CN110739139B - 线圈组件 - Google Patents
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- H01F2017/008—Electric or magnetic shielding of printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
- H01F2017/048—Fixed inductances of the signal type with magnetic core with encapsulating core, e.g. made of resin and magnetic powder
Abstract
本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面，以及各自将所述一个表面和所述另一表面连接的多个壁；线圈部，埋在所述主体中，并具有暴露于所述主体的所述多个壁中的一个壁的两个端部；第一外电极和第二外电极，分别包括第一端电极和第一连接电极以及第二端电极和第二连接电极，所述第一端电极和所述第二端电极设置在所述主体的所述一个表面上并且彼此间隔开，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别将所述第一端电极和所述第二端电极连接到所述线圈部的所述两个端部；第一外绝缘层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及第一屏蔽层，设置在所述第一外绝缘层上。
Description
本申请要求于2018年7月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0083387号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是代表性的无源电子组件，其与电阻器和电容器一起用于电子装置中。
由于电子装置被设计为具有更高的性能并且尺寸减小，因此在电子装置中使用的电子组件已增加数量并且尺寸减小。
因此，已逐渐增加对于在电子组件中去除诸如电磁干扰(EMI)的引起噪声的因素的需求。
目前使用的EMI屏蔽技术是在将电子组件安装在基板上后，使用屏蔽罩包封电子组件和基板。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种具有减小的尺寸和厚度的线圈组件。
本公开的另一方面在于提供一种电极结构可容易地形成在下表面上的线圈组件。
本公开的另一方面在于提供一种可容易地形成能够减小漏磁通的屏蔽结构的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面，以及各自将所述一个表面和所述另一表面连接的多个壁；线圈部，埋在所述主体中，并具有暴露于所述主体的所述多个壁中的一个壁的两个端部；第一外电极和第二外电极，分别包括第一端电极和第一连接电极以及第二端电极和第二连接电极，所述第一端电极和所述第二端电极设置在所述主体的所述一个表面上并且彼此间隔开，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别将所述第一端电极和所述第二端电极连接到所述线圈部的所述两个端部；第一外绝缘层，设置在所述主体的所述另一表面上；以及第一屏蔽层，设置在所述第一外绝缘层上。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，包括树脂和分散在所述树脂中的磁性金属粉末，并且具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及连接所述一个表面和所述另一表面的多个壁；线圈部，包括线圈图案，围绕沿所述一个方向的轴形成至少一匝；以及第一引出部和第二引出部，从所述线圈图案延伸并一起暴露于所述主体的所述多个壁中的一个壁，并且所述线圈部埋在主体中；屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个壁上并彼此间隔开，分别连接到所述第一引出部和所述第二引出部并延伸到所述主体的所述一个表面；以及第三外电极，设置在所述主体的所述一个壁上并与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开，连接到所述屏蔽层，并延伸到所述主体的所述一个表面。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的示意性透视图；
图2是示出省略图1中所示的一些元件的线圈组件的示图；
图3是示出图2中所示的主体的第三表面的示图；
图4是沿图1中的线I-I'截取的截面图；
图5是沿图1中的线II-II'截取的截面图；
图6是沿图4中的线III-III'截取的截面图；
图7是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的示图；
图8是示出省略图7中所示的一些元件的线圈组件的示图；
图9是示出图8中所示的主体的第三表面的示图；
图10是沿图7中的线IV-IV'截取的截面图；以及
图11是沿图7中的线V-V'截取的截面图。
具体实施方式
在下文中，将在以下参照附图描述本公开的实施例。
示例性实施例中使用的术语仅用于描述示例性实施例，而非意于限制本公开。除非另外指示，否则单数形式包括复数形式。说明书中的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，并且不排除组合或增加一个或更多个特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”，“位于……上”等可表明元件位于物体的上方或下方，并且不必然意味着元件参照重力方向位于物体上。
术语“结合到”、“组合到”等可不仅表明元件直接地和物理地彼此接触，而且也包括其它元件介于这些元件之间使得这些元件也与其他元件接触的构造。
为便于描述，作为示例表示了附图中示出的元件的尺寸和厚度，并且本公开中的示例性实施例不限于此。
在附图中，L方向是第一方向或长度方向、W方向是第二方向或宽度方向、T方向是第三方向或厚度方向。
在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件之间使用各种类型的线圈组件以去除噪声或用于其它目的。
换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频电感器，普通磁珠、高频磁珠、共模滤波器等。
第一实施例
图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的示意性透视图。图2是示出省略图1中所示的一些元件的线圈组件的示图。图3是示出图2中所示的主体的第三表面的示图。图4是沿图1中的线I-I'截取的截面图。图5是沿图1中的线II-II'截取的截面图。图6是沿图4中的线III-III'截取的截面图。关于图2，图2示出了省略覆盖绝缘层630、第三屏蔽层730和覆盖层800的线圈组件。
参照图1至图6，根据示例性实施例的线圈组件1000可包括：主体100，线圈部200，外电极300、400和500，外绝缘层610，下绝缘层640，屏蔽层710和730以及覆盖绝缘层630，并且线圈组件1000还可包括内部绝缘层IL。
主体100可形成线圈组件1000的外部，并且可将线圈部200埋入主体100中。
主体100可具有六面体形状。
参照图2，主体100可包括在长度方向L上彼此相对的第一表面101和第二表面102，在宽度方向W上彼此相对的第三表面103和第四表面104，以及在厚度方向T上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可以是主体100的壁，连接主体100的第五表面105和第六表面106。在下面的描述中，“主体的前表面和后表面二者”可指第一表面101和第二表面102，并且“主体的两个侧表面”可指主体的第三表面103和第四表面104。
作为示例，主体100可被构造为使得在主体100上形成有外电极300、400和500的线圈组件1000可具有为2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但线圈组件1000的示例性实施例不限于此。在一个实施例中，线圈组件1000的长度为1.9mm、1.8mm、1.7mm、1.6mm或1.5mm。在一个实施例中，线圈组件1000的宽度为1.1mm、1.0mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm或0.6mm。在一个实施例中，线圈组件的厚度为0.60mm、0.55mm、0.50mm、0.45mm、0.40mm、0.35mm或0.30mm。
主体100可包括磁性材料和树脂材料。例如，主体100可通过层叠一个或更多个磁性复合片来形成，磁性复合片包括分散在树脂中的磁性材料。可选地，主体100可具有与磁性材料分散在树脂中的结构不同的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。
铁氧体可包括例如以下材料中的一种或更多种材料：诸如Mg-Zn铁氧体、Mn-Zn铁氧体、Mn-Mg铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Mg-Mn-Sr铁氧体、Ni-Zn铁氧体等的尖晶石铁氧体，诸如Ba-Zn铁氧体、Ba-Mg铁氧体、Ba-Ni铁氧体、Ba-Co铁氧体、Ba-Ni-Co铁氧体等的六方晶系铁氧体，诸如钇(Y)铁氧体的石榴石铁氧体和锂(Li)铁氧体。
磁性金属粉末可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Al合金粉末、Fe-Ni合金粉末、Fe-Ni-Mo合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu合金粉末、Fe-Co合金粉末、Fe-Ni-Co合金粉末、Fe-Cr合金粉末、Fe-Cr-Si合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb合金粉末、Fe-Ni-Cr合金粉末和Fe-Cr-Al合金粉末中的一种或更多种材料。
磁性金属粉末可以是非晶态的或晶态的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr非晶合金粉末，但是磁性金属粉末的示例性实施例不限于此。
铁氧体和磁性金属粉末可具有0.1μm至30μm的平均直径，但是平均直径的示例不限于此。在一个实施例中，铁氧体或磁性金属粉末的平均直径为0.5μm、1μm、5μm、10μm、15μm、20μm或25μm。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型磁性材料。磁性材料的类型不同的概念可表明磁性材料中的一种的平均直径、组成、结晶度和形式中的一者与其它磁性材料的平均直径、组成、结晶度和形式中的一者不同。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物和它们的混合物中的一种，但树脂的示例不限于此。
主体100可包括贯穿线圈部200的芯110(稍后将描述)。芯110可通过填充线圈部200的通孔来形成，但其示例性实施例不限于此。
内部绝缘层IL可埋在主体100中。内部绝缘层IL可支撑线圈部200。
内部绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中用上述这样的绝缘树脂浸渍诸如玻璃纤维等增强材料或无机填料的绝缘材料形成。例如，内部绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、可光成像电介质(PID)等的绝缘材料形成，但是内部绝缘层的材料的示例不限于此。
可使用从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥浆、云母粉、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料作为无机填料。
当内部绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内部绝缘层IL可提供改善的刚度。当内部绝缘层IL利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成时，可期望内部绝缘层IL减小线圈部200的总厚度。当内部绝缘层IL利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈部200的工艺的数量，使得可降低制造成本并且可形成精细的过孔。
线圈部200可埋在主体100中，并且可体现线圈组件的性能。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可将电场存储为磁场使得可保持输出电压，从而稳定电子装置的电力。
线圈部200可包括第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部232以及过孔220，并且第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部232以及过孔220可彼此连接，并且可一起作用为一个线圈。
例如，参照图1至图5，第一线圈图案211和第一引出部231可设置在内部绝缘层IL的与主体100的第六表面106相对的下表面上，并且第二线圈图案212和第二引出部232可设置在内部绝缘层IL的与内部绝缘层IL的下表面相对的上表面上。第一引出部231和第二引出部232可分别对应于第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部，并且可分别接触和连接到第一外电极300的第一连接电极310和第二外电极400的第二连接电极410。过孔220可贯穿内部绝缘层IL并且可与第一线圈图案211和第二线圈图案212接触，并且可将第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此连接。
第一线圈图案211和第二线圈图案212均可具有围绕芯110作为轴形成至少一匝的平面螺旋形状。例如，第一线圈图案211可在内部绝缘层IL的下表面上围绕芯110作为轴形成至少一匝。
第一引出部231和第二引出部232可从第一线圈图案211和第二线圈图案212延伸到并暴露于主体100的多个壁中的一个壁。例如，参照图1至图6，第一引出部231和第二引出部232可从第一线圈图案211和第二线圈图案212延伸到主体100的第三表面103，并且可一起暴露于主体的第三表面103，同时彼此间隔开。因此，示例性实施例中的结构可与第一引出部和第二引出部延伸到主体的彼此相对的两个壁的一般线圈结构不同。
第一引出部231和第二引出部232均可包括一个或更多个狭缝。作为示例，第一引出部231可包括两个狭缝使得第一引出部231可具有类似于如图6及其它示图中所示的叉子的形状。当狭缝形成在第一引出部231和第二引出部232中时，可增加第一引出部231和第二引出部232与主体100之间的接触面积。因此，可改善线圈部200和主体100之间的结合力。
第一线圈图案211和第二线圈图案212、过孔220以及第一引出部231和第二引出部232中的至少一个可包括导电层。
作为示例，当第二线圈图案212和过孔220通过镀覆工艺形成在内部绝缘层IL的另一表面上时，第二线圈图案212和过孔220均可包括诸如无电镀层的种子层和电镀层等。电镀层可具有单层结构或可具有多层结构。具有多层结构的电镀层可具有电镀层中的一个被其它电镀层覆盖的共形膜结构，或者可具有电镀层中的一个设置在其它电镀层的一个表面上的形式。第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层可彼此一体化使得在种子层之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
作为另一示例，参照图1至图5，当设置在内部绝缘层IL的下表面上的第一线圈图案211和第一引出部231以及设置在内部绝缘层IL的上表面上的第二线圈图案212和第二引出部232独立地形成，并且线圈部200通过在内部绝缘层IL上层叠第一线圈图案211、第一引出部231、第二线圈图案212和第二引出部232来形成时，过孔220可包括具有高熔点的金属层以及具有相对地低于具有高熔点的金属层的熔点的低熔点的金属层。具有低熔点的金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。具有低熔点的金属层可具有由于在层叠工艺中产生的压力和温度而熔化的至少一部分。例如，金属间化合物层(IMC层)可形成在具有低熔点的金属层和第二线圈图案212之间。
此外，作为示例，如图4和图5中所示，第一线圈图案211和第一引出部231以及第二线圈图案212和第二引出部232可分别形成在内部绝缘层IL的下表面和上表面上并从内部绝缘层IL的下表面和上表面突出。作为另一示例，第一线圈图案211和第一引出部231可形成在内部绝缘层IL的下表面上并从内部绝缘层IL的下表面突出，并且第二线圈图案212和第二引出部232可埋在内部绝缘层IL的上表面中，并且第二线圈图案212和第二引出部232的上表面可暴露于内部绝缘层IL的上表面。在这种情况下，凹部可形成在第二线圈图案212的上表面和/或第二引出部232的上表面上，使得内部绝缘层IL的上表面可不与第二线圈图案212的上表面和/或第二引出部232的上表面的共面。
第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部232以及过孔220均可利用诸如铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。
下绝缘层640和第一外绝缘层610可分别位于主体100的一个表面和另一表面上。例如，参照图1至图5，第一外绝缘层610可设置在主体100的第五表面上，并且下绝缘层640可设置在主体100的第六表面上。在一个实施例中，下绝缘层640可设置在主体100的所述一个表面或第五表面的整个表面上。在一个实施例中，下绝缘层640可设置在主体100的所述一个表面或第五表面的一部分上。在一个实施例中，第一外绝缘层610可设置在主体100的另一表面或第六表面的整个表面上。在一个实施例中，第一外绝缘层610可设置在主体100的另一表面或第六表面的一部分上。
下绝缘层640和第一外绝缘层610均可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)或者热固性树脂(诸如酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)。
下绝缘层640和第一外绝缘层610均可具有10nm至100μm的厚度。当下绝缘层640和第一外绝缘层610的厚度小于10nm时，可能会降低线圈组件的诸如Q因子等的性能。当下绝缘层640和第一外绝缘层610的厚度大于100μm时，可能会增加线圈组件的总的长度、宽度和厚度，使得会难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，下绝缘层640的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。在一个实施例中，第一外绝缘层610的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
下绝缘层640和第一外绝缘层610均可通过在主体100的第六表面106和第五表面105上层叠诸如ABF的绝缘膜形成，但其示例性实施例不限于此。下绝缘层640和第一外绝缘层610也均可通过层叠诸如干膜的感光绝缘材料形成。作为另一示例，下绝缘层640可通过以下方法形成：在绝缘膜的一个表面上设置形成有金属膜的中间材料(诸如树脂涂覆铜(RCC))，使得绝缘膜的另一表面面向主体100的第六表面106，以及层叠中间材料。在这种情况下，中间材料的金属膜可在通过选择性去除工艺后成为第一外电极300的第一端电极320、第二外电极400的第二端电极420和第三外电极500的第三端电极520。此外，第一外绝缘层610可通过以下方法形成：在绝缘膜的一个表面上设置形成有金属膜的中间材料(诸如树脂涂覆铜(RCC))，使得绝缘膜的另一表面面向主体100的第五表面105，以及层叠中间材料。在这种情况下，中间材料的金属膜可变成第一屏蔽层710。
第一屏蔽层710可设置在第一外绝缘层610上，第一外绝缘层610设置在主体100的第五表面105上。在一个实施例中，第一屏蔽层710可设置在第一外绝缘层610的整个表面上。在一个实施例中，第一屏蔽层710可部分地设置在第一外绝缘层610上。根据示例性实施例，第一屏蔽层710可减少从线圈组件向外部泄漏的漏磁通。
第一屏蔽层710可包括至少一种导电材料和/或至少一种磁性材料。例如，导电材料可以是金属或合金，包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料，或者可以是Fe-Si或Fe-Ni。另外，第一屏蔽层710可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种材料。第一屏蔽层710可具有双层结构，具有包括导电材料的层和包括磁性材料的层，或者可具有包括导电材料和/或磁性材料的单层结构。
第一屏蔽层710可包括两个或更多个单独的精细结构。例如，第一屏蔽层710可利用分为彼此分离的多个片的非晶带片形成。
第一屏蔽层710可通过在主体100的第五表面105上层叠诸如ABF的绝缘膜形成，但其示例性实施例不限于此。作为示例，第一屏蔽层710可通过以下方法形成：在绝缘膜的一个表面上层叠形成有金属膜的中间材料(诸如树脂涂覆铜(RCC))，使得绝缘膜的另一表面面向主体100的第五表面105，或者在绝缘膜的一个表面上层叠形成有磁性膜的中间材料，使得绝缘膜的另一表面面向主体100的第五表面105；第一屏蔽层710可与第一外绝缘层610一起形成。可选地，第一屏蔽层710也可通过在主体100的第五表面105上层叠诸如ABF的绝缘膜和层叠包括导电材料和/或磁性材料的屏蔽膜形成在第一外绝缘层610上。
第一屏蔽层710可具有10nm至100μm的厚度。当第一屏蔽层710的厚度小于10nm时，可能会降低线圈组件的诸如Q因子等的性能。当第一屏蔽层710的厚度大于100μm时，可能会增加线圈组件的总的长度、宽度和厚度，使得会难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，第一屏蔽层710的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
第一外电极300和第二外电极400可连接到线圈部200。第一外电极300可连接到第一引出部231，并且第二外电极400可连接到第二引出部232。第一外电极300可包括：第一端电极320，设置在主体100的第六表面106上；以及第一连接电极310，设置在主体100的第三表面103上并将第一端电极320连接到第一引出部231。第二外电极400可包括：第二端电极420，设置在主体100的第六表面106上；以及第二连接电极410，设置在主体100的第三表面103上并将第二端电极420连接到第二引出部232。在示例性实施例中，下绝缘层640可设置在主体100的第六表面106上，因此，第一端电极320和第二端电极420可设置在下绝缘层640上。
第一端电极320和第二端电极420可通过选择性地去除形成在主体100的第六表面106上的金属膜形成。当第一端电极320和第二端电极420利用多个层形成时，第一端电极320和第二端电极420可包括通过选择性地去除金属膜形成的层。例如，当使用上述RCC时，第一端电极320和第二端电极420可通过选择性地去除RCC的铜膜形成。关于铜膜，与绝缘膜接触的一个表面的表面粗糙度可大于与所述一个表面相对的另一表面的表面粗糙度。因此，当使用RCC形成第一端电极320和第二端电极420时，由于第一端电极320和第二端电极420的下表面(线圈组件1000的安装表面)的表面粗糙度相对低，因此第一端电极320和第二端电极420可形成为平面的。
第一连接电极310和第二连接电极410可通过诸如溅射工艺的气相沉积工艺形成，或者可通过膏印刷工艺等形成。
外电极300和400可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。外电极300和400可形成为单层或多层。例如，第一外电极300的第一端电极320和第二外电极400的第二端电极420可顺序地形成在下绝缘层640上，并且可形成为包括铜(Cu)、镍(Ni)和锡(Sn)的三层，但其示例性实施例不限于此。
第三外电极500可包括：第三端电极520，设置在主体100的第六表面106上；以及第三连接电极510，设置在主体100的第三表面103以及第一外绝缘层610上并将第三端电极520连接到第一屏蔽层710。第三外电极500可与第一外电极300和第二外电极400间隔开，并且可不电连接到第一外电极300和第二外电极400。
第三端电极520和第三连接电极510可通过形成第一端电极320和第二端电极420以及第一连接电极310和第二连接电极410的工艺形成，并且可利用形成第一端电极320和第二端电极420以及第一连接电极310和第二连接电极410的材料形成。
当线圈组件1000安装在印刷电路板上时，第三端电极520可电连接到印刷电路板等的接地件。因此，第三外电极500可将累积在第一屏蔽层710上的电能转移到印刷电路板。
覆盖绝缘层630可覆盖第一屏蔽层710、第一连接电极310、第二连接电极410和第三连接电极510、主体100的第五表面105以及主体的多个壁(例如，第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104)。换句话说，第三屏蔽层730(稍后将描述)可设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上，并且覆盖绝缘层630可设置在第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105与第三屏蔽层730之间，以使第三屏蔽层730不与主体100和外电极300、400和500电连接。
覆盖绝缘层630可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)或者热固性树脂(诸如酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)。
覆盖绝缘层630可具有10nm至100μm的厚度。当覆盖绝缘层630的厚度小于10nm时，可能会降低线圈组件的诸如Q因子等的性能。当覆盖绝缘层630的厚度大于100μm时，可能会增加线圈组件的总的长度、宽度和厚度，使得会难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，覆盖绝缘层630的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。在一个实施例中，第一外绝缘层610的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
覆盖绝缘层630可通过在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105中的每个上层叠绝缘膜来形成。可选地，覆盖绝缘层630可通过利用诸如化学气相沉积的气相沉积工艺在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上沉积绝缘材料来形成。
第三屏蔽层730可设置在覆盖绝缘层630上，并且可设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105中的每个上。第三屏蔽层730可设置在主体100的除了主体的第六表面106之外的表面上，并用可减少线圈组件1000的漏磁通。第三屏蔽层730的分别设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104上的部分可被构造为使得所述第三屏蔽层730的部分的端部可不延伸到主体的第六表面与第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104之间的每个边缘区域。
第三屏蔽层730可包括导电材料和磁性材料中的至少一种。例如，导电材料可以是金属或合金，包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)或它们的合金组成的组中选择的一种或更多种材料，或者可以是Fe-Si或Fe-Ni。另外，第三屏蔽层730可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种材料。第三屏蔽层730可具有双层结构，具有包括导电材料的层和包括磁性材料的层，或者可具有包括导电材料和/或磁性材料的单层结构。
第三屏蔽层730可包括彼此分离的两个或更多个微结构。例如，第三屏蔽层730可利用分为多个片并且彼此分离的非晶带片形成。
第三屏蔽层730可通过诸如溅射工艺的气相沉积工艺形成，但其示例性实施例不限于此。
覆盖层800可形成在第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上并可覆盖第三屏蔽层730。覆盖层800可覆盖第三屏蔽层730的设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104上的部分的端部。换句话说，覆盖层800可连同绝缘层630一起覆盖第三屏蔽层730。
覆盖层800可通过气相沉积工艺等形成，但其示例性实施例不限于此。覆盖层800可包括：诸如聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等的热塑性树脂，或者诸如酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等的热固性树脂，感光树脂，聚对二甲苯，氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。
尽管未示出，根据示例性实施例的线圈组件1000还可包括沿第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部232以及内部绝缘层IL的表面形成的绝缘膜。绝缘膜可保护第一线圈图案211和第二线圈图案212以及第一引出部231和第二引出部232，可使第一线圈图案211和第二线圈图案212以及第一引出部231和第二引出部232与主体100绝缘，并且可包括公知的绝缘材料。包括在绝缘膜中的绝缘材料不限于任何具体的材料。绝缘膜可通过气相沉积工艺等形成，但其示例性实施例不限于此。绝缘膜还可通过在内部绝缘层IL的两个表面上层叠绝缘膜来形成。
在示例性实施例中，覆盖绝缘层630和覆盖层800可直接设置在线圈组件中，因此在将线圈组件安装在印刷电路板上的工艺中，覆盖绝缘层630和覆盖层800可与用于模制线圈组件和印刷电路基板的模制材料不同。例如，与模制材料不同，覆盖绝缘层630和覆盖层800可不与印刷电路基板接触。另外，与模制材料不同，覆盖绝缘层630和覆盖层800可不由印刷电路基板支撑或固定到印刷电路基板。此外，与模制材料围绕诸如焊球的将线圈组件与印刷电路基板连接的连接构件不同，覆盖绝缘层630和覆盖层800可不围绕连接构件。由于覆盖绝缘层630和覆盖层800不是通过加热环氧树脂模塑料等、让环氧树脂模塑料流到印刷电路板上以及执行固化工艺形成的模制材料，因此，可不必要考虑在形成模制材料的工艺期间出现的空隙或者由于模制材料和印刷电路板之间的热膨胀系数上的差异引起的印刷电路板的翘曲。
另外，在示例性实施例中，第一屏蔽层710、第二屏蔽层720和第三屏蔽层730可直接设置在线圈组件中，并且因此，第一屏蔽层710、第二屏蔽层720和第三屏蔽层730可与在将线圈组件安装到印刷电路板后结合到印刷电路板以屏蔽EMI的屏蔽罩等不同。例如，与一般屏蔽罩不同，第一屏蔽层710、第二屏蔽层720和第三屏蔽层730可不需要用于将第一屏蔽层710、第二屏蔽层720和第三屏蔽层730固定至印刷电路板的固定构件，并且可不直接与印刷电路板接触。在一个实施例中，本发明的线圈组件可具有多于三个的屏蔽层。
因此，在根据示例性实施例的线圈组件1000中，由于第一屏蔽层710、第二屏蔽层720和第三屏蔽层730直接形成在线圈组件1000中，线圈组件中发生的漏磁通可以以有效地方式被屏蔽。换句话说，近来，随着电子装置尺寸减小并且具有更高的性能，包括在电子装置中的电子组件的数量已被增加并且包括在电子装置中的相邻的电子组件的间距已被减小。在示例性实施例中，每个线圈组件被屏蔽使得发生在线圈组件中的漏磁通可被有效地屏蔽，从而减小电子组件的尺寸并实现高性能。此外，在线圈组件1000中，与使用屏蔽罩的构造相比，可增加在屏蔽区域中有效磁性材料的量，从而改善线圈组件的性能。
另外，在根据示例性实施例的线圈组件1000中，线圈组件的尺寸可显着减小，另一方面，将电极结构实现在下部中。换句话说，一般线圈组件可具有小于长度的宽度，然而在示例性实施例中，线圈组件可被构造为使得第一引出部231和第二引出部232(线圈部200的两个端部)可不分别暴露于主体100的在长度方向上彼此相对的前表面101和后表面102，而是可暴露于主体100的在宽度方向上彼此相对的两个表面103和104。因此，即使在形成外电极时，线圈组件的长度也不会增加。另外，第一引出部231和第二引出部232(线圈部200的两个端部)可暴露于主体100的两个表面103和104中的一个表面103，并且外电极可不必形成在主体100的另一表面104上，从而显着减小宽度的增加。
第二实施例
图7是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的示图。图8是示出省略图7中所示的一些元件的线圈组件的示图。图9是示出图8中所示的主体的第三表面的示图。图10是沿图7中的线IV-IV'截取的截面图。图11是沿图7中的线V-V'截取的截面图。关于图8，图8示出了省略了绝缘层630、第三屏蔽层730和覆盖层800的线圈组件的示例性实施例。
参照图1至图11，与前述示例性实施例中描述的线圈组件1000相比，根据示例性实施例的线圈组件2000还可包括第二外绝缘层620和第二屏蔽层720。因此，在示例性实施例中，将描述在前述示例性实施例中没有描述的第二外绝缘层620和第二屏蔽层720。关于示例性实施例中的其他元件，可类似地应用在前述示例性实施例中描述的元件的描述。
第二屏蔽层720可设置在第一屏蔽层710上。例如，在示例性实施例中，第一屏蔽层710可包括导电材料，并且第二屏蔽层720可包括磁性材料。第一屏蔽层710可利用诸如铜膜的金属膜形成，并且第二屏蔽层720可利用包括铁氧体等的屏蔽膜形成。
第二外绝缘层620可设置在第一屏蔽层710和第二屏蔽层720之间。因此，在示例性实施例中，在主体100的第五表面105上，可顺序地设置第一外绝缘层610、第一屏蔽层710、第二外绝缘层620和第二屏蔽层720。
示例性实施例中的第三外电极500的第三连接电极510可设置在主体100的第三表面103、第一外绝缘层610、第一屏蔽层710、第二外绝缘层620和第二屏蔽层720上。因此，第一屏蔽层710和第二屏蔽层720可电连接到第三端电极520。
在示例性实施例中，可实现通过第一屏蔽层710带来的反射屏蔽效果以及通过第二屏蔽层720带来的吸收屏蔽效果。换句话说，在1MHz或更低的低频带中，可使用第二屏蔽层720吸收并且屏蔽漏磁通，并且在高于1MHz的高频带中，可使用第一屏蔽层710反射并且屏蔽漏磁通。因此，根据示例性实施例的线圈组件2000可在相对宽的频带中屏蔽漏磁通。
另外，不同于上述示例，在示例性实施例中，第一屏蔽层710可包括磁性材料，并且第二屏蔽层720可包括导电材料。
根据上述示例性实施例，可减小线圈组件的尺寸。
此外，根据上述示例性实施例，在线圈组件的下表面上可容易地形成下表面上的电极结构。
此外，根据上述示例性实施例，可容易地形成屏蔽结构。
尽管以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出修改和变型。
Claims (17)
1.一种线圈组件，包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面，以及各自将所述一个表面和所述另一表面连接的多个壁；
线圈部，埋在所述主体中，并具有暴露于所述主体的所述多个壁中的一个壁的两个端部，所述主体的所述一个壁是所述主体的侧表面；
第一外电极和第二外电极，分别包括第一端电极和第一连接电极以及第二端电极和第二连接电极，所述第一端电极和所述第二端电极设置在所述主体的所述一个表面上并且彼此间隔开，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别将所述第一端电极和所述第二端电极连接到所述线圈部的所述两个端部；
第一外绝缘层，设置在所述主体的所述另一表面上；
第一屏蔽层，设置在所述第一外绝缘层上；以及
第三外电极，从所述主体的上部延伸到下部，并且设置在所述第一外电极和所述第二外电极之间，
其中，所述第三外电极包括：第三端电极，设置在所述主体的所述一个表面上；以及第三连接电极，设置在所述主体的所述一个壁上以及所述第一外绝缘层上，从而将所述第三端电极和所述第一屏蔽层彼此连接，并且所述第三外电极与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层包括磁性材料。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层包括导电材料。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
覆盖绝缘层，覆盖所述第一屏蔽层、所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极、所述主体的所述另一表面以及所述主体的所述多个壁。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层包括导电材料，并且所述线圈组件还包括设置在所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层，其中，所述第二屏蔽层包括磁性材料。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
第二外绝缘层，设置在所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，
所述第三连接电极还设置在所述第二外绝缘层上，并且将所述第三端电极与所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层彼此连接。
8.根据权利要求7所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
覆盖绝缘层，覆盖所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层、所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极、所述主体的所述另一表面以及所述主体的所述多个壁。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
第三屏蔽层，设置在所述覆盖绝缘层上，并且设置在所述主体的所述另一表面上以及所述主体的所述多个壁上。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一外绝缘层具有10nm至100μm的厚度。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层具有双层结构，所述双层结构具有包括导电材料的层和包括磁性材料的层。
12.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层电连接到所述第三端电极。
13.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括设置在所述主体的所述一个表面上的下绝缘层。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，所述下绝缘层包括热塑性树脂或热固性树脂。
15.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，所述下绝缘层具有10nm至100μm的厚度。
16.一种线圈组件，包括：
主体，包括树脂和分散在所述树脂中的磁性金属粉末，并且具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及连接所述一个表面和所述另一表面的多个壁；
线圈部，包括线圈图案，围绕沿所述一个方向的轴形成至少一匝；以及第一引出部和第二引出部，从所述线圈图案延伸并一起暴露于所述主体的所述多个壁中的一个壁，所述主体的所述一个壁是所述主体的侧表面，并且所述线圈部埋在主体中；
屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面上；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述一个壁上并彼此间隔开，分别连接到所述第一引出部和所述第二引出部并延伸到所述主体的所述一个表面；以及
第三外电极，设置在所述主体的所述一个壁上并与所述第一外电极和所述第二外电极间隔开，连接到所述屏蔽层，并延伸到所述主体的所述一个表面，
其中，所述第三外电极包括：第三端电极，设置在所述主体的所述一个表面上；以及第三连接电极，设置在所述主体的所述一个壁上，从而将所述第三端电极和所述屏蔽层彼此连接。
17.根据权利要求16所述的线圈组件，其中，所述第一引出部和所述第二引出部均包括一个或更多个狭缝。
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