CN108155270B - 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法 - Google Patents

一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108155270B
CN108155270B CN201711326700.XA CN201711326700A CN108155270B CN 108155270 B CN108155270 B CN 108155270B CN 201711326700 A CN201711326700 A CN 201711326700A CN 108155270 B CN108155270 B CN 108155270B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
adsorption plate
chip
oscillating rod
cylinder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201711326700.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108155270A (zh
Inventor
邹金成
魏民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zishi Energy Co ltd
Original Assignee
Beijing Chong Yu Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Chong Yu Technology Co Ltd filed Critical Beijing Chong Yu Technology Co Ltd
Priority to CN201711326700.XA priority Critical patent/CN108155270B/zh
Publication of CN108155270A publication Critical patent/CN108155270A/zh
Priority to PCT/CN2018/092385 priority patent/WO2019114236A1/zh
Priority to US16/019,583 priority patent/US20190181030A1/en
Priority to JP2018124685A priority patent/JP6592147B2/ja
Priority to KR1020180075210A priority patent/KR20190070833A/ko
Priority to TW107122540A priority patent/TWI686052B/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108155270B publication Critical patent/CN108155270B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法，包括底座、第一吸附板、驱动机构、摆动杆和夹紧机构，第一吸附板水平的安装于底座上，第一吸附板与晶片的下表面贴合吸附；摆动杆的一端与驱动机构连接，另一端与夹紧机构连接，驱动机构用于带动摆动杆及夹紧机构在竖直平面内摆动以靠近或远离第一吸附板，夹紧机构用于在薄膜的边缘处将薄膜夹紧。在使用时，第一吸附板采用真空将晶片吸附，驱动机构带动摆动杆摆动使摆动杆和夹紧机构转动到薄膜上方，然后控制夹紧机构在薄膜的边缘处将薄膜夹紧固定，驱动机构反向带动摆动杆摆动，在摆动杆和夹紧机构的作用下，使薄膜和晶片实现分离。

Description

一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法。
背景技术
新能源是二十一世纪世界经济发展中最具决定力的五大技术领域之一。太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源。在新世纪中，各国政府都将太阳能资源利用作为国家可持续发展战略的重要内容。而光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点。
太阳能电池的晶片和薄膜依靠表面张力贴合在一起，当需要将晶片和薄膜分离时，现有的分离装置往往需要在晶片和薄膜的结合面喷水将晶片和薄膜分离来，但是在这个过程中水会溅到薄膜的吸附机构上，从而将吸附薄膜的吸附机构的真空破坏，从而导致分离失败。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是解决现有的分离装置在对晶片和薄膜进行分离时需要喷水会破坏吸附机构的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜与晶片的分离装置，包括底座、第一吸附板、第二吸附板、驱动机构、摆动杆和夹紧机构，所述第一吸附板水平的安装于所述底座上，待分离的薄膜与晶片放置于所述第一吸附板上，所述第一吸附板与所述晶片的下表面贴合吸附；所述摆动杆的一端与所述驱动机构连接，另一端与所述夹紧机构连接，所述驱动机构用于带动所述摆动杆及所述夹紧机构在竖直平面内摆动以靠近或远离所述第一吸附板，所述夹紧机构用于在所述薄膜的边缘处将所述薄膜夹紧。
其中，所述夹紧机构包括第一气缸和第二气缸，所述第一气缸与所述摆动杆连接，且所述第一气缸的伸缩杆沿远离所述摆动杆的方向设置，所述第二气缸与所述第一气缸的伸缩杆连接，且所述第二气缸的伸缩杆与所述第一气缸的伸缩杆垂直，所述第二气缸的伸缩杆的端部连接压紧板，所述压紧板用于压紧在所述薄膜的下表面上。
其中，所述压紧板的上表面设有弹性条，所述弹性条用于实现所述压紧板与所述薄膜的下表面的弹性接触。
其中，所述驱动机构安装于所述底座上，所述驱动机构包括驱动电机和转轴，所述驱动电机通过电机固定座安装于所述底座上，所述驱动电机的输出轴水平设置，且所述驱动电机的输出轴通过联轴器与所述转轴连接，所述摆动杆垂直于所述转轴，且与所述转轴固定连接；所述转轴的两端分别设有轴承固定座，所述轴承固定座固定于所述底座上，且所述轴承固定座内设有轴承，所述转轴穿过所述轴承与所述轴承的内圈配合。
其中，还包括第一连接块，所述第一连接块设于所述底座上且与所述第一吸附板设于所述转轴的同一侧，所述第一连接块内设有第一真空发生器，所述第一吸附板内设有第一真空通道，所述第一真空发生器与所述第一真空通道连通。
其中，还包括第二吸附板和第二连接块，所述第二吸附板通过所述第二连接块与所述摆动杆连接，所述夹紧机构设于所述第二吸附板上，所述第二吸附板内设有第二真空通道，所述第二连接块内设有第二真空发生器，所述第二真空发生器与所述第二真空通道连通，所述第二吸附板用于在靠近所述第一吸附板时与所述薄膜贴合吸附。
其中，所述摆动杆上设有缓冲柱塞，在所述第二吸附板靠近所述第一吸附板且与所述薄膜贴紧吸附时，所述缓冲柱塞的下端与所述第一连接块接触。
本发明还提供了一种薄膜与晶片的分离方法，采用上述的分离装置对薄膜与晶片进行分离，包括步骤
S1，将待分离的晶片和薄膜放置于第一吸附板上，并采用第一吸附板将晶片贴合吸附；
S2，控制驱动电机转动带动摆动杆摆动至薄膜处，采用夹紧机构在薄膜的边缘处将薄膜夹紧；
S3，控制驱动电机反向转动带动摆动杆沿远离晶片的方向摆动，将薄膜从晶片上分离。
其中，所述步骤S2还包括：
S21，驱动电机转动，带动摆动杆和第二吸附板旋转到薄膜的上方，控制第二吸附板将薄膜的上表面吸附住；
S22，第一气缸的伸缩杆的缩短，使压紧板位于第二吸附板的下方，第二气缸的伸缩杆缩短，使压紧板压紧在薄膜的下表面上。
其中，在步骤S1之前，还包括步骤S0，控制驱动电机转动带动摆动杆摆动，使第二吸附板与第一吸附板分别位于转轴的两侧，并控制第一气缸的伸缩杆和第二气缸的伸缩杆伸长，使所述压紧板远离所述第二吸附板。
(三)有益效果
本发明的上述技术方案具有如下优点：本发明提供的一种薄膜与晶片的分离装置与方法，包括底座、第一吸附板、驱动机构、摆动杆和夹紧机构，第一吸附机构水平的安装于底座上，待分离的薄膜与晶片放置于第一吸附板上，其中第一吸附板与晶片的下表面的贴合吸附，摆动杆的一端与驱动机构连接，另一端与夹紧机构连接，驱动机构用于带动摆动杆及夹紧机构在竖直平面内摆动以靠近或远离第一吸附板，夹紧机构用于在薄膜的边缘处将薄膜夹紧。在使用时，先控制驱动机构带动摆动杆和夹紧机构转动到与第一吸附板不同侧，将晶片和薄膜放置在第一吸附板上，第一吸附板采用真空将晶片吸附，驱动机构带动摆动杆摆动使摆动杆和夹紧机构转动到薄膜上方，然后控制夹紧机构在薄膜的边缘处将薄膜夹紧固定，然后驱动机构带动摆动杆沿远离晶片的方向摆动，由于夹紧机构将薄膜夹紧，第一吸附板将晶片吸附固定，在摆动杆沿远离晶片的方向摆动时，薄膜与晶片分离。该分离装置的结构简单，且在分离过程中不会对薄膜及晶片造成损坏，分离效率较高。
除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成的技术方案的技术特征以及有这些技术方案的技术特征所带来的优点之外，本发明的其他技术特征及这些技术特征带来的优点，将结合附图作出进一步说明。
附图说明
图1是本发明实施例提供的薄膜与晶片的分离装置的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的薄膜与晶片的分离装置的侧视图；
图3是本发明实施例中第二吸附板与第一吸附板位于转轴的两侧时的状态图；
图4是本发明实施例中第二吸附板于夹紧机构将薄膜压紧时的状态图；
图5是图4的局部放大图。
图中：1：底座；2：驱动电机；3：电机固定座；4：联轴器；5：轴承固定座；6：转轴；7：摆动杆；8：第一连接块；9：第一吸附板；10：第二连接块；11：第二吸附板；12：第一气缸；13：连接板；14：第二气缸；15：压紧板；16：弹性条；17：缓冲柱塞；21：薄膜；22：晶片。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”、“多根”、“多组”的含义是两个或两个以上，“若干个”、“若干根”、“若干组”的含义是一个或一个以上。
如图1至图5所示，本发明实施例提供的一种薄膜与晶片的分离装置，包括底座1、第一吸附板9、驱动机构、摆动杆7和夹紧机构，第一吸附板9水平的安装于底座1上，待分离的薄膜21与晶片22放置于第一吸附板9上，且晶片22和薄膜21突出于第一吸附板9，第一吸附板9与晶片22的下表面贴合吸附；摆动杆7的一端与驱动机构连接，另一端与夹紧机构连接，驱动机构用于带动摆动杆7及夹紧机构在竖直平面内摆动以靠近或远离第一吸附板9，夹紧机构用于在薄膜21的边缘处将薄膜21夹紧。在使用时，先控制驱动机构带动摆动杆7和夹紧机构转动到与第一吸附板9不同侧，将晶片22和薄膜21放置在第一吸附板9上，第一吸附板9采用真空将晶片22吸附，驱动机构带动摆动杆7摆动使摆动杆和夹紧机构转动到薄膜21上方，然后控制夹紧机构压紧在薄膜21的边缘处将薄膜21夹紧固定，然后驱动机构带动摆动杆7沿远离晶片22的方向摆动，由于夹紧机构将薄膜21夹紧，第一吸附板9将晶片22吸附固定，在摆动杆7沿远离晶片22的方向摆动时，薄膜21与晶片22分离。该分离装置的结构简单，且在分离过程中不会对薄膜21及晶片22造成损坏，分离效率较高。
进一步的，夹紧机构包括第一气缸12和第二气缸14，第一气缸12与摆动杆7连接，第一气缸12的伸缩杆沿远离摆动杆7的方向设置，第二气缸14通过连接板13与第一气缸12的伸缩杆连接，且第二气缸14的伸缩杆沿垂直于第一气缸12的方向设置，且第二气缸14的伸缩杆的端部连接压紧板15，压紧板15用于压紧在薄膜21的下表面上。
进一步的，压紧板15的上表面设有弹性条16，弹性条16用于实现压紧板15与薄膜21的下表面的弹性接触。在本实施例中，弹性条16的材料为橡胶。
进一步的，驱动机构安装于底座1上。驱动机构包括驱动电机2和转轴6，驱动电机2的输出轴水平设置，且驱动电机2的输出轴通过联轴器4与转轴6连接，摆动杆7垂直于转轴6，且摆动杆7与转轴6固定连接。具体的，摆动杆7的一端设有套孔，套孔套设在转轴6上，转轴6转动时带动摆动杆7在竖直平面内摆动。
进一步的，转轴6的两端分别设有轴承固定座5，轴承固定座5固定于底座1上，且轴承固定座5内设有轴承，轴承的外圈固定在轴承固定座5的孔内，转轴6穿过轴承与轴承的内圈配合。轴承固定座5对转轴6起支撑作用。
进一步的，底座1上还设有电机固定座3，电机固定座3用于安装驱动电机2。电机固定座3的形状为L形，电机固定座3的底板固定在底座1上，电机固定座3的竖板用于安装电机。
进一步的，该分离装置还包括第一连接块8，第一连接块8设于底座1上且与第一吸附板9设于转轴6的同一侧，第一连接块8内设有第一真空发生器，第一吸附板9内设有第一真空通道，第一真空发生器与第一真空通道连通。通过第一真空发生器使第一吸附板9内产生真空，进而实现第一吸附板9对晶片22的吸附效果。
进一步的，该分离装置还包括第二吸附板11和第二连接块10，第二连接块10安装于摆动杆7与第二吸附板11之间，夹紧机构设于第二吸附板11上，第二吸附板11在靠近第一吸附板9时与薄膜21贴合吸附，第二连接块10内设有第二真空发生器，第二吸附板11内设有第二真空通道，第二真空发生器与第二真空通道连通。在本实施例中，第二连接块10的一侧与摆动杆7的端部连接，第二连接块10的另一侧与第二吸附板11的靠近转轴6的一端连接，通过第二真空发生器使第二吸附板11内产生真空，进而实现第二吸附板11对薄膜21的吸附效果。具体的，第一气缸12设于第二吸附板11上，且位于第二吸附板11的远离转轴6的一端，第一气缸的伸缩杆沿远离转轴的方向设置，第二气缸14的伸缩杆垂直于第二吸附板11，在第一吸附板9吸附在薄膜21上之后，调整第一气缸12和第二气缸14的伸缩杆，使压板压紧在薄膜21的下表面上，从下方给薄膜21一个作用力，薄膜21的尺寸大于晶片22的尺寸，压紧板15在薄膜21的边缘处压紧在薄膜21的下表面上，使薄膜21紧贴在第二吸附板11上，进而使薄膜21随着第二吸附板11一起运动。
进一步的，摆动杆7上设有缓冲柱塞17，在第二吸附板11靠近第一吸附板9与薄膜21贴紧吸附时，缓冲柱塞17的下端与第一连接块8接触。在本实施例中缓冲柱塞17的形式为弹簧柱塞，缓冲柱塞17的设置，在摆动杆7带动第二吸附板11靠近第一吸附板9时起到一个缓冲的作用，在第二吸附板11压紧在薄膜21上时起到一个限位的作用。
上述薄膜21与晶片22的分离装置在使用时主要包括以下步骤：
S0，控制驱动机构带动摆动杆7摆动，也就是说驱动电机2转动带动转轴6转动，同时使摆动杆7发生摆动，使第二吸附板11与第一吸附板9分别位于转轴6的两侧，控制第一气缸12的伸缩杆和第二气缸14的伸缩杆伸长，使压紧板15远离第二吸附板11，此时，第二吸附板11处于初始位置；
S1，将薄膜21和晶片22放置于第一吸附板9上，控制第一吸附板9将晶片22的下表面吸附住；薄膜21和晶片22在放置在第一吸附板9上时，薄膜21的尺寸大于晶片22的尺寸，为压紧板15的压紧预留空间，第一吸附板9的吸附板对晶片22的吸附，是借助第一真空发生器使第一真空通道内发生真空来实现的。
S2，控制驱动电机2转动，带动摆动杆7和第二吸附板11旋转到薄膜21的上方，采用夹紧机构在薄膜21的边缘处将薄膜21夹紧；
具体的，步骤S2还包括S21，驱动电机2转动，带动摆动杆7和第二吸附板11转动到薄膜21的上方，控制第二吸附板11将薄膜21的上表面吸附住；在这个过程中，在第二吸附板11将要接触到薄膜21时，驱动电机2缓慢转动，使第二吸附板11缓慢的接触到薄膜21，压住薄膜21后进行真空吸附，避免第二吸附板11快速接触薄膜21时产生损坏。
S22，第一气缸12的伸缩杆的缩短，使压紧板15靠近第二吸附板11并位于第二吸附板11的下方，第二气缸14的伸缩杆缩短，下压板产生一个向上的位移，使压紧板15压紧在薄膜21的下表面上；压紧板15在靠近薄膜21的下表面接触时，位于压紧板15上的弹性条16首先与薄膜21接触。
S3，驱动电机2沿与步骤S2中相反的方向转动，带动摆动杆7、第二吸附板11及第一气缸12、第二气缸14及压紧板15沿远离晶片22的方向一起摆动，使薄膜21从晶片22上分离。薄膜21与晶片22分离后，驱动电机2快速驱使第二吸附板11恢复到初始位置。然后控制第一气缸12和第二气缸14伸长，压紧板15对薄膜21的约束力取消，释放第二吸附板11内的真空，第二吸附板11对薄膜21的吸附力消失，可以采用机械手将薄膜21取走；释放第一吸附板9内的真空，第一吸附板9对晶片22的吸附力消失，可以采用机械手将晶片22取走。
使用时，连续重复上述动作，可以进行多次晶片与薄膜的分离。
综上所述，本发明实施例提供的一种薄膜与晶片的分离装置及方法，使用水平设置的第一吸附板将晶片吸附，使用可在竖直平面内摆动的第二吸附板将薄膜吸附，再采用可移动的压紧板压住薄膜的一端，这样驱动电机在转动时，带动摆动杆、第二吸附板和压紧板一起旋转实现薄膜与晶片的分离。该分离过程不需要对薄膜和晶片喷水，且分离装置设置弹性条和缓冲柱塞等保护机构，避免在分离过程中对分离机构、薄膜及晶片造成损伤，提高了分离的安全性、可靠性和分离的成功率。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种薄膜与晶片的分离装置，其特征在于，包括底座、第一吸附板、驱动机构、摆动杆和夹紧机构，
所述第一吸附板水平的安装于所述底座上，待分离的薄膜与晶片放置于所述第一吸附板上，所述第一吸附板与所述晶片的下表面贴合吸附；所述摆动杆的一端与所述驱动机构连接，另一端与所述夹紧机构连接，所述驱动机构用于带动所述摆动杆及所述夹紧机构在竖直平面内摆动以靠近或远离所述第一吸附板，所述夹紧机构用于在所述薄膜的边缘处将所述薄膜夹紧；
还包括第二吸附板和第二连接块，所述第二吸附板通过所述第二连接块与所述摆动杆连接，所述夹紧机构设于所述第二吸附板上。
2.根据权利要求1所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：所述夹紧机构包括第一气缸和第二气缸，所述第一气缸与所述摆动杆连接，且所述第一气缸的伸缩杆沿远离所述摆动杆的方向设置，所述第二气缸与所述第一气缸的伸缩杆连接，且所述第二气缸的伸缩杆与所述第一气缸的伸缩杆垂直，所述第二气缸的伸缩杆的端部连接压紧板，所述压紧板用于压紧在所述薄膜的下表面上。
3.根据权利要求2所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：所述压紧板的上表面设有弹性条，所述弹性条用于实现所述压紧板与所述薄膜的下表面的弹性接触。
4.根据权利要求2或3所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：所述驱动机构安装于所述底座上，所述驱动机构包括驱动电机和转轴，所述驱动电机通过电机固定座安装于所述底座上，所述驱动电机的输出轴水平设置，且所述驱动电机的输出轴通过联轴器与所述转轴连接，所述摆动杆垂直于所述转轴，且与所述转轴固定连接；所述转轴的两端分别设有轴承固定座，所述轴承固定座固定于所述底座上，且所述轴承固定座内设有轴承，所述转轴穿过所述轴承与所述轴承的内圈配合。
5.根据权利要求4所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：还包括第一连接块，所述第一连接块设于所述底座上且与所述第一吸附板设于所述转轴的同一侧，所述第一连接块内设有第一真空发生器，所述第一吸附板内设有第一真空通道，所述第一真空发生器与所述第一真空通道连通。
6.根据权利要求5所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：所述第二吸附板内设有第二真空通道，所述第二连接块内设有第二真空发生器，所述第二真空发生器与所述第二真空通道连通，所述第二吸附板用于在靠近所述第一吸附板时与所述薄膜贴合吸附。
7.根据权利要求6所述的薄膜与晶片的分离装置，其特征在于：所述摆动杆上设有缓冲柱塞，在所述第二吸附板靠近所述第一吸附板且与所述薄膜贴紧吸附时，所述缓冲柱塞的下端与所述第一连接块接触。
8.一种薄膜与晶片的分离方法，其特征在于：采用如权利要求7所述的分离装置对薄膜与晶片进行分离，包括步骤
S1，将待分离的晶片和薄膜放置于第一吸附板上，并采用第一吸附板将晶片贴合吸附；
S2，控制驱动电机转动带动摆动杆摆动至薄膜处，采用夹紧机构在薄膜的边缘处将薄膜夹紧；
S3，控制驱动电机反向转动带动摆动杆沿远离晶片的方向摆动，将薄膜从晶片上分离。
9.根据权利要求8所述的薄膜与晶片的分离方法，其特征在于：所述步骤S2还包括：
S21，驱动电机转动，带动摆动杆和第二吸附板转动到薄膜的上方，控制第二吸附板将薄膜的上表面吸附住；
S22，第一气缸的伸缩杆的缩短，使压紧板位于第二吸附板的下方，第二气缸的伸缩杆缩短，使压紧板压紧在薄膜的下表面上。
10.根据权利要求8或9所述的薄膜与晶片的分离方法，其特征在于：在步骤S1之前，还包括步骤S0，控制驱动电机转动带动摆动杆摆动，使第二吸附板与第一吸附板分别位于转轴的两侧，并控制第一气缸的伸缩杆和第二气缸的伸缩杆伸长，使所述压紧板远离所述第二吸附板。
CN201711326700.XA 2017-12-13 2017-12-13 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法 Expired - Fee Related CN108155270B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711326700.XA CN108155270B (zh) 2017-12-13 2017-12-13 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
PCT/CN2018/092385 WO2019114236A1 (zh) 2017-12-13 2018-06-22 薄膜与晶片的分离装置和分离方法
US16/019,583 US20190181030A1 (en) 2017-12-13 2018-06-27 Separation Device and Separation Method for Film and Wafer
JP2018124685A JP6592147B2 (ja) 2017-12-13 2018-06-29 フィルムとウェハの分離装置及び分離方法
KR1020180075210A KR20190070833A (ko) 2017-12-13 2018-06-29 박막과 웨이퍼의 분리 장치 및 분리 방법
TW107122540A TWI686052B (zh) 2017-12-13 2018-06-29 薄膜與晶片的分離裝置和分離方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711326700.XA CN108155270B (zh) 2017-12-13 2017-12-13 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108155270A CN108155270A (zh) 2018-06-12
CN108155270B true CN108155270B (zh) 2019-09-20

Family

ID=62467044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711326700.XA Expired - Fee Related CN108155270B (zh) 2017-12-13 2017-12-13 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190181030A1 (zh)
JP (1) JP6592147B2 (zh)
KR (1) KR20190070833A (zh)
CN (1) CN108155270B (zh)
TW (1) TWI686052B (zh)
WO (1) WO2019114236A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
CN110739258A (zh) * 2018-07-20 2020-01-31 东泰高科装备科技有限公司 一种晶片取片分离装置及方法
CN109093269B (zh) * 2018-09-06 2020-04-10 重庆科技学院 一种芯片卡具的固定装置的使用方法
CN113299576B (zh) * 2020-02-21 2022-11-22 济南晶正电子科技有限公司 一种薄膜机械分离装置
CN113514460B (zh) * 2021-03-22 2022-07-12 共享智能装备有限公司 用于试块断面的检测装置
CN113725159A (zh) * 2021-08-03 2021-11-30 安徽富信半导体科技有限公司 一种半导体元件晶圆切割方法
CN113839116A (zh) * 2021-11-03 2021-12-24 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种锂电池表面撕膜装置
CN116053366B (zh) * 2023-02-02 2023-09-15 江苏艾立特半导体科技有限公司 一种led晶片涂覆荧光胶的压膜设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510500A (zh) * 2008-02-15 2009-08-19 塔工程有限公司 用于分离芯片的方法和装置
CN202474010U (zh) * 2012-03-20 2012-10-03 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种湿硅片自动分片装置
CN103155125A (zh) * 2010-09-28 2013-06-12 株式会社新川 半导体芯片拾取装置及使用该装置的半导体芯片拾取方法
CN203165871U (zh) * 2013-01-31 2013-08-28 上海星纳电子科技有限公司 一种无接触式晶片上料装置
CN103515473A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 常州天合光能有限公司 光伏组件用无隐裂自动拆框装置
CN205542722U (zh) * 2016-03-16 2016-08-31 钧石(中国)能源有限公司 一种太阳能电池片撕膜设备

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2642317B2 (ja) * 1994-08-03 1997-08-20 ソマール株式会社 フィルム剥離方法及び装置
KR100543024B1 (ko) * 1998-01-21 2006-05-25 삼성전자주식회사 액정표시장치의 편광판 제거장치
US7887632B2 (en) * 2004-01-15 2011-02-15 Japan Science And Technology Agency Process for producing monocrystal thin film and monocrystal thin film device
JP5399084B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-29 大日本スクリーン製造株式会社 薄膜形成システムおよび薄膜形成方法
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
JP2011071472A (ja) * 2009-08-31 2011-04-07 Hitachi Setsubi Eng Co Ltd 真空貼付け方法及び装置
EP2667407B1 (de) * 2009-09-01 2019-01-23 EV Group GmbH Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat mittels eines Lösungsmittels und Schallwellen durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
US20110083735A1 (en) * 2009-10-13 2011-04-14 Ips Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
US8956888B2 (en) * 2010-11-03 2015-02-17 Apollo Precision Fujian Limited Photovoltaic device and method and system for making photovoltaic device
US8845859B2 (en) * 2011-03-15 2014-09-30 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Systems and methods for cleaving a bonded wafer pair
ES2685519T3 (es) * 2011-09-30 2018-10-09 Saint-Gobain Glass France Módulo solar sin marco con orificios de montaje y procedimiento para producir un módulo solar de este tipo
CN102623332B (zh) * 2012-04-11 2015-03-25 浙江金瑞泓科技股份有限公司 一种硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置
TW201352096A (zh) * 2012-06-01 2013-12-16 Subtron Technology Co Ltd 拆板總成及其操作方法
ITBO20120581A1 (it) * 2012-10-25 2014-04-26 Marchesini Group Spa Metodo per rimuovere la pellicola di sigillatura da un contenitore e dispositivo che attua tale metodo
KR20140064212A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 (주)브이티에스 웨이퍼 이송 장치
JP6096024B2 (ja) * 2013-03-26 2017-03-15 リンテック株式会社 シート剥離装置及びシート剥離方法
KR20130086575A (ko) * 2013-05-29 2013-08-02 한국전자통신연구원 태양광 모듈
JP6491602B2 (ja) * 2013-10-30 2019-03-27 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
KR101567406B1 (ko) * 2014-06-30 2015-11-10 주식회사 호진플라텍 전기도금 및 광유도도금을 병행하는 태양전지 기판용 도금장치
SG11201704108YA (en) * 2014-11-19 2017-06-29 Corning Inc Methods of processing including peeling
CN107108132B (zh) * 2014-11-19 2021-03-30 康宁股份有限公司 剥离多层基板的方法
US9991150B2 (en) * 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
WO2017065155A1 (ja) * 2015-10-16 2017-04-20 旭硝子株式会社 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
CN109075220B (zh) * 2016-05-06 2022-05-24 应用材料意大利有限公司 用于对准太阳能电池元件的设备、在太阳能电池的制造中使用的系统，及用于对准太阳能电池元件的方法
JP6730879B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-29 株式会社ディスコ 剥離方法及び剥離装置
JP6925714B2 (ja) * 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6951124B2 (ja) * 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法
CN107946407A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 北京创昱科技有限公司 一种新型独立驱动的薄膜分离机构
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510500A (zh) * 2008-02-15 2009-08-19 塔工程有限公司 用于分离芯片的方法和装置
CN103155125A (zh) * 2010-09-28 2013-06-12 株式会社新川 半导体芯片拾取装置及使用该装置的半导体芯片拾取方法
CN202474010U (zh) * 2012-03-20 2012-10-03 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种湿硅片自动分片装置
CN103515473A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 常州天合光能有限公司 光伏组件用无隐裂自动拆框装置
CN203165871U (zh) * 2013-01-31 2013-08-28 上海星纳电子科技有限公司 一种无接触式晶片上料装置
CN205542722U (zh) * 2016-03-16 2016-08-31 钧石(中国)能源有限公司 一种太阳能电池片撕膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI686052B (zh) 2020-02-21
KR20190070833A (ko) 2019-06-21
JP2019106526A (ja) 2019-06-27
WO2019114236A1 (zh) 2019-06-20
JP6592147B2 (ja) 2019-10-16
TW201929411A (zh) 2019-07-16
US20190181030A1 (en) 2019-06-13
CN108155270A (zh) 2018-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108155270B (zh) 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
CN102674249B (zh) 一段式变压吸附膜分离提纯氢气的方法及实现装置
CN105098255B (zh) 软包装锂离子电池化成夹具及利用其的电池化成方法
CN210595262U (zh) 一种过滤板方便更换的增压输出变压吸附制氧装置
CN207398285U (zh) 一种锂电池清洗机极柱密封夹具
CN111795562A (zh) 一种具有除尘功能的生物制药用中药材晾晒装置
CN103515473A (zh) 光伏组件用无隐裂自动拆框装置
CN103515472A (zh) 光伏组件用无隐裂自动拆框方法
CN209287943U (zh) 废弃晶体硅太阳能电池组件自动拆卸回收生产线
CN214368796U (zh) 一种用于ai智能语音装置
CN209579397U (zh) 用于灯板组装合壳的装置
CN211879545U (zh) 一种叠片前隔膜抚平整形装置
CN209183526U (zh) 一种太阳能电池片翻转机构
CN207743243U (zh) 一种太阳能电池片裂片后分片装置
CN218166086U (zh) 一种活性白土压滤装置
CN220758398U (zh) 一种气体分离提纯装置
CN203277207U (zh) 一种固体绝缘真空开关
CN218887398U (zh) 一种新能源电动车的电池拆解设备
CN215822724U (zh) 一种组合式变压吸附制氮机
CN202049894U (zh) 一种隔离开关及其静触头组件
CN206639698U (zh) 电力电容夹紧工装
CN210475836U (zh) 一种超声波中空板焊接机
CN117123978A (zh) 一种聚合物锂电池极耳焊接设备
CN209363223U (zh) 一种罐体夹紧清理装置
CN212017296U (zh) 一种可使用二级psa吸附分离的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 102200 room A129-1, Zhongxing Road, Changping District science and Technology Park, Beijing, China, 10

Patentee after: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 102200 room A129-1, Zhongxing Road, Changping District science and Technology Park, Beijing, China, 10

Patentee before: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY (BEIJING) Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 102200 room A129-1, Zhongxing Road, Changping District science and Technology Park, Beijing, China, 10

Patentee after: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY (BEIJING) Co.,Ltd.

Address before: 102209 Beijing city Changping District town Beiqijia Hongfu Pioneer Park No. 15 hospital

Patentee before: Beijing Chuangyu Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200618

Address after: 518112 Room 403, unit 2, building C, Dongfang Shengshi, Jinpai community, Buji street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen yongshenglong Technology Co.,Ltd.

Address before: 102200 room A129-1, Zhongxing Road, Changping District science and Technology Park, Beijing, China, 10

Patentee before: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210220

Address after: Room a129-1, No. 10, Zhongxing Road, science and Technology Park, Changping District, Beijing

Patentee after: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Room 403, unit 2, building C, Dongfang Shengshi, Jinpai community, Buji street, Longgang District, Shenzhen, Guangdong 518112

Patentee before: Shenzhen yongshenglong Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210906

Address after: Unit 611, unit 3, 6 / F, building 1, yard 30, Yuzhi East Road, Changping District, Beijing 102208

Patentee after: Zishi Energy Co.,Ltd.

Address before: Room a129-1, No. 10, Zhongxing Road, science and Technology Park, Changping District, Beijing

Patentee before: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190920

Termination date: 20211213

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee