过孔电极620均可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。
第一过孔电极610和第二过孔电极620以及第一外电极300和第二外电极400可在同一工艺中形成，使得在它们之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
当第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500以及第一过孔电极610和第二过孔电极620通过电镀工艺形成时，第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500以及第一过孔电极610和第二过孔电极620还可包括种子层。种子层可通过诸如无电镀覆工艺、溅射工艺等的气相沉积工艺形成，并且可包括铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种。种子层可形成为单层或多层。
屏蔽层800可包括设置在主体100的一个表面上的盖部810以及延伸到主体100的与该一个表面邻接的壁表面上的侧壁部821。
屏蔽层800可包括设置在主体100的第五表面105上的盖部810以及分别设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面 104上的侧壁部821、822、823和824，并且屏蔽层800可连接到第三外电极 500。屏蔽层800可设置在主体100的除了主体100的第六表面106之外的表面上，并且可使线圈组件1000的漏磁通减少。屏蔽层800的侧壁部821、822、 823和824可与第三外电极500的连接部520接触，因此，屏蔽层800可连接到第三外电极500。作为示例，如图6中所示，当连接部520设置在主体 100的第三表面103和第四表面104中的每个表面上时，第三侧壁部823和第四侧壁部824可形成在主体100的第三表面103和第四表面104上，因此，屏蔽层800可连接到第三外电极500。
盖部810与侧壁部821、822、823和824可彼此一体化。换句话说，盖部810以及侧壁部821、822、823和824可在同一工艺中形成，使得在它们之间可不形成边界。作为示例，盖部810以及侧壁部821、822、823和824 可通过在主体100的第一表面至第五表面上利用诸如溅射工艺的气相沉积工艺形成屏蔽层800而彼此一体化。当通过溅射工艺形成屏蔽层800时，由于溅射工艺的低台阶覆盖(low step coverage)，侧壁部821、822、823和824 的端部可不形成到主体100的第六表面106。
屏蔽层800可包括导电材料和磁性材料中的至少一种。例如，导电材料可以是包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料的金属或合金，或者可以是Fe-Si合金或Fe-Ni合金。屏蔽层800还可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种材料。
屏蔽层800可包括两个或更多个分开的精细结构。例如，当盖部810以及侧壁部821、822、823和824各自利用彼此被分为多个片的非晶带片形成时，盖部810以及侧壁部821、822、823和824各自可包括彼此隔离的多个精细结构。
屏蔽层800可具有10nm至100μm的厚度。当屏蔽层800的厚度小于10nm 时，可能无法实现EMI屏蔽效果，而当屏蔽层800的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，屏蔽层800的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm 或50μm。
绝缘层700可设置在屏蔽层800与主体100之间，并且在第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500与主体100之间。绝缘层700可防止屏蔽层800与主体100之间的电短路，以及屏蔽层800与第一外电极300和第二外电极400之间的电短路。在形成第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500以及屏蔽层800之前，绝缘层700可先形成在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106上。换句话说，第一外电极300、第二外电极400和第三外电极500 以及屏蔽层800可形成在绝缘层700上。
绝缘层700可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如，酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。
绝缘层700可通过将液体绝缘树脂涂覆到主体100上、通过在主体100 上层叠绝缘膜(诸如，干膜(DF))或者通过利用气相沉积工艺在主体100 上形成绝缘材料而形成。当使用绝缘膜时，可使用聚酰亚胺膜或不包括感光绝缘树脂的ABF(ajinomoto build-upfilm)。
绝缘层700可具有10nm至100μm的厚度。当绝缘层700的厚度小于10nm 时，线圈组件的特性(诸如，Q因数等)可能会降低，而当绝缘层700的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，绝缘层700的厚度为50nm、 100nm、500nm、1μm或50μm。
覆盖层900可设置在屏蔽层800上以覆盖屏蔽层800，并且可与绝缘层 700接触。换句话说，覆盖层900可与绝缘层700将屏蔽层800埋设在覆盖层900内。因此，与绝缘层700类似，覆盖层900可设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上。覆盖层900可覆盖侧壁部821、822、823和824的端部，使得覆盖层900可防止侧壁部821、822、823和824与第一外电极300和第二外电极400之间电短路。此外，覆盖层900可防止屏蔽层800电连接到外部电子组件。
覆盖层900可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如，酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。
覆盖层900可通过在其上形成有屏蔽层800的主体100上层叠覆盖膜(诸如，干膜(DF))而形成。可选地，覆盖层900可通过利用气相沉积工艺(诸如，化学气相沉积(CVD)工艺)等在其上形成有屏蔽层800的主体100上形成绝缘材料而形成。
覆盖层900可具有10nm至100μm的厚度。当覆盖层900的厚度小于10nm 时，绝缘特性可能削弱，使得可能发生电短路，而当覆盖层900的厚度大于 100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，覆盖层900的厚度为50nm、100nm、500nm、 1μm或50μm。
绝缘层700、屏蔽层800和覆盖层900的厚度之和可大于30nm，并且可以是100μm或更小。当绝缘层700、屏蔽层800和覆盖层900的厚度之和小于30nm时，可能出现诸如电短路、线圈组件的特性(诸如，Q因数)降低等问题，然而，当绝缘层700、屏蔽层800和覆盖层900的厚度之和大于100μm 时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，绝缘层700、屏蔽层800和覆盖层900的厚度之和为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
尽管在示例性实施例中未示出，但是线圈组件还可包括沿着第一引出部 231和第二引出部232、第一线圈图案211和第二线圈图案212、内绝缘层IL 以及辅助引出部241和242的表面形成的绝缘膜。绝缘膜可使第一引出部231 和第二引出部232、第一线圈图案211和第二线圈图案212以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242与主体100绝缘，并且可包括已知的绝缘材料(诸如，聚对二甲苯等)。包含在绝缘膜中的材料可不限于任何具体材料。绝缘膜可通过诸如气相沉积工艺等形成，但绝缘膜的示例不限于此。可通过在内绝缘层IL的两个表面上层叠绝缘膜来形成该绝缘膜。
绝缘层700和覆盖层900可直接设置在线圈组件中，并且可以与在将线圈组件安装在印刷电路板上的工艺中使线圈组件和印刷电路板成型的模制材料区分开。例如，与模制材料不同，绝缘层700和覆盖层900可不与印刷电路板直接接触。另外，与模制材料不同，绝缘层700和覆盖层900可不通过印刷电路板支撑或固定到印刷电路板。此外，与围绕将线圈组件连接到印刷电路板的连接构件(诸如，焊球)的模制材料不同，绝缘层700和覆盖层900可不围绕连接构件。由于绝缘层700不是通过加热环氧塑封料等、使加热的环氧塑封料流到印刷电路板上并且执行固化工艺而形成的模制材料，因此可不需要考虑在形成模制材料的工艺期间产生的空隙，或者由模制材料的热膨胀系数与印刷电路板的热膨胀系数之间的差异而引起的印刷电路板的翘曲。
在示例性实施例中，屏蔽层800可直接设置在线圈组件中，因此，屏蔽层800可不同于在将线圈组件安装在印刷电路板上之后结合到印刷电路板以屏蔽EMI的屏蔽罩等。例如，与一般屏蔽罩不同，屏蔽层800可不需要用于将屏蔽层800固定到印刷电路板的固定构件，并且可不与印刷电路板直接接触。
因此，根据示例性实施例的线圈组件1000可通过在线圈组件中直接形成屏蔽层800来有效地屏蔽在线圈组件中产生的漏磁通。换句话说，随着电子装置的尺寸减小并且具有更高的性能，近来，包括在电子装置中的电子组件的数量以及相邻的电子组件之间的距离已经减小。在示例性实施例中，可屏蔽每个线圈组件，使得可有效地屏蔽在线圈组件中产生的漏磁通，从而减小电子组件的尺寸并且实现高性能。此外，与使用屏蔽罩的构造相比，在示例性实施例中的线圈组件1000中，屏蔽区域中的有效磁性材料的量可增大，从而改善线圈组件的特性。
另外，在示例性实施例中的线圈组件1000中，在下部可容易地实现电极结构，另一方面，减小线圈组件的尺寸。换句话说，与现有技术不同，外电极可不设置在主体100的前表面101和后表面102二者或者两个侧表面103 和104上并且可不从主体100的前表面101和后表面102二者或者两个侧表面103和104上突出，因此，当形成绝缘层700、屏蔽层800和覆盖层900 时，线圈组件1000的尺寸可以不显著增加。另外，由于外电极300、400和 500具有相对减小的厚度，因此线圈组件100的总厚度可减小。
另外，在示例性实施例中的线圈组件1000中，由于第一过孔电极610和第二过孔电极620分别包括第一延伸部612和第二延伸部622，因此可靠性可提高。换句话说，第一延伸部612和第二延伸部622可分别延伸到第一引出部231和第二引出部232中，因此，可使线圈部200与第一过孔电极610 和第二过孔电极620之间的结合力提高。因此，即使在线圈组件1000中出现应力时，也可保持可靠性。
第二实施例
图7是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的示意图。图8是示出线圈组件的省略图7中示出的一些元件的示图。图9是示出从下部方向观察图8中示出的线圈组件的示图。图10是沿图7中的线III-III’截取的截面图。关于图8，图8示出了图7中示出的线圈组件省略屏蔽层和覆盖层的示图。
参照图1至图10，在根据示例性实施例的线圈组件2000中，线圈部200 可与前述示例性实施例中的线圈组件1000中的线圈部200不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的线圈部不同的线圈部200。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
示例性实施例中的线圈部200还可包括分别从第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242延伸并且暴露于主体100的第一表面101和第二表面102的第一结合增强部251、第二结合增强部252、第三结合增强部253和第四结合增强部254。例如，线圈部200还可包括：第一结合增强部251，从第一引出部231延伸并暴露于主体100的第一表面101；第二结合增强部252，从第二引出部232延伸并暴露于主体 100的第二表面102；第三结合增强部253，从第一辅助引出部241延伸并暴露于主体100的第一表面101；以及第四结合增强部254，从第二辅助引出部 242延伸并暴露于主体100的第二表面102。与前述示例性实施例不同，在示例性实施例中，第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241 和第二辅助引出部242可不暴露于主体100的第一表面101和第二表面102，但是从第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242延伸到主体100的前表面101和后表面102二者的第一结合增强部251、第二结合增强部252、第三结合增强部253和第四结合增强部254 可暴露于主体100的前表面101和后表面102二者。
第一结合增强部251的宽度、第二结合增强部252的宽度、第三结合增强部253的宽度和第四结合增强部254的宽度可分别比第一引出部231的宽度和第二引出部232的宽度以及第一辅助引出部241的宽度和第二辅助引出部242的宽度小，或者第一结合增强部251的厚度、第二结合增强部252的厚度、第三结合增强部253的厚度和第四结合增强部254的厚度可分别比第一引出部231的厚度和第二引出部232的厚度以及第一辅助引出部241的厚度和第二辅助引出部242的厚度小。换句话说，第一结合增强部251、第二结合增强部252、第三结合增强部253和第四结合增强部254可使线圈部200 的端部的体积减小，使得线圈部200暴露于主体100的第一表面101和第二表面102的面积可显著减小。
因此，在示例性实施例中的线圈组件2000中，线圈部200的端部与主体 100之间的结合力可提高。换句话说，通过使线圈部200的设置在主体100 的外部的部分的体积减小，线圈部200与主体100之间的结合力可改善提高。
此外，在示例性实施例中的线圈组件2000中，通过提高磁性材料的有效体积，可防止组件特性劣化。
另外，在示例性实施例中的线圈组件2000中，通过减小线圈部200暴露于主体100的前表面101和后表面102二者的面积，可防止电短路。
在示例性实施例中，在第一引出部231和第二引出部232以及第一辅助引出部241和第二辅助引出部242中可设置多个第一结合增强部251、第二结合增强部252、第三结合增强部253和第四结合增强部254。例如，第一结合增强部251、第二结合增强部252、第三结合增强部253和第四结合增强部 254中的至少一个可设置成多个结合增强部。在这种情况下，线圈部200与主体100之间的接触面积可增大，使得它们之间的结合力可提高。
第三实施例
图11是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的截面图。图11对应于沿图1中的线I-I’截取的截面。
参照图1至图11，在根据示例性实施例的线圈组件3000中，盖部810 可与前述示例性实施例中的线圈组件1000和2000中的盖部不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的盖部不同的盖部810。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图11，盖部810可具有被构造为使得盖部810的中央部的厚度T1大于盖部810的外围部的厚度T2。
线圈部200的第一线圈图案211和第二线圈图案212可在内绝缘层IL的两个表面上从内绝缘层IL的中央部朝向内绝缘层IL的外围部形成为多个匝，并且第一线圈图案211和第二线圈图案212可在主体100的厚度方向T上层叠并且连接到过孔221。因此，在示例性实施例中的线圈组件3000中，垂直于主体100的厚度方向T沿主体100的长度方向L和宽度方向W截取的平面的中央部具有最高的磁通密度。因此，当形成设置在主体100的第五表面(第五表面基本上平行于主体100的沿长度方向L和宽度方向W截取的平面)上的盖部810时，考虑到在主体100的在沿长度方向L和宽度方向W截取的平面的磁通密度分布，盖部810可被构造为使得盖部810的中央部的厚度T1可大于外围部的厚度T2。
因此，在示例性实施例中的线圈组件3000中，通过考虑磁通密度分布对盖部810的部分的厚度进行不同地构造，可有效地减少漏磁通。
第四实施例
图12是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的截面图。图12对应于沿图1中的线I-I’截取的截面图。
参照图1至图12，在根据示例性实施例的线圈组件4000中，盖部810 以及侧壁部821、822、823和824可与前述示例性实施例中的线圈组件1000、 2000和3000中的盖部以及侧壁部不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的盖部以及侧壁部不同的盖部810以及侧壁部 821、822、823和824。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图12，盖部810的厚度T3可大于侧壁部821、822、823和824的厚度T4。
如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向T上产生磁场。因此，在主体100的厚度方向T上泄漏的磁通量可大于在其它方向上泄漏的磁通量。因此，设置在主体100的第五表面(垂直于主体100的厚度方向T)上的盖部810的厚度可被构造为比设置在主体100的壁上的侧壁部821、822、823 和824的厚度大，从而有效减少漏磁通。
作为示例，主体100可被设置成使得主体100的第五表面105与靶子相对，并且可执行用于形成屏蔽层800的溅射工艺，从而将盖部810的厚度构造为大于侧壁部821、822、823和824的厚度。然而，它们的示例性实施例不限于此。
因此，在示例性实施例中的线圈组件4000中，考虑到由线圈部200形成的磁场的方向，可有效地减少漏磁通。
根据前述示例性实施例，线圈组件的漏磁通可减小。
此外，在减小漏磁通的同时可减小线圈组件的尺寸和厚度。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (15)

1.一种线圈组件，包括：
主体，具有底表面和顶表面以及多个壁，所述底表面和所述顶表面在一个方向上彼此相对，各个壁将所述主体的所述底表面连接到所述顶表面；
线圈部，埋设在所述主体中，并且具有第一引出部和第二引出部；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述底表面上并且彼此间隔开；
过孔电极，穿入所述主体，并且使所述第一引出部与所述第一外电极彼此连接和/或使所述第二引出部与所述第二外电极彼此连接；
第三外电极，包括设置在所述主体的所述底表面上的焊盘部以及延伸到所述主体的所述多个壁的部分的连接部，并且所述第三外电极与所述第一外电极和第二外电极间隔开；
屏蔽层，包括设置在所述主体的所述顶表面上的盖部以及延伸到所述主体的所述多个壁上的侧壁部，并且所述屏蔽层连接到所述第三外电极；以及
绝缘层，设置在所述屏蔽层与所述主体之间以及所述第一外电极与所述主体之间、所述第二外电极与所述主体之间和所述第三外电极与所述主体之间。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述过孔电极包括：通过部，形成在所述主体中；以及延伸部，从所述通过部延伸到所述第一引出部或所述第二引出部中。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，还包括：
内绝缘层，埋设在所述主体中，以支撑所述线圈部，
其中，所述第一引出部和所述第二引出部设置在所述内绝缘层的一个表面上并且彼此间隔开，所述内绝缘层的所述一个表面与所述主体的所述底表面相对。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：第一线圈图案，设置在所述内绝缘层的所述一个表面上，与所述第一引出部接触并且与所述第二引出部间隔开；第二线圈图案，设置在所述内绝缘层的与所述内绝缘层的所述一个表面相对的另一表面上；以及一个或更多个过孔，贯穿所述内绝缘层，以连接所述第一线圈图案和所述第二线圈图案。
5.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：一个或更多个辅助引出部，设置在所述内绝缘层的所述另一表面上，
其中，所述一个或更多个辅助引出部包括与所述第二线圈图案接触并且连接到所述第二引出部的第二辅助引出部。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，其中，所述第一引出部和所述第二引出部以及所述一个或更多个辅助引出部暴露于所述主体的所述多个壁中彼此相对的所述主体的前表面和后表面二者。
7.根据权利要求5所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：一个或更多个结合增强部，分别从所述第一引出部和所述第二引出部以及所述一个或更多个辅助引出部延伸，并且暴露于所述主体的所述多个壁中的彼此相对的所述主体的前表面和后表面二者。
8.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述结合增强部的厚度小于所述第一引出部和所述第二引出部的厚度。
9.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述结合增强部的宽度小于所述第一引出部和所述第二引出部的宽度。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部具有被构造为使得所述盖部在所述主体的所述顶表面的中央部的厚度比在所述主体的所述顶表面的外围部的厚度大。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。
12.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括导电材料和磁性材料中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述一个或更多个过孔电极包括第一过孔电极和第二过孔电极，并且所述第一过孔电极穿入所述主体并连接所述第一外电极与所述第一引出部，所述第二过孔电极穿入所述主体并连接所述第二外电极与所述第二引出部。
14.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述一个或更多个结合增强部包括第一结合增强部、第二结合增强部、第三结合增强部和第四结合增强部，一个或更多个所述辅助引出部还包括第一辅助引出部，其中：
所述第一结合增强部和所述第二结合增强部分别从所述第一引出部和所述第二引出部延伸，并且分别暴露于所述主体的前表面和后表面；
所述第三结合增强部和所述第四结合增强部分别从所述第一辅助引出部和所述第二辅助引出部延伸，并且分别暴露于所述主体的前表面和后表面。
15.一种线圈组件，包括：
主体，包括绝缘树脂以及分散在所述绝缘树脂中的磁性金属粉末；
内绝缘层，埋设在所述主体中；
线圈部，包括设置在所述内绝缘层的一个表面上并且埋设在所述主体中的引出部，所述内绝缘层的所述一个表面与所述主体的下表面相对；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述下表面上并且彼此间隔开；
过孔电极，穿入所述主体并且延伸到所述引出部中，以连接所述引出部与所述第一外电极和/或连接所述引出部与所述第二外电极；
屏蔽层，形成在所述主体上，并且包括延伸到所述主体的下表面的焊盘部；以及
绝缘层，设置在所述主体与所述第一外电极之间、所述主体与所述第二外电极之间以及所述主体与所述屏蔽层之间。
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