CN106601925B - 一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光层制备方法包括步骤：将表面包覆有配体的量子点溶解于溶剂中，得到量子点溶液；在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液；通过溶液法在衬底或功能层上将氨基酸改性的量子点溶液制成量子点发光层。本发明在量子点溶液中加入氨基酸，其作用一方面可形成均匀全覆盖并致密平整的量子点发光层；另一方面，氨基酸的引入能够把量子点发光层紧密地锚定在其下方和上方的衬底或功能层上，使量子点发光层与衬底或功能层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷，从而有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。

Description

一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点（Quantum dots，QDs）是准零维的纳米材料，具有发射光谱窄、光色纯度高、发光效率高、发光颜色可调、发光稳定性好、使用寿命长等特殊优点，从而使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diodes，QLED）受到广泛的关注，成为下一代LED的主要研究方向。
目前所研究的QLED器件，大多数通过溶液法加工制备，如旋涂法、印刷法等，溶液法与蒸发镀膜法相比不仅方法简单，而且成本低廉，被认为是QLED大规模制备最有潜力的加工方法之一。但是，溶液法制备的QLED往往重复性不好，器件之间性能差异大，且性能不稳定，其中一个原因是因为溶液法成膜时，特别是量子点成膜过程中，溶剂的挥发或界面的接触效果会影响膜层厚度与表面平滑度，若控制不好经常会出现覆盖不均匀或“拖尾”等现象，大大地影响器件的发光均匀性、发光效率和稳定性。此外，量子点表面有丰富的长链或短链配体，当量子点溶液或量子点墨水成膜后，随着溶剂的挥发，量子点纳米颗粒会析出形成量子点薄膜，此过程中，如果溶剂挥发迅速，量子点没有足够的时间排列成均一的膜层结构，量子点表面的配体方向也杂乱无章，不利于量子点层上面的功能层的成膜以及载流子的传输；相反，如果溶剂挥发缓慢，会导致液膜流动性大，量子点溶液或量子点墨水容易从衬底边缘流失，导致膜层覆盖不均匀。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有溶液法制备的量子点发光层覆盖不均匀、厚度不均匀、量子点发光层容易剥落、量子点发光层和器件界面缺陷多的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光层的制备方法，其中，包括：
步骤A、将表面包覆有配体的量子点溶解于溶剂中，得到量子点溶液；
步骤B、在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液；
步骤C、通过溶液法在衬底或功能层上将氨基酸改性的量子点溶液制成量子点发光层。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述步骤B中，按质量百分比为1:0.01~0.5的比例在量子点溶液中加入氨基酸。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述步骤B中，所述氨基酸为具有直链结构的氨基酸，所述氨基酸的通式为NH2-(CH2)n-COOH或NH3 +-(CH2)n-COO-，其中n的取值为1~20。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述氨基酸为NH3 +-(CH2)2-COO-、NH3 +-(CH2)3-COO-、NH3 +-(CH2)4-COO-、NH3 +-(CH2)10-COO-、NH3 +-(CH2)11-COO-中的一种。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述步骤A中，所述配体为有机配体或无机配体，所述有机配体为长链有机配体和/或短链有机配体；所述有机配体为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、谷胱甘肽、巯基乙胺、巯基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇中的一种或多种；所述无机配体为Cl-、Br-、S2-、HS-、SnS4 4-、Sn2S6 4-、ZnCl4 2−、Zn(OH)4 2−中的一种或多种。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述步骤A中，所述量子点可以为掺杂或非掺杂的II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质及其核壳结构中的一种或多种。
所述的量子点发光层的制备方法，其中，所述步骤A中，所述溶剂为正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一种或多种。
一种量子点发光层，其中，采用如上任一所述的量子点发光层的制备方法制备而成。
一种量子点发光二极管，其中，自下而上依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点发光层、电子传输层及阴极。
一种如上所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，包括：
步骤E、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤F、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤G、在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤H、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管；
其中步骤G具体包括：通过溶液法将氨基酸改性的量子点溶液在空穴传输层上制备得到量子点发光层。
有益效果：本发明通过在量子点溶液中按一定比例加入氨基酸，其作用一方面是与量子点表面丰富的配体相连接，并且量子点相互之间通过氨基酸的聚合反应交联在一起，可形成均匀全覆盖并致密平整的量子点发光层；另一方面，氨基酸的引入能够把量子点发光层紧密地锚定在其下方和上方的衬底或功能层上，使量子点发光层与衬底或功能层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷。
附图说明
图1为本发明的一种量子点发光层的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明的一种量子点发光层的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括：
步骤S100、将表面包覆有配体的量子点溶解于溶剂中，得到量子点溶液；
步骤S100具体为，将量子点干燥称重后溶解于甲苯或氯仿等溶剂中，配制成量子点溶液，其中量子点溶液的浓度为1~50 mg/mL。优选地，所述配体为有机配体或无机配体，所述有机配体为长链有机配体和/或短链有机配体；所述有机配体可以为但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、谷胱甘肽、巯基乙胺、巯基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇等中的一种或多种；所述无机配体可以为但不限于Cl-、Br-、S2-、HS-、SnS4 4-、Sn2S6 4-、ZnCl4 2−、Zn(OH)4 2−中的一种或多种。其中，所述有机配体含有-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-CHO、-Cl、-Br等中的一个或多个配位基团。更优选地，所述配体为短链有机配体或无机配体。
优选地，所述量子点可以为掺杂或非掺杂的II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质及其核壳结构中的一种或多种。
优选地，所述溶剂可以为但不限于正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚等中的一种或多种。
步骤S200、在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液；
步骤S200具体为，按质量百分比为1:0.01~0.5的比例在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液。其中，所述氨基酸为含有氨基的羧酸，优选的氨基酸为具有直链结构的氨基酸，所述氨基酸的通式为NH2-(CH2)n-COOH或NH3 +-(CH2)n-COO-，其中n的取值为1~20，例如可以为NH3 +-(CH2)2-COO-、NH3 +-(CH2)3-COO-、NH3 +-(CH2)4-COO-、NH3 +-(CH2)10-COO-、NH3 +-(CH2)11-COO-等中的一种。
步骤S300、通过溶液法在衬底或功能层上将氨基酸改性的量子点溶液制成量子点发光层。
本发明所述溶液法可以为但不限于旋涂法、浸渍提拉法、打印法、印刷法、喷墨法、喷涂法、滚涂法、刮涂法、浇铸法、电解沉积法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。
本发明所述功能层可以为导电玻璃层、金属电极层、空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种；其中，所述导电玻璃层可以为但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。
本发明所述衬底可以为刚性衬底或柔性衬底，其中所述刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、对苯二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚醚酮（PEEK）、聚苯乙烯（PS）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚芳基酸酯（PAT）、聚芳酯（PAR）、聚酰亚胺（PI）、聚氯乙烯（PV）、聚乙烯（PE）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、纺织纤维中的一种或多种。
本发明通过在量子点溶液中按一定比例加入氨基酸，其作用一方面是与量子点表面丰富的配体相连接，并且量子点相互之间通过氨基酸的聚合反应交联在一起，可形成均匀全覆盖并致密平整的量子点发光层；另一方面，氨基酸的引入能够把量子点发光层紧密地锚定在其下方和上方的衬底或功能层上，使量子点发光层与衬底或功能层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷。
基于上述制备方法，本发明还提供一种量子点发光层，其中，采用如上任一所述的量子点发光层的制备方法制备而成。本发明方法制备得到的量子点发光层均匀全覆盖并致密平整；另外，量子点发光层能够紧密地锚定在其下方和上方的有机或无机的空穴或电子传输层上，使空穴传输层与量子点发光层，以及量子点发光层与电子传输层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷，从而有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。
本发明还提供一种量子点发光二极管，其中，自下而上依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点发光层、电子传输层及阴极。
图2为本发明的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图，如图2所示，自下而上依次包括含有衬底的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、如上所述的量子点发光层4、电子传输层5及阴极6。本发明量子点发光层均匀全覆盖并致密平整；另外，量子点发光层能够紧密地锚定在其下方和上方的有机或无机的空穴或电子传输层上，使空穴传输层与量子点发光层，以及量子点发光层与电子传输层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷，从而有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。
优选地，本发明所述阳极可选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。
优选地，本发明所述空穴注入层可以为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（HATCN）、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物可以为但不限于MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO或它们的混合物中的一种或多种；所述金属硫系化合物可以为但不限于MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS或它们的混合物中的一种或多种。
优选地，本发明所述空穴传输层材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物中的一种或多种。所述空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，可以为但不限于NiO、MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS或它们的混合物中的一种或多种。
优选地，本发明所述电子传输层材料可以为但不限于n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种；优选地，所述电子传输层为n型ZnO或n型TiO2；
优选地，本发明所述阴极可以为但不限于各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料可以为但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物中的一种或多种；导电金属氧化物材料可以为但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它们的混合物中的一种或多种；金属材料可以为但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金中的一种或多种；其中所述金属材料中，其形态可以为但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物中的一种或多种；优选地，所述阴极为Ag或Al。
基于上述量子点发光二极管，本发明也提供一种如上所述的量子点发光二极管的制备方法，其包括：
步骤E、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤F、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤G、在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤H、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管；
其中步骤G具体包括：通过溶液法将氨基酸改性的量子点溶液在空穴传输层上制备得到量子点发光层。
本发明量子点发光二极管可以部分封装、全封装、或不封装。
本发明上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中物理法可以为但不限于旋涂法、喷涂法、滚涂法、打印法、印刷法、喷墨法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种；化学法可以为但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种。
需说明的是，本发明不限于上述结构的量子点发光二极管，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
需说明的是，本发明不限于制备上述正型结构的量子点发光二极管，还可以制备反型结构的量子点发光二极管。且反型结构的量子点发光二极管还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
1）、量子点溶液的配制：
按质量百分比为1:0.01的比例在表面包覆有巯基丙酸（MPA）配体的CdSe/ZnS量子点溶液中加入NH2-(CH2)2-COOH，得到氨基酸改性的CdSe/ZnS量子点溶液。
2）、量子点发光二极管的制备：
在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
在PEDOT:PSS层上旋涂一层PVK薄膜作为空穴传输层；
然后，将上述1）配制的氨基酸改性的量子点溶液旋涂在PVK层上，得到一层氨基酸交联改性、并且紧密锚定在PVK层上的致密平整的CdSe/ZnS量子点发光层；
接着，在CdSe/ZnS量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例2
1）、量子点溶液的配制：
按质量百分比为1:0.05的比例在表面包覆有巯基丙酸（MPA）配体的CdSe/ZnS量子点溶液中加入NH2-(CH2)4-COOH，得到氨基酸改性的CdSe/ZnS量子点溶液。
2）、量子点发光二极管的制备：
在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB薄膜作为空穴传输层；
然后，将上述1）配制的氨基酸改性的量子点溶液旋涂在TFB层上，得到一层氨基酸交联改性、并且紧密锚定在TFB层上的致密平整的CdSe/ZnS量子点发光层；
接着，在CdSe/ZnS量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例3
1）、量子点溶液的配制：
按质量百分比为1:0.02的比例在表面包覆有巯基乙酸（TGA）配体的CdSe/ZnS量子点溶液中加入NH2-(CH2)11-COOH，得到氨基酸改性的CdSe/ZnS量子点溶液。
2）、量子点发光二极管的制备：
在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB薄膜作为空穴传输层；
然后，将上述1）配制的氨基酸改性的量子点溶液旋涂在TFB层上，得到一层氨基酸交联改性、并且紧密锚定在TFB层上的致密平整的CdSe/ZnS量子点发光层；
接着，在CdSe/ZnS量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例4
1）、量子点溶液的配制：
按质量百分比为1:0.1的比例在表面包覆有油酸（OA）配体的CdSe/ZnS量子点溶液中加入NH2-(CH2)11-COOH，得到氨基酸改性的CdSe/ZnS量子点溶液。
2）、量子点发光二极管的制备：
在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
在PEDOT:PSS层上旋涂一层PVK薄膜作为空穴传输层；
然后，将上述1）配制的氨基酸改性的量子点溶液旋涂在PVK层上，得到一层氨基酸交联改性、并且紧密锚定在PVK层上的致密平整的CdSe/ZnS量子点发光层；
接着，在CdSe/ZnS量子点发光层上旋涂一层ZnO薄膜作为电子传输层；
最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供的一种量子点发光层、量子点发光二极管及其制备方法，本发明通过在量子点溶液中按一定比例加入氨基酸，其作用一方面是与量子点表面丰富的配体相连接，并且量子点相互之间通过氨基酸的聚合反应交联在一起，可形成均匀全覆盖并致密平整的量子点发光层；另一方面，氨基酸的引入能够把量子点发光层紧密地锚定在其下方和上方的有机或无机的空穴或电子传输层上，使空穴传输层与量子点发光层，以及量子点发光层与电子传输层之间紧密连接，保持界面稳定性和界面性质，并钝化量子点的表面缺陷，从而有效地提高电子注入效率以及QLED器件的寿命和稳定性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种量子点发光层的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、将表面包覆有配体的量子点溶解于溶剂中，得到量子点溶液；
步骤B、在量子点溶液中加入氨基酸，得到氨基酸改性的量子点溶液；
步骤C、通过溶液法在衬底或功能层上将氨基酸改性的量子点溶液制成量子点发光层；
所述步骤B中，按质量百分比为1:0.01～0.5的比例在量子点溶液中加入氨基酸。
2.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述氨基酸为具有直链结构的氨基酸，所述氨基酸的通式为NH2-(CH2)n-COOH或NH3 +-(CH2)n-COO-，其中n的取值为1～20。
3.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述氨基酸为NH3 +-(CH2)2-COO-、NH3 +-(CH2)3-COO-、NH3 +-(CH2)4-COO-、NH3 +-(CH2)10-COO-、NH3 +-(CH2)11-COO-中的一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述配体为有机配体或无机配体，所述有机配体为长链有机配体和/或短链有机配体；所述有机配体为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、谷胱甘肽、巯基乙胺、巯基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇中的一种或多种；所述无机配体为Cl-、Br-、S2-、HS-、SnS4 4-、Sn2S6 4-、ZnCl4 2-、Zn(OH)4 2-中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述量子点为掺杂或非掺杂的II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质及其核壳结构中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述溶剂为正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一种或多种。
7.一种量子点发光层，其特征在于，采用如权利要求1～6任一所述的量子点发光层的制备方法制备而成。
8.一种量子点发光二极管，其特征在于，自下而上依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如权利要求7所述的量子点发光层、电子传输层及阴极。
9.一种如权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤E、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤F、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤G、在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤H、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管；
其中步骤G具体包括：通过溶液法将氨基酸改性的量子点溶液在空穴传输层上制备得到量子点发光层。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109929327A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 无机纳米材料印刷油墨及其制备方法和应用
CN109935736A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN109935715B (zh) * 2017-12-15 2021-01-29 Tcl科技集团股份有限公司 反型qled器件及其制备方法
CN110739403B (zh) * 2018-07-19 2021-08-24 Tcl科技集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109244243A (zh) * 2018-09-06 2019-01-18 中国石油大学(华东) 一种L-半胱氨酸修饰TiO2电子传输层的方法和应用
WO2020048527A1 (zh) * 2018-09-07 2020-03-12 Tcl集团股份有限公司 一种复合材料与量子点发光二极管
CN111224017B (zh) * 2018-11-26 2021-06-18 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111223998A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111171629A (zh) * 2019-03-11 2020-05-19 广东聚华印刷显示技术有限公司 墨水及其制备方法
CN112018250B (zh) * 2019-05-31 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置
CN112310289A (zh) * 2019-07-25 2021-02-02 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289936B (zh) * 2019-07-25 2022-08-23 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289938B (zh) * 2019-07-25 2022-05-03 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289960B (zh) * 2019-07-25 2022-08-23 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112289937B (zh) * 2019-07-25 2022-08-23 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112310291A (zh) * 2019-07-25 2021-02-02 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112310290B (zh) * 2019-07-25 2022-08-05 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112625674B (zh) * 2019-09-24 2022-04-29 Tcl科技集团股份有限公司 复合材料和量子点发光二极管及其制备方法
CN113122228B (zh) * 2019-12-31 2023-06-30 Tcl科技集团股份有限公司 量子点及其改性方法和量子点发光二极管
CN113140683B (zh) * 2020-01-20 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板
CN111554820B (zh) * 2020-05-13 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点图形结构、量子点的图形化方法和显示装置
CN113972343B (zh) * 2020-07-22 2024-05-24 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN114686232B (zh) * 2020-12-30 2023-12-26 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点的筛分方法及量子点发光二极管
CN113299866B (zh) * 2021-05-24 2023-04-07 合肥福纳科技有限公司 膜层及其制备方法和发光器件及其制备方法
CN115537072B (zh) * 2021-06-29 2024-04-02 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点墨水、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
CN113838990B (zh) * 2021-09-26 2024-04-09 北京京东方技术开发有限公司 量子点发光器件、其制作方法及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103232849A (zh) * 2013-04-27 2013-08-07 东南大学 氨基酸修饰的水溶性稀土上转换发光纳米粒子的制备方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN105185918A (zh) * 2015-08-27 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层、其制备方法及qled
CN106085417A (zh) * 2016-06-14 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 水溶性量子点、制备方法及量子点薄膜制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9559322B2 (en) * 2013-04-05 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, methods of manufacturing quantum dots and methods of manufacturing organic light emitting display devices using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103232849A (zh) * 2013-04-27 2013-08-07 东南大学 氨基酸修饰的水溶性稀土上转换发光纳米粒子的制备方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN105185918A (zh) * 2015-08-27 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 量子点发光层、其制备方法及qled
CN106085417A (zh) * 2016-06-14 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 水溶性量子点、制备方法及量子点薄膜制备方法

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