CN104981324A - 单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板 - Google Patents

单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板 Download PDF

Info

Publication number
CN104981324A
CN104981324A CN201480008414.7A CN201480008414A CN104981324A CN 104981324 A CN104981324 A CN 104981324A CN 201480008414 A CN201480008414 A CN 201480008414A CN 104981324 A CN104981324 A CN 104981324A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding plate
monocrystal sic
grinding
abrasive particle
sic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480008414.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104981324B (zh
Inventor
贵堂高德
加藤智久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=51354173&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN104981324(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN104981324A publication Critical patent/CN104981324A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104981324B publication Critical patent/CN104981324B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。

Description

单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板
技术领域
本发明涉及单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板。
本申请基于在2013年2月13日在日本提出的专利申请2013-026081号要求优先权，将其内容援引于此。
背景技术
作为半导体材料的SiC(碳化硅)，其带隙比现在广泛作为器件用基板使用的Si(硅)宽，因此正在进行着使用单晶SiC基板制作功率器件、高频器件、高温工作器件等的研究。
上述单晶SiC基板通过将采用例如升华法制造出的单晶SiC锭切断，然后对两面进行镜面加工而形成(例如参照专利文献1)。
被切断的基板存在翘曲、起伏、加工应变，例如通过利用金刚石磨粒的磨削加工将它们减轻后，采用CMP(化学机械抛光)进行镜面化。但是，由于CMP的加工速度小，因此期望尽量减小CMP前的加工应变层深度(例如参照非专利文献1)。
SiC等的非氧化物陶瓷的镜面加工中有机械化学抛光技术。例如非专利文献2中公开了在将平均粒径为0.5μm的氧化铬磨粒用丙烯腈、苯酚等树脂成型而成的抛光盘上进行干式研磨的方法和单晶SiC的加工结果。
在先技术文献
专利文献1：日本专利第4499698号公报
非专利文献1：贵堂高德、堀田和利、河田研治、长屋正武、前田弘人、出口喜宏、松田祥伍、武田笃德、高锅隆一、中山智浩、加藤智久：SiC和相关宽带隙半导体研究会第21次讲演预稿集(SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演予稿集)，P72-73
非专利文献2：须贺唯知：机械和工具(機械と工具)，35,92-96(1991)
发明内容
但是，在非专利文献2所公开的方法中，小的单晶试样需要0.34MPa这样的在量产工序中不现实的加工负荷，不能应用于面向以6英寸直径为目标的目前的SiC功率半导体的实用化的对策中。而且，在此公开的抛光盘是所谓的树脂结合剂的磨石，不能避免微小的划痕的产生。
因此，基于非专利文献2所公开的方法，目前为了开发能够在具有可用于器件的镜面的单晶SiC基板的量产中采用的镜面加工方法，至少需要解决加工负荷的问题和微小划痕的产生问题。
为解决上述的问题，本发明人反复进行认真研讨，至少经过以下所示的多个步骤，完成了本发明。
在非专利文献2中公开了：作为加工的机理，预想到以氧化铬为催化剂使试样表面氧化，利用磨粒除去从而进行加工的机械化学作用为主的机理。本发明人对于机械化学作用的内容进行了进一步深入的考察，结果确认到以下的机理。即，由具有带隙的材料构成的磨粒，通过与被加工物的机械滑动而被给予能量，磨粒表面的电子被激发，产生电子空穴对。由此，利用与在光催化材料中所说明的内容同样的机制，产生超氧阴离子、羟基自由基、或原子态氧之类的氧化能力非常强的活性种而使试样表面氧化。被加工物为单晶SiC的情况下，可设想到氧化生成物为SiO2·nH2O、与CO或CO2，认为可以通过由磨粒除去SiO2·nH2O而将单晶SiC基板的表面加工成镜面。在本说明书中，将该作用定义为摩擦催化作用。
在本发明中，通过使用具有该摩擦催化作用的磨粒，基于使用了金刚石磨粒等的机械性的除去作用而谋求在磨削时产生的单晶SiC基板表面的划痕的减少。
在磨擦催化作用方面，高效对磨粒给予机械能，上电子空穴对大量产生是关键。电子空穴对的多数不会有助于活性种的生成，而是进行再结合从而消失，因此需要增大活性种生成的概率。
在本发明中，为了易于将大口径的单晶SiC基板的加工应用于量产，需要能够将大口径的单晶SiC基板安装于磨削装置上来使用。使用磨削装置进行利用了磨粒的摩擦催化作用的加工，至今为止完全没有进行过，因此新探索了有效地体现摩擦催化作用的磨削条件。其结果，发现了在磨粒的种类、粒径的选定、冷却剂的种类、供给速度、磨削板旋转速度等方面，具有适当的范围。
另外，已知以往在制作并使用一般作为磨削装置用的磨削板而使用的、由粘结材料固定的所谓的磨石的情况下，在利用了摩擦催化作用的加工中也不可避免微小的划痕的产生。
因此，认真研究的结果，构想到利用至今为止完全没有应用于磨削装置的CMP用的垫作为磨削板的基体。
另外，存在各种的具有摩擦催化作用的材料，例如金刚石、SiC等也是具有带隙的材料，因此显示出摩擦催化作用。但是，由于这些材料不比单晶SiC软，因此会在单晶SiC加工面造成划痕，因此不适合。
因此，在本发明中，为了在磨削时减少在单晶SiC加工面造成的划痕，作为磨粒使用了比单晶SiC软的材料。
本发明的目的是提供通过使用现有的磨削装置而可以应用于量产工序、并能够抑制微小划痕的产生的单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板。
本发明提供以下方案。
(1)一种单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
(2)根据(1)所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，作为冷却剂使用纯水。
(3)根据(1)所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，不使用冷却剂、或者作为冷却剂使用的纯水的供给速度超过0ml/min且为100ml/min以下。
(4)根据(1)～(3)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，被加工物台的旋转方向为与磨削板旋转方向相反的方向，硬质垫被分片(segment)化，被加工物台的旋转速度为30rpm～300rpm。
(5)一种单晶SiC基板的制造方法，其特征在于，具有将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削的工序，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
(6)一种单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
(7)根据(6)所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述金属氧化物为选自氧化铈、氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化铁、氧化锆、氧化锌、氧化锡中的至少1种以上。
(8)根据(7)所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述金属氧化物至少包含氧化铈。
(9)根据(6)～(8)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述磨粒的比表面积为0.1m2/g～300m2/g。
(10)根据(6)～(9)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述软质垫为无纺布类或绒面革类。
(11)根据(6)～(10)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述硬质垫为泡沫聚氨酯系。
(12)根据(6)～(11)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，是用结合剂(binder)和/或粘接剂(adhesive)固定了所述磨粒的磨削板。
(13)根据(6)～(12)的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述磨粒的固定是通过将固定磨粒膜贴附在硬质垫上来进行的。
在本说明书中，“单晶SiC基板”这一用语对于表面磨削前、表面磨削中和表面磨削后的单晶SiC基板而言共同地使用。
根据本发明，能够提供通过使用现有的磨削装置而可以应用于量产工序、并能够抑制微小划痕的产生且可以迅速得到镜面的单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板。
附图说明
图1是表示本发明的磨削板的结构的示意图。
图2是表示使用本发明的磨削板的表面磨削装置的一例的结构的一部分的示意图。
图3是本发明的第1实施例中的加工前的单晶SiC锭表面的光学显微镜照片。
图4是本发明的第1实施例中的加工后的单晶SiC锭表面的光学显微镜照片。
具体实施方式
以下，对于应用了本发明的单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板，利用附图对其构成进行说明。再者，在以下的说明中使用的附图，有时为了便于理解特征而将特征部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。另外，在以下的说明中例示的材料、尺寸等只是一个例子，并不限定本发明，可以在不变更本发明的主旨的范围内适当变更而实施。
(单晶SiC基板的表面加工用磨削板)
图1是表示本发明一实施方式涉及的单晶SiC基板的表面加工用磨削板的一例的示意图，(a)是截面图，(b)是俯视图(平面图)。
图1所示的磨削板10，在具有平坦面的基体件1上依次贴附有软质垫2、硬质垫3，在硬质垫3的表面固定有磨粒(省略图示)，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
在该例中，软质垫2与硬质垫3经由粘合片4贴附，硬质垫3由分片化成为直角三角形状的8枚(3a)构成。另外，基体件1具有用于由螺钉固定于磨削装置的螺纹孔1a。在该情况下，为了在使用纯水等冷却剂时防止软质垫的吸水和硬质垫贴附的稳定化，使用了粘合片4。但是，也可以不使用它而将硬质垫3直接贴附于软质垫2上。
另外，如该例所示，出于作为用于防止切割粉末、冷却剂侵入螺纹孔1a的盖子的目的，软质垫2和粘合片4可以以在对应于螺纹孔1a的部分不具有孔的方式使用。
具有带隙的磨粒，通过在单晶SiC基板的表面磨削中与被加工物的机械滑动而被给予能量，由此磨粒表面的电子被激发，产生电子空穴对，产生超氧阴离子、羟基自由基、或原子态氧之类的氧化能力非常强的活性种而使试样表面氧化。并且，通过利用磨粒除去因试样表面的氧化而生成的SiO2·nH2O，来产生能够加工单晶SiC基板的表面的摩擦催化作用。
作为产生摩擦催化作用的具有带隙的材料，特别是金属氧化物都是比单晶SiC软的材料。另外，大部分的金属氧化物是具有带隙的材料，在磨粒、颜料、光催化剂等用途中具有摩擦催化作用的粉末能够工业性地得到，因此可以优选使用。
鉴于工业性地得到的容易度和由于是具有带隙的材料因而具有摩擦催化作用的情况，更优选是选自氧化铈、氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化铁、氧化锆、氧化锌、氧化锡中的至少1种以上的金属氧化物粉末。
鉴于工业性地得到的容易度、由于是具有带隙的半导体材料因而发挥摩擦催化作用的性能，可最优选地使用的金属氧化粉末是氧化铈。
由于磨粒需要具备除去SiO2·nH2O的能力，因此需要具有某种程度的一次粒径。但是，如果一次粒径大则比表面积变小，与光催化作用同样变得不能够效率良好地发挥摩擦催化作用，因此具有适当的范围。即，关于磨粒的机械除去能力，粒径越大、即比表面积越小越有利。另一方面，关于摩擦催化作用，与一般的催化作用同样地与表面相关，因此比表面积大时其效果高。因此，取得两者的平衡的区域成为适当的范围。
磨粒的比表面积优选为0.1m2/g～300m2/g。这是由于，如果小于0.1m2/g则有可能不能效率良好地发挥摩擦催化作用，如果大于300m2/g则有可能不能效率良好地除去SiO2·nH2O。
磨粒的比表面积更优选为0.5m2/g～200m2/g。这是由于，通过设为0.5m2/g以上，能够效率更加良好地发挥摩擦催化作用，通过设为200m2/g以下，能够效率更加良好地除去SiO2·nH2O。
磨粒的比表面积进一步优选为1m2/g～100m2/g。这是由于，通过设为1m2/g以上，能够进一步效率良好地发挥摩擦催化作用，通过设为100m2/g以下，能够进一步效率良好地除去SiO2·nH2O。
该磨削板由于具备基体件，因此能够为了在磨削装置中使用而安装于磨削装置上。
作为基体件可以使用公知的基体件，例如，可以使用其材料为铝硅合金等铝合金的基体件。
该基体件在与被加工物相对的朝向具有平坦面，磨削板是在该平坦面上依次贴附有软质垫、硬质垫的结构。通过具备该结构，能够进行表面基准的加工，即以该被加工物的被加工面为基准面而从该面均匀地使被加工物的表面平坦的加工，并且能够将在作为被加工物的单晶SiC基板的表面产生的划痕抑制为最小限度。
软质垫可以是无纺布类或绒面革类的垫。
硬质垫可以是泡沫聚氨酯系的垫。
在磨削板的实施加工的最表面，在硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。该磨粒可以使用结合剂和/或粘接剂而固定于硬质垫表面。
另外，磨粒的固定可以通过将市售的固定磨粒膜贴附在硬质垫上而进行。
(单晶SiC基板的表面加工方法)
本发明的一实施方式涉及的单晶SiC基板的表面加工方法，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
作为安装磨削板的磨削装置，可以使用公知的磨削装置。
图2是表示安装本发明的磨削板的磨削装置的一例的磨削单晶基板的部分的结构的示意图。图1所示的磨削板10被安装于驱动部11上，驱动部通过电动机带而旋转。单晶SiC基板12通过由真空吸盘装置(未图示)真空吸附而固定于被加工物台13上。基板保持部14一边与被加工物台13一同旋转，一边向磨削板方向送给，由此进行基板的磨削。
通过适当选定磨削条件，能够显现出所述磨削板对单晶SiC的摩擦催化作用，产生氧化生成物。
磨削板的旋转速度，优选为300rpm～3000rpm。这是由于，如果小于300rpm则给予磨粒的机械能过小，有可能不能呈现摩擦催化作用，如果大于3000rpm则有可能不能忽视发热、装置振动等问题。由于至今为止不存在将具有摩擦催化作用的磨削板应用于磨削装置的例子，因此在现有的磨削装置的规范内是否体现出摩擦催化作用尚不明确。认真研讨的结果判明了能够应用一般的磨削板旋转速度。
磨削板的旋转速度更优选为500rpm～2000rpm。这是由于，通过设为500rpm以上，可以使摩擦催化作用产生更充分的机械能，通过设为2000rpm以下，能够更切实地避免发热、装置振动等问题。
被加工物台的旋转方向可以设为与磨削板旋转方向相同的方向(同向)。该情况下，被加工物台的旋转速度优选为磨削板旋转速度的80％～120％。这是由于如果低于80％或超过120％，则加工面的除去量有可能变得不均匀。
被加工物台的旋转方向可以设为与磨削板旋转方向相反的方向。该情况下，为了使加工面的除去量均匀，在将硬质垫分片化为适当的形状的基础上，被加工物台的旋转速度优选为30rpm～300rpm。
将硬质垫分片化，即通过分离为适当的尺寸而贴附，能够控制与被加工物台反向地旋转的磨削板上的磨粒和被加工物加工面内的接触频率，能够防止例如仅有被加工物中央部被较多地磨削这样的不均匀的加工。在通常的磨削装置中，被加工物台的旋转中心被配置为与磨削板的外周部触碰，被加工物台的旋转方向为与磨削板旋转方向相反的方向。因此，如果在磨削板整个面上具有磨粒，则磨粒向被加工物中央部的接触频率变高，仅中央部被磨削。用于防止该状况的适当的分片化是有效的。
另外，如果低于30rpm或超过300rpm，则成为通常的磨削装置的规范外的运转，加工面的除去量有可能变得不均匀。
在使用冷却剂的情况下优选使用纯水。这是由于如果具有杂质成分则有可能不能呈现出摩擦催化作用。摩擦催化作用使机械能高效地促进电子空穴对的生成，这很重要。但是，杂质的介在本身有可能对其有所阻碍，另外，会提高水的润滑作用而减少摩擦阻力，结果有可能减少给予磨粒的机械能。另外，杂质的介在有可能阻碍磨粒高效地除去氧化生成物的过程。
可以不使用冷却剂，作为冷却剂使用纯水时，纯水的供给速度优选为100ml/min以下。这是由于如果超过100ml/min，则通过机械滑动而给予磨粒的能量过于变小，有可能不能充分体现摩擦催化作用。另外，如果纯水的供给速度过大，则作为润滑剂的作用变大，会减少摩擦阻力。其结果，给予磨粒的能量变小，电子空穴对的产生也有可能变得不充分。
(单晶SiC基板的制造方法)
本发明的一实施方式涉及的单晶SiC基板的制造方法，具有将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削的工序，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。本发明的方法，由于利用在SiC表面的氧化，因此与其氧化壁垒的高度有关系，可以很好地应用于SiC基板的(0001)面的C面。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行更具体地说明，但本发明并不限定于以下的实施例。
(第1实施例)
将为了能够安装于秀和工业株式会社制的磨削装置MHG-2000而准备的具有M12螺纹孔的外径为150mm的铝合金制的基体件的与被加工物相对的面加工为平坦，在该面上贴附ニッタ·ハース株式会社制的CMP用垫SUBA600(软质垫)。接着，在该SUBA600上隔着アズワン株式会社制的FEP粘合片膜贴附8枚的分片化为30×40×50mm的直角三角形状的ニッタ·ハース株式会社制的CMP用垫IC1000(硬质垫)，制作了磨削板基体。使用旭ダイヤモンド工业制的コンディショナーCMP-M100A对该磨削板基体进行了修整。在被修整了的IC1000分片表面，贴附仍分片化为30×40×50mm的直角三角形状的住友スリーエム株式会社制的トライザクト薄膜氧化铈，制作了具有磨擦催化作用的单晶SiC基板的表面加工用磨削板。
接着，将制作的磨削板安装于磨削装置MHG-2000上。利用真空吸盘将预先采用旭ダイヤモンド工业制的陶瓷结合剂金刚石磨轮(4000号)磨削加工为平坦的タンケブルー制的3英寸直径的n型(000-1)4H-SiC(4°off)单晶锭(C面)(单晶SiC基板)固定于被加工物台上，进行了C面侧的表面加工。
被加工物台的旋转方向设为与磨削板旋转方向相反的方向，被加工物台的旋转速度设为40rpm，磨削板的旋转速度设为1500rpm，纯水的供给速度设为0ml/min，即以干式进行了加工。通过手动缓缓送给被加工物台而进行，使磨石旋转用电动机电流的值成为2.4～2.8A的范围内。加工时间为3分钟。
对于加工前后的锭高度，使用ミツトヨ制的高度计进行面内9点的测定，算出了单晶锭的除去量，结果以平均值计为3.8μm。加工速度为1.3μm/min的高值。加工后的锭高度的最大值与最小值之差为1.4μm，被均匀地加工了。
图3中示出了对于加工前的锭表面，使用オリンパス制的光学显微镜进行了暗视场观察的结果，图4中示出了对于加工后的锭表面，使用オリンパス制的光学显微镜进行了暗视场观察的结果。
在加工前的锭中观察到的无数的由4000号金刚石磨粒造成的磨削条痕完全消失，仅观察到由晶体缺陷、微小异物引起的亮点，能够实现没有加工应变的镜面。
(第2实施例)
使用在第1实施例中制作的单晶SiC镜面加工用磨削板，将纯水供给量设为10ml/min、50ml/min、100ml/min，除此以外，在与第1实施例相同的磨削条件下进行了加工。
加工速度分别为1.0μm/min、0.6μm/min、0.2μm/min，与第1实施例的情况同样地，在光学显微镜暗视场观察中确认到磨削条痕完全消失。
(比较例1)
使用在第1实施例中制作的单晶SiC镜面加工用磨削板，将纯水供给量设为150ml/min，除此以外，在与第1实施例相同的磨削条件下进行了加工，加工速度大致为零，在光学显微镜暗视场观察中确认到磨削条痕几乎没有消失。可以认为当纯水供给量为150ml/min时，通过机械振动给予磨粒的能量过于变小，没有呈现出摩擦催化作用。
(比较例2)
使用日本金刚磨石公司制的树脂结合剂氧化铈磨石作为磨削板，进行了与第1实施例同样的加工，作为平均值的加工速度为0.7μm/min。但是，成为锭中央部被较多地磨削这样的不均匀的磨削方式，在光学显微镜暗视场观察中，观察到微小的划痕。可以认为这是因为，与本发明不同，由于不具有软质垫和硬质垫组合的构成，因此不能进行表面基准的加工，而且不能够抑制微小划痕的产生。
产业上的利用可能性
本发明的单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板，能够用于单晶SiC基板的制作，另外，能够用于对形成器件后的基板的背面进行加工而将基板减薄的工序。
附图标记说明
1   基体件
2   软质垫
3   硬质垫
10  单晶SiC基板的表面加工用磨削板

Claims (13)

1.一种单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，作为冷却剂使用纯水。
3.根据权利要求1所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，不使用冷却剂、或者作为冷却剂使用的纯水的供给速度超过0ml/min且为100ml/min以下。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工方法，其特征在于，被加工物台的旋转方向为与磨削板旋转方向相反的方向，硬质垫被分段化，被加工物台的旋转速度为30rpm～300rpm。
5.一种单晶SiC基板的制造方法，其特征在于，具有将磨削板安装于磨削装置上，通过所述磨削板产生氧化生成物，一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削的工序，所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
6.一种单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板，在所述硬质垫的表面固定有磨粒，所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述金属氧化物为选自氧化铈、氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化铁、氧化锆、氧化锌、氧化锡中的至少1种以上。
8.根据权利要求7所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述金属氧化物至少包含氧化铈。
9.根据权利要求6～8的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述磨粒的比表面积为0.1m2/g～300m2/g。
10.根据权利要求6～9的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述软质垫为无纺布类或绒面革类。
11.根据权利要求6～10的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述硬质垫为泡沫聚氨酯系。
12.根据权利要求6～11的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，是用结合剂和/或粘接剂固定了所述磨粒的磨削板。
13.根据权利要求6～12的任一项所述的单晶SiC基板的表面加工用磨削板，其特征在于，所述磨粒的固定是通过将固定磨粒膜贴附在硬质垫上来进行的。
CN201480008414.7A 2013-02-13 2014-02-13 单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板 Active CN104981324B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013026081A JP6016301B2 (ja) 2013-02-13 2013-02-13 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
JP2013-026081 2013-02-13
PCT/JP2014/053379 WO2014126174A1 (ja) 2013-02-13 2014-02-13 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104981324A true CN104981324A (zh) 2015-10-14
CN104981324B CN104981324B (zh) 2018-03-27

Family

ID=51354173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480008414.7A Active CN104981324B (zh) 2013-02-13 2014-02-13 单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9620374B2 (zh)
JP (1) JP6016301B2 (zh)
KR (1) KR101775258B1 (zh)
CN (1) CN104981324B (zh)
TW (1) TWI515784B (zh)
WO (1) WO2014126174A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108422318A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 株式会社迪思科 磨削磨轮
CN109108811A (zh) * 2017-06-23 2019-01-01 株式会社迪思科 磨削装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6016301B2 (ja) * 2013-02-13 2016-10-26 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
JP6475518B2 (ja) * 2015-03-03 2019-02-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6974979B2 (ja) * 2017-08-22 2021-12-01 株式会社ディスコ 研削装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918872A (en) * 1984-05-14 1990-04-24 Kanebo Limited Surface grinding apparatus
US6261958B1 (en) * 1997-10-08 2001-07-17 Lucent Technologies Inc. Method for performing chemical-mechanical polishing
US6835120B1 (en) * 1999-11-16 2004-12-28 Denso Corporation Method and apparatus for mechanochemical polishing
CN1958233A (zh) * 2006-11-08 2007-05-09 大连理工大学 一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法
JP2007283410A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Kumamoto Univ 触媒支援型化学加工方法
JP2010188487A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Kumamoto Univ 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置
CN101966689A (zh) * 2010-09-27 2011-02-09 山东大学 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法
CN102029573A (zh) * 2009-10-07 2011-04-27 硅电子股份公司 用于研磨半导体晶片的方法
CN102107391A (zh) * 2009-12-24 2011-06-29 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504457A (en) 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
US4944836A (en) 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JPH0475A (ja) 1989-05-31 1992-01-06 Nippon Seiko Kk 磁性流体シール装置とその製造方法
JPH0359156U (zh) * 1989-10-12 1991-06-11
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
DE69122441T2 (de) 1990-06-29 1997-04-24 Nat Semiconductor Corp Polierscheibe mit eingestellter Schmiegsamkeit
US5152917B1 (en) * 1991-02-06 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Structured abrasive article
JP3128164B2 (ja) * 1992-06-19 2001-01-29 理化学研究所 メカノケミカル作用を生じる電解ドレッシング用砥石
DE69306049T2 (de) 1992-06-19 1997-03-13 Rikagaku Kenkyusho Vorrichtung zum Schleifen von Spiegeloberfläche
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
JP2716653B2 (ja) 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置および研磨方法
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
JP3853437B2 (ja) * 1996-08-08 2006-12-06 大日本印刷株式会社 研磨シート
JPH10156724A (ja) 1996-11-28 1998-06-16 Sony Corp 研磨布、該研磨布を用いた平坦化研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JPH10321572A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
US5931724A (en) * 1997-07-11 1999-08-03 Applied Materials, Inc. Mechanical fastener to hold a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system
JPH11170167A (ja) 1997-12-15 1999-06-29 Nikon Corp 光学素子の研磨方法及び研磨装置
JPH11198045A (ja) 1998-01-19 1999-07-27 Tosoh Corp 研磨用成形体、それを用いた研磨用定盤及び研磨方法
JPH11235659A (ja) 1998-02-18 1999-08-31 Ricoh Co Ltd 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置
JP2000190235A (ja) 1998-12-24 2000-07-11 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体の製造方法
JP4644323B2 (ja) 1999-04-28 2011-03-02 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
JP2000354950A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨パッド、研磨装置及び平坦な表面を有する被研磨体を製造する方法
WO2001045899A1 (fr) * 1999-12-22 2001-06-28 Toray Industries, Inc. Tampon a polir, procede et appareil de polissage
TW586157B (en) 2000-04-13 2004-05-01 Showa Denko Kk Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6602117B1 (en) 2000-08-30 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods
KR100892924B1 (ko) 2000-12-01 2009-04-09 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
JP2003048164A (ja) 2001-08-07 2003-02-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨ホイール
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
CN100592474C (zh) * 2001-11-13 2010-02-24 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及其制造方法
JP2004193377A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004255467A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Central Glass Co Ltd ガラス基板の連続片面研磨装置
JP2005142441A (ja) 2003-11-07 2005-06-02 Sony Corp ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
JP2005277130A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005288552A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Noritake Co Ltd 研磨工具およびそれを用いた研磨方法
JP2006055964A (ja) 2004-08-23 2006-03-02 Olympus Corp スムージング工具
JP4818613B2 (ja) * 2005-01-19 2011-11-16 アイオン株式会社 両面平面研磨装置
US7169031B1 (en) 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US7594845B2 (en) 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
JP2007190643A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Nihon Micro Coating Co Ltd クリーニングシート及び方法
JP2008006559A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Maxell Ltd 鏡面加工方法、および鏡面加工用の加工体
EP1894900A3 (en) 2006-08-28 2010-02-24 Osaka University Catalyst-aided chemical processing method and apparatus
JP2008081389A (ja) * 2006-08-28 2008-04-10 Osaka Univ 触媒支援型化学加工方法及び装置
JP4499698B2 (ja) 2006-10-04 2010-07-07 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
DE102009030297B3 (de) 2009-06-24 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
US20140051335A1 (en) 2011-01-27 2014-02-20 Fujimi Incorporated Abrasive and polishing composition
JP2012160683A (ja) 2011-02-03 2012-08-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
TWI605112B (zh) 2011-02-21 2017-11-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN103459089A (zh) 2011-04-11 2013-12-18 旭硝子株式会社 研磨剂及研磨方法
JP5913839B2 (ja) 2011-06-06 2016-04-27 株式会社ディスコ 研磨方法
US9153451B2 (en) * 2012-12-12 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure
JP6016301B2 (ja) * 2013-02-13 2016-10-26 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918872A (en) * 1984-05-14 1990-04-24 Kanebo Limited Surface grinding apparatus
US6261958B1 (en) * 1997-10-08 2001-07-17 Lucent Technologies Inc. Method for performing chemical-mechanical polishing
US6835120B1 (en) * 1999-11-16 2004-12-28 Denso Corporation Method and apparatus for mechanochemical polishing
JP2007283410A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Kumamoto Univ 触媒支援型化学加工方法
CN1958233A (zh) * 2006-11-08 2007-05-09 大连理工大学 一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法
JP2010188487A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Kumamoto Univ 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置
CN102029573A (zh) * 2009-10-07 2011-04-27 硅电子股份公司 用于研磨半导体晶片的方法
CN102107391A (zh) * 2009-12-24 2011-06-29 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
CN101966689A (zh) * 2010-09-27 2011-02-09 山东大学 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108422318A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 株式会社迪思科 磨削磨轮
CN108422318B (zh) * 2017-02-14 2022-02-11 株式会社迪思科 磨削磨轮
TWI759401B (zh) * 2017-02-14 2022-04-01 日商迪思科股份有限公司 研磨輪
CN109108811A (zh) * 2017-06-23 2019-01-01 株式会社迪思科 磨削装置
CN109108811B (zh) * 2017-06-23 2022-04-05 株式会社迪思科 磨削装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10453693B2 (en) 2019-10-22
JP6016301B2 (ja) 2016-10-26
CN104981324B (zh) 2018-03-27
JP2014151425A (ja) 2014-08-25
TW201442090A (zh) 2014-11-01
US20180218916A1 (en) 2018-08-02
US9960048B2 (en) 2018-05-01
US9620374B2 (en) 2017-04-11
KR101775258B1 (ko) 2017-09-05
US20160035579A1 (en) 2016-02-04
TWI515784B (zh) 2016-01-01
KR20150115900A (ko) 2015-10-14
WO2014126174A1 (ja) 2014-08-21
US20170178919A1 (en) 2017-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104981324A (zh) 单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板
JP4730844B2 (ja) 複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法および半導体ウェハ
CN102069448B (zh) 半导体晶片的制造方法
US11781244B2 (en) Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same
US9259818B2 (en) Smooth diamond surfaces and CMP method for forming
CN105340066A (zh) SiC基板的制造方法
CN102484042A (zh) 生产半导体晶片的方法
JP2019210206A (ja) 面取り炭化ケイ素基板および面取り方法
CN105817976A (zh) 一种纳米深度损伤层高效超精密磨削方法
JP2001054850A (ja) 固定砥粒ワイヤーソーによる硬脆材料の切断加工法
CN102658529A (zh) 一种超细磨粒纳米磨削制备纳米颗粒方法
KR101303552B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 양면을 화학적으로 그라인딩하는 방법
JP5841438B2 (ja) 切断用ブレード
JP2014205225A (ja) 高硬度脆性材料の研削用砥石
CN113182938B (zh) 金刚石复相材料表面的加工方法
CN203343907U (zh) 一种上表面有导风槽的镜面抛光用金刚石砂轮
JP2010076094A (ja) メタルボンドダイヤモンド砥石及びその製造方法
JP6616171B2 (ja) 研磨装置および研磨加工方法
WO2021002216A1 (ja) 合成砥石
JP2010247287A (ja) 炭化珪素単結晶基板の製造方法
JP2009056517A (ja) ダイヤモンド砥石のツルーイング方法及びツルーイング工具
KR101812738B1 (ko) 미세 홈이 형성된 입방정질화붕소 및 그 제조방법
JP2017107993A5 (zh)
JP2884030B2 (ja) 内周形切断砥石及びその製造方法
JP5988480B2 (ja) 研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230508

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

TR01 Transfer of patent right