TWI462827B - Liquid crystal polymer film base copper clad laminate and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI462827B
TWI462827B TW101105425A TW101105425A TWI462827B TW I462827 B TWI462827 B TW I462827B TW 101105425 A TW101105425 A TW 101105425A TW 101105425 A TW101105425 A TW 101105425A TW I462827 B TWI462827 B TW I462827B
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Hisakazu Yachi
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

液晶聚合物膜基底覆銅積層板及其製造方法
本發明係關於一種高頻特性優異之液晶聚合物膜基底覆銅積層板及其製造方法。
由於作為液晶聚合物膜之絕緣材料而具有之介電係數或介電損耗正切的物性即使於高頻區域中亦穩定，又，吸水率較低，故正研究於高頻電路基板或高速傳輸線用電路中之運用。
然而，現狀為：由於液晶聚合物與金屬導體層之密接性或親和性缺乏，故使通常用作金屬導體層之銅箔之表面粗糙度增大，或改變粗化處理之粒子形狀，藉此利用固著(anchor)效果來強化物理性密接。
然而，存在如下問題：於高頻區域中，隨著頻率變高而表皮粗糙度減小，因此，因液晶聚合物與金屬導體層之界面變粗糙之故，與表皮粗糙度相關之比例增加，傳輸損失變大，而無法充分發揮本來高頻特性優異之液晶聚合物膜之性能。
於先前技術中，記載有進行如下表面改質：於氣體狀之含氧原子之化合物之存在下，對熱塑性液晶聚合物膜實施氣體放電電漿處理，而將表面部之氧原子對碳原子之莫耳比設為相對於內部之莫耳比為1.2倍以上(專利文獻1)。於該情形時，向液晶聚合物膜導入氧之改質成為必需條件。又，僅提到藉由氧之表面改質，其為於含氧之化合物 之存在下之電漿處理，而並未敍述於其他氣體中之表面改質效果。
又，於專利文獻2中，記載有於氧氣壓為0.6~2.5 Pa之環境下對熱塑性液晶聚合物膜進行放電電漿處理。其中關於液晶聚合物膜之粗糙度雖有所規定，但僅止於敍述表面粗糙度之增大會阻礙金屬籽晶層(seed layer)之均勻被覆的影響。
於專利文獻3中，揭示有藉由於連結塗層(tie coat layer)中固溶0.5~4.8原子%之氮原子而獲得絕緣膜與銅層之密接強度的方法，但並未記載電漿處理中之絕緣膜表面改質。
專利文獻1及專利文獻2中，發現有於氧氣中之電漿處理所帶來之液晶聚合物膜的表面改質效果，但該等卻以亦包含其他氣體種類之電漿處理來追求表面之改質。關於下文中說明之本案發明之內容，即於處理前後不改變表面粗糙度，並且維持液晶聚合物膜本來所具有之優異之高頻特性，於專利文獻1、2中全無揭示。
專利文獻1：日本特開2001-49002號公報
專利文獻2：日本特開2005-297405號公報
專利文獻3：WO2008/090654號公報
本發明係藉由將液晶聚合物與金屬導體層之間之界面粗糙度保持為與原本之膜粗糙度相同，並利用電漿處理加固化學性密接，從而提供一種高頻特性優異之液晶聚合物 之覆銅積層板。
即，本發明提供：1)一種液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其特徵在於：液晶聚合物膜之單面或兩面之表面的氮原子含量為10原子%以上，該液晶聚合物膜之該氮原子含量為10原子%以上的表面上具有藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層；2)如上述1)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，上述液晶聚合物膜之單面或兩面之表面之氮原子含量為10原子%以上，且氮原子/碳原子之比為0.13以上；3)如上述1)或2)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，上述液晶聚合物膜之單面或兩面之表面之氮原子含量為10原子%以上，且氮原子/氧原子之比為0.7以上；4)如上述1)至3)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，液晶聚合物膜之表面粗糙度之算術平均粗糙度Ra為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq為0.20μm以下；5)如上述1)至4)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，於上述液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間具有阻障層；6)如上述5)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，阻障層為由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層； 7)如上述1)至6)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，上述金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
本發明又提供：8)一種液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其特徵在於：將液晶聚合物膜之單面或兩面之表面於氣壓為2.6~15 Pa之氮環境下進行電漿處理，而使氮原子含量成為10原子%以上後，藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷，於該經電漿處理之液晶聚合物膜面上形成金屬導體層；9)如上述8)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，將上述經電漿處理之液晶聚合物膜面之氮原子/碳原子之比設為0.13以上；10)如上述8)或9)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，將上述經電漿處理之液晶聚合物膜面之氮原子/氧原子之比設為0.7以上；11)如上述8)至10)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，藉由將液晶聚合物膜進行電漿處理，從而使液晶聚合物膜之表面粗糙度之算術平均粗糙度Ra成為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq成為0.20μm以下；12)如上述8)至11)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，於經電漿處理之液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間形成阻障層； 13)如上述12)之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，形成由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層作為阻障層；14)如上述8)至13)中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層作為上述金屬導體層。
本發明具有如下優異效果：於將本發明之液晶聚合物膜之表面於氣壓為2.6~15 Pa之氧環境或氮環境下進行電漿處理後，再藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成金屬導體層，藉此將液晶聚合物與金屬導體層之間之界面粗糙度保持為與原本之膜粗糙度相同，並利用電漿處理提高化學性密接性，從而可提供一種高頻特性優異之液晶聚合物膜基底覆銅積層板。
關於本發明之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，作為一例，為了對如圖1所示之液晶聚合物膜之兩面或單面賦予與金屬導體層之密接性，而於氮環境下進行電漿處理，並將具有阻隔效果之金屬或合金藉由如濺鍍法或蒸鍍法之乾式鍍敷法或濕式鍍敷法而賦予阻障層。
此後，以如濺鍍法或蒸鍍法之乾式鍍敷法而於阻障層上堆積銅或銅合金之導電體層，或藉由如非電鍍銅或電鍍銅之類之濕式鍍敷法而形成導體層來製作覆銅積層板。
液晶聚合物中，有以芳香族聚醯胺為代表之溶致液晶聚合物與以芳香族聚酯為代表之熱致液晶聚合物。
作為覆銅積層板，較佳為吸濕較少且因吸濕所引起之尺寸變化率較小之熱致液晶聚合物。作為熱塑性樹脂，聚醯亞胺或芳香族聚醯胺之耐熱性較差，但該熱致液晶聚合物則被分類為耐熱性優異之超級工程塑膠。
使該熱致液晶聚合物進行膜成形之方法係運用擠壓成形法，而工業上進行T模法、充氣法等。
關於本發明所使用之熱致液晶聚合物膜，已開發並市售有：由對羥基苯甲酸與聚對苯二甲酸乙二酯所構成之類型，由對羥基苯甲酸與對苯二甲酸、4,4'-二羥基聯苯所構成之類型，由對羥基苯甲酸與2,6-羥基萘甲酸所構成之類型等。
除此以外，作為液晶聚合物膜，市售有來自可樂麗公司之如Bextor CT-Z、CT-F、FB、OC之膜；來自Japan GORE-TEX公司之如BIAC BA、BC之膜。應可容易理解，可使用如上之材料，但並不限定於該等種類。
如上述般，為了與金屬導體層之密接性，而對液晶聚合物膜實施電漿處理。該電漿處理並非藉由實施該處理而期待表面粗糙度之增大所帶來之固著效果者，較為重要的是：藉由幾乎不改變表面粗糙度之程度，即加固聚合物與金屬之化學鍵，而賦予密接性。
表面粗糙度之增大對於高頻區域中之傳輸損失顯示負面效果，為了以使用有液晶聚合物之覆銅積層板而獲得作為本來目標之高頻特性，較理想為減小表面粗糙度。
又，本案發明之於氮氣中之電漿處理係藉由導入原本 不存在於液晶聚合物膜中之氮氣，而形成新的聚合物與金屬之鍵。
藉由於該氮氣環境下進行電漿處理，可進一步加固聚合物與金屬之密接性。關於電漿氣壓，於氣壓較低之情形時，電漿放電變得不穩定而無法進行處理。
另一方面，於氣壓較高之情形時，雖然電漿放電穩定化，但洩漏氣體變多而浪費氣體，即使過度地提高氣壓亦不經濟。因此，可謂較理想為設為2.6~15 Pa之氣壓。
如上所述，本案發明係藉由於氮氣中實施電漿處理而進行液晶聚合物膜之表面改質者，藉由該改質，可使液晶聚合物膜之表面之氮原子%成為10原子%以上，又，可使氮原子/碳原子之比成為0.13以上，進而使氮原子/氧原子之比成為0.7以上，藉此可飛躍性地提高液晶聚合物膜表面與金屬之密接性。該製程與現象不存在於先前技術中，可謂具有新穎性。
圖1所示之連結塗層相當於阻障層，較佳為如可發揮阻隔效果之鎳、鈷、鉻之金屬或者鎳合金、鈷合金、鉻合金。該等與導體層之銅相比導電率較小，並於高頻區域中電流藉由趨膚效應而流於表面，使連結塗層作為電阻層而大有幫助。
因此，雖然於高頻特性之層面較佳為不存在連結塗層，但作為印刷基板用之覆銅積層板，若不存在如連結塗層之類之阻障層，則存在經過長時間銅擴散至聚合物側而產生切斷鍵之不良影響之情形。
因此，現實中較理想為使連結塗層之導電率較大之金屬或合金儘量較薄。又，根據元件之使用條件而認為不需要該連結塗層之情形時，無需進行施工。
連結塗層可運用濺鍍法、蒸鍍法、非電鍍法等，但於自電漿處理開始之一系列流程中，於與電漿處理相同之室內進行濺鍍則較為容易運用於工業中。
賦予連結塗層後，形成用以流動本來之電流之金屬導體層，可由一系列乾式步驟之流程並利用濺鍍法而形成銅層。
然而，於目標之銅厚超過1μm之情形時，以濺鍍法使金屬導體層形成為規定之銅厚於成本上不利，於該情形時，可謂較佳為於連結塗層上以濺鍍形成數百nm之銅籽晶層後，以濕式鍍敷法進行鍍銅直至規定之銅厚為止。
藉由對液晶聚合物膜進行電漿處理，可使液晶聚合物膜之表面粗糙度之算術平均粗糙度Ra成為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq成為0.20μm以下。
即使從該表面粗糙度之程度來看亦應可理解，電漿處理使液晶聚合物膜之表面變粗糙並非本質目的。其中，為獲得銅層之密接性，作為液晶聚合物膜之表面粗糙度，必須至少算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上，較佳為0.1μm以上。
藉由以上之處理，可使覆銅積層板之每單位長度之傳輸損失成為於5 GHz為20 dB/m以下，又成為於20 GHz為50 dB/m以下，進而成為於40 GHz為130 dB/m以下。
實施例
將實施例與比較例一起進行具體說明，以下之說明使本發明容易理解，但並不限制發明之本質。即，包括發明所包含之其他態樣或變形。
(實施例1)
作為液晶聚合物膜，使用50μm之Japan GORE-TEX公司製造之BIAC BC。將液晶聚合物膜於氮環境下、氣壓為13 Pa、功率密度為4.3之條件下實施電漿處理。
雖以功率密度表現電漿之強度，但由於靶之大小或電流-電壓特性、處理速度等製程條件會因為各種裝置而有所不同，故而即使一概以施加電壓與處理時間進行定義亦無意義，因此記載為：將對聚醯亞胺膜進行電漿處理之條件設為1之情形之功率密度。
對於電漿處理後之液晶聚合物膜，針對其表面形狀，利用Veeco公司製造之Wyco NT1100之表面形狀測定器測量120μm×92μm視野下之表面粗糙度，並求出算術平均粗糙度Ra與均方根粗糙度Rq。
對於電漿處理後之液晶聚合物膜，藉由濺鍍而形成3 nm之Cr連結塗層、與200 nm之成為濕式鍍敷之種層之濺鍍銅層。此後，於濺鍍銅層上以電鍍使銅層成長至18μm，從而製成試樣。
關於試樣，為了評價密接性而測定剝離強度。於測定剝離強度時，以氯化銅蝕刻液形成3 mm寬之圖案後，使用Dage公司製造之黏結強度試驗機4000(Bond Tester 4000) 進行剝離強度之測定。
將表面粗糙度、剝離強度之結果示於表1中。關於表面粗糙度，Ra為0.10μm，Rq為0.14μm，剝離強度為0.88 kN/m。雖然膜表面粗糙度較小，但可獲得實用上沒問題之級別之良好的剝離強度。
(實施例2)
除將電漿處理之功率密度設為2.6以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.11μm，Rq為0.15μm，即使功率密度變小表面粗糙度方面亦差異不大，剝離強度為0.57 kN/m，隨著功率密度之下降而剝離強度亦下降。然而，顯示0.5 kN/m之剝離強度，可謂實用上沒問題之級別。
(實施例3)
除將電漿處理之氣壓設為3 Pa以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.11μm，Rq為0.14μm，關於剝離強度，可獲得實用上沒問題之級別之良好的剝離強度0.90 kN/m。
(實施例4)
除將連結塗層設為NiCr以外，設為與實施例3相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.11μm，Rq為0.14μm，剝離強度為0.85 kN/m，成為與實施例3差異不大之結果。
(實施例5)
除將液晶聚合物膜設為50μm之可樂麗公司製造之CT-Z以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.10μm，Rq為0.15μm，剝離強度為0.80 kN/m。顯示即使變更膜，亦獲得良好之剝離強度。
(比較例1)
除將電漿處理之功率密度設為1.3以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.10μm，Rq為0.14μm。其與實施例1相同，但剝離強度變差為0.40 kN/m，下降至難以判斷能否作為印刷配線材而耐實用之級別。很明顯，功率密度較小而使剝離強度變小。
(比較例2)
除於電漿處理中不耗費功率而通過處理氣體中以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.11μm，Rq為0.15μm，仍為原本之膜之表面粗糙度。
關於剝離強度，於未經電漿處理之液晶聚合物上形成連結塗層、濺鍍銅層，以電鍍使銅層成長時，液晶聚合物與金屬導體層之密接力不充分，無法進行電鍍。
(比較例3)
除將電漿處理之氣體種類設為氧以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。如表1所示般，表面粗糙度與實施例1相同，但剝離強度為0.55 kN/m，變得較利用氮進行濺鍍者更低。於液晶聚合物膜中，電漿處理中之氧氣與氮氣相比，可謂提高膜/金屬間之密接性之效果較小。
(比較例4)
除了膜方面使用50μm之DuPont公司製造之Kapton E 作為聚醯亞胺膜，並設為聚醯亞胺之標準之電漿處理即氧氣、功率密度1、氣壓10 Pa以外，設為與實施例1相同之條件。將該結果同樣地示於表1中。
如表1所示般，表面粗糙度中Ra為0.04μm，Rq為0.06μm，雖然為原本之聚醯亞胺膜之粗糙度較小之表面，但剝離強度顯示高達0.99 kN/m之值。然而，由於並非液晶聚合物膜，故無法用作運用於高頻電路基板或高速傳輸線用電路之材料。
(比較例5)
於將液晶聚合物用作覆銅積層板時，通常之方法為進行熱積層。比較例5中為使用壓延銅箔(JX日鑛日石金屬股份有限公司製造、BHY、18微米)作為以熱積層而製作之覆銅積層板之情形的結果。將該結果同樣地示於表1中。
藉由對壓延銅箔進行熱積層，結果膜之表面粗糙度反映壓延銅箔之表面形狀，如表1所示般，表面粗糙度變大。
關於剝離強度，於如比較例5之將銅箔本身貼合於膜上之熱積層法中，不對所運用之液晶聚合物膜實施電漿處理，而使銅箔之粗化處理深入已軟化之膜中的固著效果成為密接力之主體，但無法獲得牢固之密接性，剝離強度為0.3 kN/m，無法獲得充分之密接性。
於變更氮環境中之電漿處理之功率密度時，作為評價表面之改質程度之方法，關於實施例1與實施例2、比較例1與比較例2實施XPS分析，並將結果示於表2中。於XPS之測定時，使用ULVAC-PHI股份有限公司製造之5600MC 作為測定裝置。實施條件如下。
極限真空：2.0×10-9 Torr
激發源：單色化AlK α
功率：210 W
檢測面積：800μm2
入射角：45度
掠出角：45度，使用中和槍
濺鍍條件：離子種：Ar+ 、加速電壓：3 kV、掃描區域：3 mm×3 mm
圖2表示表2中所示之表面組成，即碳、氮、氧、氟之原子%與電漿處理之功率密度之關係。可知，原本功率密度為零時氮原子%亦為零，但隨著功率密度之上升而氮原子%亦上升。
圖3表示表2中所示之氮原子%與剝離強度之關係，可知，隨著表面改質之進行且氮原子%之增加，剝離強度亦上升。
關於碳、氮、氧各元素，將XPS所得之鍵能與強度之結果示於圖4~6中。圖4為碳之例，於功率密度為零之比 較例2中，確認285 eV附近與288 eV附近之兩處波峰。285 eV附近為由-C-C-或-C-H引起之波峰，按比較例1、實施例2、實施例1之順序，隨著功率密度增大而波峰強度下降。
另一方面，隨著功率密度之增大，285 eV附近之波峰變寬，變寬之原因在於287 eV附近之由-C-O-或-C-N-引起之強度增大。
288 eV附近為由-C(=O)-引起之波峰，與285 eV附近之波峰之減少相比，並未確認相對於功率密度之較大變化。
圖5表示氮之例，於功率密度為零之比較例2中未檢測到氮。關於比較例1、實施例2及實施例1之400 eV附近之波峰，不存在明確之差異。
圖6係氧之例，於功率密度為零之比較例2中，於532 eV附近與533 eV附近確認有波峰，並發現，隨著功率密度之增大，533 eV附近之波峰消失，且於532~533 eV之間波峰發生變化。該波峰位置係由如硝酸鹽般之O與N之鍵而引起者。
藉由以氮氣對液晶聚合物膜進行電漿處理，而導入原本不存在之含氮之官能基，因此根據XPS分析亦為C-H鍵被C-N取代，-O-之醚鍵變成-C(=O)-N-，藉此除了氧與連結塗佈金屬之鍵以外，亦可製造於在氧氣中之電漿處理中不可能之氮與連結塗佈金屬的鍵，而獲得剝離強度提高之效果。
於本發明中，將液晶聚合物膜之表面於氣壓為2.6~15 Pa之氮環境下進行電漿處理，結果，膜之表面粗糙度中算術平均粗糙度Ra為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq為0.20μm以下，雖與原本之膜表面粗糙度沒有變化，但液晶聚合物膜表面之氮原子%為10原子%以上，又，氮原子/碳原子之比為0.13以上，進而氮原子/氧原子之比為0.7以上，可對液晶聚合物膜表面進行改質。
此後，以乾式鍍敷或濕式鍍敷、或者乾式鍍敷與濕式鍍敷兩者形成金屬導體層而成之覆銅積層板，可獲得聚合物與連結塗佈金屬間之良好之密接性，可提供剝離強度良好之印刷配線材料。
[產業上之可利用性]
將本發明之液晶聚合物膜之表面於氣壓為2.6~15 Pa之氧環境或氮環境下進行電漿處理，而進行使經該電漿處理之面之氮原子含量成為10原子%以上的表面改質，再於該經電漿處理之液晶聚合物膜面上藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成金屬導體層，形成有上述金屬導體層之覆銅積層板，由於具有「將液晶聚合物與金屬導體層之間之界面粗糙度保持為與原本之膜粗糙度相同，並藉由電漿處理而加固化學性密接，藉此可提供高頻特性優異之液晶聚合物之覆銅積層板」之優異效果，因此可運用於高頻電路基板及高速傳輸線用電路等。
圖1係表示於液晶聚合物膜之兩面形成有連結塗層、 濺鍍銅層及電鍍銅層之本案發明之一例的覆銅積層板之概略圖。
圖2係表示實施例之電漿處理之功率密度與表面組成(C、N、O、F)的關係之圖。
圖3係表示膜表面之氮原子%與剝離強度之關係之圖。
圖4係表示實施例1、2、比較例1、2之Cls之光譜之圖。
圖5係表示實施例1、2、比較例1之Nls之光譜之圖。
圖6係表示實施例1、2、比較例1、2之Ols之光譜之圖。

Claims (30)

  1. 一種液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其液晶聚合物膜之單面或兩面之表面的氮原子含量為10原子%以上，該液晶聚合物膜之該氮原子含量為10原子%以上的表面上具有藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該液晶聚合物膜之單面或兩面之表面的氮原子含量為10原子%以上，且氮原子/碳原子之比為0.13以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該液晶聚合物膜之單面或兩面之表面的氮原子含量為10原子%以上，且氮原子/氧原子之比為0.7以上。
  4. 如申請專利範圍第2項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該液晶聚合物膜之單面或兩面之表面的氮原子含量為10原子%以上，且氮原子/氧原子之比為0.7以上。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，液晶聚合物膜之表面粗糙度之算術平均粗糙度Ra為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq為0.20μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，於該液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間具有阻 障層。
  7. 如申請專利範圍第5項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，於該液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間具有阻障層。
  8. 如申請專利範圍第6項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，阻障層為由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層(tie coat layer)。
  9. 如申請專利範圍第7項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，阻障層為由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
  11. 如申請專利範圍第5項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
  12. 如申請專利範圍第6項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
  13. 如申請專利範圍第7項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
  14. 如申請專利範圍第8項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層 上之電鍍銅層。
  15. 如申請專利範圍第9項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板，其中，該金屬導體層為濺鍍銅層及形成於該濺鍍層上之電鍍銅層。
  16. 一種液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法：將液晶聚合物膜之單面或兩面之表面於氣壓為2.6~15Pa之氮環境下進行電漿處理，而使氮原子含量成為10原子%以上後，藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而於該經電漿處理之液晶聚合物膜面上形成金屬導體層。
  17. 如申請專利範圍第16項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，將該經電漿處理之液晶聚合物膜面之氮原子/碳原子之比設為0.13以上。
  18. 如申請專利範圍第16項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，將該經電漿處理之液晶聚合物膜面之氮原子/氧原子之比設為0.7以上。
  19. 如申請專利範圍第17項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，將該經電漿處理之液晶聚合物膜面之氮原子/氧原子之比設為0.7以上。
  20. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，藉由將液晶聚合物膜進行電漿處理，從而使液晶聚合物膜之表面粗糙度之算術平均粗糙度Ra成為0.15μm以下，且均方根粗糙度Rq成為0.20μm以下。
  21. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之液晶聚合 物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，於經電漿處理之液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間形成阻障層。
  22. 如申請專利範圍第20項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，於經電漿處理之液晶聚合物膜之表面與藉由乾式鍍敷及/或濕式鍍敷而形成之金屬導體層之間形成阻障層。
  23. 如申請專利範圍第21項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，形成由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層作為阻障層。
  24. 如申請專利範圍第22項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，形成由鎳或鎳合金、鈷或鈷合金、或者鉻或鉻合金所構成之連結塗層作為阻障層。
  25. 如申請專利範圍第16至19項中任一項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
  26. 如申請專利範圍第20項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
  27. 如申請專利範圍第21項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
  28. 如申請專利範圍第22項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍 層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
  29. 如申請專利範圍第23項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
  30. 如申請專利範圍第24項之液晶聚合物膜基底覆銅積層板之製造方法，其中，預先形成濺鍍銅層並於該濺鍍層上形成電鍍銅層而作為該金屬導體層。
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