CN103091987A - 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 - Google Patents
正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103091987A CN103091987A CN2013100169072A CN201310016907A CN103091987A CN 103091987 A CN103091987 A CN 103091987A CN 2013100169072 A CN2013100169072 A CN 2013100169072A CN 201310016907 A CN201310016907 A CN 201310016907A CN 103091987 A CN103091987 A CN 103091987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resist pattern
- type photosensitive
- positive type
- organic compound
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 94
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 93
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 41
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 29
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 9
- -1 Acryl Chemical group 0.000 claims description 136
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 99
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 claims description 50
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 16
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 12
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 110
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 26
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N alpha-methacrylic acid Natural products CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 description 23
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 239000002585 base Substances 0.000 description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 14
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 11
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 10
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical class OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N EtOH Substances CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 7
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000011415 microwave curing Methods 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 6
- 235000015112 vegetable and seed oil Nutrition 0.000 description 6
- 239000008158 vegetable oil Substances 0.000 description 6
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 5
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 4
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 4
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 4
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000944 linseed oil Substances 0.000 description 4
- 235000021388 linseed oil Nutrition 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRJSXFWDNMKQT-UHFFFAOYSA-N 2-n-methoxy-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CONC1=NC(N)=NC(N)=N1 BLRJSXFWDNMKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CESBAYSBPMVAEI-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylbenzenethiol Chemical class CC1=CC(C)=CC(S)=C1 CESBAYSBPMVAEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 3
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 3
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 3
- 238000010612 desalination reaction Methods 0.000 description 3
- RGLYKWWBQGJZGM-ISLYRVAYSA-N diethylstilbestrol Chemical group C=1C=C(O)C=CC=1C(/CC)=C(\CC)C1=CC=C(O)C=C1 RGLYKWWBQGJZGM-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 3
- 229960000452 diethylstilbestrol Drugs 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 3
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- BJMDYNHSWAKAMX-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)sulfanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[S+](C)C1=CC=CC=C1 BJMDYNHSWAKAMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N n-methylprop-2-enamide Chemical compound CNC(=O)C=C YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 3
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 3
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- NRZWQKGABZFFKE-UHFFFAOYSA-N trimethylsulfonium Chemical class C[S+](C)C NRZWQKGABZFFKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002383 tung oil Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N (2s,3r)-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C[C@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 2
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 2
- YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N (9E)-tetradecenoic acid Chemical compound CCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQOBMKYCRQDMTN-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylphenyl)pentan-3-amine;hydrochloride Chemical compound Cl.CCC1=CC=CC=C1C(N)(CC)CC LQOBMKYCRQDMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGSWKAQJJWESNS-UHFFFAOYSA-N 4-coumaric acid Chemical compound OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C=C1 NGSWKAQJJWESNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMZXUMHNZUETHL-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(=O)OCC1CCNCC1 Chemical compound C(=C)C(=O)OCC1CCNCC1 RMZXUMHNZUETHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] Chemical compound C(CCC)S(=O)(=O)O.[F] NHIAEZJOVSXCRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019485 Safflower oil Nutrition 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHWKHLYUUZGSCW-UHFFFAOYSA-N Tetrabromophthalic anhydride Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C2C(=O)OC(=O)C2=C1Br QHWKHLYUUZGSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 2
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N arachidonic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010495 camellia oil Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGIBXDHONMXTLI-UHFFFAOYSA-N chavicol Chemical compound OC1=CC=C(CC=C)C=C1 RGIBXDHONMXTLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,1,2,2-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC1(C(O)=O)C(O)=O STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- KCYQMQGPYWZZNJ-BQYQJAHWSA-N hydron;2-[(e)-oct-1-enyl]butanedioate Chemical compound CCCCCC\C=C\C(C(O)=O)CC(O)=O KCYQMQGPYWZZNJ-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- 235000019488 nut oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000010466 nut oil Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N palmitoleic acid Chemical compound CCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 2
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 2
- IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N parinaric acid Chemical compound CCC=CC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O IJTNSXPMYKJZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- TZPUFQUQYUYVQC-UHFFFAOYSA-N phenylsilylmethanamine Chemical compound NC[SiH2]C1=CC=CC=C1 TZPUFQUQYUYVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010773 plant oil Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellityc acid Natural products OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 235000005713 safflower oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000003813 safflower oil Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 description 2
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N succinic anhydride Chemical class O=C1CCC(=O)O1 RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N (15Z)-tetracosenoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trihydroxyphenyl)-(3,4,5-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 XEDWWPGWIXPVRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C(=C(O)C(O)=CC=2)O)=C1O SLKJWNJPOGWYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJHSCCZVRVXSEF-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl) benzoate Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC(=O)C1=CC=CC=C1 RJHSCCZVRVXSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O ZRDYULMDEGRWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLCIEDPHMBLQBV-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical class CC1=CC=C([SH2+])C=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F WLCIEDPHMBLQBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N (9Z)-octadecen-1-ol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N (9Z,11E,13E)-9,11,13-Octadecatrienoic acid Natural products CCCCC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- IKYKEVDKGZYRMQ-PDBXOOCHSA-N (9Z,12Z,15Z)-octadecatrien-1-ol Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCCO IKYKEVDKGZYRMQ-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N (e)-2-cyano-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C\C1=CC=CC=C1 CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQNLMSISMUZGAF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole hydroxylamine Chemical compound NO.c1nc2ccccc2o1 NQNLMSISMUZGAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000341 2,3-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- XIRABDOOVRWLFU-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylbenzene-1,3,5-triol Chemical compound CC1=C(O)C=C(O)C(C)=C1O XIRABDOOVRWLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000342 2,4-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000343 2,5-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000345 2,6-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 2-Methoxybenzaldehyde Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=O PKZJLOCLABXVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KECOIASOKMSRFT-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C(O)=CC=2)=C1 KECOIASOKMSRFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXTJVMWIVSZHNI-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C(N)=C1 VXTJVMWIVSZHNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDMGNVWZXRKJNS-UHFFFAOYSA-N 2-benzylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1 CDMGNVWZXRKJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSKPIOLLBIHNAC-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-acetaldehyde Chemical compound ClCC=O QSKPIOLLBIHNAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 2-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1Cl ISPYQTSUDJAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- WHEIBFYABJHSOM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-5-phenylpenta-2,4-dienoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)=CC=CC1=CC=CC=C1 WHEIBFYABJHSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXKOSHBFVWYVIH-UHFFFAOYSA-N 2-n-(butoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CCCCOCNC1=NC(N)=NC(N)=N1 NXKOSHBFVWYVIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDCFWIDZNLCTMF-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpropan-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C1=CC=CC=C1 BDCFWIDZNLCTMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000468 3,4-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000000469 3,5-xylenols Chemical class 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMGWVXJFJBAZDH-UHFFFAOYSA-N 3-(furan-2-yl)-2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)=CC1=CC=CO1 FMGWVXJFJBAZDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXTNCQMOKLOUAM-UHFFFAOYSA-N 3-Oxoglutaric acid Chemical compound OC(=O)CC(=O)CC(O)=O OXTNCQMOKLOUAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- YMRNNXFGMKFZPK-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-phenoxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1OC1=CC=CC=C1 YMRNNXFGMKFZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSUYDXCCZCHMQF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-phenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1C1=CC=CC=C1 DSUYDXCCZCHMQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIFPCDRPHCQLSJ-WYIJOVFWSA-N 4,8,12,15,19-Docosapentaenoic acid Chemical compound CC\C=C\CC\C=C\C\C=C\CC\C=C\CC\C=C\CCC(O)=O PIFPCDRPHCQLSJ-WYIJOVFWSA-N 0.000 description 1
- TWISHTANSAOCNX-UHFFFAOYSA-N 4-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1C(O)=O TWISHTANSAOCNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGSWKAQJJWESNS-ZZXKWVIFSA-M 4-Hydroxycinnamate Natural products OC1=CC=C(\C=C\C([O-])=O)C=C1 NGSWKAQJJWESNS-ZZXKWVIFSA-M 0.000 description 1
- KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 4-Propylphenol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C=C1 KLSLBUSXWBJMEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 4-hydroxybenzoate Chemical compound OC1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PHZREHARUPHHCU-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzene-1,2,3-triol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(O)=C1O PHZREHARUPHHCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 4-oxopentanoic acid Chemical compound CC(=O)CCC(O)=O JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYXNRGBCOOUFRQ-UHFFFAOYSA-N 4-propylbenzene-1,2,3-triol Chemical compound CCCC1=CC=C(O)C(O)=C1O UYXNRGBCOOUFRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 9E-tetradecenoic acid Natural products CCCCC=CCCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFYRUELUNQRZTB-UHFFFAOYSA-N Acetovanillone Natural products COC1=CC(C(C)=O)=CC=C1O DFYRUELUNQRZTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N Brassidinsaeure Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNQAZHINSXBXGI-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.NC(=N)N.OC1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C)(=O)O.NC(=N)N.OC1=CC=CC=C1 PNQAZHINSXBXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFCVBUGQEIJXOL-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)O.C1(=CC=CC=C1)O.OC1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)O Chemical group C1(=CC=CC=C1)O.C1(=CC=CC=C1)O.OC1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)O QFCVBUGQEIJXOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NATZXHZVWDNZST-UHFFFAOYSA-N CC[SiH](O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CC[SiH](O)C1=CC=CC=C1 NATZXHZVWDNZST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZKGRRJAULWNS-UHFFFAOYSA-N Chavicol Natural products OC1=CC=C(CCC=C)C=C1 IAZKGRRJAULWNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- PIFPCDRPHCQLSJ-UHFFFAOYSA-N Clupanodonic acid Natural products CCC=CCCC=CCC=CCCC=CCCC=CCCC(O)=O PIFPCDRPHCQLSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N D-glyceraldehyde Chemical compound OC[C@@H](O)C=O MNQZXJOMYWMBOU-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N Diphenolic acid Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(CCC(O)=O)(C)C1=CC=C(O)C=C1 VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N Erucic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001549 Ipomoea eriocarpa Species 0.000 description 1
- 235000005146 Ipomoea eriocarpa Nutrition 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGLHLAESQEWCR-UHFFFAOYSA-N N-(hydroxymethyl)urea Chemical compound NC(=O)NCO VGGLHLAESQEWCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N Nervonic acid Natural products O=C(O)[C@@H](/C=C/CCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 235000021319 Palmitoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000019483 Peanut oil Nutrition 0.000 description 1
- 235000004347 Perilla Nutrition 0.000 description 1
- 244000124853 Perilla frutescens Species 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 240000001341 Reynoutria japonica Species 0.000 description 1
- 235000018167 Reynoutria japonica Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019486 Sunflower oil Nutrition 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021322 Vaccenic acid Nutrition 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M Vaccenic acid Natural products CCCCCC\C=C/CCCCCCCCCC([O-])=O UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M 0.000 description 1
- MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)amino]methanol Chemical compound NC1=NC(N)=NC(NCO)=N1 MBHRHUJRKGNOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRVCVLFVSDRPOM-UHFFFAOYSA-N [I+].[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [I+].[O-][N+]([O-])=O NRVCVLFVSDRPOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVIISEGBAJZKAZ-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde anisole Chemical compound C1(=CC=CC=C1)OC.C(C)=O PVIISEGBAJZKAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHNXCHOZSBLHNS-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1.C(C)=O MHNXCHOZSBLHNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N all-cis-5,8,11,14,17-icosapentaenoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-JLNKQSITSA-N 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N all-trans-octadeca-9,11,13-trienoic acid Chemical compound CCCC\C=C\C=C\C=C\CCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N 0.000 description 1
- ZOJBYZNEUISWFT-UHFFFAOYSA-N allyl isothiocyanate Chemical compound C=CCN=C=S ZOJBYZNEUISWFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N alpha-parinaric acid Natural products CCC=C/C=C/C=C/C=CCCCCCCCC(=O)O IJTNSXPMYKJZPR-WVRBZULHSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 229940114079 arachidonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021342 arachidonic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005410 aryl sulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- GTSDLQPHCLHUCY-UHFFFAOYSA-N bromo(diphenyl)-$l^{3}-iodane Chemical compound C=1C=CC=CC=1I(Br)C1=CC=CC=C1 GTSDLQPHCLHUCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVOYFISGJMGLCX-UHFFFAOYSA-N butanoic acid;phenol Chemical compound CCCC(O)=O.OC1=CC=CC=C1 OVOYFISGJMGLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANTNWJLVXZNBSU-UHFFFAOYSA-N butyl-dihydroxy-phenylsilane Chemical compound CCCC[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 ANTNWJLVXZNBSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- MIVGWMPXARSPJH-UHFFFAOYSA-N chloro(diphenyl)-$l^{3}-iodane Chemical compound C=1C=CC=CC=1I(Cl)C1=CC=CC=C1 MIVGWMPXARSPJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N cis-palmitoleic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N cis-tetracosenoic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002285 corn oil Substances 0.000 description 1
- 235000005687 corn oil Nutrition 0.000 description 1
- 235000012343 cottonseed oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000002385 cottonseed oil Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N crotonaldehyde Chemical compound C\C=C\C=O MLUCVPSAIODCQM-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N crotonaldehyde Natural products CC=CC=O MLUCVPSAIODCQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- LJXTYJXBORAIHX-UHFFFAOYSA-N diethyl 2,6-dimethyl-1,4-dihydropyridine-3,5-dicarboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OCC)C1 LJXTYJXBORAIHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGGSHDAFUHWTJY-UHFFFAOYSA-N dihydroxy-phenyl-propan-2-ylsilane Chemical compound CC(C)[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 BGGSHDAFUHWTJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQZCVYWWRJDZBO-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium;nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 CQZCVYWWRJDZBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 235000020673 eicosapentaenoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005135 eicosapentaenoic acid Drugs 0.000 description 1
- JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N eicosapentaenoic acid Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCC(O)=O JAZBEHYOTPTENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N erucic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVHQYNBSFNOKCT-UHFFFAOYSA-N ethyl-dihydroxy-phenylsilane Chemical compound CC[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 AVHQYNBSFNOKCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFERNGZLZDSUPH-UHFFFAOYSA-N ethyl-hydroxy-(2-methylpropyl)-phenylsilane Chemical compound CC(C)C[Si](O)(CC)C1=CC=CC=C1 ZFERNGZLZDSUPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBTVTLFBGJGPA-UHFFFAOYSA-N ethyl-hydroxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CC[Si](C)(O)C1=CC=CC=C1 JFBTVTLFBGJGPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N gadoleic acid Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- PAIQEFSJYGYULU-UHFFFAOYSA-N heptadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C PAIQEFSJYGYULU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDNFYIAABKQDML-UHFFFAOYSA-N heptyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCOC(=O)C(C)=C MDNFYIAABKQDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- CHAJJKUXTUIBMZ-UHFFFAOYSA-N hydroxy-(2-methylpropyl)-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(CC(C)C)C1=CC=CC=C1 CHAJJKUXTUIBMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005204 hydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- BRHGTBGQGKYYIQ-UHFFFAOYSA-N iodo(diphenyl)-$l^{3}-iodane Chemical compound C=1C=CC=CC=1I(I)C1=CC=CC=C1 BRHGTBGQGKYYIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- UTEFBSAVJNEPTR-RGEXLXHISA-N loprazolam Chemical compound C1CN(C)CCN1\C=C/1C(=O)N2C3=CC=C([N+]([O-])=O)C=C3C(C=3C(=CC=CC=3)Cl)=NCC2=N\1 UTEFBSAVJNEPTR-RGEXLXHISA-N 0.000 description 1
- 229960003019 loprazolam Drugs 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- JOHLTMWXHJLNDE-UHFFFAOYSA-N methoxyurea Chemical compound CONC(N)=O JOHLTMWXHJLNDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNBDCVXGGDKSCP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylidenetetradecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(=C)C(=O)OC UNBDCVXGGDKSCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N methyl salicylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1O OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANXKZXRDXAZQJT-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.COS([O-])(=O)=O ANXKZXRDXAZQJT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000008164 mustard oil Substances 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RGJWPEASQNLLNA-UHFFFAOYSA-N n-(2-aminoethyl)-n-methylprop-2-enamide Chemical compound NCCN(C)C(=O)C=C RGJWPEASQNLLNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLQIUFRDHZWZAN-UHFFFAOYSA-N n-(3-aminopropyl)-n-methylprop-2-enamide Chemical compound C=CC(=O)N(C)CCCN MLQIUFRDHZWZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021290 n-3 DPA Nutrition 0.000 description 1
- QENDLNJWYIFMIM-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]-n-methylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)CCCN(C)C(=O)C=C QENDLNJWYIFMIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YGPZXPHFJSYIKP-UHFFFAOYSA-N nonadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C YGPZXPHFJSYIKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N oleyl alcohol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCO XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004006 olive oil Substances 0.000 description 1
- 235000008390 olive oil Nutrition 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000312 peanut oil Substances 0.000 description 1
- YOTGRUGZMVCBLS-UHFFFAOYSA-N pentadecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C YOTGRUGZMVCBLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYDSPAVLTMAXHT-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)=C GYDSPAVLTMAXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- NMHMNPHRMNGLLB-UHFFFAOYSA-N phloretic acid Chemical compound OC(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 NMHMNPHRMNGLLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N phthalimide Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000008159 sesame oil Substances 0.000 description 1
- 235000011803 sesame oil Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002600 sunflower oil Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SRWOQYHYUYGUCS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-dihydroxy-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 SRWOQYHYUYGUCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNAYGNMKNYRIHL-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-hydroxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(C(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 UNAYGNMKNYRIHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATZHWSYYKQKSSY-UHFFFAOYSA-N tetradecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C ATZHWSYYKQKSSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950004288 tosilate Drugs 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N trans-vaccenic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\CCCCCCCCCC(O)=O UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N trihydroxy(phenyl)silane Chemical compound O[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRLHYNPADOCLAJ-UHFFFAOYSA-N undecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C KRLHYNPADOCLAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003739 xylenols Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10125—Reinforcing structures
- H01L2224/10126—Bump collar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01009—Fluorine [F]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01011—Sodium [Na]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01016—Sulfur [S]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明涉及正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件。本发明的正型感光性树脂组合物,含有具有酚羟基的碱可溶性树脂、通过光生成酸的化合物、热交联剂、和丙烯酸树脂。根据本发明的正型感光性树脂组合物,可以提供一种能够用碱水溶液显影,并且能够以充分高的灵敏度和分辨率形成粘附性和耐热冲击性优异的抗蚀图形的正型感光性树脂组合物。
Description
本发明是申请号为2009801518528(国际申请号为PCT/JP2009/070987),申请日为2009年12月16日、发明名称为“正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件。
背景技术
近年来,半导体元件的高集成化、大型化不断发展,要求封装基板的薄型化、小型化。随之而来的是,要求由兼具更优异的电气特性、耐热性、机械特性等的材料形成半导体元件的表面保护层、层间绝缘膜、或具有再配线层的封装基板(以下,有时称为半导体装置)的绝缘层。聚酰亚胺树脂是可以满足这些要求特性的材料之一,例如,人们正在研究对聚酰亚胺树脂赋予了感光特性的感光性聚酰亚胺的使用。在使用感光性聚酰亚胺时,具有可以简化图形形成工序,缩短复杂的制造工序的优点(例如,参见专利文献1、2)。
聚酰亚胺树脂的固化膜,一般是利用旋涂等方法使通过四羧酸二酐和二胺反应所得的聚酰亚胺前体(聚酰胺酸)的溶液(所谓的清漆)薄膜化,并受热脱水闭环而形成(例如,参见非专利文献1)。经过该脱水闭环过程,聚酰亚胺树脂发生固化。然而,在使用聚酰亚胺前体的聚酰亚胺树脂的情况下,因固化时脱水(酰亚胺化)而引起体积收缩,存在有导致膜厚的损失以及尺寸精度下降的问题。此外,最近,希望在低温下进行膜形成工艺,所以需求具有如下性能的聚酰亚胺树脂,即,可以在低温下进行脱水闭环,并且脱水闭环后的膜物性并不逊色于在高温下进行脱水闭环的材料。然而,在低温下固化聚酰亚胺前体时,由于酰亚胺化不完全,因此存在有所形成的固化膜变脆等其物性下降的问题。
另一方面,对于使用了不需要像聚酰亚胺前体那样进行脱水闭环,具有高耐热性的其它聚合物的感光性树脂进行了研究(例如,参见非专利文献2、专利文献3~7)。
现有技术
专利文献
专利文献1:日本特开昭49-115541号公报
专利文献2:日本特开昭59-108031号公报
专利文献3:国际公开第2004/006020号小册子
专利文献4:日本特开2006-106214号公报
专利文献5:日本特开2004-2753号公报
专利文献6:日本特开2004-190008号公报
专利文献7:日本特许第3812654号公报
非专利文献
非专利文献1:日本聚酰亚胺研究会编《最新ポリイミド~基礎と応用~》(最新聚酰亚胺~基础和应用~)(2002年)
非专利文献2:J.Photopolym.Sci.Technol.2005年,18卷,p.321-325
发明内容
发明要解决的问题
近年来,在具有再配线层的半导体装置的表面保护膜和顶涂层用途中,从减少环境负担的观点考虑,要求一种能够通过碱水溶液进行显影,并且能够形成具有高耐热性的图形的正型感光性树脂组合物。
此外,从减轻高温对半导体装置造成的损害的观点考虑,要求一种能够在低温下固化,并且含有不需要脱水闭环的聚合物的正型感光性树脂组合物。
因此,本发明提供一种能够在低温下固化,能够用碱水溶液进行显影,并且能够以充分高的灵敏度和分辨率形成粘附性和耐热冲击性优异的抗蚀图形的正型感光性树脂组合物;使用该正型感光性树脂组合物的抗蚀图形的制造方法;具有通过该方法所形成的抗蚀图形的半导体装置;以及具有该半导体装置的电子器件。
解决问题的方法
本发明提供一种正型感光性树脂组合物,其含有(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂、(B)通过光生成酸的化合物、(C)热交联剂、和(D)丙烯酸树脂。
根据这种正型感光性树脂组合物,能够在低温下固化,并且能够以充分高 的灵敏度和分辨率形成粘附性优异且具有良好耐热冲击性的抗蚀图形。关于使用本发明的正型感光性树脂组合物可以得到这种效果的原因尚未明确,但本发明人考虑如下。
即认为上述正型感光性树脂组合物,通过使用(D)丙烯酸树脂,特别是后述的特定结构的丙烯酸树脂,在形成固化膜时,形成来自于(D)丙烯酸树脂的非常微细的区域(微相分离状态)。并且认为,如果形成了这种微相分离状态,则在产生应力时,来自于(D)丙烯酸树脂的非常微细的区域的布朗运动变得活跃,应力作为热而发散,由此可以缓和应力,通过该应力的缓和而可以提高耐热冲击性。
并且认为,通过将(D)成分与上述(A)~(C)成分共同使用,本发明的正型感光性树脂组合物,可以同时实现充分高的灵敏度、分辨率和粘附性。
本发明人采用残余应力作为上述应力缓和的指标,确认了由本发明的正型感光性树脂组合物所得到的固化膜的残余应力小。此处,可以评价为残余应力越小,则耐热冲击性越优异。
此外,本发明的(A)成分,从可以进一步减小正型感光性树脂组合物固化时的体积收缩,以及能够廉价地获得的角度出发,优选为酚醛树脂。
此外,作为(A)成分,优选包含(A1)不具有不饱和烃基的酚醛树脂、和(A2)具有不饱和烃基的改性酚醛树脂。
并且,作为(A2)成分,从进一步提高对碱水溶液的溶解性的角度出发,其优选进一步通过酚羟基和多元酸酐的反应而进行改性。
进一步,作为(A2)成分,从可以提高机械特性(断裂伸长率、弹性模量和残余应力)的角度出发,优选使用由具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂。在对含有这种改性酚醛树脂的正型感光性树脂组合物所形成的感光性树脂组合物层进行曝光·显影后,进行加热时,改性酚醛树脂由于其分子中含有来自于具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物的双键,因此该双键产生交联,从而图形化的感光性树脂膜的固化充分进行。因此可以认为,形成的抗蚀图形的机械特性提高。并且,通过将改性酚醛树脂与上述(A1)成分共同使用,本发明的正型感光性树脂组合物可以同时实现充分高的灵敏度、分辨率和粘附性。
此外,由于可以进一步提高形成抗蚀图形时的灵敏度和分辨率,以及固化后的抗蚀图形的粘附性、机械特性和耐热冲击性,因此前述(A1)成分的质量MA1和前述(A2)成分的质量MA2的比MA1/MA2,优选为5/95~95/5。
此外,(B)成分,从进一步提高形成抗蚀图形时的灵敏度的观点考虑,优选为邻醌二叠氮化合物。
此外,从进一步提高形成抗蚀图形时的分辨率的观点考虑,相对于前述(A)成分的含量100质量份,前述(B)成分的含量优选为3~100质量份。
此外,前述(D)成分为具有下述通式(1)~(3)所表示的结构单元的1种或2种以上的丙烯酸树脂。
[化1]
[化2]
[化3]
[通式(1)~(3)中,R1表示氢原子或甲基,R2表示碳数为4~20的亚烷基,R3表示具有伯、仲或叔氨基的1价有机基团。]
此外,前述(D)成分更优选为具有上述通式(1)所表示的结构单元和上述通式(2)所表示的结构单元的丙烯酸树脂,并进一步优选为具有上述通式(1)所表示的结构单元、上述通式(2)单元和上述通式(3)所表示的结构单元的丙烯酸树脂。
此外,本发明的正型感光性树脂组合物,优选进一步含有(E)通过热生成酸的化合物。由此,除了上述效果以外,能够在图形熔化少、具有优异的分辨率的同时,可以充分抑制裂纹的产生,并且能够通过使用碱水溶液的显影而形成具有优异的粘附性和耐热冲击性的抗蚀图形。
作为前述(E)成分,优选具有下述通式(1)所表示的结构。
[化4]
[通式(4)中,R4、R5和R6各自独立地表示烷基或芳基,R7表示氢或氟。]
此外,本发明的正型感光性树脂组合物优选进一步含有(F)弹性体。由此,所得的抗蚀图形在柔软性方面更加优异,并且可以进一步提高抗蚀图形的机械特性和耐热冲击性。
此外,本发明提供一种抗蚀图形的制造方法,其具有:将使用上述本发明的正型感光性树脂组合物而形成的感光性树脂膜进行曝光的工序;使用碱水溶液对曝光后的所述感光性树脂膜进行显影以使其图形化的工序;和对图形化的所述感光性树脂膜进行加热的工序。根据这种制造方法,由于使用了上述的正型感光性树脂组合物,因此能够以充分高的灵敏度和分辨率形成具有良好的粘附性和耐热冲击性的抗蚀图形。
本发明的抗蚀图形的制造方法,优选包括将图形化的前述感光性树脂膜加热至200℃以下的工序。由此,可以充分防止因为热而对电子器件造成的损害。
此外,本发明提供一种半导体装置,其具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为层间绝缘膜层或表面保护膜。这种半导体装置,由于具有由上述的正型感光性树脂组合物所形成的抗蚀图形,因此可以发挥优异的效果。
作为本发明的半导体装置的优选方式,可以列举:
一种半导体装置,其具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为顶涂层;
一种半导体装置,其具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为再配线层用的芯;
一种半导体装置,其具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为用于支持作为外部连接端子的导电性球的环;以及
一种半导体装置,其具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为底层填料。
此外,本发明还提供一种电子器件,其具有上述本发明的半导体装置。这种电子器件,由于具有由本发明的正型感光性树脂组合物所形成的抗蚀图形,因此可靠性非常优异。
发明效果
根据本发明,可以提供一种能够在低温下固化,能够用碱水溶液进行显影,并且能够以充分高的灵敏度和分辨率形成粘附性和耐热冲击性优异的抗蚀图形的正型感光性树脂组合物。根据本发明的正型感光性树脂组合物,由于可以通过200℃以下的低温加热工艺形成抗蚀图形,因此可以防止因为热而对电子器件造成的损害,并且能够以高合格率提供可靠性高的半导体装置。
此外,本发明提供一种使用正型感光性树脂组合物以充分高的灵敏度和分辨率形成具有良好的粘附性和耐热冲击性的抗蚀图形的方法,具有由这种方法所形成的抗蚀图形的半导体装置,以及具有该半导体装置的电子器件。根据本发明的方法形成的抗蚀图形,由于具有良好的形状和特性,并且固化时的体积收缩小,因此尺寸稳定性高。
附图说明
[图1]是说明半导体装置制造工序的一种实施方式的概略截面图。
[图2]是说明半导体装置制造工序的一种实施方式的概略截面图。
[图3]是说明半导体装置制造工序的一种实施方式的概略截面图。
[图4]是说明半导体装置制造工序的一种实施方式的概略截面图。
[图5]是说明半导体装置制造工序的一种实施方式的概略截面图。
[图6]是表示电子部件(半导体装置)的一种实施方式的概略截面图。
[图7]是表示电子部件(半导体装置)的一种实施方式的概略截面图。
[图8]是表示本发明实施例的感光性树脂组合物显影后的图形的概略截面图。
[图9]是表示本发明实施例的感光性树脂组合物固化后的图形的概略截面 图。
具体实施方式
以下,根据需要参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外,在附图中,对于相同要素给予相同符号,并省略重复的说明。此外,关于上下左右等位置关系,只要没有特别说明,就是基于附图所示的位置关系。进一步,附图的尺寸比例并不限于图示的比例。此外,本说明书中的“(甲基)丙烯酸酯”表示“丙烯酸酯”以及与其对应的“甲基丙烯酸酯”。同样,“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”以及与其对应的“甲基丙烯酸”。
[正型感光性树脂组合物]
本发明的正型感光性树脂组合物含有(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂、(B)通过光生成酸的化合物、(C)热交联剂、和(D)丙烯酸树脂。以下,对于正型感光性树脂组合物中含有的各成分进行说明。
<(A)成分>
(A)成分:具有酚羟基的碱可溶性树脂
(A)成分是分子中具有酚羟基,并且可溶于碱显影液的树脂。作为(A)成分的具有酚羟基的碱可溶性树脂,例如,可以列举聚羟基苯乙烯、以及包含羟基苯乙烯作为单体单元的共聚物等羟基苯乙烯系树脂、酚醛树脂、聚(羟基酰胺)等苯并噁唑前体、聚(羟基亚苯基)醚、以及聚萘酚等。(A)成分可以仅由这些树脂中的1种构成,也可以含有2种以上而构成。
其中,从廉价、对比度高、在固化时的体积收缩小的角度出发,优选为酚醛树脂,并特别优选为酚醛清漆型酚醛树脂。此外,从电气特性(绝缘性)优异、在固化时的体积收缩小的角度出发,还优选羟基苯乙烯系树脂。
酚醛树脂是酚或其衍生物与醛类的缩聚生成物。缩聚在酸或碱等催化剂存在下进行。将使用酸催化剂时所得的酚醛树脂特别地称为酚醛清漆型酚醛树脂。作为酚醛清漆型树脂的具体例,可以列举苯酚/甲醛酚醛清漆树脂、甲酚/甲醛酚醛清漆树脂、二甲苯酚/甲醛酚醛清漆树脂、间苯二酚/甲醛酚醛清漆树脂以及苯酚-萘酚/甲醛酚醛清漆树脂。
作为可以用于得到酚醛树脂的酚衍生物,例如,可以列举邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻乙酚、间乙酚、对乙酚、邻丁酚、间丁酚、对丁酚、2,3-二甲苯 酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲基苯酚和3,4,5-三甲基苯酚等烷基苯酚;甲氧基苯酚和2-甲氧基-4-甲基苯酚等烷氧基苯酚;乙烯基苯酚和烯丙基苯酚等链烯基苯酚;苄基苯酚等芳烷基苯酚;甲氧基羰基苯酚等烷氧基羰基苯酚;苯甲酰氧基苯酚等芳基羰基苯酚;氯苯酚等卤化苯酚;邻苯二酚、间苯二酚和邻苯三酚等多羟基苯;双酚A和双酚F等双酚;α-或β-萘酚等萘酚衍生物;对羟基苯基-2-乙醇、对羟基苯基-3-丙醇和对羟基苯基-4-丁醇等羟基烷基苯酚;羟基乙基甲酚等羟基烷基甲酚;双酚的单环氧乙烷加成物;双酚的单环氧丙烷加成物等含醇羟基酚衍生物;对羟基苯基乙酸、对羟基苯基丙酸、对羟基苯基丁酸、对羟基肉桂酸、羟基苯甲酸、羟基苯基苯甲酸、羟基苯氧基苯甲酸和双酚酸等含羧基酚衍生物。此外,还可以使用二羟基甲基-对甲酚等上述酚衍生物的羟甲基化物作为酚衍生物。
进一步,酚醛树脂还可以是上述的酚或酚衍生物和间二甲苯等酚以外化合物一起与醛类进行缩聚所得的生成物。这时,酚以外的化合物相对于可以用于缩聚的酚衍生物的摩尔比,优选不到0.5。
上述的酚衍生物以及酚化合物以外的化合物,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
可以用于得到酚醛树脂的醛类,例如,可以选自甲醛、乙醛、糠醛、苯甲醛、羟基苯甲醛、甲氧基苯甲醛、羟基苯乙醛、甲氧基苯乙醛、巴豆醛、氯乙醛、氯代苯乙醛、丙酮、甘油醛、乙醛酸、乙醛酸甲酯、乙醛酸苯酯、乙醛酸羟基苯酯、甲酰基乙酸、甲酰基乙酸甲酯、2-甲酰基丙酸、2-甲酰基丙酸甲酯、丙酮酸、乙酰丙酸(レプリン酸)、4-乙酰基丁酸、丙酮二羧酸和3,3’-4,4’-二苯甲酮四羧酸。此外,在反应中还可以使用多聚甲醛、三噁烷等甲醛的前体。这些醛类,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
作为羟基苯乙烯系树脂,例如可以使用通过在催化剂(自由基引发剂)的存在下,使导入有保护基团的羟基苯乙烯的乙烯性不饱和双键进行聚合(乙烯基聚合),并进一步脱保护而得到的物质。此外,还可以使用PHS-B(杜邦公司商品名)等分支型的聚(羟基苯乙烯)。
此处,作为羟基苯乙烯的保护基团,可以使用烷基或甲硅烷基等以往公知 的基团。此外,还可以使苯乙烯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯等含乙烯基的单体与导入有保护基团的羟基苯乙烯进行共聚。
(A)成分的重均分子量优选为500~500000左右。此处,重均分子量是使用凝胶渗透色谱法测定,并由标准聚苯乙烯标准曲线进行换算所得的值。
本发明中的(A)成分,优选包含(A1)不具有不饱和烃基的酚醛树脂和/或羟基苯乙烯系树脂和(A2)具有不饱和烃基的改性酚醛树脂,并且前述(A2)成分更优选进一步通过酚羟基和多元酸酐的反应而进行改性。
此外,作为(A2)成分,从可以进一步提高机械特性(断裂伸长率、弹性模量和残余应力)的观点考虑,优选使用由具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂。
(A2)具有不饱和烃基的改性酚醛树脂,通常是酚或其衍生物与具有不饱和烃基的化合物(优选碳数为4~100的化合物)(以下,有时仅称为“含有不饱和烃基的化合物”。)的反应生成物(以下,称为“不饱和烃基改性酚衍生物”),与醛类的缩聚生成物,或酚醛树脂与含有不饱和烃基的化合物的反应生成物。
此处所述的酚衍生物,可以使用和上述作为(A)成分的酚醛树脂原料的酚衍生物相同的物质。
含有不饱和烃基的化合物的不饱和烃基,从抗蚀图形的粘附性以及耐热冲击性的观点考虑,优选含有2个以上的不饱和基团。此外,从形成树脂组合物时的相容性和固化膜的挠性观点考虑,含有不饱和烃基的化合物优选碳数为8~80的物质,并更优选碳数为10~60的物质。
作为含有不饱和烃基的化合物,例如是碳数为4~100的不饱和烃、具有羧基的聚丁二烯、环氧化聚丁二烯、亚麻醇、油醇、不饱和脂肪酸和不饱和脂肪酸酯。作为优选的不饱和脂肪酸,可以列举巴豆酸、肉豆蔻脑酸、棕榈油酸、油酸、反油酸、异油酸、鳕油酸、芥酸、神经酸、亚油酸、α-亚麻酸、桐油酸、十八碳四烯酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、鲽鱼酸(clupanodonic acid,イワシ酸)和二十二碳六烯酸。其中,更优选碳数为8~30的不饱和脂肪酸与碳数为1~10的1元~3元醇的酯,并特别优选碳数为8~30的不饱和脂肪酸与作为3元醇的丙三醇的酯。
碳数为8~30的不饱和脂肪酸和丙三醇的酯,可以作为植物油而在市场上购得。植物油有碘值为100以下的不干性油、超过100且不到130的半干性油或130以上的干性油。作为不干性油,例如,可以列举橄榄油、牵牛花籽油、何首乌果油、茶籽油(さざんか油)、山茶油(つばき油)、蓖麻油和花生油。作为半干性油,例如,可以列举玉米油、棉籽油和芝麻油。作为干性油,例如,可以列举桐油、亚麻籽油、大豆油、胡桃油、红花油、向日葵油、紫苏油和芥子油。此外,还可以使用对这些植物油进行加工所得的加工植物油。
上述植物油中,从在酚或其衍生物或酚醛树脂与植物油的反应中,防止反应过度进行所伴随的凝胶化,以及提高合格率的观点考虑,优选使用不干性油。另一方面,从提高抗蚀图形的粘附性、机械特性和耐热冲击性的观点考虑,优选使用干性油。在干性油中,从可以更有效并且更确实地发挥本发明效果的角度出发,优选桐油、亚麻籽油、大豆油、胡桃油和红花油,并更优选桐油和亚麻籽油。
这些含有不饱和烃基的化合物,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
在调制(A2)成分时,首先,使上述酚衍生物与上述含有不饱和烃基的化合物反应,制作不饱和烃基改性酚衍生物。所述反应,优选在50~130℃下进行。酚衍生物与含有不饱和烃基的化合物的反应比例,从提高固化膜(抗蚀图形)的挠性的观点考虑,相对于酚衍生物100质量份,优选含有不饱和烃基的化合物为1~100质量份,并更优选为5~50质量份。当含有不饱和烃基的化合物不到1质量份时,存在有固化膜的挠性下降的倾向,而如果其超过100质量份,则存在有固化膜的耐热性下降的倾向。在上述反应中,还可以根据需要使用对甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸等作为催化剂。
通过使上述反应所生成的不饱和烃基改性酚衍生物与醛类进行缩聚,生成由含有不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂。醛类可以使用和上述作为用于得到酚醛树脂的醛类所描述的物质相同的物质。
上述醛类和上述不饱和烃基改性酚衍生物的反应是缩聚反应,可以使用以往公知的酚醛树脂的合成条件。反应优选在酸或碱等催化剂的存在下进行,并更优选使用酸催化剂。作为酸催化剂,例如,可以列举盐酸、硫酸、甲酸、乙 酸、对甲苯磺酸和草酸。这些酸催化剂,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
上述反应,通常优选在100~120℃的反应温度下进行。此外,反应时间根据所用的催化剂的种类或量而不同,通常为1~50小时。反应结束后,通过在200℃以下的温度下对反应生成物进行减压脱水,可以得到由含有不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂。这里,在反应中可以使用甲苯、二甲苯、甲醇等溶剂。
由含有不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂,还可以通过使上述不饱和烃基改性酚衍生物和间二甲苯等酚以外的化合物一起与醛类进行缩聚而得到。这时,酚以外的化合物相对于酚衍生物和含有不饱和烃基的化合物反应所得的化合物的摩尔比,优选为不到0.5。
(A2)成分,也可以通过使前述(A1)成分的酚醛树脂与含有不饱和烃基的化合物反应而得到。
与酚醛树脂反应的含有不饱和烃基的化合物,可以使用和上述含有不饱和烃基的化合物同样的物质。
酚醛树脂与含有不饱和烃基的化合物的反应,通常优选在50~130℃下进行。此外,酚醛树脂与含有不饱和烃基的化合物的反应比例,从提高固化膜(抗蚀图形)的挠性的观点考虑,相对于酚醛树脂100质量份,优选含有不饱和烃基的化合物为1~100质量份,更优选为2~70质量份,并进一步优选为5~50质量份。当含有不饱和烃基的化合物不到1质量份时,存在有固化膜的挠性下降的倾向,而如果其超过100质量份,则存在有在反应中凝胶化的可能性变高,并且固化膜的耐热性下降的倾向。这时,还可以根据需要使用对甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸等作为催化剂。另外,在反应中,可以使用甲苯、二甲苯、甲醇、四氢呋喃等溶剂。
还可以使用由通过上述方法所生成的含有不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂中残留的酚羟基,再与多元酸酐反应而进行酸改性的酚醛树脂作为(A2)成分。通过使用多元酸酐进行酸改性,可以导入羧基,并进一步提高(A2)成分对于碱水溶液(显影液)的溶解性。
多元酸酐,只要具有含多个羧基的多元酸的羧基脱水缩合所形成的酸酐 基,就没有特别限定。作为多元酸酐,例如,可以列举邻苯二甲酸酐、琥珀酸酐、辛烯基琥珀酸酐、十五烯基琥珀酸酐、马来酸酐、衣康酸酐、四氢化邻苯二甲酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐、甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、纳迪克酸酐、3,6-桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐、四溴邻苯二甲酸酐和偏苯三酸酐等二元酸酐,联苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、二苯基醚四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、均苯四酸酐和二苯甲酮四羧酸二酐等芳香族四元酸二酐。它们可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。其中,多元酸酐优选为二元酸酐,并更优选为选自由四氢化邻苯二甲酸酐、琥珀酸酐和六氢化邻苯二甲酸酐组成的组中的1种以上。这时,存在有可以形成具有进一步良好形状的抗蚀图形的优点。
酚羟基与多元酸酐的反应,可以在50~130℃下进行。在该反应中,相对于1摩尔酚羟基,优选使0.1~0.8摩尔多元酸酐进行反应,更优选使0.15~0.6摩尔多元酸酐反应,并进一步优选使0.2~0.4摩尔多元酸酐反应。当多元酸酐不到0.1摩尔时,存在有显影性下降的倾向,而如果其超过0.8摩尔,则存在有未曝光部的耐碱性下降的倾向。
另外,在上述反应中,从迅速进行反应的观点考虑,可以根据需要含有催化剂。作为催化剂,可以列举三乙胺等叔胺、三乙基苄基氯化铵等季铵盐、2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑化合物、三苯基膦等磷化合物。
进一步使用多元酸酐进行改性的酚醛树脂的酸值,优选为30~200mgKOH/g,更优选为40~170mgKOH/g,并进一步优选为50~150mgKOH/g。如果酸值不到30mgKOH/g,与酸值为上述范围时相比,存在有碱显影时需要长时间的倾向,而如果其超过200mgKOH/g,则与酸值为上述范围时相比,存在有未曝光部的耐显影液性下降的倾向。
在本发明中,前述(A1)成分的分子量,在考虑到对碱水溶液的溶解性,以及感光特性(灵敏度、分辨率)和机械特性(断裂伸长率、弹性模量和残余应力)的平衡时,其重均分子量优选为500~150000,更优选为500~100000,并特别优选为1000~50000。
具有不饱和烃基的改性酚醛树脂(A2)的分子量,在考虑到对碱水溶液 的溶解性,以及感光特性和固化膜物性的平衡时,其重均分子量优选为1000~500000,更优选为2000~200000,进一步优选为2000~100000,并最优选为5000~50000。此处,重均分子量是使用凝胶渗透色谱法测定,并由标准聚苯乙烯标准曲线进行换算所得的值。
正型感光性树脂组合物,从形成抗蚀图形时的灵敏度和分辨率,以及固化后的抗蚀图形的粘附性、机械特性和耐热冲击性的观点考虑,在并用不具有不饱和烃基的酚醛树脂或羟基苯乙烯系树脂(A1)和具有不饱和烃基的改性酚醛树脂(A2)作为(A)成分时,(A1)成分的质量MA1与前述(A2)成分的质量MA2的比MA1/MA2,优选为5/95~95/5,更优选为10/90~90/10,并特别优选为15/85~85/15。
此外,(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂,可以进一步含有与多元酸酐反应而酸改性的酚醛树脂。(A)成分通过含有用多元酸酐进行酸改性的酚醛树脂,进一步提高了(A)成分对碱水溶液(显影液)的溶解性。
作为前述多元酸酐,例如,可以列举邻苯二甲酸酐、琥珀酸酐、辛烯基琥珀酸酐、十五碳烯基琥珀酸酐、马来酸酐、衣康酸酐、四氢化邻苯二甲酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐、甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、纳迪克酸酐、3,6-桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐、甲基桥亚甲基四氢化邻苯二甲酸酐、四溴邻苯二甲酸酐、偏苯三酸酐等二元酸酐,联苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、二苯基醚四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、均苯四酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐等脂肪族、芳香族四元酸二酐。它们可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。其中,多元酸酐优选为二元酸酐,并更优选为例如,选自四氢化邻苯二甲酸酐、琥珀酸酐和六氢化邻苯二甲酸酐中的1种以上。
上述反应,可以在50~130℃下进行。在上述反应中,相对于1摩尔酚羟基,优选使0.10~0.80摩尔多元酸酐进行反应,更优选使0.15~0.60摩尔多元酸酐反应,并特别优选使0.20~0.40摩尔多元酸酐反应。
另外,在上述反应中,从迅速进行反应的观点考虑,可以根据需要含有催化剂。作为催化剂,可以列举三乙胺等叔胺、三乙基苄基氯化铵等季铵盐、2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑化合物、三苯基膦等磷化合物等。
<(B)成分>
作为(B)成分的通过光生成酸的化合物,可以用作感光剂。这种(B)成分,具有通过光照射而生成酸,并且增大进行过光照射的部分对于碱水溶液的可溶性的功能。作为(B)成分,可以使用通常称为光酸产生剂的化合物。作为(B)成分的具体例子,可以列举邻醌二叠氮化合物、芳基重氮鎓盐、二芳基碘鎓盐、三芳基锍盐等。其中,从灵敏度高的观点考虑,优选为邻醌二叠氮化合物。
邻醌二叠氮化合物,例如,可以使用通过使邻醌二叠氮磺酰氯与羟基化合物或氨基化合物等在脱盐酸剂的存在下进行缩合反应而得到的物质。
作为反应中所用的邻醌二叠氮磺酰氯,例如,可以列举苯醌-1,2-二叠氮基-4-磺酰氯、萘醌-1,2-二叠氮基-5-磺酰氯、萘醌-1,2-二叠氮基-4-磺酰氯。
作为反应中所用的羟基化合物,例如,可以列举氢醌、间苯二酚、邻苯三酚、双酚A、双(4-羟基苯基)甲烷、1,1-双(4-羟基苯基)-1-[4-{1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基}苯基]乙烷、2,2-双(4-羟基苯基)六氟丙烷、2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮、2,2,’4,4’-四羟基二苯甲酮、2,3,4,2’,3’-五羟基二苯甲酮、2,3,4,3’,4’,5’-六羟基二苯甲酮、双(2,3,4-三羟基苯基)甲烷、双(2,3,4-三羟基苯基)丙烷、4b,5,9b,10-四氢-1,3,6,8-四羟基-5,10-二甲基茚并[2,1-a]茚、三(4-羟基苯基)甲烷、三(4-羟基苯基)乙烷。
作为反应中所用的氨基化合物,例如,可以列举对苯二胺、间苯二胺、4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基硫醚、邻氨基苯酚、间氨基苯酚、对氨基苯酚、3,3’-二氨基-4,4’-二羟基联苯、4,4’-二氨基-3,3’-二羟基联苯、双(3-氨基-4-羟基苯基)丙烷、双(4-氨基-3-羟基苯基)丙烷、双(3-氨基-4-羟基苯基)砜、双(4-氨基-3-羟基苯基)砜、双(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷、双(4-氨基-3-羟基苯基)六氟丙烷。
作为反应中所用的脱盐酸剂,可以列举碳酸钠、氢氧化钠、碳酸氢钠、碳酸钾、氢氧化钾、三甲胺、三乙胺、吡啶等。此外,作为反应溶剂,可以使用 二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、四氢呋喃、二乙醚、N-甲基吡咯烷酮等。
邻醌二叠氮磺酰氯与羟基化合物和/或氨基化合物,优选以相对于1摩尔邻醌二叠氮磺酰氯,羟基和氨基的摩尔数总计为0.5~1进行配合。脱盐酸剂与邻醌二叠氮磺酰氯的优选配合比例,为0.95/1摩尔当量~1/0.95摩尔当量的范围。
上述反应的优选反应温度为0~40℃,优选反应时间为1~10小时。
(B)成分的配合量,从曝光部和未曝光部的溶解速度差,以及灵敏度的允许范围的观点考虑,相对于(A)100质量份,优选为3~100质量份,更优选为5~50质量份,并特别优选为5~30质量份。
<(C)成分>
通过含有作为(C)成分的热交联剂,在对形成图形后的感光性树脂膜进行加热而使其固化时,(C)成分与(A)成分产生反应,而形成交联结构。由此,能够在低温下进行固化,并且可以防止膜的脆化以及膜的熔融。作为(C)成分,具体来说,可以优选使用具有酚羟基的化合物、具有羟甲基氨基的化合物、具有环氧基的化合物。
另外,此处所述的“具有酚羟基的化合物”,不包括(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂。作为热交联剂的具有酚羟基的化合物,不仅作为热交联剂,而且在使用碱水溶液进行显影时可以增加曝光部的溶解速度,提高灵敏度。这种具有酚羟基的化合物的分子量,优选为2000以下。考虑到对碱水溶液的溶解性,以及感光特性和机械特性的平衡性,数均分子量优选为94~2000,更优选为108~2000,并特别优选为108~1500。
作为具有酚羟基的化合物,可以使用以往公知的物质,但下述通式(5)所表示的化合物,在曝光部的溶解促进效果以及防止感光性树脂膜固化时熔融的效果的平衡性方面优异而特别优选。
[化5]
[在通式(5)中,Z表示单键或2价的有机基团,R13、R14、R15和R16各自独立地表示氢原子或1价的有机基团,s和t各自独立地表示1~3的整数,u和v各自独立地表示0~4的整数。]
在通式(5)中,Z为单键的化合物是双酚(二羟基联苯)衍生物。此外,作为Z所表示的2价有机基团,可以列举亚甲基、亚乙基、亚丙基等碳数为1~10的亚烷基、乙叉基等碳数为2~10的烷叉基、亚苯基等碳数为6~30的亚芳基、这些烃基的部分或全部氢原子被氟原子等卤原子取代的基团、磺酰基、羰基、醚键、硫醚键、酰胺键等。其中,Z优选为下述通式(6)所表示的2价有机基团。
[化6]
[通式(6)中,X表示单键、亚烷基(例如,碳原子数为1~10的亚烷基)、烷叉基(例如,碳数为2~10的烷叉基)、这些基团的部分或全部氢原子被卤原子取代的基团、磺酰基、羰基、醚键、硫醚键或酰胺键。R12表示氢原子、羟基、烷基或卤代烷基,g表示1~10的整数。多个R12可以彼此相同,也可以不同。]
作为具有羟甲基氨基的化合物,可以列举(聚)(N-羟甲基)三聚氰胺、(聚)(N-羟甲基)甘脲、(聚)(N-羟甲基)苯并胍胺、(聚)(N-羟甲基)脲等全部或部分羟甲基进行了烷基醚化的含氮化合物。此处,作为烷基醚的烷基,可以列举甲基、乙基、丁基,或这些基团的混合,并且还可以含有一部分自缩合所形成的低聚物成分。具体来说,可以列举六(甲氧基甲基)三聚氰胺、六(丁氧基甲基)三聚氰胺、四(甲氧基甲基)甘脲、四(丁氧基甲基)甘脲、四(甲氧基甲基)脲。
作为具有环氧基的化合物,可以使用以往公知的物质。作为其具体例子,可以列举双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、 甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、缩水甘油胺、杂环式环氧树脂、聚亚烷基二醇二缩水甘油醚。
此外,作为(C)成分,除了上述物质以外,还可以使用双[3,4-二(羟甲基)苯基]醚、或1,3,5-三(1-羟基-1-甲基乙基)苯等具有羟甲基的芳香族化合物、双(4-马来酰亚胺基苯基)甲烷、或2,2-双[4-(4’-马来酰亚胺基苯氧基)苯基]丙烷等具有马来酰亚胺基的化合物、具有降冰片烯骨架的化合物、多官能丙烯酸酯化合物、具有氧杂环丁基(oxetanyl)的化合物、具有乙烯基的化合物、嵌段化异氰酸酯化合物。
在上述(C)成分中,从提高灵敏度和耐热性的观点考虑,优选具有酚羟基的化合物和具有羟甲基氨基的化合物,并且从可以进一步提高分辨率和涂膜伸长率的观点考虑,更优选具有羟甲基氨基的化合物,特别优选全部或部分羟甲基氨基进行了烷基醚化的具有烷氧基甲基氨基的化合物,并最优选全部羟甲基氨基进行了烷基醚化的具有烷氧基甲基氨基的化合物。
在前述全部羟甲基氨基进行了烷基醚化的具有烷氧基甲基氨基的化合物中,特别优选下述通式(III)所表示的化合物。
[化7]
[在通式(III)中,R21~R26各自独立地表示碳数为1~10的烷基。]
(C)成分的配合量,从显影时间、未曝光部残膜率的允许范围、以及固化膜特性的观点考虑,相对于(A)成分100质量份,优选为1~50质量份,更优选为2~30质量份,并特别优选为3~25质量份。此外,上述热交联剂,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
<(D)成分>
通过含有作为(D)成分的丙烯酸树脂,可以维持良好的感光特性,并同 时提高耐热冲击性。
作为前述丙烯酸树脂,优选为具有下述通式(1)~(3)所表示的结构单元的1种或2种以上的丙烯酸树脂。
[化8]
[化9]
[化10]
[通式(1)~(3)中,R1表示氢原子或甲基,R2表示碳数为4~20的烷基,R3表示具有伯、仲或叔氨基的1价有机基团。]
其中,通过含有具有所述通式(1)所表示的结构单元和所述通式(2)所表示的结构单元的丙烯酸树脂,可以维持良好的感光特性,并同时提高耐热冲击性,因此更优选,此外,从可以进一步提高与(A)成分的相容性、抗蚀图形对基板的粘附性、机械特性以及耐热冲击性的观点考虑,更优选含有具有所述通式(1)所表示的结构单元、所述通式(2)所表示的结构单元和所述通式(3)所表示的结构单元的丙烯酸树脂。(D)成分可以仅由上述丙烯酸树脂中的1种构成,也可以含有2种以上。
当丙烯酸树脂具有上述通式(1)所表示的结构单元时,从可以提高灵敏度、分辨率和耐热冲击性的观点考虑,R1优选为碳数为4~16的烷基,并更优选为碳数为4的烷基(正丁基)。作为给予通式(1)所表示的结构单元的聚 合性单体,可以列举(甲基)丙烯酸烷基酯。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯,例如,可以列举下述通式(7)所表示的化合物等。
CH2=C(R1)-COOR2(7)
此处,上述通式(7)中,R1表示氢原子或甲基,R2表示碳数为4~20的烷基。此外,作为R2所表示的碳数为1~20的烷基,例如,可以列举丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基以及它们的结构异构体。作为上述通式(V)所表示的聚合性单体,例如,可以列举(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。这些聚合性单体可以单独使用,或将2种以上组合使用。
此外,作为给予通式(2)所表示的结构单元的聚合性单体,可以列举丙烯酸和甲基丙烯酸。
作为给予通式(3)所表示的结构单元的聚合性单体,例如,可以列举氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N-乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、氨基丙基(甲基)丙烯酸酯、N-甲基氨基丙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二甲基氨基丙基(甲基)丙烯酸酯、N-乙基氨基丙基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基氨基丙基(甲基)丙烯酸酯、氨基乙基(甲基)丙烯酰胺、N-甲基氨基乙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基氨基乙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基氨基乙基(甲基)丙烯酰胺、氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、N-甲基氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、哌 啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、1-甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、1,2,2,6,6-五甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、(哌啶-4-基)甲基(甲基)丙烯酸酯、2-(哌啶-4-基)乙基(甲基)丙烯酸酯等。这些聚合性单体可以单独使用,也可以将2种以上组合使用。其中,从可以进一步提高抗蚀图形对基板的粘附性、机械特性和耐热冲击性的观点考虑,特别优选在通式(3)中,R3为下述通式(8)所表示的1价有机基团。
[化11]
[通式(8)中,Y表示碳数为1~5的亚烷基,R13~R17各自独立地表示氢原子或碳数为1~20的烷基,n为0~10的整数。]
作为给予通式(3)中,R3为上述通式(8)所表示的1价有机基团所表示的结构单元的聚合性单体,例如,可以列举哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、1-甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、1,2,2,6,6-五甲基哌啶-4-基(甲基)丙烯酸酯、(哌啶-4-基)甲基(甲基)丙烯酸酯、2-(哌啶-4-基)乙基(甲基)丙烯酸酯等。其中,1,2,2,6,6-五甲基哌啶-4-基甲基丙烯酸酯可以作为FA-711MM,2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基甲基丙烯酸酯可以作为FA-712HM(都是日立化成工业株式会社制造的),而分别从商业上获得。
在作为(D)成分的丙烯酸树脂中,上述通式(1)所表示的结构单元的组成比,相对于(D)成分的总量,优选为50~95摩尔%,更优选为60~90摩尔%,并特别优选为70~85摩尔%。通过使上述通式(1)所表示的结构单元的组成比为50~95摩尔%,可以进一步提高正型感光性树脂组合物的固化膜的耐热冲击性。
此外,在作为(D)成分的丙烯酸树脂中,上述通式(2)所表示的结构 单元的组成比,相对于(D)成分的总量,优选为5~35摩尔%,更优选为10~30摩尔%,并特别优选为15~25摩尔%。通过使上述通式(2)所表示的结构单元的组成比为5~35摩尔%,可以进一步提高与(A)成分的相容性,以及正型感光性树脂组合物的显影性。
此外,作为(D)丙烯酸树脂,从可以进一步提高与(A)成分的相容性、抗蚀图形对基板的粘附性、机械特性和耐热冲击性的观点考虑,更优选含有前述通式(1)和(2)所表示的结构单元,以及上述通式(3)所表示的结构单元。通过使(D)丙烯酸树脂的结构单元为上述组合,可以使(D)丙烯酸树脂与(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂的相互作用良好,并且进一步提高相容性。
在作为(D)成分的丙烯酸树脂中,含有上述通式(3)所表示的结构单元时,相对于(D)成分的总量,其优选为0.3~10摩尔%,更优选为0.4~6摩尔%,并特别优选为0.5~5摩尔%。
此外,作为(D)丙烯酸树脂,从可以进一步提高灵敏度的观点考虑,优选具有下述通式(9)所表示的结构单元。
[化12]
[通式(9)中,R1表示氢原子或甲基,A表示碳数为1~5的亚烷基,R18~R22各自独立地表示碳数为1~6的烷基,m为1~100的整数。]
作为给予通式(9)所表示的结构单元的聚合性单体,例如,可以列举甲基丙烯酰改性的硅油,其可以作为X-22-174DX、X-22-2426、X-22-2475(都是信越化学工业株式会社制造的),而分别从商业上获得。
在作为(D)成分的丙烯酸树脂中,具有上述通式(9)所表示的结构单元时的组成比,相对于(D)成分的总量,其优选为1~10摩尔%,更优选为2~5摩尔%,并特别优选为3~5摩尔%。
此外,本发明的(D)丙烯酸树脂,还可以加入给予通式(1)、通式(2)、通式(3)和通式(9)所表示的结构单元的聚合性单体以外的聚合性单体而进行合成。
作为这种聚合性单体,例如,可以列举苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸4-甲基苄酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、丙烯腈、乙烯基-正丁基醚等乙烯醇的酯类、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3-四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸、马来酸、马来酸酐、马来酸单甲酯、马来酸单乙酯、马来酸单异丙酯等马来酸单酯、富马酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。这些聚合性单体可以单独使用,也可以将2种以上组合使用。
(D)成分的重均分子量,优选为2000~100000,更优选为3000~60000,特别优选为5000~50000,并最优选为10000~40000。当重均分子量不到2000时,存在有固化膜的耐热冲击性下降的倾向,而如果超过100000,则存在有与(A)成分的相容性以及显影性下降的倾向。
(D)成分的配合量,从粘附性、机械特性和耐热冲击性、以及感光特性的观点考虑,相对于(A)成分的总量100质量份,优选为1~50质量份,更优选为3~30质量份,并特别优选为5~20质量份。
<(E)成分(通过热生成酸的化合物)>
上述的正型感光性树脂组合物,优选进一步含有(E)通过热生成酸的化合物。通过使用(E)成分,可以抑制图形的融化。这是由于,在对显影后的感光性树脂膜进行加热时能够生成酸,从而在更低的温度下引发(A)成分和(B)成分的反应,即热交联反应,因此可以提高固化膜的耐热性,并抑制图形的融化。此外,由于通过热生成酸的化合物,大多也可以通过光照射而生成酸,因此在使用这种物质时,可以增大曝光部对碱水溶液的溶解性。由此,未曝光部与曝光部对碱水溶液的溶解性差进一步增大,分辨率得以提高。这里,在本发明中,使用和前述(B)成分不同的化合物作为(E)成分。
这种通过热生成酸的化合物,优选为例如,通过在50~250℃(更优选为50~200℃)的温度下加热而生成酸的物质。作为通过热生成酸的化合物的具体例,是和前述(B)成分的通过光生成酸的化合物不同的化合物,其可以列举具有通过热生成酸的功能的鎓盐等由强酸和碱所形成的盐,或酰亚胺磺酸盐。
作为鎓盐,例如,可以列举芳基重氮鎓盐、二苯基碘鎓盐等二芳基碘鎓盐;二(叔丁基苯基)碘鎓盐等二(烷基芳基)碘鎓盐;三甲基锍盐等三烷基锍盐;二甲基苯基锍盐等二烷基单芳基锍盐;二苯基甲基锍盐等二芳基单烷基碘鎓盐;三芳基锍盐。
其中,优选对甲苯磺酸的二(叔丁基苯基)碘鎓盐、三氟甲烷磺酸的二(叔丁基苯基)碘鎓盐、三氟甲烷磺酸的三甲基锍盐、三氟甲烷磺酸的二甲基苯基锍盐、三氟甲烷磺酸的二苯基甲基锍盐、九氟丁烷磺酸的二(叔丁基苯基)碘鎓盐、樟脑磺酸的二苯基碘鎓盐、乙烷磺酸的二苯基碘鎓盐、苯磺酸的二甲基苯基锍盐、甲苯磺酸的二苯基甲基锍盐。
此外,更优选为下述通式(1)所表示的锍盐,进一步优选为甲磺酸的三烷基锍盐,并特别优选为三甲基锍盐。
[化13]
[通式(4)中,R4、R5和R6各自独立地表示烷基或芳基,R7表示氢或氟。]
作为前述芳基,优选为苯基或具有取代基的苯基。
此外,作为由强酸和碱所形成的盐,除了上述鎓盐之外,还可以使用下述强酸和碱所形成的盐,例如吡啶鎓盐。作为强酸,可以列举对甲苯磺酸、苯磺酸等芳基磺酸、樟脑磺酸、三氟甲烷磺酸、九氟丁烷磺酸等全氟烷基磺酸、甲烷磺酸、乙烷磺酸、丁烷磺酸等烷基磺酸。作为碱,可以列举吡啶、2,4,6-三甲基吡啶等烷基吡啶、2-氯-N-甲基吡啶等N-烷基吡啶、卤化-N-烷基吡啶等。
作为酰亚胺磺酸盐,例如,可以使用萘酰亚胺磺酸盐或邻苯二甲酰亚胺磺 酸盐。
此外,作为通过加热生成酸的化合物,除了上述物质外,还可以使用具有下述通式(10)所表示的结构的化合物或具有下述通式(11)所表示的磺酰胺结构的化合物。
R23R24C=N-O-SO2-R25...(10)
-NH-SO2-R26...(11)
通式(10)中,R23例如为氰基,R24例如为甲氧基苯基、苯基。此外,R25例如为对甲基苯基、苯基等芳基,甲基、乙基、异丙基等烷基,三氟甲基、九氟丁基等全氟烷基。
通式(11)中,R26例如为甲基、乙基、丙基等烷基,甲基苯基、苯基等芳基,三氟甲基、九氟丁基等全氟烷基。作为与通式(11)所表示的磺酰胺结构的N原子连接的基团,例如,可以列举2,2’-双(4-羟基苯基)六氟丙烷或2,2’-双(4-羟基苯基)丙烷、二(4-羟基苯基)醚。
使用通过加热生成酸的化合物时的配合量,相对于(A)成分100质量份,优选为0.1~30质量份,更优选为0.15~20质量份,进一步优选为0.2~20质量份,特别优选为0.2~10质量份,并最优选为0.5~10质量份。
<(F)成分(弹性体)>
在本发明中,可以进一步并用弹性体。由此,所得的抗蚀图形,在柔软性这一点上更加优异,并且可以进一步提高抗蚀图形的机械特性和耐热冲击性。作为弹性体,可以使用以往公知的物质,并且构成弹性体的聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选为20℃以下。
作为这种弹性体,例如,可以使用苯乙烯系弹性体、烯烃系弹性体、氨酯系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、和有机硅系弹性体。此外,前述弹性体,还可以是微粒状的弹性体。这些弹性体可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
在本发明的正型感光性树脂组合物中,可以使用溶剂。本发明的正型感光性树脂组合物,通过含有溶剂,可以起到容易在基板上涂布,并且可以形成均匀厚度的涂膜的效果。作为溶剂例如可以列举γ-丁内酯、乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、醋酸苄酯、乙酸正丁酯、丙酸乙氧基乙酯、3-甲基甲氧基丙 酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲亚砜、六甲基磷酰胺、四亚甲基砜、二乙基酮、二异丁基酮、甲基戊基酮、环己酮、丙二醇单甲醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、和二丙二醇单甲醚。这些溶剂,可以单独使用1种,也可以将2种以上组合使用。
此外,使用溶剂时的含量,没有特别限定,但优选调整至正型感光性树脂组合物中的溶剂比例为20~90质量%。
<其它成分>
上述正型感光性树脂组合物,除了上述(A)~(F)成分以及溶剂外,还可以含有溶解促进剂、溶解阻碍剂、偶联剂、以及表面活性剂或流平剂等成分。
(溶解促进剂)
通过在上述的正型感光性树脂组合物中配合溶解促进剂,可以增加用碱水溶液显影时曝光部的溶解速度,可以提高灵敏度和分辨率。作为溶解促进剂,可以使用以往公知的物质。作为其具体例子,可以列举具有羧基、磺酸基、磺酰胺基的化合物。
使用这种溶解促进剂时的配合量,可以根据对碱水溶液的溶解速度而决定,例如,相对于(A)成分100质量份,可以为0.01~30质量份。
(溶解阻碍剂)
溶解阻碍剂是阻碍(A)成分对碱水溶液的溶解性的化合物,其可以用于控制残膜厚度、显影时间和对比度。作为其具体例子,有二苯基碘鎓硝酸盐、二(对叔丁基苯基)碘鎓硝酸盐、二苯基碘鎓溴化物、二苯基碘鎓氯化物、二苯基碘鎓碘化物等。在使用溶解阻碍剂时的配合量,从灵敏度和显影时间的允许范围的观点考虑,相对于(A)成分100质量份,优选为0.01~20质量份,更优选为0.01~15质量份,并特别优选为0.05~10质量份。
(偶联剂)
通过在上述正型感光性树脂组合物中配合偶联剂,可以提高所形成的固化膜与基板的粘接性。作为偶联剂,例如,可以列举有机硅烷化合物、铝螯合剂化合物。
作为有机硅烷化合物,例如,可以列举乙烯基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙 氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、脲丙基三乙氧基硅烷、甲基苯基硅烷二醇、乙基苯基硅烷二醇、正丙基苯基硅烷二醇、异丙基苯基硅烷二醇、正丁基苯基硅烷二醇、异丁基苯基硅烷二醇、叔丁基苯基硅烷二醇、二苯基硅烷二醇、乙基甲基苯基硅烷醇、正丙基甲基苯基硅烷醇、异丙基甲基苯基硅烷醇、正丁基甲基苯基硅烷醇、异丁基甲基苯基硅烷醇、叔丁基甲基苯基硅烷醇、乙基正丙基苯基硅烷醇、乙基异丙基苯基硅烷醇、正丁基乙基苯基硅烷醇、异丁基乙基苯基硅烷醇、叔丁基乙基苯基硅烷醇、甲基二苯基硅烷醇、乙基二苯基硅烷醇、正丙基二苯基硅烷醇、异丙基二苯基硅烷醇、正丁基二苯基硅烷醇、异丁基二苯基硅烷醇、叔丁基二苯基硅烷醇、苯基硅烷三醇、1,4-双(三羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(甲基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(乙基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(丙基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(丁基二羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(二甲基羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(二乙基羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(二丙基羟基甲硅烷基)苯、1,4-双(二丁基羟基甲硅烷基)苯、3-双(2-羟基乙基)氨基丙基三乙氧基硅烷。
在使用偶联剂时的配合量,相对于(A)成分100质量份,优选为0.1~20质量份,并更优选为0.5~10质量份。
(表面活性剂或流平剂)
通过在上述正型感光性树脂组合物中配合表面活性剂或流平剂,可以提高涂布性,例如防止出现条纹(膜厚不均匀),或提高显影性。作为这种表面活性剂或流平剂,例如,可以列举聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯辛基酚醚。作为商品,有MEGAFACS F171、F173、R-08(大日本油墨化学工业株式会社制,商品名)、Fluorad FC430、FC431(住友3M株式会社制,商品名)、有机硅氧烷聚合物KP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工业株式会社制,商品名)。
在使用表面活性剂或流平剂时,其合计配合量,相对于(A)成分100质量份,优选为0.001~5质量份,并更优选为0.01~3质量份。
上述正型感光性树脂组合物,可以使用四甲基氢氧化铵(TMAH)等碱水溶液进行显影。进一步,通过使用上述正型感光性树脂组合物,能够以足够高的灵敏度和分辨率,形成具有良好的粘附性和耐热冲击性的抗蚀图形。
[抗蚀图形的制造方法]
接着,对抗蚀图形的制造方法进行说明。本发明的抗蚀图形的制造方法,具备将由上述正型感光性树脂组合物所形成的感光性树脂膜曝光的工序、使用碱水溶液对曝光后的感光性树脂膜进行显影以使其图形化的工序、以及对图形化后的感光性树脂膜进行加热的工序。以下,对各工序进行说明。
<涂布·干燥(成膜)工序>
首先,将上述正型感光性树脂组合物涂布在支持基板上并干燥,形成感光性树脂膜。在该工序中,首先使用旋涂机等,将上述的正型感光性树脂组合物旋涂在玻璃基板、半导体、金属氧化物绝缘体(例如TiO2、SiO2等)、氮化硅等支持基板上,形成涂膜。使用热板、烘箱等对该形成有涂膜的支持基板进行干燥。由此,在支持基板上形成感光性树脂膜。
<曝光工序>
接着,在曝光工序中,隔着掩模,对支持基板上所形成的感光性树脂膜,照射紫外线、可见光、放射线等活性光线。在上述正型感光性树脂组合物中,由于(A)成分对i线的透明性高,因此可以适宜使用i线的照射。另外,曝光后,还可以根据需要进行曝光后加热(PEB)。曝光后加热的温度优选为70℃~140℃,曝光后加热的时间优选为1分钟~5分钟。
<显影工序>
在显影工序中,通过使用显影液除去曝光工序后的感光性树脂膜的曝光部,使感光性树脂膜图形化。作为显影液,例如,可以适宜使用氢氧化钠、氢氧化钾、硅酸钠、氨、乙胺、二乙胺、三乙胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵(TMAH)等碱水溶液。这些水溶液的碱浓度,优选为0.1~10质量%。进一步,还可以在上述显影液中添加醇类、表面活性剂进行使用。它们相对于显影液100质量份,分别优选以0.01~10质量份,并更优选以0.1~5质量份的范围进行配合。
<加热处理工序>
接着,在加热处理工序中,通过对图形化的感光性树脂膜进行加热处理,可以形成由加热后的感光性树脂膜所形成的抗蚀图形。加热处理工序中的加热温度,从充分防止因为热而对电子器件造成损害的观点考虑,希望为250℃以下,更希望为225℃以下,并进一步希望为140~200℃。
加热处理,例如,可以使用石英管式炉、热板、快速退火炉、立式扩散炉、红外线固化炉、电子线固化炉、以及微波固化炉等炉来进行。此外,还可以任意选择在大气中,或氮气等惰性氛围中进行,而由于在氮气下进行时可以防止图形氧化,因此是希望的。由于上述希望的加热温度范围低于以往的加热温度,因此可以将对于支持基板、电子器件的损伤抑制为较低。因此,通过使用本发明的抗蚀图形的制造方法,能够以良好的合格率制造电子器件。此外,还可以进行工序的节能化。进一步,根据本发明的正型感光性树脂组合物,由于在感光性聚酰亚胺等中可以观察到的加热处理工序中的体积收缩(固化收缩)小,因此可以防止尺寸精度的下降。
加热处理工序中的加热处理时间,是只要能够充分固化正型感光性树脂组合物的时间即可,而兼顾到操作效率,则通常优选为5小时以下。
此外,加热处理,除了使用上述烘箱外,还可以使用微波固化装置或可变频微波固化装置来进行。通过使用这些装置,可以在使基板或电子器件的温度保持在例如200℃以下的状态下,有效地仅仅加热感光性树脂膜。
在可变频微波固化装置中,由于一边改变微波频率,一边以脉冲状照射微波,因此可以防止驻波,并且可以均匀地加热基板表面,因此优选。此外,作为基板,在如后述的电子部件那样含有金属配线的情况下,在一边改变微波频率,一边以脉冲状照射微波时,可以防止产生金属的放电等,可以保护电子部件受到破坏,因此优选。进一步,在使用可变频微波进行加热时,与使用烘箱时相比,即使降低固化温度,固化膜物性也不会下降,因此优选(参见J.Photopolym.Sci.Technol.,18,327-332(2005))。
可变频微波的频率为0.5~20GHz的范围,但实际使用中优选为1~10GHz的范围,并更优选为2~9GHz的范围。此外,虽然希望照射的微波频率连续变化,但是实际上是使频率以阶梯状变化进行照射。这时,关于照射单一频率微波的时间,由于短的情况更难产生驻波或金属放电等,因此照射时间优选为1毫秒以下,并特别优选为100微秒以下。
照射微波的功率,根据装置的大小和被加热体的量而不同,大致为10~2000W的范围,在实际使用中更优选为100~1000W,特别优选为100~700W,并最优选为100~500W。当功率为10W以下时,难以在短时间内加热被加热 体,而在2000W以上时,容易导致温度急剧上升,因此不优选。
此外,微波优选以脉冲状进行接入/断开而照射。通过以脉冲状照射微波,可以保持设定的加热温度。此外,由于可以避免对固化膜或基材的损伤,因此优选。照射1次脉冲状微波的时间,根据条件而不同,但通常优选为10秒钟以下。
根据以上所述的抗蚀图形的制造方法,能够以足够高的灵敏度和分辨率,形成具有良好耐热性的抗蚀图形。
[半导体装置的制造工序]
接着,作为本发明的抗蚀图形制造方法的一个例子,基于附图对半导体装置的制造工序进行说明。图1~5是表示具有多层配线结构的半导体装置的制造工序的一种实施方式的概略截面图。
首先,准备图1所示的结构体100。结构体100,具备具有电路元件的Si基板等半导体基板1、具有露出电路元件的规定图形并覆盖半导体基板1的硅氧化膜等保护膜2、在露出的电路元件上形成的第1导体层3、以及通过旋涂法等在保护膜2和第1导体层3上进行成膜的由聚酰亚胺树脂等所形成的层间绝缘膜4。
接着,通过在层间绝缘膜4上形成具有窗部6A的感光性树脂层5,得到图2所示的结构体200。感光性树脂层5,例如,通过使用旋涂法涂布氯化橡胶系、苯酚酚醛清漆系、聚羟基苯乙烯系、聚丙烯酸酯系等感光性树脂而形成。通过公知的照相蚀刻技术形成窗部6A,使规定部分的层间绝缘膜4露出。
蚀刻层间绝缘膜4而形成窗部6B后,除去感光性树脂层5,得到如图3所示的结构体300。层间绝缘膜4的蚀刻,可以采用使用氧气、四氟化碳等气体的干式蚀刻方法。通过该蚀刻,可以选择性除去对应于窗部6A的部分的层间绝缘膜4,得到按照第1导体层3露出的方式设置有窗部6B的层间绝缘膜4。接着,使用不会腐蚀由窗部6B露出的第1导体层3,而仅会腐蚀感光性树脂层5的蚀刻溶液,除去感光性树脂层5。
进一步,在与窗部6B对应的部分形成第2导体层7,得到如图4所示的结构体400。第2导体层7的形成,可以使用公知的照相蚀刻技术。由此,进行第2导体层7和第1导体层3的电连接。
最后,在层间绝缘膜4和第2导体层7上形成表面保护层8,得到如图5所示的半导体装置500。在本实施方式中,表面保护层8如下形成。首先,使用旋涂法,将上述实施方式中的正型感光性树脂组合物涂布在层间绝缘膜4和第2导体层7上,干燥,形成感光性树脂膜。接着,隔着描绘了与窗部6C相对应图形的掩模,对规定部分进行光照射后,使用碱水溶液进行显影,使感光性树脂膜图形化。然后,通过加热使感光性树脂膜固化,形成作为表面保护层8的膜。该表面保护层8,是保护第1导体层3和第2导体层7不受来自外部的应力、α线等影响的层,因此所得的半导体装置500的可靠性优异。
另外,在上述实施方式中,展示了具有2层配线结构的半导体装置的制造方法,而在形成3层以上的多层配线结构时,可以反复进行上述工序,来形成各层。也就是说,通过反复进行形成层间绝缘膜4的各工序、以及形成表面保护层8的各工序,可以形成多层的图形。此外,在上述例子中,不仅表面保护层8,而且层间绝缘膜4也可以使用本发明的正型感光性树脂组合物形成。
[电子部件]
接着,对本发明的电子部件进行说明。本发明的电子部件,具有通过上述制造方法所形成的抗蚀图形作为层间绝缘膜或表面保护层。上述抗蚀图形,具体来说,可以用作半导体装置的表面保护层、层间绝缘膜、或多层线路板的层间绝缘膜等。本发明的电子部件,除了具有使用上述正型感光性树脂组合物所形成的表面保护层或层间绝缘膜以外,没有特别限制,可以形成各种结构。
此外,由于上述正型感光性树脂组合物,在应力缓和性、粘接性等方面优异,因此还可以用作近年来所开发的各种结构的封装中的各种结构材料。图6和图7,表示这种半导体装置的一个例子的截面结构。
图6是表示作为半导体装置的一种实施方式的配线结构的概略截面图。图6所示的半导体装置600,具备硅芯片23、设置在硅芯片23的单面侧的层间绝缘膜11、在层间绝缘膜11上所形成的具有含有焊盘15的图形的A1配线层12、在焊盘15上形成开口并依次叠层在层间绝缘膜11和A1配线层12上的绝缘层13(例如P-SiN层)和表面保护层14、在表面保护层14上配置在开口附近的岛状的芯18、以及在绝缘层13和表面保护层14的开口内与焊盘15连接、同时在表面保护层14上延伸、且与芯18的与表面保护层14相反侧的 面相接的再配线层16。进一步,半导体装置600具备覆盖表面保护层14、芯18以及再配线层16而形成的,并且在芯18上的再配线层16的部分上形成开口的顶涂层19、在顶涂层19的开口中夹着阻挡金属20而与再配线层16连接的导电性焊球17、保持导电性焊球的环21、以及设置在导电性焊球17周围的顶涂层19上的底层填料22。导电性焊球17是用作外部连接端子,并且由焊锡、金等形成。底层填料22是为了在安装半导体装置600时缓和应力而设置的。
图7是表示作为半导体装置的一种实施方式的配线结构的概略截面图。在图7所示的半导体装置700中,在硅芯片23上形成A1配线层(未图示)以及A1配线层的焊盘15,在其上部形成绝缘层13,并进一步形成元件的表面保护层14。在焊盘15上,形成再配线层16,并且该再配线层16延伸至与导电性焊球17的连接部24的上部。进一步,在表面保护层14上,形成顶涂层19。再配线层16,隔着阻挡金属20与导电性焊球17连接。
在图6、图7的半导体装置中,上述正型感光性树脂组合物,不仅可以用作层间绝缘层11或表面保护层14,而且可以用作形成顶涂层19、芯18、环21和底层填料22等的材料。由于使用上述正型感光性树脂组合物的固化物,与A1配线层12或再配线层16等金属层以及密封剂等的粘接性优异,并且应力缓和效果也高,因此,将该固化物用于表面保护膜14、顶涂层19、芯18、焊锡等的环21、倒装芯片等中所用的底层填料12的半导体装置,可靠性极其优异。
本发明的正型感光性树脂组合物,特别适合用于图6和图7中的具有再配线层16的半导体装置的表面保护层14和/或顶涂层19。
前述表面保护层或前述顶涂层的膜厚,优选为3~20μm,并更优选为5~15μm。
如上所述,通过使用上述正型感光性树脂组合物,在以往为需要300℃以上的上述加热处理工序中,能够使用200℃以下的低温加热进行固化。在前述加热处理工序中,加热温度优选为100℃~200℃,并更优选为150℃~200℃。进一步,本发明的正型感光性树脂组合物,由于在感光性聚酰亚胺等中可以观察到的加热处理工序中的体积收缩(固化收缩)小,因此可以防止尺寸精度的 下降。正型感光性树脂组合物的固化膜,具有高玻璃化转变温度。因此,成为耐热性优异的表面保护层或顶涂层。由此,能够以良好的合格率以及高收率得到可靠性优异的半导体装置等电子部件。
以上,对本发明优选的实施方式进行了说明,但本发明并不限定于此。
实施例
以下,基于实施例具体地说明本发明,但本发明并不限定于此。
[实施例1~12,比较例1~3]
实施例1~12,比较例1~3中所用的材料,如下所述。
[(A)成分]
A1:甲酚酚醛清漆树脂(甲酚/甲醛酚醛清漆树脂,间甲酚/对甲酚(摩尔比)=60/40,聚苯乙烯换算重均分子量=12000,旭有机材工业公司制造,商品名“EP4020G”)
A2:4-羟基苯乙烯/甲基丙烯酸甲酯=50/50(摩尔比)的共聚物(聚苯乙烯换算重均分子量=10000,丸善石油化学公司制造,商品名“Maruka Lyncur CMM”)
A3:A3如以下的合成例1所述进行合成
合成例1:用具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂的合成
混合100质量份苯酚、43质量份亚麻籽油和0.1质量份三氟甲烷磺酸,在120℃下搅拌2小时,得到植物油改性酚衍生物(a)。接着,混合130g植物油改性酚衍生物(a)、16.3g多聚甲醛和1.0g草酸,在90℃下搅拌3小时。接着,升温至120℃,并在减压下搅拌3小时后,向反应液中加入29g琥珀酸酐和0.3g三乙胺,在大气压下、100℃下搅拌1小时。将反应液冷却至室温,得到作为反应生成物的用具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂(以下,称为“A3”)(酸值为120mgKOH)。该A3通过GPC法的标准聚苯乙烯换算所求出的重均分子量约为25000。
比较合成例1:不具有酚羟基的碱可溶性树脂(A4)的合成
在具有搅拌机和温度计的0.5升烧瓶中,加入4.00g4,4’-二氨基二苯基醚,并将其溶解在16.68g充分脱水的N,N-二甲基乙酰胺中,然后缓缓加入 8.88g2,2-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐。然后,在室温(25℃)下搅拌24小时,得到聚酰胺酸(聚酰亚胺前体)(以下,称为“A4”。)的溶液。
[(B)成分]
B1:1,1-双(4-羟基苯基)-1-[4-{1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基}苯基]乙烷的1-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酸酯(酯化率约为90%,AZ电子材料公司制造,商品名“TPPA528”)
B2:三(4-羟基苯基)甲烷的1-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酸酯(酯化率约为95%)
[(C)成分]
C1:六(甲氧基甲基)三聚氰胺(三和化成公司制造,商品名“NIKALACMW-30HM”,下述结构式所表示的化合物)
[化14]
C2:1,1-二{3,5-二(甲氧基甲基)-4-羟基苯基}甲烷(本州化学工业公司制造,商品名“TMOM-pp-BPF”,下述结构式所表示的化合物)
[化15]
C3:N,N’,N’’,N’’’-四(甲氧基甲基)甘脲(三和化成公司制造,商品名“NIKALAC MX-270”,下述结构式所表示的化合物)
[化16]
[(D)成分]
合成例2:丙烯酸树脂D1的合成
在具有搅拌机、氮气导入管和温度计的500ml三口烧瓶中,称取75g甲苯、75g异丙醇(IPA),加入另外称取的85g丙烯酸丁酯(BA)、24g月桂基丙烯酸酯(DDA)、14g丙烯酸(AA)、和7.9g1,2,2,6,6-五甲基哌啶-4-基甲基丙烯酸酯(商品名:FA-711MM,日立化成工业株式会社制造)的聚合性单体,以及0.13g偶氮二异丁腈(AIBN)。一边在室温下以约270rpm的搅拌转数进行搅拌,一边以400ml/分钟的流量流过30分钟氮气,除去溶解氧。然后,停止氮气的流入,密封烧瓶,并在恒温水槽中以约25分钟升温至65℃。在该温度下保持14小时,进行聚合反应,得到丙烯酸树脂D1。这时的聚合率为98%。此外,该A3通过GPC法的标准聚苯乙烯换算所求出的重均分子量(MW)约为36000。
合成例3~5:丙烯酸树脂D2~D4的合成
除了使用表1所示的聚合性单体以外,和合成例2同样地,分别合成丙烯酸树脂D2~D4。合成的丙烯酸树脂D2~D4的重均分子量示于表1。
[表1]
FA-711MM:1,2,2,6,6-五甲基哌啶-4-基甲基丙烯酸酯(日立化成工业株式会社制造)
FA-712HM:2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基甲基丙烯酸酯(日立化成工业株式会社制造)
BA:丙烯酸正丁酯
DDA:月桂基丙烯酸酯
AA:丙烯酸
X-22-2475:甲基丙烯酰改性的硅油(官能团当量:420g/mol,信越化学工业株式会社制造,下述结构式所表示的化合物)
[化17]
(上述式中,Y表示2价的有机基团,R表示1价的有机基团,m为1~10的整数。)
表1中的X-22-2475的摩尔数,由官能团当量算出。
[正型感光性树脂组合物的调制]
以表2所示的重量,配合(A)~(D)成分,并且配合作为(E)成分的 120g乳酸乙酯,作为偶联剂的脲丙基三乙氧基硅烷的50%甲醇溶液2g,然后使用3μm孔的Teflon(注册商标)过滤器对其进行加压过滤,调制实施例1~12、比较例1~3的正型感光性树脂组合物。
[正型感光性树脂组合物的评价]
(感光特性:残膜率、灵敏度、分辨率)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在硅基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚为11~13μm的涂膜。接着,通过i线步进式曝光装置(佳能公司制造,商品名“FPA-3000iW”),隔着光掩模,进行i线(365nm)的缩小投影曝光。曝光后,使用四甲基氢氧化铵(TMAH)的2.38%水溶液进行显影。显影后的残余膜厚为初期膜厚的80~99%左右。然后,用水冲洗,求出形成图形所需的最小曝光量以及开口着的正方形孔图形中最小的尺寸。以最小曝光量作为灵敏度的指标,以开口着的正方形孔图形中最小的尺寸作为分辨率的指标。结果示于表3。
此外,残膜率由下式算出。
残膜率(%)=(显影后的涂膜膜厚/显影前的涂膜膜厚)×100
(固化收缩率)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在硅基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为12~14μm的涂膜。然后,使用接近式曝光机(佳能公司制造,商品名“PLA-600FA”),并通过掩模以全波长对前述涂膜进行曝光。曝光后,使用TMAH的2.38%水溶液进行显影,得到10mm宽度的矩形图形。然后,通过以下的(i)或(ii)的方法对矩形图形进行加热处理(固化),得到膜厚约为10μm的固化膜。另外,固化条件和固化前后的膜厚的固化收缩率(=[1-(固化后的膜厚/固化前的膜厚)]×100)[%]示于表3。
(i)使用立式扩散炉(光洋热处理设备公司制,商品名“μ-TF”),在氮气中、温度175℃(升温时间为1.5小时)下,对涂膜加热处理2小时。
(ii)使用可变频型微波固化炉(Lambda Technologies公司制造,商品名“Microcure2100”),在微波功率为450W、微波频率为5.9~7.0GHz、温度为165℃(升温时间为5分钟)下加热处理2小时。
(固化膜物性:Tg、断裂伸长率、弹性模量)
将通过和上述固化收缩率的评价相同的方法所得的膜厚约为10μm的固化膜从硅基板上剥离,并使用日本精工电子有限公司制造的“TMA/SS600”测定所剥离膜的玻璃化转变温度(Tg)。测定时,试样的宽度为2mm,膜厚为9~11μm,夹盘间距为10mm。荷重为10g,升温速度为5℃/分钟。此外,通过岛津制作所公司制造的“Autograph AGS-H100N”测定固化膜的断裂伸长率(EL)和弹性模量(YM)。试样的宽度为10mm,膜厚为9~11μm,夹盘间距为20mm。拉伸速度为5mm/分钟,测定温度为室温(20℃~25℃)左右。将由相同条件下所得固化膜得到的5个以上试验片的测定值的平均值作为“平均断裂伸长率(EL)”和“弹性模量(YM)”。测定的Tg、EL和YM示于表3。Tg优选高,断裂伸长率优选大,弹性模量优选小。
(残余应力)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在5英寸硅基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为11μm的涂膜。通过上述(i)或(ii)的方法将基板上的涂膜固化。固化基板的残余应力,使用Tencor公司制造的应力测定装置(FLX-2320型)进行测定。测定温度为23℃。其结果示于表3。残余应力越小越好。
(比介电常数)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在低电阻硅基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为11μm的涂膜。通过上述(i)或(ii)的方法使基板上的涂膜固化。接着,使用真空蒸镀装置在固化膜上制作直径为2mm的铝电极。再接着,使用在横河电机公司制造的LF阻抗分析议HP4192A上连接了电介质横河电机公司制造的试验夹具HP16451的测定装置,测定铝电极与硅基板间的电容量。测定环境为室温(20℃~25℃)、湿度40~50%RH,测定频率为10kHz,偏压为-35V。由测定的电极电荷容量值和电极附近的膜厚值,求出固化膜的比介电常数。其结果示于表3。比介电常数越小越好。
(粘附性)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在基 板(在硅基板上溅射形成TiN后,进一步在该TiN上溅射形成铜的基板)上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为12~14μm的涂膜。通过上述(i)或(ii)的方法固化该涂膜,得到膜厚约为10μm的固化膜。将该固化膜与基板一起切割为小片,并借由环氧树脂层接合铝制柱螺栓和固化膜。接着,拉伸柱螺栓,测定剥离时的荷重。其结果示于表3。粘附性越大越好。
(耐热冲击性)
将实施例1~12和比较例1~3中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在形成有再配线的基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为20μm的涂膜。使用接近式曝光机(佳能公司制,商品名“PLA-600FA”),并隔着掩模以全波长对该涂膜进行曝光(800mJ/cm2)。曝光后,使用TMAH的2.38%水溶液进行显影,将形成了200μm见方的通孔的该涂膜,通过上述(i)或(ii)的方法固化,作为顶涂层膜。在开口部分中形成底层阻挡金属后,使焊锡球突起,制作具有和图7所示半导体装置相同的配线结构的测试部件。进一步,安装并密封测试部件,得到测试样品。实施测试样品的温度循环试验(-55℃~125℃,2000次循环),观察有无破裂、剥离等不良现象,并按照以下的评价基准进行评价。其结果示于表3。
a:经过2000次循环,也没有破裂、剥离等不良现象
b:1000次循环后,没有破裂、剥离等不良现象,在2000次循环后,产生破裂、剥离等不良现象
c:在1000次循环后,产生破裂、剥离等不良现象
[表2]
表2中,数值表示配合量(单位:g)。
[表3]
*:(1kgf/cm2=0.1MPa)
由表3可知,实施例1~12的正型感光性树脂组合物的灵敏度非常高。并且,由实施例1~12的正型感光性树脂组合物所形成的固化膜,都显示出15%以下的低收缩率。此外,实施例1~12的正型感光性树脂组合物,即使在175℃下固化,也显示出良好的Tg和断裂伸长率。并且,实施例1的正型感光性树脂组合物,在165℃下进行微波固化(固化条件ii)时,显示出和在175℃下进行热固化(固化条件i)时基本相同的Tg和断裂伸长率,确认了能够进一步低温固化。
此外,实施例1~12的正型感光性树脂组合物的固化膜的弹性模量是2.5GPa以下的低弹性模量。当固化膜的弹性模量低时,存在有所形成固化膜的基板的残余应力变低的倾向。由表3可知,形成了实施例1~12的正型感光性树脂组合物的固化膜的基板的残余应力低至25MPa以下。
接着,如表3所示,作为(A)成分,使用聚(羟基苯乙烯)作为(A2)成分的实施例1~5的正型感光性树脂组合物的固化膜的比介电常数为3以下,结果良好。此外,由柱螺栓拉伸试验和温度循环试验的结果可知,实施例1~12的正型感光性树脂组合物的固化膜,对于铜的粘附性也优异(450kgf/cm2 以上)。进一步,由于耐热冲击性也高,因此在温度循环试验后的测试样品中,未产生破裂、剥离等不良现象。
另一方面,不含(D)成分的比较例1~2的正型感光性树脂组合物,虽然分辨率高,但是其灵敏度低,为500mJ/cm2以上。并且,比较例1的正型感光性树脂组合物,其固化膜的断裂伸长率低至1%,并且脆,因此无法测定Tg。此外,由于固化膜的弹性模量高,因此残余应力变高。进一步,抗蚀图形对于铜的粘附性和耐热冲击性也低。
此外,使用作为不具有酚羟基的碱可溶性树脂的聚酰胺酸(聚酰亚胺前体)作为(A)成分的比较例1~3的正型感光性树脂组合物,其灵敏度、分辨率和粘附性都低。
[实施例13~27]
<正型感光性树脂组合物的调制>
作为(A)具有酚羟基的碱可溶性树脂准备A1和A3。
A1:甲酚酚醛清漆树脂(甲酚/甲醛酚醛清漆树脂,间甲酚/对甲酚(摩尔比)=60/40,聚苯乙烯换算重均分子量=13000,旭有机材工业公司制造,商品名“EP4020G”)
A3:合成例1中所得的用具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物改性的酚醛树脂
作为(B)通过光生成酸的化合物准备B1。
B1:1,1-双(4-羟基苯基)-1-[4-{1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基}苯基]乙烷的1-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酸酯(酯化率约为90%,AZ电子材料公司制造,商品名“TPPA528”)
作为(C)热交联剂准备C1~C3。
C1:六(甲氧基甲基)三聚氰胺(三和化成公司制造,商品名“NIKALAC MW-30HM”)
C2:1,1-二{3,5-二(甲氧基甲基)-4-羟基苯基}甲烷(本州化学工业公司制造,商品名“TMOM-pp-BPF”)
C3:N,N’,N’’,N’’’-四(甲氧基甲基)甘脲(三和化成公司制造,商品名“ニカラツクMX-270”)
作为(D)丙烯酸树脂准备D1和D3。
D1:合成例2中所得的丙烯酸树脂D1
D3:合成例4中所得的丙烯酸树脂D3
作为(E)成分准备E1~E4的通过热生成酸的化合物。
E1:三甲基锍甲基硫酸盐(TSMS,Fluorochem公司制造)
E2:三对甲苯基锍三氟甲烷磺酸盐(TSTMS,东京化成公司制造)
E3:三甲基锍三氟甲烷磺酸盐(MES,日立化成公司制造)
E4:吡啶鎓-对甲苯磺酸盐(PTS,日本绿化学公司制造)
准备溶剂乳酸乙酯作为溶剂成分。
[正型感光性树脂组合物的调制]
以表4、5所示的比例,配合(A)~(E)成分,并且配合作为偶联剂(粘接助剂)的脲丙基三乙氧基硅烷的50%甲醇溶液2质量份。使用3μm孔的Teflon(注册商标)过滤器对该溶液进行加压过滤,调制实施例13~23的正型感光性树脂组合物的溶液。表4中所示的各成分的配合比例的单位是质量份。
此外,不使用(E)成分,而以表5所示的比例配合(A)~(D)成分,进一步配合作为偶联剂(粘接助剂)的脲丙基三乙氧基硅烷的50%甲醇溶液2质量份。使用3μm孔的Teflon(注册商标)过滤器对该溶液进行加压过滤,调制实施例24~25的正型感光性树脂组合物的溶液。表5中所示的各成分的配合比例的单位是质量份。
[表4]
[表5]
[感光性树脂组合物的评价]
使用上述实施例13~27中所得的感光性树脂组合物的溶液,按照以下所 示的方法进行图形融化的评价。其结果示于表6。
(图形融化)
隔着分辨率评价掩模照射1000mJ/cm2后,使用2.38%TMAH水溶液进行显影。通过热板对显影后的图形进行100℃/5分钟、120℃/5分钟、150℃/5分钟的加热,比较图形的40μm正方形的形状。
图8是显影后的图形的模式截面图,图9是固化后的图形的模式截面图。图8、9中,101表示Si晶片,102表示感光性树脂组合物层,103表示由感光性树脂组合物的固化物所形成的层。在本试验中,比较显影后的图形直径d1和固化后的图形直径d2,将图形直径的变化定义为下式,并基于以下评价基准进行评价。其结果示于表6。
图形直径的变化=|固化后的图形直径-显影后的图形直径|/显影后的图形直径
A:0~10%
B:11~20%
C:21~30%
D:31%以上
(显影后残膜率)
隔着分辨率评价掩模照射1000mJ/cm2后,使用2.38%TMAH水溶液进行显影,并比较未曝光部在显影前和显影后的膜厚,将显影后残膜率定义为下式,并基于以下评价基准进行评价。
显影后残膜率=显影后的未曝光部膜厚/显影前膜厚(涂布膜厚)
A:0.95~1.0
B:0.90~0.94
C:0.80~0.89
D:0.79以下
(固化膜物性:Tg、断裂伸长率、弹性模量)
将实施例2-1~2-7、2-12、2-13中所得的正型感光性树脂组合物旋涂在硅基板上,在120℃下加热3分钟,形成膜厚约为12~14μm的涂膜。然后,使用接近式曝光机(佳能公司制造,商品名“PLA-600FA”),并通过掩 模以全波长对前述涂膜进行曝光。曝光后,使用TMAH的2.38%水溶液进行显影,得到10mm宽度的矩形图形。然后,将矩形图形,使用立式扩散炉(光洋热处理设备公司制,商品名“μ-TF”),在氮气中、温度175℃(升温时间为1.5小时)下,对涂膜加热处理(固化)2小时,得到膜厚约为10μm的固化膜。
将通过上述方法所得的膜厚约为10μm的固化膜从硅基板上剥离,并使用日本精工电子有限公司制造的“TMA/SS600”测定所剥离膜的玻璃化转变温度(Tg)。测定时,试样的宽度为2mm,膜厚为9~11μm,夹盘间距为10mm。荷重为10g,升温速度为5℃/分钟。此外,通过岛津制作所公司制造的“Autograph AGS-H100N”测定固化膜的断裂伸长率(EL)和弹性模量(YM)。试样的宽度为10mm,膜厚为9~11μm,夹盘间距为20mm。拉伸速度为5mm/分钟,测定温度为室温(20℃~25℃)左右。将由相同条件下所得固化膜得到的5个以上试验片的测定值的平均值作为“平均断裂伸长率(EL)”和“弹性模量(YM)”。测定的Tg、EL和YM示于表6。
[表6]
由表6可知,实施例13~23、26和27的正型感光性树脂组合物抑制了图形融化。此外可以确认,实施例13~23、26和27的正型感光性树脂组合物,即使加入了通过热生成酸的化合物,其膜物性也具有和实施例24、25所表示的未加入通过热生成酸的化合物的材料相同的特性。
工业实用性
本发明的正型感光性树脂组合物,可以用于形成电子器件上所搭载的半导体元件的表面保护层和层间绝缘膜,以及半导体封装的再配线层。
符号说明
1为半导体基板、2为保护膜、3为第1导体层、4为层间绝缘膜、5为感光性树脂层、6A,6B,6C为窗部、7为第2导体层、8为表面保护层、11为层间绝缘膜、12为配线层、12为底层填料、13为绝缘层、14为表面保护层、15为焊盘、16为再配线层、17为导电性球、18为芯、19为顶涂层、20为阻挡金属、21为环、22为底层填料、23为硅芯片、24为连接部、100,200,300,400为结构体、101为Si晶片、102为感光性树脂组合物层、103为由感光性树脂组合物的固化物形成的层、500为半导体装置、600为半导体装置、700为半导体装置。
Claims (22)
2.如权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中所述丙烯酸树脂具有所述通式(1)所表示的结构单元和所述通式(2)所表示的结构单元。
3.如权利要求1所述的正型感光性树脂组合物,其中所述丙烯酸树脂具有所述通式(1)所表示的结构单元、所述通式(2)所表示的结构单元和所述通式(3)所表示的结构单元。
4.如权利要求1~3任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中所述具有酚羟基的碱可溶性树脂为酚醛树脂。
5.如权利要求1~4任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中所述具有酚羟基的碱可溶性树脂包含不具有不饱和烃基的酚醛树脂和具有不饱和烃基的改性酚醛树脂。
6.如权利要求5所述的正型感光性树脂组合物,其中所述具有不饱和烃基的改性酚醛树脂进一步通过酚羟基和多元酸酐的反应而改性。
7.如权利要求5或6所述的正型感光性树脂组合物,其中所述具有不饱和烃基的改性酚醛树脂是通过具有碳数为4~100的不饱和烃基的化合物进行了改性的酚醛树脂。
8.如权利要求5~7任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中所述不具有不饱和烃基的酚醛树脂的质量MA1和所述具有不饱和烃基的改性酚醛树脂的质量MA2的比MA1/MA2为5/95~95/5。
9.如权利要求1~8任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中所述通过光生成酸的化合物为邻醌二叠氮化合物。
10.如权利要求1~9任一项所述的正型感光性树脂组合物,其中相对于所述具有酚羟基的碱可溶性树脂的含有量100质量份,所述通过光生成酸的化合物的含有量为3~100质量份。
11.如权利要求1~10任一项所述的正型感光性树脂组合物,其进一步含有通过热生成酸的化合物。
13.如权利要求1~12任一项所述的正型感光性树脂组合物,其进一步含有弹性体。
14.一种抗蚀图形的制造方法,其具有:
将使用权利要求1~13任一项所述的正型感光性树脂组合物而形成的感光性树脂膜曝光的工序、
使用碱水溶液对曝光后的所述感光性树脂膜进行显影以使其图形化的工序、和
对图形化的所述感光性树脂膜进行加热的工序。
15.如权利要求14所述的抗蚀图形的制造方法,其包含在200℃以下对图形化的所述感光性树脂膜进行加热的工序。
16.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为层间绝缘膜或表面保护层。
17.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为顶涂层。
18.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为再配线层用的芯。
19.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为用于支持作为外部连接端子的导电性球的环。
20.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为底层填料。
21.一种半导体装置,具有通过权利要求14或15所述的抗蚀图形的制造方法所形成的抗蚀图形作为再配线层用的表面保护层和/或顶涂层。
22.一种电子设备,具有权利要求16~21任一项所述的半导体装置。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008334127 | 2008-12-26 | ||
JP2008-334127 | 2008-12-26 | ||
JP2009-110997 | 2009-04-30 | ||
JP2009110997 | 2009-04-30 | ||
JP2009244379 | 2009-10-23 | ||
JP2009-244379 | 2009-10-23 | ||
CN2009801518528A CN102257431B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-16 | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801518528A Division CN102257431B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-16 | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103091987A true CN103091987A (zh) | 2013-05-08 |
CN103091987B CN103091987B (zh) | 2016-11-23 |
Family
ID=42287563
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310016907.2A Active CN103091987B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-16 | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 |
CN2009801518528A Active CN102257431B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-16 | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801518528A Active CN102257431B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-16 | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8461699B2 (zh) |
EP (1) | EP2372457B1 (zh) |
JP (2) | JP5158212B2 (zh) |
KR (2) | KR101398754B1 (zh) |
CN (2) | CN103091987B (zh) |
DE (1) | DE202009018857U1 (zh) |
SG (1) | SG172756A1 (zh) |
TW (1) | TWI461851B (zh) |
WO (1) | WO2010073948A1 (zh) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398754B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2014-05-27 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 레지스트 패턴의 제조 방법, 반도체 장치 및 전자 디바이스 |
JP5504824B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-05-28 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びその形成方法 |
JP5630374B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2014-11-26 | 信越化学工業株式会社 | マイクロ構造体の製造方法及び光パターン形成性犠牲膜形成用組成物 |
US20110309481A1 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Rui Huang | Integrated circuit packaging system with flip chip mounting and method of manufacture thereof |
JP5915532B2 (ja) | 2010-09-16 | 2016-05-11 | 日立化成株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子部品 |
JP5903831B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2016-04-13 | ナガセケムテックス株式会社 | 基板表面保護膜用組成物及び基板の製造方法 |
US8932796B2 (en) * | 2011-11-10 | 2015-01-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof |
SG11201401963QA (en) * | 2011-12-13 | 2014-09-26 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition, method for manufacturing patterned cured film, and electronic component |
JP2013130816A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Nippon Zeon Co Ltd | 永久膜用樹脂組成物及び電子部品 |
JP2013134346A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 |
WO2013118680A1 (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-15 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
WO2013122208A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP2013228416A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム |
US8957694B2 (en) | 2012-05-22 | 2015-02-17 | Broadcom Corporation | Wafer level package resistance monitor scheme |
SG11201503340XA (en) | 2012-10-31 | 2015-06-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, semiconductor element and electronic device |
JP2014103253A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | プライマー、パターン硬化膜の製造方法、パターン硬化膜及び半導体素子 |
US9403977B2 (en) * | 2012-12-12 | 2016-08-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition and photosensitive film using same |
US10324375B2 (en) | 2012-12-27 | 2019-06-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, photosensitive film, and method for forming resist pattern |
KR101562494B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2015-10-21 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 적층체, 도전성 패턴, 전기 회로 및 적층체의 제조 방법 |
JP6116954B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-04-19 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物及び硬化レリーフパターンの製造方法 |
JP6255740B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2018-01-10 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、表示体装置、およびポジ型感光性樹脂組成物の製造方法 |
JP6270024B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2018-01-31 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、それを用いる半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP6147218B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2017-06-14 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機el表示装置、タッチパネル表示装置 |
JP2016177027A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた形成したパターン硬化膜、及び該パターン硬化膜を撥インク性バンク膜として備える有機el用表示装置 |
JP6982786B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2021-12-17 | 東レ株式会社 | 感光性フィルム |
JP6513596B2 (ja) * | 2016-04-04 | 2019-05-15 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 |
US10189188B2 (en) * | 2016-05-20 | 2019-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanoimprint lithography adhesion layer |
KR102522475B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-04-18 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물, 프린트 배선판 및 반도체 소자 |
SG11201909393SA (en) * | 2017-05-10 | 2019-11-28 | Hitachi Chemical Co Ltd | Positive-type photosensitive resin composition, thermal crosslinking agent for positive-type photosensitive resins, patterned cured film and method for producing same, semiconductor element, and electronic device |
JP2018028690A (ja) * | 2017-10-31 | 2018-02-22 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品 |
US10665545B2 (en) * | 2018-09-19 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices, semiconductor packages and methods of forming the same |
KR102499391B1 (ko) * | 2019-12-31 | 2023-02-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 초박막 형성이 가능한 레지스트 하층막 조성물 |
KR20220145837A (ko) | 2020-02-26 | 2022-10-31 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 조성물의 선별 방법, 패턴 경화막의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2021260944A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び半導体素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1128362A (zh) * | 1994-11-15 | 1996-08-07 | 赫司特日本有限公司 | 光敏树脂组合物 |
CN1864099A (zh) * | 2002-01-23 | 2006-11-15 | 捷时雅株式会社 | 正型感光性绝缘树脂组合物及其固化产物 |
WO2007006666A1 (de) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Vakuum-drehschieberpumpe |
JP2007128067A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト組成物及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
EP1903393A2 (en) * | 2006-09-25 | 2008-03-26 | FUJIFILM Corporation | Curable composition, color filter and manufacturing method thereof |
CN101281371A (zh) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | 东进世美肯株式会社 | 光敏性糊剂组合物及用其形成等离子体显示屏障壁的方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL177718C (nl) | 1973-02-22 | 1985-11-01 | Siemens Ag | Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren. |
JPS59108031A (ja) | 1982-12-13 | 1984-06-22 | Ube Ind Ltd | 感光性ポリイミド |
US4571374A (en) * | 1984-12-27 | 1986-02-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multilayer dry-film positive-acting laminable photoresist with two photoresist layers wherein one layer includes thermal adhesive |
JP4098964B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2008-06-11 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
EP1471540A4 (en) * | 2002-01-28 | 2009-09-23 | Jsr Corp | COMPOSITION FOR FORMING A LIGHT-SENSITIVE DIELECTRIC MATERIAL, TRANSFER FILM, DIELECTRIC MATERIAL AND ELECTRONIC PARTS THEREWITH |
JP4576797B2 (ja) | 2002-03-28 | 2010-11-10 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれよりなる絶縁膜、半導体装置、及び有機電界発光素子 |
US7022790B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-04-04 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Photosensitive compositions based on polycyclic polymers |
JP2004190008A (ja) | 2002-11-08 | 2004-07-08 | Toray Ind Inc | 樹脂組成物とそれを用いた絶縁膜、半導体装置及び有機電界発光素子 |
JP4552584B2 (ja) | 2004-10-01 | 2010-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 平坦化樹脂層、並びにそれを有する半導体装置及び表示体装置 |
CN1904736B (zh) * | 2005-07-25 | 2012-06-13 | 日产化学工业株式会社 | 正型感光性树脂组合物和由其得到的固化膜 |
CN102520580A (zh) * | 2005-08-30 | 2012-06-27 | 日立化成工业株式会社 | 光阻图案的形成方法 |
TW200739265A (en) * | 2005-12-06 | 2007-10-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Positive photoresist composition and method of forming photoresist pattern using the same |
JP4840068B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及び感光性エレメント |
KR101378692B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2014-03-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는회로 기판 |
JP5127245B2 (ja) | 2007-01-29 | 2013-01-23 | 株式会社Adeka | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP5061703B2 (ja) | 2007-04-25 | 2012-10-31 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP5067028B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2012-11-07 | 日立化成工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子デバイス |
JP5176768B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-04-03 | Jsr株式会社 | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物 |
US8426985B2 (en) | 2008-09-04 | 2013-04-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, method for producing resist pattern, and electronic component |
KR101398754B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2014-05-27 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 레지스트 패턴의 제조 방법, 반도체 장치 및 전자 디바이스 |
-
2009
- 2009-12-16 KR KR1020137016531A patent/KR101398754B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-16 WO PCT/JP2009/070987 patent/WO2010073948A1/ja active Application Filing
- 2009-12-16 KR KR1020117008274A patent/KR101397771B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-16 DE DE202009018857.4U patent/DE202009018857U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2009-12-16 EP EP09834751.1A patent/EP2372457B1/en active Active
- 2009-12-16 CN CN201310016907.2A patent/CN103091987B/zh active Active
- 2009-12-16 SG SG2011037165A patent/SG172756A1/en unknown
- 2009-12-16 JP JP2010544019A patent/JP5158212B2/ja active Active
- 2009-12-16 US US13/142,057 patent/US8461699B2/en active Active
- 2009-12-16 CN CN2009801518528A patent/CN102257431B/zh active Active
- 2009-12-24 TW TW098144789A patent/TWI461851B/zh active
-
2012
- 2012-09-07 JP JP2012197664A patent/JP5494766B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1128362A (zh) * | 1994-11-15 | 1996-08-07 | 赫司特日本有限公司 | 光敏树脂组合物 |
CN1864099A (zh) * | 2002-01-23 | 2006-11-15 | 捷时雅株式会社 | 正型感光性绝缘树脂组合物及其固化产物 |
WO2007006666A1 (de) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Vakuum-drehschieberpumpe |
JP2007128067A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトレジスト組成物及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
EP1903393A2 (en) * | 2006-09-25 | 2008-03-26 | FUJIFILM Corporation | Curable composition, color filter and manufacturing method thereof |
CN101281371A (zh) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | 东进世美肯株式会社 | 光敏性糊剂组合物及用其形成等离子体显示屏障壁的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2372457A4 (en) | 2012-09-05 |
DE202009018857U1 (de) | 2014-01-09 |
SG172756A1 (en) | 2011-08-29 |
TW201033736A (en) | 2010-09-16 |
CN102257431A (zh) | 2011-11-23 |
CN103091987B (zh) | 2016-11-23 |
JP5494766B2 (ja) | 2014-05-21 |
JP5158212B2 (ja) | 2013-03-06 |
KR20130086258A (ko) | 2013-07-31 |
EP2372457B1 (en) | 2014-11-26 |
KR101397771B1 (ko) | 2014-05-20 |
EP2372457A1 (en) | 2011-10-05 |
JP2013015856A (ja) | 2013-01-24 |
KR101398754B1 (ko) | 2014-05-27 |
WO2010073948A1 (ja) | 2010-07-01 |
CN102257431B (zh) | 2013-06-26 |
KR20110050740A (ko) | 2011-05-16 |
US8461699B2 (en) | 2013-06-11 |
JPWO2010073948A1 (ja) | 2012-06-14 |
US20110254178A1 (en) | 2011-10-20 |
TWI461851B (zh) | 2014-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102257431B (zh) | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法、半导体装置以及电子器件 | |
CN101855596B (zh) | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制法、半导体装置及电子设备 | |
CN102132212B (zh) | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法以及电子部件 | |
CN103097954A (zh) | 正型感光性树脂组合物、抗蚀图形的制造方法和电子部件 | |
KR102015682B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 패턴 경화막의 제조 방법 및 전자 부품 | |
TWI693468B (zh) | 感光性樹脂組成物及電子零件 | |
JP5904211B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP2012226044A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、半導体装置及び電子デバイス | |
JP5239446B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法及び電子部品 | |
WO2017073481A1 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、層間絶縁膜、半導体保護膜、半導体装置の製造方法、半導体電子部品および半導体装置 | |
TW202244036A (zh) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、電子零件、天線元件、半導體封裝及化合物 | |
TWI791518B (zh) | 感光性樹脂組合物 | |
JP2014010156A (ja) | 感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
KR20140073759A (ko) | 광가교성 수지 조성물, 이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2 Applicant after: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd. |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2 Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd. Address before: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2 Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |