TW202144601A

TW202144601A - 層壓體的製造方法

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Publication number: TW202144601A
Application number: TW109142539A
Authority: TW
Inventors: 福島和宏
Original assignee: 日商普羅瑪帝克股份有限公司
Priority date: 2020-05-15
Filing date: 2020-12-03
Publication date: 2021-12-01
Also published as: CN113665218A

Abstract

本發明旨在提供一種層壓體的製造方法，於銅箔的表面粗糙度較小的情況，亦能充分地確保銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性。其為由銅箔（10）和絕緣性聚合物（12）層壓而成的層壓體（13）的製造方法，其包括透過濺射法於真空室內在銅箔的表面上形成銅擴散阻擋層（11）的製程（A）、以及將絕緣性聚合物層壓於表面已形成有銅擴散阻擋層的銅箔上的製程（B）。前述製程（A）包括將水蒸氣引入真空室內，於銅擴散阻擋層的表面上形成構成該銅擴散阻擋層的金屬的氫氧化物的製程。

Description

層壓體的製造方法

本發明關係一種由銅箔和絕緣性聚合物層壓而成的層壓體的製造方法。

大多數柔性配線基板（flexible printed circuit）由層壓體構成，該層壓體由熱壓合銅箔和絕緣性聚合物形成。電路圖案透過蝕刻層壓體的銅箔而形成。

若長時間於高溫下使用柔性配線基板，則銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性會因形成銅箔的銅在絕緣性聚合物內擴散而下降。為了防止上述情況發生，會將銅擴散阻擋層插入銅箔和絕緣性聚合物之間。

此外，為了使銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性提升，會對銅箔的表面進行粗糙化處理（專利文獻1），於銅箔的表面上塗布矽烷偶聯劑（專利文獻2），或者，對絕緣性聚合物的表面進行電漿處理（專利文獻3）。專利文獻1：日本特開2004-25835號公報。專利文獻2：日本特開2015-13474號公報。專利文獻3：日本特開2005-324511號公報。

－發明欲解決之技術問題－

若對銅箔的表面進行粗糙化處理，流過佈線的電流則會因集膚效應而集中於銅箔表面，傳輸損耗因此而變大，妨礙裝置的高頻率化。

然而，若使銅箔的平面較平，錨合效應即會下降，銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性會因錨合效應下降而下降。尤其是，若為了減少超過數GHz的高頻率下的傳輸損耗而將銅箔的表面粗糙度減小到1μm左右，則存在以下問題：僅採用習知的將矽烷偶聯劑塗布於銅箔的表面上、對絕緣性聚合物的表面進行電漿處理的做法，無法充分地確保銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性。

本發明正是鑑於前述問題而完成者，其目的為提供一種層壓體的製造方法，於銅箔的表面粗糙度較小的情況，亦能充分地確保銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性。

－用於解決技術問題之技術手段－

本發明所關係的層壓體的製造方法為由銅箔和絕緣性聚合物層壓而成的層壓體的製造方法，該層壓體的製造方法包括透過濺射法於真空室內在前述銅箔的表面上形成銅擴散阻擋層的製程（A）、以及將絕緣性聚合物層壓在表面已形成有前述銅擴散阻擋層的銅箔上的製程（B）。前述製程（A）包括將水蒸氣引入前述真空室內，於前述銅擴散阻擋層的表面上，形成構成該銅擴散阻擋層的金屬的氫氧化物的製程。

－發明之效果－

根據本發明，能夠提供一種層壓體的製造方法，於銅箔的表面粗糙度較小的情況，亦能充分地確保銅箔和絕緣性聚合物間的黏合性。

以下，參照圖式對本發明的實施方式做詳細的說明。需要說明的是，本發明並不限於以下實施方式。能夠在不脫離獲得本發明之效果的範圍內進行適當的變更。

圖1（A）～圖1（D）為示意性地表示本發明中一實施方式的層壓體的製造方法之圖。

如圖1（A）所示，以濺射法於真空室（未圖示）內在銅箔10的表面上形成銅擴散阻擋層11。於此，銅箔10的表面平均粗糙度（Rz），較佳為於10GHz左右的高頻率下亦能抑制傳輸損耗的1.5μm以下，更佳為1.0μm以下。

作為銅擴散阻擋層11的材料，較佳為含有選自鎳、鉻、鈷、錳、鈦等中的至少一種元素。特別是基於後述理由，較佳為使用鎳或含有鉻的鎳合金。

需要說明的是，若銅擴散阻擋層11的厚度過厚，則形成電路圖案時有可能引起蝕刻不良；若銅擴散阻擋層11的厚度過薄，則銅擴散阻擋性有可能不足。因此，銅擴散阻擋層11的厚度，較佳為10nm～50nm的範圍內，更佳為20nm～30nm的範圍內。

於本實施方式中，於透過濺射法在銅箔10的表面上形成銅擴散阻擋層11的製程中，將水蒸氣引入真空室（未圖示）內，在銅擴散阻擋層11的表面上形成構成銅擴散阻擋層11的金屬的氫氧化物（未圖示）。例如，於用鎳形成銅擴散阻擋層11的情況，會於銅擴散阻擋層11的表面上形成氫氧化鎳（Ni（OH）₂ ）。

水蒸氣亦可用氬氣起泡後引入真空室內。藉此，亦能簡單地引入相對於氬而言僅有數原子%左右的少量水蒸氣。此外，水蒸氣，係透過以氣化器將用液體質量流量控制器定量過的水轉化為水蒸氣後，再從噴嘴引入真空室內，從而能使水蒸氣分壓穩定。不管透過哪一種方法，水蒸氣都是作為過熱水蒸氣引入，因此水分子是以單分子引入，而不是以團簇引入。透過水分子由電漿活化，能效率良好地生成OH自由基。

水蒸氣的引入較佳為於透過濺射法形成銅擴散阻擋層11的環境氣體之下游側進行。藉此，能穩定地於銅擴散阻擋層11的表面上形成氫氧化物。

接著，如圖1（Ｂ）所示，將矽烷偶聯劑塗布到形成於銅擴散阻擋層11的表面的氫氧化物（未圖示）的表面上。矽烷偶聯劑並無特別限定，例如能使用環氧基官能性矽烷偶聯劑、胺基官能性矽烷偶聯劑、巰基官能性矽烷偶聯劑、乙烯基官能性矽烷偶聯劑、甲基丙烯酸基官能性矽烷偶聯劑、丙烯酸基官能性矽烷偶聯劑、咪唑基矽烷偶聯劑、三嗪官能性矽烷偶聯劑等。

將矽烷偶聯劑塗布在氫氧化物的表面的製程，例如能透過將矽烷偶聯劑的蒸氣引入真空室（未圖示）內來進行。藉此，能在同一個真空室內連續地進行於銅箔10的表面上形成銅擴散阻擋層11的製程、於銅擴散阻擋層11的表面上形成氫氧化物的製程、以及將矽烷偶聯劑塗布到氫氧化物的表面上的製程。

於此情況，矽烷偶聯劑蒸氣的引入較佳為於引入水蒸氣的環境氣體之下游側進行。藉此，能穩定地將矽烷偶聯劑塗布到氫氧化物的表面上。

就矽烷偶聯劑蒸氣而言，透過以氣化器將用液體質量流量控制器定量過的矽烷偶聯劑轉化為蒸氣後，從噴嘴引入真空室內，從而能使矽烷偶聯劑的蒸氣分壓穩定。

此時，由於矽烷偶聯劑的蒸氣壓比水的蒸氣壓低，因此透過將噴嘴加熱，能穩定地將矽烷偶聯劑的蒸氣引入真空室內。不過，噴嘴的加熱溫度較佳為矽烷偶聯劑不會熱分解的溫度，噴嘴的加熱溫度大約為250℃以下。

需要說明的是，將矽烷偶聯劑塗布在氫氧化物的表面上的製程，可以透過將含有矽烷偶聯劑的溶液塗布於銅擴散阻擋層11的表面上來進行。

接著，如圖1（C）所示，將絕緣性聚合物12層壓於表面已形成有銅擴散阻擋層11的銅箔10上。藉此，如圖1（D）所示，形成銅箔10和絕緣性聚合物12的層壓體13。銅箔10和絕緣性聚合物12的層壓，例如能使用層壓法（熱壓合）、熔融流延製膜法、以及溶液流延製膜法等來進行。

絕緣性聚合物12並無特別限定，作為熱塑性聚合物例如能使用液晶聚合物、聚苯硫醚、環烯烴聚合物、全氟烷氧基氟樹脂、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、乙烯/四氟乙烯共聚物等。作為非熱塑性聚合物，例如能使用聚醯亞胺、芳香族聚醯胺、環烯烴聚合物等。

根據本實施方式，透過於銅擴散阻擋層11的表面上形成氫氧化物，能將為羥基（OH基）的官能基（親水基）引入銅擴散阻擋層11的表面。若已將矽烷偶聯劑塗布到銅擴散阻擋層11的表面上，被引入銅擴散阻擋層11的表面上的羥基（親水基）、矽烷偶聯劑的親水基即矽烷醇基（SiOH基）的OH就會鍵結，銅擴散阻擋層11的塗布有矽烷偶聯劑的表面上會存在容易與絕緣性聚合物鍵結的乙烯基、環氧基、甲基丙烯酸基、巰基、胺基等疏水基。

藉此，若透過熱壓合等對表面形成有銅擴散阻擋層11的銅箔10和絕緣性聚合物12進行層壓，矽烷偶聯劑的矽烷醇基和銅擴散阻擋層11的表面的OH基會脫水縮聚合，並且疏水基與絕緣性聚合物12表面的官能基會發生反應，能使銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12間的黏合性提升。其結果，於銅箔10的表面粗糙度較小的情況，亦能得到充分確保了銅箔10和絕緣性聚合物12間的黏合性的層壓體13。

於本實施方式中，將水蒸氣引入真空室內，於銅擴散阻擋層11的表面上，形成構成銅擴散阻擋層11的金屬的氫氧化物。作為形成銅擴散阻擋層11的金屬，較佳為使用容易形成氫氧化物的鎳或含有鉻的鎳合金。在為含有鉻的鎳合金的情況下，透過使鎳成分為80％以上，不僅能夠使銅擴散阻擋性提升，還能夠使蝕刻特性提升。

若使氫氧化物的厚度變厚，則形成電路圖案時有可能引起蝕刻不良。因此，氫氧化物的厚度較佳為10nm以下，更佳為5nm以下。

氫氧化物並非一定要覆蓋整個銅擴散阻擋層11，然而為了使已被引入銅擴散阻擋層11的表面的羥基和矽烷偶聯劑的矽烷醇基充分地鍵結，氫氧化物較佳為覆蓋銅擴散阻擋層11的表面的50％以上，更佳為覆蓋70％以上。氫氧化物中的羥基的量，能透過傅立葉轉換紅外線光譜（FT－IR）法、X射線光電子光譜（XPS）法等表面分析法來加以定量化。

若過量地引入水蒸氣，則真空室內的壓力上升，水蒸氣作為雜質被吸入整個濺射工藝中而並不優選。因此，較佳為將壓力計配置於水蒸氣引入部分的附近，並設定水蒸氣的引入量且加以管理。

（其他實施方式）

於上述實施方式中，將矽烷偶聯劑塗布在表面已形成有氫氧化物的銅擴散阻擋層11的表面上，然而對處於與銅擴散阻擋層11接合之一側的絕緣性聚合物12的表面進行電漿處理來替代塗布矽烷偶聯劑，亦能獲得相同的效果。

圖2（A）～圖2（D）為示意性地表示本發明中其他實施方式的層壓體的製造方法之圖。需要說明的是，將省略與圖1（A）～圖1（D）所示的層壓體的製造方法相同的製程之詳細說明。

首先，如圖2（A）所示，以濺射法於真空室（未圖示）中在銅箔10的表面上形成銅擴散阻擋層11。於本實施方式中，在透過濺射法形成銅擴散阻擋層11的製程中，將水蒸氣引入真空室內，在銅擴散阻擋層11的表面上形成構成銅擴散阻擋層11的金屬的氫氧化物（未圖示）。

接著，如圖2（B）所示，對絕緣性聚合物12的表面12a進行電漿處理。藉此，將羥基（OH基）及羧基（COOH基）等官能基（親水基）引入絕緣性聚合物12的表面12a上。

用於電漿處理的氣體並無特別限定，例如能使用He、Ar、N₂ 、O₂ 、CO₂ 、空氣等。若使用N2或空氣，則能抑制成本。透過將水蒸氣混入電漿氣體中，則易於將羥基引入絕緣性聚合物12的表面12a。

於電漿氣體中使用水蒸氣的情況下，較佳為添加電漿氣體Ar，氬自由基會藉助潘寧效應而於電漿中解離水蒸氣的水分子，促進羥基的生成。

接著，如圖2（C）所示，使絕緣性聚合物12的已經過了電漿處理的面12a與銅擴散阻擋層11相對，透過熱壓合等將絕緣性聚合物12層壓於銅擴散阻擋層11的表面上。藉此，如圖2（D）所示，形成銅箔10和絕緣性聚合物12的層壓體13。

根據本實施方式，透過於銅擴散阻擋層11的表面上形成氫氧化物而將羥基（OH基）的官能基（親水基）引入銅擴散阻擋層11的表面。另一方面，透過對絕緣性聚合物12的表面12a進行電漿處理，將羥基（OH基）及羧基（COOH基）等官能基（親水基）引入絕緣性聚合物12的表面12a。

藉此，若透過熱壓合等對銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12進行層壓，被引入銅擴散阻擋層11的表面的羥基（親水基）和被引入絕緣性聚合物12的表面的羥基及羧基（親水基）以氫鍵鍵結。其結果，銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12間的黏合性提升。於銅箔10的表面粗糙度較小的情況，亦能得到充分確保了銅箔10和絕緣性聚合物12間的黏合性的層壓體13。

為了發揮使銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12間的黏合性提升的效果，較佳為被引入銅擴散阻擋層11的表面的羥基（親水基）與被引入絕緣性聚合物12的表面的羥基及羧基（親水基）彼此充分靠近，以便讓分子間力起作用。結果，因為銅擴散阻擋層11及絕緣性聚合物12的表面各自具有比分子間距離大的凹凸，所以層壓時較佳為使用壓力機等進行壓合。

若於層壓時將絕緣性聚合物12加熱至玻璃轉移點以上且熔點以下的溫度，銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12的表面就容易充分地靠近，因此將絕緣性聚合物12加熱至玻璃轉移點以上且熔點以下的溫度好。若使加熱溫度為120℃以上，較佳為150℃以上，則會促進羥基的脫水縮聚合反應，因此較佳。

於本實施方式中，使用大氣壓電漿對絕緣性聚合物12的表面進行電漿處理，由此而能於大氣壓下連續地進行對絕緣性聚合物12的表面的電漿處理、和對銅擴散阻擋層11和絕緣性聚合物12的層壓製程。

作為大氣壓電漿的生成方法，若利用介質阻擋放電，則不會對寬幅的絕緣性聚合物12造成熱損傷，且能均勻地對寬幅的絕緣性聚合物12進行處理。因此，使用介質阻擋放電好。若使用感應耦合型電漿，則容易高密度地引入羥基等活性種，因此使用感應耦合型電漿好。

若於已將絕緣性聚合物12加熱至玻璃轉移點以上且熔點以下的溫度的狀態下進行電漿處理，則非晶質部分的分子運動就會活性化，由電漿生成的官能基就容易被引入絕緣性聚合物12的表面。因此，於將絕緣性聚合物12加熱至玻璃轉移點以上、熔點以下的溫度的狀態下進行電漿處理好。

需要說明的是，將矽烷偶聯劑塗布在表面已形成有氫氧化物的銅擴散阻擋層11上，對絕緣性聚合物12的表面進行電漿處理，透過熱壓合等將表面上已塗布有矽烷偶聯劑的銅擴散阻擋層11與表面已經過了電漿處理的絕緣性聚合物12層壓來形成層壓體13並不為佳，其不佳的理由如下。

如上所述，將矽烷偶聯劑塗布在表面上已形成有氫氧化物的銅擴散阻擋層11的情況下，疏水基會由於引入銅擴散阻擋層11的表面上的羥基（親水基）和矽烷偶聯劑的親水基鍵結而存在於銅擴散阻擋層11的表面。另一方面，羥基（OH基）及羧基（COOH基）等官能基（親水基）存在於絕緣性聚合物12的已經過了電漿處理的表面12a上。

亦即，妨礙黏合性的疏水基存在於銅擴散阻擋層11的表面，妨礙黏合性的親水基存在於絕緣性聚合物12的表面。因此，即使透過熱壓合等將表面已塗布有矽烷偶聯劑的銅擴散阻擋層11和表面已經過了電漿處理的絕緣性聚合物12層壓，也難以獲得黏合性得以提升的層壓體13。

（捲對捲方式層壓體的製造方法）

圖3為表示透過捲對捲方式，於濺射裝置（真空室）內連續地進行以濺射法於銅箔10的表面上形成銅擴散阻擋層11的製程、於銅擴散阻擋層11的表面上形成構成銅擴散阻擋層11的金屬的氫氧化物的製程、以及將矽烷偶聯劑塗布在氫氧化物的表面上的製程的方法之圖。

如圖3所示，濺射裝置20包括一個運送滾筒21a、三個陰極22a、22b、22c。鎳鉻合金（Ni80：Cr20）設置在陰極22a、22b、22c上作為靶材23，陰極22a、22b、22c與濺射電源（未圖示）相連接。透過質量流量控制器（未圖示）將氬氣供到各陰極22a、22b、22c附近。

從水蒸氣供給源24引入水蒸氣的噴嘴24d配置於最下游的陰極22c的下游部分。藉此，容易僅於銅擴散阻擋層11的表面形成氫氧化物，因此，將從水蒸氣供給源24引入水蒸氣的噴嘴24d配置於最下游的陰極22c的下游部分好。將水容器24a、液體質量流量控制器24b、加熱式氣化器24c按照此順序連結起來，構成了水蒸氣供給源24。如果噴嘴24d包括加熱用加熱器，則能抑制因氣化熱被奪走而引起的噴嘴溫度的降低、以及由此引起的凝結。

從矽烷偶聯劑供給源25引入矽烷偶聯劑蒸氣的噴嘴25d配置於陰極22c的較噴嘴24更位於下游的下游側。將矽烷偶聯劑容器25a、液體質量流量控制器25b、加熱式氣化器25c按照此順序連結起來，構成了矽烷偶聯劑供給源25。

需要說明的是，如果噴嘴24d、25d包括加熱用加熱器，則能抑制因氣化熱被奪走而引起的噴嘴溫度的降低、以及由此引起的凝結。需要說明的是，矽烷偶聯劑並非一定要覆蓋整個銅擴散阻擋層11，但若矽烷偶聯劑覆蓋銅擴散阻擋層11的表面的50％以上，更佳為覆蓋70％以上，則銅擴散阻擋層11容易與絕緣性聚合物12黏合，因此較佳。

因以蒸氣供給的矽烷偶聯劑優先地被銅擴散阻擋層11的表面上的羥基吸附，因此銅擴散阻擋層11容易與絕緣性聚合物12黏合，因此較佳。

矽烷偶聯劑的量，能透過傅立葉轉換紅外線光譜（FT－IR）法、X射線光電子光譜（XPS）法等表面分析法來進行定量化。若過量地引入矽烷偶聯劑，則真空室內的壓力會上升，於整個濺射工藝中矽烷偶聯劑會被作為雜質吸入，因此過量地引入矽烷偶聯劑並不優選。因此，較佳為，將壓力計配置於矽烷偶聯劑引入部分的附近，並設定矽烷偶聯劑蒸氣的引入量且加以管理。

從運送滾筒21b上將未處理銅箔捲10A退繞出來以後，一邊由運送滾筒21a承受未處理銅箔捲10A，一邊進行規定的處理，並以運送滾筒21c將退繞出來的未處理銅箔捲10A作為已處理銅箔捲10B捲繞起來。

在運送滾筒21b和最上游的陰極22a之間，配置有對未處理銅箔捲10A進行前處理的前處理部26。能選用加熱器、電漿源等作為前處理部26。

運送滾筒21b、前處理部26、各陰極22a、22b、22c、噴嘴25d、運送滾筒21c分別被隔壁27大致隔開，並分別利用真空泵（未圖示）獨立排氣。

圖4為表示對以捲對捲方式將絕緣性聚合物12層壓（熱壓合）在已於圖3所示的濺射裝置20中處理過的已處理銅箔捲10B上的方法之圖。

如圖4所示，讓從運送滾筒21退捲出來的已處理銅箔捲10B的已塗布有矽烷偶聯劑的面與從運送滾筒21d退捲出來的絕緣性聚合物12相對，於此狀態下，用一對熱壓合輥30對已處理銅箔捲10B和絕緣性聚合物12進行層壓後，再經由冷卻輥31，作為層壓體捲13A捲繞在運送滾筒21e上。

需要說明的是，在沒有利用圖3所示的濺射裝置20將矽烷偶聯劑塗布在已形成在銅擴散阻擋層11的氫氧化物的表面上的情況下，能利用如圖5所示的裝置以捲對捲方式將絕緣性聚合物12層壓在濺射裝置20已處理過的已處理銅箔捲10B上。

如圖5所示，從運送滾筒21d退捲出來的絕緣性聚合物12，其表面用大氣壓電漿裝置40進行電漿處理。其後，讓從運送滾筒21退捲出來的已處理銅箔捲10B的形成有氫氧化物的面與絕緣性聚合物12的經過了電漿處理的面相對，於此狀態下，用一對熱壓合輥30對已處理銅箔捲10B和絕緣性聚合物12進行層壓後，再經由冷卻輥31，作為層壓體捲13A捲繞在運送滾筒21e上。

需要說明的是，透過將加熱器41設置於大氣壓電漿裝置40的上游，並將絕緣性聚合物12預熱至玻璃轉移點或軟化點中較低一方的溫度，能提升電漿處理效果，從而提升層壓時的黏合力。

圖6為表示以捲對捲方式透過熔融流延法將絕緣性聚合物12層壓在已於圖3所示的濺射裝置20中處理過的已處理銅箔捲10B上的方法之圖。

如圖6所示，讓從運送滾筒21c退捲出來的已處理銅箔捲10B以已處理過的面作為非滾筒面側的面，這樣將已處理銅箔捲10B供往已冷卻的流延滾筒50。接著，熱塑性的絕緣性聚合物12從口模51流延至已處理銅箔捲10B的已處理的面上。熱塑性的絕緣性聚合物12於已處理銅箔捲10B上驟冷，被作為層壓體捲13A捲繞在運送滾筒21f上。

圖7為表示以捲對捲方式透過熔融流延法將絕緣性聚合物12層壓在已於圖3所示的濺射裝置20中處理過的已處理銅箔捲10B上的其他方法之圖。

如圖7所示，將從運送滾筒21c退捲出來的已處理銅箔捲10B的已處理過的面作為非滾筒面側，這樣將已處理銅箔捲10B供往由被架設在兩個滾筒60上的無縫金屬帶構成的流延帶61上。接著，聚合物溶解液從口模62流延至已處理銅箔捲10B的已處理過的面上。聚合物溶解液於固化區63乾燥、固化後，被作為層壓體捲13A捲繞在運送滾筒21g上。

以上，利用較佳實施方式對本發明做了說明，但以上所述並非限定事項，當然可以對本發明做各種各樣的改變。

10:銅箔 10A:未處理銅箔捲 10B:已處理銅箔捲 11:銅擴散阻擋層 12:絕緣性聚合物 13:層壓體 13A:層壓體捲 20:濺射裝置（真空室） 21a～21g:運送滾筒 22a、22b、22c:陰極 23:靶材 24:水蒸氣供給源 24a:水容器 24b:液體質量流量控制器 24c:加熱式氣化器 24d:噴嘴 25:矽烷偶聯劑供給源 25a:矽烷偶聯劑容器 25b:液體質量流量控制器 25c:加熱式氣化器 25d:噴嘴 26:前處理部 27:隔壁 30:熱壓合輥 31:冷卻輥 40:大氣壓電漿裝置 41:加熱器 50:流延滾筒 51:口模 60:滾筒 61:流延帶 62:口模 63:固化區

圖1（A）～圖1（D）為示意性地表示本發明中一實施方式的層壓體的製造方法之圖。圖2（A）～圖2（D）為示意性地表示本發明中其他實施方式的層壓體的製造方法之圖。圖3為表示以捲對捲方式形成層壓體的方法之圖。圖4為表示以捲對捲方式層壓已處理銅箔捲和絕緣性聚合物的方法之圖。圖5為表示以捲對捲方式層壓已處理銅箔捲和絕緣性聚合物的方法之圖。圖6為表示以捲對捲方式透過熔融流延法層壓已處理銅箔捲和絕緣性聚合物的方法之圖。圖7為表示以捲對捲方式透過熔融流延法層壓已處理銅箔捲和絕緣性聚合物的方法之圖。

10:銅箔

11:銅擴散阻擋層

12:絕緣性聚合物

13:層壓體

Claims

一種層壓體的製造方法，該層壓體為由銅箔和絕緣性聚合物層壓而成，該層壓體的製造方法包括透過濺射法於真空室內在前述銅箔的表面上形成銅擴散阻擋層的製程（A）、以及將絕緣性聚合物層壓在表面已形成有前述銅擴散阻擋層的銅箔上的製程（B），前述製程（A）包括將水蒸氣引入前述真空室內，於前述銅擴散阻擋層的表面上，形成構成該銅擴散阻擋層的金屬的氫氧化物的製程。
如請求項1所記載之層壓體的製造方法，其中前述製程（A）包括將矽烷偶聯劑塗布在前述氫氧化物的表面的製程。
如請求項1或2所記載之層壓體的製造方法，其中形成前述銅擴散阻擋層的金屬為鎳或含有鉻的鎳合金。
如請求項1或請求項2所記載之層壓體的製造方法，其中於前述製程（A）中，前述氫氧化物覆蓋前述銅擴散阻擋層的表面的50％以上。
如請求項2所記載之層壓體的製造方法，其中前述將矽烷偶聯劑塗布在前述氫氧化物的表面上的製程，藉由將前述矽烷偶聯劑的蒸氣引入真空室內來進行，於前述製程（A）中，在同一真空室內連續地進行於前述銅箔的表面上形成銅擴散阻擋層的製程、於前述銅擴散阻擋層的表面上形成前述氫氧化物的製程、以及將矽烷偶聯劑塗布在前述氫氧化物的表面上的製程。
如請求項1所記載之層壓體的製造方法，其中前述製程（B）包括對前述絕緣性聚合物的表面進行電漿處理的製程，於前述製程（B）中，讓前述絕緣性聚合物的已經過了電漿處理的面與前述銅擴散阻擋層相對，將前述絕緣性聚合物層壓於前述銅擴散阻擋層的表面上。