CN110189900B - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面；线圈部，包括具有围绕所述一个方向的至少一匝的线圈图案并且嵌在所述主体中；外电极，设置在所述主体的所述一个表面上并且连接到所述线圈部；屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年2月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0021346号韩国专利申请和于2018年5月28日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0060195号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(线圈组件)连同电阻器和电容器是在电子装置中使用的代表性无源电子组件。
随着电子装置的逐渐的性能改善和尺寸减小，在电子装置中使用的电子组件的数量已经增加，并且电子组件的尺寸已经减小。
出于上述原因，对于消除电子组件的诸如电磁干扰(EMI)的噪声产生源的需求已经逐渐增加。
在当前的通用的EMI屏蔽技术中，将电子组件安装在板上，然后通过屏蔽罩同时围绕电子组件和板。
发明内容
本公开的一方面可提供一种可减少漏磁通的线圈组件。
本公开的一方面还可提供一种可减少漏磁通并且可基本保持线圈组件的特性的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面；线圈部，包括具有围绕所述一个方向的至少一匝的线圈图案并且嵌在所述主体中；外电极，设置在所述主体的所述一个表面上并且连接到所述线圈部；屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间。
所述屏蔽层在所述主体的所述另一表面的中央部的厚度可大于所述屏蔽层在所述主体的所述另一表面的外侧部的厚度。
所述屏蔽层可包括：盖部，设置在所述主体的所述另一表面上；以及侧壁部，连接到所述盖部并且设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的壁上。
所述盖部和所述侧壁部可以为一个整体件。
所述盖部和所述侧壁部之间的连接部可具有弯曲表面形状。
所述盖部的厚度可大于所述侧壁部的厚度。
所述主体的壁的数量可以为多个并且所述侧壁部的数量为多个，并且多个侧壁部可分别设置在所述主体的多个壁上。
所述多个侧壁部可以为一个整体件。
所述多个侧壁部和所述盖部可以为一个整体件。
所述多个侧壁部可包括分别设置在所述主体的所述多个壁中的任意一个壁和另一个壁上的第一侧壁部和第二侧壁部，所述第一侧壁部和所述第二侧壁部中的每个可具有连接到所述盖部的一端和与所述一端相对的另一端，并且从所述主体的所述一个表面到所述第一侧壁部的所述另一端的距离和从所述主体的所述一个表面到所述第二侧壁部的所述另一端的距离可彼此不同。
所述线圈图案的数量可以为多个，并且多个线圈图案可在从所述主体的所述一个表面朝向所述主体的所述另一表面的方向上堆叠。
所述线圈组件还可包括内绝缘层，其中，所述线圈部包括在朝向所述主体的所述另一表面的方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案以及使所述第一线圈图案和所述第二线圈图案彼此连接的过孔，并且所述内绝缘层设置在所述第一线圈图案和所述第二线圈图案之间，并且所述过孔贯穿所述内绝缘层。
所述线圈组件还可包括沿着所述第一线圈图案的表面、所述内绝缘层的表面和所述第二线圈图案的表面形成的绝缘膜。
所述屏蔽层可包括导体和磁性材料中的至少一者。
所述线圈组件还可包括设置在所述屏蔽层上以覆盖所述屏蔽层并且与所述绝缘层接触的覆盖层。
所述覆盖层可与所述绝缘层一起封闭所述屏蔽层。
所述覆盖层可延伸到所述主体的所述一个表面并且具有开口，所述开口中设置有所述外电极的贯穿部。
所述绝缘层、所述屏蔽层和所述覆盖层的厚度的总和可以为大于等于30nm且小于等于100μm。
所述屏蔽层可包括：第一屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及第二屏蔽层，设置在所述第一屏蔽层上。所述绝缘层可包括：第一绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述主体之间；以及第二绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间。
所述第一屏蔽层可包括磁性材料，并且所述第二屏蔽层可包括导体并且还设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上。
所述第一屏蔽层可包括导体并且还设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上，并且所述第二屏蔽层可包括磁性材料。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的壁，并且包括磁性金属粉末颗粒；线圈部，嵌在所述主体中并且包括在所述一个方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的至少所述一个表面上以彼此分开并且分别连接到所述第一线圈图案和所述第二线圈图案；屏蔽层，包括设置在所述主体的所述另一表面上的盖部和设置在所述主体的所述壁上的侧壁部；外绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间以及所述第一外电极和所述第二外电极与所述屏蔽层之间；以及覆盖层，设置在所述屏蔽层上以覆盖所述屏蔽层并且连接到所述外绝缘层。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体；线圈部，嵌在所述主体中；外电极，设置在所述主体的至少下表面上并且连接到所述线圈部；屏蔽层，覆盖所述主体的至少一部分；以及绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间。所述屏蔽层和所述外电极之间的距离可以为大于等于10nm且小于等于100μm。
所述外电极可包括设置在所述主体和所述绝缘层之间的连接部以及从设置在所述主体的侧表面上的所述连接部延伸到所述主体的所述下表面的延伸部。
所述屏蔽层可包括覆盖所述主体的侧表面的侧壁部和从所述侧壁部延伸到所述主体的与所述下表面相对的上表面上的盖部。
所述屏蔽层的所述侧壁部的厚度可小于所述屏蔽层的所述盖部的厚度。
所述屏蔽层的所述盖部的中央部可比所述屏蔽层的所述盖部的外侧部厚。
所述屏蔽层的所述侧壁部的厚度可在从所述主体的所述下表面到所述上表面的方向上增大。
所述线圈组件还可包括覆盖所述屏蔽层的覆盖层。
所述屏蔽层可通过所述覆盖层和所述绝缘层密封。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在所述主体的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在所述主体的第二方向上彼此相对并且使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面以及在所述主体的第三方向上彼此相对并且使所述第一表面和所述第二表面彼此连接并使所述第三表面和所述第四表面彼此连接的第五表面和第六表面；线圈部，包括具有围绕所述第三方向的至少一匝的线圈图案并且嵌在所述主体中；外电极，设置在所述主体的所述第六表面上并且连接到所述线圈部；屏蔽层，覆盖所述主体的所述第一表面至所述第五表面；以及绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间。
所述线圈组件还可包括覆盖所述屏蔽层的覆盖层。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示意性透视图；
图2A和图2B是示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示意性截面图，其中，图2A是沿着图1的线I-I’截取的截面图，图2B是沿着图1的线II-II’截取的截面图；
图3是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图4是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图5是示出根据本公开中的第三示例性实施例的变型示例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图6是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图7A是示出根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的示意性透视图，并且图7B是沿着图7A的LT平面截取的截面图；
图8A是示出根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图8B是示出根据本公开中的第六示例性实施例的变型示例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；
图9是示出根据本公开中的第七示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图；以及
图10A至图13是示出本公开中的变型示例的示意图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
在附图中，L方向指的是第一方向或者长度方向，W方向指的是第二方向或者宽度方向，T方向指的是第三方向或者厚度方向。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件。在参照附图描述本公开中的示例性实施例时，彼此相同或者相对应的组件将由相同的标号表示，并且将省略对其的重复描述。
可在电子装置中使用各种电子组件，并且可根据各种线圈组件的目的而在这些电子组件之间适当地使用各种线圈组件，以消除噪声等。
也就是说，在电子装置中使用的线圈组件可以为功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、用于高频(GHz)的磁珠、共模滤波器等。
在下文中，将描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件，并且为了方便起见，将通过示例的方式描述线圈组件为功率电感器的情况。然而，这样的描述不意味着除了电感器之外的线圈组件被排除在本公开的范围之外。
第一示例性实施例
图1是示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的示意性透视图。图2A是沿着图1的线I-I’截取的截面图。图2B是沿着图1的线II-II’截取的截面图。
参照图1至图2B，根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、外电极300和400、屏蔽层500以及绝缘层600，并且还可包括覆盖层700、内绝缘层IL和绝缘膜IF。
主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外观，并且可将线圈部200埋入其中。
主体100通常可具有六面体形状。
在下文中，将假设主体100具有六面体形状来描述本公开中的第一示例性实施例。然而，这样的描述没有将包括具有除了六面体形状之外的形状的主体的线圈组件排除在本示例性实施例的范围之外。
主体100可具有在长度方向(L)上彼此相对的第一表面和第二表面、在宽度方向(W)上彼此相对的第三表面和第四表面以及在厚度方向(T)上彼此相对的第五表面和第六表面。
通过示例的方式，主体100可形成为使得根据本示例性实施例的形成有将在下面描述的外电极300和400、绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。
主体100可包括磁性材料和树脂。详细地，主体可通过堆叠其中磁性材料分散在树脂中的一个或更多个磁性复合片来形成。
磁性材料可以为铁氧体或者磁性金属粉末颗粒。
铁氧体可以为例如尖晶石型铁氧体(诸如，Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体或Ni-Zn基铁氧体)、六角型铁氧体(诸如，Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体或Ba-Ni-Co基铁氧体)、石榴石型铁氧体(诸如，Y基铁氧体)、Li基铁氧体中的一种或者更多种。
磁性金属粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，磁性金属粉末颗粒可以为纯铁粉颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒中的一种或者更多种。
磁性金属粉末颗粒可以为非晶的或晶体的。例如，磁性金属粉末颗粒可以为Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但不必然限于此。
铁氧体和磁性金属粉末颗粒可分别具有大约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种磁性材料。这里，不同种类的磁性材料意味着分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状中的任意一者而彼此区分开。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等或者其混合物，但不限于此。
主体100可包括贯穿将在下面描述的线圈部200的芯110。芯110可通过利用磁性复合片填充线圈部200的通孔来形成，但不限于此。
线圈部200可嵌在主体100中，并且可实现线圈组件的特性。例如，根据本示例性实施例的线圈组件1000可以为如上所述的功率电感器。在这种情况下，线圈部200可用于将电场存储为磁场以保持输出电压，结果使电子装置的功率的稳定。
线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220。
将在下面描述的第一线圈图案211、第二线圈图案212和内绝缘层IL可在主体100的厚度方向(T)上堆叠。
第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个可具有平面螺旋形状。作为示例，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面上围绕主体100的厚度(T)方向形成至少一匝。
过孔220可贯穿内绝缘层IL以使第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接，并且可与第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个接触。结果，根据本示例性实施例的线圈部200可利用在主体100的厚度方向(T)上产生磁场的一个线圈形成。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一个可包括一个或更多个导电层。
作为示例，当第二线圈图案212和过孔220通过镀覆形成时，第二线圈图案212和过孔220中的每个可包括无电镀层的种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或者具有多层结构。具有多层结构的电镀层可按照一个电镀层覆盖其他电镀层中的任意一个电镀层的共形膜结构形成，或者可按照一个电镀层仅堆叠在其他电镀层中的任意一个电镀层的一个表面上的形状形成。第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层可彼此一体地形成，使得它们之间的边界可不形成，但不限于此。第二线圈图案212的电镀层和过孔220的电镀层可彼此一体地形成，使得它们之间的边界可不形成，但不限于此。
作为另一示例，当线圈部200通过单独地形成第一线圈图案211和第二线圈图案212然后分别在内绝缘层IL的下方和内绝缘层IL上共同堆叠第一线圈图案211和第二线圈图案212来形成时，过孔220可包括高熔点金属层和具有比高熔点金属层的熔点低的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。低熔点金属层的至少一部分可在共同堆叠时由于压力和温度而熔化，使得可在低熔点金属层和第二线圈图案212之间的边界上形成金属间化合物(IMC)层。
作为示例，第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别在内绝缘层IL的下表面和上表面上突出。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可在内绝缘层IL的上表面上突出。在这种情况下，凹入部可形成在第一线圈图案211的下表面中，使得内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可不设置为彼此共面。作为另一示例，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可嵌在内绝缘层IL的上表面中，使得第二线圈图案212的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。
第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与将在下面描述的第一外电极300接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与将在下面描述的第二外电极400接触，使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极400。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂或者感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用具有诸如玻璃纤维的增强材料或者无机填料浸在这样的绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、RF-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，但不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉末颗粒、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料可用作无机填料。
当内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可提供更优异的刚性。当内绝缘层IL利用不包括增强材料(例如，玻璃纤维)的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可有利于减小线圈部200的整体厚度。当内绝缘层IL利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少工艺的数量，这有利于降低生产成本，并且可钻出精细的孔。
绝缘膜IF可沿着第一线圈图案211的表面、内绝缘层IL的表面和第二线圈图案212的表面形成。可设置绝缘膜IF以保护第一线圈图案211和第二线圈图案212并且使第一线圈图案211和第二线圈图案212绝缘，并且绝缘膜IF可包括诸如聚对二甲苯等的任意已知的绝缘材料。包括在绝缘膜IF中的绝缘材料没有具体地限制，而可以为任意的绝缘材料。绝缘膜IF可通过诸如气相沉积等的方法形成，但不限于此。也就是说，绝缘膜IF可通过在其上形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的内绝缘层IL的相对表面上堆叠绝缘膜来形成。
另一方面，虽然未示出，但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一者的数量可以为多个。作为示例，线圈部200可包括多个第一线圈图案211，并且可具有一个第一线圈图案堆叠在其他的第一线圈图案中的任意一个第一线圈图案的下表面上的结构。在这种情况下，附加的绝缘层可设置在多个第一线圈图案211之间。
外电极300和400可分别设置在主体100的在长度方向上相对的两个表面上，并且可分别连接到线圈图案211和212。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300和连接到第二线圈图案212的第二外电极400。详细地，第一外电极300可包括：第一连接部310，设置在主体100的第一表面上并且连接到第一线圈图案211的端部；以及第一延伸部320，从第一连接部310延伸到主体100的第六表面。第二外电极400可包括：第二连接部410，设置在主体100的第二表面上并且连接到第二线圈图案212的端部；以及第二延伸部420，从第二连接部410延伸到主体100的第六表面。分别设置在主体100的第六表面上的第一延伸部320和第二延伸部420可彼此分开使得第一外电极300和第二外电极400彼此不接触。
当根据本示例性实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板等上时，外电极300和400可使线圈组件1000电连接到印刷电路板等。作为示例，根据本示例性实施例的线圈组件1000可安装在印刷电路板上，使得主体100的第六表面面对印刷电路板的上表面，并且外电极300和400的设置在主体100的第六表面上的延伸部320和420可与印刷电路板的连接部彼此电连接。
外电极300和400中的每个可包括导电树脂层和电镀层中的至少一者。导电树脂层可通过印刷膏形成，并且可包括从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。电镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的一种或更多种。
屏蔽层500可设置在主体100的第一表面至第五表面中的至少一个上，并且可减小从根据本公开的线圈组件1000泄漏到外部的辐射噪声。
屏蔽层500可具有10nm至100μm的厚度。当屏蔽层500的厚度小于10nm时，电磁干扰(EMI)屏蔽效果会大体上不存在，并且当屏蔽层500的厚度超过100μm时，会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度，这不利于线圈组件的小型化。
在本示例性实施例中，屏蔽层500可包括：盖部510，设置在主体的与主体100的一个表面(例如，第六表面)相对的另一表面上；以及侧壁部521、522、523和524，连接到盖部510并且设置在主体的使主体100的一个表面与主体100的另一表面彼此连接的壁上。也就是说，屏蔽层500可包括设置在主体100的第五表面上的盖部510以及分别设置在作为主体的壁的第一表面至第四表面上的第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524。根据本示例性实施例的屏蔽层500可设置在主体100的除了主体100的第六表面之外的所有表面上，第六表面是根据本示例性实施例的线圈组件1000的安装表面。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可彼此一体地形成。也就是说，第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可通过同一工艺形成，使得它们之间的边界可不形成。作为示例，第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可通过在主体100的第一表面至第四表面上堆叠具有绝缘膜和屏蔽膜的单个屏蔽片而彼此一体地形成。这里，屏蔽片的绝缘膜可与将在下面描述的绝缘层600相对应。另一方面，在上面的示例中，任意一个侧壁部和另一侧壁部彼此连接的区域的截面可由于屏蔽片的物理处理而形成为弯曲表面。作为另一示例，当第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524通过执行诸如溅射等的气相沉积而形成在主体100的第一表面至第四表面上时，第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可彼此一体地形成。
盖部510以及侧壁部521、522、523和524可彼此一体地形成。也就是说，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过同一工艺形成，使得它们之间的边界可不形成。作为示例，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过将包括绝缘膜和屏蔽膜的单个屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面而彼此一体地形成。这里，屏蔽片的绝缘膜可与将在下面描述的绝缘层600相对应。作为示例，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过利用诸如溅射的气相沉积在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上形成屏蔽层500而彼此一体地形成。
盖部510与侧壁部521、522、523和524之间的连接部中的每个可具有弯曲表面形状。作为示例，当屏蔽片被处理为与主体的形状相对应并且附着到主体100的第一表面至第五表面时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。作为另一示例，当屏蔽层500通过诸如溅射的气相沉积形成在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个可包括连接到盖部510的一端和与所述一端相对的另一端，并且从主体的第六表面到第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的任意一者的另一端的距离可与从主体100的第六表面到第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的另一者的另一端的距离不同。作为示例，当通过附着上述屏蔽膜形成屏蔽层500时，侧壁部521、522、523和524的另一端到主体100的第六表面的距离可由于公差或者设计需要而彼此不同。
屏蔽层500可包括导体和磁性材料中的至少一种。作为示例，导体可以为包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种的金属或合金，并且可以为Fe-Si合金或Fe-Ni合金。另外，屏蔽层500可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种。屏蔽层500可具有双层结构或者具有单层结构，其中，双层结构具有包括导体的层和包括磁性材料的层，单层结构包括导体和/或磁性材料。
屏蔽层500可包括彼此分开的两个或更多个精细结构。作为示例，当盖部510以及侧壁部521、522、523和524中的每个利用被分为多个片的非晶带片形成时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524中的每个可包括彼此分开的多个精细结构。
绝缘层600可设置在主体100和屏蔽层500之间以使屏蔽层500与主体100以及外电极300和400电隔离。在本示例性实施例中，绝缘层600可设置在主体100的第一表面至第五表面上。另一方面，在本示例性实施例中，外电极300的连接部310和外电极400的连接部410分别形成在主体100的第一表面和第二表面上。因此，外电极300的连接部310和外电极400的连接部410、绝缘层600以及屏蔽层500的侧壁部521和522可顺序地设置在主体100的第一表面和第二表面中的每个上。
绝缘层600可包括诸如聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶或丙烯酸的热塑性树脂、诸如酚类、环氧树脂、聚氨酯、三聚氰胺或醇酸树脂的热固性树脂。
绝缘层600可具有粘合功能。作为示例，当绝缘层600和屏蔽层500利用包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片形成时，屏蔽片的绝缘膜可包括粘合成分以将屏蔽膜粘合到主体100的表面。此外，粘合层可单独地形成在绝缘层600的一个表面和主体100之间。然而，当在B阶段使用绝缘膜形成绝缘层600时，可不在绝缘层600的一个表面上形成单独的粘合层。
绝缘层600可按照10nm至100μm的厚度范围形成。因此，外电极300和400与屏蔽层500之间的距离可以为10nm至100μm。当绝缘层600的厚度小于10nm时，会使线圈组件的特性(诸如，Q因子)等劣化，并且当绝缘层600的厚度超过100μm时，会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度，这不利于线圈组件的小型化。
覆盖层700可设置在屏蔽层500上以覆盖屏蔽层500，并且可与绝缘层600接触。也就是说，覆盖层700可与绝缘层600一起将屏蔽层500埋在其中。在本示例性实施例中，覆盖层700可设置在主体100的第一表面至第五表面上，并且可覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的另一端以与绝缘层600接触。覆盖层700可覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的另一端，以防止第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524与外电极300的延伸部320和外电极400的延伸部420之间的电连接。另外，覆盖层700可防止屏蔽层500电连接到另一外部电子组件。
覆盖层700可包括诸如聚苯乙烯、乙酸乙烯酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、橡胶或丙烯酸的热塑性树脂、诸如酚类、环氧树脂、聚氨酯、三聚氰胺或醇酸树脂的热固性树脂和感光绝缘树脂中的至少一种。
作为示例，覆盖层700可通过如下步骤而与绝缘层600和屏蔽层500同时形成：将包括绝缘膜、屏蔽膜和覆盖膜的屏蔽片设置为面对主体100然后在主体100上堆叠屏蔽片。作为另一示例，覆盖层700可通过如下步骤形成：将包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片堆叠在主体上然后在主体100上堆叠覆盖膜以覆盖屏蔽层500。作为另一示例，覆盖层700可通过利用诸如化学气相沉积(CVD)等的气相沉积在屏蔽层500上形成绝缘材料来形成在主体100的第一表面至第五表面上，并且可覆盖屏蔽层500。
覆盖层700可具有粘合功能。作为示例，覆盖膜可包括粘合成分以结合到包括绝缘膜、屏蔽膜和覆盖膜的屏蔽片中的屏蔽膜。
覆盖层700可按照10nm至100μm的厚度范围形成。当覆盖层700的厚度小于10nm时，绝缘性质会是弱的，使得外部电子组件和线圈组件之间会发生短路，并且当覆盖层700的厚度超过100μm时，会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度，这不利于线圈组件的小型化。
绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和可以为大于等于30nm且小于等于100μm。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和小于30nm时，会发生诸如电短路、线圈组件的特性(诸如，Q因子)降低等的问题，并且当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和超过100μm时，会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度，这不利于线圈组件的小型化。
另一方面，虽然图1至图2B中没有示出，但是与绝缘层600区分开的单独的附加绝缘层可形成在主体100的第一表面至第六表面的其上没有形成外电极300和400的区域上。也就是说，与绝缘层600区分开的单独的附加绝缘层可形成在主体100的第三表面至第五表面上以及主体的第六表面的没有形成延伸部320和420的区域上。在这种情况下，根据本示例性实施例的绝缘层600可形成在主体100的表面上以与附加绝缘层接触。在通过镀覆形成外电极300和400时，附加绝缘层可用作阻镀剂，但不限于此。
由于根据本公开的绝缘层600和覆盖层700设置在线圈组件自身中，因此在将线圈组件安装在印刷电路板上的工艺中，绝缘层600和覆盖层700可与使线圈组件和印刷电路板成型的模制材料区分开。因此，与模制材料不同，绝缘层600可不与印刷电路板接触，并且可不通过印刷电路板支撑和固定。另外，与围绕使线圈组件和印刷电路板彼此连接的诸如焊球的连接构件的模制材料不同，根据本公开的绝缘层600和覆盖层700可不围绕连接构件。另外，由于根据本公开的绝缘层600不是通过加热环氧塑封料(EMC)等、将EMC移动到印刷电路板上然后使EMC硬化形成的模制材料，因此不需要考虑在形成模制材料时空隙的产生、由于模制材料的热膨胀系数(CTE)和印刷电路板的CTE之间的差而引起的印刷电路板的翘曲的发生等。
另外，由于根据本公开的屏蔽层500设置在线圈组件自身中，因此屏蔽层500可与在将线圈组件安装在印刷电路板上之后结合到印刷电路板以屏蔽电磁干扰(EMI)的屏蔽罩等区分开。作为示例，与屏蔽罩不同，可不考虑将根据本公开的屏蔽层500连接到印刷电路板的接地层。
在根据本示例性实施例的线圈组件中，可通过在线圈组件自身中形成屏蔽层500来更有效地阻挡在线圈组件中产生的漏磁通。也就是说，根据电子装置的薄型化和性能改善，包括在电子装置中的电子组件的总数已经增大并且相邻的电子组件之间的距离已经减小。然而，在本公开中，可屏蔽相应的线圈组件自身，从而可更有效地阻挡在相应的线圈组件中产生的漏磁通，这可更有利于电子装置的薄型化和性能改善。另外，与使用屏蔽罩的情况相比，可增大屏蔽区域中的有效磁性材料的量，因此可改善线圈组件的特性。
第二示例性实施例
图3是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
参照图1至图3，根据本示例性实施例的线圈组件2000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000的不同之处可在于盖部510。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例的盖部不同的盖部510。本公开中的第一示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
参照图3，盖部510的中央部可按照比盖部510的外侧部的厚度T2大的厚度T1形成。这将详细地描述。
构成根据本示例性实施例的线圈部200的相应的线圈图案211和212可分别在内绝缘层IL的相对表面上从内绝缘层IL的中央到内绝缘层IL的外侧形成多个匝，并且可沿着主体100的厚度方向(T)堆叠并且通过过孔220彼此连接。结果，在根据本示例性实施例的线圈组件2000中，磁通密度可在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的长度方向(L)-宽度方向(W)平面的中央部处是最高的。因此，在本示例性实施例中，在形成设置在主体100的大体上平行于主体100的长度方向(L)-宽度方向(W)平面的第五表面上的盖部510时，考虑到在主体100的长度方向(L)-宽度方向(W)平面上的磁通密度分布，盖部510的中央部可按照比盖部510的外侧部的厚度T2大的厚度T1形成。
按照这种方式，在根据本示例性实施例的线圈组件2000中，盖部510可根据磁通密度分布而按照不同的厚度形成以更有效地减小漏磁通。
第三示例性实施例
图4是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。图5是示出根据本公开中的第三示例性实施例的变型示例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
参照图1至图5，根据本示例性实施例的线圈组件3000和根据本示例性实施例的变型示例的线圈组件3000A与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000和第二示例性实施例的线圈组件2000的不同之处可在于盖部510以及侧壁部521、522、523和524。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的盖部510以及侧壁部521、522、523和524不同的盖部510以及侧壁部521、522、523和524。本公开中的第一示例性实施例或第二示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
参照图4，盖部510的厚度T3可大于侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度T4。
如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向(T)上产生磁场。结果，在主体100的厚度方向(T)上泄漏的磁通量可大于在其他方向上泄漏的磁通量。因此，设置在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的第五表面上的盖部510可按照比设置在主体100的壁上的侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度大的厚度形成，以更有效地减小漏磁通。
作为示例，盖部510可通过如下步骤来按照比侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度大的厚度形成：使用包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片在主体100的第一表面至第五表面上形成屏蔽层并且仅在主体100的第五表面上附加地形成屏蔽材料。作为另一示例，盖部510可通过如下步骤来按照比侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度大的厚度形成：将主体100设置为使得主体100的第五表面面对目标然后执行用于形成屏蔽层500的溅射。然而，本示例性实施例的范围不局限于上面描述的示例。
参照图4和图5，在盖部510按照比侧壁部521、522、523和524中的每个的厚度T4大的厚度T3形成的情况下，侧壁部521、522、523和524中的每个的一端的厚度T5可大于侧壁部的另一端的厚度。这里，侧壁部可包括第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524。
作为示例，当盖部510和侧壁部521、522、523和524通过镀覆形成时，电流密度会由于主体100的在主体100的第五表面与主体100的第一表面至第四表面彼此连接处的边缘部(即，形成有侧壁部的一端的区域)的边缘形状而集中。因此，侧壁部的一端可按照相对大于侧壁部的另一端的厚度的厚度形成。作为另一示例，侧壁部的一端可通过如下步骤来按照相对大于侧壁部的另一端的厚度的厚度形成：将主体100设置为使得主体100的第五表面面对目标然后执行用于形成屏蔽层500的溅射。然而，本变型示例的范围不局限于上述示例。
按照这种方式，在根据本示例性实施例的线圈组件3000和根据本示例性实施例的变型示例的线圈组件3000A中，考虑到通过线圈部200形成的磁场的方向，可有效地减小漏磁通。
第四示例性实施例
图6是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取截面图相对应的截面图。
参照图1至图6，根据本示例性实施例的线圈组件4000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000和第三示例性实施例的线圈组件3000的不同之处可在于覆盖层700以及外电极300和400。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的覆盖层700以及外电极300和400不同的覆盖层700以及外电极300和400。本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
参照图6，根据本示例性实施例的覆盖层700可形成在主体100的第一表面至第六表面上以覆盖屏蔽层500。也就是说，覆盖层700可覆盖外电极300的延伸部320和外电极400的延伸部420，覆盖层700具有其中设置有外电极的以下将描述的贯穿部的开口。另外，参照图6，根据本示例性实施例的外电极300和400还可包括贯穿覆盖层700并且分别连接到延伸部320和420的贯穿部330和430。
覆盖层700可包括感光绝缘树脂，但不限于此。当覆盖层700包括感光绝缘树脂时，可通过光刻法形成其中形成有贯穿部330和430的孔。
在根据本示例性实施例的外电极300和400中，连接部310和410以及延伸部320和420可包括铜镀层并且可彼此一体地形成，贯穿部330和430可包括锡和镍中的至少一种。作为示例，贯穿部330和430可分别包括与延伸部320和420接触的镍镀层和形成在镍镀层上的锡镀层。
按照这种方式，在根据本示例性实施例的线圈组件4000中，可更有效地防止屏蔽层500与外电极300和400和/或外部电子组件的电连接。
第五示例性实施例
图7A是示出根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的示意性透视图。图7B是沿着图7A的LT平面截取的截面图。
参照图1至图7B，根据本示例性实施例的线圈组件5000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000、第三示例性实施例的线圈组件3000和第四示例性实施例的线圈组件4000的区别可在于屏蔽层500的结构。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的屏蔽层500不同的屏蔽层500。本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
详细地，在本示例性实施例中，屏蔽层500可仅包括盖部510。
如上所述，在本公开中的另一示例性实施例中，在线圈部200中，会在主体100的厚度方向(T)上产生最大的漏磁通。因此，在本示例性实施例中，屏蔽层500可仅形成在主体100的垂直于主体100的厚度方向(T)的第五表面上，以更简单和有效地阻挡漏磁通。
第六示例性实施例
图8A是示出根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。图8B是示出根据本公开中的第六示例性实施例的变型示例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
参照图1至图8B，根据本示例性实施例的线圈组件6000和本示例性实施例的变型示例的线圈组件6000A与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000、第三示例性实施例的线圈组件3000、第四示例性实施例的线圈组件4000和第五示例性实施例的线圈组件5000的不同之处可在于屏蔽层500A和500B。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例的屏蔽层不同的屏蔽层500A和500B。本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
在本示例性实施例中，屏蔽层500A和500B可以为通过第二绝缘层620彼此分开的多个层。详细地，屏蔽层500A和500B可包括通过第二绝缘层620彼此分开的第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B。
第一屏蔽层500A可设置在主体的第五表面(主体100的另一表面)上。第一绝缘层610可设置在主体100的另一表面和第一屏蔽层500A之间。
第一屏蔽层500A可包括磁性材料。作为示例，第一屏蔽层500A可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种。
第二屏蔽层500B可设置在第一屏蔽层500A的上方，并且可设置在主体100的多个壁中的每个上。也就是说，第二屏蔽层500B可具有屏蔽主体100的如上所述的五个表面的结构。
第二屏蔽层500B可包括导体。作为示例，第二屏蔽层500B可以为包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种的金属或合金，并且可以为Fe-Si或Fe-Ni。
由于第二绝缘层620设置在第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B之间，因此与第二屏蔽层500B类似，第二绝缘层620可设置在主体100的第一表面至第五表面中的每个上。也就是说，第二绝缘层620可覆盖主体100的六个表面中的五个表面。
在本示例性实施例中，可实现通过包括磁性材料的第一屏蔽层500A的吸收屏蔽效果和通过包括导体的第二屏蔽层500B的反射屏蔽效果两者。也就是说，在1MHz或更低的低频带中，可通过第一屏蔽层吸收和屏蔽漏磁通，在超过1MHz的高频带中，漏磁通可通过第二屏蔽层反射和屏蔽。因此，在根据本示例性实施例的线圈组件6000中，可在相对宽的频带中屏蔽漏磁通。
另一方面，虽然图8A中示出了包括磁性材料的屏蔽层为第一屏蔽层500A并且第一屏蔽层500A设置在包括导体的屏蔽层500B的内部的情况，但是这仅是示例。也就是说，如在图8B中示出的本示例性实施例的变型示例中，包括磁性材料的屏蔽层还可设置在包括导体的屏蔽层500A的外部。在这种情况下，包括磁性材料的屏蔽层可以为第二屏蔽层500B。
第七示例性实施例
图9是示出根据本公开中的第七示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
参照图1至图9，根据本示例性实施例的线圈组件7000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000、第二示例性实施例的线圈组件2000、第三示例性实施例的线圈组件3000、第四示例性实施例的线圈组件4000、第五示例性实施例的线圈组件5000和第六示例性实施例的线圈组件6000不同之处可在于屏蔽层500的结构。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第六示例性实施例的屏蔽层不同的屏蔽层500。本公开中的第一示例性实施例至第六示例性实施例中的其他组件的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他组件。
参照图9，根据本示例性实施例的屏蔽层500可形成为双层结构。
在本示例性实施例中，屏蔽层500A和500B可形成为双层结构，因此，穿过设置为相对邻近主体100的第一屏蔽层500A的漏磁通可被设置为与主体100相对分开的第二屏蔽层500B屏蔽。因此，在根据本示例性实施例的线圈组件7000中，可更有效地阻挡漏磁通。
另外，在本示例性实施例中，屏蔽层500A和500B两者可形成在主体100的第一表面至第五表面中的每个上。也就是说，根据本示例性实施例的双屏蔽层两者可跨越主体的五个表面而形成。
第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B中的每个可利用导体形成，但不限于此。
另外，在本示例性实施例中，绝缘层610和620的数量可以为多个。第一绝缘层610可形成在主体100和第一屏蔽层500A之间，并且第二绝缘层620可形成在第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B之间。由于第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B中的每个形成在主体100的第一表面至第五表面上，因此第一绝缘层610和第二绝缘层620两者可设置在主体100的第一表面至第五表面上。
形成在第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B之间的第二绝缘层620可用作从第二屏蔽层500B反射的噪声的波导。
变型示例
图10A至图12是示出本公开中的第一变型示例至第三变型示例的示意图。详细地，图10A是示出根据第一变型示例的线圈组件的透视图，图10B是沿着图10A的LT平面截取的截面图，图10C是沿着图10A的WT平面截取的截面图。图11A是示出根据第二变型示例的线圈组件的透视图，图11B是沿着图11A的LT平面截取的截面图，图11C是沿着图11A的WT平面截取的截面图。图12是示出根据第三变型示例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
参照图10A至图12，根据本公开的线圈组件可具有外电极的形状被变型的根据第一变型示例的线圈组件1000A、根据第二变型示例的线圈组件1000B和根据第三变型示例的线圈组件1000C。
详细地，参照图10A至图10C，在根据本公开中的第一变型示例的线圈组件1000A中，外电极300和400还可分别包括从连接部310延伸到主体100的第五表面的带部340和从连接部410延伸到主体100的第五表面的带部440。作为示例，第一外电极300还可包括从第一连接部310延伸到主体100的第五表面的第一带部340，第二外电极400还可包括从第二连接部410延伸到主体100的第五表面的第二带部440。也就是说，在本变型示例中，外电极300和400可以为具有“匚”形的电极。
参照图11A至图11C，在根据本公开中的第二变型示例的线圈组件1000B中，外电极300和400还可分别包括从连接部310延伸到主体100的第三表面至第五表面的带部340和从连接部410延伸到主体100的第三表面至第五表面的带部440。作为示例，第一外电极300还可包括从第一连接部310延伸到主体100的第三表面至第五表面的第一带部340，第二外电极400还可包括从第二连接部410延伸到主体100的第三表面至第五表面的第二带部440。也就是说，在本变型示例中，外电极300和400可以为五面电极。
参照图12，在根据本公开中的第三变型示例的线圈组件1000C中，外电极300和400可仅形成在主体100的第六表面上。在这种情况下，第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部没有分别暴露到主体100的第一表面和第二表面，而是可暴露到主体100的第六表面并且分别连接到第一外电极300和第二外电极400。第二线圈图案212的端部可贯穿内绝缘层IL和主体100，并且可暴露到主体100的第六表面。第一线圈图案211的端部可贯穿主体100，并且可暴露到主体100的第六表面。
图13是示出本公开中的第四变型示例的示意图。
根据本公开的线圈组件可具有根据第四变型示例的线圈部200的形式被变型的线圈组件1000D。
详细地，参照图13，根据本变型示例的线圈部200可形成为多个线圈图案211、212和213沿着主体的厚度方向(T)堆叠的结构。这里，多个线圈图案211、212和213可通过在主体的厚度方向(T)上形成的连接过孔(未示出)彼此连接，以构成一个线圈部200。
根据本变型示例的线圈组件1000D可不包括根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的内绝缘层和绝缘膜。
在本变型示例中，可通过堆叠涂覆有用于形成将在下面描述的线圈部200的导电膏的多个磁性复合片来形成主体100。在这种情况下，可在构成主体的磁性复合片的至少部分中钻出用于形成连接过孔的通路孔。与线圈部类似，可通过涂覆导电膏形成通路孔。
虽然未示出，但是具有如下线圈部的线圈组件也可包括在本公开中的变型示例中：通过沿着主体的长度方向或者宽度方向顺序地堆叠形成为垂直于主体的第六表面的相应的线圈图案而形成的线圈部。
另外，虽然图10A至图13示出了根据本公开中的与本公开中的第一示例性实施例相关的变型示例的线圈组件1000A、1000B、1000C和1000D，但是上述变型示例可类似地应用于本公开中的第二示例性实施例至第七示例性实施例。
如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，可减小线圈组件的漏磁通。
另外，可减小线圈组件的漏磁通，并且可大体上保持线圈组件的特性。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (29)

1.一种线圈组件，包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面并且包括磁性金属粉末颗粒；
线圈部，包括具有围绕所述一个方向的至少一匝的线圈图案并且嵌在所述主体中；
外电极，设置在所述主体的所述一个表面上并且连接到所述线圈部；
屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；
绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间；以及
覆盖层，设置在所述屏蔽层上并防止所述屏蔽层电连接到另一外部电子组件，
其中，所述覆盖层覆盖所述屏蔽层的端表面以与所述绝缘层一起封闭所述屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层在所述主体的所述另一表面的中央部的厚度大于所述屏蔽层在所述主体的所述另一表面的外侧部的厚度。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括：
盖部，设置在所述主体的所述另一表面上；以及
侧壁部，连接到所述盖部并且设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的壁上。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述盖部和所述侧壁部为一个整体件。
5.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述盖部和所述侧壁部之间的连接部具有弯曲表面形状。
6.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。
7.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述主体的壁的数量为多个并且所述侧壁部的数量为多个，并且
多个侧壁部分别设置在所述主体的多个壁上。
8.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述多个侧壁部为一个整体件。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述多个侧壁部和所述盖部为一个整体件。
10.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述多个侧壁部包括分别设置在所述主体的所述多个壁中的任意一个壁和另一个壁上的第一侧壁部和第二侧壁部，
所述第一侧壁部和所述第二侧壁部中的每个具有连接到所述盖部的一端和与所述一端相对的另一端，并且
从所述主体的所述一个表面到所述第一侧壁部的所述另一端的距离和从所述主体的所述一个表面到所述第二侧壁部的所述另一端的距离彼此不同。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈图案的数量为多个，并且
多个线圈图案在所述一个方向上堆叠并且彼此连接。
12.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括内绝缘层，
其中，所述线圈部包括在所述一个方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案以及使所述第一线圈图案和所述第二线圈图案彼此连接的过孔，并且
所述内绝缘层设置在所述第一线圈图案和所述第二线圈图案之间，并且所述过孔贯穿所述内绝缘层。
13.根据权利要求12所述的线圈组件，所述线圈组件还包括沿着所述第一线圈图案的表面、所述内绝缘层的表面和所述第二线圈图案的表面形成的绝缘膜。
14.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括导体和磁性材料中的至少一者。
15.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘层将所述屏蔽层粘合到所述主体。
16.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括：
第一屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面以及使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上；以及
第二屏蔽层，设置在所述第一屏蔽层上，并设置在所述主体的所述另一表面以及使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上，并且
所述绝缘层包括：
第一绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述主体之间；以及
第二绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间。
17.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述覆盖层延伸到所述主体的所述一个表面并且具有开口，所述开口中设置有所述外电极的贯穿部。
18.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘层、所述屏蔽层和所述覆盖层的厚度的总和为大于等于30nm且小于等于100μm。
19.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括：
第一屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及
第二屏蔽层，设置在所述第一屏蔽层上；并且
所述绝缘层包括：
第一绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述主体之间；以及
第二绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间。
20.根据权利要求19所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层包括磁性材料，并且
所述第二屏蔽层包括导体并且还设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上。
21.根据权利要求19所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层包括导体并且还设置在所述主体的使所述主体的所述一个表面和所述主体的所述另一表面彼此连接的多个壁中的每个上，并且
所述第二屏蔽层包括磁性材料。
22.一种线圈组件，包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的壁，并且包括磁性金属粉末颗粒；
线圈部，嵌在所述主体中并且包括在所述一个方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个表面上以彼此分开并且分别连接到所述第一线圈图案和所述第二线圈图案；
屏蔽层，包括设置在所述主体的所述另一表面上的盖部和设置在所述主体的所述壁上的侧壁部；
外绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间以及所述第一外电极和所述第二外电极与所述屏蔽层之间；以及
覆盖层，设置在所述屏蔽层上以覆盖所述屏蔽层并且连接到所述外绝缘层，所述覆盖层防止所述屏蔽层电连接到另一外部电子组件，
其中，所述覆盖层覆盖所述屏蔽层的端表面以与所述外绝缘层一起封闭所述屏蔽层。
23.一种线圈组件，包括：
主体；
线圈部，嵌在所述主体中；
外电极，设置在所述主体的至少下表面上并且连接到所述线圈部；
屏蔽层，覆盖所述主体的至少一部分；
绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间；以及
覆盖层，设置在所述屏蔽层上并防止所述屏蔽层电连接到另一外部电子组件，
其中，所述屏蔽层和所述外电极之间的距离为大于等于10nm且小于等于100μm，
其中，所述覆盖层覆盖所述屏蔽层的端表面以与所述绝缘层一起封闭所述屏蔽层。
24.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述外电极包括设置在所述主体和所述绝缘层之间的连接部以及从设置在所述主体的侧表面上的所述连接部延伸到所述主体的所述下表面的延伸部。
25.根据权利要求23所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括覆盖所述主体的侧表面的侧壁部和从所述侧壁部延伸到所述主体的与所述下表面相对的上表面上的盖部。
26.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层的所述侧壁部的厚度小于所述屏蔽层的所述盖部的厚度。
27.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层的所述盖部的中央部比所述屏蔽层的所述盖部的外侧部厚。
28.根据权利要求25所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层的所述侧壁部的厚度在从所述主体的所述下表面到所述上表面的方向上增大。
29.一种线圈组件，包括：
主体，具有在所述主体的第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在所述主体的第二方向上彼此相对并且使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面以及在所述主体的第三方向上彼此相对并且使所述第一表面和所述第二表面彼此连接并使所述第三表面和所述第四表面彼此连接的第五表面和第六表面；
线圈部，包括具有围绕所述第三方向的至少一匝的线圈图案并且嵌在所述主体中；
外电极，设置在所述主体的所述第六表面上并且连接到所述线圈部；
屏蔽层，覆盖所述主体的所述第一表面至所述第五表面；
绝缘层，设置在所述主体和所述屏蔽层之间；以及
覆盖层，设置在所述屏蔽层上并防止所述屏蔽层电连接到另一外部电子组件，
其中，所述覆盖层覆盖所述屏蔽层的端表面以与所述绝缘层一起封闭所述屏蔽层。
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