CN110189899A - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种线圈组件,所述线圈组件包括:主体,具有在所述主体的厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及使所述第一表面和所述第二表面连接的壁表面;线圈部,包括线圈图案并且所述线圈图案包括围绕所述厚度方向的至少一匝;外电极,设置在所述主体的所述第一表面上并且电连接到所述线圈部;屏蔽层,包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部和设置在所述主体的所述壁表面上的侧壁部,所述侧壁部各自具有连接到所述盖部的第一端;绝缘层,设置在所述主体和所述屏蔽层之间;以及间隙部,通过所述屏蔽层的与所述第一端相对的第二端和所述主体的所述第一表面限定边界,以使所述壁表面的部分暴露。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年2月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0021345号韩国专利申请和于2018年5月28日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0060196号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(线圈组件)是一种与电阻器和电容器一起在电子装置中使用的代表性无源电子组件。
根据电子装置的高性能和小型化,在电子装置中使用的电子组件已经在数量上增加并且在尺寸上减小。
由于上述原因,对于消除电子组件的诸如电磁干扰(EMI)的噪声产生源的需求已经逐渐地增大。
目前,在通常的EMI屏蔽技术中,在将电子组件安装在板上之后,通过屏蔽罩同时包围电子组件和板。
发明内容
本公开的一方面可提供一种能够减小漏磁通的线圈组件。
本公开的一方面还可提供一种能够在减小漏磁通的同时基本上保持线圈组件的特性的线圈组件。
根据本公开的一方面,一种线圈组件可包括:主体,具有在所述主体的厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的壁表面;线圈部,包括嵌在所述主体中的线圈图案并且所述线圈图案包括围绕所述厚度方向上的轴线的至少一匝;外电极,设置在所述主体的所述第一表面上并且电连接到所述线圈部;屏蔽层,包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部和设置在所述主体的所述壁表面上的侧壁部,所述侧壁部中的每个具有连接到所述盖部的第一端和与所述第一端相对的第二端;绝缘层,设置在所述主体和所述屏蔽层之间;以及间隙部,通过所述屏蔽层的所述第二端和所述主体的所述第一表面限定边界,以使所述主体的所述壁表面的部分暴露。
根据本公开的另一方面,一种线圈组件可包括:主体,具有在所述主体的厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面;线圈部,包括嵌在所述主体中并且在所述厚度方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案;第一外电极和第二外电极,设置在所述主体的所述第一表面上以彼此分开,并且分别连接到所述第一线圈图案和所述第二线圈图案;屏蔽层,包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部和分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部,并且所述侧壁部各自具有连接到所述盖部的第一端和与所述第一端相对的第二端;外绝缘层,设置在所述主体和所述屏蔽层之间以及所述第一外电极与所述屏蔽层之间和所述第二外电极与所述屏蔽层之间;以及间隙部,通过所述屏蔽层的所述第二端和所述主体的所述第一表面限定边界,并且使得所述侧壁部中的每个的所述第二端与所述主体的所述第一表面在所述厚度方向上分开。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图;
图2A是沿着图1的线I-I’截取的截面图;
图2B是沿着图1的线II-II’截取的截面图;
图3是示出根据间隙部的长度的漏磁通的曲线图;
图4A是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的透视图;
图4B是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的主视图;
图5是根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图;
图6是根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图;
图7是根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图;以及
图8是根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应的截面图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
在附图中,L方向指的是第一方向或长度方向,W方向指的是第二方向或宽度方向,T方向指的是第三方向或厚度方向。
在下文中,将参照附图详细地描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件。在参照附图描述本公开中的示例性实施例时,彼此相同或者相对应的组件将由相同的标号表示,并且将省略其重复描述。
在电子装置中使用了各种电子组件,并且可在各种电子组件之间适当地使用各种线圈组件以用于消除噪声的目的等。
也就是说,线圈组件可在电子装置中用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频磁珠(例如,GHz磁珠)、共模滤波器等。
第一示例性实施例
图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图。图2A是沿着图1的线I-I’截取的截面图。图2B是沿着图1的线II-II’截取的截面图。图3是示出根据间隙部的长度的漏磁通的曲线图。
参照图1至图2B,根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括:主体100、线圈部200、外电极300和400、屏蔽层500、绝缘层600和间隙部G,并且还包括覆盖层700、内绝缘层IL和绝缘膜IF。
主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外部,并且线圈部200可嵌在主体100中。
主体100可形成为完全的六面体形状。
在下文中,作为示例,将假设主体100具有六面体形状来描述本公开中的第一示例性实施例。然而,通过描述,在本示例性实施例的范围中没有排除包括形成为除了六面体形状之外的形状的主体的线圈组件。
主体100可具有在长度(L)方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在宽度(W)方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在厚度(T)方向上彼此相对的第五表面和第六表面。主体100的第一表面至第四表面可与主体100的使主体100的第五表面和第六表面彼此连接的壁表面相对应。主体100的壁表面可包括与两个端表面相对应的第一表面和第二表面以及与彼此相对的两个侧表面相对应的第三表面和第四表面。
虽然主体100可形成为使得其中形成有将在下面描述的外电极300和400、绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度,但是主体100不限于此。这里,线圈组件的长度、宽度和厚度的上述数值为没有考虑公差的值,并且线圈组件的实际长度、实际宽度和实际厚度可由于公差而与上述数值不同。
主体100可包含磁性材料和树脂。更具体地,主体可通过堆叠其中磁性材料分散在树脂中的一个或更多个磁性复合片来形成。然而,主体100还可具有除了磁性材料分散在树脂中的结构之外的不同的结构。例如,主体100还可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以为铁氧体或金属磁性粉末。
作为示例,铁氧体可以为尖晶石型铁氧体(诸如,Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体)、六方铁氧体(诸如,Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体)、石榴石型铁氧体(诸如,Y基铁氧体)、Li基铁氧体中的至少一种。
金属磁性粉末可包含从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如,金属磁性粉末可以为纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。
金属磁性粉末可以为非晶的或结晶的。例如,金属磁性粉末可以为Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末,但不必然限于此。
铁氧体和金属磁性粉末可分别具有大约0.1μm至30μm的平均直径,但不限于此。
主体100可包含分散在树脂中的两种或更多种磁性材料。这里,短语“不同种类的磁性材料”意味着分散在树脂中的磁性材料通过其平均直径、组成、结晶度和形状中的任意一者而彼此区分开。
树脂可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等中的一种或者环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物(LCP)等中的两种或更多种的混合物,但不限于此。
主体100可包括贯穿将在下面描述的线圈部200的芯110。芯110可通过在线圈部200的通孔中填充磁性复合片来形成,但不限于此。
线圈部200可嵌在主体100中,并且呈现线圈组件的特性。例如,当线圈组件1000被用作功率电感器时,线圈部200可用于通过将电场存储作为磁场来稳定电子装置的电源以保持输出电压。
线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220。
将在下面描述的第一线圈图案211、第二线圈图案212和内绝缘层IL可形成为在主体100的厚度(T)方向上顺序地堆叠。
第一线圈图案211和第二线圈图案212可各自形成为平坦的螺旋形状。作为示例,第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面上形成围绕主体100的在厚度(T)方向上的轴线的至少一匝。
过孔220可贯穿内绝缘层IL以使第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接,从而与第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个接触。结果,应用在本示例性实施例中的线圈部200可形成为在主体100的厚度(T)方向上产生磁场的单个线圈。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一者可包括至少一个导电层。
作为示例,当第二线圈图案212和过孔220通过镀覆形成时,第二线圈图案212和过孔220可各自包括电镀层和无电镀层的种子层。这里,电镀层可具有单层结构或者多层结构。具有多层结构的电镀层可按照一个电镀层被另一个电镀层覆盖的共形膜结构形成。可选地,具有多层结构的电镀层也可形成为使得另一电镀层仅堆叠在一个电镀层的一个表面上。第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层可彼此一体地形成,使得它们之间不形成边界,但第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层不限于此。第二线圈图案212的电镀层和过孔220的电镀层可彼此一体地形成,使得它们之间不形成边界,但第二线圈图案212的电镀层和过孔220的电镀层不限于此。
作为另一示例,当线圈部200通过单独地形成第一线圈图案211和第二线圈图案212,然后在内绝缘层IL上共同地堆叠第一线圈图案211和第二线圈图案212来形成时,过孔220可包括高熔点金属层和具有比高熔点金属层的熔点低的熔点的低熔点金属层。这里,低熔点金属层可利用包含铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。低熔点金属层可由于在共同堆叠时的压力和温度而至少部分地熔化,使得可在低熔点金属层和第二线圈图案212和/或第一线圈图案211之间的边界形成金属间化合物(IMC)层。
作为示例,第一线圈图案211和第二线圈图案212可形成为分别在内绝缘层IL的下表面和上表面上突出。作为另一示例,第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中,使得第一线圈图案211的下表面暴露于内绝缘层IL的下表面,并且第二线圈图案212可形成为在内绝缘层IL的上表面上突出。在这种情况下,凹入部可形成在第一线圈图案211的下表面中,使得内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可不位于相同的平面上。作为另一示例,第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面中,使得第一线圈图案211的下表面暴露于内绝缘层IL的下表面,并且第二线圈图案212可嵌在内绝缘层IL的上表面中,使得第二线圈图案212的上表面暴露于内绝缘层IL的上表面。
第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与将在下面描述的第一外电极300接触,使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与将在下面描述的第二外电极400接触,使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极400。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220可各自利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成,但不限于此。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂和感光绝缘树脂中的至少一种的绝缘材料形成,或者可利用玻璃纤维或者诸如无机填料的增强材料浸在这样的绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例,内绝缘层IL可利用诸如半固化片、味之素积聚膜(ABF,Ajinomoto build-up film)、RF-4、双马来酰亚胺三嗪树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成,但不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的至少一种可用作无机填料。
当内绝缘层IL利用包含增强材料的绝缘材料形成时,内绝缘层IL可提供更优异的刚性。当内绝缘层IL利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时,内绝缘层IL有利于使整个线圈部200的厚度变薄。当内绝缘层IL利用包含感光绝缘树脂的绝缘材料形成时,可减少工艺的数量,这有利于降低制造成本,并且可形成精细的孔。
绝缘膜IF可沿着第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212的表面形成。绝缘膜IF可被形成为保护各个线圈图案211和212并且使各个线圈图案211和212绝缘,并且包含诸如聚对二甲苯等的现有技术中已知的绝缘材料。任意绝缘材料可包含在绝缘膜IF中而没有具体的限制。绝缘膜IF可通过诸如气相沉积法等的方法形成,但不限于此。绝缘膜IF可通过在内绝缘层IL的其上形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的两个表面上堆叠绝缘膜形成。
另外,虽然未示出,但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一者可形成为多个。作为示例,线圈部200可具有其中形成有多个第一线圈图案211并且一个第一线圈图案的下表面上堆叠有另一个第一线圈图案的结构。在这种情况下,附加的绝缘层可设置在多个第一线圈图案211之间,并且多个第一线圈图案211可通过贯穿附加的绝缘层的连接过孔而彼此连接,但是第一线圈图案211不限于此。
外电极300和400可设置在主体100的第六表面上并且连接到线圈图案211和212。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300和连接到第二线圈图案212的第二外电极400。更具体地,第一外电极300可包括:第一连接部310,设置在主体100的第一表面上并且连接到第一线圈图案211的端部;以及第一延伸部320,从第一连接部310延伸到主体100的第六表面。第二外电极400可包括:第二连接部410,设置在主体100的第二表面上并且连接到第二线圈图案212的端部;以及第二延伸部420,从第二连接部410延伸到主体100的第六表面。分别设置在主体100的第六表面上的第一延伸部320和第二延伸部420可彼此分开,使得第一外电极300和第二外电极400彼此不接触。
当根据本示例性实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板等上时,外电极300和400可使线圈组件1000电连接到印刷电路板等。作为示例,根据本示例性实施例的线圈组件1000可安装在印刷电路板上,使得主体100的第六表面面对印刷电路板的上表面,并且外电极300和400的设置在主体100的第六表面上的延伸部320和420与印刷电路板的连接部可通过焊料等彼此电连接。
外电极300和400可分别包括导电树脂层和形成在导电树脂层上的导电层。导电树脂层可通过印刷膏等形成,并且可包含从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。导电层可包含从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的一种或更多种,并可通过例如镀覆形成。
屏蔽层500可设置在主体100的第五表面以及主体100的第一表面至第四表面中的至少一者上,以减小从根据本示例性实施例的线圈组件1000泄漏到外部的漏磁通。
屏蔽层500可形成为具有10nm至100μm的厚度。当屏蔽层500的厚度小于10nm时,会几乎不呈现EMI屏蔽效果。当屏蔽层500的厚度大于100μm时,会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度,这会不利于使电子装置变薄。
在本示例性实施例中,屏蔽层500可包括:盖部510,设置在主体100的与主体100的第六表面相对的第五表面上;以及侧壁部521、522、523和524,分别设置在主体的使主体100的第六表面和第五表面彼此连接的第一表面至第四表面上并且连接到盖部510。应用于本示例性实施例的屏蔽层500可设置在主体100的除了主体100的第六表面之外的所有表面上,主体100的第六表面与根据本示例性实施例的线圈组件1000的安装表面相对应。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可彼此一体地形成。也就是说,第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可通过相同的工艺形成,使得它们之间不存在边界。作为示例,第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可通过在主体100的第一表面至第四表面上堆叠包括绝缘膜和屏蔽膜的单个屏蔽片而彼此一体地形成。这里,屏蔽片的绝缘膜可与将在下面描述的绝缘层600相对应。另外,在上述示例中,任意一个侧壁部和另一侧壁部之间的连接区域的截面可由于屏蔽片的物理处理而形成为是弯曲的。作为另一示例,在通过诸如溅射等的气相沉积在主体100的其上形成有绝缘层600的第一表面至第四表面上形成第一侧壁部521至第四侧壁部524的情况下,第一侧壁部521至第四侧壁部524可彼此一体地形成。作为另一示例,在通过镀覆在主体100的其上形成有绝缘层600的第一表面至第四表面上形成第一侧壁部521至第四侧壁部524的情况下,第一侧壁部521至第四侧壁部524可彼此一体地形成。
盖部510以及侧壁部521至524可彼此一体地形成。也就是说,盖部510以及侧壁部521至524可通过相同的工艺形成,使得它们之间不存在边界。作为示例,盖部510以及侧壁部521至524可通过将包括绝缘膜和屏蔽膜的单个屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面上而彼此一体地形成。这里,屏蔽片的绝缘膜可与将在下面描述的绝缘层600相对应。作为另一示例,盖部510以及侧壁部521至524可通过在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上执行诸如溅射的气相沉积法而彼此一体地形成。作为另一示例,盖部510和侧壁部521至524可通过在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上执行镀覆法而彼此一体地形成。
盖部510与侧壁部521至524可彼此连接以使得它们之间的连接区域中的每个的截面可形成为弯曲的。作为示例,在处理屏蔽片以与主体的形状相对应然后将处理的屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面的情况下,盖部510与侧壁部521至524之间的连接区域的截面可形成为弯曲的。作为另一示例,在通过诸如溅射的气相沉积在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上形成屏蔽层500的情况下,盖部510与侧壁部521至524之间的连接区域的截面可形成为弯曲的。作为另一示例,在通过镀覆在主体100的形成有绝缘层600的第一表面至第五表面上形成屏蔽层500的情况下,盖部510与侧壁部521至524之间的连接区域的截面可形成为弯曲的。
第一侧壁部521至第四侧壁部524可各自包括连接到盖部510的一端和与所述一端相对的另一端,并且第一侧壁部521至第四侧壁部524的另一端可各自由于将在下面描述的间隙部G而与主体100的第六表面分开预定距离。这将稍后描述。
屏蔽层500可包含导电物质和磁性物质中的至少一种。作为示例,导电物质可以为包括从由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种的金属或者合金,并且可以为Fe-Si或Fe-Ni合金。此外,屏蔽层500可包含从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种。作为示例,屏蔽层500可以为铜镀层,但不限于此。屏蔽层500可具有多层结构。作为示例,屏蔽层可形成为由导电物质层和形成在导电物质层上的磁性物质层组成的双层结构、由第一导电物质层和形成在第一导电物质层上的第二导电物质层组成的双层结构或者多个导电物质层。这里,第一导电物质层和第二导电物质层可包含彼此不同的导电物质,但也可包含彼此相同的导电物质。
屏蔽层500可包括彼此分开的两相的微观结构。作为示例,当盖部510以及侧壁部521至524中的每个利用被形成为分为多个碎片的非晶带片形成时,盖部510以及侧壁部521至524中的每个可包括彼此分开的多个微观结构。作为另一示例,当盖部510以及侧壁部521至524通过溅射形成时,盖部510以及侧壁部521至524中的每个可包括通过晶界而彼此分开的多个微观结构。
绝缘层600可设置在主体100和屏蔽层500之间,以使屏蔽层500与主体100以及外电极300和400电隔离。在本示例性实施例中,绝缘层600可设置在主体100的第一表面至第五表面上。由于外电极300的连接部310和外电极400的连接部410分别形成在主体100的第一表面和第二表面上,因此外电极300的连接部310、绝缘层600以及屏蔽层500的侧壁部521可顺序地设置在主体100的第一表面上,外电极400的连接部410、绝缘层600以及屏蔽层500的侧壁部522可顺序地设置在主体100的第二表面上。由于外电极300的连接部310和外电极400的连接部410没有形成在主体100的第三表面和第四表面上,因此绝缘层600、屏蔽层500的侧壁部523可顺序地设置在主体100的第三表面上,绝缘层600、屏蔽层500的侧壁部524可顺序地设置在主体100的第四表面上。
绝缘层600可包含诸如聚苯乙烯基热塑性树脂、乙酸乙烯酯基热塑性树脂、聚乙烯基热塑性树脂、聚丙烯基热塑性树脂、聚酰胺基热塑性树脂、橡胶基热塑性树脂或丙烯酸基热塑性树脂等的热塑性树脂、诸如酚类热固性树脂、环氧树脂基热固性树脂、聚氨酯基热固性树脂、三聚氰胺基热固性树脂或醇酸基热固性树脂等的热固性树脂、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx
绝缘层600可具有粘合功能。作为示例,在使用包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片形成绝缘层600和屏蔽层500的情况下,屏蔽片的绝缘膜可包含粘合成分,从而将屏蔽膜粘合到主体100的表面。在这种情况下,粘合层可单独地形成在绝缘层600的在绝缘层600和主体100之间的一个表面上。然而,如在使用B级绝缘膜形成绝缘层600的情况下,可不在绝缘层600的一个表面上形成单独的粘合层。
绝缘层600可通过在主体100的表面上涂覆液态绝缘树脂、在主体100的表面上堆叠诸如干膜(DF)的绝缘膜或者通过气相沉积在主体100的表面上形成绝缘树脂形成。在绝缘膜的情况下,还可使用不包含感光绝缘树脂的味之素积聚膜(ABF)、聚酰亚胺膜等。
绝缘层600可形成为具有10nm至100μm的厚度。当绝缘层600的厚度小于10nm时,会劣化线圈组件的特性(诸如,Q因子等),并且当绝缘层600的厚度大于100μm时,会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度,这会不利于使电子装置变薄。
覆盖层700可设置在屏蔽层500上以覆盖屏蔽层500,但可使屏蔽层500的端部暴露。也就是说,覆盖层700可覆盖盖部510以及第一侧壁部521至第四侧壁部524而使第一侧壁部521至第四侧壁部524的另一端暴露。第一侧壁部521至第四侧壁部524的所有的另一端可暴露于覆盖层700的外部或者第一侧壁部521至第四侧壁部524中的至少一者的另一端可暴露于覆盖层700的外部。覆盖层700可防止屏蔽层500电连接到另一外部电子组件。
覆盖层700可包含诸如聚苯乙烯基热塑性树脂、乙酸乙烯酯基热塑性树脂、聚乙烯基热塑性树脂、聚丙烯基热塑性树脂、聚酰胺基热塑性树脂、橡胶基热塑性树脂或丙烯酸基热塑性树脂等的热塑性树脂、诸如酚类热固性树脂、环氧树脂基热固性树脂、聚氨酯基热固性树脂、三聚氰胺基热固性树脂或醇酸基热固性树脂等的热固性树脂、感光绝缘树脂、聚对二甲苯、SiOx和SiNx中的至少一种。
作为示例,覆盖层700可通过如下步骤而与绝缘层600和屏蔽层500同时形成:将包括绝缘膜、屏蔽膜和覆盖膜的屏蔽片的绝缘膜设置为面对主体然后在主体100上堆叠屏蔽片。作为另一示例,覆盖层700可通过在形成在主体100上的屏蔽层500上堆叠覆盖膜来形成。作为另一示例,覆盖层700可通过诸如化学气相沉积(CVD)等的气相沉积在主体100的第一表面至第五表面上形成绝缘材料而形成。
覆盖层700可具有粘合功能。作为示例,在包括绝缘膜、屏蔽膜和覆盖膜的屏蔽片中,覆盖膜可包含粘合成分以粘合到屏蔽膜。
覆盖层700可形成为具有10nm至100μm的厚度。当覆盖层700的厚度小于10nm时,会劣化绝缘特性,使得会与外电极发生短路,并且当覆盖层700的厚度大于100μm时,会增大线圈组件的总长度、总宽度和总厚度,这会不利于使电子装置变薄。
绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和可以为大于等于30nm且小于等于100μm。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和小于30nm时,会发生诸如电短路、线圈组件的特性(诸如,Q因子)劣化等的问题,并且当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度的总和大于100μm时,会增大线圈组件的整体长度、整体宽度和整体厚度,这会不利于使电子装置变薄。
此外,在形成覆盖层700时,覆盖层700可形成为由于公差或者形成方法的特性使得侧壁部521至524的另一端暴露。在这种情况下,屏蔽层500很可能电连接到外电极300和400。因此,在本公开中,上述问题可通过在侧壁部521至524中具有间隙部G来解决。间隙部G通过侧壁部521至524的另一端和主体100的第六表面来限定边界。
间隙部G可形成在侧壁部521至524和覆盖层700中,以使主体100的壁表面的部分暴露。由于外电极300的连接部310和外电极400的连接部410分别形成在主体100的第一表面和第二表面上,因此间隙部G可分别使连接部310的至少部分和连接部410的至少部分以及主体100的第三表面的至少部分和第四表面的至少部分暴露。
间隙部G可使得相应的侧壁部521至524的另一端与主体100的第六表面分开预定距离,主体100的第六表面是线圈组件1000的安装表面(更准确地,外电极300的延伸部320的下表面和外电极400的延伸部420的下表面)。作为示例,当线圈组件1000安装在印刷电路板等上时,焊料等会爬升到连接部310和410上,但是由于间隙部G通过侧壁部521至524的另一端和主体100的第六表面来限定边界,因此间隙部G可防止侧壁部521至524与外电极300和400通过焊料等彼此电连接。
间隙部G可形成为具有大于0μm且小于等于150μm的长度。参照图3,可领会的是,与没有形成屏蔽层的情况(由图3的X轴上的空气表示的部分)相比,在形成屏蔽层的情况(由图3的X轴上的空气表示的部分的右侧部分)下,漏磁通的量减小,因此,屏蔽效果增加。参照图1和图2B,由于线圈部200的与主体100的第三表面相邻的匝数大于线圈部200的与主体100的第四表面相邻的匝数,因此,如图3中所示,通过主体100的第三表面泄漏的磁通量会大于从主体100的第四表面泄漏的磁通量。
可领会的是,当间隙部G的长度为0时,也就是说,侧壁部521至524的另一端与外电极300的延伸部320和外电极400的延伸部420的下表面基本上位于相同的平面上,屏蔽效果是最大的。然而,在这种情况下,如上所述,在安装线圈组件时,屏蔽层和外电极很可能通过焊料彼此电连接。
随着间隙部G的长度(即,侧壁部521至524的另一端与外电极300的延伸部320和外电极400的延伸部420的下表面之间的距离)分别增大至50μm、100μm和150μm,分别通过主体100的第三表面和第四表面泄漏的磁通量会逐渐增大。然而,即使在间隙部G的长度为150μm的情况下,由于与没有形成屏蔽层的情况相比,在主体100的第三表面和第四表面的漏磁通的量分别减小了61.1%和92.8%,因此可呈现屏蔽效果,并且可防止屏蔽层500与外电极300和400之间的电连接。
另外,虽然图1至图2B中未示出,但是与绝缘层600区分开的单独的附加绝缘层可形成在主体100的第一表面至第六表面的其上没有形成外电极300和400的区域上。也就是说,与绝缘层600区分开的单独的附加绝缘层可形成在主体100的第三表面至第五表面上以及主体的第六表面的没有形成延伸部320和420的区域上。在这种情况下,本示例性实施例中的绝缘层600可形成在主体100的表面上以与附加绝缘层接触。在通过镀覆形成外电极300和400时,附加绝缘层可用作阻镀剂,但不限于此。
由于根据本公开的绝缘层600和覆盖层700设置在线圈组件自身中,因此绝缘层600和覆盖层700可与在将线圈组件安装在印刷电路板上时将线圈组件和印刷电路板模制的模制构件区分开。作为示例,与模制构件不同,可在不考虑印刷电路板的情况下限定根据本公开的绝缘层600和覆盖层700的形成区域。因此,与模制构件不同,根据本公开的绝缘层600不与印刷电路板接触并且不通过印刷电路板支撑或固定。此外,与包围诸如焊球等的连接构件并且连接线圈组件和印刷电路板的模制构件不同,根据本公开的绝缘层600和覆盖层700没有形成为包围连接构件。另外,由于根据本公开的绝缘层600不是通过在印刷电路板上加热环氧塑封料、使环氧塑封料流动并使环氧塑封料固化等形成的模制构件,因此不需要考虑在形成模制构件时发生的空隙(void)以及由于模制构件和印刷电路板之间的热膨胀系数的差异等而发生的翘曲等。
此外,由于根据本公开的屏蔽层500设置在线圈组件自身中,因此屏蔽层500可与在将线圈组件安装在印刷电路板上之后结合到印刷电路板以屏蔽EMI的屏蔽罩等区分开。作为示例,与屏蔽罩不同,在根据本公开的屏蔽层500中,不需要考虑与印刷电路板的接地层的连接。
根据本示例性实施例的线圈组件可通过在线圈组件自身中形成屏蔽层500和在侧壁部521至524中形成间隙部G以在阻挡在线圈组件中产生的漏磁通的同时防止屏蔽层500与外电极300和400之间的电短路。根据电子装置的薄型化和高性能,包括在电子装置中的电子组件的总数已经增多并且相邻的电子组件之间的距离已经减小。根据本公开,可屏蔽各个线圈组件自身,因此可更有效地阻挡在各个线圈组件中产生的漏磁通,这更有利于电子装置的薄型化和高性能。另外,与使用屏蔽罩的情况相比,由于增大了屏蔽区域中的有效磁性物质的量,因此可改善线圈组件的特性。
第二示例性实施例
图4A是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的透视图。图4B是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的主视图。同时,为了方便和理解说明,在图4A和图4B中没有示出覆盖层700。
参照图1至图4B,根据本示例性实施例的线圈组件2000与根据第一示例性实施例的线圈组件1000的不同之处在于屏蔽层500和500’。因此,在描述本示例性实施例时,将仅描述与本公开中的第一示例性实施例的屏蔽层不同的屏蔽层500和500’。第一示例性实施例中的其他构造的描述可按照原样适用于本示例性实施例中的其他构造。
参照图4A和图4B,根据本示例性实施例的线圈组件2000可包括狭缝部800,狭缝部800连续地形成在盖部510和侧壁部521至524中,以使多个屏蔽层500和500’彼此分开。
更具体地,狭缝部800可形成在盖部510中并且延伸到第三侧壁部523的另一端和第四侧壁部524的另一端。因此,屏蔽层500和500’可彼此电隔离。在这种情况下,屏蔽层500和500’可划分为连续地设置在主体100的第一表面、第三表面、第四表面和第五表面上的右部500以及连续地设置在主体100的第二表面、第三表面、第四表面和第五表面上的左部500’。右部和左部可形成为彼此分开,使得即使右部的第一侧壁部521电连接到第一外电极300,仍可防止第一外电极300和第二外电极400之间的电短路。类似地,即使左部的第二侧壁部522电连接到第二外电极400,仍可防止第一外电极300和第二外电极400之间的电短路。
此外,虽然图4A和图4B中示出了形成有单个狭缝部800的情况,但是这种情况是通过示例的方式提供的,并且狭缝部800可形成为多个。
此外,由于图4A和图4B中示出的狭缝部800是在假设第一外电极300和第二外电极400分别形成在主体100的第一表面和第二表面上的情况下示出的,因此当主体100上的第一外电极300和第二外电极400的位置变化时,狭缝部800的形状也可与图4中的狭缝部800的形状不同。也就是说,任何狭缝部也可包括在根据本示例性实施例的狭缝部800中,只要其将屏蔽层500分为两个或更多个部分以使第一外电极300和400彼此电隔离即可。
在根据本示例性实施例的线圈组件2000中,即使屏蔽层500和500’分别电连接到外电极300和400,仍可通过狭缝部800防止外电极300和400之间的电短路。
第三示例性实施例
图5是根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的截面图,并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应。
参照图1至图5,根据本示例性实施例的线圈组件3000与根据第一示例性实施例的线圈组件1000和根据第二示例性实施例的线圈组件2000的不同之处在于盖部510。因此,在描述本示例性实施例时,将仅描述与本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例中的盖部不同的盖部510。第一示例性实施例和第二示例性实施例中的其他构造的描述可按照原样适用于本示例性实施例中的其他构造。
参照图5,盖部510可形成为其中央部的厚度T1大于其外围部的厚度T2。这将详细地描述。
构成根据示例性实施例的线圈部200的相应的线圈图案211和212可分别在内绝缘层IL的两个表面上形成从内绝缘层IL的中央到内绝缘层的外部的多个匝,并且可在主体100的厚度(T)方向上堆叠,以从而通过过孔220彼此电连接。结果,在根据本示例性实施例的线圈组件2000中,磁通密度在主体100的垂直于主体100的厚度(T)方向的长度(L)方向-宽度(W)方向上的平面的中央部是最高的。因此,根据本示例性实施例,在形成设置在主体100的基本上平行于主体100的在长度(L)方向-宽度(W)方向上的平面的第五表面上的盖部510时,考虑到在主体100的在长度(L)方向-宽度(W)方向上的平面的磁通密度分布,盖部510可形成为使得盖部510的中央部的厚度T1大于盖部510的外围部的厚度T2
因此,在根据本示例性实施例的线圈组件3000中,通过考虑磁通分布,可更有效地减小漏磁通。
第四示例性实施例
图6是根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的截面图,并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应。
参照图1至图6,根据本示例性实施例的线圈组件4000与根据第一示例性实施例的线圈组件1000、根据第二示例性实施例的线圈组件2000和根据第三示例性实施例的线圈组件3000的不同之处在于盖部510以及侧壁部521至524。因此,在描述本示例性实施例时,将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的盖部510以及侧壁部521至524不同的盖部510以及侧壁部521至524。第一示例性实施例至第三示例性实施例中的其他构造的描述可按照原样适用于本示例性实施例中的其他构造。
参照图6,盖部510的厚度T3可大于侧壁部521至524的厚度T4
如上所述,线圈部200可在主体100的厚度(T)方向上产生磁场。结果,在主体100的厚度(T)方向上泄漏的磁通可大于在其他方向上泄漏的磁通。因此,通过将设置在主体100的垂直于主体100的厚度(T)方向的第五表面上的盖部510形成为具有比形成在主体100的壁表面上的侧壁部521至524的厚度大的厚度,可有效地减小漏磁通。
作为示例,盖部510可通过如下步骤来形成为具有比侧壁部521至524的厚度大的厚度:使用包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片在主体100的第一表面至第五表面上形成临时屏蔽层并且仅在主体100的第五表面上附加地形成屏蔽材料。作为另一示例,盖部510可通过如下步骤形成为具有比侧壁部521至524的厚度大的厚度:在将主体100设置为使得主体100的第五表面面对靶之后,执行用于形成屏蔽层500的溅射。然而,本公开的范围不受上述示例的限制。
第五示例性实施例
图7是根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的截面图,并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应。
参照图1至图7,根据本示例性实施例的线圈组件5000与根据第一示例性实施例的线圈组件1000、根据第二示例性实施例的线圈组件2000、根据第三示例性实施例的线圈组件3000和根据第四示例性实施例的线圈组件4000的不同之处在于侧壁部521至524。因此,在描述本示例性实施例时,将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例中的侧壁部521至524不同的侧壁部521至524。第一示例性实施例至第四示例性实施例中的其他构造的描述可按照原样适用于本示例性实施例中的其他构造。
参照图7,侧壁部521至524的一端的厚度可大于侧壁部521至524的另一端的厚度。
作为示例,在通过镀覆形成盖部510以及侧壁部521至524时,电流密度会由于相应的区域的边缘形状而集中在主体100的主体100的第五表面与主体100的第一表面至第四表面彼此连接的边缘部(即,将形成侧壁部521至524的一端的区域)。因此,侧壁部521至524的一端可形成为具有比侧壁部521至524的另一端的厚度相对大的厚度。作为另一示例,侧壁部521至524的一端可通过如下步骤来形成为具有比侧壁部521至524的另一端的厚度相对大的厚度:在将主体100设置为使得主体100的第五表面面对靶之后执行用于形成屏蔽层500的溅射。然而,本示例性实施例的范围不受上述示例的限制。
按照这种方式,在根据本示例性实施例的线圈组件5000中,可通过考虑由线圈部200形成的磁场的方向,更有效地减小漏磁通。
第六示例性实施例
图8是根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件的截面图,并且与沿着图1的线I-I’截取的截面图相对应。
参照图1至图8,根据本示例性实施例的线圈组件6000与根据第一示例性实施例的线圈组件1000、根据第二示例性实施例的线圈组件2000、根据第三示例性实施例的线圈组件3000、根据第四示例性实施例的线圈组件4000和根据第五示例性实施例的线圈组件5000的不同之处在于屏蔽层500的结构。因此,在描述本示例性实施例时,将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例的屏蔽层不同的屏蔽层500。第一示例性实施例至第五示例性实施例中的其他构造的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其他构造。
参照图8,应用于本示例性实施例的屏蔽层500可形成为双层结构,其中,中间绝缘层ML介于该双层结构中。
在本示例性实施例中,由于屏蔽层500形成为双层结构,因此穿过设置为相对靠近主体100的第一屏蔽层500的漏磁通可被设置为与主体100相对分开的第二屏蔽层500屏蔽。因此,在根据本示例性实施例的线圈组件6000中,可更有效地阻挡漏磁通。中间绝缘层ML可用作从第二屏蔽层500反射的噪声的波导。
本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例中的绝缘层600的描述可按照原样适用于中间绝缘层ML的材料、形成方法等的描述。
此外,在本公开中的上述示例性实施例中,描述是在假设应用于本公开的外电极300和400为由连接部310和410以及延伸部320和420组成的“L”形电极的情况下提供的,但这仅是为了便于说明。因此,外电极300和400的形状可被各种改变。作为示例,外电极300和400没有形成在主体100的第一表面和第二表面上而可仅形成在主体100的第六表面上,以从而通过过孔电极等连接到线圈部200。作为另一示例,外电极300和400可以为各自包括分别形成在主体100的第一表面和第二表面上的连接部、从连接部延伸并且设置在主体的第六表面上的延伸部以及从连接部延伸并且设置主体100的第五表面上的带部的“匚”形电极。作为另一示例,外电极300和400可以为各自包括形成在主体100的第一表面和第二表面上的连接部、从连接部延伸并且设置在主体100的第六表面上的延伸部以及从连接部延伸并且设置在主体100的第三表面至第五表面上的带部的五面电极。
此外,在本公开中的如上所述的示例性实施例中,描述是在假设线圈部的结构为其中线圈图案通过镀覆、溅射等形成的所谓的薄膜线圈的结构的情况下提供的,多层线圈或者竖直地设置的线圈也包括在本公开的范围内。多层线圈意味着在将导电膏涂覆到相应的磁性片上之后通过堆叠和固化多个磁性片形成的线圈。竖直地设置的线圈意味着线圈图案形成垂直于线圈组件的下表面(与安装表面相对应)的匝。
如以上所阐述的,根据本公开中的示例性实施例,可减小线圈组件的漏磁通。
此外,可减小线圈组件的漏磁通,同时可基本保持线圈组件的特性。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例,但对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下可进行修改和变型。

Claims (14)

1.一种线圈组件,包括:
主体,具有在所述主体的厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的壁表面;
线圈部,包括嵌在所述主体中的线圈图案并且所述线圈图案包括围绕所述厚度方向上的轴线至少一匝;
外电极,设置在所述主体的所述第一表面上并且电连接到所述线圈部;
屏蔽层,包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部和设置在所述主体的所述壁表面上的侧壁部,所述侧壁部中的每个具有连接到所述盖部的第一端和与所述第一端相对的第二端;
绝缘层,设置在所述主体和所述屏蔽层之间;以及
间隙部,通过所述屏蔽层的所述第二端和所述主体的所述第一表面限定边界,以使所述主体的所述壁表面的部分暴露。
2.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述间隙部被形成为在所述主体的所述厚度方向上具有大于0μm且小于等于150μm的长度。
3.根据权利要求1所述的线圈组件,所述线圈组件还包括狭缝部,所述狭缝部连续地形成在所述盖部和所述侧壁部中,以使所述屏蔽层分为多个部分。
4.根据权利要求1所述的线圈组件,所述线圈组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述屏蔽层上并且使所述侧壁部中的每个的所述第二端暴露。
5.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述盖部在所述主体的所述第二表面的中央部分中的厚度大于在所述主体的所述第二表面的外围部中的厚度。
6.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述盖部和所述侧壁部彼此一体地形成。
7.根据权利要求6所述的线圈组件,其中,所述盖部和所述侧壁部彼此连接以使得所述盖部和所述侧壁部之间的连接区域中的每个的截面形成为弯曲的。
8.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。
9.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述主体的所述壁表面形成为多个,并且
所述侧壁部分别设置在所述主体的多个壁表面上。
10.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述外电极中的每个包括:
连接部,设置在所述主体的所述壁表面上并且连接到所述线圈部;以及
延伸部,从所述连接部延伸并且设置在所述主体的所述第一表面上。
11.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述屏蔽层为双层结构,其中,中间绝缘层介于所述双层结构之间。
12.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述侧壁部中的每个的所述第一端的厚度大于所述侧壁部中的每个的所述第二端的厚度。
13.一种线圈组件,包括:
主体,具有在所述主体的厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面;
线圈部,包括嵌在所述主体中并且在所述厚度方向上堆叠的第一线圈图案和第二线圈图案;
第一外电极和第二外电极,设置在所述主体的所述第一表面上以彼此分开,并且分别连接到所述第一线圈图案和所述第二线圈图案;
屏蔽层,包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部和分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部,并且所述侧壁部各自具有连接到所述盖部的第一端和与所述第一端相对的第二端;
外绝缘层,设置在所述主体和所述屏蔽层之间以及所述第一外电极与所述屏蔽层之间和所述第二外电极与所述屏蔽层之间;以及
间隙部,通过所述屏蔽层的所述第二端和所述主体的所述第一表面限定边界,并且使得所述侧壁部中的每个的所述第二端与所述主体的所述第一表面在所述厚度方向上分开。
14.根据权利要求13所述的线圈组件,所述线圈组件还包括覆盖层,所述覆盖层设置在所述屏蔽层上并且使所述侧壁部中的每个的所述第二端暴露。
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