CN105702609B - 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法 - Google Patents

用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105702609B
CN105702609B CN201610219706.6A CN201610219706A CN105702609B CN 105702609 B CN105702609 B CN 105702609B CN 201610219706 A CN201610219706 A CN 201610219706A CN 105702609 B CN105702609 B CN 105702609B
Authority
CN
China
Prior art keywords
product substrate
substrate
force
carrier substrate
segment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610219706.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105702609A (zh
Inventor
F.P.林德纳
J.布尔格拉夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EV Group GmbH
Original Assignee
EV Group GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EV Group GmbH filed Critical EV Group GmbH
Publication of CN105702609A publication Critical patent/CN105702609A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105702609B publication Critical patent/CN105702609B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/003—Cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934—Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941—Means for delaminating semiconductive product
    • Y10S156/942—Means for delaminating semiconductive product with reorientation means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111—Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121—Using vibration during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1922—Vibrating delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y10T156/1967—Cutting delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把半导体晶片（4）从通过连接层（6）与所述半导体晶片（4）相连接的载体衬底（2）分离的装置和方法，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述半导体晶片（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的可张紧片段（3a），并且其中从外周（4u）开始引起所述半导体晶片（4）从所述载体衬底（2）的分离。

Description

用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法
技术领域
本分案申请的母案申请日为2010年08月20日、申请号为201080038912.8、发明名称为“用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法”。本发明涉及用于把产品衬底从载体衬底分离的装置和方法。
背景技术
产品衬底的背面薄化在半导体工业中经常需要，并可以机械地和/或化学地进行。为了进行背面薄化，所述产品衬底通常被暂时固定在载体上，其中对于固定有不同的方法。作为载体材料例如采用薄膜、玻璃衬底或硅晶片。
根据所采用的载体材料以及在载体和产品衬底之间所采用的连接层，已知有不同的方法来溶解或破坏所述连接层，例如采用UV光、激光束、温度作用或溶剂。
所述分离逐渐成为最重要的处理步骤之一，因为具有几μm衬底厚度的薄的衬底在分离/剥落时容易破裂，或者由于分离过程所需的力而遭受损坏。
另外，薄的衬底几乎不、直至不具有形状稳定性，并且在没有支撑材料的情况下典型地卷起。从而在处理背面薄化的晶片期间晶片的固定和支持在实际中是必不可少的。
发明内容
因此本发明的任务是说明一种装置和一种方法，以尽可能无破坏地从载体上分离这种产品衬底。
所述任务通过独立权利要求的特征而得到解决。本发明的有利的改进在从属权利要求中说明。在说明书、权利要求和/或附图中所说明的至少两个特征的所有组合也属于本发明的范畴。在所说明的值范围中，位于所述界限内的值也应该作为界限值被公开，并应该以任意的组合而要求保护。
本发明所基于的想法是，对一种普通的装置以及一种普通的方法进行改进，其方式是，利用安装在薄膜框架上的薄膜的弹性或柔性来轻柔地并从产品衬底的边缘开始分离所述产品衬底，而且通过薄膜的变形、尤其是在薄膜的分离切口中的变形来进行。通过这种方式所述产品衬底直接在分离之后提供给其他的处理步骤所用，并通过所述薄膜和所述薄膜框架保护。许多处理步骤可以直接对安装在薄膜框架上的产品衬底来执行。
也就是说：柔性的薄膜借助施加在薄膜框架上的力以及在所述薄膜的接触面片段中与所述产品衬底相接触的粘合层而在所述产品衬底上产生牵引力，由此把产品衬底从载体衬底分离，尤其是剥离。
用产品衬底来表示诸如半导体晶片的产品衬底，其通常薄化为在0.5μm和250μm之间的厚度，其中趋势是越来越薄的产品衬底。本发明尤其有效地用本身具有与安装在薄膜框架上的薄膜相类似柔性的产品衬底工作。所述产品衬底在本发明的装置以及在本发明的方法中从载体衬底剥离，尤其是同心地从产品衬底的外周开始。
作为载体例如采用具有在50μm和5000μm之间、尤其在500μm和1000μm之间的厚度的载体衬底。
作为连接层可以考虑粘合剂，例如可溶解的粘合剂，尤其是热塑性塑料，其例如有选择地施加在所述载体衬底-产品衬底复合物的边缘区域中，尤其是在0.1至20mm的边缘区域中。替换的，可以全面地施加所述粘合剂，其中在中心处的粘合力可以通过粘合降低层、例如氟聚合物、优选聚四氟乙烯而降低。
作为接收装置特别适合的是夹头（Chuck），尤其是用于尤其借助低压（Unterdruck）来接收载体衬底的旋转夹头，例如吸取轨道、孔或吸取杯。替换的，可以考虑机械式的接收，例如通过侧面的夹子。在另一可替换扩展方案中进行静电接收。
所述分离工具包含安装在所述薄膜框架上的薄膜和容纳所述薄膜框架并施加力的薄膜框架接收器。
有利地除了分离工具之外还设置连接分离工具，以至少部分地去除在所述载体衬底和所述产品衬底之间由所述连接层引起的连接。
如果所述装置具有加热工具以加热所述载体衬底-产品衬底复合物，所述加热工具尤其是集成在载体衬底接收器中，那么就可以采用热塑熔融的粘合剂来作为连接层。最大的加热温度为250℃，优选最大为175℃。
在本发明的一个有利的实施方案中规定，所述连接分离工具构造成基本不加热地工作。这样就可以放弃任何的加热装置。
在本发明的另一有利的实施方案中规定，所述连接分离工具包含用于去除所述连接层的液体介质，尤其是有选择地溶解所述连接层的溶剂。连接层的化学溶解对于所述产品衬底是特别轻柔的，并在相应进行材料选择的情况下也可以非常快速地进行溶解，尤其当仅所述产品衬底的边缘区域设置有连接层时，使得所述溶剂可以从侧面开始来快速发挥作用。这样就可以省略在载体衬底和/或产品衬底中的钻孔。
在本发明的另一替换实施方案中规定，所述连接分离工具包含用于去除所述连接层的机械分离工具，尤其是用于切割所述连接层的刀片。由此实现了所述产品衬底从载体的特别快速的分离。也可以考虑由机械分离工具和液体介质构成的组合。
在本发明的另一替换实施方案中规定，所述连接分离工具包含用于去除所述连接层的UV光源。所述实施方案也可以与机械分离工具的实施方案和/或具有液体介质的实施方案相组合。
如果所述连接分离工具尤其是构造成仅仅从所述产品衬底的侧面边缘开始发挥作用，那么就可以省略从上侧和/或从下侧、尤其是从所述产品衬底的位于侧面边缘内的内部区域来对所述产品衬底和/或所述载体施加作用。
通过设置用于旋转所述载体衬底、产品衬底和/或具有薄膜的薄膜框架的旋转装置，可以省略在所述产品衬底的整个外周上设置连接分离工具，并且在所述产品衬底的外周上部分地进行施加就足够了。
如果所述分离片段位于所述产品衬底的外轮廓之外和/或与所述接触片段邻接，那么就可以通过薄膜的变形而最佳地把分离力传输到所述产品衬底上。
为了给所述连接层施加液体介质并为了容纳所述液体介质，有利地设置固定在所述载体衬底或载体衬底接收器上的、尤其是密封的溶剂容器，所述溶剂容器的上边缘至少延伸至由所述产品衬底形成的平面。通过使所述溶剂容器至少部分地围绕所述侧面边缘或产品衬底的外周，能够对所述连接层进行特别有效的作用。另外，通过围绕的这种措施，能够避免液体介质从所述溶剂容器中逸出或损失UV光强。在采用机械分离工具的情况下，避免了可能的污染从所述溶剂容器中逸出并污染所述产品衬底。所述溶剂容器在有利的扩展中可以以L或U形的截面来构造。
在本发明的另一有利的扩展中规定，所述溶剂容器仅在所述产品衬底的所述侧面边缘或外周的外周段上延伸。所述溶剂容器有利地在产品衬底中心方向上仅稍微延伸到所述载体衬底或产品衬底的侧面边缘或外周上，从而可以在所述载体衬底上施加力Fs。所述力Fs也可以通过所述溶剂容器而被传输到所述载体衬底上。
根据本发明的一个有利的实施方案而规定，通过作用在所述载体衬底上的力Fs以及与所述力Fs方向相反的、作用在所述薄膜框架上的力Ff来导致分离。所述装置可以把所述力Ff作为局部力、尤其是点状地在所述薄膜框架的至少一个位置上导入地来构造。所述力Ff有利地被分布在所述薄膜框架外周上的多个点上来导入，其中也可以导入不同的力，并可以通过所述装置引起所述薄膜框架相对于所述载体衬底或载体衬底接收器翻转。通过所述薄膜可以由所述力Fs和所述力Ff在分离片段中进行变形、尤其是张紧，在所述产品衬底的外周上按照所期望的分离形式实现均匀的力分布。
根据本发明的另一有利的实施方案而规定，可以通过所述力Fs以及所述力Ff来引起所述薄膜框架相对于所述载体衬底移动，其中由此在所述薄膜框架内产生了槽，所述槽为了把声波传输到所述产品衬底和/或溶剂而具有声波生成工具，其尤其是由可容纳于所述槽中的液体和淹没在所述液体中的声波发生器形成。产品衬底的分离通过由超声波或兆声波所产生的气蚀作用而被明显加速，使得分离明显更轻柔并同时更快速地进行。
另外还有利地规定，从所述产品衬底的外周向所述产品衬底的中心同心地进行所述产品衬底的分离。
尤其有利的是，所述产品衬底构造为在所述分离过程期间粘合在薄膜上，因为由此保证了全面的接收和保护,根据本发明的第一方面，提供一种用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把产品衬底（4）从通过连接层（6）与所述产品衬底（4）相连接的载体衬底（2）分离的装置，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述产品衬底（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的分离片段（3a），并且其中所述装置具有分离工具以引起所述产品衬底（4）从所述产品衬底（4）的外周（4u）开始从所述载体衬底（2）分离，其特征在于，所述分离工具被构造为，使得从所述产品衬底（4）的外周（4u）向所述产品衬底（4）的中心（4z）同心地进行所述产品衬底（4）的分离。根据本发明的第二方面，提供一种用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把产品衬底（4）从通过连接层（6）与所述产品衬底（4）相连接的载体衬底（2）分离的方法，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述产品衬底（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的分离片段（3a），其特征在于，从所述产品衬底（4）的外周（4a）向所述产品衬底（4）的中心（4z）同心地进行所述产品衬底（4）从所述载体衬底（2）的分离。
附图说明
本发明的其他优点、特征和细节由下文对优选实施例的说明以及借助附图给出；其中：
图1a示出了在薄膜框架上的由产品衬底、载体衬底和连接层所组成的衬底复合物的示意性俯视图，
图1b示出了图1a的具有详细视图的示意性侧视图，
图2示出了根据本发明的在把所述产品衬底从载体衬底分离时的具有详细视图的示意性图示，
图3示出了根据本发明的在把所述产品衬底从载体衬底分离时的具有详细视图的示意性图示，以及
图4示出了本发明的实施方案的示意性图示。
在附图中相同的部件和具有相同功能的部件用相同的附图标记来表示。
具体实施方式
在图1a中示出了在所述实施方案中至少在内周li上成圆形的薄膜框架1，该薄膜框架具有安装、尤其是粘合在其下侧的薄膜3。具有至所述薄膜框架1的内周li的径向距离地，在所述薄膜框架1内产品衬底-载体衬底复合物与所述薄膜框架1同心地粘合在所述薄膜3的粘合层3s上（见图1b）。
所述产品衬底-载体衬底复合物由粘合在薄膜3上的产品衬底4、载体衬底2和连接所述产品衬底4和所述载体衬底2的连接层6组成。所述产品衬底4和所述载体衬底2的直径基本是相同的，而所述产品衬底4的厚度小于所述载体衬底2的厚度。
所述薄膜3包括在所述情况下成圆环状的固定片段3b，在该固定片段3b中用所述薄膜框架1固定所述薄膜3。另外所述薄膜3还包括接触面片段3k，在该接触面片段3k中所述产品衬底4可以固定在所述薄膜3的粘合层3s上。在所述固定片段3b与所述接触面片段3k之间具有尤其与所述固定片段3b和所述接触面片段3k同心设置的分离片段3a，所述分离片段具有根据本发明的重要功能。所述分离片段3a从而从所述产品衬底4的外周4u延伸至所述薄膜框架的内周li，在此被表示为距离A。在所述薄膜框架1的厚度D与所述距离A之间的比值有利地为至少1比2至1比50，尤其是1比5至1比25，优选地为1比19或1比10。
在图1b中所示的初始位置中，所述产品衬底4的接触所述薄膜3的侧面和所述薄膜框架1的接触所述薄膜3的侧面同心并设置在一个平面E中。在图1a和1b中所示的部分被组合构造在已知的薄膜框架接收器（Filmframemounter）中。
在图2和3中以两个变型方案示意性示出了分离过程，而且是在所述产品衬底2从所述载体衬底4分离开始之后的短时间内。
通过导入作用相反的力Ff（或Ff1和Ff2）和Fs，所述产品衬底-载体衬底复合物和所述薄膜3的粘合在该复合物上的接触面片段3k在载体衬底接收器7的方向上从所述薄膜框架1移出。在运动学上相反地，所述薄膜框架1也可以通过力Ff借助未示出的薄膜框架接收器、例如机械臂而被移动。
从所述载体衬底接收器7到所述载体衬底2的力传输通过在所述载体衬底接收器7的表面中所构建的真空轨道8以及连接到该真空轨道的未示出的真空装置来进行。所述载体衬底接收器7与所述装置固定地用地脚螺丝固定。
替换的，可以机械地（例如通过夹紧）或者静电地进行所述载体衬底2的接收。
如图2所示，作用于所述薄膜框架1上的力Ff可以均匀分布地作为平面力而作用于所述薄膜框架1，使得通过所述分离片段3a的变形从边缘开始来进行所述产品衬底4从所述载体衬底2的分离，如在图2的详图中放大地示出的。所述力Ff1在此与所述力Ff2相同。所述力可以点状分布在所述薄膜框架1的外周上地被导入，或者通过薄膜框架接收器分布地被引入。
在图3中所示的实施例中，在所述薄膜框架1的外周上的力分布是不同的，而且力Ff1大于在对侧上的力Ff2，使得所述产品衬底4首先在其上被导入较大力Ff1的侧面上分离。用于把力导入所述薄膜框架1的接收装置因此必须构造得允许所述薄膜框架1翻转。
所述产品衬底4促进分离，因为它与薄膜3类似地有弹性，并从而从产品衬底-载体衬底复合物逐步地从该复合物的边缘开始分离。
按照图4，溶剂容器20设置在所述载体衬底2上，使得在所述产品衬底-载体衬底复合物的施加了力的位置中实现了所述产品衬底-载体衬底复合物的浸没。所述溶剂容器20在所述情况中成环形地在所述载体衬底2的外周上尤其是密封地设置，使得能够如前一样在所述溶剂容器20内把力导入到所述载体衬底2上。所述力导入也可以替换地在所述溶剂容器20上来进行，例如当所述溶剂容器20压紧配合地设置在所述载体衬底2上。所述溶剂容器20的外周壁21至少延伸至由所述产品衬底4所形成的平面，从而在所述溶剂容器20中的溶剂22至少到达所述连接层6，并能够通过所述溶剂22溶解所述连接层6。所述外周壁21有利地越过由所述产品衬底4所形成的平面而几乎延伸至所述薄膜框架1，从而还尽可能避免了在旋转时所述溶剂22从所述溶剂容器20中逸出。
通过这些措施，通过从所述产品衬底4的外周4u开始来溶解所述连接层6，支持了所述产品衬底4从所述载体衬底2的分离、尤其是剥离，并通过施加在外周4u上的牵引力而对所述薄膜3的变形来轻柔地去除所述产品衬底4。
通过所述薄膜3的变形产生了槽9。在所述槽9中导入一种液体11，以借助声波生成工具、在此为声波发生器10把声波（超声波、兆声波）通过所述薄膜3传输到设置于所述薄膜对面的溶剂22中以及传输到所述产品衬底-载体衬底复合物中。所述溶剂22通过从边缘开始的声输入而加速作用于所述连接层6，使得所述薄膜3在薄膜框架1方向上的恢复力可以被减小，和/或支持分离，尤其在按照图2进行径向对称分离的情况下。
通过声的导入，所述溶剂22的溶剂分子经历振动，由此导致气蚀作用，这导致所述连接层6的溶解明显加速。
所述溶剂22有利地选择为与所述连接层6协调，并且所述粘合层3s不可被所述溶剂22腐蚀。
附图标记列表
A 距离
D 厚度
E 平面
1 薄膜框架
li 内周
2 载体衬底
3 薄膜
3a 分离片段
3b 固定片段
3k 接触面片段
3s 粘合层
4 产品衬底
4u 外周
6 连接层
7 载体衬底接收器
8 真空轨道
9 槽
10 声波发生器
11 液体
20 溶剂容器
21 外周壁
22 溶剂

Claims (38)

1.一种用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把产品衬底（4）从通过连接层（6）与所述产品衬底（4）相连接的载体衬底（2）分离的装置，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述产品衬底（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的分离片段（3a），并且其中所述装置具有分离工具以引起所述产品衬底（4）从所述产品衬底（4）的外周（4u）开始从所述载体衬底（2）分离，其特征在于，
所述分离工具被构造为，使得从所述产品衬底（4）的外周（4u）向所述产品衬底（4）的中心（4z）同心地进行所述产品衬底（4）的分离。
2.根据权利要求1所述的装置，
其特征在于，
提供连接分离工具用于至少部分去除所述载体衬底（2）和所述产品衬底（4）之间由连接层（6）引起的连接。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述连接分离工具包含用于至少部分去除所述连接层的液体介质，所述液体介质包括溶解所述连接层的溶剂(22)。
4.根据权利要求2所述的装置，
其中，
所述连接分离工具还包含用于至少部分地去除所述连接层（6）的机械分离工具。
5.根据权利要求2所述的装置，
其中，
所述连接分离工具还包含用于至少部分地去除所述连接层（6）的UV光源。
6.根据前述权利要求2-5之一所述的装置，
其特征在于，
制造所述连接分离工具以在所述外周（4u）的区域中工作。
7.根据权利要求1所述的装置，
其特征在于，
所述分离片段（3a）位于所述产品衬底（4）的外轮廓之外，和/或与所述接触面片段（3k）邻接。
8.根据权利要求2或3所述的装置，
其特征在于，
为了给所述连接层（6）施加液体介质并为了容纳所述液体介质，设置固定在所述载体衬底或载体衬底接收器（7）上的溶剂容器（20），该溶剂容器的上边缘至少延伸至由所述产品衬底（4）所形成的平面。
9.根据权利要求3所述的装置，
其特征在于，
所述分离工具设置为通过作用于所述载体衬底（2）上的力Fs以及与所述力Fs方向相反的、作用于所述薄膜框架（1）上的力Ff而进行分离。
10.根据权利要求9所述的装置，
其特征在于，
所述薄膜（3）能通过所述力Fs和力Ff而在所述分离片段（3a）中张紧。
11.根据权利要求9或10所述的装置，
其特征在于，
通过所述力Fs和力Ff能引起所述薄膜框架（1）相对于所述载体衬底（2）移动，其中由此在所述薄膜框架（1）内产生槽（9），所述槽为了把声波传输到所述产品衬底和/或所述溶剂（22）而具有声波生成工具。
12.根据权利要求1所述的装置，
其特征在于，
所述产品衬底（4）构造为在所述分离过程期间粘合在所述薄膜（3）上。
13.一种用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把产品衬底（4）从通过连接层（6）与所述产品衬底（4）相连接的载体衬底（2）分离的方法，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述产品衬底（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的分离片段（3a），其特征在于，
从所述产品衬底（4）的外周（4a）向所述产品衬底（4）的中心（4z）同心地进行所述产品衬底（4）从所述载体衬底（2）的分离。
14.用于至少部分分离由连接层(6)导致的在载体衬底(2)和产品衬底(4)之间的连接的方法，其特征在于连接分离工具包括用于分离所述连接层(6)的液体介质，也就是溶剂(22)，其有选择地溶解所述连接层(6)，其中所述分离通过声波生成工具生成的声波加速，其中提供环形溶剂容器以用于保存所述液体介质并且所述环形溶剂容器被附接到所述载体衬底的环形部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于所述声波传输到所述溶剂(22)。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于所述溶剂专有地在外周(4a)的区域中工作。
17.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于存在用于所述载体衬底和所述产品衬底的旋转的旋转装置，其中所述载体衬底和所述产品衬底的外周通过所述溶剂仅部分地同时作用并且通过旋转作用整个外周。
18.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于所述连接层是粘合剂并且有选择地施加到所述载体衬底和所述产品衬底的边缘区域中。
19.一种由连接层(6)导致的在载体衬底(2)和产品衬底(4)之间的连接的至少部分分离的装置，其特征在于所述装置包括：
a) 液体介质，也就是连接分离工具，其包括溶剂，所述溶剂有选择地溶解所述连接层用于至少部分分离；
b) 声波生成工具，用于通过声波加速分离；
c）环形溶剂容器，
其中所述环形溶剂容器被提供用于保存所述液体介质并且所述环形溶剂容器被附接到所述载体衬底的环形部分。
20.根据权利要求19所述的装置，其特征在于所述溶剂专有地在外周(4a)的区域中起作用。
21.根据权利要求19或20所述的装置，其特征在于所述声波传输到所述溶剂。
22.根据权利要求19或20所述的装置，其特征在于存在用于所述载体衬底和所述产品衬底的旋转的旋转装置，其中所述载体衬底和所述产品衬底的外周通过所述溶剂仅部分地同时作用并且通过旋转作用整个外周。
23.用于从载体衬底分离产品衬底的装置，所述载体衬底通过连接层连接到所述产品衬底，所述装置包括：
具有上表面和下表面的柔性薄膜，所述柔性薄膜包括所述下表面上的接触面片段，布置在所述接触面片段上用于将所述产品衬底保持到所述柔性薄膜的接触面片段的粘合层，所述柔性薄膜的下表面上的固定片段，其中所述固定片段包围所述接触面片段和位于所述接触面片段和所述固定片段之间的分离片段的外部的外周；
薄膜框架，其在所述固定片段安装到所述柔性薄膜；以及
分离装置，其配置成借助于力Fs以及通过施加作用在所述薄膜框架的外周中和分布在所述薄膜框架的所述外周上的局部且不同可控的力FF1和FF2而从所述产品衬底的外周将所述产品衬底从所述载体衬底分离，
其中作用在所述薄膜框架的所述外周上和分布在所述薄膜框架的所述外周上的至少两个不同可控的力FF1和FF2是能够施加在所述力Fs的相反方向上的。
24.根据权利要求23所述的装置，还包括：
输送装置，其配置成将液体仅施加到连接层的外周用于至少部分分离所述连接层。
25.根据权利要求24所述的装置，其中所述液体是溶解所述连接层的溶剂。
26.根据权利要求23所述的装置，其中至少两个不同可控的力包括第一力和第二力并且其中所述第一力等于所述第二力。
27.根据权利要求23所述的装置，其中至少两个不同可控的力包括第一力和第二力并且其中所述第二力分布在所述薄膜框架的外部的外周上。
28.根据权利要求24所述的装置，还包括：
用于保存所述液体的环形溶剂容器，其中所述溶剂容器附接到所述载体衬底的环形部分并且其中所述溶剂容器的上边缘至少与所述产品晶片的上表面共面地延伸。
29.根据权利要求27所述的装置，其中所述柔性薄膜的接触面片段相对于所述柔性薄膜的固定片段移动使得所述接触面片段定位在所述固定片段之下。
30.根据权利要求23所述的装置，其中所述分离装置包括刀片。
31.一种用于从载体衬底分离产品衬底的方法，所述载体衬底通过连接层连接到所述产品衬底，所述方法包括下列步骤：
提供
具有上表面和下表面的柔性薄膜，所述柔性薄膜包括所述下表面上的接触面片段，布置在所述接触面片段上用于将所述产品衬底保持到所述柔性薄膜的接触面片段的粘合层，所述柔性薄膜的下表面上的固定片段，其中所述固定片段包围接触面片段和位于在所述接触面片段和所述固定片段之间的分离片段的外部的外周，以及
薄膜框架，其在所述固定片段安装到柔性薄膜；以及
借助于力Fs以及通过施加在所述薄膜框架的外周中起作用和分布在所述薄膜框架的所述外周上的局部且不同可控的力FF1和FF2而从所述产品衬底的外周将所述产品衬底从所述载体衬底分离，
其中作用在所述薄膜框架的所述外周上和分布在所述薄膜框架的所述外周上的至少两个不同可控的力FF1和FF2是能够施加在所述力Fs的相反方向上的。
32.根据权利要求31所述的方法，包括下列其它步骤：
将液体仅施加到连接层的外周用于至少部分分离所述连接层。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述液体是溶解所述连接层的溶剂。
34.根据权利要求31所述的方法，其中至少两个不同可控的力包括第一力和第二力并且其中所述第一力等于所述第二力。
35.根据权利要求31所述的方法，其中至少两个不同可控的力包括第一力和第二力并且其中所述第二力分布在所述薄膜框架的外部的外周上。
36.根据权利要求32所述的方法，其中所述施加液体的步骤包括：
提供环形溶剂容器用于保存所述液体，以及
将所述溶剂容器附接到所述载体衬底的环形部分其中所述溶剂容器的上边缘至少与所述产品晶片的上表面共面地延伸。
37.根据权利要求32所述的方法，其中所述施加液体的步骤还包括：
相对于所述柔性薄膜的固定片段移动所述柔性薄膜的接触面片段使得所述接触面片段定位在所述固定片段之下。
38.根据权利要求31所述的方法，其中所述分离步骤包括：
用刀片切割所述连接层的外周。
CN201610219706.6A 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法 Active CN105702609B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09011198.0 2009-09-01
EP09011198.0A EP2290679B1 (de) 2009-09-01 2009-09-01 Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
CN201080038912.8A CN102612740B (zh) 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080038912.8A Division CN102612740B (zh) 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105702609A CN105702609A (zh) 2016-06-22
CN105702609B true CN105702609B (zh) 2019-12-06

Family

ID=41479251

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610219706.6A Active CN105702609B (zh) 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法
CN201080038912.8A Active CN102612740B (zh) 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080038912.8A Active CN102612740B (zh) 2009-09-01 2010-08-20 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法

Country Status (8)

Country Link
US (4) US8894807B2 (zh)
EP (4) EP2706562A3 (zh)
JP (2) JP5930401B2 (zh)
KR (3) KR101592137B1 (zh)
CN (2) CN105702609B (zh)
SG (4) SG178301A1 (zh)
TW (3) TWI603389B (zh)
WO (1) WO2011026570A1 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
EP2706562A3 (de) * 2009-09-01 2014-09-03 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens
CN103460369B (zh) 2011-04-11 2016-12-28 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 柔性的承载支架、用于使承载基底脱离的装置以及方法
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
WO2013036638A2 (en) * 2011-09-06 2013-03-14 Brewer Science Inc. Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process
EP2795669B1 (de) 2011-12-22 2020-06-17 EV Group E. Thallner GmbH Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats
JP5807554B2 (ja) * 2012-01-19 2015-11-10 旭硝子株式会社 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
US8834662B2 (en) * 2012-03-22 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of separating wafer from carrier
DE102012111246A1 (de) 2012-11-21 2014-05-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bonden
JP5909453B2 (ja) * 2013-03-07 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6053150B2 (ja) * 2013-03-15 2016-12-27 リンテック株式会社 光照射装置および照射方法
JP2015023137A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ 剥離装置及び剥離方法
US9751293B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Industrial Technology Research Institute Laminated substrate separating device and method for separating laminated substrate
SG11201603148VA (en) * 2014-12-18 2016-07-28 Ev Group E Thallner Gmbh Method for bonding substrates
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6118922B2 (ja) * 2016-01-19 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP2017163009A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
JP6858587B2 (ja) * 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6858586B2 (ja) * 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10913254B2 (en) * 2017-03-15 2021-02-09 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using chemical and mechanical means
US10211077B2 (en) 2017-03-17 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using high pressure solvent
TWI674639B (zh) * 2017-03-31 2019-10-11 日月光半導體製造股份有限公司 元件剝離裝置及元件剝離方法
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
WO2019117987A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Didrew Technology (Bvi) Limited System and method of embedding driver ic (emdic) in lcd display substrate
CN111566551B (zh) 2018-01-04 2023-06-02 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 具有嵌入式ic系统的无边框lcd显示器及其制造方法
CN111712907A (zh) 2018-02-09 2020-09-25 迪德鲁科技(Bvi)有限公司 制造具有无载体模腔的扇出型封装的方法
US10734326B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Didrew Technology (Bvi) Limited Hermetic flat top integrated heat spreader (IHS)/electromagnetic interference (EMI) shield package and method of manufacturing thereof for reducing warpage
US10424524B2 (en) 2018-02-15 2019-09-24 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Multiple wafers fabrication technique on large carrier with warpage control stiffener
US11177153B2 (en) 2018-03-20 2021-11-16 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Method of debonding work-carrier pair with thin devices
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
TWI772676B (zh) * 2019-09-04 2022-08-01 達明機器人股份有限公司 貼紙剝離裝置
CN110690158B (zh) * 2019-09-25 2022-03-22 云谷（固安）科技有限公司 剥离装置及剥离方法
CN111025445B (zh) * 2019-12-10 2021-11-30 深圳先进技术研究院 一种基于pdms的柔性光栅的制作方法及装置
EP4331816A1 (en) * 2021-04-28 2024-03-06 Toyobo Co., Ltd. Polymer film releasing method, method for manufacturing electronic device, and releasing device
CN113634544B (zh) * 2021-08-16 2022-09-16 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 晶圆清洗机构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) * 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
CN1993821A (zh) * 2004-08-17 2007-07-04 琳得科株式会社 脆质部件的转移装置
CN101114454A (zh) * 2006-07-28 2008-01-30 新科实业有限公司 一种磁头分离辅助装置及磁头分离方法

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5273615A (en) * 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH06275717A (ja) * 1993-01-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp ウエハはがし方法
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP4220580B2 (ja) 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JP3407835B2 (ja) 1995-03-09 2003-05-19 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
DE19734635A1 (de) * 1997-08-11 1999-02-18 Gen Semiconductor Ireland Macr Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen von Bauelementen von einer Folie
US6076585A (en) * 1998-03-02 2000-06-20 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus therefor
US6090687A (en) 1998-07-29 2000-07-18 Agilent Technolgies, Inc. System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein
JP2000091305A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Sony Corp 半導体製造用ウェットエッチング装置
KR100292075B1 (ko) * 1998-12-29 2001-07-12 윤종용 반도체소자제조용웨이퍼처리장치
JP2001196404A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3768069B2 (ja) 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
DE10048881A1 (de) 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
US6523557B2 (en) 2000-12-13 2003-02-25 Imtec Acculine, Inc. Megasonic bath
JP2002203821A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
US6713880B2 (en) 2001-02-07 2004-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same, and method for mounting semiconductor device
JP2002237515A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
DE10108369A1 (de) 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
AT502233B1 (de) * 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
JP4632590B2 (ja) * 2001-08-30 2011-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送システム及び基板処理装置
US6726848B2 (en) 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US7497916B2 (en) 2002-03-27 2009-03-03 Panasonic Corporation Method of manufacturing multilayer optical information recording medium
JP4271409B2 (ja) * 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
TWI258316B (en) 2002-10-25 2006-07-11 Ritdisplay Corp FPD encapsulation apparatus and method for encapsulating ehereof
JP2004193237A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートを具備するウェハー保持部材，及び粘着シートの剥離方法
JP4614626B2 (ja) * 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 薄肉半導体チップの製造方法
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
DE10340409B4 (de) 2003-09-02 2007-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
JP2005109259A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Toshiba Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP2005116588A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Sony Corp チップ部品の製造方法
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP4447280B2 (ja) 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
DE102004018250A1 (de) 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005353859A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法
US7829152B2 (en) 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
JP2006032506A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
JP4679890B2 (ja) * 2004-11-29 2011-05-11 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り付け装置
JP4848153B2 (ja) * 2005-08-10 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
JP4668052B2 (ja) 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
JP4895671B2 (ja) * 2006-05-08 2012-03-14 株式会社ディスコ 加工装置
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
JP5233106B2 (ja) * 2006-09-28 2013-07-10 凸版印刷株式会社 レンズシートの製造方法及び製造装置
JP4402144B2 (ja) * 2006-09-29 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI433306B (zh) * 2006-09-29 2014-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
JP4733074B2 (ja) 2007-06-11 2011-07-27 リンテック株式会社 分離装置及び分離方法
JP4964107B2 (ja) * 2007-12-03 2012-06-27 東京応化工業株式会社 剥離装置
US9111981B2 (en) * 2008-01-24 2015-08-18 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
JP5074940B2 (ja) * 2008-01-30 2012-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
JP2009182256A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理装置および基板の処理方法
JP5271554B2 (ja) * 2008-02-04 2013-08-21 東京応化工業株式会社 サポートプレート
JP4965485B2 (ja) * 2008-02-29 2012-07-04 東京応化工業株式会社 処理液浸透ユニットおよび処理装置
KR101481856B1 (ko) 2008-04-11 2015-01-12 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인 부가 장착형 기판을 탈착하기 위한 방법 및 장치
CN101582265A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 新科实业有限公司 磁头分离辅助装置及利用该装置制造磁头的方法
JP5291392B2 (ja) * 2008-06-18 2013-09-18 東京応化工業株式会社 支持板剥離装置
EP2402981B1 (de) * 2009-03-18 2013-07-10 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US9847243B2 (en) 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
EP2706562A3 (de) 2009-09-01 2014-09-03 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens
WO2013036638A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Brewer Science Inc. Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) * 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
CN1993821A (zh) * 2004-08-17 2007-07-04 琳得科株式会社 脆质部件的转移装置
CN101114454A (zh) * 2006-07-28 2008-01-30 新科实业有限公司 一种磁头分离辅助装置及磁头分离方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016149571A (ja) 2016-08-18
EP2667407A3 (de) 2014-09-10
EP2706562A3 (de) 2014-09-03
KR101595692B1 (ko) 2016-02-18
US20130340947A1 (en) 2013-12-26
TWI603389B (zh) 2017-10-21
US20150096690A1 (en) 2015-04-09
EP2667407A2 (de) 2013-11-27
EP2290679A1 (de) 2011-03-02
KR101592137B1 (ko) 2016-02-04
US20150075725A1 (en) 2015-03-19
EP2667407B1 (de) 2019-01-23
US9186877B2 (en) 2015-11-17
EP2706561A3 (de) 2014-09-03
KR20150004897A (ko) 2015-01-13
TWI570790B (zh) 2017-02-11
JP6266036B2 (ja) 2018-01-24
EP2706561B1 (de) 2017-04-05
TW201133583A (en) 2011-10-01
CN102612740A (zh) 2012-07-25
CN105702609A (zh) 2016-06-22
TW201606864A (zh) 2016-02-16
TWI592998B (zh) 2017-07-21
KR101487585B1 (ko) 2015-01-29
WO2011026570A1 (de) 2011-03-10
US8986496B2 (en) 2015-03-24
US9381732B2 (en) 2016-07-05
EP2290679B1 (de) 2016-05-04
US20120152465A1 (en) 2012-06-21
JP5930401B2 (ja) 2016-06-08
SG10201501092PA (en) 2015-04-29
EP2706561A2 (de) 2014-03-12
US8894807B2 (en) 2014-11-25
KR20120067335A (ko) 2012-06-25
JP2013504178A (ja) 2013-02-04
TW201606865A (zh) 2016-02-16
SG10201501093VA (en) 2015-04-29
EP2706562A2 (de) 2014-03-12
SG10201501076PA (en) 2015-04-29
KR20150004898A (ko) 2015-01-13
CN102612740B (zh) 2016-05-11
SG178301A1 (en) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105702609B (zh) 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法
US9457552B2 (en) Method for detaching a product substrate off a carrier substrate
US8603294B2 (en) Method for stripping a wafer from a carrier
KR102061369B1 (ko) 제품 기판을 캐리어 기판에 임시로 결합하기 위한 방법
US20130000852A1 (en) Stripping device and stripping method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant