CN100476912C - 半导体器件、显示装置以及电子设备 - Google Patents

半导体器件、显示装置以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN100476912C
CN100476912C CNB200510059995XA CN200510059995A CN100476912C CN 100476912 C CN100476912 C CN 100476912C CN B200510059995X A CNB200510059995X A CN B200510059995XA CN 200510059995 A CN200510059995 A CN 200510059995A CN 100476912 C CN100476912 C CN 100476912C
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
circuit
wiring
holding
semiconductor devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB200510059995XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1722197A (zh
Inventor
小桥裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
138 East Lcd Display Development Co ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=35513631&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN100476912(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1722197A publication Critical patent/CN1722197A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100476912C publication Critical patent/CN100476912C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04—Display protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体器件，其防止驱动电路内装显示装置中的静电破坏，不仅在输入端子部分，而且在电路中或者在布线末端也配置保护电路，或者在紧跟输入端子和布线末端分别设置保护电路，把电路夹在它们之间，进而，在消耗电流大的电路的周围设置保护电路。

Description

半导体器件、显示装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及半导体器件、显示装置以及电子设备，特别是涉及把驱动电路安装在有源矩阵基板内部的显示装置。
背景技术
在半导体器件中，由于静电或者各种噪声现象产生的意外的高电压施加到装置内，破坏绝缘膜而受到不能恢复的故障的静电破坏(ESD)对策是重要的问题，当前正在考察用于防止该静电破坏的各种保护电路。例如，在专利文献1、专利文献2等中，提出了通过把二极管适当组合，使施加到布线上的异常电压放电到GND等中的电路。然而，由于通常的半导体器件形成在作为导体的硅晶片上，因此以作为在半导体器件内很少带电，通过输入端子静电侵入时的对策为主，一般采取通过在输入端子与构成电路的半导体元件之间，即紧跟在输入端子之后形成保护电路，防止从输入端子侵入的高电压传播到元件这样的构成。
另一方面，在使用了近年来迅速普及的薄膜晶体管(TFT)等的有源元件的显示装置等中，由于在绝缘基板上形成装置，因此存在着由于静电而自身易于带电，在制造工艺中易于引起静电破坏的问题。为此，例如在有源矩阵电路的外围形成被称为护环或短路环的带电防止用的布线等，实施静电对策。
最近，使用把多晶硅作为有源层的多晶硅TFT，通过把显示装置的驱动电路安装在内部，实现提高清晰度、降低成本、确保可靠性的驱动电路内装型的显示装置正在实用化和普及。在这样的装置中，驱动电路的静电对策由于直接使用以往在硅晶片上的半导体中具有的方法，因此仅把用于保护来自输入端子的静电的保护电路安装在内部，在有源矩阵电路的静电保护方面使用以往的驱动电路非内装型的显示装置的方法。以下，使用图11说明与驱动电路的保护有关的现有技术的详细情况。
图11是使用了以往技术的多晶硅TFT的VGA-LCD用有源矩阵基板的框图。201-1～480是有源矩阵电路的扫描线，由用800表示的扫描线驱动电路驱动。202-1～1920是数据线，在各条扫描线与数据线的交叉部分中形成由n型TFT构成的像素晶体管401和像素电极402，驱动液晶元件。
801-1～480是构成扫描线驱动电路800的480级的扫描驱动单元电路，由CMOS电路构成。作为具体的扫描线驱动单元电路801-1～n的电路构成例例如参照图5。
各个扫描线驱动单元电路801-1～480连接低电位电源布线750以及高电位电源布线751，通过这些布线供给功率。低电位电源布线750连接到低电位电源端子650，高电位电源布线751连接到高电位电源端子651，在低电位电源端子650以及高电位电源端子651中经由FPC等连接电源IC，分别供给电位VS以及电位VD的基准电位。这里，VS＜VD。
进而，通过信号布线701、702以及信号端子601、602，由外部IC供给在各个扫描线驱动单元电路801-1～480的工作中所需要的信号(例如时钟信号)。
这里，为了防止通过低电位电源端子650、高电位电源端子651以及信号端子601、602，侵入静电或者噪声电流，破坏构成各个扫描线驱动单元电路801-1～480的TFT，把静电保护电路ESD1～4设置在各个输入端子601、650、651到各个扫描线驱动单元电路801-1～480之间。作为静电保护电路ESD1～4的具体构成，例如可以举出专利文献1以及专利文献2等。
【专利文献1】特许第2884946号公报
【专利文献2】特许第3141511号公报
然而，绝缘基板上的驱动电路与硅晶片上的电路相比较，电荷难以逃逸，易于带电。除此以外，把显示装置的驱动电路安装在玻璃基板上的情况由于与在一般的硅晶片上制造的IC相比较电路面积大，因此在这种构成中，具有对远离输入端子的布线上的静电的保护特别是在制造中的工艺中不充分的问题。之所以这样讲，是因为在制造工艺内，静电也有可能在基板上的任意位置带电，在从带电的位置到静电保护电路的距离长，布线电阻高的情况下，在静电保护电路工作之前，有时会静电破坏离静电保护电路远的电路内的晶体管。这样的问题在使用了SOI基板的半导体器件的情况下也成为共同的问题。
另外，在绝缘基板的情况下，即使在制造工艺结束后的完成品状态下，在基板外部产生了强烈的静电放电时，通过静电感应有时也在布线上流过很大的电流，这种情况下，也可能破坏远离端子位置的电路。
进而，在本发明中对通过电路而过大的电流沿着布线上流过时，布线上的电位瞬时变动的问题也示出对策。
发明内容
本发明为了解决上述的问题点，提出了在保护电路与输入端子之间配置半导体电路的构成。如果进行更具体而且定量的表现，则提出了配置成使得沿着从半导体电路与布线的连接部分到输入端子的布线的电阻比沿着从保护电路与布线的连接部分到输入端子的布线的电阻小。
不仅是像以往技术那样在输入端子附近设置的保护电路，而且通过在与布线的输入端子没有连接的部位设置内部保护电路，具有即使在远离端子的位置也能够充分地得到对于静电的保护这样的效果。
进而，提出了在布线上设置多个保护电路，使得把半导体电路夹在保护电路之间地设置的构成。由此，在能够防止来自输入端子的静电或者噪声的同时，保护远离输入端子的半导体电路。另外，通过按照大约一定的间隔配置多个保护电路，能够无遗漏地保护连接在布线上的半导体电路，更为理想。
进而，在本发明中提出在布线中包括低电位的电源布线和高电位的电源布线，具有与其双方连接的电源间保护电路。如果这样构成，则在能够用二极管元件等更容易地形成保护电路的基础上，由于相互是电源布线，因此难以受到噪声的影响。另外，由于电源布线一般在电路内非常长，因此与其它类布线相比较特别需要静电保护，从而效果更为显著。除此以外，对于信号布线提出了在与电源布线之间形成信号电源间保护电路。由于信号线之间易于受到噪声的影响，因此如果在与电源之间设置保护电路则能够降低恶劣影响。进而，提出了信号电源间保护电路的电容比电源间保护电路的电容小的构成。通过这样做，能够使信号对于电源线的影响成为最小限度。
进而，在本发明中，其特征是当把低电位电源布线或者高电位电源布线中流过的最大电流记为I(A)，把电源布线的电压降发生的允许时间的上限记为t(秒)时，保护电路中的布线之间的电容成分大于等于I×t×0.1(F)。理想的是考虑多晶硅TFT中的一般的工作时间，t小于等于10-8(秒)。通过这样做，具有当在电路中流过很大的电流，没有追加来自外部的供给，在布线上发生了瞬时电压变动时，通过保护电路内的电容成分而降低该变动的效果。
进而，在本发明中，提出了电源间保护电路或者信号电源间保护电路包括二极管元件，其一端连接到电源布线的构成。根据这样的构成，能够容易地进行静电或者噪声电流的放电，保护性能显著提高。
进而，在本发明中，还提出了把以上所述的发明内容适用在由n沟道型场效应晶体管以及p沟道型场效应晶体管构成的所谓CMOS型的半导体器件中的构成。在CMOS型的半导体器件中由于至少需要2种基准电源，电源布线变多，因此本发明的效果显著。特别是，在多晶硅薄膜晶体管的CMOS型的半导体器件中，由于基板是绝缘基板，因此在没有保护电路的状态下，易于引起带电，从而本发明的效果越发显著。另外，特别是在绝缘基板上构成了TFT-LCD或者TFT-OLED等中使用的有源矩阵及其驱动电路的情况下，驱动电路由于构成为包围有源矩阵而增大，与此相伴随布线也加长，从而本发明的效果更为显著。
进而在本发明中，在有源矩阵中使用本发明的情况下，提出在有源矩阵的4个角中，在远离输入端子的角上配置内部保护电路的构成。通过在这样的位置上配置，由于能够不加大有源矩阵的周边部分尺寸(边缘)而配置大的保护电路，因此十分理想。
另外，使用了本发明的半导体器件的显示装置以及装载了该显示装置的电子设备由于难于发生工艺过程中的静电破坏，因此在成本方面十分有利，由于难以发生电源的电压降，因此还具有显示质量高的效果。
附图说明
图1是用于说明本发明第1实施例的有源矩阵基板的结构图。
图2是用于说明本发明第2实施例的扫描线驱动电路图。
图3是用于说明本发明第3实施例的有源矩阵基板的结构图。
图4是用于说明本发明实施例的保护电路图。
图5是用于说明本发明实施例的扫描线驱动单元电路图。
图6是用于说明本发明第1实施例的液晶显示装置的立体图(部分剖面图)。
图7是用于说明本发明第3实施例的缓冲电路图。
图8是用于说明本发明第3实施例的其它实施形态的缓冲电路图。
图9是用于说明本发明第3实施例的保护电路图。
图10是仿真了用于说明本发明第3实施例的基准电位变动的结果的曲线图。
图11是用于说明以往例的有源矩阵基板的结构图。
符号的说明
101：有源矩阵基板
201-1～480：扫描线1～480
202-1～1920：数据线1～1920
ESD1～4：第1～第4保护电路
ESD11～13：第5～第7保护电路
ESD21～23：第8～第10保护电路
800：扫描线驱动电路
801-1～480：扫描线驱动单元电路
具体实施方式
以下，根据附图说明本发明的实施形态。
实施例1
图1是实现使用了本发明的扫描线驱动电路的液晶显示装置的第1实施例中的扫描线驱动电路内装型的有源矩阵基板的结构图。在有源矩阵基板101上，正交形成480条扫描线201-1～480和1920条数据线202-1～1920，与扫描线201-1～480平行并且交互配置480条电容线203-1～480。数据线202-1～1920连接数据线输入端子302-1～1920。电容线203-1～480相互短路后连接共同电位输入端子303。相对导通部分304也连接到共同电位输入端子303。
在扫描线201-n与数据线202-m的各个交点上形成由n沟道型场效应薄膜晶体管构成的像素开关元件401-n-m，其栅电极连接扫描线201-n，源及漏电极分别连接数据线202-m和像素电极402-n-m。像素电极402-n-m形成电容线203-n和辅助容量电容器，另外作为液晶显示装置组装时，把液晶元件夹在中间，形成相对基板电极(COM)以及电容器。
扫描线201-1～480连接到通过在有源矩阵基板上集成多晶硅薄膜晶体管而形成的扫描线驱动电路800，被提供驱动信号。这里，扫描线驱动电路由连接到每条扫描线上的480个扫描线驱动单元电路801-1～480构成。在本发明中，技术方案范围中的半导体电路是扫描线驱动电路800。另外，技术方案范围中的布线表示CLK信号布线701、SP信号布线702、高电位电源布线751和低电位电源布线750等。
在扫描线驱动电路800上连接CLK信号布线701、SP信号布线702、高电位电源布线751和低电位电源布线750，被供给时钟、起动脉冲信号以及各电源电位。这里，CLK信号布线701、SP信号布线702、高电位电源布线751和低电位电源布线750连接CLK信号端子601、高电位电源端子651和低电位电源端子650，这些端子经过FPC等连接到外部IC，被供给所希望的信号及电源电位。
在CLK信号端子601、SP信号端子602、高电位电源端子651和低电位电源端子650与CLK信号布线701、SP信号布线702、高电位电源布线751和低电位电源布线750之间的连接布线上连接第1～第4保护电路ESD1～4，防止当从各个端子601、602、651、650流过静电或者噪声电流时，破坏扫描线驱动电路800内的TFT。
进而，从CLK信号布线701、高电位电源布线751和低电位电源布线750上的CLK信号端子601、高电位电源端子651和低电位电源信号端子650观看，在隔开了扫描线驱动电路800的相反一侧的末端上，还配置第5～第7保护电路ESD11～13。由此，在扫描线驱动单元电路801-n中，能够防止在有源矩阵基板制造过程中由静电破坏处于远离端子位置的单元(例如n＝1等)的问题。另外，第5～第7保护电路ESD11～13如果配置在有源矩阵基板的角部，特别是与输入端子相反的角部，则能够不加大基板面积进行配置。
图4是保护电路ESD1～13的具体的电路结构例。p型晶体管504的源电极以及栅电极连接到高电位电源VH，漏电极连接到被保护的布线，n型晶体管502的源电极以及栅电极连接到低电位电源VL，漏电极连接到被保护的布线。这里，提供到被保护布线上的信号电平必定是小于等于VH大于等于VL。如果通过静电等，被保护的电源电位变为VH～VL的范围以外，则n型晶体管502或者p型晶体管504导通，使异常电流向基准电位VH布线或者基准电位VL布线逃逸。这里，能够通过保护电阻503防止布线的电位急剧上升而破坏n型晶体管502或者p型晶体管504。这里，VH以及VL一般在电路内使用最高的电源和最低的电源，而也可以是VH＝VD，VL＝VS。
另外，这里保护电路ESD1～13采用相同的结构，而各保护电路当然也可以根据其需要是不同的电路结构。特别是，与内部的保护电路ESD11～13相比较，输入部分的保护电路ESD1～4要求比较高的保护性能。从而，例如第1保护电路ESD1可以采用具有比第5保护电路ESD11高的保护性能的电路结构，具体地讲，可以使n型晶体管502以及p型晶体管504的沟道宽度比第1保护电路ESD1大。
图5是扫描线驱动单元电路801-1～480的结构例，成为把使用了2个时钟反相器的静态型移位寄存器与NAND(与非)电路、NOT(非)电路组合起来的结构。另外，第n级(n＜480)的扫描线驱动单元电路801-n的OUT端子连接到第n-1级的扫描线驱动单元电路801-n-1的IN端子，第480级的扫描线驱动单元电路801-480的IN端子连接SP信号布线702。
图6是示出了第1实施例的透射型液晶显示装置的立体结构图(部分剖面图)。用密封材料920把图1所示的有源矩阵基板101与在滤色膜上通过成膜ITO形成共同电极的相对基板901粘贴在一起，在其中封入向列液晶材料910。另外，在有源矩阵基板101上的相对导通部分304中配置导通件，与相对基板901的共同电极短路。
数据线输入端子302-1～1920、共同电位输入端子303、CLK信号端子601、SP信号端子602、高电位电源端子651和低电位电源端子650通过安装在端子上的FPC930连接到1个至多个外部IC940，被供给所需要的电信号和电位。
进而，在有源矩阵基板的外侧配置上偏振板951，在相对基板的外侧配置下偏振板952，配置成使得相互的偏振方向直行(cross nicol交叉尼科耳)。进而，在下偏振板952上安装背照灯960完成制造。背照灯960既可以是在冷阴极管中安装了导光板或者散射板的结构，也可以是通过EL元件整面发光的单元。虽然没有图示，但是可以进一步根据需要，用外壳把周围覆盖，或者在上偏振板的更上方安装保护用的玻璃或者丙烯板。
该液晶显示装置与以往的装置相比较，由于难以发生由制造工艺中或者结束后的静电等产生的静电破坏，因此成品率良好而且可靠性高。
实施例2
图2是示出实现使用了本发明的扫描线驱动电路的液晶显示装置的第2实施例中驱动电路的结构图。本图相当于图1的虚线A框内的部分。
在本实施例中，从端子601、650、651到扫描线驱动电路800之间的输入部分保护电路ESD1～3或者输入端子601、650、651观看，不仅是隔开驱动电路800的末端的内部保护电路ESD11～13，而且在作为驱动电路800的中间级的第240级单元驱动电路801-240与第241级单元驱动电路801-241之间还设置第8～第10保护电路ESD21～23。由此，能够防止远离端子附近以及末端的任一方的中间级(n＝240附近中的静电破坏。在本实施例中，仅在中间级添加保护电路，而也可以根据电路的规模和大小等增加插入到中间的保护电路的数量。例如，除去本实施例的位置以外，在第120级801-120与第121级801-121之间，以及第360级801-360与第361级801-361之间如果也插入保护电路则更为理想，只要电路面积不成问题，则在所有的级之间全部插入保护电路则最为理想。但是，在每种情况下插入保护电路的间隔应该基本一定，否则，仅在间隔变宽的位置易于引起静电破坏。
关于以上记述位置以外的有源矩阵基板结构、保护电路或者驱动电路的详细情况等，第2实施例与第1实施例完全相同，由于使用了包括图2的电路的有源矩阵基板的液晶显示装置也与第1实施例同样地构成而不会产生问题，因此省略说明。
实施例3
图3是实现使用了本发明的扫描线驱动电路的液晶显示装置的第3实施例中的扫描线驱动电路内装型的有源矩阵基板的结构图。
本实施例中，与第1以及第2实施例不同，不是从CLK信号端子601和SP信号端子602直接输入提供到扫描线驱动电路800的CLK信号和SP信号，而是采用在缓冲电路810-1、810-2中一旦扩大驱动能力以后就输入到扫描线驱动电路800中的结构。根据这样的结构，即使外部IC的信号驱动能力不太高，即使是大面积的面板，也能够没有很大延迟地驱动信号。
图7是第3实施例中的缓冲电路810-1、810-2的具体的电路结构。成为串联连接了两级第1NOT电路821以及第2NOT电路822的结构，与构成第1NOT电路821的晶体管相比较，构成第2NOT电路822的晶体管一方加大沟道宽度(W)，例如设定成使得第1NOT电路821的W＝250μm，第2NOT电路822的W＝1000μm。电源布线850是从图3的低电位电源布线750分支的支布线，电源布线851是从图3的高电位电源布线751分支的支布线，白色圆圈表示分支点方向，把缓冲电路810-1、810-2夹在中间地在相反一侧(即，支布线850、851的末端)配置第11以及第12保护电路ESD41、ESD42。
通过这样的结构，夹在低电位电源布线750上的第1保护电路ESD11与第11保护电路ESD41之间的部分以及夹在高电位电源布线751上的第2保护电路ESD12与第12保护电路ESD42之间的部分与缓冲电路810-1、810-2连接，与只有第1保护电路ESD11的情况相比较，缓冲电路810-1、810-2内带电了静电时的保护性能显著提高。
图8是第3实施例中的缓冲电路810-1、810-2的具体电路结构的其它例子。与图7的结构相比较，在连接了低电位电源布线750以及高电位电源布线751上的第1NOT电路82l)的连接点与第2NOT电路822的连接点的线上添加第13保护电路ESD52以及第14保护电路ESD52。关于其它的结构与图7相同。通过这样在电路与电路的中间点也具有内部保护电路，进一步提高保护性能。
另外，在本实施例中还具有防止电源的电压变动这样的其它效果。电源布线的电阻有限，从而在互补型电路中瞬时消耗大电流的情况下，电源布线虽然部分而且瞬时地但是具有电压变动。如果用本实施例说明，则第2NOT电路822的沟道宽度W＝1000μm非常大，在输入信号翻转时瞬时流过非常大的电流，电源的电位变动(该时间根据第2NOT电路822的输出端子所连接的布线电容值决定)。
图10是仿真图7、图8结构的缓冲电路中的电位的时间变动的结果，使用该结果具体地进行说明。曲线880是从第1NOT电路821输出，输入到第2NOT电路822中的信号波形，电位从VS向VD变化。这时，构成第2NOT电路822的n型晶体管导通，把输出端子的电位写入到VS。这时，在低电位电源布线850上流过大电流，产生电压梯度，瞬时电位稍有上升。为了防止这一点，虽然可以加粗低电位电源布线850的布线宽度，但有时在电路面积的关系方面受限。在示出低电位电源布线850被固定为某个布线宽度，特别是不考虑对策时的低电位电源布线850的第2NOT电路822附近的电位的曲线是881，可知电压瞬时上升。
如果产生这种现象，则有时不仅降低缓冲电路的驱动能力，而且还给与低电位电源布线850连接的其它电路带来恶劣影响。即，通过低电位电源布线850，曲线881那样的电压降还传递到其它的电路，最严重时将引起误工作，在模拟电路的情况下对于输出精度产生影响。这个问题在与硅晶片上的电路相比较，电路面积变大的绝缘基板上的TFT电路，特别是显示装置的驱动电路中更为明显。
其次，曲线882是在低电位电源布线上加入了适当的电容元件时的结果。这时，由于瞬时流过的电流从电容元件供给到某种程度为止，因此电压降可以进一步减少。即，为了降低电压降，可以在电源布线上加入电容元件。电容元件的电容越大降低电压降的效果越显著，而在发明者研究的结果中，当把在电源布线中流过的最大电流记为I(A)，把电压降发生的允许时间记为t(秒)时，如果预先加入大于等于I×t×0.1(F)的电容元件则在电压降方面有效，在小于该值的情况下没有看到很大的效果。这里，电压降发生的允许时间t根据逻辑电路的工作最大速度、模拟电路的抽样时间决定。一般在使用了多晶硅的TFT中工作速度不太高，最多在数10MHz左右的工作是上限。即，小于等于10n秒的电源电压变动几乎不存在问题。另外，作为流过电源的最大电流与电路的最大瞬时消耗电流相等。
从而，当把电路消耗的最大电流记为I(A)，电压降发生的允许时间记为t(秒)时，如果在电源中添加大于等于I×t×0.1(F)的电容则在抑制电压降方面有效，这时，可以取为t≤10-8(秒)。另外，作为连接电容的一方，最好是电位不变动的其它的电源布线。然而，如果配置这样的电容则电路面积增大。因此，如本实施例这样，如果在电源布线上配置多个保护电路，则通过保护电路上的电容成分，在被保护的电源布线与保护电路内的基准电位电源布线VH、VL之间产生电容。这种情况下，由于电路起到既作为保护电路又作为电源电位变动对策的作用，因此在电路面积方面明显有利。
在期待这种电源电位变动降低的情况下，需要在消耗电流大的电路附近设置保护电路，否则，通过从消耗电流大的电路到保护电路的电源布线电阻，还将发生电压变动。具体地讲，应该使沿着从消耗电流大的电路到保护电路的电源布线的距离X比沿着从消耗电流大的电路到输入端子的电源布线的距离Y小。
第1～2、第11～14保护电路ESD1～2、11～14的具体结构可以像图4或者图9那样构成。关于图4的电路结构的说明由于与第1实施例相同，因此省略，即使在该结构中，也在通过晶体管的栅-漏电容成分被保护的布线与高电位电源VH以及低电位电源VL之间添加电容。图9的结构与图4的结构相比较，成为如下的结构，即，通过添加第1电容505以及第2电容506，当瞬时施加了强电压时与保护电阻503组合，作为CR电路工作，防止破坏n型晶体管502以及p型晶体管504的功能提高，而且，能够通过第1电容505以及第2电容506调整被保护的布线与高电位电源VH以及低电位电源VL的电容，因此作为电源电压降低的对策更具有效果。
另外，在采用这样的结构时，应该使低电位电源布线750以及高电位电源布线751上连接的保护电路ESD1、2、11、12的电容比信号布线701、702上连接的保护电路ESD3、4、13的电容大。这是因为信号布线由于电位变动，因此如果与信号布线的电容过大，则在保护电路中在与信号线连接的基准电源布线之间产生串扰。具体地讲，保护电路的结构如果是图9那样，则可以把低电位电源布线750以及高电位电源布线751上连接的保护电路ESD1、2、11、12的第1电容505、第2电容506设定比信号布线701、702连接的保护电路ESD3、4、13的第1电容505、第2电容506大。
在把本实施例中叙述的那样的缓冲电路以外的互补型电路，例如数据线驱动电路、DAC电路、电源电路、电平移位器电路、存储器电路等安装到有源矩阵基板上的情况下，最好也同样在支电源布线的末端以及中途设置保护电路，如果在保护电路与保护电路之间的电源布线上设置所有的电路则更为理想。另外，如果在消耗电流大的电路的前后级设置具有大于等于一定电容的保护电路则从降低电源噪声的观点出发也十分理想，具体地讲，如果把电路的消耗电流记为I，把电压降发生的允许时间记为t(典型的是t≤10-8(秒))，则可以把大于等于I×t×0.1(F)的电容作为目标。
关于上述记述位置以外的有源矩阵基板的结构、保护电路或驱动电路的详细结构等，第3实施例与第1实施例完全相同，由于使用了图3的有源矩阵基板的液晶显示装置与第1实施例同样构成也不会产生问题，因此省略说明。
另外，在实施例1中仅根据图4的保护电路进行了说明，而通过设置图9的保护电路，能够得到与实施例3同样的效果。
本发明不限于上述的实施形态，也可以是使用了把数据线驱动电路或者DAC、电源电路等安装在内部的有源矩阵基板的液晶显示装置。这种情况下，既可以把本发明的内容分别用在各电路中，如果存在设计等的问题，也可以仅使用在一部分电路中。即使在适用于扫描线驱动电路的情况下，也可以不仅是实施例那样的移位寄存器型，而且是各种顺序选择电路。
另外，作为保护电路，不仅是实施例以及以往例那样的结构，即使使用之前所提出的各种保护电路中的任何一种结构也没有问题。
另外，作为晶体管也可以使用非晶体硅薄膜晶体管而不是多晶硅。另外，还可以是在结晶硅晶片上制作像素开关元件或者驱动电路的而不是在绝缘基板形成薄膜晶体管的有源矩阵基板。
另外，作为液晶显示装置，既可以是反射型或者半透射型而不是实施例那样的透射型，也可以是投影用的光阀而不是直视型。进而，可以像实施例那样，不仅是常态白模式，还可以使用常态黑模式。特别是，这种情况下，作为液晶的取向模式，可以采用垂直取向模式或者横电场开关模式。

Claims (12)

1.一种半导体器件，其包括基板上的至少一个扫描线驱动电路，电连接于上述扫描线驱动电路的布线，为了供给电信号电连接于上述布线的输入端子和用于保护上述布线或者上述扫描线驱动电路避免受到静电或者噪声影响的多个保护电路，其特征在于：
上述扫描线驱动电路具有多个扫描线驱动单元电路，
在上述输入端子与上述扫描线驱动电路之间、从上述布线的上述输入端子侧看的隔开上述扫描线驱动电路的相反侧、及上述多个扫描线驱动单元电路的某两个扫描线驱动单元电路之间，分别配置有上述多个保护电路中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
从上述扫描线驱动电路的与上述布线的连接部分，到上述布线与上述输入端子的连接部分之间的电阻值，比从上述多个保护电路中的从上述布线的输入端子侧看，隔着上述扫描线驱动电路配置于相反侧的保护电路的与上述布线的连接部分到上述布线与上述输入端子的连接部分之间的电阻值小。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
上述多个保护电路按照一定的间隔配置。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于：
上述布线至少包括供给相对低的基准电位的低电位电源布线和供给相对高的基准电位的高电位电源布线，上述多个保护电路的至少一个是连接到上述低电位电源布线的电源间保护电路，上述多个保护电路的至少一个是连接到上述高电位电源布线的电源间保护电路。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于：
上述布线至少包括传递不是被固定了的基准电位的信号的信号布线，上述多个保护电路的至少一个是连接到上述信号布线上的信号电源间保护电路。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：
上述布线至少包括传递不是被固定了的基准电位的信号的信号布线，上述多个保护电路的至少一个连接到上述信号布线上，
上述多个保护电路中与上述低电位电源布线及上述高电位电源布线连接的保护电路的电容，大于上述多个保护电路中与上述信号布线连接的保护电路的电容。
7.根据权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于：
上述多个保护电路中的至少一个包括作为n沟道型场效应晶体管的第1晶体管和作为p沟道型场效应晶体管的第2晶体管，上述第1晶体管的至少一部分连接于低电位电源，上述第2晶体管的至少一部分连接于高电位电源。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：
上述第1晶体管以及上述第2晶体管是以多晶硅薄膜作为有源层的晶体管，上述基板是绝缘基板。
9.根据权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于：
在上述基板上形成有矩阵形地排列的多个有源元件，上述扫描线驱动电路构成用于向上述多个有源元件输入驱动信号的驱动电路。
10.一种显示装置，其特征在于：
由形成有权利要求1至3的任一项所述的半导体器件的第1基板，与该第1基板相对的第2基板以及在上述第1基板与上述第2基板之间封入的液晶层构成。
11.一种显示装置，其特征在于：
通过在权利要求1至3的任一项所述的半导体器件上形成有机EL元件构成。
12.一种电子设备，其特征在于：
使用了权利要求10所述的显示装置。
CNB200510059995XA 2004-07-05 2005-04-04 半导体器件、显示装置以及电子设备 Active CN100476912C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004198040A JP4207858B2 (ja) 2004-07-05 2004-07-05 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP198040/2004 2004-07-05

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100043311A Division CN101494227B (zh) 2004-07-05 2005-04-04 显示装置以及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1722197A CN1722197A (zh) 2006-01-18
CN100476912C true CN100476912C (zh) 2009-04-08

Family

ID=35513631

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510059995XA Active CN100476912C (zh) 2004-07-05 2005-04-04 半导体器件、显示装置以及电子设备
CN2009100043311A Active CN101494227B (zh) 2004-07-05 2005-04-04 显示装置以及电子设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100043311A Active CN101494227B (zh) 2004-07-05 2005-04-04 显示装置以及电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (7) US7755875B2 (zh)
JP (1) JP4207858B2 (zh)
KR (1) KR100760498B1 (zh)
CN (2) CN100476912C (zh)
TW (1) TW200603069A (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060134730A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 구비한 표시 장치
KR101404542B1 (ko) 2006-05-25 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2008116770A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2008177466A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Epson Imaging Devices Corp 表示装置およびその表示装置を備えた電子機器
TWI350422B (en) * 2007-04-25 2011-10-11 Au Optronics Corp Active device array substrate
KR100894254B1 (ko) * 2007-11-06 2009-04-21 주식회사 실리콘웍스 전압강하가 최소화된 전원공급라인을 구비하는 반도체 칩
CN101556387B (zh) * 2008-04-11 2011-08-31 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
KR100941835B1 (ko) 2008-05-14 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101762112B1 (ko) 2008-09-19 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
CN102460711B (zh) * 2009-06-09 2014-10-08 夏普株式会社 半导体装置
US8921857B2 (en) 2009-06-18 2014-12-30 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
KR101040859B1 (ko) 2009-09-02 2011-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
WO2011040087A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 シャープ株式会社 電子装置、表示パネル
KR101985921B1 (ko) * 2012-06-13 2019-06-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103268747B (zh) * 2012-12-26 2016-01-06 上海中航光电子有限公司 一种非晶硅栅极驱动电路
KR102000738B1 (ko) * 2013-01-28 2019-07-23 삼성디스플레이 주식회사 정전기 방지 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6107356B2 (ja) * 2013-04-16 2017-04-05 セイコーエプソン株式会社 静電保護回路、電気光学装置、及び電子機器
JP6146165B2 (ja) 2013-07-01 2017-06-14 セイコーエプソン株式会社 静電気保護回路、電気光学装置、及び電子機器
JP6079548B2 (ja) * 2013-10-11 2017-02-15 セイコーエプソン株式会社 静電気保護回路、電気光学装置、及び電子機器
KR102089074B1 (ko) * 2013-11-07 2020-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP6360718B2 (ja) 2014-05-16 2018-07-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102270333B1 (ko) * 2014-11-24 2021-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2016105318A1 (en) 2014-12-26 2016-06-30 Gravite Mimarlik Muhendislik Tasarim San. Ve Tic. A. S. Innovation in rapid coolers
CN104900206A (zh) * 2015-06-17 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种源极驱动线路板和显示装置
CN104965369A (zh) * 2015-07-28 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板以及显示装置
WO2017170219A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
JP6315113B2 (ja) * 2017-01-12 2018-04-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN106847826B (zh) * 2017-02-09 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法
CN110085585B (zh) * 2019-05-05 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 静电保护装置及显示面板
US11056034B2 (en) 2019-05-05 2021-07-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Electrostatic protection device and display panel
CN111399268A (zh) * 2020-05-28 2020-07-10 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR20230102030A (ko) 2021-12-29 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 정전기 방전 회로 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6155962A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Oki Electric Ind Co Ltd 電荷結合素子
JPH02307258A (ja) 1989-05-22 1990-12-20 Matsushita Electron Corp 半導体集積回路装置
JP3141511B2 (ja) 1992-04-28 2001-03-05 セイコーエプソン株式会社 信号入力回路およびアクティブマトリクスパネル
US5233448A (en) * 1992-05-04 1993-08-03 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection
JP2884946B2 (ja) 1992-09-30 1999-04-19 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
US5329185A (en) * 1993-03-19 1994-07-12 Gte Laboratories Incorporated CMOS logic circuitry providing improved operating speed
KR940022124A (ko) * 1993-03-24 1994-10-20 이헌조 액정표시장치
JP3290772B2 (ja) * 1993-08-18 2002-06-10 株式会社東芝 表示装置
JP3029531B2 (ja) * 1994-03-02 2000-04-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH0888323A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Nippondenso Co Ltd 半導体集積回路装置
JP3085633B2 (ja) 1994-11-08 2000-09-11 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP2643904B2 (ja) * 1995-04-20 1997-08-25 日本電気株式会社 静電保護素子
US6613650B1 (en) * 1995-07-31 2003-09-02 Hyundai Electronics America Active matrix ESD protection and testing scheme
JP4179483B2 (ja) * 1996-02-13 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP3359844B2 (ja) * 1996-07-22 2002-12-24 シャープ株式会社 マトリクス型画像表示装置
JP4307574B2 (ja) * 1996-09-03 2009-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置
JP3483714B2 (ja) 1996-09-20 2004-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6175394B1 (en) * 1996-12-03 2001-01-16 Chung-Cheng Wu Capacitively coupled field effect transistors for electrostatic discharge protection in flat panel displays
US6025746A (en) 1996-12-23 2000-02-15 Stmicroelectronics, Inc. ESD protection circuits
KR100252308B1 (ko) * 1997-01-10 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터 어레이
US6075686A (en) * 1997-07-09 2000-06-13 Industrial Technology Research Institute ESD protection circuit for mixed mode integrated circuits with separated power pins
US6337722B1 (en) * 1997-08-07 2002-01-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display panel having electrostatic discharge prevention circuitry
JP3395598B2 (ja) 1997-09-25 2003-04-14 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示パネル
KR100552299B1 (ko) * 1998-09-16 2006-05-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 검사 방법
US5936687A (en) * 1997-09-25 1999-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having an electrostatic discharge protection circuit and a method for testing display quality using the circuit
JPH11101986A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及び表示装置用大基板
JPH11282012A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
JP3820743B2 (ja) 1998-03-30 2006-09-13 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法および表示装置
JP2000019556A (ja) 1998-06-29 2000-01-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100307554B1 (ko) 1998-06-30 2001-11-15 박종섭 Esd 소자를 구비하는 반도체장치
JP2000077667A (ja) 1998-08-28 2000-03-14 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP4401488B2 (ja) * 1998-09-01 2010-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6043971A (en) * 1998-11-04 2000-03-28 L.G. Philips Lcd Co., Ltd. Electrostatic discharge protection device for liquid crystal display using a COG package
JP3631384B2 (ja) 1998-11-17 2005-03-23 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示装置及び液晶表示装置の基板製造方法
JP3585749B2 (ja) * 1998-11-20 2004-11-04 シャープ株式会社 半導体装置のシステム構成及びこの半導体装置のシステム構成を用いた液晶表示装置モジュール
JP3622559B2 (ja) * 1999-02-26 2005-02-23 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW498553B (en) 1999-03-11 2002-08-11 Seiko Epson Corp Active matrix substrate, electro-optical apparatus and method for producing active matrix substrate
JP2001083546A (ja) * 1999-07-12 2001-03-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3889533B2 (ja) * 1999-09-22 2007-03-07 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TW538400B (en) 1999-11-01 2003-06-21 Sharp Kk Shift register and image display device
US6606080B2 (en) * 1999-12-24 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and electronic equipment
TW527513B (en) * 2000-03-06 2003-04-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP3956572B2 (ja) 2000-03-13 2007-08-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置用基板の製造方法
TW441073B (en) 2000-03-17 2001-06-16 United Microelectronics Corp Electrostatic discharge protection circuit for integrated circuit
JP2001298157A (ja) 2000-04-14 2001-10-26 Nec Corp 保護回路及びこれを搭載した半導体集積回路
JP2002026333A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Nec Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
KR100658526B1 (ko) * 2000-08-08 2006-12-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치의 정전 손상 보호장치
AU2001291159A1 (en) * 2000-09-20 2002-04-02 Shahinian Jr., Lee Self-preserved nasal, inhalable, and topical ophthalmic preparations and medications
JP4718677B2 (ja) * 2000-12-06 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
GB0100733D0 (en) * 2001-01-11 2001-02-21 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing an active matrix substrate
KR100386849B1 (ko) 2001-07-10 2003-06-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 표시장치의 정전방전 방지회로
GB0119299D0 (en) * 2001-08-08 2001-10-03 Koninkl Philips Electronics Nv Electrostatic discharge protection for pixellated electronic device
JP2003121875A (ja) 2001-10-09 2003-04-23 Seiko Epson Corp 素子基板装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びにレチクル
JP3714243B2 (ja) 2001-12-11 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電気光学装置、および電子機器
JP4302535B2 (ja) * 2002-04-08 2009-07-29 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ゲート駆動回路及びこれを有する液晶表示装置
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
GB0208656D0 (en) * 2002-04-16 2002-05-29 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display
JP4200683B2 (ja) 2002-04-16 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 駆動回路、電気光学パネル、及び電子機器
US20040027526A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-12 Hannstar Display Corporation Liquid crystal display device
TW573286B (en) * 2002-10-31 2004-01-21 Toppoly Optoelectronics Corp Scan-driving circuit for use in planar display
JP3908669B2 (ja) * 2003-01-20 2007-04-25 株式会社東芝 静電気放電保護回路装置
TW591592B (en) * 2003-05-09 2004-06-11 Toppoly Optoelectronics Corp Display device having electrostatic discharge protection function and panel thereof
JP2005049637A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Seiko Epson Corp 駆動回路及びその保護方法、電気光学装置並びに電子機器
US20090149923A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 21X Corporation Dba Priavision, Inc. Method for equi-dosed time fractionated pulsed uva irradiation of collagen/riboflavin mixtures for ocular structural augmentation

Also Published As

Publication number Publication date
KR100760498B1 (ko) 2007-09-20
US9184157B2 (en) 2015-11-10
US11955473B2 (en) 2024-04-09
US8861152B2 (en) 2014-10-14
US10181462B2 (en) 2019-01-15
US20190148353A1 (en) 2019-05-16
JP2006018165A (ja) 2006-01-19
US20210257352A1 (en) 2021-08-19
US20150091018A1 (en) 2015-04-02
TWI312144B (zh) 2009-07-11
JP4207858B2 (ja) 2009-01-14
US11362081B2 (en) 2022-06-14
CN101494227B (zh) 2012-10-17
KR20060047938A (ko) 2006-05-18
US20090251834A1 (en) 2009-10-08
US7755875B2 (en) 2010-07-13
US20060002045A1 (en) 2006-01-05
US10937779B2 (en) 2021-03-02
TW200603069A (en) 2006-01-16
US20220310588A1 (en) 2022-09-29
CN101494227A (zh) 2009-07-29
CN1722197A (zh) 2006-01-18
US20130250201A1 (en) 2013-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100476912C (zh) 半导体器件、显示装置以及电子设备
US8334959B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus including a sealed wiring portion connected to an electrostatic protection circuit
US7768585B2 (en) Display device with static electricity protecting circuit
US7133039B2 (en) Liquid crystal display with a structure for reducing corrosion of display signal lines
US5684546A (en) Electrostatic discharge protective circuit in a liquid crystal display
US20060289939A1 (en) Array substrate and display device having the same
JP2003107528A (ja) 液晶表示素子の静電放電防止回路及びその防止方法
US9183795B2 (en) Liquid crystal display device
US7889189B2 (en) Electrooptic device
KR100516091B1 (ko) 표시 장치
JP4807365B2 (ja) 半導体装置、表示装置および電子機器
US20080012844A1 (en) Display Apparatus Current Discharging Method
CN212782681U (zh) 一种goa电路、阵列基板和显示装置
US20060018065A1 (en) Display device and protection circuits thereof
US7280327B2 (en) Mechanism for preventing ESD damage and LCD panel utilizing the same
KR20070119917A (ko) 정전기 보호회로를 가지는 표시패널
KR100987709B1 (ko) 액정표시장치
KR100973820B1 (ko) 액정 표시 장치의 블록 편차 분석 방법
KR20070060256A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220923

Address after: Irish Dublin

Patentee after: 138 East LCD Display Development Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

TR01 Transfer of patent right