KR100514753B1 - 나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드계 고분자 및 이를포함하는 전자사진 감광체, 전자사진 카트리지, 전자사진드럼 및 전자사진 화상형성장치 - Google Patents

나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드계 고분자 및 이를포함하는 전자사진 감광체, 전자사진 카트리지, 전자사진드럼 및 전자사진 화상형성장치 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1의 나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드계 고분자, 이를 포함하는 전자사진 감광체, 이를 포함하는 전자사진 카트리지, 전자사진 드럼 및 전자사진 화상형성장치를 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고; R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고, 이 때 치환기는 할로겐기, 알킬기, 할로겐화알킬기, 옥시알킬기 또는 아릴기이고; n은 3 내지 200의 정수, 바람직하게는 5 내지 50의 정수를 나타낸다. 상기 고분자를 하인층에 포함하는 본 발명에 따른 전자사진 감광체는 도전성 지지체로부터의 정공 유입이 억제되어 화상 결함을 감소시킬 수 있고, 노광전위의 상승을 억제할 수 있다.

Description

나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드계 고분자 및 이를 포함하는 전자사진 감광체, 전자사진 카트리지, 전자사진 드럼 및 전자사진 화상형성장치{Naphtalene tetracarboxylic diimide based polymer, electrophotographic photoreceptor containing the same, electrophotographic catridge, electrophotographic drum and electrophotographic apparatus comprising the same}
본 발명은 나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드계 고분자, 이를 포함하는 전자사진 감광체, 이를 포함하는 전자사진 카트리지, 전자사진 드럼 및 전자사진화상 형성장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 나프탈렌 테트라카르복실산 디이미드 구조의 반복 단위를 가지는 고분자, 이를 하인층으로 포함하는 전자사진 감광체, 이를 포함하는 전자사진 카트리지, 전자사진 드럼 및 전자사진 화상형성장치에 관한 것이다.
전자사진 감광체는 전자사진 방식의 팩시밀리, 복사기, 레이저 프린터, CRT 프린터, LED 프린터, 액정 프린터 및 레이저 전자사진 분야에 사용되며, 도전성 지지체상에 전하발생물질, 전하수송물질, 결합제 수지 등을 포함하는 감광층을 구비한다. 감광층으로는 전하발생물질과 전하수송물질이 하나의 층에 포함된 단층형과, 전하발생물질을 포함하는 전하발생층과 전하수송물질을 포함하는 전하수송층이 적층되어 있는 적층형이 있다. 이중에서 기능분리형의 적층형이 주로 사용된다.
그러나 도전성 지지체상에 감광층만을 설치하면 도전성 지지체 표면의 결함, 즉 상처, 부식, 불순물 따위의 표면 결함이 화상에 그대로 반영되며, 이는 보이드(void)와 같은 화상 결함의 원인이 되는 경우가 많다. 또한 도전성 지지체와 감광층의 접착성이 나쁘기 때문에 감광층에 조금만 상처가 나도 전체가 벗겨져 버리는 경우가 있다. 뿐만 아니라 도전성 지지체로부터의 정공 유입으로 인하여 노광전위가 상승하는 원인이 되기도 한다. 이를 방지하기 위하여 도전성 지지체와 감광층 사이에 하인층(undercoat)이 설치된다.
하인층으로는 주로 절연성 유기 고분자가 서브 미크론 두께의 박막 형태로 설치되지만 감광체의 감도 저하를 일으킨다는 큰 결점을 가지고 있다. 또한 상기 하인층과 감광층 계면에 공간 전하가 축적되고 잔류 전위의 상승, 초기 전위의 저하 등 감광체 피로의 원인이 되기도 하다.
이를 방지하기 위하여 다양한 방법들이 제안되어 왔다. 즉, 하인층에 도전성 무기 충전제를 분산시키는 방법, 이온전도성 고분자를 이용하는 방법 또는 전하 수송성 화합물 또는 저분자량의 첨가제를 포함시키는 방법 등이다.
무기 충전제로는 산화티탄이나 산화주석이 사용되지만 이를 하인층 도료중에 분산시키기 위해 분산액의 조제나 포트 라이프(pot life)에 기술적인 곤란을 수반한다. 또 분산 불균일에 의한 화상 결함도 일어난다.
이온 전도성 고분자로는 예를 들면 가용성 폴리아미드, 셀룰로오스 등의 물, 알코올 가용성의 고분자가 사용되지만 도전율이 낮기 때문에 문제점을 해소하는데는 부족하다.
종래에 사용되고 있는 저분자량의 첨가제로는 하기 화학식 2 및 3의 화합물이 있다.
또한 하기 화학식 4의 저분자량의 전하수송물질을 고분자 수지에 분산 및 첨가하여 하인층으로 사용한 예가 있다.
최근에는 미합중국 특허 제 6,228,546호의 경우와 같이 하기 화학식의 디페노퀴논 구조를 가지는 고분자 수지를 직접 하인층으로 사용한 경우가 있다.
상기와 같이 저분자량의 첨가제나 전하수송물질을 고분자 수지에 첨가하여 사용할 경우에는 사용되는 고분자 수지와의 적합성(compatibility) 문제로 수지와 첨가제간의 최적 조합을 찾기가 어려우며, 또한 첨가제나 전하수송물질의 첨가량을 높이면 결정화가 일어나거나 고분자 수지와 상분리가 일어나고, 첨가량을 감소시킬 경우에는 충분한 성능을 발휘할 수 없게 되는 문제점이 있다. 아울러 하인층과 전하발생층 및 전하수송층과의 코팅성능의 저하로 전자사진 감광체 제조에 있어서 코팅 용액 선정에 많은 어려움이 있다.
이온전도성 고분자, 예를 들면 가용성 폴리아미드, 셀룰로오스 등의 물, 알코올 가용성의 고분자를 하인층으로 사용할 경우에 주변 습도에 의해 고분자들이 영향을 받기 쉽다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 하인층으로 사용시 도전성 지지체로부터의 정공의 유입을 억제하여 화상 결함을 최소화하고 노광전위 상승을 억제할 수 있으며 또한 습도에 영향을 받지 않는 고분자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 화상 결함을 최소화하고 노광전위 상승을 억제할 수 있는 고분자를 포함하는 전자사진 감광체를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 화상 결함을 최소화하고 노광전위 상승을 억제할 수 있는 고분자를 포함하는 전자사진 카트리지를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 화상 결함을 최소화하고 노광전위 상승을 억제할 수 있는 고분자를 포함하는 전자사진 드럼을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 화상 결함을 최소화하고 노광전위 상승을 억제할 수 있는 고분자를 포함하는 전자사진 화상형성 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1태양에서는 하기 화학식 1의 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드계 고분자를 제공한다:
상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고, 여기서 치환기는 할로겐기, 알킬기, 할로겐화 알킬기, 옥시알킬기 또는 아릴기이고,
n은 3 내지 200의 정수, 바람직하게는 5 내지 50의 정수를 나타낸다.
본 발명의 제 2 태양에서는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하는 전자사진 감광체에 있어서, 상기 하인층이 상기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체를 제공한다.
본 발명의 제 3 태양에서는 복수개의 지지롤러; 및
상기 지지롤러의 운동이 전자사진 감광체의 운동을 일으키도록 상기 지지롤러와 작동가능하게 결합된 전자사진 감광체를 포함하는 전자사진 화상형성장치로서, 상기 전자사진 감광체는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고, 상기 하인층은 상기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 화상형성장치를 제공한다.
본 발명의 제 4태양에서는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고, 상기 하인층은 상기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체; 및
상기 전자사진 감광체를 대전시키는 대전장치, 상기 전자사진 감광체 상에 형성된 정전기적 잠상을 현상하는 현상 장치, 및 상기 전자사진 감광체의 표면을 크리닝하는 크리닝 장치중 적어도 어느 하나를 포함하며,
화상형성장치에 부착되거나 화상형성장치로부터 탈착될 수 있는 것을 특징으로 하는 전자사진 카트리지를 제공한다.
본 발명의 제 5태양에서는 화상형성장치에 부착될 수 있고 또한 화상형성장치로부터 탈착될 수 있는 드럼; 및
상기 드럼상에 배치된 전자사진 감광체를 포함하는 전자사진 드럼으로서,
상기 전자사진 감광체는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고, 상기 하인층은 상기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 드럼을 제공한다.
본 발명의 제 6태양에서는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고, 상기 하인층은 상기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체 유니트;
상기 감광체 유니트를 대전시키는 대전 장치;
상기 감광체 유니트상에 정전기적 잠상을 형성하기 위하여 상기 대전된 감광체 유니트를 화상화된 광으로 조사하는 화상화 광조사 장치;
상기 감광체 유니트상에 토너 화상을 형성하기 위하여 상기 정전기적 잠상을 토너로 현상하는 현상 유니트; 및
수용체상에 상기 토너 화상을 전사하는 전사 장치를 포함하는 화상형성장치를 제공한다.
이하, 본 발명의 전자사진 감광체 및 전자사진 화상형성장치 등에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 고분자는 하기 화학식 1의 구조를 가진다:
[화학식 1]
상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20, 바람직하게는 탄소수 1 내지 12의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
R2는 탄소수 1 내지 20, 바람직하게는 탄소수 1 내지 12의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고, 여기서 치환기는 할로겐기, 알킬기, 할로겐화 알킬기, 옥시알킬기 또는 아릴기이고,
n은 3 내지 200의 정수, 바람직하게는 5 내지 50의 정수를 나타낸다.
본 발명의 일 구현예에서 상기 화학식 1의 고분자 화합물은 하기 화학식 6 으로 표시되는 고분자 화합물이다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1의 고분자는 하기 화학식 7의 나프탈렌테트라카르복실산 무수물과 하기 화학식 8의 디아민 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.
반응 조건은 디메틸 포름아미드, 디메틸 아세트아미드, 디메틸 술폭사이드 등의 비양성자성 극성 용매에 상기 화학식 7과 화학식 8의 화합물을 넣어 환류시킨 후 상기 반응액에 피리딘/아세트산 무수물 1:2 용액을 첨가하여 상온에서 1시간, 70℃에서 3시간 반응시킨 다음 냉각하여 메탄올 등의 알코올계 용매에 침전시킨다.
상기 화학식에서 R1 및 R2는 화학식 1에서 정의한 것과 동일하다.
이어서, 화학식 1의 고분자 화합물을 하인층에 포함하는 본 발명에 따른 전자사진 감광체에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 상기 감광체는 도전성 지지체상에 화학식 1의 고분자를 포함하는 하인층 및 감광층을 차례로 적층하여 제조된다.
도전성 지지체로는 알루미늄, 니켈 등의 금속, 금속 증착 고분자 필름, 금속 라미네이트 고분자 필름 등을 이용할 수 있고, 드럼상, 시트상 또는 벨트상의 형태로 도전성 지지체를 형성할 수 있다.
상기 하인층은 화학식 1의 고분자 화합물을 용매에 용해시킨 다음 이를 도전성 지지체상에 도포하여 박막 형태로 형성된다.
용매는 예를 들면 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족계 용매; 디클로로메탄, 디클로로에탄, 클로로포름, 트리클로로에탄, 테트라클로로에탄, 사염화탄소 등의 할로겐화 용매; 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 메틸포르메이트, 에틸 포르메이트 등의 에스테르계 용매; 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올 등의 알코올계 용매; 디메틸 포름아미드, 디메틸 아세트아미드, 디메틸 술폭사이드 등의 비양성자성 극성 용매를 이용할 수 있다. 이 중에서 에테르계 용매, 할로겐화 용매 또는 이들의 혼합 용매가 바람직하다.
하인층의 형성방법은 예를 들면 딥 코팅, 바 코팅, 캘린더 코팅, 그라비아 코팅, 스핀 코팅, 전착 코팅, 스프레이 코팅을 들 수 있으나, 특별히 한정되는 것은 아니다.
상기 하인층은 1 내지 5㎛의 두께, 바람직하게는 1 내지 2㎛이다. 두께가 1㎛ 미만인 경우는 전도성 지지체로부터의 전자 유입을 억제하기 곤란해지고, 5㎛를 초과하는 경우에는 노광 전위가 상승하여 전기적 특성이 악화될 우려가 있다.
이어서, 상기 하인층상에 감광층이 형성된다. 본 발명에 따른 전자사진감광체를 구성하는 감광층은 단층형이거나 적층형일 수 있다. 상기 감광층이 적층형인 경우에는 전하발생층과 전하수송층이 별도로 구성되어 적층되며, 상기 전하수송층은 정공수송물질 및 전자수송물질을 단독으로 또는 함께 포함할 수 있다.
상기 감광층이 단층형인 경우에는 감광층내에 전하 발생물질과 정공수송물질 및/또는 전자수송물질을 포함한다. 이하에서는 적층형을 중심으로 설명한다.
전하발생층은 전하발생물질, 결합제 수지 및 필요에 따라 첨가제를 포함하며, 도포법 등의 방법으로 제조할 수 있다. 전하발생물질은 특별히 한정되지 않으며, 조사되는 특정 파장의 빛을 흡수하고, 효율적으로 전하를 발생하는 것이라면 유기 재료, 무기 재료 모두 적합하게 사용할 수 있다.
감광층에 사용되는 전하발생물질로서는, 예를 들면 프탈로시아닌계 안료, 아조계 안료, 퀴논계 안료, 페릴렌계 안료, 인디고계 안료, 비스벤조이미다졸계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 아줄레늄계 염료, 스쿠아릴륨계 염료, 피릴륨계 염료, 트리아릴메탄계 염료, 시아닌계 염료 등의 유기재료나, 아모퍼스 실리콘, 아모퍼스 셀레늄, 삼방정 셀레늄, 텔루륨, 셀레늄-텔루륨 합금, 황화카드뮴, 황화안티몬, 황화아연 등의 무기재료를 들 수 있다. 감광층에 사용되는 전하발생물질은 상기 물질들에 한정되는 것은 아니며, 또한 이들을 단독으로 사용하는 것도 가능하지만, 2종류 이상을 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
상기 전하발생물질과 함께 사용되는 결합제 수지로서는 전기절연성의 고분자 중합체가 바람직하고, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 메타크릴수지, 아크릴수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리비닐아세테이트, 실리콘수지, 실리콘-알키드 수지, 스티렌-알키드 수지, 폴리-N-비닐카바졸, 페녹시수지, 에폭시수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리술폰, 폴리비닐알콜, 에틸 셀룰로오스, 페놀수지, 폴리아미드, 카르복시-메틸 셀룰로오스, 폴리우레탄 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들 고분자 중합체는 단독으로 사용될 수도 있고, 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
필요에 따라 사용되는 첨가제로는 산화방지제, 분산제, 접착보조제, 증감제 등을 들 수 있다.
상기 적층형 감광층의 전하발생층 상에는 전하수송층이 형성되지만, 층구성을 역전시켜 전하수송층상에 전하발생층을 설치한 구성으로 하는 것도 가능하다.
전하수송층은 전하수송물질, 결합제 수지 및 필요에 따라 첨가제를 포함하는 용액을 전하발생층 상에 도포, 건조시켜 제조할 수 있다. 사용되는 용매로는 전하수송물질에 따라 결합제 수지가 용해되고 전하발생층이 용해되지 않는 용매라면 특별히 한정될 필요는 없다. 사용되는 전하수송물질로는 특별히 한정되지는 않으며, 통상 사용되는 전하수송물질이 사용될 수 있다. 예를 들면 히드라존 화합물, 스틸벤 화합물, 트리아릴아민 화합물, 피라졸린 화합물, 옥사디아졸 화합물, 옥사졸 화합물, 폴리비닐카바졸 화합물, 트리페닐메탄 화합물 등을 들 수 있다.
상기 단층형 감광체의 경우에는 상기 전하발생물질, 결합제 수지 및 전하수송물질 등이 용해 또는 분산된 용액 또는 분산액을 도포하는 것에 의하여 감광층이 얻어진다. 전하수송물질로서는 정공수송물질과 전자수송물질이 있지만, 특히 단층형 감광체의 경우에는 전자수송물질을 병용하는 것이 바람직하다.
정공수송물질로서는, 예를 들면 피렌계, 카바졸계, 히드라존계, 옥사졸계, 옥사디아졸계, 피라졸린계, 아릴아민계, 아릴메탄계, 벤지딘계, 티아졸계, 스티릴계 등의 함질소환식 화합물이나 축합다환식 화합물을 들 수 있다. 또한, 이들의 치환기를 주쇄 혹은 측쇄에 갖는 고분자 화합물이나 폴리실란계 화합물을 사용하는 것도 가능하다.
전자수송물질로서는, 예를 들면 벤조퀴논계, 시아노에틸렌계, 시아노퀴노디메탄계, 플루오레논계, 크산톤계, 페난트라퀴논계, 무수프탈산계, 티오피란계, 디페노퀴논계 등의 전자흡인성 저분자화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않고, 전자수송성 고분자화합물이나 n형반도체 특성을 갖는 안료 등이어도 좋다.
본 발명의 전자사진 감광체에 사용할 수 있는 전하수송물질 또는 정공수송물질은 여기서 든 것에 한정되지 않으며, 그 사용에 있어서는 단독 혹은 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 감광층의 두께는 적층형, 단층형에 관계없이 통상 5㎛ ~ 50㎛의 범위 내로 설정된다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 예시하기 위한 것이며 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다.
실시예
제조예: 화합물(1)의 제조
[화학식 6]
하기 화학식 9의 4,4'-(헥사플로오로이소프로필리덴)디아닐린 34g(0.1mol)과 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 무수물 26g(0.1mol)을 300ml DMF에 2시간 환류시켰다. 상온으로 식힌 후 상기 반응액에 피리딘/아세트산 무수물 1:2 용액 100ml를 첨가하여 상온에서 1시간, 70℃에서 3시간 반응시킨 후 2000ml 메탄올에 침전시켰다. 침전물을 여과하여 걸러내고, 이를 다시 메탄올에 재침전 반복 정제하여 화학식 6으로 표시되는 화합물 (1) 35g(약 60% 수율)을 얻었다.
[화학식 9]
실시예 1
알루미늄 드럼에 상기 제조예에서 제조한 화합물 (1) 0.5g을 용매(THF, 9.5g)에 용해시키고 여과(포어 크기=5㎛)한 후 링코팅 장치에서 300mm/분의 속도로 코팅하고 70℃에서 30분동안 건조하여 두께 약 2미크론의 하인층을 형성하였다.
밀링된 감마형 티타닐 프탈로시아닌(γ-TiOPc, H.W.Sands사, 에탄올 15.23중량%) 3g, 폴리비닐부티랄 수지(BX-1, Sekisuk사) 2g을 메틸에틸케톤 8.34g에 첨가하여 여과(포어 크기=5㎛)한 후 링코팅 장치에서 300mm/분의 속도로 상기 제조한 하인층에 코팅하고 70℃에서 60분동안 건조하여 두께 약 1㎛의 감광층을 형성하여 전하발생층을 완성하였다.
정공수송물질(MPCT 10, Mitsubishi Paper Mills) 50중량부, 결합제 수지(PCZ200, 제조회사명: ) 50중량부를 용매 THF 334중량부에 구성물질을 모두 용해시킨 다음 여과(포어 크기=5㎛)한 후 링코팅장치에서 300mm/분의 속도로 코팅하고 상기 전하발생층 위에 80℃에서 60분 동안 건조시켜 두께 약 12㎛의 정공수송층을 형성하여 감광체를 완성하였다.
비교예 1
하인층을 사용하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광체를 완성하였다.
비교예 2
알루미늄 드럼에 폴리아미드(Amilan Toray사, CM8000) 0.5g을 2-클로로에탄올 9.5g에 용해시키고 여과(포어 크기 5㎛)한 후 링코팅장치에서 300mm/분의 속도로 코팅하고, 120℃에서 30분 동안 건조시켜 두께 약 2 미크론의 하인층을 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광체를 완성하였다.
시험예
실시예 1, 비교예 1 및 2에서 제조한 감광체를 QEA( 사제, 제품명: )를 이용하여 8kV 인가시의 대전전위(V)와 1μJ/cm2의 에너지로 노광시 노광전위(Vr)를 첫번째 사이클과 500 사이클 후 측정하였으며, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
V0 V0r V500 V500r
실시예 1 698.4 721.3 44.4 89.4
비교예 1 619.1 586.8 35.6 51.1
비교예 2 678.2 676.9 55.8 104.2
상기 표에서 V0와 V500은 초기 및 500 사이클 후의 대전전위를 나타내고, V 0r과 V500r은 초기 및 500 사이클 후의 노광전위를 나타낸다.
상기 표 1에서 알 수 있듯이 폴리아미드를 하인층으로 갖는 비교예 2 보다 본 발명에 따른 실시예 1의 감광체가 사이클링 후에도 노광 전위의 상승 문제가 없음을 알 수 있다. 이는 실시예 1의 경우 하인층이 전자 수송체 구조의 고분자를 포함하여 도전성 지지체로부터의 정공 유입을 효과적으로 억제할 수 있기 때문으로 생각된다.
본 발명에 따른 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드계 고분자를 포함하는 하인층을 구비한 전자사진 감광체는 하인층이 도전성 지지체로부터 정공 유입을 억제하여 화상결함을 최소화하고, 노광전위의 상승을 억제함으로써 전기적 특성이 개선될 수 있다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하는 전자사진 감광체로서, 상기 하인층이 하기 화학식 1에 따른 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체.
    [화학식 1]
    상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
    R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고,
    n은 3 내지 200의 정수를 나타낸다.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 감광층이 단층형 또는 적층형인 것을 특징으로 하는 감광체.
  4. 복수개의 지지롤러; 및
    상기 지지롤러의 운동이 전자사진 감광체의 운동을 일으키도록 상기 지지롤러와 작동가능하게 결합된 전자사진 감광체를 포함하는 전자사진 화상형성장치로서, 상기 전자사진 감광체는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고 상기 하인층은 하기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 화상형성장치:
    [화학식 1]
    상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
    R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고,
    n은 3 내지 200의 정수를 나타낸다.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 감광체가 단층형 또는 적층형인 것을 특징으로 하는 전자사진 화상형성장치.
  6. 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고, 상기 하인층은 하기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진감광체; 및
    상기 전자사진 감광체를 대전시키는 대전장치, 상기 전자사진 감광체 상에 형성된 정전기적 잠상을 현상하는 현상 장치, 및 상기 전자사진 감광체의 표면을 크리닝하는 크리닝 장치중 적어도 어느 하나를 포함하며,
    화상형성 장치에 부착되거나 화상형성장치로부터 탈착될 수 있는 것을 특징으로 하는 전자사진 카트리지:
    [화학식 1]
    상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
    R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고,
    n은 3 내지 200의 정수를 나타낸다.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 감광체가 단층형 또는 적층형인 것을 특징으로 하는 전자사진 카트리지.
  8. 화상형성장치에 부착될 수 있고 또한 화상형성장치로부터 탈착될 수 있는 드럼; 및
    상기 드럼상에 배치된 전자사진 감광체를 포함하는 전자사진 드럼으로서,
    상기 전자사진 감광체는 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고 상기 하인층은 하기 화학식 1의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 드럼:
    [화학식 1]
    상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
    R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고,
    n은 3 내지 200의 정수를 나타낸다.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 감광체가 단층형 또는 적층형인 것을 특징으로 하는 전자사진 드럼.
  10. 도전성 지지체, 감광층 및 상기 도전성 지지체와 상기 감광층 사이에 형성된 하인층을 포함하고 상기 하인층은 하기 화학식 1의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광체 유니트;
    상기 감광체 유니트를 대전시키는 대전 장치;
    상기 감광체 유니트상에 정전기적 잠상을 형성하기 위하여 상기 대전된 감광체 유니트를 화상화된 광으로 조사하는 화상화 광조사 장치;
    상기 감광체 유니트상에 토너 화상을 형성하기 위하여 상기 정전기적 잠상을 토너로 현상하는 현상 유니트; 및
    수용체상에 상기 토너 화상을 전사하는 전사 장치를 포함하는 전자사진 화상형성장치:
    [화학식 1]
    상기 화학식에서 R1은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기이고,
    R2는 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 옥시알킬렌기, 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 탄소수 7 내지 30의 아르알킬렌기이고,
    n은 3 내지 200의 정수를 나타낸다.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 감광체가 단층형 또는 적층형인 것을 특징으로 하는 전자사진화상형성장치.
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