TW201442090A - 單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板 - Google Patents

單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板 Download PDF

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Abstract

此單晶SiC基板之表面加工方法係將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由前述研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在前述硬質墊片的表面固定有比單晶SiC軟且具有能帶間隙之由至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。

Description

單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板
本發明係關於單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板。
本案主張基於2013年2月13日於日本提出申請之特願2013-026081號之優先權，並將其內容引用於本文。
半導體材料之SiC(碳化矽)因與現在被廣泛使用作為元件用基板之Si(矽)相比能帶間隙更大，而正進行使用單晶SiC基板來製作功率元件、高頻元件、高溫作業元件等之研究。
上述單晶SiC基板係例如將以昇華法製造之單晶SiC晶棒切斷，然後藉由對兩面做鏡面加工而形成(例如參照專利文獻1)。
被切斷之基板上存在翹曲、波紋或加工變形，除了例如用鑽石磨粒之研磨加工將其減輕以外，還以CMP(化學機械研磨)進行鏡面化。然而，因CMP的加 工速度慢，而迫切期望盡可能縮小CMP前的加工變形層深度(例如參照非專利文獻1)。
針對SiC等非氧化物陶瓷之鏡面加工，有機械化學研磨技術。例如非專利文獻2中揭示在以丙烯腈或苯酚等樹脂成形之研磨碟片上乾式研磨平均粒徑0.5μm的氧化鉻磨粒之手法與單晶SiC之加工結果。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特許第4499698號公報
非專利文獻
非專利文獻1 貴堂高徳、堀田和利、河田研治、長屋正武、前田弘人、出口喜宏、松田祥伍、武田篤徳、高鍋隆一、中山智浩、加藤智久：SiC及相關寬能隙半導體研究會第21回演講預備稿集，P72-73
非專利文獻2 須賀唯知：機械與工具，35，92-96 (1991)
然而，非專利文獻2所揭示之方法係對於小的單晶試料需要0.34MPa之在量產步驟中不現實的加工負荷，無法適用為用於以直徑6吋為目標之現在的SiC功率半導體之實用化的方法。此外，此處所揭示的研磨碟片為所謂的樹脂結合(resin bond)之磨石，不可避免會產生微小刮傷。
因此，為了依據非專利文獻2所揭示之方法，而開發當今可用在具有能夠使用於元件之鏡面的單晶SiC基板的量產之鏡面加工方法，至少需要解決加工負荷之問題與產生微小刮傷之問題。
為了解決上述問題，本案發明人不斷戮力研究，經過至少以下所示之複數步驟，而思及本發明。
非專利文獻2中揭示，作為加工機制，係以氧化鉻為觸媒將試料表面加以氧化並以磨粒加以去除來進行加工之機械化學作用，設想為主要之機制。而本案發明人對機械化學作用之內容進行進一步深入研究的結果，達成了以下機制。亦即，以具能帶間隙之材料所構成的磨粒將藉由與被加工物之機械性滑動而被賦予能量，磨粒表面的電子被激發而產生電子電洞對。藉此，以與光觸媒材料中說明之內容相同的機制，產生超氧化物陰離子、氫氧自由基、或原子氧等氧化力非常強之活性物種而使試料表面氧化。在被加工物為單晶SiC之情形，氧化產物係被預測為SiO2．nH2O與CO或CO2，而認為藉由以磨粒去除SiO2．nH2O，能將單晶SiC基板的表面加工為鏡面。本說明書中，將此作用定義為摩擦催化作用。
本發明係藉由使用具有此摩擦催化作用之磨粒，而謀求減少基於使用鑽石磨粒等的機械去除作用來研磨時所產生的單晶SiC基板表面之刮傷。
摩擦催化作用中，有效率的將機械能賦予磨粒並產生大量電子電洞對係至關重要的。大多數電子電洞對，由於會未對活性物種的生成做出貢獻即進行再結合而消滅，故增加活性物種生成之機率。
因為大口徑的單晶SiC基板之加工易適用於量產，故本發明中，必須能將大口徑的單晶SiC基板裝載於研磨裝置使用。由於至今完全未進行過使用研磨裝置而進行利用磨粒的摩擦催化作用之加工，故重新探索了有效展現摩擦催化作用之研磨條件。其結果，在磨粒之種類、粒徑之選定、冷卻劑之種類、供給速度、研磨板回轉速度等方面發現了適當的範圍。
又，過去在製作並使用一般被使用作為研磨裝置用的研磨板之以結合材料固定的所謂的磨石之情形，已知微小刮傷的產生在利用摩擦催化作用之加工中也是不可避免的。
對此戮力研究的結果，想到了把至今完全未適用於研磨裝置之CMP用墊片利用作為研磨板之基體。
又，具有摩擦催化作用之材料有各式各樣，例如由於鑽石或SiC等也是具有能帶間隙之材料而顯示摩擦催化作用。但是，由於這些材料因不比單晶SiC軟，會在單晶SiC加工面造成刮傷，故不適合。
因此，本發明為了減少在研磨時對單晶SiC加工面造成的刮傷，而使用了比單晶SiC還軟之物作為磨粒。
本發明之目的係提供：能使用既存的研磨裝置而適用於量產工程且可抑制微小刮傷產生之單晶SiC 基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板。
本發明提供以下方法。
(1)一種單晶SiC基板之表面加工方法，其特徵為：將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由前述研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在前述硬質墊片的表面固定有比單晶SiC軟且具有能帶間隙之由至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。
(2)如(1)之單晶SiC基板之表面加工方法，其係使用純水作為冷卻劑。
(3)如(1)之單晶SiC基板之表面加工方法，其係不使用冷卻劑，或者使用作為冷卻劑之純水的供給速度為大於0ml/min至100ml/min以下。
(4)如(1)至(3)中任一項之單晶SiC基板之表面加工方法，其中被加工物台的回轉方向係與研磨板回轉方向呈反方向，硬質墊片係被片段化者，被加工物台的回轉速度為30rpm至300rpm。
(5)一種單晶SiC基板之製造方法，其特徵為具有以下步驟：將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由前述研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在前述硬質墊片的表面固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。
(6)一種單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片之研磨板，其特徵為：在前述硬質墊片的表面固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上的金屬氧化物所構成之磨粒。
(7)如(6)之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述金屬氧化物係由氧化鈰、氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鐵、氧化鋯、氧化鋅、氧化錫中所選出的至少1種以上。
(8)如(7)之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述金屬氧化物至少包含氧化鈰。
(9)如(6)至(8)中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述磨粒的比表面積為0.1m2/g至300m2/g。
(10)如(6)至(9)中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述軟質墊片為不織布系或麂皮系。
(11)如(6)至(10)中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述硬質墊片係發泡聚胺甲酸酯系。
(12)如(6)至(11)中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述磨粒係以結合劑及/或接著劑加以固定。
(13)如(6)至(12)中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中前述磨粒之固定係藉由將固定磨粒膜貼在硬質墊片而完成。
本說明書中，「單晶SiC基板」一語係共通使用於表面研磨前、表面研磨中及表面研磨後之任一者。
依據本發明，可提供能使用既存的研磨裝置適用於量產工程，且能抑制微小刮傷的產生並能迅速地得到之單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板。
1‧‧‧基礎金屬
1a‧‧‧螺絲孔
2‧‧‧軟質墊片
3‧‧‧硬質墊片
3a‧‧‧被片段化為直角三角形之8片
4‧‧‧黏著片
10‧‧‧單晶SiC基板之表面加工用研磨板
11‧‧‧驅動部
12‧‧‧單晶SiC基板
13‧‧‧被加工物台
14‧‧‧基板保持部
第1圖(a)、(b)為顯示本發明之研磨板的結構之示意圖。
第2圖為顯示使用本發明之研磨板的表面研磨裝置之一例的一部分結構之示意圖。
第3圖為本發明第1實施例之加工前的單晶SiC晶棒表面之光學顯微鏡相片。
第4圖為本發明第1實施例之加工後的單晶SiC晶棒表面之光學顯微鏡相片。
[實施發明之形態]
以下，對應用本發明之單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板，使用圖式說明其結構。其中，在以下說明所使用之圖式，有為了容易理解特徵而方便上把特徵部分放大顯示之情形，各構成要素的尺寸比例等不限於與實際相同。又，以下說明中所例示的材料、尺寸等係一例，本發明並非受限於此，可在不變更其要旨的範圍內適當變更來實施。
(單晶SiC基板之表面加工用研磨板)
第1圖係顯示本發明一實施形態之單晶SiC基板之表面加工用研磨板之一例的示意圖，(a)為截面圖，(b)為平面圖。
示於第1圖之研磨板10，其係：具有平坦面之基礎金屬1，與於其上依序貼有軟質墊片2、硬質墊片3，且在硬質墊片3的表面固定有比單晶SiC還軟且具有能帶間隙之由至少1種以上金屬氧化物所構成的磨粒(圖式省略)。
在此例中，軟質墊片2與硬質墊片3係透過黏著片4黏貼，硬質墊片3係藉由被片段化為直角三角形之8片(3a)而構成。又，基礎金屬1係具有用來以螺絲固定在研磨裝置之螺絲孔1a。在此情形，為了防止在使用純水等冷卻劑時軟質墊片吸水與使硬質墊片黏貼穩定化，其係使用黏著片4。但是，也可不使用黏著片4而直接將硬質墊片3貼在軟質墊片2上。
又，如此例所示，軟質墊片2與黏著片4也可以蓋上用以防止碎屑與冷卻劑侵入螺絲孔1a之蓋子為目的，使用在相當於螺絲孔1a之部分不具有孔洞之態樣。
具有能帶間隙之磨粒，在單晶SiC基板的表面研磨中藉由與被加工物之機械性滑動而被賦予能量，磨粒表面的電子被激發而產生電子電洞對，並產生超氧化物陰離子、氫氧自由基、或原子氧等氧化力非常強的活性物種而使試料表面氧化。然後，藉由以磨粒去除由試料表面之氧化所產生的SiO2．nH2O，而產生能加工單晶SiC基板的表面之所謂的摩擦催化作用。
作為具有使摩擦催化作用產生之能帶間隙的材料，特別是金屬氧化物，均為比單晶SiC還軟之材料。又，大部分的金屬氧化物係具有能帶間隙之材料，在磨粒或顏料、光觸媒以外的用途具有摩擦催化作用之粉末，因能在工業上取得而可較佳地使用。
鑑於工業上取得的容易性與由於係具有能帶間隙之材料而具有摩擦催化作用，更佳為由氧化鈰、氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鐵、氧化鋯、氧化鋅、氧化錫中所選出的至少1種以上金屬氧化物粉末。
鑑於工業上取得的容易性、由於係具有能帶間隙之半導體材料而發揮摩擦催化作用之性能，最佳能使用之金屬氧化物粉末為氧化鈰。
磨粒由於必須具備去除SiO2．nH2O之能力，故必須具有一定程度的一次粒徑。但是，由於一次粒徑大則比表面積會變小，且會與光觸媒作用同樣地使摩擦催化作用也變得無法有效率發揮，故其有適當範圍。亦即，磨粒的機械去除能力係以粒徑大者，亦即比表面積小者為有利。另一方面，摩擦催化作用因與一般觸媒作用一樣與表面有關，故比表面積大者其效果高。因此，取得兩者平衡之區域即為適當範圍。
磨粒的比表面積較佳為0.1m2/g至300m2/g。因為若小於0.1m2/g則恐怕不能有效率的發揮摩擦催化作用，而若大於300m2/g則恐怕不能有效率的去除SiO2．nH2O。
磨粒的比表面積較佳為0.5m2/g至200m2/g。因為藉由在0.5m2/g以上可更有效率的發揮摩擦催化作用，而藉由在200m2/g以下可更有效率的去除SiO2．nH2O。
磨粒的比表面積更佳為1m2/g至100m2/g。因為藉由在1m2/g以上可進一步更有效率的發揮摩擦催化作用，而藉由在100m2/g以下可進一步更有效率的去除SiO2．nH2O。
此研磨板因具備基礎金屬，故能為了在研磨裝置使用而安裝在研磨裝置上。
作為基礎金屬可使用眾所皆知之物，例如該材料可使用矽鋁明等鋁合金。
此基礎金屬係在與被加工物相對之方向具有平坦面，研磨板係在此平坦面上依序貼有軟質墊片、硬質墊片的結構。藉由具備如此之結構，能進行表面基準之加工，亦即以此被加工物的被加工面為基準面，自該面均勻地將被加工物的表面平坦化之加工，且可將在被加工物之單晶SiC基板的表面產生的刮傷抑制到最小限度。
軟質墊片可為不織布系、或麂皮系之物。
硬質墊片可為發泡聚胺甲酸酯系之物。
在賦予研磨板的加工之最表面，係於硬質墊片的表面固定有比單晶SiC還軟且具有能帶間隙之由至少少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。此磨粒可使用結合劑或接著劑固定於硬質墊片表面。
又，磨粒之固定可藉由將市售的固定磨粒膜貼在硬質墊片上來進行。
(單晶SiC基板之表面加工方法)
本發明一實施形態之單晶SiC基板之表面加工方法，係將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由前述研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在前述硬質墊片的表面上固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。
作為安裝研磨板之研磨裝置，可使用眾所皆知的研磨裝置。
第2圖係顯示安裝本發明之研磨板的研磨裝置之一例的研磨單晶基板之部分的結構之示意圖。第1圖所示之研磨板10係安裝於驅動部11，驅動部係藉由馬達皮帶回轉。單晶SiC基板12係以真空吸盤裝置(不圖示)藉由真空吸附固定在被加工物台13。藉由將基板保持部14一邊與被加工物台13一起回轉，一邊送往研磨板方向，而進行基板研磨。
藉由選定適當研磨條件，可對單晶SiC顯現前述研磨板之摩擦催化作用，產生氧化產物。
研磨板之回轉速度較佳為300rpm至3000rpm。因為若小於300rpm則賦予磨粒的機械能會過小，而恐怕不會出現摩擦催化作用，而若大於3000rpm則恐怕將無法無視發熱與裝置振動等問題。由於至今沒 有將具摩擦催化作用之研磨板應用於研磨裝置的範例，故在既存的研磨裝置之規格內尚不清楚是否會顯現摩擦催化作用。戮力研究的結果，發現可適用一般的研磨板回轉速度。
研磨板的回轉速度較佳為500rpm至2000rpm。因為，藉由在500rpm以上能藉由摩擦催化作用產生充分的機械能，而藉由在2000rpm以下，能更確實的回避發熱與裝置振動等問題。
被加工物台的回轉方向可與研磨板回轉方向為順向(相同方向)。在此情形，被加工物台的回轉速度較佳為研磨板回轉速度的80%至120%。因為若小於80%或大於120%，則加工面的去除量恐怕會變不均勻。
被加工物台的回轉方向可與研磨板回轉方向呈反方向。在此情形，為了讓加工面的去除量均勻，除了將硬質墊片加以片段化為適當形狀以外，被加工物台的回轉速度較佳為30rpm至300rpm。
藉由將硬質墊片加以片段化，亦即分離為適當的尺寸並黏貼，可控制與被加工物台呈反方向回轉之研磨板上的磨粒與被加工物加工面內的接觸頻率，而可防止例如僅在被加工物中央部大量磨削等不均勻加工。在通常的研磨裝置，被加工物台的回轉中心係對應研磨板的外周部配置，被加工物台的回轉方向係研磨板回轉方向呈反方向。因此，若在研磨板全面有磨粒，則磨粒對被加工物中央部的接觸頻率會變高，而使得僅有中央部被磨削。為了防止此事，適當片段化係有效的。
又，因若小於30rpm或大於300rpm，則變成在通常的研磨裝置之規格外運轉，加工面的去除量恐怕會變不均勻。
在使用冷卻劑之情形較佳使用純水。因為若有雜質成分則恐怕不會顯現摩擦催化作用。摩擦催化作用，重要的是有效率的將機械能貢獻於電子電洞對的生成。然而，雜質的夾雜存在本身即有可能會阻礙此事，又，提高水的潤滑作用來減少摩擦阻力的結果，恐怕會減少賦予磨粒之機械能。又，雜質的夾雜存在恐怕也會阻礙磨粒有效率的將氧化產物去除之過程。
也可以不用冷卻劑，而在使用純水作為冷卻劑時，純水的供給速度較佳為100ml/min以下。因為，若大於100ml/min，則藉由機械性滑動賦予磨粒之能量會變得過小，恐怕無法充分顯現摩擦催化作用。又，因為若純水的供給速度過快，則潤滑劑的作用會變大，會造成摩擦阻力減少。其結果，賦予磨粒之能量會變小，電子電洞對的產生也會變的不充分。
(單晶SiC基板之製造方法)
本發明一實施形態之單晶SiC基板之製造方法係具備以下步驟：將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由前述研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在前述硬質墊片的表面固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。本發明之方法，因為 係利用SiC表面的氧化，故與其氧化屏障的高度有關，可較佳適用於SiC基板的(0001)面之C面上。
[實施例]
以下，以實施例更具體說明本發明，但本發明不受以下實施例限定。
(第1實施例)
把為了能夠安裝於秀和工業股份有限公司製研磨裝置MHG-2000所準備之、與具有M12的螺絲孔且外徑150mm的鋁合金製的基礎金屬之被加工物相對之面加工至平坦，在該面上貼上NITTA HAAS股份有限公司製CMP用墊片SUBA600(軟質墊片)。接下來，在該SUBA600上，透過AS-1股份有限公司製FEP黏著片膜而黏貼8片經片段化為30×40×50mm之直角三角形狀的NITTA HAAS股份有限公司製CMP用墊片IC1000(硬質墊片)，製作研磨板基體。使用旭鑽石工業製修整器CMP-M100A對此研磨板基體進行修整。在經過修整之IC1000片段表面，貼上依然片段化為30×40×50mm之直角三角形狀的住友3M股份有限公司製Trizact膜氧化鈰，製作具有摩擦催化作用之單晶SiC基板之表面加工用研磨板。
接下來，將製作之研磨板安裝於研磨裝置MHG-2000。將預先以旭金剛石工業製陶瓷結合鑽石砂輪(4000號)予以研磨加工至平坦而成之TanKeBlue製直徑3吋之n型(000-1)4H-SiC(4°OFF)單晶晶棒(C面)(單晶SiC基板)，使用真空吸盤固定於被加工物台，進行C面側的表面加工。
被加工物台的回轉方向係設為與研磨板回轉方向呈反方向，被加工物台的回轉速度設為40rpm，研磨板的回轉速度設為1500rpm，純水的供給速度為0ml/min，亦即以乾式進行加工。被加工物台係以手動緩緩進行傳送，磨石回轉用馬達電流值係設為在2.4至2.8A之範圍內。加工時間為3分鐘。
單晶晶棒的去除量係使用MITUTOYO製高度計對加工前後的晶棒高度進行面內9點之測定，算出的結果，平均值為3.8μm。加工速度係1.3μm/min而為高值。加工後的晶棒高度之最大值與最小值的差為1.4μm，係經過均勻地加工。
使用Olympus製光學顯微鏡進行暗場觀察之結果，加工前的晶棒表面示於第3圖，加工後的晶棒表面示於第4圖。
在加工前的晶棒所觀察到的無數個因4000號鑽石磨粒產生的研磨條紋完全消失，僅觀察到起因於結晶缺現與微小異物之亮點，達成了無加工變形之鏡面。
(第2實施例)
使用第1實施例製作之單晶SiC鏡面加工用研磨板，除了將純水供給量設為10ml/min、50ml/min、100ml/min以外，與以第1實施例相同之研磨條件進行加工。
加工速度分別為1.0μm/min、0.6μm/min、0.2μm/min，與第1實施例的情形同樣地於光學顯微鏡暗場觀察中確認到研磨條紋完全消失。
(比較例1)
使用第1實施例製作之單晶SiC鏡面加工用研磨板，除了將純水供給量設為150ml/min以外，以與第1實施例相同之研磨條件進行加工，加工速度幾乎為零，在光學顯微鏡暗場觀察中確認到研磨條紋幾乎沒有消失。據認為，在純水供給量為150ml/min下，藉由機械性滑動賦予磨粒之能量會變得過小，而未出現摩擦催化作用。
(比較例2)
使用日本金剛磨石製樹脂結合氧化鈰磨石作為研磨板，進行與第1實施例相同之加工，平均值的加工速度為0.7μm/min。但是，其係晶棒中央部被大量磨削之不均勻的研磨，在光學顯微鏡暗場觀察中觀察到微小刮傷。據認為，其係因與本發明不同，不具有軟質墊片與硬質墊片的組合之結構，而無法進行表面基準加工，甚至無法抑制微小刮傷的產生。
[產業利用性]
本發明之單晶SiC基板之表面加工方法、其製造方法及單晶SiC基板之表面加工用研磨板，可使用於單晶SiC基板之製作，又可使用於將形成元件後的基板的內面進行加工而薄化基板之工程。
1‧‧‧基礎金屬
1a‧‧‧螺絲孔
2‧‧‧軟質墊片
3‧‧‧硬質墊片
3a‧‧‧被片段化為直角三角形之8片
4‧‧‧黏著片
10‧‧‧單晶SiC基板之表面加工用研磨板

Claims (13)

  1. 一種單晶SiC基板之表面加工方法，其特徵為：將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由該研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在該硬質墊片的表面固定有比單晶SiC軟且具有能帶間隙之由至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。
  2. 如請求項1之單晶SiC基板之表面加工方法，其係使用純水作為冷卻劑。
  3. 如請求項1之單晶SiC基板之表面加工方法，其係不使用冷卻劑，或者使用作為冷卻劑之純水的供給速度為大於0ml/min至100ml/min以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之單晶SiC基板之表面加工方法，其中被加工物台的回轉方向係與研磨板回轉方向呈反方向，硬質墊片係被片段化者，被加工物台的回轉速度為30rpm至300rpm。
  5. 一種單晶SiC基板之製造方法，其特徵為具有以下步驟：將研磨板安裝於研磨裝置上，藉由該研磨板產生氧化產物，一邊將該氧化產物去除一邊進行表面研磨，該研磨板係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片者，其中在該硬質墊片的表面固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上金屬氧化物所構成之磨粒。
  6. 一種單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其係在具有平坦面之基礎金屬上依序貼有軟質墊片、硬質墊片之研磨板，其特徵為：在該硬質墊片的表面固定有由比單晶SiC軟且具有能帶間隙之至少1種以上的金屬氧化物所構成之磨粒。
  7. 如請求項6之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該金屬氧化物係由氧化鈰、氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鐵、氧化鋯、氧化鋅、氧化錫中所選出的至少1種以上。
  8. 如請求項7之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該金屬氧化物至少包含氧化鈰。
  9. 如請求項6至8中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該磨粒的比表面積為0.1m2/g至300m2/g。
  10. 如請求項6至8中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該軟質墊片係不織布系或麂皮系。
  11. 如請求項6至8中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該硬質墊片係發泡聚胺甲酸酯系。
  12. 如請求項6至8中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該磨粒係以結合劑及/或接著劑加以固定。
  13. 如請求項6至8中任一項之單晶SiC基板之表面加工用研磨板，其中該磨粒之固定係藉由將固定磨粒膜貼在硬質墊片上而完成。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6016301B2 (ja) 2013-02-13 2016-10-26 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
JP6475518B2 (ja) * 2015-03-03 2019-02-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6948798B2 (ja) * 2017-02-14 2021-10-13 株式会社ディスコ 研削ホイール
JP6912284B2 (ja) * 2017-06-23 2021-08-04 株式会社ディスコ 研削装置
JP6974979B2 (ja) * 2017-08-22 2021-12-01 株式会社ディスコ 研削装置

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504457A (en) 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
JPS60242975A (ja) * 1984-05-14 1985-12-02 Kanebo Ltd 平面研磨装置
US4944836A (en) 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JPH0475A (ja) 1989-05-31 1992-01-06 Nippon Seiko Kk 磁性流体シール装置とその製造方法
JPH0359156U (zh) * 1989-10-12 1991-06-11
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
EP0465868B1 (en) 1990-06-29 1996-10-02 National Semiconductor Corporation Controlled compliance polishing pad
US5152917B1 (en) * 1991-02-06 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Structured abrasive article
JP3128164B2 (ja) * 1992-06-19 2001-01-29 理化学研究所 メカノケミカル作用を生じる電解ドレッシング用砥石
EP0576937B1 (en) 1992-06-19 1996-11-20 Rikagaku Kenkyusho Apparatus for mirror surface grinding
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
JP2716653B2 (ja) 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置および研磨方法
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
JP3853437B2 (ja) * 1996-08-08 2006-12-06 大日本印刷株式会社 研磨シート
JPH10156724A (ja) 1996-11-28 1998-06-16 Sony Corp 研磨布、該研磨布を用いた平坦化研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JPH10321572A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
US5931724A (en) * 1997-07-11 1999-08-03 Applied Materials, Inc. Mechanical fastener to hold a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system
US6033293A (en) * 1997-10-08 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Apparatus for performing chemical-mechanical polishing
JPH11170167A (ja) 1997-12-15 1999-06-29 Nikon Corp 光学素子の研磨方法及び研磨装置
JPH11198045A (ja) 1998-01-19 1999-07-27 Tosoh Corp 研磨用成形体、それを用いた研磨用定盤及び研磨方法
JPH11235659A (ja) 1998-02-18 1999-08-31 Ricoh Co Ltd 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置
JP2000190235A (ja) 1998-12-24 2000-07-11 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体の製造方法
JP4644323B2 (ja) 1999-04-28 2011-03-02 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
JP2000354950A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨パッド、研磨装置及び平坦な表面を有する被研磨体を製造する方法
JP4028163B2 (ja) * 1999-11-16 2007-12-26 株式会社デンソー メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
US6953388B2 (en) * 1999-12-22 2005-10-11 Toray Industries, Inc. Polishing pad, and method and apparatus for polishing
TW586157B (en) 2000-04-13 2004-05-01 Showa Denko Kk Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6602117B1 (en) 2000-08-30 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods
CN100496896C (zh) 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
JP2003048164A (ja) 2001-08-07 2003-02-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨ホイール
KR100877389B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
JP2004193377A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004255467A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Central Glass Co Ltd ガラス基板の連続片面研磨装置
JP2005142441A (ja) 2003-11-07 2005-06-02 Sony Corp ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
JP2005277130A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005288552A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Noritake Co Ltd 研磨工具およびそれを用いた研磨方法
JP2006055964A (ja) 2004-08-23 2006-03-02 Olympus Corp スムージング工具
JP4818613B2 (ja) 2005-01-19 2011-11-16 アイオン株式会社 両面平面研磨装置
US7169031B1 (en) 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US7594845B2 (en) 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
JP2007190643A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Nihon Micro Coating Co Ltd クリーニングシート及び方法
JP4873694B2 (ja) * 2006-04-12 2012-02-08 国立大学法人 熊本大学 触媒支援型化学加工方法
JP2008006559A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Maxell Ltd 鏡面加工方法、および鏡面加工用の加工体
EP2381008A2 (en) 2006-08-28 2011-10-26 Osaka University Catalyst-aided chemical processing method and apparatus
JP2008081389A (ja) * 2006-08-28 2008-04-10 Osaka Univ 触媒支援型化学加工方法及び装置
JP4499698B2 (ja) 2006-10-04 2010-07-07 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
CN100443260C (zh) * 2006-11-08 2008-12-17 大连理工大学 一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法
JP5343250B2 (ja) * 2009-02-19 2013-11-13 国立大学法人 熊本大学 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置
DE102009030297B3 (de) 2009-06-24 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102009048436B4 (de) 2009-10-07 2012-12-20 Siltronic Ag Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
CN102107391B (zh) * 2009-12-24 2014-01-15 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
CN101966689B (zh) * 2010-09-27 2013-04-10 山东大学 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法
KR20180135113A (ko) 2011-01-27 2018-12-19 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마재 및 연마용 조성물
JP2012160683A (ja) 2011-02-03 2012-08-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
TWI605112B (zh) 2011-02-21 2017-11-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN103459089A (zh) 2011-04-11 2013-12-18 旭硝子株式会社 研磨剂及研磨方法
JP5913839B2 (ja) 2011-06-06 2016-04-27 株式会社ディスコ 研磨方法
US9153451B2 (en) * 2012-12-12 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure
JP6016301B2 (ja) * 2013-02-13 2016-10-26 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

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