CN103402757B - 基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，在该液晶聚合物薄膜的该氮原子含量为10原子%以上的表面上具有通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。所述基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后，通过干式镀法和/或湿式镀法形成金属导体层。

Description

基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板及其制造方法
技术领域
本发明涉及高频特性优良的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板及其制造方法。
背景技术
由于液晶聚合物薄膜作为绝缘材料所具有的介电常数、介质损耗角正切等物性即使在高频区域下也稳定，并且吸水率低，因此正在研究将其应用于高频电路基板和高速传输路径用电路。
但是，由于液晶聚合物与金属导体层的附着性或亲和性不足，因此现状是，将通常作为金属导体层使用的铜箔的表面粗糙度增大、或者改变粗化处理的粒子形状，由此利用锚固效应增强物理性附着。
但是，在高频区域随着频率增高，表面粗糙度减小，因此，液晶聚合物与金属导体层的界面变粗糙时，存在如下问题：与表面粗糙度相关的比例增加，传输损耗增大，无法充分发挥原本高频特性优良的液晶聚合物薄膜的性能。
现有技术中记载了如下技术：在气态的含氧原子化合物的存在下，对热塑性液晶聚合物薄膜实施气体放电等离子体处理，从而进行使表面部的氧原子与碳原子的摩尔比相对于内部的摩尔比为1.2倍以上的表面改性(专利文献1)。这种情况下，向液晶聚合物薄膜引入氧的改性成为必要条件。另外，专利文献1中仅提及到利用氧的表面改性，其为在含氧化合物存在下的等离子体处理，并没有述及利用其他气体的表面改性效果。
另外，专利文献2中记载了在氧压为0.6～2.5Pa的气氛下对热塑性液晶聚合物薄膜进行放电等离子体处理的技术。该技术对液晶聚合物薄膜的粗糙度进行了规定，但仅限于述及了表面粗糙度增大阻碍金属种籽层的均匀包覆的影响。
专利文献3中，公开了通过使0.5～4.8原子%的氮原子固溶在连接层中而得到绝缘薄膜与铜层的附着强度的方法，但是并没有关于利用等离子体处理的绝缘薄膜表面改性的记载。
专利文献1和专利文献2中，发现了由氧气中的等离子体处理产生的液晶聚合物薄膜的表面改性效果，但利用还包含其他气体种类的等离子体处理来进行表面改性。关于下述说明的本申请发明的内容、即在处理前后不改变表面粗糙度、并且保持液晶聚合物薄膜原本具有的优良的高频特性，在专利文献1、2中完全没有公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-49002号公报
专利文献2：日本特开2005-297405号公报
专利文献3：WO2008/090654号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明中，将液晶聚合物与金属导体层之间的界面粗糙度保持于与原本的薄膜粗糙度同等的水平，并通过等离子体处理使化学附着变得牢固，由此提供高频特性优良的液晶聚合物的覆铜箔层压板。
用于解决问题的手段
即，本发明提供：
1)一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，在该液晶聚合物薄膜的该氮原子含量为10原子%以上的表面上具有通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。
2)上述1)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/碳原子之比为0.13以上。
3)上述1)或2)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/氧原子之比为0.7以上。
4)上述1)～3)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。
5)上述1)～4)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，在所述液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间具有阻挡层。
6)上述5)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，阻挡层为包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层。
7)上述1)～6)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层以及在该溅射层上形成的电镀铜层。
本发明还提供：
8)一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面进行等离子体处理，使氮原子含量为10原子%以上，然后，通过干式镀法和/或湿式镀法在该等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面上形成金属导体层。
9)上述8)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/碳原子之比为0.13以上。
10)上述8)或9)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/氧原子之比为0.7以上。
11)上述8)～10)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，通过对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，使液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。
12)上述8)～11)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间形成阻挡层。
13)上述12)所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，形成包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层作为阻挡层。
14)上述8)～13)中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。
发明效果
本发明具有如下优良效果：在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对本发明的液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后，通过干式镀法和/或湿式镀法形成金属导体层，由此使液晶聚合物与金属导体层之间的界面粗糙度保持于与原本的薄膜粗糙度同等的水平并通过等离子体处理使化学附着性提高，由此能够提供高频特性优良的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板。
附图说明
图1是表示在液晶聚合物薄膜的两面形成有连接层、铜溅射层、电镀铜层的本申请发明的一例的覆铜箔层压板的概略图。
图2是表示实施例的等离子体处理的功率密度与表面组成(C、N、O、F)的关系的图。
图3是表示薄膜表面的氮原子%与剥离强度的关系的图。
图4是表示实施例1、2和比较例1、2的C1s的光谱的图。
图5是表示实施例1、2和比较例1的N1s的光谱的图。
图6是表示实施例1、2和比较例1、2的O1s的光谱的图。
具体实施方式
作为本发明的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的一例，为了对图1所示的液晶聚合物薄膜的双面或单面赋予与金属导体层的附着性，在氮气气氛下进行等离子体处理，并通过溅射法或蒸镀法等干式镀法或湿式镀法施加具有阻挡效应的金属或合金作为阻挡层。
然后，通过溅射法或蒸镀法等干式镀法在阻挡层上堆积铜或铜合金的导电体层，或者通过无电镀铜或电镀铜等湿式镀法在阻挡层上形成导电体层，从而制作覆铜箔层压板。
液晶聚合物有以芳香族聚酰胺为代表的溶致液晶聚合物和以芳香族聚酯为代表的热致液晶聚合物。
对于覆铜箔层压板而言，优选吸湿少、由吸湿引起的尺寸变化率小的热致液晶聚合物。该热致液晶聚合物中，作为热塑性树脂的聚酰亚胺和芳香族聚酰胺的耐热性差，但仍分类为耐热性优良的超级工程塑料。
作为将该热致液晶聚合物成形为薄膜的方法，可以使用挤出成形法，但在工业上进行T形模头法、吹塑法等。
关于本发明中使用的热致液晶聚合物薄膜，已开发并市售有：包含对羟基苯甲酸和聚对苯二甲酸乙二醇酯的类型、包含对羟基苯甲酸和对苯二甲酸4,4’-二羟基联苯酯的类型、包含对羟基苯甲酸和2,6-羟基萘甲酸的类型等。
另外，作为液晶聚合物薄膜，可乐丽(クラレ)公司市售有ベクスターCT-Z、CT-F、FB、OC等薄膜，日本戈尔特斯(ジャパンゴアテックス)公司市售有BIACBA、BC等薄膜。
如上所述，为了得到与金属导体层的附着性而对液晶聚合物薄膜实施等离子体处理。关于该等离子体处理，并不期待通过实施该处理得到由表面粗糙度增大带来的锚固效应，重要的是几乎不使表面粗糙度发生变化的程度，即，通过使聚合物与金属的化学键合变得牢固而赋予附着性。
表面粗糙度的增大对高频区域的传输损耗显示出负效应，为了利用使用液晶聚合物的覆铜箔层压板得到原本的目标高频特性，期望减小表面粗糙度。
此外，在本申请发明的氮气中的等离子体处理中，通过引入液晶聚合物薄膜中原本不存在的氮而形成新的聚合物与金属的键合。
通过在该氮气气氛下进行等离子体处理，能够使聚合物与金属的附着性更牢固。关于等离子体气压，在气压低的情况下，等离子体放电变得不稳定，无法进行处理。
另一方面，在气压高的情况下，等离子体放电稳定，但泄漏气体增多从而浪费气体，过度地增高气压在经济上也不利。因此，可以说期望使气压为2.6～15Pa。
如上所述，本申请发明中，通过在氮气中实施等离子体处理，进行液晶聚合物薄膜的表面改性，通过该改性，能够使液晶聚合物薄膜的表面的氮原子%为10原子%以上，而且使氮原子/碳原子之比为0.13以上，并且使氮原子/氧原子之比为0.7以上，由此，能够飞跃性地提高液晶聚合物薄膜表面与金属的附着性。该工艺和现象在现有技术中是不存在的，可以说具有新颖性。
图1所示的连接层相当于阻挡层，优选发挥阻挡效应的镍、钴、铬等金属、或者镍合金、钴合金、铬合金。它们的电导率比导体层的铜小，电流在高频区域中由于集肤效应而从表面流过，连接层作为电阻层作出很大贡献。
因此，从高频特性方面考虑，可以不存在连接层，但作为印刷基板用覆铜箔层压板，如果不存在连接层等阻挡层，就长期而言有时会产生铜向聚合物侧扩散、切断结合的不利影响。
因此，就现实而言，期望尽可能减薄连接层中电导率大的金属或合金。另外，根据元件的使用条件认为不需要连接层的情况下，无需施加该连接层。
连接层可以使用溅射法、蒸镀法、无电镀法等，在从等离子体处理开始的一系列流程中，在与等离子体处理同一腔内进行溅射的方式在工业上容易应用。
施加连接层后，形成原本的用于使电流流通的金属导体层，从一系列干式工序的流程考虑，可以通过溅射法形成铜层。
但是，在目标铜厚度超过1μm的情况下，通过溅射法以规定的铜厚度形成金属导体层在成本方面是不利的，这种情况下，可以说优选在连接层上通过溅射形成数百纳米的铜种籽层后，通过湿式镀法镀铜至规定的铜厚度。
通过对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，可以使得液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。
从该表面粗糙度的程度来看，也可以理解等离子体处理的本质目的不在于使液晶聚合物薄膜的表面变粗糙。但是，为了得到铜层的附着性，作为液晶聚合物薄膜的表面粗糙度，至少需要算术平均粗糙度Ra为0.05μm以上，优选为0.1μm以上。
通过以上处理，可以使覆铜箔层压板的每单位长度的传输损耗在5GHz下为20dB/m以下，并且在20GHz下为50dB/m以下，进一步在40GHz下为130dB/m以下。
实施例
将实施例与比较例一起进行具体说明，但下述说明是为了易于理解发明，而不是限制发明的本质。即，本发明包括发明中包含的其他方式或变形。
(实施例1)
作为液晶聚合物薄膜，使用日本戈尔特斯公司制造的BIACBC50μm。在氮气气氛下，在气压为13Pa、功率密度为4.3的条件下对液晶聚合物薄膜实施等离子体处理。
将等离子体的强度用功率密度表现，由于根据各个装置，靶的尺寸、电流-电压特性、处理速度等工艺条件不同，因此即使笼统地用施加电压和处理时间来进行定义也没有意义，因此，记载了将对聚酰亚胺薄膜进行等离子体处理的条件设为1时的功率密度。
对于等离子体处理后的液晶聚合物薄膜，利用Veeco公司制造的WycoNT1100的表面形状测定器对其表面形状测定120μm×92μm视野内的表面粗糙度，并求出算术平均粗糙度Ra和均方根粗糙度Rq。
对于等离子体处理后的薄膜，通过溅射形成3nm的Cr连接层和200nm的作为湿式镀法的种籽层的铜溅射层。然后，在铜溅射层上通过电镀使铜层生长至18μm，制作试样。
对于试样，为了评价附着性，测定剥离强度。测定剥离强度时，利用氯化铜蚀刻液形成3mm宽的图案，然后，使用Dage公司制造的ボンドテスター4000进行剥离强度的测定。
将表面粗糙度、剥离强度的结果示于表1。表面粗糙度为Ra0.10μm、Rq0.14μm，剥离强度为0.88kN/m。尽管薄膜表面粗糙度小，但是能够得到实用上没有问题的水平的良好的剥离强度。
(实施例2)
除了将等离子体处理的功率密度设定为2.6以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度为Ra0.11μm、Rq0.15μm，即使功率密度变小，表面粗糙度也差别不大，但是剥离强度为0.57kN/m，随着功率密度减小，剥离强度也降低。但是，显示出0.5kN/m的剥离强度，可以说是实用上没有问题的水平。
(实施例3)
除了将等离子体处理的气压设定为3Pa以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度为Ra0.11μm、Rq0.14μm，剥离强度为0.90kN/m，能够得到实用上没有问题的水平的良好的剥离强度。
(实施例4)
除了将连接层设定为NiCr以外，采用与实施例3同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度为Ra0.11μm、Rq0.14μm，剥离强度为0.85kN/m，得到了与实施例3差别不大的结果。
(实施例5)
除了将液晶聚合物薄膜设定为可乐丽公司制造的CT-Z50μm以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度为Ra0.10μm、Rq0.15μm，剥离强度为0.80kN/m。表明：即使改变薄膜，也能得到良好的剥离强度。
(比较例1)
除了将等离子体处理的功率密度设定为1.3以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度变为Ra0.10μm、Rq0.14μm。虽然表面粗糙度与实施例1相同，但是剥离强度变差，为0.40kN/m，降低至难以判断是否能够作为印刷布线材料耐用的水平。表明：功率密度小会使剥离强度变小。
(比较例2)
除了在等离子体处理中不施加功率、使从处理气体中通过以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度为Ra0.11μm、Rq0.15μm，保持为原本的薄膜的表面粗糙度。
关于剥离强度，在不进行等离子体处理的液晶聚合物上形成连接层、铜溅射层并通过电镀使铜层生长时，液晶聚合物与金属导体层的附着力不充分，未能进行电镀。
(比较例3)
除了将等离子体处理的气体种类设定为氧气以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。如表1所示，表面粗糙度与实施例1相比没有变化，但剥离强度变为0.55kN/m，比利用氮气溅射而得到的试样相比降低。可以说在液晶聚合物薄膜中，等离子体处理中的氧气与氮气相比，提高薄膜/金属间的附着性的效果小。
(比较例4)
除了在薄膜中使用DuPont公司制造的カプトンE50μm作为聚酰亚胺薄膜并设定为聚酰亚胺的标准等离子体处理即氧气、功率密度1、气压10Pa以外，采用与实施例1同样的条件。将其结果同样地示于表1。
如表1所示，表面粗糙度为Ra0.04μm，Rq0.06μm，虽然是比原本的聚酰亚胺薄膜的粗糙度小的表面，但是剥离强度显示出高达0.99kN/m的值。但是，由于不是液晶聚合物薄膜，因此不能作为应用于高频电路基板和高速传输路径用电路的材料使用。
(比较例5)
将液晶聚合物作为覆铜箔层压板使用时，通常的方法是进行热层压。比较例5是使用压延铜箔(吉坤日矿日石金属株式会社制造的BHY18微米)作为利用热层压制作的覆铜箔层压板时的结果。将其结果同样地示于表1。
通过对压延铜箔进行热层压，得到薄膜的表面粗糙度反映出压延铜箔的表面形状的结果，如表1所示，表面粗糙度变大。
关于剥离强度，在将比较例5所示的铜箔本身粘贴到薄膜上的热层压法中，不对使用的液晶聚合物薄膜实施等离子体处理，铜箔的粗化处理侵入软化后的薄膜的锚固效应为附着力的主体，但得不到牢固的附着性，剥离强度为0.3kN/m，不能得到充分的附着性。
在改变氮气气氛中的等离子体处理的功率密度时，作为评价表面的改性程度的手段，对实施例1和实施例2、比较例1和比较例2实施XPS分析，并将其结果示于表2。在XPS测定中，使用日本真空(アルバック·ファイ)株式会社制造的5600MC作为测定装置。实施条件如下所述。
到达真空度：2.0×10-9托
激发源：单色化AlKα
输出功率：210W
检测面积：800μm2
入射角：45度
飞离角：45度，使用中和枪
溅射条件，离子种类：Ar+、加速电压：3kV、扫描区域：3mm×3mm
表2
功率密度 C(原子%) N(原子%) O(原子%) F(原子%) 常态剥离(kN/m) N/C N/O
实施例1 4.3 72.1 16.4 10.9 0.6 0.88 0.23 1.50
实施例2 2.6 73.7 11.7 14.2 0.3 0.57 0.16 0.82
比较例1 1.3 79.8 6.5 13.4 0.4 0.40 0.08 0.49
比较例2 0 80.1 0 19.6 0.3 0 0.00 0.00
图2示出了表2所示的表面组成即碳、氮、氧、氟的原子%与等离子体处理的功率密度的关系。可知原本功率密度为零时，氮原子%也为零，但随着功率密度的上升，氮原子%也上升。
图3示出了表2所示的氮原子%与剥离强度的关系，可知随着表面改性进行、氮原子%增加，剥离强度也上升。
关于碳、氮、氧各元素，将XPS的键合能与强度的结果示于图4～6。图4是碳的例子，在功率密度为零的比较例2中，观察到285eV附近和288eV附近这两个位置的峰。285eV附近是归因于-C-C-或-C-H的峰，按照比较例1、实施例2、实施例1的顺序，随着功率密度增大，峰强度降低。
另一方面，随着功率密度增大，285eV附近的峰变宽，287eV附近的归因于-C-O-或-C-N-的强度增大是变宽的原因。
288eV附近是归因于-C(=O)-的峰，与285eV附近的峰的减小相比，没有观察到相对于功率密度的大的变化。
图5表示氮的例子，在功率密度为零的比较例2中，没有检测到氮。关于比较例1、实施例2和实施例1的400eV附近的峰，没有明显的差异。
图6是氧的例子，在功率密度为零的比较例2中，可以确认到532eV附近和533eV附近的峰，随着功率密度的增大，533eV附近的峰消失，532～533eV之间的峰看起来发生了变化。该峰位置是归因于硝酸盐这样的O与N的键的峰。
通过在氮气中对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，引入原本不存在的含氮的官能团，由此，根据XPS分析也是C-H键被取代为C-N、-O-醚键变为-C(=O)-N-，由此，除了能够形成氧与连接层金属的键合以外，还能够形成在氧气中的等离子体处理中不可能的氮与连接层金属的键合，得到了剥离强度增高的效果。
本发明中，在气压为2.6～15Pa的氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理，结果，使薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下，虽然与原本的薄膜表面粗糙度相比没有变化，但能够将液晶聚合物薄膜表面改性为液晶聚合物薄膜表面的氮原子%为10原子%以上、而且氮原子/碳原子之比为0.13以上、并且氮原子/氧原子之比为0.7以上。
然后，通过干式镀法或湿式镀法、或者干式镀法与湿式镀法两者形成金属导电层而得到覆铜箔层压板，所述覆铜箔层压板能够得到聚合物与连接层金属之间的良好的附着性，从而能够提供剥离强度良好的印刷布线材料。
产业实用性
本发明的在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理、进行使该等离子体处理后的表面的氮原子含量为10原子%以上的表面改性并在该等离子体处理后的表面上形成通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层而得到的覆铜箔层压板具有如下优良效果：使液晶聚合物与金属导体层之间的界面粗糙度保持于与原本的薄膜粗糙度同等的水平并通过等离子体处理使化学附着变得牢固，由此能够提供高频特性优良的液晶聚合物的覆铜箔层压板，因此，能够应用于高频电路基板和高速传输路径用电路等。

Claims (18)

1.一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，在该液晶聚合物薄膜的该氮原子含量为10原子%以上、该液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.05μm以上且0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下的表面上具有通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。
2.如权利要求1所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/碳原子之比为0.13以上。
3.如权利要求1所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/氧原子之比为0.7以上。
4.如权利要求2所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面的氮原子含量为10原子%以上，并且氮原子/氧原子之比为0.7以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，在所述液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间具有阻挡层。
6.如权利要求5所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，阻挡层为包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层。
7.如权利要求1～4中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层以及在该溅射层上形成的电镀铜层。
8.如权利要求5所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层以及在该溅射层上形成的电镀铜层。
9.如权利要求6所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层以及在该溅射层上形成的电镀铜层。
10.一种基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的单面或双面的表面进行等离子体处理，使氮原子含量为10原子%以上并且使液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.05μm以上且0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下，然后，通过干式镀法和/或湿式镀法在该等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面上形成金属导体层。
11.如权利要求10所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/碳原子之比为0.13以上。
12.如权利要求10所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/氧原子之比为0.7以上。
13.如权利要求11所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使所述等离子体处理后的液晶聚合物薄膜表面的氮原子/氧原子之比为0.7以上。
14.如权利要求10～13中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间形成阻挡层。
15.如权利要求14所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，形成包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层作为阻挡层。
16.如权利要求10～13中任一项所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。
17.如权利要求14所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。
18.如权利要求15所述的基于液晶聚合物薄膜的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。
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