CN112117387A - 量子点发光器件及其应用 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 249
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 208
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 87
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 74
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 39
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 33
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 16
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 5
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 4
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 3
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 2
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical group [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N copper;selanylideneindium Chemical class [Cu].[In]=[Se] UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical group Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本发明公开了一种量子点发光器件及其应用，铜基量子点是一种常见的黄铜矿半导体材料，具有可调带隙、低毒性、制备简单、成本低等优点，可以作为空穴传输材料用于量子点发光二极管器件中，通过调节铜基量子点的粒径大小可以调节能级，从而更好地与量子点发光层匹配。量子点表面的长链配体大多具有绝缘性质，严重影响了量子点之间的电荷传输，也使得形成的量子点薄膜的电荷传输性较差，如果量子点作为空穴传输材料应用到量子点发光器件中会严重影响器件性能。因此本发明通过采用表面具有短链配体的铜基量子点作为空穴传输材料，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种量子点发光器件及其应用。
背景技术
量子点(Quantum Dot，简称QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
发明内容
本发明实施例提供的一种量子点发光器件，包括：相对设置的阳极和阴极，位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，位于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述铜基量子点的化学式为CuXY，其中，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。
相应地，本发明实施例还提供了一种空穴传输材料的制作方法，包括：
采用溶液法制备表面具有长链配体的铜基量子点；
向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使所述短链配体取代所述长链配体；
对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，作为所述空穴传输材料。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述铜基量子点的化学式为CuXY，其中，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使所述短链配体取代所述长链配体，具体为：
向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，形成混合溶液；
向所述混合溶液中加入氢氧化钠溶液，调节所述混合溶液的PH值；
对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使所述短链配体取代所述长链配体。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述混合溶液的PH值为8-9。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使所述短链配体取代所述长链配体之后，还包括：
将所述混合溶液静置第二预设时长。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第一预设时长为1小时-3小时，所述第二预设时长大于2小时。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，具体为：
将取代后的溶液转移到预设溶剂中；
将所述预设溶剂中的表面具有短链配体的铜基量子点取出，进行提纯清洗。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
相应地，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括：
形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极；其中，所述空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述空穴传输层，具体为：
采用旋涂或打印的方式形成所述空穴传输层。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种量子点发光器件及其应用，铜基量子点是一种常见的黄铜矿半导体材料，具有可调带隙、低毒性、制备简单、成本低等优点，可以作为空穴传输材料用于量子点发光二极管器件中，通过调节铜基量子点的粒径大小可以调节能级，从而更好地与量子点发光层匹配。量子点的制备方法大多采用溶液法，由于长链有机溶剂通常作为量子点配体，有稳定量子点结构、提高量子点合成效率的作用，因此通常在合成量子点时使用长链配体。但是在将量子点作为功能层材料(如空穴传输层)应用时，虽然这些有机长链配体能够使量子点稳定地分散于非极性溶剂中，但是大多数的有机大分子具有绝缘性质，严重影响了量子点之间的电荷传输，也使得形成的量子点薄膜的电荷传输性较差，如果量子点作为空穴传输材料应用到量子点发光器件中会严重影响器件性能。因此本发明通过采用表面具有短链配体的铜基量子点作为空穴传输材料，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种空穴传输材料的制作方法流程图；
图3为本发明实施例提供的一种短链配体替换长链配体的示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种空穴传输材料的制作方法流程图；
图5为本发明实施例提供的又一种短链配体替换长链配体的示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种空穴传输材料的制作方法流程图；
图7为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
目前很多高效QLED都是基于有机材料(如PEDOT：PSS)作为空穴传输层，有机材料虽然性能优异，但众所周知的是，它的不稳定性使得暴露在空气中的器件对氧气和湿度都很敏感，除此之外，其空穴传输率要低于无机材料约2-3个数量级，也不利于器件的光电性能，因此需要寻找合适的无机材料来替代有机空穴传输材料。
铜基半导体纳米粒子(即铜基量子点)CuXY，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te，不仅具有合适的禁带宽度，而且也具备组成元素环境友好、成本低廉等特点。如铜铟硒量子点(CISe)是一种常见的黄铜矿半导体材料，具有可调带隙、低毒性、制备简单、成本低等优点，同时可以作为空穴传输材料用于量子点发光二极管器件中。
合成铜基量子点大多使用热注入法溶液合成，反应过程中的温度、保持时间等都会影响量子点的形貌和尺寸，除了这些基本的反应条件之外，反应过程中的有机表面活性分子也就是表面配体也是影响量子点合成的重要条件。在反应过程中，量子点反应成核后有机溶剂包裹在核表面形成有机长链配体，这些配体可以控制核的生长调控量子点尺寸和形貌。有机长链之间的相互作用力可以使量子点很好地分散在大多数的非极性有机溶剂中，而且这些有机长链消除了粒子之间的范德华力，有效地阻止了粒子发生团聚，使得量子点能够稳定地分散在非极性溶剂中。由于为了稳定量子点结构、提高量子点合成效率的作用，这其中会使用到如油胺、油酸、三甲胺、三辛基氧化膦、十八烯、十二硫醇等长链有机溶剂，长链有机溶剂大量的使用会使得量子点表面包裹有绝缘的有机长链，但是在将量子点作为功能层材料应用时，有机长链严重影响了量子点之间的电荷传输，也使得形成的量子点薄膜的电荷传输性较差，如果将长链量子点应用到QLED器件中会严重影响器件性能。
因此，为了提高载流子传输性能以提高QLED器件性能，本发明实施例提供了一种量子点发光器件，如图1所示，包括：相对设置的阳极1和阴极2，位于阳极1和阴极2之间的量子点发光层3，位于阳极1和量子点发光层3之间的空穴传输层4，空穴传输层4的材料为采用本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法制得的表面具有短链配体的铜基量子点。
本发明实施例提供的上述量子点发光器件，通过采用表面具有短链配体的铜基量子点用于空穴传输材料，短链配体可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能；另外，铜基量子点作为一种无机空穴传输材料，具有高的空穴迁移率，稳定性好，并且能够溶剂化处理；并且选择铜基量子点作为空穴传输材料，通过调节粒径大小可以方便调节能级，从而更好地与发光层匹配。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，短链配体的链长一般小于十个碳原子，长链配体的链长一般大于十个碳原子。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，由于含有巯基、氨基、羧基等基团的配体更容易与量子点配位，因此本发明实施例提供的短链配体可以为包括巯基、氨基或羧基的配体。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，短链配体可以包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇等配体，这些短链配体能够与表面具有长链配体的铜基量子点交换形成短链配体的铜基量子点，用于空穴传输层材料的使用，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，在短链配体采用3-巯基丙酸(MPA)时，与量子点配位的基团为巯基；在短链配体采用辛酸时，与量子点配位的基团为羧基，在短链配体采用辛胺时，与量子点配位的基团为氨基；在短链配体采用己硫醇时，与量子点配位的基团为巯基。
需要说明的是，本发明实施例仅提供了部分短链配体，当然在具体实施时，短链配体不限于本发明实施例提供的这几种，只要是具备强络合能力的短链配体，都属于本发明保护的范围。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述量子点发光器件可以为正置型结构，也可以为倒置型结构。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述量子点发光器件还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，在此不做详述。：
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种空穴传输材料的制作方法，如图2所示，包括：
S201、采用溶液法制备表面具有长链配体的铜基量子点；
具体地，铜基量子点的化学式为CuXY，其中，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te。以CuInSe量子点为例，采用热注入法制备CISe量子点的方法如下：
(1)硒前驱体的制备：向0.3mmol的硒粉(Se)中加入0.5ml的油胺(OAm)和3ml的二苯基膦(DPP)，并超声搅拌至完全溶解形成澄清浅黄色的DPP-Se前驱体溶液备用，其中，硒粉为硒源，油胺为配体，二苯基膦能够溶解硒粉；
(2)将0.1mmol的碘化亚铜(CuI)、0.1mmol的醋酸铟(In(OAc)3)、2.0ml油胺(OAm)和2.0ml的十八烯(ODE)添加到一个干净的50ml容量的三颈烧瓶中，为避免反应过程中发生氧化，向三颈烧瓶中通入氮气，使整个实验过程在氮气环境下进行，其中，油胺、十八烯作为溶剂和配体，也可以使用液体石蜡、十二碳硫醇等代替，铜源可也使用氯化亚铜代替，铟源也可使用氯化铟代替；
(3)在室温情况下将步骤(2)中的混合溶液搅拌5min，去除三颈烧瓶和溶液中的空气；
(4)将步骤(3)的混合溶液加热到100℃～150℃，并在此温度下保持5min，确保反应环境无水无氧，可以观察到混合溶液变成澄清浅黄色，随后继续将混合溶液加热至160℃～200℃；
(5)将步骤(1)制备好的DPP-Se前驱体溶液快速的添加到步骤(4)中160℃～200℃的混合溶液中，混合溶液迅速变成黑色，说明CuInSe量子点晶核已经开始生成，并且在此温度下反应系统保持10min，使CuInSe量子点生长完全；
(6)10min后将步骤(5)最后得到的混合溶液的温度降至室温，即合成表面具有长链配体的CuInSe量子点；
(7)在合成的CuInSe量子点溶液中加入丙酮后离心清洗，此过程重复三遍，将清洗干净的CuInSe量子点配置成100mg/ml的溶液备用。
需要说明的是，上述步骤(1)-(7)仅是示例性的说明采用热注入法合成CuInSe量子点的过程，其中一些参数的使用是本案的发明人合成CuInSe量子点时采用的一种参数，当然，上述参数不限于本案的数值，可根据实际需要进行选择，不限制于本发明。另外，当合成其他铜基量子点时，不同物质的参数也是不同的，本领域技术人员可以合理配比。
S202、向表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使短链配体取代长链配体；
具体地，以CuInSe量子点为例，取清洗提纯后的CuInSe量子点分散在非极性溶剂氯仿中，超声至分散完全，氯仿也可用其他非极性溶剂如甲苯代替；向分散完全的CuInSe量子点氯仿溶液中加入短链配体材料，使短链配体逐渐取代长链配体，如图3所示，图3为长链配体交换为短链配体的模拟示意图，其中球形代表CuInSe量子点。
S203、对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，作为空穴传输材料；
具体地，可以使用甲醇溶液提纯清洗。
本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法，通过将铜基量子点表面的长链配体替换成短链配体，用于空穴传输材料，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能；另外，铜基量子点作为一种无机空穴传输材料，具有高的空穴迁移率，稳定性好，并且能够溶剂化处理；并且选择铜基量子点作为空穴传输材料，通过调节粒径大小可以方便调节能级，从而更好地与发光层匹配。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，短链配体的链长一般小于十个碳原子，长链配体的链长一般大于十个碳原子。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，由于含有巯基、氨基、羧基等基团的配体更容易与量子点配位，因此本发明实施例提供的短链配体可以为包括巯基、氨基或羧基的配体。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，短链配体可以包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇等配体，这些短链配体能够与表面具有长链配体的铜基量子点交换形成短链配体的铜基量子点，用于空穴传输层材料的使用，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，在短链配体采用3-巯基丙酸(MPA)时，与量子点配位的基团为巯基；在短链配体采用辛酸时，与量子点配位的基团为羧基，在短链配体采用辛胺时，与量子点配位的基团为氨基；在短链配体采用己硫醇时，与量子点配位的基团为巯基。
需要说明的是，本发明实施例仅提供了部分短链配体，当然在具体实施时，短链配体不限于本发明实施例提供的这几种，只要是具备强络合能力的短链配体，都属于本发明保护的范围。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，向表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使短链配体取代长链配体，如图4所示，具体可以为：
S401、向表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，形成混合溶液；
具体地，向表面具有长链配体的CuInSe量子点溶液中加入3-巯基丙酸(MPA)，3-巯基丙酸(MPA)是一种双功能连接分子，可以作为表面竞争配体，使用MPA作为表面竞争配体，MPA的巯基短链与CuInSe量子点表面的有机长链配体替换，将CuInSe量子点交换成有机短链包裹的量子点，既能保证量子点良好的分散性，又能提高量子点的电荷传输性能。另外，配体交换一般是采用具有强络合能力的配体取代弱络合能力的配体，巯基是一种具有强络合能力的配体，因此MPA可以取代原有的长链配体，如图5所示，图5为MPA短链配体
替换量子点表面长链配体碳链
的交换过程示意图，其中球形代表CuInSe量子点。
具体地，采用MPA作为竞争配体，向具有长链配体的CuInSe量子点溶液中加入3-巯基丙酸(MPA)的同时，还需加入去离子水，CuInSe量子点溶液、MPA和去离子水的体积比可以为2:1:2；采用MPA材料时加入的溶剂是去离子水，当然，在采用其它短链配体材料时，加入的溶剂根据短链配体的类型进行选择，目的是为了让短链配体材料能够溶解在溶剂中。
S402、向混合溶液中加入氢氧化钠溶液，调节混合溶液的PH值；
具体地，短链配体材料在碱性环境下更易与量子点表面结合，以3-巯基丙酸(MPA)短链配体材料为例，由于巯基在碱性环境下更易与量子点表面结合，因此可以向步骤S401中的混合溶液中加入氢氧化钠溶液，调节混合溶液的PH值至溶液呈碱性，期间可以通过pH计或pH试纸来确定混合溶液的pH值。
S403、对混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使短链配体取代长链配体；
具体地，为了让短链配体和CuInSe量子点表面的长链配体充分交换，可以对步骤S402中调节完PH值后的混合溶液进行搅拌一定时长。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，上述步骤S402中调节完PH值后的混合溶液的PH值为8-9时，短链配体取代长链配体的效果较佳。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，在步骤S403中对混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使短链配体取代长链配体之后，还包括：
将混合溶液静置第二预设时长；
具体地，由于被短链配体取代后的量子点需要转移到一定的溶剂中，以便后续提纯清洗，因此为了让交换后的量子点转移到溶剂中，需要将被短链配体取代后的量子点混合溶液静置一定时长。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，第一预设时长可以为1小时-3小时，第二预设时长至少大于2小时，具体的时长可以根据实际需要进行确定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述空穴传输材料的制作方法中，步骤S203中对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，如图6所示，具体可以为：
S601、将取代后的溶液转移到预设溶剂中；
具体地，以被MPA短链配体材料取代的CuInSe量子点为例，由于MPA短链配体材料能够溶解在水相中，因此取代后的量子点需要转移到水相(预设溶剂)中，有明显的分层现象；有机相中的就是长链配体，水相中就是短链配体的CuInSe量子点。需要说明的是，由于MPA短链配体材料能够溶解在水相中，所以预设溶剂是水，当然，当采用其它短链配体材料时，预设溶剂根据该短链配体材料能够溶解的溶剂进行选择。
S602、将预设溶剂中的表面具有短链配体的铜基量子点取出，进行提纯清洗；
具体地，将步骤S401中的水相中的短链配体CuInSe量子点取出，可以采用甲醇溶液进行提纯清洗，提纯清洗的次数可以为多次，最后得到的短链配体CuInSe量子点可以分散在去离子水中形成一定浓度的溶液，用于空穴传输层材料的使用，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，包括：
形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极；其中，空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。
本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法，通过采用表面具有短链配体的铜基量子点用于空穴传输材料，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能；另外，铜基量子点作为一种无机空穴传输材料，具有高的空穴迁移率，稳定性好，并且能够溶剂化处理；并且选择铜基量子点作为空穴传输材料，通过调节粒径大小可以方便调节能级，从而更好地与发光层匹配。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法中，短链配体的链长一般小于十个碳原子，长链配体的链长一般大于十个碳原子。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法中，由于含有巯基、氨基、羧基等基团的配体更容易与量子点配位，因此本发明实施例提供的短链配体可以为包括巯基、氨基或羧基的配体。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法中，短链配体可以包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇等配体，这些短链配体能够与表面具有长链配体的铜基量子点交换形成短链配体的铜基量子点，用于空穴传输层材料的使用，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法中，在短链配体采用3-巯基丙酸(MPA)时，与量子点配位的基团为巯基；在短链配体采用辛酸时，与量子点配位的基团为羧基，在短链配体采用辛胺时，与量子点配位的基团为氨基；在短链配体采用己硫醇时，与量子点配位的基团为巯基。
需要说明的是，本发明实施例仅提供了部分短链配体，当然在具体实施时，短链配体不限于本发明实施例提供的这几种，只要是具备强络合能力的短链配体，都属于本发明保护的范围。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法中，形成空穴传输层，具体为：
采用旋涂或打印的方式形成空穴传输层；
具体地，由于空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点，因此可以采用旋涂或打印的方式形成空穴传输层。
下面以正置型量子点发光器件为例进行说明其制备方法：
(1)清洗、烘干衬底基板，衬底基板的材料可以为ITO玻璃或其它衬底材料；
(2)在衬底基板上制备空穴注入层；例如在ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS材料，在135℃左右的温度下烘烤20min左右；
(3)在旋涂了空穴注入层的衬底基板上旋涂配制好的短链配体CuInSe量子点溶液，在130℃左右的温度下烘烤5min左右，形成空穴传输层；
(4)在形成空穴传输层的衬底基板上旋涂量子点发光材料，在100℃左右的温度下烘烤5min左右，形成量子点发光层；
(5)在形成有量子点发光层的衬底基板上旋涂ZnO材料，在100℃左右的温度下烘烤5min左右，形成电子传输层；
(6)在形成有电子传输层的衬底基板上蒸镀一层厚度100nm的铝材料，形成阴极；
(7)使用玻璃盖板对制备好的量子点发光器件进行封装。
需要说明的是，本发明是以量子点发光器件为正置型为例进行说明的，当本发明的量子点发光器件为倒置型时，与正置型结构的区别在于在衬底基板上制作膜层的顺序相反，正置型制作顺序为在衬底基板上依次制作阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，而倒置型制作顺序为在衬底基板上依次制作阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。不管是正置还是倒置，空穴传输层的材料均采用表面具有短链配体的铜基量子点。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种量子点发光器件相似，因此该显示装置的实施可以参见前述量子点发光器件的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为如图7所示的全面屏的手机。当然，本发明实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的一种量子点发光器件及其应用，空穴传输材料的制作方法包括：采用溶液法制备表面具有长链配体的铜基量子点；向表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使短链配体取代长链配体；对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，作为空穴传输材料。铜基量子点是一种常见的黄铜矿半导体材料，具有可调带隙、低毒性、制备简单、成本低等优点，可以作为空穴传输材料用于量子点发光二极管器件中，通过调节铜基量子点的粒径大小可以调节能级，从而更好地与量子点发光层匹配。量子点的制备方法大多采用溶液法，由于长链有机溶剂通常作为量子点配体，有稳定量子点结构、提高量子点合成效率的作用，因此通常在合成量子点时使用长链配体。但是在将量子点作为功能层材料(如空穴传输层)应用时，虽然这些有机长链配体能够使量子点稳定地分散于非极性溶剂中，但是大多数的有机大分子具有绝缘性质，严重影响了量子点之间的电荷传输，也使得形成的量子点薄膜的电荷传输性较差，如果量子点作为空穴传输材料应用到量子点发光器件中会严重影响器件性能。因此本发明通过采用表面具有短链配体的铜基量子点作为空穴传输材料，可以提高量子点的导电性，提高载流子传输效率，提高量子点发光器件性能。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (21)
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：相对设置的阳极和阴极，位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，位于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。
2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述铜基量子点的化学式为CuXY，其中，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te。
3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
5.如权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件。
7.一种空穴传输材料的制作方法，其特征在于，包括：
采用溶液法制备表面具有长链配体的铜基量子点；
向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使所述短链配体取代所述长链配体；
对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，作为所述空穴传输材料。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述铜基量子点的化学式为CuXY，其中，X＝Ga或In，Y＝S、Se或Te。
9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，以使所述短链配体取代所述长链配体，具体为：
向所述表面具有长链配体的铜基量子点溶液中加入短链配体材料，形成混合溶液；
向所述混合溶液中加入氢氧化钠溶液，调节所述混合溶液的PH值；
对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使所述短链配体取代所述长链配体。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述混合溶液的PH值为8-9。
11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在对所述混合溶液进行搅拌第一预设时长，以使所述短链配体取代所述长链配体之后，还包括：
将所述混合溶液静置第二预设时长。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第一预设时长为1小时-3小时，所述第二预设时长大于2小时。
13.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，对取代后的溶液进行清洗，得到表面具有短链配体的铜基量子点，具体为：
将取代后的溶液转移到预设溶剂中；
将所述预设溶剂中的表面具有短链配体的铜基量子点取出，进行提纯清洗。
14.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
15.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
17.一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
形成层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极；其中，所述空穴传输层的材料为表面具有短链配体的铜基量子点。
18.如权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体的链长小于十个碳原子。
19.如权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体为包括巯基、氨基或羧基的配体。
20.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，所述短链配体包括3-巯基丙酸、辛酸、辛胺或己硫醇。
21.如权利要求17所述的制作方法，其特征在于，形成所述空穴传输层，具体为：
采用旋涂或打印的方式形成所述空穴传输层。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011010637.0A CN112117387B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 量子点发光器件及其应用 |
| US17/402,080 US11825676B2 (en) | 2020-09-23 | 2021-08-13 | Quantum dot light emitting device and application |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011010637.0A CN112117387B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 量子点发光器件及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112117387A true CN112117387A (zh) | 2020-12-22 |
| CN112117387B CN112117387B (zh) | 2024-06-07 |
Family
ID=73801705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011010637.0A Active CN112117387B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 量子点发光器件及其应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11825676B2 (zh) |
| CN (1) | CN112117387B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979485A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种高性能的量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN105185918A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-23 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光层、其制备方法及qled |
| CN107359264A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-11-17 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种qled、制备方法及显示装置 |
| CN109509842A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板 |
| CN110224074A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-09-10 | 华南理工大学 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
| CN111224018A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管的制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9525148B2 (en) * | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| JP6524095B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2019-06-05 | オックスフォード ユニヴァーシティ イノヴェーション リミテッド | 金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び不動態化剤を含む光起電力デバイス |
| EP3038168A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-29 | Nokia Technologies OY | A transducing apparatus and method for providing such apparatus |
| CN116847667A (zh) * | 2016-07-20 | 2023-10-03 | 索尼公司 | 半导体膜、光电转换元件、光检测元件和电子装置 |
| CN109216568A (zh) * | 2017-07-05 | 2019-01-15 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件的制备方法 |
| US10961446B2 (en) * | 2018-03-09 | 2021-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, production methods thereof, and light emitting device including the same |
| CN113471361B (zh) * | 2021-05-12 | 2022-10-25 | 西安交通大学 | 一种铜铟硒量子点修饰钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-09-23 CN CN202011010637.0A patent/CN112117387B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-13 US US17/402,080 patent/US11825676B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979485A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-10-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种高性能的量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN105185918A (zh) * | 2015-08-27 | 2015-12-23 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光层、其制备方法及qled |
| CN107359264A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-11-17 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种qled、制备方法及显示装置 |
| CN111224018A (zh) * | 2018-11-26 | 2020-06-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管的制备方法 |
| CN110224074A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-09-10 | 华南理工大学 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
| CN109509842A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220093889A1 (en) | 2022-03-24 |
| CN112117387B (zh) | 2024-06-07 |
| US11825676B2 (en) | 2023-11-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant |