CN105185918A - 量子点发光层、其制备方法及qled - Google Patents

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Abstract

本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种量子点发光层、其制备方法及QLED。所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。其制备方法为：提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液，制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液；将所述量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。或分别提供具有电荷传输性质的配体溶液和量子点发光层；将所述量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应，获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。所述QLED，包括阴极层、阳极层和有机功能层，所述有机功能层包括上述量子点发光层。

Description

量子点发光层、其制备方法及QLED
技术领域
本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光层、其制备方法及QLED。
背景技术
量子点(quantumdot，QD)又可称为半导体纳米晶，是半径小于或接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸非常小，粒径一般介于1-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激后可以发射荧光，且量子点具有独特的发光特性，如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等性质，使得其在光电子学领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管显示器(quantumdotlightemittingdevice，QLED)就是将胶体量子点作为发光层采用三明治结构制备的器件，即在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，使其应用前景非常让人振奋，是世界各国显示器技术争相研发的前沿方向。
然而，目前QLED的效率普遍不高。其中，影响QLED效率的一个重要因素就是量子点发光层中量子点半导体纳米粒子导电性差，且受到量子点长烷烃链段配体的影响，电荷传输性质差，QLED启动电压较高，使得QLED能效不高。倘若去除配体，量子点的分散性能变差，会造成量子点团聚，无法实现光电效应。因此，改变量子点的配体是提高QLED效率一个可尝试途径。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点发光层，旨在解决现有量子点发光层中的量子点配体为长烷烃链段配体，导致电荷传输性质差、QLED启动电压较高、QLED能效不高的问题。
本发明的另一目的在于提供上述量子点发光层的制备方法。
本发明的在一目的在于提供一种QLED，所述QLED含有上述量子点发光层。
本发明是这样实现的，一种量子点发光层，所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。
以及，一种量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液，制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液；
将所述具有电荷传输性质配体的量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。
和一种量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
提供无电荷传输性质的量子点发光层和具有电荷传输性质的配体溶液；
将所述无电荷传输性质的量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应，获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。
以及，一种QLED，包括阴极层、阳极层和有机功能层，所述有机功能层包括上述量子点发光层。
本发明提供的量子点发光层，其中含有与所述量子点螯合的具有电荷传输性质的配体，所述配体具有较好的电荷传输性能，可以有效克服量子点发光层电荷传输性质差、启动电压高和能耗大的问题，从而提高量子点发光层电荷传输性质，降低启动电压，进而提高量子点发光二极管能效。此外，通过所述具有电荷传输性质的配体的分散作用，可以获得量子点分布均匀、且致密排布的量子点发光层。
本发明提供的量子点发光层的制备方法，只需将含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液制备成具有电荷传输性质配体的量子点溶液进而沉积、或将无电荷传输性质的量子点发光层和具有电荷传输性质的配体溶液进行置换反应即可获得，其制备方法简单可控，易于实现产业化。
本发明提供的QLED，其有机功能层包括具有电荷传输性质的配体的量子点发光层，从而使得量子点发光层的传输性质提高，降低启动电压，进而提高QLED能效。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种量子点发光层，所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。
具体的，本发明实施例中，所述量子点作为所述量子点发光层的基体组分，可以为具有单分布的胶体量子点或纳米棒量子点。所述量子点的类型没有严格限制，可以是II-VI族化合物半导体及其核壳结构，包括但不限于CdS或CdSe或CdS/ZnS或CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS；还可以是III-V或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构，包括但不限于GaAs或InP和PbS/ZnS或PbSe/ZnS，及I-III-VI2族等半导体纳米晶或核-壳结构半导体纳米晶。所述量子点的组成形式不受限制，可以为掺杂或非掺杂的量子点。
本发明实施例中，所述量子点的结构类型不受限制，可采用均一混合类型、梯度混合类型、核-壳类型或联合类型。
本发明实施例中，由于所述量子点以油墨形式用于喷墨打印量子点发光层时，当所述量子点油墨中水含量较高时，水份容易在量子点油墨中残留，影响形成的所述量子点发光层的性能。有鉴于此，本发明实施例所述量子点有优选为油溶性量子点。
作为具体实施例，所述量子点的平均尺寸为2～10nm。
本发明实施例中，所述量子点的配体为具有电荷传输性质的配体，具体是指含有极性配位基团的C2-C10化合物配体。本发明实施例中，所述极性配位基团即极性基团，作为具体实施例，所述极性配位基团包括-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-PO3H，当然，应当理解，所述极性配位基团并不限于上述列举的实施例情况，还可以包括本领域内其他极性基团。
本发明实施例所述配体为短链配体，有利于提高电荷传输效率；进一步的，由于其含有极性配位基团，能有进一步促进电荷传输，从而提高所述量子点发光层的电荷传输性能，降低启动电压，进而提高量子点发光二极管能效。
作为优选实施例，所述配体中含有一个或多个-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团。当然，应当理解，所述配体中的极性配位基团还可以为其他极性较强的配位基团。作为具体实施例，所述配体包括但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、11-巯基-1-十一醇、巯基油酸、巯基乙胺、巯基油胺、1,2-乙二胺、1,2-丙二胺、1,2-丁二胺、1,2-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,2-乙二酸、1,2-丙二酸、1,2-丁二酸、1,2-戊二酸、1,6-己二酸、1,7-庚二酸、1,8-辛二酸、1,9-壬二酸、1,10-癸二酸、1,1,2-乙三酸、1,2,7-庚三酸、1,6-己二磺酸、1,7-庚二磺酸、1,8-辛二磺酸、1,9-壬二磺酸、1,5-萘二磺酸、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,7-庚二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,10-癸二硫醇、6-氨基己酸、7-氨基庚酸、8-氨基辛酸、9-氨基壬酸、10-氨基癸酸、二氨基庚二酸、丙烯二磷酸酯、三(3-羟基丙基)膦、2-巯基苯甲酸、3-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N'-双(3-氨基丙基)-1,4-丁二胺、4-氨基-5-羟基-2,7-萘二磺酸、吡啶、呋喃、三(3-羟基丙基)膦、亚磷酸二丁酯、亚磷酸三丁酯、六烷基胺、二异辛胺、辛胺、苯基磷酸、正己基磷酸、正辛基磷、烯丙胺、烯丙醇、烯丙硫醇、丙烯酸，含有羟基官能团的(甲基)丙烯酸酯羟基酯如有(甲基)丙烯酸-α-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-β-羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙基酯和(甲基)丙烯酸羟丁酯、以及含双键的二硫化物，如巯基丙酸烯丙酰胺、巯基丙酸(β-甲基丙烯酸酯)乙酯、硫辛酸烯丙酰胺、硫辛酸(β-甲基丙烯酸酯)乙酯中的至少一种。
本发明实施例中，由于所述量子点发光层的制备有多种方式，如配置含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液制备成具有电荷传输性质配体的量子点溶液、通过沉积方式实现。其中，所述具有电荷传输性质的配体又可以采用含有末端可接枝的配体和可接枝的电荷传输化合物接枝形成。为了便于所述量子点发光层灵活采用各种方式制备，作为一个具体优选实施例，所述配体为末端含有-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团的配体。具体的，所述配体包括但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、11-巯基-1-十一醇、巯基油酸、巯基乙胺、巯基油胺、1,2-乙二胺、1,2-丙二胺、1,2-丁二胺、1,2-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,2-乙二酸、1,2-丙二酸、1,2-丁二酸、1,2-戊二酸、1,6-己二酸、1,7-庚二酸、1,8-辛二酸、1,9-壬二酸、1,10-癸二酸、1,1,2-乙三酸、1,2,7-庚三酸、1,6-己二磺酸、1,7-庚二磺酸、1,8-辛二磺酸、1,9-壬二磺酸、1,5-萘二磺酸、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,7-庚二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,10-癸二硫醇、6-氨基己酸、7-氨基庚酸、8-氨基辛酸、9-氨基壬酸、10-氨基癸酸、二氨基庚二酸、丙烯二磷酸酯、三(3-羟基丙基)膦、2-巯基苯甲酸、3-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N'-双(3-氨基丙基)-1,4-丁二胺、4-氨基-5-羟基-2,7-萘二磺酸中的至少一种。
本发明实施例提供的量子点发光层，其中含有与所述量子点螯合的具有电荷传输性质的配体，所述配体具有较好的电荷传输性能，可以有效克服量子点发光层电荷传输性质差、启动电压高和能耗大的问题，从而提高量子点发光层电荷传输性质，降低启动电压，进而提高量子点发光二极管能效。此外，通过所述具有电荷传输性质的配体的分散作用，可以获得量子点分布均匀、且致密排布的量子点发光层。
本发明实施例所述量子点发光层可以通过下述方法制备获得。
相应的，本发明实施例提供了一种上述量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液，制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液；
S02.将所述具有电荷传输性质配体的量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。
具体的，上述步骤S01中，作为一个具体实施例，所述量子点溶液可以是在量子点制备过程中，就加入具有电荷传输性质的配体，使得在量子点形成过程中，就稳定在量子点的周围，具有电荷传输性质的配体通过所述螯合稳定在所述量子点的周围，起到分散所述量子点作用。
作为另一个具体实施例，所述混合溶液还包括长烷烃链段配体，且所述量子点为所述长烷烃链段配体螯合的量子点。此处，所述长烷烃链段配体与所述具有电荷传输性的配体相对，是碳链长度超过10个碳原子的烷烃链段配体。由于所述长烷烃链段配体链段长且不含极性基团或极性基团数量少，因此，不具有电荷传输性能。
所述混合溶液中，所述具有传输性质的配体与所述量子点上螯合的所述长烷烃链段配体发生置换反应，通过提纯得到具有电荷传输性质的配体螯合的量子点溶液。
作为再一个具体实施例，所述量子点溶液中含有末端可接枝的配体和可接枝的电荷传输化合物，所述末端可接枝的配体和可接枝的电荷传输化合物接枝形成所述具有电荷传输性质的配体。作为优选实施例，所述末端可接枝的配体为末端带有-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH功能团的配体。作为另一个优选实施例，所述可接枝的电荷传输化合物为末端带有-NCO、环氧基团、丙烯酸酯、双键基团的导电性化合物。上述优选基团的所述末端可接枝的配体和所述可接枝的电荷传输化合物更容易通过接枝获得电荷传输性能优异的配体。
作为具体实施例，所述可接枝的电荷传输化合物为苯基二异氰酸酯、苯基异氰酸酯、1,7-庚基二异氰酸酯、1,8-辛基二异氰酸酯、1,9-壬基二异氰酸酯、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、丁二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、己二醇二缩水甘油醚、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、三羟基丙烷三丙烯酸酯中的至少一种。
上述步骤S02中，将所述具有电荷传输性质配体的量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层的方法，可以采用常规的沉积方式实现，包括但不限于旋涂、喷墨、刮涂等工艺成膜方式。
本发明实施例还提供了另一种量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
Q01.分别提供具有电荷传输性质的配体溶液和量子点发光层；
Q02.将所述量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应，获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。
具体的，上述步骤Q01中，所述量子点发光层为常规已经制备成型的量子点发光层，其可以包括多层已经层叠设置其一表面的层结构，如层叠电荷传输层、电荷注入层等。进一步的，所述量子点发光层量子点表面的配体可以任意选择常规的量子点配体，具体为不具有电荷传输性能的配体。
本发明实施例所述具有电荷传输性质的配体溶液中的配体，可以采用上述量子点发光层中，所述具有电荷传输性质的配体中的任一形式的配体。具体的，如含有极性配位基团的C2-C10化合物配体；含有一个或多个-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团的配体；末端含有-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团的配体等。
由于所述量子点发光层可以为已经沉积在电荷传输层上的量子点发光层，所述量子点发光层的一表面可能层叠设置了多层层结构。为了在下述置换反应中不影响其他层结构的性能，作为优选实施例，所述具有电荷传输性质的配体溶液中，用于溶解所述具有电荷传输性质的配体的溶剂为醇类、酮类、酰胺类、酯类、醚类有机溶剂，其所述有机溶剂为C2-C6化合物。该优选的所述溶剂不会溶解其他层结构材料、特别是含有长烷烃物质的材料，进而保证其他层结构不会脱离，且性能不受影响。
作为具体实施例，用于溶解所述具有电荷传输性质的配体的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、2-甲氧基乙醇等醇类，丙酮、甲乙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、N-甲基吡咯烷酮等酮类，二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等酰胺类，二甲基亚砜，乙酸乙酯、乙酸正丁酯或乙酸1-甲氧基-2-丙基酯等脂类，或者是乙二醇、丙二醇和聚乙二醇的单烷基醚，例如，乙二醇一丁基醚、二丙二醇一甲基醚中的至少一种。
作为进一步优选实施例，所述具有电荷传输性质的配体溶液的浓度为5-50mM。
上述步骤Q02中，作为优选实施例，所述置换反应在30-100℃条件下进行1-10min。该优选的置换条件，可以在保证置换反应有效发生的前提下，避免所述量子点发光层中量子点粒子本身及以外的其他层结构受到影响。作为具体实施例，所述置换反应的实现方式为：将所述量子点发光层浸入所述具有电荷传输性质的配体溶液中，进行反应。
进一步的，为了获得致密排布的量子点发光层，将进行置换反应后的所述量子点发光层取出后，用纯的小分子溶剂反复清洗，清洗时间优选为5min；然后用对所述量子点发光层无影响的有机溶剂如异丙醇冲洗，并在氮气流下干燥；最后，将所述量子点发光层在惰性气氛-包括但不限于氮气环境中进行退火处理。作为具体实施例，所述退火处理的方法为：100-200℃条件下退火5-60min。
本发明实施例提供的量子点发光层的制备方法，只需将含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液制备成具有电荷传输性质配体的量子点溶液进而沉积、或将无电荷传输性质的量子点发光层和具有电荷传输性质的配体溶液进行置换反应即可获得，其制备方法简单可控，易于实现产业化。
以及，本发明实施例还提供了一种QLED，包括阴极层、阳极层和有机功能层，所述有机功能层包括上述量子点发光层。
具体的，所述量子点发光层的组成、各组成的优选类型已在上文中陈述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
所述阳极的材料可以是高功函数透明导电玻璃，如ITO、FTO、GZO中的一种，或所述ITO、FTO、GZO中的一种与PEDOT:PSS的组合。
所述阴极可采用金属阴极，具体的，所述金属阴极的材料可以为Au、Ag、Al、In中的一种，或Mg/Ag、Li/Al合金。
本发明实施例中，所述有机功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的一层或多层。
所述的空穴注入层和/或空穴传输层的材料可以包含p-型有机材料、p-型无机半导体材料及其他空穴传输无机半导体的至少一种。此外，所述有机功能层还可以包括与所述空穴注入层或空穴传输层材料类型相同的电子阻挡层。所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层可以择一或组合的方式出现在所述QLED有机功能层中。
作为一个具体实施例，所述p-型无机半导体材料及其他空穴传输无机半导体材料可以选自NiOx、WOx、MoOx、RuOx、VOx中的任意一种。
作为另一个具体实施例，所述p-型有机材料可以选自胺、联苯类三芳胺、噻吩、并噻吩如二噻吩并噻吩和并噻吩、吡咯、苯胺、咔唑、氮茚并氮芴、酞菁、卟啉组成的化合物及它们的衍生物中的任意一种。具体如，如TPD或NPB或PTT或PPV。
所述电子注入层和/或电子传输层可以包含n-型无机半导体材料、n-型有机材料中的至少一种。此外，所述有机功能层还可以包括与所述电子注入层或电子传输层材料类型相同的空穴阻挡层。所述注入层、电子传输层、空穴阻挡层可以择一或组合的方式出现在所述QLED有机功能层中。
作为一个具体实施例，所述n-型无机半导体材料可以选自ZnO、ZnS、ZnSe、TiO2、ZnTe、GaN、GaP、AlN、CdSe、CdS、CdTe、CdZnSe中的任意一种。
作为另一个具体实施例，所述n-型有机材料可以选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、三嗪、三唑、咪唑、芘、苝、吩嗪、菲罗啉、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽组成的化合物及它们的衍生物中的任意一种。
本发明实施例中，所述阴极层、阳极层和有机功能层的制备可以采用常规方式实现。具体的，所述量子点发光层可以通过旋涂、喷墨、刮涂等工艺成膜；除所述阳极层外，其他功能层可以通过蒸镀、旋涂、喷墨、刮涂等工艺成膜。
本发明实施例提供的QLED，其有机功能层包括具有电荷传输性质的配体的量子点发光层，从而使得量子点发光层的传输性质提高，降低启动电压，进而提高QLED能效。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种量子点发光层，所述量子点发光层中包括量子点和与所述量子点螯合的配体，其特征在于，所述配体为含有极性配位基团的C2-C10化合物，所述配体具有电荷传输性质。
2.如权利要求1所述的量子点发光层，其特征在于，所述配体中含有一个或多个-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团。
3.如权利要求2所述的量子点发光层，其特征在于，所述配体为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、11-巯基-1-十一醇、巯基油酸、巯基乙胺、巯基油胺、1,2-乙二胺、1,2-丙二胺、1,2-丁二胺、1,2-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,2-乙二酸、1,2-丙二酸、1,2-丁二酸、1,2-戊二酸、1,6-己二酸、1,7-庚二酸、1,8-辛二酸、1,9-壬二酸、1,10-癸二酸、1,1,2-乙三酸、1,2,7-庚三酸、1,6-己二磺酸、1,7-庚二磺酸、1,8-辛二磺酸、1,9-壬二磺酸、1,5-萘二磺酸、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,7-庚二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,10-癸二硫醇、6-氨基己酸、7-氨基庚酸、8-氨基辛酸、9-氨基壬酸、10-氨基癸酸、二氨基庚二酸、丙烯二磷酸酯、三(3-羟基丙基)膦、2-巯基苯甲酸、3-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N'-双(3-氨基丙基)-1,4-丁二胺、4-氨基-5-羟基-2,7-萘二磺酸、吡啶、呋喃、三(3-羟基丙基)膦、亚磷酸二丁酯、亚磷酸三丁酯、六烷基胺、二异辛胺、辛胺、苯基磷酸、正己基磷酸、正辛基磷、烯丙胺、烯丙醇、烯丙硫醇、丙烯酸，含有羟基官能团的(甲基)丙烯酸酯羟基酯如有(甲基)丙烯酸-α-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-β-羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙基酯和(甲基)丙烯酸羟丁酯、以及含双键的二硫化物，如巯基丙酸烯丙酰胺、巯基丙酸(β-甲基丙烯酸酯)乙酯、硫辛酸烯丙酰胺、硫辛酸(β-甲基丙烯酸酯)乙酯中的至少一种。
4.如权利要求1-3任一所述的量子点发光层，其特征在于，所述配体为末端含有-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH配位基团的配体。
5.如权利要求4所述的量子点发光层，其特征在于，所述配体为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、11-巯基-1-十一醇、巯基油酸、巯基乙胺、巯基油胺、1,2-乙二胺、1,2-丙二胺、1,2-丁二胺、1,2-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,2-乙二酸、1,2-丙二酸、1,2-丁二酸、1,2-戊二酸、1,6-己二酸、1,7-庚二酸、1,8-辛二酸、1,9-壬二酸、1,10-癸二酸、1,1,2-乙三酸、1,2,7-庚三酸、1,6-己二磺酸、1,7-庚二磺酸、1,8-辛二磺酸、1,9-壬二磺酸、1,5-萘二磺酸、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,7-庚二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,10-癸二硫醇、6-氨基己酸、7-氨基庚酸、8-氨基辛酸、9-氨基壬酸、10-氨基癸酸、二氨基庚二酸、丙烯二磷酸酯、三(3-羟基丙基)膦、2-巯基苯甲酸、3-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N'-双(3-氨基丙基)-1,4-丁二胺、4-氨基-5-羟基-2,7-萘二磺酸中的至少一种。
6.一种如权利要求1-5任一所述量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
提供含有量子点和具有电荷传输性质的配体的混合溶液，制备具有电荷传输性质配体的量子点溶液；
将所述具有电荷传输性质配体的量子点溶液以沉积方式形成量子点发光层。
7.如权利要求6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述混合溶液还包括长烷烃链段配体，且所述量子点为所述长烷烃链段配体螯合的量子点；
所述混合溶液中，所述具有传输性质的配体与所述量子点上螯合的所述长烷烃链段配体发生置换反应，通过提纯得到具有电荷传输性质的配体螯合的量子点溶液。
8.如权利要求6所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中含有末端可接枝的配体和可接枝的电荷传输化合物，所述末端可接枝的配体和可接枝的电荷传输化合物接枝形成所述具有电荷传输性质的配体。
9.如权利要求8所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述末端可接枝的配体为末端带有-NH2、-COOH、-SO3H、-OH、-SH功能团的配体；和/或
所述可接枝的电荷传输化合物为末端带有-NCO、环氧基团、丙烯酸酯、双键基团的导电性化合物。
10.如权利要求9所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述可接枝的电荷传输化合物为苯基二异氰酸酯、苯基异氰酸酯、1,7-庚基二异氰酸酯、1,8-辛基二异氰酸酯、1,9-壬基二异氰酸酯、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、丁二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、己二醇二缩水甘油醚、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、三羟基丙烷三丙烯酸酯中的至少一种。
11.一种如权利要求1-5任一所述量子点发光层的制备方法，包括以下步骤：
分别提供具有电荷传输性质的配体溶液和量子点发光层；
将所述量子点发光层与具有电荷传输性质的配体进行置换反应，获得具有电荷传输性质的配体螯合的量子点发光层。
12.如权利要求11所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述具有电荷传输性质的配体溶液中，用于溶解所述具有电荷传输性质的配体的溶剂为醇类、酮类、酰胺类、酯类、醚类有机溶剂，其所述有机溶剂为C2-C6化合物。
13.如权利要求11所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述置换反应在30-100℃条件下进行1-10min。
14.一种QLED，包括阴极层、阳极层和有机功能层，其特征在于，所述有机功能层包括权利要求1-5任一所述的量子点发光层。
15.如权利要求14所述的QLED，所述有机功能层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的一层或多层。
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Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106229426A (zh) * 2016-09-18 2016-12-14 Tcl集团股份有限公司 一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜
CN106328009A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 Tcl集团股份有限公司 光学显示系统及其制备方法、应用
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN106816539A (zh) * 2016-12-08 2017-06-09 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN106848079A (zh) * 2017-02-20 2017-06-13 纳晶科技股份有限公司 发光‑电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及qled器件
CN106876599A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 纳晶科技股份有限公司 无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法
CN108110144A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 三星电子株式会社 包括量子点的发光器件和显示器件
CN108550707A (zh) * 2018-04-12 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、液晶显示设备
CN108550706A (zh) * 2018-04-12 2018-09-18 华中科技大学 一种量子点光电探测器的制备方法
JP2018153915A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 東友ファインケム株式会社Ｄｏｎｇｗｏｏ Ｆｉｎｅ−Ｃｈｅｍ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 有機配位子を有する量子ドット及びその用途
CN108997999A (zh) * 2018-06-14 2018-12-14 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点及其制备方法
CN109486491A (zh) * 2017-09-12 2019-03-19 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和使用其的量子点发光装置
WO2019114829A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN109935716A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及制备方法
CN109935713A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935737A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935721A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109935665A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935715A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109935739A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935709A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109929327A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
CN109935710A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109928903A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点表面配体、量子点薄膜及其制备方法和应用
CN109935720A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 白光量子点发光二极管及其制备方法
US10446782B1 (en) 2018-04-12 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
WO2020134157A1 (zh) * 2018-12-28 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111384265A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
CN111763445A (zh) * 2020-06-24 2020-10-13 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点墨水、电致发光器件及其制备方法
CN112117387A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其应用
US10975014B2 (en) * 2016-07-01 2021-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic ligand and preparation method thereof, quantum dot structure material, quantum-dot-containing layer, and light emitting diode
CN112778176A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点配体、量子点、电致发光器件及其制备方法、以及显示装置
WO2021093027A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件
CN113054115A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
CN113046064A (zh) * 2019-12-28 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
CN113122260A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
US11133468B2 (en) 2018-06-25 2021-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-ligand composite and device including composite
CN113831908A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 Tcl科技集团股份有限公司 量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN113831907A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 Tcl科技集团股份有限公司 量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN113943410A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管
CN113956865A (zh) * 2020-11-24 2022-01-21 苏州星烁纳米科技有限公司 一种表面修饰的量子点及其制备方法、发光二极管及显示装置
WO2023000962A1 (zh) * 2021-07-23 2023-01-26 京东方科技集团股份有限公司 核壳型量子点、量子点发光器件、显示装置和制作方法
WO2023025297A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 Tcl科技集团股份有限公司 Qled器件的制备方法、qled器件及显示器件
WO2023097540A1 (en) * 2021-12-01 2023-06-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of fabricating quantum dots layer, substrate, and display apparatus
WO2023225823A1 (zh) * 2022-05-23 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其制备方法
US11958998B2 (en) 2016-08-09 2024-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, quantum dot polymer composites prepared therefrom, and devices including the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120032141A1 (en) * 2009-04-02 2012-02-09 Hcf Partners, Lp Compositions Comprising QD Sol-Gel Composites and Methods for Producing and Using the Same
CN104017573A (zh) * 2014-06-26 2014-09-03 南京琦光光电科技有限公司 一种近紫外光激发的白光led用量子点混晶及制备方法
EP2371926B1 (en) * 2010-03-22 2014-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device including quantum dot-block copolymer hybrid and fabrication method thereof
CN104371730A (zh) * 2014-10-23 2015-02-25 云南民族大学 聚a-羟基酸修饰的CdTe量子点及其制备方法
CN104388089A (zh) * 2014-11-04 2015-03-04 北京理工大学 一种高荧光量子产率杂化钙钛矿量子点材料及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120032141A1 (en) * 2009-04-02 2012-02-09 Hcf Partners, Lp Compositions Comprising QD Sol-Gel Composites and Methods for Producing and Using the Same
EP2371926B1 (en) * 2010-03-22 2014-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device including quantum dot-block copolymer hybrid and fabrication method thereof
CN104017573A (zh) * 2014-06-26 2014-09-03 南京琦光光电科技有限公司 一种近紫外光激发的白光led用量子点混晶及制备方法
CN104371730A (zh) * 2014-10-23 2015-02-25 云南民族大学 聚a-羟基酸修饰的CdTe量子点及其制备方法
CN104388089A (zh) * 2014-11-04 2015-03-04 北京理工大学 一种高荧光量子产率杂化钙钛矿量子点材料及其制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WEI ZOU等: ""A transparent and luminescent epoxy nanocomposite containing CdSe QDs with amido group-functionalized ligands"", 《JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY》 *
林伟: ""配体结构对量子点光学性能影响的研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *
陶景: ""量子点发光二极管的制备与稳定性研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 基础科学篇》 *

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10975014B2 (en) * 2016-07-01 2021-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic ligand and preparation method thereof, quantum dot structure material, quantum-dot-containing layer, and light emitting diode
US11958998B2 (en) 2016-08-09 2024-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, quantum dot polymer composites prepared therefrom, and devices including the same
CN106328009A (zh) * 2016-09-09 2017-01-11 Tcl集团股份有限公司 光学显示系统及其制备方法、应用
WO2018049948A1 (zh) * 2016-09-18 2018-03-22 Tcl集团股份有限公司 一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜
CN106229426A (zh) * 2016-09-18 2016-12-14 Tcl集团股份有限公司 一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜
CN106229426B (zh) * 2016-09-18 2019-06-04 Tcl集团股份有限公司 一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜
US11421151B2 (en) 2016-11-25 2022-08-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display device including quantum dot
CN108110144A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 三星电子株式会社 包括量子点的发光器件和显示器件
CN108110144B (zh) * 2016-11-25 2021-11-26 三星电子株式会社 包括量子点的发光器件和显示器件
US11186767B2 (en) 2016-11-25 2021-11-30 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, a composition or composite including the same, and an electronic device including the same
CN106816539A (zh) * 2016-12-08 2017-06-09 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN106816539B (zh) * 2016-12-08 2018-10-12 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN106601925B (zh) * 2016-12-22 2020-10-27 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN106601925A (zh) * 2016-12-22 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
CN106848079A (zh) * 2017-02-20 2017-06-13 纳晶科技股份有限公司 发光‑电荷传输复合物、含有其的墨水、其制备方法及qled器件
CN106876599A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 纳晶科技股份有限公司 无机金属化合物、含其的组合物、器件和装置及制作方法
TWI753119B (zh) * 2017-03-17 2022-01-21 南韓商東友精細化工有限公司 具有有機配位體之量子點及其用途
CN108624320A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 东友精细化工有限公司 具有有机配体的量子点及其用途
CN108624320B (zh) * 2017-03-17 2021-10-26 东友精细化工有限公司 具有有机配体的量子点及其用途
JP2018153915A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 東友ファインケム株式会社Ｄｏｎｇｗｏｏ Ｆｉｎｅ−Ｃｈｅｍ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 有機配位子を有する量子ドット及びその用途
CN109486491A (zh) * 2017-09-12 2019-03-19 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和使用其的量子点发光装置
CN109935716A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及制备方法
CN109928903A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点表面配体、量子点薄膜及其制备方法和应用
CN109935715A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109935739A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935709A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109929327A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
CN109935710A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109935739B (zh) * 2017-12-15 2021-04-09 Tcl科技集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935720A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 白光量子点发光二极管及其制备方法
CN109935713A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
WO2019114829A1 (zh) * 2017-12-15 2019-06-20 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN109935721A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN109935661A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 正型qled器件及其制备方法
CN109935737A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935665A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935665B (zh) * 2017-12-15 2020-11-13 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN108550707A (zh) * 2018-04-12 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、液晶显示设备
CN108550707B (zh) * 2018-04-12 2022-11-08 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管、液晶显示设备
CN108550706A (zh) * 2018-04-12 2018-09-18 华中科技大学 一种量子点光电探测器的制备方法
US10446782B1 (en) 2018-04-12 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
US11171300B2 (en) 2018-04-12 2021-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dot light emitting diode, method for fabricating the same, and display device
CN108997999A (zh) * 2018-06-14 2018-12-14 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点及其制备方法
US11133468B2 (en) 2018-06-25 2021-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-ligand composite and device including composite
CN111384258A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
WO2020134157A1 (zh) * 2018-12-28 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111384258B (zh) * 2018-12-28 2021-11-19 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111384265A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
CN111384265B (zh) * 2018-12-29 2021-07-06 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
WO2021093027A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光器件
CN113054115A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
CN113046064A (zh) * 2019-12-28 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置
CN113122260B (zh) * 2019-12-30 2022-08-23 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
CN113122260A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
CN113831907A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 Tcl科技集团股份有限公司 量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN111763445A (zh) * 2020-06-24 2020-10-13 苏州星烁纳米科技有限公司 一种量子点墨水、电致发光器件及其制备方法
CN113831908A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 Tcl科技集团股份有限公司 量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法
CN113943410A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管
CN113943410B (zh) * 2020-07-17 2024-02-06 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管
CN112117387A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其应用
CN113956865A (zh) * 2020-11-24 2022-01-21 苏州星烁纳米科技有限公司 一种表面修饰的量子点及其制备方法、发光二极管及显示装置
CN113956865B (zh) * 2020-11-24 2023-10-17 苏州星烁纳米科技有限公司 一种表面修饰的量子点及其制备方法、发光二极管及显示装置
CN112778176B (zh) * 2020-12-31 2023-06-27 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点配体、量子点、电致发光器件及其制备方法、以及显示装置
CN112778176A (zh) * 2020-12-31 2021-05-11 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点配体、量子点、电致发光器件及其制备方法、以及显示装置
CN115678559A (zh) * 2021-07-23 2023-02-03 北京京东方技术开发有限公司 核壳型量子点、量子点发光器件、显示装置和制作方法
WO2023000962A1 (zh) * 2021-07-23 2023-01-26 京东方科技集团股份有限公司 核壳型量子点、量子点发光器件、显示装置和制作方法
WO2023025297A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 Tcl科技集团股份有限公司 Qled器件的制备方法、qled器件及显示器件
WO2023097540A1 (en) * 2021-12-01 2023-06-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of fabricating quantum dots layer, substrate, and display apparatus
WO2023225823A1 (zh) * 2022-05-23 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其制备方法

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