KR20130031349A - 전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 및 전자사진 장치 - Google Patents

전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 및 전자사진 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치에 관한 것이다. 포지티브 고스트를 억제하기 위해서, 전자사진 감광 부재의 언더코트층은 특이적인 반복 구조 단위를 갖는 중합체를 함유한다.

Description

전자사진 감광 부재, 프로세스 카트리지, 및 전자사진 장치{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 전자사진 감광 부재, 및 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치에 관한 것이다.
전자사진 감광 부재들중에서, 유기 광전도성 물질을 사용한 것들은 우수한 필름 형성 가능성을 갖고 코팅에 의해 제조될 수 있기 때문에, 높은 생산성과 낮은 가격을 갖는 전자사진 감광 부재를 제공할 수 있다는 장점이 있다.
전자사진 감광 부재는 넓게는 그 표면이 대전될 때 전하의 극성에 따라 양 대전성 전자사진 감광 부재 및 음 대전성 전자사진 감광 부재로 분류되지만, 유기 광전도성 물질을 사용한 전자사진 감광 부재의 경우에, 그 다수가 음 대전성 전자사진 감광 부재이다.
전자사진 감광 부재는 일반적으로 지지체 및 상기 지지체상에 형성된 감광층을 갖지만, 음 대전성 전자사진 감광 부재의 감광층에 있어서는, 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층(이하에서는 간단히 "감광층"으로 언급함)이 사용된다. 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층은, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층 및 정공 수송 물질을 함유하는 정공 수송층이 지지체로부터 순서대로 제공되는 감광층, 및 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질이 동일한 층내에 함유된 감광층을 포함한다.
감광층(전하 발생층)이 지지체상에 직접 제공된 경우에, 감광층(전하 발생층)의 박리가 발생하고, 지지체 표면상의 결함(형태 결함, 예컨대 흠집 또는 물질 결함, 예컨대 불순물)이 그대로 화상상에 반영되어, 경우에 따라서는 화상 결함, 예컨대 흑점 및 공백 영역이 발생된다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 다수의 전자사진 감광 부재에서는, 언더코트층(중간층으로도 언급됨)으로 명명되는 층이 감광층과 지지체 사이에 제공된다.
그러나, 경우에 따라서는 언더코트층에 의해 유발되는 것으로 여겨지는 전자사진 감광 부재의 특성 열화가 관찰된다.
이에, 종래 언더코트층에 함유된 전자 수송 물질을 만들어서(특허 문헌 1 및 2) 언더코트층을 전자 수송층으로 전환시킴으로써 언더코트층의 특성을 개선하기 위한 시도가 이루어졌다.
일본 특허 출원 공개 제2001-83726호 일본 특허 출원 공개 제2003-345044호
최근에, 전자사진 화상의 품질에 대한 요구가 꾸준히 증가하고 있다. 예를 들면, 포지티브 고스트(positive ghost)에 대한 허용 범위가 현저하게 엄격해지고 있다. 포지티브 고스트란, 광이 조사된 영역이 종이상에 화상을 형성하는 과정에서 후속하는 전자사진 감광 부재의 회전시에 하프톤(halftone) 화상으로 바뀌는 경우, 광이 조사된 영역만 농도가 높아지는 현상을 말한다.
포지티브 고스트의 억제(감소)에 관하여, 전술한 바와 같은 종래 기술들은 여전히 개선의 여지가 있다.
본 발명의 목적은 포지티브 고스트가 억제된 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공하는 것이다.
다대한 연구 결과로서, 본 발명자들은 전자사진 감광 부재의 언더코트층에 함유된 특정한 구조를 갖는 중합체를 제조함으로써 포지티브 고스트를 높은 수준으로 억제할 수 있다는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층상에 형성되고 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층을 갖는 전자사진 감광 부재를 제공하며,
여기서 상기 언더코트층은 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체를 포함하되, 단, 하기 화학식 (2)로 표시되는 반복 구조 단위를 추가로 갖는 중합체는 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 제외된다.
Figure pct00001
상기 화학식 (1) 및 (2)에서, Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 단일 결합, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 아르알킬렌기를 나타내고; W1 내지 W4는 각각 독립적으로 단일 결합, 우레탄 결합, 또는 우레아 결합을 나타내며; B1은 카르복시기 또는 술포기로 치환된 아릴렌기, 카르복시기 및 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 카르복시기 또는 술포기로 치환된 알킬렌기를 나타내고; B2는 아릴렌기, 알킬렌기, 또는 아르알킬렌기이거나, 알킬기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 아릴렌기이거나, 할로겐원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 알킬렌기이거나, 알킬기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 아르알킬렌기이거나, 에테르 또는 술포닐이 개재된 아릴렌기이거나, 또는 에테르가 개재된 알킬렌기를 나타내며; A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 화학식 (A-1) 내지 (A-8)중 어느 하나로 표시되는 2가 기를 나타낸다.
Figure pct00002
Figure pct00003
상기 화학식 (A-1)에서, R101 내지 R104는 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 또는 결합 부위를 나타내고; R105 및 R106은 각각 독립적으로 아릴기, 또는 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R101 내지 R106 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-2)에서, R201 내지 R208은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 또는 결합 부위를 나타내고; R209 및 R210은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R201 내지 R210 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-3)에서, R301 내지 R308은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R309는 산소 원자, 또는 디시아노메틸렌기를 나타내며; R310 및 R311은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내고; R310이 질소 원자인 경우에는, R304가 존재하지 않고, R311이 질소 원자인 경우에는, R305가 존재하지 않되; 단, R301 내지 R308 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-4)에서, R401 내지 R406은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R407은 산소 원자, 또는 디시아노메틸렌기를 나타내되; 단, R401 내지 R406 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-5)에서, R501 내지 R508은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R509 및 R510은 각각 독립적으로 산소 원자, 또는 디시아노메티렌기를 나타내며; R511 및 R512은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내고; R511이 질소 원자인 경우에는, R501이 존재하지 않고, R512가 질소 원자인 경우에는, R505가 존재하지 않되; 단, R501 내지 R508 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-6)에서, R601 내지 R608은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 카르복실레이트 에스테르기, 또는 결합 부위를 나타내고; R610 및 R611은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내며; R610이 질소 원자인 경우에는, R604가 존재하지 않고, R611이 질소 원자인 경우에는, R605가 존재하지 않으며; R609는 디시아노메틸렌기를 나타내되; 단, R601 내지 R608 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-7)에서, R701 내지 R713은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 카르복실레이트 에스테르기, 또는 결합 부위를 나타내고; R714 및 R715은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내며; R714가 질소 원자인 경우에는, R704가 존재하지 않고, R715가 질소 원자인 경우에는, R705가 존재하지 않되; 단, R701 내지 R713 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
상기 화학식 (A-8)에서, R801 내지 R808은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R801 내지 R808 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 한다.
할로겐 원자의 예로서는, 플루오르 원자, 염소 원자, 및 브롬 원자를 들 수 있다. 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 및 부틸기를 들 수 있다. 할로겐화 알킬기의 예로서는, 트리플루오로메틸기를 들 수 있다. 아릴기의 예로서는, 페닐기, 나프틸기, 및 비페닐릴기를 들 수 있다. 알킬렌기의 예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 및 부틸렌기를 들 수 있다. 아릴렌기의 예로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 및 비페닐렌기를 들 수 있다. 아르알킬렌기(알카릴렌기로도 명명됨)는 알킬렌기와 아릴렌기가 화합함으로써 만들어진 2가의 기를 의미하며, 그 예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 또는 부틸렌기와 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 비페닐렌기가 화합함으로써 만들어진 기들을 들 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전자사진 감광 부재 및 대전 장치, 현상 장치, 전사 장치, 및 클리닝 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치가 일체로 지지되고, 전자사진 장치의 본체에 탈착 가능하게 장착될 수 있는 것을 특징으로 하는 프로세스 카트리지를 제공한다.
이외에도, 본 발명은 상기 전자사진 감광 부재, 및 대전 장치, 노광 장치, 현상 장치 및 전사 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자사진 장치를 제공한다.
본 발명은 포지티브 고스트가 억제된 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공할 수 있다.
성가 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체를 함유하는 언더코트층을 갖는 전자사진 감광 부재가 포지티브 고스트를 억제하는 탁월한 효과를 갖는 이유와 관련해서, 본 발명자들은 다음과 같이 생각한다.
즉, 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체는 전자 수송성을 갖는 부위 또는 모이어티(moiety)(-Z1-A1-Z2-, 특히 A1) 및 전자 수송성을 갖지 않고 카르복시기 또는 술포기를 함유하는 부위 또는 모이어티(-W1-B1-W2-, 특히 B1)가 교대로 존재하는 중합체이다. 이와 같은 중합체에서, 전자 수송성을 갖는 구조는 비교적 불규칙하게 분포된다. 카르복시기 또는 술포기들 사이의 상호작용에 의하면, 상기 전자 수송성을 갖는 구조가 상기 중합체를 함유하는 언더코트층에 적절하게 배열될 수 있다. 본 발명자들은 이와 같은 구조가 포지티브 고스트를 억제하는 탁월한 효과를 제공할 수 있다고 생각한다.
이하에서는 첨부 도면과 관련하여 예시적인 실시양태의 상세한 설명을 통해 본 발명의 다른 특징들을 파악하고자 한다.
도 1은 본 발명에 의한 전자사진 감광 부재를 구비한 프로세스 카트리지를 갖는 전자사진 장치의 개요적인 구조를 도시한 도면.
도 2는 고스트 평가용 화상(고스트 평가용 프린트)을 도시한 도면.
도 3은 원-도트 케이마(one-dot keima)(체스의 나이트 이동과 유사) 패턴 화상을 도시한 도면.
본 발명에 의한 전자사진 감광 부재는 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층상에 형성되고 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층을 갖는다.
[지지체]
지지체는 전도성을 갖는 지지체(전도성 지지체)인 것이 바람직하며, 그 예로는 금속 또는 합금, 예컨대 알루미늄, 니켈, 구리, 금 및 철로 제조된 지지체, 및 금속, 예컨대 알루미늄, 은 및 금, 또는 전도성 물질, 예컨대 산화인듐 및 산화주석의 박막이 절연성 지지체, 예컨대 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드 또는 유리상에 형성된 지지체를 들 수 있다.
전기적 특성을 개선하고 반도체 레이저 광과 같은 간섭성 광 조사시에 발생될 가능성이 있는 간섭 줄무늬를 억제하기 위해서, 지지체의 표면을 전기화학적 처리, 예컨대 양극 산화, 및 다른 방법으로 처리, 예컨대 호닝(honing), 블라스팅(blasting) 및 절단할 수 있다.
[언더코트층]
본 발명에서, 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체(상기 화학식 (2)로 표시되는 반복 구조 단위를 추가로 갖는 중합체는 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 제외됨)를 함유하는 언더코트층이 지지체상에 제공된다. 이하에서, 상기 중합체는 "본 발명에 의한 중합체"로도 언급된다.
상기 언더코트층내의 본 발명에 의한 중합체의 함량은 언더코트층의 총 질량에 대하여 50 질량% 이상 100 질량% 이하인 것이 바람직하고, 80 질량% 이상 100 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
이하에는 화학식 (1) 및 (2)에서 Z1 내지 Z4의 구체적인 예들을 제시하였다. 여기서, 상기 화학식 (1) 및 (2)에서 우측 및 좌측 방향은 표 1-1에서 각각의 기의 우측 및 좌측 방향과 동일하다.
[표 1-1]
Figure pct00004
이하에는, 화학식 (1) 및 (2)에서 W1 및 W2의 단일 결합 이외의 구체적인 예들을 제시하였다. 여기서, 상기 화학식 (1) 및 (2)의 우측 및 좌측 방향은 표 1-2에서 각각의 기의 우측 및 좌측 방향과 동일하다.
[표 1-2]
Figure pct00005
이하에는, 화학식 (1)에서 B1의 구체적인 예들을 제시하였다. 여기서, 상기 화학식 (1)의 우측 및 좌측 방향은 표 1-3에서 각각의 기의 우측 및 좌측 방향과 동일하다.
[표 1-3]
Figure pct00006
이하에는, 화학식 (1)에서 A1 의 구체적인 예들(상기 화학식 (A-1) 내지 (A-8)중 하나에 의해 표시되는 2가의 기)를 제시하였다. 여기서, 상기 화학식 (1) 및 (2)의 우측 및 좌측 방향은 표 3-1 내지 3-8에서 각각의 기의 우측 및 좌측 방향과 동일하다.
표 3-1 내지 3-8에서, "bo"는 결합 부위를 의미하고, "H"는 수소 원자를 의미하며, "Cl"은 염소 원자를 의미하고, "N"은 질소 원자를 의미하며, "O"는 산소 원자를 의미하고, "C"는 탄소 원자를 의미하며, "dcyme"는 디시아노메틸렌기를 의미하고, "me" 는 메틸기를 의미하며, "et"는 에틸기를 의미하고, "che"는 시클로헥실기를 의미하며, "cy"는 시아노기를 의미하고, "ni"는 니트로기를 의미하며, "ph"는 페닐기를 의미하고, "4flph"는 4-플루오로페닐기를 의미하며, "pflph"는 퍼플루오로페닐기를 의미하고, "4clph"는 4-클로로페닐기를 의미하며, "4meph"는 4-메틸페닐기를 의미하고, "3me4flph"는 3-메틸-4-플루오로페닐기를 의미하며, "4tflmeph"는 4-(트리플루오로메틸)페닐기를 의미하고, "4cyph"는 4-시아노페닐기를 의미하며, "2niph"는 2-니트로페닐기를 의미하고, "3niph"는 3-니트로페닐기를 의미한다.
[표 3-1]
Figure pct00007
[표 3-2]
Figure pct00008
[표 3-3]
Figure pct00009
[표 3-4]
Figure pct00010
[표 3-5]
Figure pct00011
[표 3-6]
Figure pct00012
[표 3-7]
Figure pct00013
[표 3-8]
Figure pct00014
이하에는, 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위의 구체적인 예들을 제시하였다. 여기서, 상기 화학식 (1)의 우측 및 좌측 방향은 표 4-1 내지 4-4에서 각각의 기의 우측 및 좌측 방향과 동일하다. 표 4-1 내지 4-4에서, "bo"는 결합 부위를 의미한다.
[표 4-1]
Figure pct00015
[표 4-2]
Figure pct00016
[표 4-3]
Figure pct00017
[표 4-4]
Figure pct00018
필름 형성 가능성 및 전기적 특성을 개선하기 위해서, 언더코트층은 본 발명에 의한 중합체 외에도, 기타 수지, 가교제, 유기 입자, 무기 입자, 레벨링제(leveling agent) 등을 함유할 수 있다. 여기서, 언더코트층 중의 이들의 함량은 언더코트 층의 총 질량에 대하여 50 질량% 미만인 것이 바람직하고, 20 질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 의한 중합체는 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위 이외의 반복 구조 단위를 더 함유할 수 있지만, 단, 상기 화학식 (2)로 표시되는 반복 구조 단위를 더 갖는 중합체는 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 제외된다. 여기서, 본 발명에 의한 중합체 중의 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위의 분율은 중합체중의 총 반복 구조 단위에 대하여 50 몰% 이상 100 몰% 이하인 것이 바람직하고, 70 몰% 이상 100 몰% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
이하에는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위 이외의 반복 구조 단위의 구체적인 예들을 제시하였다.
Figure pct00019
본 발명에 의한 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 5,000 내지 15,000 범위인 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 중합체의 상기 화학식 (1)에서 W1의 구조를 형성하기 위해, 예를 들면 다음과 같은 반응 공정을 사용할 수 있다.
W1이 우레탄 결합인 경우에, 우레탄 결합은, 예컨대 히드록시기를 갖는 화합물을 이소시아네이트기를 갖는 화합물과 반응시킴으로써 형성될 수 있다 ("FUNDAMENTAL AND APPLICATION OF POLYURETHAN", CMC Publishing Co., Ltd., p. 3 (1986), 일본어판).
W1이 우레아 결합인 경우에, 우레아 결합은, 예컨대 아미노기를 갖는 화합물을 이소시아네이트기를 갖는 화합물과 반응시킴으로써 형성될 수 있다("SYNTHESIS AND REACTION OF POLYMER (2)", Kyoritsu Shuppan Co., Ltd., p. 326 (1991), 일본어판).
W1이 단일 결합인 경우에, 단일 결합은, 예컨대 할로겐화 물질과 보론산 유도체를 원료로 사용하고 팔라듐 촉매(예: 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐)를 사용하는 염기성 조건하의 커플링 반응에 의해 형성될 수 있다(Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 4442). 단일 결합은 다른 유형의 반응에 의해서도 제조되는 것으로 알려져 있다.
본 발명에 의한 중합체는 중합 가능한 작용기, 예컨대 아미노기, 히드록시기, 이소시아네이트기, 할로겐기, 보론산기 및 카르복실산 무수물 기를 갖는 화합물들 사이의 중합밥응에 의해서 합성될 수 있다. 중합체가 이런 식으로 합성될 경우에, A1에 해당하는 골격 및 중합 가능한 작용기를 갖는 화합물, 및 B1에 해당하는 골격 및 중합 가능한 작용기를 갖는 화합물을 제조한 다음, 제조된 화합물들을 사용해서 W1의 단일 결합, 우레탄 결합 또는 우레아 결합을 형성하기 위한 중합 반응을 수행한다.
(A-1)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체(상기 화학식 (A-1)에 해당하는 골격 및 중합 가능한 작용기를 갖는 화합물을 의미함; 이하 동일함)는, 예컨대 미국 특허 제 4,442,193호, 미국 특허 제 4,992,349호, 미국 특허 제 5,468,583호 및 문헌 [Chemistry of materials, Vol. 19, No. 11, 2703-2705 (2007)]에 개시된 합성 방법을 사용함으로써 합성될 수 있다. 상기 화합물은, 예컨대 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물과 모노아민 유도체의 반응에 의해서 합성될 수 있으며, 이들은 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 및 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-1)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기, 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기, 또는 중합 가능한 작용기를 갖는 다른 화합물과 결합할 수 있는 작용기를 갖는 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 유도체 또는 모노아민 유도체를 사용하는 방법이 있다.
또한, 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 유도체를 디아민 유도체와 반응시킴으로써 직접 본 발명에 의한 중합체를 합성하는 방법도 있다. 이 경우에, 상기 화학식 (1)에서 Z1, Z2 및 W1은 단일 결합이다.
(A-2)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예컨대 문헌 [Journal of American chemical society, Vol. 129, No. 49, 15259-78 (2007)]에 개시된 합성 방법을 사용함으로써 합성될 수 있다. 상기 화합물은, 예컨대 페릴렌테트라카르복실산 이무수물과 모노아민 유도체의 반응에 의해서 합성될 수 있으며, 이들은 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 및 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-2)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기, 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기, 또는 중합 가능한 작용기를 갖는 다른 화합물과 결합할 수 있는 작용기를 갖는 페릴렌테트라카르복실산 이무수물 유도체 또는 모노아민 유도체를 사용하는 방법이 있다.
또한, 페릴렌테트라카르복실산 이무수물 유도체를 디아민 유도체와 반응시킴으로써 직접 본 발명에 의한 중합체를 합성하는 방법도 있다. 이 경우에, 상기 화학식 (1)에서 Z1 및 W1은 단일 결합이다.
(A-3)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 및 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다. 또한, 상기 화합물은 문헌 [Bull. Chem. Soc. Jpn., Vol. 65, 116-1011 (1992)], [Chem. Educator No. 6, 227-234 (2001)], [Journal of Synthetic Organic Chemistry, Japan, vol. 15, 29-32 (1957)] 및 [Journal of Synthetic Organic Chemistry, Japan, vol. 15, 32-34 (1957)]에 개시된 합성 방법에 의해서, 시판되는 것들인 페난트렌 유도체 또는 페난트롤린 유도체를 원료로 하여 합성될 수도 있다. 또한, 말로노니트릴과의 반응에 의해서 디시아노메틸렌기를 포함시킬 수도 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-3)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 포함시키는 방법(예컨대, 페난트렌 유도체 또는 페난트롤린 유도체의 할로겐화 물질을 원료로 하고 팔라듐 촉매를 사용하는 교차-커플링 반응을 사용하는 방법)이 있다.
(A-4)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 및 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다. 또한, 상기 화합물은 문헌 [Tetrahedron Letters, 43(16), 2991-2994 (2002)] 및 [Tetrahedron Letters, 44(10), 2087-2091 (2003)]에 개시된 합성 방법에 의해서, 시판되는 아세나프텐퀴논 유도체를 원료로 하여 합성될 수도 있다. 또한, 말로노니트릴과의 반응에 의해서 디시아노메틸렌기를 포함시킬 수도 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-4)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 포함시키는 방법(예컨대, 아세나프텐퀴논 유도체의 할로겐화 물질을 원료로 하고 팔라듐 촉매를 사용하는 교차-커플링 반응을 사용하는 방법)이 있다.
(A-5)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 또는 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다. 또한, 상기 화합물은 문헌 [Synthesis, Vol. 5, p. 388-389 (1988)]에 개시된 합성 방법에 의해서, 시판되는 화합물들을 사용하여 합성할 수도 있다. 또한, 말로노니트릴과의 반응에 의해서 디시아노메틸렌기를 포함시킬 수도 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-5)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 포함시키는 방법(예컨대, 안트라퀴논 유도체의 할로겐화 물질을 원료로 하고 팔라듐 촉매를 사용하는 교차-커플링 반응을 사용하는 방법)이 있다.
(A-6)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 미국 특허 제 4,562,132호에 개시된 합성 방법을 통해서, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 및 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하는 플루오렌 유도체 및 말로노니트릴을 사용함으로써 합성할 수 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-6)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 포함시키는 방법이 있다.
(A-7)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 일본 특허 출원 공개 제 H5-279582호 및 일본 특허 출원 공개 제 H7-70038호에 개시된 합성 방법을 사용하고, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 또는 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하는 플루오레논 유도체 및 아닐린 유도체를 사용함으로써 합성할 수 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-7)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 중합 가능한 작용기, 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기, 또는 중합 가능한 작용기를 갖는 다른 화합물과 결합할 수 있는 작용기를 갖는 아닐린 유도체를 사용하는 방법이 있다.
(A-8)의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 일본 특허 출원 공개 제 H1-206349호 및 문헌 [PPCI/Japan Hard Copy '98 Proceedings, p. 207 (1998)]에 개시된 합성 방법을 사용함으로써 합성할 수 있다. 상기 화합물은 예컨대 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 또는 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션에서 시약으로서 시판하는 페놀 유도체를 원료로 사용하여 합성할 수 있다.
상기 화합물이 중합 가능한 작용기를 갖도록 하기 위한 방법으로는, 예를 들면 상기 화학식 (A-8)에 해당하는 골격을 합성한 후에, 중합 가능한 작용기를 상기 골격내로 포함시키는 방법, 및 또한 중합 가능한 작용기 또는 중합 가능한 작용기의 전구체인 작용기를 갖는 구조를 포함시키는 방법이 있다.
중합 가능한 작용기를 갖는 B1의 구조를 주요 골격으로서 갖는 유도체는, 예를 들면 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드, 시그마-알드리치 저팬 코오포레이션 또는 존슨 매티 저팬 인코오포레이티드에서 시약으로서 시판하고 있다. 또한, 상기 화합물은 시판되는 시약들을 사용하여 합성할 수도 있다.
본 발명에 의한 중합체 등은 다음과 같은 방법에 의해 확인하였다.
중합체를 합성하기 위한 원료의 확인
질량 분석에 의해서 원료를 확인하였다. 가속 전압 20 kV, 반사체 모드의 조건하에 분자량 표준 물질로서 풀러렌 C60을 사용하여 질량 분석기(MALDI-TOF MS, 울트라플렉스(ultraflex), 브루커 달토닉스 GmbH에 의해 제조됨)를 사용하여 분자량을 측정하였다. 피이크 최고값을 사용하여 분자량을 확인하였다.
중합체의 확인
NMR을 사용하여 구조 확인을 수행하였다. 1H-NMR 및 13C-NMR 분광분석(FT-NMR, JNM-EX400, 제올 리미티드에 의해 제조됨)을 사용해서 120℃하에 1,1,2,2-테트라클로로에탄(d2) 또는 디메틸술폭시드(d6) 중에서 구조를 확인하였다. 카르복시기의 정량적인 측정은 FT-IR을 사용해서 수행하였으며; KBr-정제 방법을 사용함으로써 KBr 분말에 대하여 첨가되는 벤조산의 양을 변화시킴으로써 얻은 샘플을 사용하여 카르복시기의 흡수에 근거한 검정 곡선을 제작하여, 중합체중의 카르복시기의 양을 정량적으로 측정하였다.
[감광층]
전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층이 언더코트층상에 제공된다.
전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 함유하는 감광층은 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층 및 정공 수송 물질을 함유하는 정공 수송층이 지지체 측으로부터 순서대로 적층된 감광층(이하에서 "다층형 감광층"으로도 언급함), 및 전하 발생 물질과 정공 수송 물질이 동일한 층에 함유된 감광층(이하에서 "단층형 감광층"으로 언급함)을 포함한다. 전하 발생층과 정공 수송층이 각각 여러 개로 제공될 수도 있다.
전하 발생 물질의 예로서는, 아조 안료, 예컨대 모노아조, 비스아조 및 트리스아조 염료, 페릴렌 안료, 예컨대 페릴렌 산 무수물 및 페릴렌 산 이미드, 퀴논 안료, 예컨대 안트라퀴논 유도체, 안토안트론 유도체, 디벤조피렌 퀴논 유도체, 피란트론 유도체, 바이올란트론 유도체 및 이소바이올란트론 유도체, 인디고이드 안료, 예컨대 인디고 유도체 및 티오인디고 유도체, 프탈로시아닌 안료, 예컨대 금속 프탈로시아닌 및 비금속 프탈로시아닌, 및 페리논 안료, 예컨대 비스벤즈이미다졸 유도체를 들 수 있다. 이들 중에서, 아조 안료 및 프탈로시아닌 안료가 바람직하다. 프탈로시아닌 안료 중에서, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 클로로갈륨 프탈로시아닌 및 히드록시갈륨 프탈로시아닌이 바람직하다.
바람직한 옥시티타늄 프탈로시아닌은 CuKα 특성분석 X선 회절에서 9.0°, 14.2°, 23.9°및 27.1°의 브래그(Bragg) 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정과, 9.5°, 9.7°, 11.7°, 15.0°, 23.5°, 24.1°및 27.3°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정이다.
바람직한 클로로갈륨 프탈로시아닌은 CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.4°, 16.6°, 25.5°및 28.2°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 클로로갈륨 프탈로시아닌 결정, 6.8°, 17.3°, 23.6°및 26.9°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 클로로갈륨 프탈로시아닌 결정, 및 8.7°, 9.2°, 17.6°, 24.0°, 27.4°및 28.8°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 클로로갈륨 프탈로시아닌 결정이다.
바람직한 히드록시갈륨 프탈로시아닌은 CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.3°, 24.9°및 28.1°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정, 및 7.5°, 9.9°, 12.5°, 16.3°, 18.6°, 25.1°및 28.3°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이다.
본 발명에서, 프탈로시아닌 결정의 결정 형태의 CuKα 특성분석 X선 회절에서 브래그 각도는 다음과 같은 조건하에 측정하였다.
측정 장치: 완전 자동 X선 회절분석기, 맥 사이언스 컴패니, 리미티드 제조(등록상표: MXP18)
X선 전구: Cu
전구 전압: 50 kV
전구 전류: 300 mA
스캔 방법: 2θ/θ 스캔
스캔 속도: 2°/분
샘플링 간격: 0.020°
개시 각도(2θ): 5°
중단 각도(2θ): 40°
발산 슬릿: 0.5°
산란 슬릿: 0.5°
수용 슬릿: 0.3°
곡선형 단색계 사용.
감광층이 다층형 감광층인 경우에, 전하 발생층에 사용되는 결합제 수지의 예로서는 비닐 화합물, 예컨대 스티렌, 비닐 아세테이트, 비닐 클로라이드, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 비닐리덴 플루오라이드 및 트리플루오렌의 중합체와 공중합체, 및 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 아세탈, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌 옥시드, 폴리우레탄, 셀룰로오스계 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지 및 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들 중에서, 폴리에스테르, 폴리카보네이트 및 폴리비닐 아세탈이 바람직하며, 그 중에서도 폴리비닐 아세탈이 더욱 바람직하다.
전하 발생층에서, 전하 발생 물질 대 결합제 수지의 비율(전하 발생 물질/결합제 수지)는 10/1 내지 1/10 범위내인 것이 바람직하고, 5/1 내지 1/5인 것이 더욱 바람직하다.
전하 발생층의 필름 두께는 0.05 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
정공 수송 물질의 예로서는, 폴리시클릭 방향족 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 벤지딘 화합물, 트리아릴아민 화합물 및 트리페닐아민을 들 수 있으며, 이외에도 주쇄 또는 측쇄 상에 상기 화합물들로부터 유도된 기들을 갖는 중합체를 들 수 있다.
감광층이 다층형 감광층인 경우에, 정공 수송층에 사용되는 결합제 수지의 예로서는 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리메타크릴산 에스테르, 폴리아릴레이트, 폴리술폰 및 폴리스티렌을 들 수 있다. 이들 중에서, 폴리카보네이트 및 폴리아릴레이트가 바람직하다. 이의 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000 내지 300,000 범위내인 것이 바람직하다.
정공 수송층에서, 정공 수송 물질 대 결합제 수지의 비율(정공 수송 물질/결합제 수지)는 10/5 내지 5/10 범위내인 것이 바람직하고, 10/8 내지 6/10 범위내인 것이 더욱 바람직하다.
정공 수송층의 필름 두께는 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또 다른 층, 예를 들면 금속 산화물 또는 카본 블랙과 같은 전도성 입자가 수지에 분산되어 있는 도전층, 및 본 발명에 의한 중합체를 함유하지 않는 제2 언더코트층이 지지체와 언더코트층 사이에, 그리고 언더코트층과 감광층 사이에 제공될 수 있다.
전도성 입자 또는 정공 수송 물질 및 결합제 수지를 함유하는 보호층(표면 보호층)이 감광층(정공 수송층)상에 제공될 수 있다. 윤활제와 같은 첨가제를 상기 보호층내로 더 포함시킬 수 있다. 상기 보호층의 수지(결합제 수지) 자체에 전도성 및 양의 정공 수송능을 부여할 수도 있으며, 이 경우에 상기 보호층은 수지를 제외한 정공 수송 물질과 전도성 입자를 전혀 함유하지 않을 수 있다. 보호층의 결합제 수지는 열가소성 수지이거나, 열, 광 또는 방사선(전자빔 등)에 의해 경화되는 경화성 수지일 수 있다.
언더코트층, 전하 발생층 및 정공 수송층을 비롯하여, 전자사진 감광 부재를 구성하는 각각의 층을 형성하는 방법은, 각 층을 구성하는 물질들을 용매에 용해 및/또는 분산시킴으로써 얻은 코팅액을 도포하고, 수득한 코팅 필름을 건조 및/또는 경화시켜서 각각의 층을 형성하는 방법이다. 코팅액을 도포하는 방법의 예로서는, 침지 코팅법(딥 코팅법), 분무 코팅법, 커튼 코팅법 및 스핀 코팅법을 들 수 있다. 이들 중에서, 효율성과 생산성 면에서 볼 때 침지 코팅법이 바람직하다.
[프로세스 카트리지 및 전자사진 장치]
도 1은 본 발명에 의한 전자사진 감광 부재를 구비한 프로세스 카트리지를 갖는 전자사진 장치의 개요도를 도시한 것이다.
도 1에서, 본 발명에 의한 드럼형 전자사진 감광 부재(1)은 소정의 원주 속도하에 화살표 방향으로 회전 샤프트(2) 주위로 회전 구동된다. 전자사진 감광 부재(1)의 표면(원주 표면)은 회전 과정에서 대전 장치(3)(예컨대 접촉형 주요 통전기, 비접촉형 주요 통전기 등)에 의해 소정의 양 또는 음의 전압으로 대전된다. 이어서, 슬릿 노광 광, 레이저 빔 스캐닝 노광 광등의 노광 장치(화상 노광 장치)(도면에 도시하지 않음)로부터 노광 광(화상 노광 광)(4)(예컨대, 레이저 광)을 수용한다. 이와 같이 하여 정전 잠상이 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 연속해서 형성된다.
이어서, 형성된 정전 잠상을 현상 장치(5)(예컨대, 접촉형 현상기, 비접촉형 현상기 등)의 토너에 의해서 현상(순현상 또는 역현상)한다. 수득한 토너 화상을 계속해서 전사 장치(6)에 의해서 전사재(7)(예컨대, 종이)로 전사한다. 상기 전사재(7)는 전자사진 감광 부재(1)의 회전과 동시에 전사재 공급부(도면에 도시하지 않음)로부터 배출되어, 전자사진 감광 부재(1)와 전사 장치(6)(예컨대, 전사 통전기) 사이로 공급된다.
토너 화상이 전사된 전사재(7)를 정착 장치(8)로 도입된 전자사진 감광 부재(1)의 표면으로부터 분리시켜서 화상 정착 처리를 하고, 전자사진 장치로부터 복제물(복사물)로서 인쇄 출력한다.
토너 전사 이후에 전자사진 감광 부재(1)의 표면으로부터 클리닝 장치(9)에 의해서 전사 잔류 토너를 제거하여 클리닝하고, 추가로 사전 노광 장치(도면에 도시하지 않음)로부터의 사전 노광 광으로 전하 제거 처리를 한 후에, 반복해서 화상 형성에 사용한다.
대전 장치(3)로서는, 코로나 방전을 이용하는 스코로트론(scorotron) 통전기 또는 코로트론(corotron) 통전기를 사용하거나, 로울러 형태, 블레이드 형태, 브러쉬 형태 등을 갖는 대전 부재를 구비한 접촉형 통전기를 사용할 수 있다.
본 발명에서, 전자사진 감광 부재(1), 및 대전 장치(3), 현상 장치(5), 전사 장치(6) 및 클리닝 장치(9)를 비롯한 구성 요소들로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 일체로 통합하여 프로세스 카트리지로서 구성하고; 상기 프로세스 카트리지를 복사기 또는 레이저빔 프린터와 같은 전자사진 장치에 탈착 가능하게 장착할 수 있다. 예를 들면, 대전 장치(3), 현상 장치(5) 및 클리닝 장치(9)중 하나 이상의 장치를 전자사진 감광 부재(1)와 함께 일체로 지지하여 카트리지를 만들고, 전자사진 장치의 본체의 레일(11 및 12)와 같은 가이드 장치를 사용해서 프로세스 카트리지(10)을 전자사진 장치의 본체에 탈착 가능하게 장착할 수 있다.
상기 전자사진 장치가 복사기 또는 프린터인 경우에, 노광 광(4)은 문서로부터 반사되거나 문서를 통해 투과된 광, 또는 문서 해독 결과가 센서에 의해 전환된 신호에 따라서 레이저빔의 스캐닝, LED 어레이의 구동 또는 액정 셔터 어레이의 구동에 의해 조사된 광이다.
실시예
이하에서는, 실시예에 의거하여 본 발명을 설명하고자 한다. 실시예에서, "부"는 "질량부"를 의미한다.
먼저, 본 발명에 의한 중합체에 대한 합성예를 설명하고자 한다.
합성후 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 GPC에 의해 측정하였다(겔 투과 크로마토그래피인 토오소 코오포레이션에서 제조한 "HLC-8120"을 사용해서 수행하고, 폴리스티렌을 표준 물질로 하여 환산함).
(합성예 1)
반복 구조 단위(101)을 갖는 중합체의 합성
나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 5.4부 및 3,5-디아미노벤조산 3.0부를 질소 대기하에 디메틸아세트아미드 200부에 첨가하고, 실온에서 1 시간 동안 교반하였다. 원료가 용해된 후에, 용액을 8 시간 동안 환류시키고; 침적물을 여과 제거한 후에 아세톤으로 세척해서 목적 중합체 6.2부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 2)
반복 구조 단위(201)을 갖는 중합체의 합성
페릴렌테트라카르복실산 이무수물 7.8부 및 3,5-디아미노벤조산 3.0부를 질소 대기하에 디메틸아세트아미드 200부에 첨가하고 실온에서 1 시간 동안 교반시켰다. 이어서, 혼합물을 8 시간 동안 환류시키고; 침적물을 여과 제거한 후에 아세톤으로 세척해서 목적 중합체 7.5부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 3)
반복 구조 단위(109)를 갖는 중합체의 합성
나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 5.4부 및 4-아미노벤조산 5.5부를 질소 대기하에 디메틸아세트아미드 200부에 첨가하고 실온에서 1 시간 동안 교반시켰다. 원료가 용해된 후에, 용액을 8 시간 동안 환류시키고; 침적물을 여과 제거한 후에, 에틸 아세테이트로 재결정화하여 하기 구조식 (11)로 표시되는 화합물 7.6부를 수득하였다:
Figure pct00020
이어서, 상기 구조식 (11)로 표시되는 화합물 5.1부를, 이소시아네이트화를 위해, 문헌 [Tetrahedron, vol. 1974, No. 30, 2151]에 설명된 방법을 사용해서 트리에틸아민의 존재하에 DMF중에서 디페닐포스포릴 아지드와 반응시켰다. 3,5-디히드록시벤조산 1.5부를 여기에 첨가하고, 8 시간 동안 환류시킨 후에; 침적물을 여과 제거하고, 아세톤으로 세척하여 목적 중합체 4.9부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 4)
반복 구조 단위(318)을 갖는 중합체의 합성
4-카르복시페닐보론산 6.7부를 톨루엔 100부와 에탄올 50부의 혼합 용매에 첨가하고; 문헌 [Chem. Educator No. 6, 227-234 (2001)]에 설명된 합성 방법에 의해서 합성된 3,6-디브로모-9,10-페난트렌디온 7.4부를 질소 대기하에 더 첨가한 후에; 20% 탄산나트륨 수용액 100부를 적가하였다. 이어서, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 0.55부를 첨가한 후에, 혼합물을 2 시간 동안 환류시켰다. 반응후에, 유기 상을 클로로포름으로 추출하고, 물로 세척한 후에, 무수 황산나트륨으로 건조시켰다. 용매를 감압하에 제거한 후에, 잔류하는 물질을 실리카겔 크로마토그래피로 정제하여 하기 구조식 (12)로 표시되는 화합물 5.2부를 수득하였다:
Figure pct00021
이어서, 디시아노메틸렌말로노니트릴 0.7부를 상기 구조식 (12)로 표시되는 화합물 4.5부에 첨가하고, 테트라히드로푸란 중에서 12 시간 동안 환류시켰다. 용액을 냉각시킨 후에, 침적된 자색 결정을 여과 제거하고, 에틸 아세테이트로 재결정화하여 하기 구조식 (13)으로 표시되는 화합물 3.7부를 수득하였다:
Figure pct00022
이어서, 상기 구조식 (13)으로 표시되는 화합물 2.5부를, 이소시아네이트화를 위해, 문헌 [Tetrahedron, vol. 1974, No. 30, 2151]에 설명된 방법을 사용해서 트리에틸아민의 존재하에 DMF중에서 디페닐포스포릴 아지드와 반응시켰다. 3,5-디아미노벤조산 0.8부를 여기에 첨가하고, 8 시간 동안 환류시킨 후에; 침적물을 여과 제거하고, 아세톤으로 세척하여 목적 중합체 2.9부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 5)
반복 구조 단위(515)를 갖는 중합체의 합성
2,6-디브로모안트라퀴논 6.8부 및 4-카르복시페닐보론산 6.7부를 질소 대기하에 톨루엔 100부와 에탄올 50부의 혼합 용매에 첨가하고; 20% 탄산나트륨 수용액 100부를 적가하였다. 이어서, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 0.55부를 첨가한 후에, 혼합물을 2 시간 동안 환류시켰다. 반응 완료후에, 유기 상을 클로로포름으로 추출하고, 물로 세척한 후에, 무수 황산나트륨으로 건조시켰다. 용매를 감압하에 제거한 후에, 잔류하는 물질을 실리카겔 크로마토그래피로 정제하여 하기 구조식 (14)로 표시되는 화합물 8.2부를 수득하였다:
Figure pct00023
이어서, 상기 구조식 (14)로 표시되는 화합물 2.5부를, 이소시아네이트화를 위해, 문헌 [Tetrahedron, vol. 1974, No. 30, 2151]에 설명된 방법을 사용해서 트리에틸아민의 존재하에 DMF중에서 디페닐포스포릴 아지드와 반응시켰다. 3,5-디아미노벤조산 0.8부를 여기에 첨가하고, 8 시간 동안 환류시킨 후에; 침적물을 여과 제거하고, 아세톤으로 세척하여 목적 중합체 2.9부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 6)
반복 구조 단위(103)을 갖는 중합체의 합성
나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 5.4부 및 1,4-페니렌디아민-2-술폰산 3.7부를 질소 대기하에 디메틸아세트아미드 200부에 첨가하고, 실온에서 1 시간 동안 교반하였다. 원료가 용해된 후에, 용액을 8 시간 동안 환류시키고; 침적물을 여과 제거한 후에 아세톤으로 세척해서 목적 중합체 5.8부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
(합성예 7)
반복 구조 단위(901) 및 상기 구조식 (91)로 표시되는 반복 구조 단위를 7:3(몰비율)으로 갖는 중합체의 합성
나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 3.8부, 피로멜리트산 무수물 0.7부 및 3,5-디아미노벤조산 3.0부를 질소 대기하에 디메틸아세트아미드 200부에 첨가하고, 실온에서 1 시간 동안 교반하였다. 원료가 용해된 후에, 용액을 8 시간 동안 환류시키고; 침적물을 여과 제거한 후에 아세톤으로 세척해서 목적 중합체 5.6부를 수득하였다. 수득한 중합체는 미립자였다.
이어서, 전자사진 감광 부재의 제작 및 평가에 관해 설명하고자 한다.
(실시예 1)
길이가 260.5 mm이고 직경이 30 mm인 알루미늄 실린더(JIS-A3003, 알루미늄 합금)을 지지체(전도성 지지체)로서 사용하였다.
이어서, 산소-부족 산화주석으로 피복된 이산화티타늄 입자(분말 비저항: 120 Ω·cm, 산화주석 피복율: 40%) 50부를 전도성 입자로서, 페놀 수지(다이니폰 잉크 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드에서 제조한 플리오펜(Plyophen) J-325, 수지 고형분: 60%) 40부를 결합제 수지로서, 그리고 메톡시프로판올 40부를 용매(분산매)로서, 직경이 1 mm인 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 공급하고, 3 시간 동안 분산 처리하여 도전층용 코팅액(분산액)을 제조하였다.
도전층용 코팅액중의 산소-부족 산화 주석으로 피복된 산화티타늄 입자의 평균 입자 직경을 호리바 리미티드에 의해 제조된 입자 크기 분포 분석기(등록상표명: CAPA700)을 사용해서, 테트라히드로푸란을 분산매로 사용하는 원심 침강법에 의해, 5,000 rpm의 회전 주파수하에 측정하였다. 그 결과, 평균 입자 직경은 0.33 ㎛였다.
지지체를 도전층용 코팅액으로 침지 코팅하고; 수득한 코팅 필름을 건조시키고 30분 동안 145℃에서 열경화시켜서 필름 두께가 16 ㎛인 도전층을 형성하였다.
이어서, 증류수 300부, 메탄올 500부 및 분산매인 트리에틸아민 8부를 반복 구조 단위(101)을 갖는 중합체 입자 40부에 첨가하고; 혼합물을 직경이 1 mm인 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 공급하고, 2 시간 동안 분산 처리하여 언더코트층용 코팅액(분산액)을 제조하였다.
언더코트층용 코팅액을 제조하기 이전과 이후의 중합체 입자의 평균 입자 직경을 호리바 리미티드에 의해 제조된 입자 크기 분포 분석기(등록상표명: CAPA700)을 사용해서, 메탄올을 분산매로 사용하는 원심 침강법에 의해, 7,000 rpm의 회전 주파수하에 측정하였다. 그 결과를 하기 표 5-1 내지 5-3에 나타내었다.
도전층을 상기 언더코트층용 코팅액으로 침지 코팅하고; 수득한 코팅 필름을 10분 동안 120℃에서 가열하여 분산매를 증발시키고 중합체 입자를 용융 및 응집(건조)시킴으로써, 필름 두께가 1.0 ㎛인 언터코트층을 형성하였다.
이어서, CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.5°, 9.9°, 12.5°, 16.3°, 18.6°, 25.1°및 28.3°의 브래그 각도 (2θ±0.2°)에 강한 피이크를 나타내는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 10부, 폴리비닐부티랄(등록상표명: S-LEC BX-1, 세키스이 케미칼 컴패니, 리미티드에서 제조함) 5부, 및 시클로헥산온 260부를 직경이 1 mm인 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 공급하고, 1.5 시간 동안 분산 처리하였다. 이어서, 에틸 아세테이트 240부를 여기에 첨가함으로써, 전하 발생층용 코팅액을 제조하였다.
언더코트층을 상기 전하 발생층용 코팅액으로 침지 코팅하고; 수득한 코팅 필름을 95℃에서 10분 동안 건조시켜서 필름 두께가 0.18 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 하기 구조식 (15)로 표시되는 아민 화합물(정공 수송 물질) 7부:
Figure pct00024
및 하기 구조식 (16)으로 표시되는 반복 구조 단위를 갖고 중량 평균 분자량(Mw)이 100,000인(토오소 코오포레이션에서 제조하는 겔 투과 크로마토그래피인 "HLC-8120"에 의해 측정하여 폴리스티렌 표준 물질에 대하여 계산함) 폴리아릴레이트 10부:
Figure pct00025
를 디메톡시메탄 30부와 클로로벤젠 70부의 혼합 용매에 용해시켜서, 정공 수송층용 코팅액을 제조하였다.
전하 발생층을 상기 정공 수송층용 코팅액으로 침지 코팅하고; 수득한 코팅 필름을 40분 동안 120℃에서 건조시켜서 필름 두께가 18 ㎛인 정공 수송층을 형성하였다.
이와 같은 방식으로, 지지체상에 도전층, 언더코트층, 전하 발생층 및 정공 수송층을 갖는 전자사진 감광 부재를 제작하였다.
제작된 전자사진 감광 부재를 캐논 인코오포레이티드에서 제조한 레이저빔 프린터(등록상표명: LBP-2510)의 개조된 프린터상에 23℃ 및 50% RH의 환경하에 장착하고; 표면 전위 및 출력 화상을 평가하였다. 평가의 세부 내용은 다음과 같다.
(표면 전위의 평가)
레이저빔 프린터의 청록색용 프로세스 카트리지를 개조하고, 전위 탐침(모델 6000B-8, 트렉 저팬 가부시키가이샤 제조)을 현상 위치에 장착한 다음; 전자사진 감광 부재의 중심부의 전위를 표면 전위계(모델: 1344, 트렉 저팬 가부시키가이샤 제조)를 사용해서 측정하였다. 화상 노광 광의 양은, 어두운 부분 전위(Vd)가 -500V이고 밝은 부분 전위(Vl)가 -100V가 되도록 설정하였다. 실시예 1 이외의 실시예들에서 밝은 부분 전위를 평가할 때 광의 양은 실시예 1에서 밝은 부분 전위가 -100V가 되는 광의 양을 사용하였다.
(화상의 평가)
제작된 전자사진 감광 부재를 레이저빔 프린터의 청록색용 프로세스 카트리지상에 장착하고; 프로세스 카트리지를 청록색 프로세스 카트리지의 스테이션상에 장착한 다음; 화상을 출력하였다. 이 때, 화상 노광 광의 양은, 어두운 부분 전위가 -500V가 되고 밝은 부분 전위가 -100V가 되도록 설정하였다.
먼저, A4 크기의 일반 종이상에 3,000 장의 전색 화상(각 색상에 대하여 1%의 인쇄 비율의 텍스트 화상)을 출력하였다.
이어서, 단색 백색 화상(1장), 고스트 평가용 화상(5장), 단색 흑색 화상(1장) 및 고스트 평가용 화상(5장)을 이 순서대로 연속해서 출력하였다.
고스트 평가용 화상은, 도 2에 도시된 바와 같이, 고스트 평가용 화상의 헤드 부분상에 백색 화상(201)내의 사각형 흑색 화상(202)을 출력한 후에 도3에 도시된 바와 같은 1-도트 케이마(1-dot KEIMA)(체스의 나이트 움직임과 유사) 패턴의 하프톤 화상(203)을 출력함으로써 형성하였다. 도 3에서, 도면 부호(301)은 1-도트 케이마(체스의 나이트 움직임과 유사) 패턴의 하프톤 화상의 주요 스캐닝 방향을 가리키고, 도면 부호(302)는 그의 준 스캐닝 방향을 가리킨다. 도면 부호(303)은 1 도트를 가리킨다.
포지티브 고스트의 평가는, 1-도트 케이마(체스의 나이트 움직임과 유사) 패턴의 하프톤 화상(203)과 고스트 부분(204)(포지티브 고스트가 발생할 수 있는 부분) 간의 화상 농도의 차이를 측정함으로써 수행하였다. 한 장의 고스트 평가용 화상에서 10개의 농도 지점을 분광 농도계(등록상표명: X-라이트(Rite) 504/508, X-라이트 인코오포레이티드 제조)에 의해 측정하였다. 이 작업을 고스트 평가용 화상 10장에 대하여 전부 수행하여 총 100개 지점의 평균치를 계산하였다. 그 결과를 하기 표 5-1에 나타내었다. 고스트 부분의 농도가 더 높다는 것은 포지티브 고스트의 발생이 더 강함을 의미한다. 농도차(맥베스(Macbeth) 농도차)가 더 작다는 것은 포지티브 고스트가 더욱 많이 억제됨을 의미한다.
(실시예 2 내지 122)
실시예 1에서 언더코트층을 형성하는데 사용된 반복 구조 단위(101)을 갖는 중합체를 하기 표 5-1 내지 5-3에 제시된 반복 구조 단위를 갖는 중합체로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 전자사진 감광 부재를 제작하고 평가하였다. 그 결과를 하기 표 5-1 내지 5-3에 제시하였다.
(비교예 1)
실시예 1에서 언더코트층 형성을 다음과 같이 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 전자사진 감광 부재를 제작하고 평가하였다. 그 결과를 하기 표 6에 제시하였다.
폴리아미드(나가세 켐텍스 코오포레이션에서 제조하는 토레신(Toresin) EF30T) 40부를 n-부탄올 300부와 메탄올 500부의 혼합 용매에 용해시켜서 언더코트층용 코팅액을 제조하였다. 도전층을 상기 언더코트층용 코팅액으로 침지 코팅하고; 수득한 코팅 필름을 120℃하에 10분 동안 건조시켜서 필름 두께가 0.8 ㎛인 언더코트층을 형성하였다.
(비교예 2)
실시예 1에서 언더코트층을 형성하는데 사용된 반복 구조 단위(101)을 갖는 중합체를 일본 특허 출원 공개 제2001-83726호의 합성예 I-2에 설명된 하기 구조식(17)로 표시되는 블록 공중합체로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 전자사진 감광 부재를 제작하고 평가하였다. 그 결과를 하기 표 6에 제시하였다.
Figure pct00026
상기 식에서 k:l≒3:2이고; o:p≒7:3이다.
(비교예 3)
실시예 1에서 언더코트층을 형성하는데 사용된 반복 구조 단위(101)을 갖는 중합체를 일본 특허 출원 공개 제2003-345044호에 설명된 하기 구조식(18)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 전자사진 감광 부재를 제작하고 평가하였다. 그 결과를 하기 표 6에 제시하였다.
Figure pct00027
[표 5-1]
Figure pct00028
[표 5-2]
Figure pct00029
[표 5-3]
Figure pct00030
[표 6]
Figure pct00031
이상에서는 예시적인 실시양태에 의거하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시양태에 제한되지 않는다는 것을 알아야 한다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위는 모든 변형예 및 등가의 구조와 기능을 포함하도록 가장 넓게 해석해야 한다.
본 출원은 2010년 6월 29일자 출원된 일본 특허 출원 제 2010-147351호 및 2011년 6월 21일자 출원된 일본 특허 출원 제 2011-137511호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 특허 출원들은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.

Claims (4)

  1. 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층상에 형성되고 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 포함하는 감광층을 포함하며, 여기서 상기 언더코트층은 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체를 포함하되, 단, 하기 화학식 (2)로 표시되는 반복 구조 단위를 추가로 갖는 중합체는 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 제외되는 것인, 전자사진 감광 부재.
    Figure pct00032

    상기 화학식 (1) 및 (2)에서, Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 단일 결합, 알킬렌기, 아릴렌기, 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 아르알킬렌기를 나타내고; W1 내지 W4는 각각 독립적으로 단일 결합, 우레탄 결합, 또는 우레아 결합을 나타내며; B1은 카르복시기 또는 술포기로 치환된 아릴렌기, 카르복시기 및 알킬기로 치환된 아릴렌기, 또는 카르복시기 또는 술포기로 치환된 알킬렌기를 나타내고; B2는 아릴렌기, 알킬렌기, 또는 아르알킬렌기이거나, 알킬기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 아릴렌기이거나, 할로겐원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 알킬렌기이거나, 알킬기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 니트로기로 치환된 아르알킬렌기이거나, 에테르 또는 술포닐이 개재된 아릴렌기이거나, 또는 에테르가 개재된 알킬렌기를 나타내며; A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 화학식 (A-1) 내지 (A-8)중 어느 하나로 표시되는 2가 기를 나타낸다.
    Figure pct00033

    Figure pct00034

    상기 화학식 (A-1)에서, R101 내지 R104는 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 또는 결합 부위를 나타내고; R105 및 R106은 각각 독립적으로 아릴기, 또는 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R101 내지 R106 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-2)에서, R201 내지 R208은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 또는 결합 부위를 나타내고; R209 및 R210은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R201 내지 R210 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-3)에서, R301 내지 R308은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R309는 산소 원자, 또는 디시아노메틸렌기를 나타내며; R310 및 R311은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내고; R310이 질소 원자인 경우에는, R304가 존재하지 않고, R311이 질소 원자인 경우에는, R305가 존재하지 않되; 단, R301 내지 R308 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-4)에서, R401 내지 R406은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R407은 산소 원자, 또는 디시아노메틸렌기를 나타내되; 단, R401 내지 R406 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-5)에서, R501 내지 R508은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내고; R509 및 R510은 각각 독립적으로 산소 원자, 또는 디시아노메티렌기를 나타내며; R511 및 R512은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내고; R511이 질소 원자인 경우에는, R501이 존재하지 않고, R512가 질소 원자인 경우에는, R505가 존재하지 않되; 단, R501 내지 R508 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-6)에서, R601 내지 R608은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 카르복실레이트 에스테르기, 또는 결합 부위를 나타내고; R610 및 R611은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내며; R610이 질소 원자인 경우에는, R604가 존재하지 않고, R611이 질소 원자인 경우에는, R605가 존재하지 않으며; R609는 디시아노메틸렌기를 나타내되; 단, R601 내지 R608 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-7)에서, R701 내지 R713은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 카르복실레이트 에스테르기, 또는 결합 부위를 나타내고; R714 및 R715은 각각 독립적으로 탄소 원자, 또는 질소 원자를 나타내며; R714가 질소 원자인 경우에는, R704가 존재하지 않고, R715가 질소 원자인 경우에는, R705가 존재하지 않되; 단, R701 내지 R713 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 하며;
    상기 화학식 (A-8)에서, R801 내지 R808은 각각 독립적으로 수소 원자이거나, 아릴기, 또는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 알킬기 또는 할로겐화 알킬기로 치환된 아릴기이거나, 알킬기, 시아노기, 니트로기, 또는 결합 부위를 나타내되; 단, R801 내지 R808 중 2개가 각각 결합 부위라는 것을 조건으로 한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 포함하는 감광층이, 지지체 측으로부터 순서대로 제공된, 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 정공 수송 물질을 포함하는 정공 수송 층을 포함하는 감광층인 전자사진 감광 부재.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 전자사진 감광 부재; 및 대전 장치, 현상 장치, 전사 장치 및 클리닝 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 장치를 일체로 지지하고, 전자사진 장치의 본체에 탈착 가능하게 장착될 수 있는, 프로세스 카트리지.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 전자사진 감광 부재, 대전 장치, 노광 장치, 현상 장치, 및 전사 장치를 포함하는 전자사진 장치.
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