CN102971675A - 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 - Google Patents

Abstract

电子照相感光构件的底涂层包含具有特定重复结构单元的聚合物，以提供抑制正重影的电子照相感光构件，以及具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

Description

电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件以及具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

背景技术

在电子照相感光构件中，由于使用有机光导电性材料的那些具有良好的成膜性并能够通过涂布来生产，因此具有能够提供具有高生产率和廉价的电子照相感光构件的优点。

虽然电子照相感光构件根据当其表面充电时的电荷极性而被广泛地分为正带电性电子照相感光构件和负带电性电子照相感光构件，但是在使用有机光导电性材料的电子照相感光构件的情况中，其更多为负带电性电子照相感光构件。

虽然电子照相感光构件通常具有支承体和形成于支承体上的感光层，但是对于负带电性电子照相感光构件的感光层，使用包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层(以下，也简单称作“感光层”)。包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层包括从支承体上依次设置含有电荷产生材料的电荷产生层和含有空穴输送材料的空穴输送层的感光层，和电荷产生材料和空穴输送材料包含于相同层中的感光层。

如果将感光层(电荷产生层)直接设置于支承体上，则产生感光层(电荷产生层)的剥落并将支承体表面上的缺陷(形状缺陷例如裂纹(flaw)或材料缺陷例如杂质)原样反映到图像上，并且一些情况中产生图像缺陷例如黑点和空白区域。

为了解决这些问题，在许多电子照相感光构件中，将称为底涂层的层(也称为中间层)设置于感光层和支承体之间。

然而，在一些情况中观察到被认为是由底涂层引起的电子照相感光构件特性的劣化。

然后，常规地进行尝试以通过使电子输送材料包含于底涂层中从而将底涂层转变为电子输送层来改善底涂层的特性(专利文献1和2)。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开2001-83726

专利文献2：日本专利申请特开2003-345044

发明内容

发明要解决的问题

近年来，对于电子照相图像品质的要求与日俱增。例如，对于正重影的可接受范围已明显变得严格。正重影指在一张纸上形成图像的过程中在电子照相感光构件的随后旋转时光照射区域变为半色调图像的情况中，仅光照射区域的浓度变高的现象。

关于正重影的抑制(降低)，上述常规方法仍具有改进的余地。

本发明的目的是提供正重影被抑制的电子照相感光构件，和具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

用于解决问题的方案

作为深入研究的结果，本发明人已发现使具有特定结构的聚合物包含于电子照相感光构件的底涂层中允许实现以高水平抑制正重影。

即，本发明提供具有支承体、形成于所述支承体上的底涂层和形成于所述底涂层上并包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层的电子照相感光构件，

其中，所述底涂层包含具有由下式(1)表示的重复结构单元的聚合物，条件是从具有由下式(1)表示的重复结构单元的聚合物排除进一步具有由下式(2)表示的重复结构单元的聚合物：

其中，式(1)和(2)中，Z¹至Z⁴各自独立地表示单键、亚烷基、亚芳基、用烷基取代的亚芳基、或亚芳烷基(aralkylene)；W¹至W⁴各自独立地表示单键、氨基甲酸酯键、或脲键；B¹表示用羧基或磺酸基取代的亚芳基、用羧基和烷基取代的亚芳基、或用羧基或磺酸基取代的亚烷基；B²表示亚芳基，亚烷基，亚芳烷基，用烷基、卤素原子、氰基或硝基取代的亚芳基，用卤素原子、氰基或硝基取代的亚烷基，用烷基、卤素原子、氰基或硝基取代的亚芳烷基，由醚(ether)或磺酰基(sulfonyl)中断(interrupted)的亚芳基，或由醚中断的亚烷基；A¹和A²各自独立地表示由任意下式(A-1)至(A-8)表示的二价基团：

其中，式(A-1)中，R¹⁰¹至R¹⁰⁴各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，或键合位点；R¹⁰⁵和R¹⁰⁶各自独立地表示芳基、用烷基或卤素原子取代的芳基、烷基、或键合位点；条件是R¹⁰¹至R¹⁰⁶中的两个各自为键合位点；

式(A-2)中，R²⁰¹至R²⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，或键合位点；R²⁰⁹和R²¹⁰各自独立地表示氢原子、芳基、用烷基或卤素原子取代的芳基、烷基、或键合位点；条件是R²⁰¹至R²¹⁰中的两个各自为键合位点；

式(A-3)中，R³⁰¹至R³⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；R³⁰⁹表示氧原子、或二氰基亚甲基(dicyanomethylene)；R³¹⁰和R³¹¹各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R³¹⁰为氮原子的情况中，R³⁰⁴不存在，和在R³¹¹为氮原子的情况中，R³⁰⁵不存在；条件是R³⁰¹至R³⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-4)中，R⁴⁰¹至R⁴⁰⁶各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；和R⁴⁰⁷表示氧原子、或二氰基亚甲基；条件是R⁴⁰¹至R⁴⁰⁶中的两个各自为键合位点；

式(A-5)中，R⁵⁰¹至R⁵⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；R⁵⁰⁹和R⁵¹⁰各自独立地表示氧原子、或二氰基亚甲基；R⁵¹¹和R⁵¹²各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁵¹¹为氮原子的情况中，R⁵⁰¹不存在，和在R⁵¹²为氮原子的情况中，R⁵⁰⁵不存在；条件是R⁵⁰¹至R⁵⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-6)中，R⁶⁰¹至R⁶⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，羰酸酯基，或键合位点；R⁶¹⁰和R⁶¹¹各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁶¹⁰为氮原子的情况中，R⁶⁰⁴不存在，和在R⁶¹¹为氮原子的情况中，R⁶⁰⁵不存在；和R⁶⁰⁹表示二氰基亚甲基；条件是R⁶⁰¹至R⁶⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-7)中，R⁷⁰¹至R⁷¹³各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，羰酸酯基，或键合位点；R⁷¹⁴和R⁷¹⁵各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁷¹⁴为氮原子的情况中，R⁷⁰⁴不存在，和在R⁷¹⁵为氮原子的情况中，R⁷⁰⁵不存在；条件是R⁷⁰¹至R⁷¹³中的两个各自为键合位点；和

式(A-8)中，R⁸⁰¹至R⁸⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；条件是R⁸⁰¹至R⁸⁰⁸中的两个各自为键合位点。

卤素原子的实例包括氟原子、氯原子和溴原子。烷基的实例包括甲基、乙基、丙基和丁基。卤代烷基的实例包括三氟甲基。芳基的实例包括苯基、萘基和联苯基。亚烷基的实例包括亚甲基、亚乙基、亚丙基和亚丁基。亚芳基的实例包括亚苯基、亚萘基和亚联苯基(biphenylylene)。亚芳烷基(也称作亚烷芳基(alkarylene))指通过结合亚烷基和亚芳基制得的二价基团，并且其实例包括通过将亚甲基、亚乙基、亚丙基或亚丁基与亚苯基、亚萘基或亚联苯基结合制得的基团。

本发明还提供处理盒，其特征在于一体化地支承电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置，并且可拆卸地安装到电子照相设备的主体。

本发明进一步提供电子照相设备，其特征在于具有电子照相感光构件以及充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。

发明的效果

本发明可提供抑制正重影的电子照相感光构件，和具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

关于具有包含具有由上式(1)表示的重复结构单元的聚合物的底涂层的电子照相感光构件具有抑制正重影的优异效果的原因，本发明人推测如下。

即，具有由上式(1)表示的重复结构单元的聚合物为具有下述结构的聚合物，所述结构中具有电子输送性的部位或部分(-Z¹-A¹-Z²-，尤其是A¹)和不具有电子输送性并含有羧基或磺酸基的部位或部分(-W¹-B¹-W²-，尤其是B¹)交替存在。在该聚合物中，具有电子输送性的结构不是相对不均匀地分布。羧基或磺酸基之间的相互作用使具有电子输送性的结构充分地排列于包含该聚合物的底涂层中。本发明人推测该结构可提供抑制正重影的优异效果。

参考附图从示例性实施方案的以下说明中，本发明的进一步特征将变得显而易见。

附图说明

图1为说明具有配置有根据本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构的图。

图2为说明重影评价用图像(重影评价用打印物)的图。

图3为说明单点桂马(类似于国际象棋中马的移动)图案图像的图。

具体实施方式

根据本发明的电子照相感光构件具有支承体、形成于所述支承体上的底涂层和形成于所述底涂层上并包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层。

[支承体]

期望支承体为具有导电性的支承体(导电性支承体)，并且其实例包括由金属或合金例如铝、镍、铜、金和铁制成的支承体，和金属例如铝、银和金，或导电性材料例如氧化铟和氧化锡的薄膜形成于如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺或玻璃的绝缘性支承体上的支承体。

为了改善电特性和抑制在照射相干光例如半导体激光时易于产生的干涉条纹，可将支承体的表面进行电化学处理例如阳极氧化，以及例如湿式珩磨、喷砂和切削等处理。

[底涂层]

本发明中，将底涂层设置于支承体上，所述底涂层包含具有由上式(1)表示的重复结构单元的聚合物，条件是从具有由上式(1)表示的重复结构单元的聚合物排除进一步具有由上式(2)表示的重复结构单元。下文中，聚合物还称作“根据本发明的聚合物”。

在底涂层中根据本发明的聚合物的含量相对于底涂层的总质量期望地为50质量%以上且100质量%以下，并更期望为80质量%以上且100质量%以下。

以下，将示出式(1)和(2)中Z¹至Z⁴的具体实例。此处，上式(1)和(2)中的左右方向与表1-1中各基团的左右方向相同。

表1-1

以下，将示出式(1)和(2)中W¹和W²除单键之外的具体实例。此处，式(1)和(2)中的左右方向与表1-2中各基团的左右方向相同。

表1-2

以下，将示出式(1)中B¹的具体实例。此处，上式(1)的左右方向与表1-3中各基团的左右方向相同。

表1-3

以下，将示出式(1)中A¹(由上式(A-1)至(A-8)之一表示的二价基团)的具体实例。此处，式(1)和(2)的左右方向与表3-1至3-8中各基团的左右方向相同。

表3-1至3-8中，“bo”指键合位点，“H”指氢原子，“Cl”指氯原子，“N”指氮原子，“O”指氧原子，“C”指碳原子，“dcyme”指二氰基亚甲基，“me”指甲基，“et”指乙基，“che”指环己基，“cy”指氰基，“ni”指硝基，“ph”指苯基，“4flph”4-氟苯基，“pflph”指全氟苯基，“4clph”指4-氯苯基，“4meph”指4-甲苯基，“3me4flph”指3-甲基-4-氟苯基，“4tflmeph”指4-(三氟甲基)苯基，“4cyph”指4-氰基苯基，“2niph”指2-硝基苯基，和“3niph”指3-硝基苯基。

表3-1

(A-1)

R101

R102

R103

R104

R105

R106

A101

H

H

H

H

bo

bo

A102

H

ph

ph

H

bo

bo

A103

H

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H

bo

bo

A104

H

pflph

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H

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bo

A105

H

4cyph

H

H

bo

bo

A106

H

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H

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bo

A107

H

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4tflmeph

H

bo

bo

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H

me

me

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bo

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H

cy

cy

H

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bo

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H

bo

bo

H

ph

ph

A111

H

bo

bo

H

4meph

4meph

A112

H

bo

bo

H

pflph

pflph

A113

H

bo

bo

H

me

me

A114

H

bo

bo

H

che

che

表3-2

(A-2)

R201

R202

R203

R204

R205

R206

R207

R208

R209

R210

A201

H

H

H

H

H

H

H

H

bo

bo

A202

H

ph

H

H

H

ph

H

H

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bo

A202

H

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H

H

H

3niph

H

H

bo

bo

A203

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H

H

H

pflph

H

H

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bo

A204

H

4cyph

H

H

H

4cyph

H

H

bo

bo

A205

H

4meph

H

H

H

4meph

H

H

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bo

A206

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4tflmeph

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H

H

4tflmeph

H

H

bo

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H

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H

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A207

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H

H

H

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A208

H

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H

H

H

C1

H

H

bo

bo

A209

H

bo

H

H

H

bo

H

H

3me4flph

che

表3-3

(A-3)

R301

R302

R303

R304

R305

R306

R307

R308

R309

R310

R311

A301

H

H

bo

H

H

bo

H

H

O

C

C

A302

H

bo

H

H

ni

H

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A303

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H

H

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A304

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H

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A305

H

H

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H

H

bo

H

H

dcyme

C

C

A306

H

bo

H

H

H

H

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C

C

A307

H

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H

H

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N

A308

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A309

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H

H

H

H

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N

N

A310

H

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H

H

H

H

bo

2niph

O

N

N

A311

4flph

bo

H

H

H

H

bo

4flph

O

N

N

表3-4

(A-4)

R401

R402

R403

R404

R405

R406

R407

A401

H

H

bo

bo

H

H

O

A402

H

H

bo

bo

H

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O

A403

H

H

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bo

H

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O

A404

H

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H

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bo

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H

bo

H

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bo

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A406

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bo

H

H

bo

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H

bo

H

H

bo

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O

A408

H

bo

H

H

bo

et

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A409

H

H

bo

bo

H

cy

O

A410

H

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H

bo

H

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A411

H

H

bo

bo

H

H

dcyme

A412

H

bo

H

H

bo

H

dcyme

表3-5

(A-5)

R501

R502

R503

R504

R505

R506

R507

R508

R509

R510

R511

R512

A501

H

H

bo

H

H

H

bo

H

O

O

C

C

A502

bo

H

H

bo

H

H

H

H

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O

C

C

A503

bo

H

H

bo

ph

H

H

ph

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O

C

C

A504

bo

H

H

bo

4flph

H

H

4flph

O

O

C

C

A505

bo

H

H

bo

3niph

H

H

3niph

O

O

C

C

A506

bo

H

H

bo

4cyph

H

H

4cyph

O

O

C

C

A507

bo

H

H

bo

4meph

H

H

4meph

O

O

C

C

A508

bo

H

H

bo

4tflmeph

H

H

4tflmeph

O

O

C

C

A509

bo

me

me

bo

H

H

H

H

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O

C

C

A510

bo

cy

cy

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H

H

H

H

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O

C

C

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bo

C1

C1

bo

H

H

H

H

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C

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A512

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H

H

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F

F

F

F

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O

C

C

A513

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H

H

ni

bo

H

H

ni

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O

C

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A514

-

H

bo

H

-

H

bo

H

O

O

N

N

A515

H

H

bo

H

H

H

bo

H

dcyme

dcyme

C

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A516

bo

H

H

H

bo

H

H

H

dcyme

dcyme

C

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A517

H

H

bo

H

H

H

bo

H

dcyme

dcyme

N

N

表3-6

(A-6)

R601

R602

R603

R604

R605

R606

R607

R608

R609

R610

R611

A601

H

bo

H

ph

ph

H

bo

H

O

C

C

A602

H

bo

H

4flph

4flph

H

bo

H

O

C

C

A603

H

bo

H

3niph

3niph

H

bo

H

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C

C

A604

H

bo

H

4cyph

4cyph

H

bo

H

O

C

C

A605

H

bo

H

4meph

4meph

H

bo

H

O

C

C

A606

H

bo

H

me

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H

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H

H

H

H

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H

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N

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A611

H

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H

H

H

H

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H

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H

bo

H

H

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H

bo

H

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C

C

A613

H

bo

H

H

H

H

bo

H

dcyme

N

N

表3-7

(A-7)

R701

R702

R703

R704

R705

R706

R707

R708

R709

R710

R711

R712

R713

R714

R715

A701

H

H

H

H

H

H

H

H

H

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H

bo

H

C

C

A702

H

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H

ph

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H

H

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A703

H

H

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4flph

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H

H

H

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H

bo

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A704

H

H

H

3niph

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H

H

H

H

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H

bo

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C

C

A705

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H

H

4cyph

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H

H

H

H

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H

bo

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C

C

A706

H

H

H

4meph

4meph

H

H

H

H

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H

bo

H

C

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A707

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H

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4tflmeph

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H

H

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H

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H

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H

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H

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H

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H

H

H

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A716

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H

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H

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N

N

A717

H

H

H

H

H

H

H

H

H

bo

H

bo

H

N

N

表3-8

A-8

R801

R802

R803

R804

R805

R806

R807

R808

A801

bo

H

H

H

bo

H

H

H

A802

bo

H

H

H

H

H

H

bo

A803

bo

H

H

ph

ph

H

H

bo

A804

bo

H

H

4flph

4flph

H

H

bo

A805

bo

H

H

3niph

3niph

H

H

bo

A806

bo

H

H

4cyph

4cyph

H

H

bo

A807

bo

H

H

4meph

4meph

H

H

bo

A808

bo

H

H

4tflmeph

4tflmeph

H

H

bo

A809

bo

H

H

et

bo

H

H

et

A810

bo

H

H

H

ni

H

H

bo

A811

bo

H

H

cy

cy

H

H

bo

A812

bo

H

H

Cl

Cl

H

H

bo

以下，将示出由式(1)表示的重复结构单元的具体实例。此处，式(1)的左右方向与表4-1至表4-4中各基团的左右方向相同。表4-1至4-4中，“bo”指键合位点。

表4-1

表4-2

表4-3

表4-4

为了增强成膜性和电特性，除根据本发明的聚合物之外，底涂层还可包含其它树脂、交联剂、有机颗粒、无机颗粒和流平剂等。此处，其在底涂层中的含量相对于底涂层的总质量期望为小于50质量%，并更期望小于20质量%。

根据本发明的聚合物可进一步具有除了由上式(1)表示的重复结构单元之外的重复结构单元，条件是从具有由上式(1)表示的重复结构单元的聚合物排除进一步具有由上式(2)表示的重复结构单元的聚合物。此处，由上式(1)表示的重复结构单元在根据本发明的聚合物中的比例相对于聚合物中总的重复结构单元期望为50摩尔%以上且100摩尔%以下，并更期望为70摩尔%以上且100摩尔%以下。

以下，将示出除了由上式(1)表示的重复结构单元之外的重复结构单元的具体实例。

根据本发明的聚合物的重均分子量(Mw)期望在5,000至15,000的范围内。

为了形成根据本发明的聚合物的上式(1)中W¹的结构，可使用例如以下反应工艺。

在W¹为氨基甲酸酯键的情况中，可例如通过使具有羟基的化合物与具有异氰酸酯基的化合物反应来形成氨基甲酸酯键(“FUNDAMENTAL AND APPLICATION OF POLYURETHAN”，由CMC Publishing Co.,Ltd.出版，第3页(1986)，日语)。

在W¹为脲键的情况中，可例如通过使具有氨基的化合物与具有异氰酸酯基的化合物反应来形成脲键(“SYNTHE SIS ANDREACTION OF POLYMER(2)”，由Kyoritsu Shuppan Co.,Ltd.出版，第326页(1991)，日语)。

在W¹为单键的情况中，可例如通过使用卤化材料和硼酸衍生物作为原料并使用钯催化剂(例如，四三苯基膦钯(tetrakistriphenylphosphine palladium)在碱性条件下偶联反应来形成单键(Angew.Chem.Int.Ed.2005,44,4442)。还已知通过其它类型的反应来生产单键。

根据本发明的聚合物可通过具有可聚合官能团例如氨基、羟基、异氰酸酯基、卤素基团、硼酸基团和羧酸酐基团的化合物之间的聚合来合成。在以该方式合成聚合物的情况中，需要制备具有可聚合官能团和对应于A¹的骨架的化合物以及具有可聚合官能团和对应于B¹的骨架的化合物，并使用制备的化合物进行形成W¹的单键、氨基甲酸酯键或脲键的聚合反应。

具有(A-1)结构作为主骨架的衍生物(意思是具有可聚合官能团和对应于上式(A-1)的骨架的化合物)可例如通过使用美国专利4,442,193、美国专利4,992,349、美国专利5,468,583和Chemistry of materials,Vol.19,No.11,2703-2705(2007)中所述的合成方法来合成。化合物可例如通过萘四羧酸二酐与单胺衍生物(它们作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.和Johnson Matthey Japan Inc.)的反应来合成。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-1)的骨架，之后将可聚合官能团引入骨架的方法，和另外地，使用具有可聚合官能团、作为可聚合官能团前体的官能团、或能够键合至具有可聚合官能团的另外的化合物的官能团的萘四羧酸二酐衍生物或单胺衍生物的方法。

还存在直接通过使萘四羧酸二酐衍生物与二胺衍生物反应合成根据本发明的聚合物的方法。在该情况中，上式(1)中的Z¹、Z²和W¹为单键。

具有(A-2)结构作为主骨架的衍生物可以例如通过使用Journal of the American chemical society Vol.129,No.49,15259-78(2007)中所述的合成方法来合成。化合物可例如通过苝四羧酸二酐与单胺衍生物(它们作为试剂可商购自TokyoChemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.和Johnson Matthey Japan Inc.)的反应来合成。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-2)的骨架，之后将可聚合官能团引入骨架的方法，和另外地，使用具有可聚合官能团、作为可聚合官能团前体的官能团、或能够键合至具有可聚合官能团的另外的化合物的官能团的苝四羧酸二酐衍生物或单胺衍生物的方法。

还存在直接通过使苝四羧酸二酐衍生物与二胺衍生物反应合成根据本发明的聚合物的方法。在该情况中，上式(1)中的Z¹和W¹为单键。

具有(A-3)结构作为主骨架的衍生物例如作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc。还可通过Bull.Chem.Soc.Jpn.,Vol.65,116-1011(1992)、Chem.Educator No.6,227-234(2001)、Journal of Synthetic Organic Chemistry,Japan,Vol.15,29-32(1957)和Journal of Synthetic Organic Chemistry,Japan,Vol.15,32-34(1957)中所述的合成方法，基于可商购的菲衍生物或菲咯啉衍生物来合成化合物。也可通过与丙二腈的反应来引入二氰基亚甲基。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-3)的骨架，之后将可聚合官能团引入骨架的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法(例如，使用利用钯催化剂的交叉偶联反应，基于菲衍生物或菲咯啉的卤化材料的方法)。

具有(A-4)结构作为主骨架的衍生物例如作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc。还可通过Tetrahedron Letters,43(16),2991-2994(2002)和Tetrahedron Letters,44(10),2087-2091(2003)中所述的合成方法，基于商购可得的二氢苊醌衍生物来合成的化合物。也可通过与丙二腈的反应来引入二氰基亚甲基。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-4)的骨架，之后引入可聚合官能团的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法(例如，基于二氢苊醌衍生物的卤化材料使用利用钯催化剂的交叉偶联反应的方法)。

具有(A-5)结构作为主骨架的衍生物例如作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc。还可通过Synthesis,Vol.5,p.388-389(1988)中所述的合成方法，通过使用商购可得的化合物来合成该化合物。也可通过与丙二腈的反应引入二氰基亚甲基。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-5)的骨架，之后引入可聚合官能团的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法(例如，基于蒽醌衍生物的卤化材料使用利用钯催化剂的交叉偶联反应的方法)。

具有(A-6)结构作为主骨架的衍生物可例如通过美国专利4,562,132中所述的合成方法通过使用芴酮衍生物和丙二腈(它们作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc.)来合成。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-6)的骨架，之后，引入可聚合官能团的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法。

具有(A-7)结构作为主骨架的衍生物还可例如通过使用日本专利申请特开H5-279582和日本专利申请特开H7-70038中所述的合成方法，通过使用芴酮衍生物和苯胺衍生物(它们可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc.)来合成。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-7)的骨架，之后引入可聚合官能团的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法，和使用具有可聚合官能团、作为可聚合官能团前体的官能团或能够键合至具有可聚合官能团的另外的化合物的官能团的苯胺衍生物的方法。

具有(A-8)结构作为主骨架的衍生物可通过使用日本专利申请特开H1-206349和PPCI/Japan Hard Copy'98Proceedings，p.207(1998)中所述的合成方法来合成。可例如通过使用作为试剂商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.或Sigma-AldrichJapan Corp.的酚衍生物作为原料来合成化合物。

为了使化合物具有可聚合官能团，有例如合成对应于上式(A-8)的骨架，之后，引入可聚合官能团的方法，和另外地，引入可聚合官能团或具有作为可聚合官能团前体的官能团的结构的方法。

具有含可聚合官能团的B¹的结构作为主骨架的衍生物例如作为试剂可商购自Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.、Sigma-Aldrich Japan Corp.或Johnson Matthey Japan Inc。还可通过使用商购可得的试剂来合成化合物。

根据本发明的聚合物等通过以下方法来确认。

用于合成聚合物的原料的确认

通过质谱法进行确认。使用质谱仪(MALDI-TOF MS，由Bruker Daltonics GmbH制造的ultraflex)在加速电压:20kV，模式：Reflector，和分子量标准物：富勒烯C60的条件下测量分子量。使用峰顶值确认分子量。

聚合物的确认

使用NMR进行结构的确认。在1,1,2,2-四氯乙烷(d2)或二甲基亚砜(d6)中在120℃下使用¹H-NMR和¹³C-NMR光谱(FT-NMR，由JEOL Ltd.制造的JNM-EX400)确认结构。使用FT-IR进行羧基的定量测定；使用通过借助于使用KBr-tab法改变相对于KBr粉末的苯甲酸的添加量获得的样品制作基于羧基吸附的校准曲线，从而定量测定聚合物中的羧基量。

[感光层]

将包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层设置于底涂层上。

包含电荷产生材料和空穴输送材料的感光层包括其中从支承体侧依次层压含有电荷产生材料的电荷产生层和含有空穴输送材料的空穴输送层的感光层(以下，也称作“多层型感光层”)，和其中电荷产生材料和空穴输送材料包含于相同层中的感光层(以下，也称作“单层型感光层”)。电荷产生层和空穴输送层可以分别以多层设置。

电荷产生材料的实例包括偶氮颜料例如单偶氮、双偶氮和三偶氮颜料，苝颜料例如苝酸酐和苝酸亚胺，醌颜料例如蒽醌衍生物、三苯并[cd,jk]芘-5,10-二酮(anthoanthrone)衍生物、二苯并芘醌衍生物、皮蒽酮衍生物、紫蒽酮衍生物和异紫蒽酮衍生物，靛青类颜料例如靛蓝衍生物和硫靛蓝衍生物，酞菁颜料例如金属酞菁和非金属酞菁，和芘酮(perinone)颜料例如二苯并咪唑衍生物。其中，期望的是偶氮颜料和酞菁颜料。酞菁颜料中，期望的是氧钛酞菁、氯镓酞菁和羟基镓酞菁。

可期望氧钛酞菁为在CuKα特征X射线中的布拉格角(2θ±0.2°)为9.0°、14.2°、23.9°和27.1°处显示强峰的晶形的氧钛酞菁晶体，和在布拉格角(2θ±0.2°)为9.5°、9.7°、11.7°、15.0°、23.5°、24.1°和27.3°处显示强峰的晶形的氧钛酞菁晶体。

期望的氯镓酞菁为在CuKα特征X射线中的布拉格角(2θ±0.2°)为7.4°、16.6°、25.5°和28.2°处显示强峰的晶形的氯镓酞菁晶体，在布拉格角(2θ±0.2°)为6.8°、17.3°、23.6°和26.9°处显示强峰的晶形的氯镓酞菁晶体，和在布拉格角(2θ±0.2°)为8.7°、9.2°、17.6°、24.0°、27.4°和28.8°处显示强峰的晶形的氯镓酞菁晶体。

期望的羟基镓酞菁为在CuKα特征X射线衍射中的布拉格角(2θ±0.2°)为7.3°、24.9°和28.1°处显示强峰的晶形的羟基镓酞菁晶体，和布拉格角(2θ±0.2°)为7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处显示强峰的晶形的羟基镓酞菁晶体。

本发明中，酞菁晶体的晶形的CuKα特征X射线衍射中的布拉格角在以下条件下测量。

测量装置：全自动X射线衍射仪，由Mac Science Co.,Ltd.制造(商品名：MXP18)

X射线管球(bulb)：Cu

管电压：50kv

管电流：300mA

扫描方法：2θ/θ扫描

扫描速度：2°/分钟

取样间隔：0.020°

起始角度(2θ)：5°

终止角度(2θ)：40°

发散狭缝：0.5°

散射狭缝：0.5°

接收狭缝：0.3°

使用弯曲单色仪

在感光层为多层型感光层的情况中，用于电荷产生层的粘结剂树脂的实例包括乙烯基化合物例如苯乙烯、乙酸乙烯酯、氯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、偏二氟乙烯和三氟乙烯的聚合物和共聚物，和聚乙烯醇，聚乙烯醇缩醛，聚碳酸酯，聚酯，聚砜，聚苯醚，聚氨酯，纤维素树脂，酚醛树脂，三聚氰胺树脂，硅树酯和环氧树脂。其中，期望的是聚酯、聚碳酸酯和聚乙烯醇缩醛，并且这些中，更期望聚乙烯醇缩醛。

电荷产生层中，电荷产生材料与粘结剂树脂之比(电荷产生材料/粘结剂树脂)期望地在10/1至1/10，并更期望5/1至1/5的范围内。

电荷产生层的膜厚度期望为0.05μm以上且5μm以下。

空穴输送材料的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、联苯胺化合物、三芳胺化合物和三苯胺，并且还包括在其主链或侧链上具有来源于这些化合物的基团的聚合物。

在感光层为多层型感光层的情况中，用于空穴输送层的粘结剂树脂的实例包括聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯、多芳基化合物、聚砜和聚苯乙烯。其中，期望的是聚碳酸酯和多芳基化合物。这些的重均分子量(Mw)期望在10,000至300,000的范围内。

空穴输送层中，空穴输送材料与粘结剂树脂之比(空穴输送材料/粘结剂树脂)期望在10/5至5/10，并更期望在10/8至6/10的范围内。

空穴输送层的膜厚度期望为5μm以上且40μm以下。

包括在树脂中分散导电性颗粒例如金属氧化物或炭黑的导电层，和不含根据本发明的聚合物的第二底涂层在内的另外的层可设置在支承体和底涂层以及底涂层和感光层之间。

包含导电性颗粒或空穴输送材料和粘结剂树脂的保护层(表面保护层)可设置在感光层(空穴输送层)上。添加剂例如滑润剂可以进一步引入保护层。保护层的树脂(粘结剂树脂)本身可赋予导电性和正空穴输送性，并且在该情况中，保护层除树脂之外可以不含导电性颗粒和空穴输送材料。保护层的粘结剂树脂可以是热塑性树脂，或者可以是由热、光或照射(电子束等)等而固化的固化性树脂。

用于形成构成电子照相感光构件的包括底涂层、电荷产生层和空穴输送层在内的各层的期望的方法为，施涂通过将构成各层的材料溶解和/或分散于溶剂中获得的涂布液，并干燥和/或固化所得涂膜从而形成各层的方法。施涂涂布液的方法的实例包括浸渍涂布法(浸涂法)、喷涂法、幕式淋涂法和旋涂法。其中，从效率和生产率的观点浸渍涂布法是期望的。

[处理盒和电子照相设备]

图1说明具有配置有根据本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。

图1中，根据本发明的鼓状电子照相感光构件1绕旋转轴2沿箭头方向以预定圆周速度旋转驱动。使电子照相感光构件1的表面(圆周表面)在旋转的过程中通过充电装置3(例如，接触型一次充电器(electrifier)或非接触型一次充电器等)以正或负预定电压充电。然后，接受来自狭缝曝光光或激光束扫描曝光光等的曝光装置(图像曝光装置)(图中未示出)的曝光光(图像曝光光)4(例如，激光)。将静电潜像由此连续地形成于电子照相感光构件1的表面上。

然后将形成的静电潜像用显影装置5(例如，接触型显影器或非接触型显影器等)的调色剂来显影。将所得调色剂图像通过转印装置6连续地转印到转印材料7(例如，纸)上。将转印材料7在与电子照相感光构件1旋转同步地从转印材料供给部(图中未示出)取出，并供给到电子照相感光构件1和转印装置6(例如，转印充电器)之间。

将已经在上面转印调色剂图像的转印材料7从电子照相感光构件1的表面分离，引入到定影装置8从而进行图像定影，并作为复制物(复印件)打印出电子照相设备。

将调色剂转印后的电子照相感光构件1的表面通过清洁装置9进行转印残余调色剂的除去从而清洁，进一步用来自预曝光装置(图中未示出)的预曝光光进行除电处理，然后重复用于图像形成。

对于充电装置3，可以使用利用电晕放电的电晕电极(scorotron)充电器或电晕充电器，或者可以使用配置有具有辊状、叶片状或刷状等的充电构件的接触型充电器。

本发明中，可将电子照相感光构件1以及选自包括充电装置3、显影装置5、转印装置6和清洁装置9在内的构成元件的至少一种装置一体化地组合并构成为处理盒；和处理盒可以适应性可拆卸地安装到电子照相设备例如复印机或激光束打印机。例如，将充电装置3、显影装置5和清洁装置9的至少一种装置与电子照相感光构件1一起一体化地支承从而制成盒，可以使可拆卸地安装到电子照相设备主体的处理盒10利用导向装置例如电子照相设备主体的轨道11和12来制成。

在电子照相设备为复印机或打印机的情况中，曝光光4为从原稿反射的光或通过原稿透射的光，或者根据由传感器读取的原稿转换的信号通过用激光束扫描，或者驱动LED阵列或驱动液晶快门阵列而照射的光。

实施例

以下，将通过实施例更详细地描述本发明。此处，实施例中的“份”指“质量份”。

首先，将描述根据本发明的聚合物的合成例。

通过GPC(其使用由Tosoh Corp.制造的“HLC-8120”的凝胶渗透色谱法来进行，并根据聚苯乙烯计算)来测量合成后聚合物的重均分子量(Mw)。

(合成例1)

具有重复结构单元(101)的聚合物的合成

在氮气气氛下将5.4份萘四羧酸二酐和3.0份3,5-二氨基苯甲酸添加到200份二甲基乙酰胺，并在室温下搅拌1小时。原料溶解后，回流溶液8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得6.2份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例2)

具有重复结构单元(201)的聚合物的合成

在氮气气氛下将7.8份苝四羧酸二酐和3.0份3,5-二氨基苯甲酸添加到200份二甲基乙酰胺，并在室温下搅拌1小时。之后，回流混合物8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得7.5份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例3)

具有重复结构单元(109)的聚合物的合成

在氮气气氛下将5.4份萘四羧酸二酐和5.5份4-氨基苯甲酸添加到200份二甲基乙酰胺，并在室温下搅拌1小时。原料溶解后，回流溶液8小时；并过滤出沉积物，用乙酸乙酯重结晶从而获得7.6份由以下结构式(11)表示的化合物：

然后，通过使用Tetrahedron,vol.1974,No.30,2151中所述的方法，在三乙胺存在下将5.1份由上述结构式(11)表示的化合物与叠氮磷酸二苯酯(diphenylphosphoryl azide)在DMF中反应以异氰酸酯化(isocyanation)。向其添加1.5份3,5-二羟基苯甲酸，并回流8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得4.9份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例4)

具有重复结构单元(318)的聚合物的合成

将6.7份4-羧基苯硼酸添加到100份甲苯和50份乙醇的混合溶剂；在氮气气氛下进一步添加通过Chem.Educator No.6,227-234(2001)中所述的合成方法合成的7.4份3,6-二溴-9,10-菲二酮；并逐滴加入100份20%的碳酸钠水溶液。之后，添加0.55份四(三苯基膦)钯(0)，然后回流混合物2小时。反应后，用氯仿萃取有机相，水洗，和之后用无水硫酸钠干燥。在减压除去溶剂后，通过硅胶色谱法纯化残留物从而获得5.2份由以下结构式(12)表示的化合物：

然后，将0.7份二氰基亚甲基丙二腈添加到4.5份由上述结构式(12)表示的化合物，并在四氢呋喃中回流12小时。使溶液冷却后，过滤出沉积物的紫色晶体，用乙酸乙酯重结晶从而获得3.7份由以下结构式(13)表示的化合物：

然后，通过使用Tetrahedron,vol.1974,No.30,2151中所述的方法，在三乙胺存在下将2.5份由上述结构式(13)表示的化合物与叠氮磷酸二苯酯在DMF中反应以异氰酸酯化(isocyanation)。向其添加0.8份3,5-二氨基苯甲酸，并回流8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得2.9份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例5)

具有重复结构单元(515)的聚合物的合成

在氮气气氛下将6.8份2,6-二溴蒽醌和6.7份4-羧基苯硼酸添加到100份甲苯和50份乙醇的混合溶剂；并逐滴地添加100份20%的碳酸钠水溶液。之后，添加0.55份四(三苯基膦)钯(0)，然后回流混合物2小时。反应完成后，用氯仿萃取有机相，水洗，之后用无水硫酸钠干燥。在减压除去溶剂后，通过硅胶色谱法纯化残留物从而获得8.2份由以下结构式(14)表示的化合物：

然后，通过使用Tetrahedron,vol.1974,No.30,2151中所述的方法，在三乙胺存在下将2.5份由上述结构式(14)表示的化合物与叠氮磷酸二苯酯在DMF中反应以异氰酸酯化(isocyanation)。向其添加0.8份3,5-二氨基苯甲酸，并回流8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得2.9份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例6)

具有重复结构单元(103)的聚合物的合成

在氮气气氛下将5.4份萘四羧酸二酐和3.7份1,4-苯二胺-2-磺酸添加到200份二甲基乙酰胺，并在室温下搅拌1小时。原料溶解后，回流溶液8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得5.8份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

(合成例7)

具有7:3(摩尔比)的重复结构单元(901)和由上述结构式(91)表示的重复结构单元的聚合物的合成

在氮气气氛下将3.8份萘四羧酸二酐和0.7份苯均四酸酐和3.0份3,5-二氨基苯甲酸添加到200份二甲基乙酰胺，并在室温下搅拌1小时。原料溶解后，回流溶液8小时；并过滤出沉积物，用丙酮洗涤从而获得5.6份目标聚合物。所得聚合物为颗粒状。

然后，将描述电子照相感光构件的制造和评价

(实施例1)

使用长度260.5mm和直径30mm的铝筒体(JIS-A3003，铝合金)作为支承体(导电性支承体)。

然后，将作为导电性颗粒的覆盖有氧缺陷型氧化锡的氧化钛颗粒(粉末电阻率：120Ω·cm，氧化锡覆盖率：40%)50份，作为粘结剂树脂的酚醛树脂(Plyophen J-325，由Dainippon Ink andChemicals,Inc.,制造，树脂固成分：60%)40份，和作为溶剂(分散介质)的甲氧基丙醇40份装入使用1mm直径玻璃珠的砂磨机中，并进行分散处理3小时从而制备导电层用涂布液(分散液)。

在导电层用涂布液中的覆盖有氧缺陷型氧化锡的氧化钛颗粒的平均粒径使用由HORIBA Ltd.,制造的粒度分布分析仪(商品名：CAPA700)通过使用四氢呋喃作为分散介质并在5,000rpm转动频率下的离心沉降法测量。结果，平均粒径为0.33μm。

用导电层用涂布液浸涂支承体；在145℃下干燥并热固化所得涂膜30分钟从而形成膜厚度为16μm的导电层。

然后，将300份蒸馏水、500份甲醇和8份三乙胺作为分散介质添加到40份具有重复结构单元(101)的聚合物颗粒；并将混合物装入使用1mm直径玻璃珠的砂磨机中，进行分散处理2小时从而制备底涂层用涂布液(分散液)。

在底涂层用涂布液的制备前后聚合物颗粒的平均粒径使用由HORIBA Ltd.制造的粒度分布分析仪(商品名：CAPA700)，通过使用甲醇作为分散介质并在7,000rpm的转动频率下的离心沉降法测量。结果示于表5-1至5-3。

用底涂层用涂布液浸涂导电层；并在120℃下加热所得涂膜10分钟从而蒸发分散介质，并熔融和聚集(干燥)聚合物颗粒，由此形成膜厚度为1.0μm的底涂层。

然后，将10份羟基镓酞菁晶体(电荷产生材料，其在CuKα特征X射线衍射中的布拉格角(2θ±0.2°)为7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处显示强峰的晶形)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)、和260份环己酮装入使用1mm直径玻璃珠的砂磨机中，并进行分散处理1.5小时。然后，向其添加240份乙酸乙酯，由此制备电荷产生层用涂布液。

用电荷产生层用涂布液来浸涂底涂层；并在95℃下干燥所得涂膜10分钟从而形成膜厚度为0.18μm的电荷产生层。

然后，将7份由以下结构式(15)表示的胺化合物(空穴输送材料)和10份具有由下式(16)表示的重复结构单元并且重均分子量(Mw)(其通过由Tosoh Corp.制造的凝胶渗透色谱"HLC-8120"测量，根据聚苯乙烯计算)为100,000的多芳基化合物溶解于30份二甲氧基甲烷和70份氯苯的混合溶剂中，从而制备空穴输送层用涂布液。

用空穴输送层用涂布液来浸涂电荷产生层；并在120℃下干燥所得涂膜40分钟从而形成膜厚度为18μm的空穴输送层。

以该方式，制造在支承体具有导电层、底涂层、电荷产生层和空穴输送层的电子照相感光构件。

将制造的电子照相感光构件在23℃和50%RH的环境下安装到由Canon Inc.制造的激光束打印机(商品名：LBP-2510)的改造打印机上，并评价表面电位和输出图像。详细评价如下所示。

(表面电位的评价)

改造激光束打印机的青色用处理盒，并将电位探针(型号：6000B-8，由Trek Japan KK制造)安装于显影位置；使用表面电位计(型号：1344，由Trek Japan KK制造)测量电子照相感光构件中心部的电位。将图像曝光光的量设定为暗区电位(Vd)变为-500V和亮区电位(Vl)变为-100V。当在除实施例1之外的实施例和比较例中评价亮区电位时的光量使用其中实施例1中的亮区电位变为-100V的光量。

(图像的评价)

将制造的电子照相感光构件安装到激光束打印机的青色用处理盒上；将处理盒安装到青色处理盒的位置(station)；并输出图像。此时，将图像曝光光的量设为使暗区电位变为-500V和使亮区电位变为-100V。

首先，在A4大小的普通纸张上输出3,000张全色图像(各色打印比1%的文本图像)。

之后，依次连续输出实白图像(1张)、重影评价用图像(5张)、实黑图像(1张)和重影评价用图像(5张)。

如图2所示，重影评价用图像为在重影评价用图像的上部(head part)上的白色图像201中输出方形实心图像202后，制作如图3所示的单点桂马(类似于国际象棋中马的移动)图案半色调图像203的图像。图3中，附图标记301表示单点桂马(类似于国际象棋中马的移动)图案的半色调图像的主扫描方向，和附图标记302表示其副扫描方向。附图标记303表示单点。

通过测量单点桂马(类似于国际象棋中马的移动)图案的半色调图像203和重影部分204(可能产生正重影的部分)之间的图像浓度之差来进行正重影的评价。通过使用分光光浓度计(商品名：X-Rite504/508，由X-Rite,Inc.制造)在一张重影评价用图像中测量10个点的浓度差。对于全部10张重影评价用图像进行该操作，从而计算总计100个点的平均值。结果示于表5-1中。重影部分的浓度越高意味着正重影的产生越强。浓度差(麦克贝斯(Macbeth)浓度差)越小意味着越能抑制正重影。

(实施例2至122)

除了将实施例1中用于形成底涂层的具有重复结构单元(101)的聚合物变为具有示于表5-1至5-3的重复结构单元的聚合物以外，如实施例1那样制造和评价电子照相感光构件。结果示于表5-1至5-3中。

(比较例1)

除了将实施例1底涂层的形成变为如下以外，如实施例1那样制造和评价电子照相感光构件。结果示于表6中。

将40份聚酰胺(Toresin EF30T，由Nagase ChemteX Corp.制造)溶解于300份正丁醇和500份甲醇的混合溶剂中从而制备底涂层用涂布液。用底涂层用涂布液来浸涂导电层；并在120℃下干燥所得涂膜10分钟从而形成膜厚度为0.8μm的底涂层。

(比较例2)

除了将实施例1中用于形成底涂层的具有重复结构单元(101)的聚合物变为在日本专利申请特开2001-83726的合成例I-2中所述的由以下结构式(17)表示的嵌段共聚物以外，如实施例1那样制造和评价电子照相感光构件。结果示于表6中。

其中k:1≌3:2；和o:p≌7:3。

(比较例3)

除了将实施例1中用于形成底涂层的具有重复结构单元(101)的聚合物变为在日本专利申请特开2003-345044中所述的具有由下式(18)表示的重复结构单元的聚合物以外，如实施例1那样制造和评价电子照相感光构件。结果示于表6中。

表5-1

表5-2

表5-3

表6

比较例	麦克贝斯浓度差	Vl(-V)
			1	0.040	135
2	0.042	130
			3	0.041	130

虽然参考示例性实施方案已描述了本发明，但应理解本发明并不局限于公开的示例性实施方案。以下权利要求书的范围符合最宽泛的解释以便包含所有此类改进以及等同结构和功能。

本申请要求2012年6月29日提交的日本专利申请2010-147351和2011年6月21日提交的2011-137511的权益，在此将其全部内容并入作为参考。

Claims (4)

1.一种电子照相感光构件，其包括支承体、形成于所述支承体上的底涂层和形成于所述底涂层上的感光层，所述感光层包含电荷产生材料和空穴输送材料，

其中所述底涂层包含具有由下式(1)表示的重复结构单元的聚合物，条件是从所述具有由下式(1)表示的重复结构单元的聚合物中排除进一步具有由下式(2)表示的重复结构单元的聚合物：

其中，式(1)和(2)中，Z¹至Z⁴各自独立地表示单键、亚烷基、亚芳基、用烷基取代的亚芳基、或亚芳烷基；W¹至W⁴各自独立地表示单键、氨基甲酸酯键、或脲键；B¹表示用羧基或磺酸基取代的亚芳基、用羧基和烷基取代的亚芳基、或用羧基或磺酸基取代的亚烷基；B²表示亚芳基，亚烷基，亚芳烷基，用烷基、卤素原子、氰基或硝基取代的亚芳基，用卤素原子、氰基或硝基取代的亚烷基，用烷基、卤素原子、氰基或硝基取代的亚芳烷基，由醚或磺酰基中断的亚芳基，或由醚中断的亚烷基；A¹和A²各自独立地表示由任意下式(A-1)至(A-8)表示的二价基团：

其中，式(A-1)中，R¹⁰¹至R¹⁰⁴各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，或键合位点；R¹⁰⁵和R¹⁰⁶各自独立地表示芳基、用烷基或卤素原子取代的芳基、烷基、或键合位点；条件是R¹⁰¹至R¹⁰⁶中的两个各自为键合位点；

式(A-2)中，R²⁰¹至R²⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基、氰基、或键合位点；R²⁰⁹和R²¹⁰各自独立地表示氢原子、芳基、用烷基或卤素原子取代的芳基、烷基、或键合位点；条件是R²⁰¹至R²¹⁰中的两个各自为键合位点；

式(A-3)中，R³⁰¹至R³⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；R³⁰⁹表示氧原子、或二氰基亚甲基；R³¹⁰和R³¹¹各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R³¹⁰为氮原子的情况中，R³⁰⁴不存在，和在R³¹¹为氮原子的情况中，R³⁰⁵不存在；条件是R³⁰¹至R³⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-4)中，R⁴⁰¹至R⁴⁰⁶各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；和R⁴⁰⁷表示氧原子、或二氰基亚甲基；条件是R⁴⁰¹至R⁴⁰⁶中的两个各自为键合位点；

式(A-5)中，R⁵⁰¹至R⁵⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；R⁵⁰⁹和R⁵¹⁰各自独立地表示氧原子、或二氰基亚甲基；R⁵¹¹和R⁵¹²各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁵¹¹为氮原子的情况中，R⁵⁰¹不存在，和在R⁵¹²为氮原子的情况中，R⁵⁰⁵不存在；条件是R⁵⁰¹至R⁵⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-6)中，R⁶⁰¹至R⁶⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，羰酸酯基，或键合位点；R⁶¹⁰和R⁶¹¹各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁶¹⁰为氮原子的情况中，R⁶⁰⁴不存在，和在R⁶¹¹为氮原子的情况中，R⁶⁰⁵不存在；和R⁶⁰⁹表示二氰基亚甲基；条件是R⁶⁰¹至R⁶⁰⁸中的两个各自为键合位点；

式(A-7)中，R⁷⁰¹至R⁷¹³各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，羰酸酯基，或键合位点；R⁷¹⁴和R⁷¹⁵各自独立地表示碳原子、或氮原子；在R⁷¹⁴为氮原子的情况中，R⁷⁰⁴不存在，和在R⁷¹⁵为氮原子的情况中，R⁷⁰⁵不存在；条件是R⁷⁰¹至R⁷¹³中的两个各自为键合位点；和

式(A-8)中，R⁸⁰¹至R⁸⁰⁸各自独立地表示氢原子，芳基，用卤素原子、硝基、氰基、烷基或卤代烷基取代的芳基，烷基，氰基，硝基，或键合位点；条件是R⁸⁰¹至R⁸⁰⁸中的两个各自为键合位点。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中包含电荷产生材料和空穴输送材料的所述感光层为包括从所述支承体侧依次设置的含有电荷产生材料的电荷产生层和含有空穴输送材料的空穴输送层的感光层。

3.一种处理盒，其一体化地支承：根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置，所述处理盒可拆卸地安装到电子照相设备的主体。

4.一种电子照相设备，其包括根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。

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