CN100455178C - 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法 - Google Patents

电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种电磁波噪声抑制体，其磁共振频率为8GHZ以上，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大。这样的电磁波噪声抑制体可以在整个准微波波段的范围内充分发挥电磁波噪声抑制效果。这样的电磁波噪声抑制体可以通过将磁体物理蒸镀到粘合剂(2)上，在粘合剂(2)的表面形成复合层(3)的方法制造。此外，本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体，是印刷电路板、半导体集成电路等结构体表面的至少一部分被本发明的电磁波噪声抑制体覆盖的结构体。

Description

电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法
技术领域
本发明涉及抑制电磁波噪声的电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体以及它们的制造方法。
背景技术
近年来，随着网络的普及，如个人电脑、信息家电、无线LAN、蓝牙、光模块、手机、便携式信息终端、高级道路信息系统等利用具有准微波波段(0.3-10GHZ)的高时钟频率的CPU或高频率总线的电子设备、利用电波的信息通信设备也迅速普及，由于高速数字化以及低电压驱动化而要求设备的普遍高性能化的社会已经到来。但是，伴随着这些设备的普及，从这些设备放射出的电磁波也带来了诸如使设备自身或其他电子设备发生错误运转、以及对人体的影响等电磁波危害问题。因此，我们寻求尽量不放出无用的电磁波以及即使接收了来自外部的电磁波也不会发生错误运转的技术。作为这样的防止电磁波危害的方法，有利用电磁波遮蔽材料、即利用反射电磁波的电磁波屏蔽材料或吸收电磁波的电磁波吸收材料的方法。
为了防止电磁波的危害，在电子设备之间，采取了在电子设备的机体表面或电子设备之间设置电磁波遮蔽材料来遮蔽电磁波的措施(inter-system EMC)，此外，在电子设备内部，为了抑制电子部件或电路互相产生影响从而引起错误运转、以及抑制处理速度的减缓或信号波形的混乱，采取了用电磁波遮蔽材料覆盖电磁部件或电路的措施(intra-system EMC)。尤其是在电子设备内这样近距离的环境当中，需要直接对作为电磁波产生源的电子部件实施采用电磁波遮蔽材料的措施，抑制噪声的发生或者信号之间的干扰、并提高传送特性(微波EMC)的技术。
最近，对于电子设备、电子部件，特别需求其高性能化、小型化和轻量化，对这些设备、部件上使用的电磁波遮蔽材料，同样也要求既可以在准微波波段这样的高频率波段中实现良好的电磁波噪声抑制效果，并且小型、轻量，还可以简便地实施防电磁波危害的措施。
作为电磁波遮蔽材料，例如在特开平9-35927号公报中公开了：平均粒径不同的两种软磁体粉末的混合体，即将具有形状磁各向异性的软磁体粉末分散在有机粘合剂中的电磁干扰抑制体。
在该文献中，因为该电磁干扰抑制体具有大小彼此不同的各向异性磁场，所以随之就会出现多个磁共振，并且在不同频率区域出现的虚部磁导率(μ″)被重叠，其结果具有宽带的虚部磁导率(μ″)分布。这里，虚部磁导率(μ″)是吸收电磁波所必须的磁损耗项，通过虚部磁导率(μ″)分布在广波段的范围里，从而获得良好的电磁干扰抑制效果。
此外，在特开2001-53487号公报中公开了另一种电波遮蔽材料，即，将氮化铁(Fe16N2)的扁平粉和树脂合成而形成的电波吸收体。
在该文献中，当磁体的饱和磁化Is高时，表示磁导率的临界的fr(μ′-1)的项就会变大，临界线随之向高频率侧转移，即在更高的频率显示高磁导率。因此，通过使用磁体中具有最高饱和磁化的氮化铁，可以在高频率区域中，获得高磁导率，共振频率fr约为5GHZ。此外，该共振频率通过改变树脂的成分、热处理条件或者氮化铁粒子的形状或纵横尺寸比等，可以进行从数百MHZ到10GHZ附近的自由调整。此外，作为使用例示出了用糊状的电波吸收体，将在基板上安装的IC部件包括其管脚一起覆盖的例子。
此外，作为另外一种电波遮蔽材料，已知用于抑制在准微波波段运动的电磁干扰EMI(Electromagnetic Interference)的NiZn铁氧体薄膜(阿部正纪等，“在水溶液中制成的铁氧体薄膜·超微粒子的微波/纳诺生物应用”，日本应用磁性学会志，2003年，Vol.27，No.6，p.721-729)。
在该文献中，披露了共振频率可以提高到1.2GHZ的NiZn铁氧体薄膜。此外，在该文献中还记载了通过旋涂喷射法，在电路导线或半导体元件的表面实施镀金而制成NiZn铁氧体薄膜，在从噪声电流中放射出噪声电磁波之前，由该NiZn铁氧体薄膜吸收噪声电流本身。
但是，如该文献的图2或图3的μ-f特性图所示，虚部磁导率(μ″)分布在广波段的电磁干扰抑制体(特开平9-35927号公报)，仅是将虚部磁导率(μ″)部分变大，而且，其磁共振频率低于2GHZ。而且，因为在μ-f特性图中虚部磁导率(μ″)的值只显示到2GHZ，所以不能说具有覆盖整个准微波波段范围的足够的电磁干扰抑制效果。
将氮化铁的扁平粉和树脂合成化而形成的电波吸收体(特开2001-53487号公报)，因为没有实施例所以其详细情况不是很明确，但是，亚稳定结构的氮化铁(Fe16N2)的扁平粉是通过真空蒸镀、溅射、CVD、MBE等的薄膜工序制成的。但是，氮化铁(Fe16N2)的结晶结构很难稳定化，包括其他的稳定结构的氮化铁，制成具有足够大的饱和磁化的氮化铁(Fe16N2)的扁平粉是非常困难的。此外，使用掩模获得氮化铁(Fe16N2)的扁平或圆盘状的微粒子也非常困难，缺乏现实操作性。此外，可以通过改变树脂的成分、热处理条件或者Fe16N2粒子的形状或纵横尺寸比等，将共振频率调整到10GHZ左右，但是，只有共振频率约至5GHZ的实施例(特开2001-53487号公报的图5)，还存在实用性的问题。
NiZn铁氧体薄膜(阿部等)，虽然说提高了共振频率，但还是低于2GHZ，不足以作为在准微波波段使用的电磁噪声抑制体。此外，在该文献中，对于复数磁导率频谱(图4)，只记载了复数磁导率的虚部(μ″)仅到3GHZ，因为在3GHZ就已经开始减少，所以共振频率不可能是比这个值更高的频率。此外，作为应用例子，披露了在电路的铜线或半导体元件等的表面直接进行镀金而制成NiZn铁氧体薄膜的例子，但是，因为镀金液中包含Na等的阳离子、氯气、亚硝酸等的阴离子，特别是在用于半导体元件的情况下，必须进行充分地清洗，存在增加操作工序的不利之处。
此外，在使用软磁体粉末或氮化铁的扁平粉时，为了充分发挥电磁波干扰抑制作用或电磁波吸收性，就需要大量使用，这个量通常在电磁干扰抑制体或电磁波吸收体中要占90质量％前后。此外，在使用软磁体粉末或氮化铁的扁平粉时，为了充分发挥电磁波干扰抑制作用或电磁波吸收性，必须加厚电磁干扰抑制体或电磁波吸收体。因此，由于电磁干扰抑制体或电磁波吸收体比重高而且厚度厚，所以有重量变重的问题。
而且，由于电磁干扰抑制体或电磁波吸收体厚度较厚，还有无法节省空间的问题。
而且，因为软磁体粉末或氮化铁的扁平粉几乎占了全部，粘合剂仅占极少的一部分，所以存在缺乏柔软性、强度不足的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供：在整个准微波波段的范围内可以发挥足够的电磁波噪声抑制作用的电磁波噪声抑制体；抑制了电磁波的印刷电路板、半导体集成电路等结构体；以及可以容易地制造这些的制造方法。
此外，本发明的目的还在于，提供一种既节省空间又减轻重量、具有柔软性而且强度很高的电磁波噪声抑制体。
鉴于上述情况，本发明的发明人认为，为了在准微波波段的范围内取得良好的电磁波噪声抑制效果，需要根据磁体的磁损耗特性将电流变换为热能，即在该波段中具有足够大的复数磁导率的虚部(即损耗项)，因此，以获得形状各向异性等磁各向异性效果为目的，研究了在磁体的原子状态下与粘合剂的分散整体化，其结果开发出了可以在准微波波段使用的具有高磁共振频率的电磁波噪声抑制体。
即本发明的电磁波噪声抑制体的特征在于：磁共振频率为8GHZ以上，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H，比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大。这样的电磁波噪声抑制体，可以在整个准微波波段范围内发挥足够的电磁波噪声抑制效果。
此外，本发明的电磁波噪声抑制体，优选具有复合层，该复合层具有磁体以纳米级与粘合剂整体化而形成的结构，该复合层的厚度大于等于0.005μm、且小于等于3μm。这样的电磁波噪声抑制体，磁共振频率为8GHZ以上，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H，比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大，而且，既节省空间又减轻重量。
这里，所述复合层如果是使磁体物理蒸镀在粘合剂上形成的，就可以是磁体分散在粘合剂中，并且粘合剂和磁体整体化，具有很高的电磁波噪声抑制效果的复合层。此外，也不会存在杂质离子，那么就没有因为这些杂质离子引起电子电路损伤的可能性。
此外，所述粘合剂如果是树脂或橡胶，就可以制成具有柔软性且强度高的电磁波噪声抑制体。
此外，所述粘合剂如果是硬化性树脂，就不会是磁体在未硬化的粘合剂中均匀地分散，而且在粘合剂硬化之后磁体又会结晶化从而形成微粒子，而是粘合剂与磁体在原子状态下整体化而形成复合层。
本发明的电磁波噪声抑制体的制造方法是一种具有使磁体物理蒸镀到粘合剂上，在粘合剂的表面形成复合层的蒸镀工序的方法，其中，在一次的所述蒸镀步骤中，所述磁体的蒸镀质量为磁体单品的膜厚换算值大于等于0.5nm且小于等于200nm的蒸镀质量。通过这样的制造方法，可以容易地制造出具有粘合剂与磁体整体化形成的复合层的本发明的电磁波噪声抑制体。
本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的表面的至少一部分，被本发明的电磁波噪声抑制体覆盖。在这样的具有电磁波噪声抑制功能的结构体中，通过在噪声产生源的旁边紧凑地配置电磁波噪声抑制体，可以效果很好地抑制准微波波段中的电磁波噪声。
本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的制造方法是上述的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的制造方法，包括将结构体表面的至少一部分用粘合剂覆盖的覆盖工序，以及将磁体物理蒸镀到粘合剂上，在粘合剂表面形成复合层的蒸镀工序，其中，在一次的所述蒸镀步骤中，所述磁体的蒸镀质量为磁体单品的膜厚换算值大于等于0.5nm且小于等于200nm的蒸镀质量。通过这种制造方法，可以容易地制造出具有电磁波噪声抑制功能的结构体，该具有电磁波噪声抑制功能的结构体可以效果很好地抑制准微波波段中的电磁波噪声。
附图说明
图1是通过高分解(高分辨率)能透射型电子显微镜看到的本发明的电磁波噪声抑制体中复合层的图片。
图2是表示复合层近旁的一个例子的示意图。
图3是作为本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的一个例子的照相机组件的俯视图。
图4是作为本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的一个例子的照相机组件的剖面图。
图5是安装了电子部件的印刷电路板的剖面图，该印刷电路板是作为本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的一个例子。
图6是表示实施例1的电磁波噪声抑制体中复数磁导率与频率之间关系的曲线图。
图7是表示实施例2的电磁波噪声抑制体中复数磁导率与频率之间关系的曲线图。
具体实施方式
下面对本发明进行详细说明。
(电磁波噪声抑制体)
本发明的电磁波噪声抑制体，其磁共振频率为8GHZ以上，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H，比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大。
这里，复数磁导率用μ＝μ′-jμ″表示，μ′为复数磁导率的实部。μ″是复数磁导率的虚部，是与电磁波吸收有关的磁损耗项。
此外，磁共振频率是成为复数磁导率的实部μ′的峰值一半的值的频率，而且是比峰值的频率大的频率，磁共振频率是磁体按照磁损耗特性可以将噪声电流变换为热能的最大限界频率。
为了使本发明的电磁波噪声抑制体在准微波波段的范围内充分发挥电磁波噪声抑制效果，需要该磁共振频率为8GHZ以上，而且，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H，比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大，即复数磁导率的虚部μ″向着高频率侧显示出逐渐升高的倾向。本发明的电磁波噪声抑制体的复数磁导率优选为10GHZ以上。
这样，磁共振频率为8GHZ以上，在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H，比5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大的本发明的电磁波噪声抑制体，具体地说，是磁体以纳米级与粘合剂的一部分整体化形成复合层而形成的。
复合层是将磁体物理蒸镀到粘合剂上而形成的层，被物理蒸镀了的磁体没有形成均质膜，以原子状态分散在粘合剂中并与其整体化。
更具体地说，如图1、图2所示，图1是通过高分解透射型电子显微镜看到的复合层的图片，图2是通过高分解透射型电子显微镜看到的复合层的示意图，电磁波噪声抑制体1由复合层3与只有粘合剂2的层构成，该复合层3成为磁体呈原子状并与粘合剂2的分子相混合的状态。
复合层3是由以下三部分构成：可以观察到作为非常小的结晶排列着数间隔的磁体原子的结晶格4的部分，可以观察到在很小的范围内不存在磁体只有粘合剂2的部分以及可以观察到磁体原子5并未结晶化而是分散在粘合剂中的部分。即，没有观察到表示磁体作为具有清晰的结晶结构的微粒子存在的粒界，可以认为该复合层具有磁体以纳米级与粘合剂整体化所形成的复杂的异质结构(非均质·不齐的结构)。
复合层的厚度，就是磁体原子浸入粘合剂表面的深度，其依赖于磁体的蒸镀质量、粘合剂的材质以及物理蒸镀的条件等，大约是磁体的蒸镀厚度的1.5～3倍。可以认为通过使复合层的厚度成为0.005μm以上，能够使磁体原子分散在粘合剂中并与其整体化，其具有来自于形状各向异性的高频率区域中较大的损耗特性，可以使其充分发挥电磁波噪声抑制作用。另一方面，如果复合层的厚度超过了3μm，那么就会形成清晰的结晶结构从而形成均质的磁体膜，恢复为块状的磁体，减少了形状各向异性，电磁波噪声抑制效果也相应减小，实际效果不是很好。因此，复合层的厚度优选为1μm以下，最好是0.3μm以下。
对粘合剂并未进行特别的限定，例如，聚烯烃系树脂、聚苯胺系树脂、聚脂系树脂、聚醚系树脂、聚酮系树脂、聚亚氨系树脂、聚亚胺脂系树脂、聚硅氧烷系树脂、苯酚系树脂、环氧系树脂、丙烯基系树脂、聚丙烯酸酯系树脂等树脂，或者天然橡胶、异戊间二烯橡胶、聚丁橡胶、苯己烯丁二烯橡胶等二烯系橡胶，以及丁基橡胶、乙烯-丙烯橡胶、聚氨酯橡胶、硅酮橡胶等非二烯系橡胶等有机物都可以作为粘合剂。这些可以是热塑化性物质，也可以是热硬化性物质，还可以是这些物质的非硬化物。此外，还可以是上述树脂、橡胶的变性物、混合物、共聚物。
此外，粘合剂可以是后述的具有低切变模量的无机物，如果是空隙部较大、具有能够捕获超微粒子的硬度的气凝胶、多孔二氧化硅等，也可以用作粘合剂。此外，还可以是与上述有机物的合成物。
其中，考虑到磁体原子要易于进入粘合剂的问题，在后述的物理蒸镀磁体时，作为粘合剂优选采用其切变模量低的粘合剂，具体地说，优选使用切变模量为5×107Pa以下的粘合剂。为了使其达到期望的切变模量，可以根据需要，例如可以将粘合剂加热至100～300℃，但是加热温度必须不至于引起分解或蒸发。在常温下进行物理蒸镀时，粘合剂优选采用橡胶硬度约为80°(JIS-A)以下的弹性体。
此外，从维持上述非均质结构的角度出发，在磁体物理蒸镀之后，作为粘合剂优选采用切变模量高的粘合剂。通过在磁体物理蒸镀之后提高粘合剂的切变模量，可以有效防止纳米级的磁体原子或原子群凝集并结晶化、从而形成为微粒子。具体地说，在可以使用电磁波噪声抑制体的温度范围内，优选采用切变模量为1×107Pa以上的粘合剂。为达到期望的切变模量，优选在磁体物理蒸镀后将粘合剂交联。
对于这一点，由于在蒸镀时为低切变模量，在蒸镀之后可以通过交联提高其弹性模量，因此，作为粘合剂优选采用热硬化性树脂、能量线(紫外线、电子线)硬化性树脂。
而且，为了使等离子化或离子化的磁体原子和粘合剂的一部分发生反应，实现稳定化，可以在粘合剂中混合硅烷耦合剂、钛酸盐耦合剂、非离子型表面活性剂、极性树脂低聚物。通过混合这样的添加剂，除了可以防止氧化，还可以防止由于原子的凝集而形成均质膜，并可以防止由均质膜造成的电磁波的反射，改善吸收特性。
此外，还可以在粘合剂中适当添加强化填料或阻燃剂、抗老化剂、抗氧化剂、着色剂、触变剂、增塑剂、润滑剂、耐热增强剂，但是，如果混合硬质的物质，磁体原子就会与其发生冲突，不会进行充分的分散，因此需要注意。此外，在蒸镀磁体之后，还可以实施氧化硅或氮化硅的蒸镀，从而可以改善耐环境特性。
本发明的电磁波噪声抑制体的形状，可以是片状等的平面状，也可以是三维结构。此外，如后面所述，当将电磁波噪声抑制体用于覆盖结构体表面的时候，其形状可以仿效结构体形状。
(电磁波噪声抑制体的制造方法)
下面，就电磁波噪声抑制体的制造方法进行说明。
例如，通过使磁体物理蒸镀到粘合剂上、在粘合剂的表面形成复合层的方法可以获得本发明的电磁波噪声抑制体。
物理蒸镀法(PVD)一般是在真空容器中通过某些方法使蒸发材料气化、并使气化后的蒸发材料堆积在近旁放置的基板上而形成薄膜的方法，由于蒸发物质的气化方法的不同，从而被分为蒸发法和溅射法。蒸发法有EB蒸镀、离子镀等，溅射法有高频溅射、磁控溅射、对向靶磁控溅射等。
EB蒸镀具有以下特征，因为蒸发粒子的能量小，为1eV，所以基板的损坏较少，膜容易形成气孔，具有膜的强度不足的倾向，但是，膜的固有阻力会变大。
在离子镀中，为了使氩气或蒸发粒子的离子加速冲击到基板上，能量要比BP的大，粒子能达到1KeV，可以获得附着力强的膜，但是，存在无法避免被称为液滴的微米大小的粒子的附着，会有停止放电的可能性。此外，还可以通过导入氧气等反应性气体的方法使氧化物成膜。
磁控溅射，虽然靶材(蒸发材料)的利用效率低，但是其具有以下特征：由于磁场的影响而产生强等离子体，因此其成长速度很快，粒子能高，为数十eV。在高频溅射中，可以使用绝缘性的靶材。
磁控溅射中的对向靶磁控溅射是一种使对向的靶材之间产生等离子体，通过磁场将等离子体封起来，在对向的靶材之外设置基板，不会发生等离子体损失就可以生成所期望的薄膜的方法。因此，不用再次溅射基板上的薄膜，成长速度更快，被溅射的原子不用进行冲击缓和，就可以生成与致密的靶材组成物成分相同的物质。
当粘合剂由树脂(或橡胶)形成的情况下，树脂的共价键能约为4eV，具体地说，例如C-C、C-H、Si-O、Si-C的结合能分别为3.6eV、4.3eV、4.6eV、3.3eV。与此相对应，在离子镀、磁控溅射或对向靶磁控溅射中，因为蒸发粒子具有高能量，所以切断树脂的一部分化学键，发生冲击。
因此，在本发明中，如果由树脂(或者橡胶)形成的粘合剂的弹性模量足够小，在使磁体蒸镀时，树脂的分子进行振动、运动，在某些情况下树脂的分子被切断，发生磁体原子与树脂的局部混合作用，磁体原子从树脂表面最多能浸入3μm，与树脂等发生相互渗透作用，可以形成不是均质的磁体膜，而是具有纳米级的非均质结构的复合层。
当使粒子能为5eV以上的磁体原子物理蒸镀在粘合剂上时，由于一次就可以将大量的磁体分散在粘合剂中，因此优选采用。即通过一次蒸镀就可以获得磁体的质量，因此可以容易获得电磁波噪声抑制效率大的电磁波噪声抑制体。由于与粒子速度相比粘合剂的振动或运动的速度比较慢，所以蒸镀的速度优选采用比较小的速度，以配合粘合剂的缓和时序，当然要根据磁体有所不同，但是优选约为60nm/min以下。
在蒸镀工序中作为蒸发材料所使用的磁体，主要采用金属系软磁体及/或、氧化物系软磁体及/或、氮化物系的软磁体。这些可以单独使用其中一种，也可以将两种以上混合使用。
作为金属系软磁体，一般使用铁以及铁合金。作为铁合金，具体地说可以使用Fe-Ni、Fe-Co、Fe-Cr、Fe-Si、Fe-Al、Fe-Cr-Si、Fe-Cr-Al、Fe-Al-Si、Fe-Pt合金。这些金属系软磁体，可以单独使用其中一种，也可以将两种以上的合金组合使用。除了铁以及铁合金，还可以使用钴、镍的金属或它们的合金。在单独使用镍的情况下，因为其具有抗氧化力，所以可以优选使用。
作为氧化物系软磁体，优选使用铁氧体，具体地说，可以使用MnFe2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O4、MgFe2O4、Fe3O4、Cu-Zn-铁氧体、Ni-Zn-铁氧体、Mn-Zn-铁氧体、Ba2Co2Fe12O22、Ba2Ni2Fe12O22、Ba2Zn2Fe12O22、Ba2Mn2Fe12O22、Ba2Mg2Fe12O22、Ba2Cu2Fe12O22、Ba3Co2Fe24O41。这些铁氧体，可以单独使用其中一种，也可以将两种以上的铁氧体混合使用。
作为氮化物系的软磁体，已知的有Fe2N、Fe3N、Fe4N、Fe16N2等，因为其磁导率以及耐腐蚀性高，所以优选使用这些氮化物系的软磁体。
此外，当使磁体物理蒸镀到粘合剂上时，因为磁体是作为被等离子化或离子化的磁体原子进入粘合剂的，所以，被微扩散在粘合剂中的磁体的成分，并不限定其必须和作为蒸发材料所使用的磁体的成分相同。此外，也可能与粘合剂的一部分发生反应，而发生磁体转化为常磁体或反强磁体等的变化。
一次物理蒸镀操作中的磁体的蒸镀质量，以其磁体单品的膜厚换算值优选在200nm以下。如果比这个值厚，虽然根据粘合剂的切变模量而不同，粘合剂会具有包含磁体的能力，磁体就无法分散在粘合剂中而堆积在表面上，从而生成具有均质导通性的连续的块状膜。正因为如此，磁体的蒸镀质量优选为100nm以下，更优选为50nm以下。另一方面，从电磁波噪声抑制效果的角度考虑，磁体的蒸镀质量优选为0.5nm以上。
如果蒸镀质量变小，就会降低电磁波噪声抑制效果，因此通过叠加多层复合层，可以增加磁体的总质量。该总质量虽然根据所要求的电磁波噪声的抑制水平而不同，但综合的磁体的膜厚换算值优选约为10～500nm。此外，可以将叠加的层的一部分作为具有导通性的块状金属层，而使其具有电磁波的反射特性。还可以进行与电介质层的合成化，从而可以调整电磁波噪声抑制效果。
在蒸镀工序中所使用的粘合剂的厚度，并没有特别的限定，如果是紧凑的电磁波噪声抑制体，则优选使用厚度较薄的粘合剂。具体地说，其厚度优选为50μm以下，更优选为10μm以下。
(具有电磁波噪声抑制功能的结构体)
本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体，结构体表面的至少一部分被本发明的电磁波噪声抑制体覆盖。
作为结构体，例如有安装了电子部件的印刷电路板、半导体集成电路等。
下面，说明本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体的具体实施例。
(照相机组件)
图3及图4是作为具有电磁波噪声抑制功能的结构体的一个例子的照相机组件的示意图。该照相机组件大致包括如下部件：印刷电路板12，其表面设置了图像传感器11；镜头13，其与图像传感器11对应；照相机支持台14，其保持着镜头13，并在印刷电路板12上包围图像传感器11；外壳15，嵌合在照相机支持台14的外侧；以及电磁波噪声抑制体1，覆盖外壳15的表面。
例如，可以用如下所述的方法在外壳15上覆盖电磁波噪声抑制体1。
将通过射出成形法成形的作为树脂结构体的外壳15浸泡在作为粘合剂的环氧树脂溶液中，在其表面设置厚度为15μm的B台(stage)状环氧树脂。接着，通过物理蒸镀法将磁体蒸镀在环氧树脂上，换算膜厚为45nm，形成复合层。通过将具有该电磁波噪声抑制功能的外壳15嵌合在照相机支持台14上，实施照相机组件的噪声应付措施。
(印刷电路板)
图5是作为具有电磁波噪声抑制功能的结构体的一个例子的印刷电路板的示意图。该印刷电路板大致包括如下部件：配线电路22，其形成在基板21上；半导体插件23及接头部件24，连接在配线电路22；以及电磁波噪声抑制体1，其覆盖包括(连同)配线电路22、半导体插件23及接头部件24的印刷电路板表面。
例如，可以用如下所述的方法在印刷电路板上覆盖电磁波噪声抑制体。
在印刷电路板上涂布50μm的绝缘性粘合剂，以覆盖配线电路22、半导体插件23及接头部件24。在其上面，通过物理蒸镀法蒸镀磁体，形成复合层。因为不是湿处理，所以不用实施除去离子的清洗工序，可以简便地给予电磁波噪声抑制功能。
(半导体集成电路)
在向半导体集成电路给予电磁波噪声抑制功能时，在半导体晶片上通过旋涂或CVD(化学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)设置的聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚四氟乙烯、聚烯丙基醚、聚亚二甲苯基、聚金刚烷乙醚、聚苯并噁唑、环丁烯树脂等形成的厚度为200nm～100μm的有机绝缘膜上，通过物理蒸镀，蒸镀磁体10～50nm，形成复合层。根据需要，也可以使用掩模部分地形成复合层。因为该复合层是通过干处理制成的，所以不存在离子性杂质的影响，没有必要进行清洗，非常适合应用于半导体晶片。通过在精细的集成电路旁边设置具有纳米级非均质结构的电磁波噪声抑制体，即使是非常少的磁体质量，也可以抑制数字电路的脉冲传送时的共振、以及因为阻抗的不匹配而产生的无用辐射噪声等，可以改善传送特性的质量，例如提高传送速度等。
在以上说明的本发明的电磁波噪声抑制体中，理论上虽然不是很明确，但是，因为粘合剂和磁体通过物理蒸镀整体化而形成复合层，所以，即使是很少的磁体，也会由于来自于该纳米级的非均质结构的量子效果、以及材料固有的磁各向异性、形状磁各向异性或者基于外部磁场的各向异性等的影响，具有高共振频率，具体地说是具有8GHz以上的共振频率。因此，可以发挥良好的磁性特性，即使是很少的磁体，也可以在整个准微波波段的范围内发挥电磁波噪声抑制效果。
此外，在本发明的电磁波噪声抑制体中，因为即使是很少的磁体也可以发挥电磁波噪声抑制效果，所以可以大量减少磁体的量，从而实现轻量化。
而且，在本发明的电磁波噪声抑制体中，因为复合层的厚度在0.3μm以下就可以发挥充分的电磁波噪声抑制效果，所以可以使电磁波噪声抑制体比较薄，节省空间。
这里，所述复合层如果是使磁体物理蒸镀到粘合剂上而形成的，那么，通过磁体以原子状态分散在粘合剂中，使粘合剂和磁体整体化，可以用少量的磁体获得具有很高的电磁波噪声抑制效果的复合层。此外，因为是通过高真空条件下的物理蒸镀形成的复合层，所以与湿式镀金不同，不必进行除去杂质离子的工序，而且也不会有由于这些杂质离子引起电子电路损伤的担忧。
此外，因为可以大量减少磁体的量，所以当上述粘合剂是树脂或橡胶时，可以将由于磁体引起的树脂或橡胶的柔软性以及强度的降低控制在最小限度内。
而且，所述粘合剂如果是硬化性树脂，那么，在硬化前磁体更均匀地分散在粘合剂中，在硬化之后，即使是在高温条件下使用电磁波噪声抑制体，也可以防止磁体结晶化而形成微粒子，提高其耐环境特性。
此外，本发明的具有电磁波噪声抑制功能的结构体(例如：印刷电路板、半导体集成电路)，通过在噪声产生源的近旁紧凑地配置电磁波噪声抑制体，可以有效地抑制准微波波段的电磁波噪声。
实施例
下面，对实施例进行说明。
(评价)
磁导率测定：
使用凌和电子制造的超高频率磁导率测定装置PMM-9G1。
剖面观察：
使用日立制作所制造的透射型电子显微镜H9000NAR。
电磁波吸收特性：
传导噪声抑制效果的评价是按照S参数法使用KEYCOM制造的具有50Ω阻抗的微波传输带线的测试定位器TF-3A、TF-18A进行的。
此外，近旁空间的去耦合系数的评价是使用KEYCOM制造的微环形天线式的定位器进行的。网络分析器是使用了ANRITSU制造的向量网络分析器37247C。
(实施例1)
在作为支撑体的厚度为12μm的聚对苯二甲酸乙脂薄膜(常温的切变模量为3.8×109(Pa))上，设置作为粘合剂的厚度为15μm的硫化了的硅橡胶(常温的切变模量为1×107(Pa)、含有湿式二氧化硅)，在该硅橡胶上通过对向靶磁控溅射，进行换算膜厚为20nm的Fe-Ni系的软磁性金属的物理蒸镀，形成复合层，从而获得电磁波噪声抑制体。此时，基板温度保持常温，并且只施加很小的负电压，进行溅射，以使蒸发粒子具有8eV的粒子能。
将所获得的抑制体的一部分用切片机切成薄片，对其剖面实施离子束抛光，通过高分解能透射型电子显微镜对复合层的剖面进行观察，观察结果是复合层的厚度约为45nm。图1示出了剖面观察结果。使用磁导率测定装置测定磁导率。如图6所示，μ″L的相对强度值为250，μ″H的相对强度值大，是上述值的大约7倍。此外，磁共振频率(是成为μ′峰值的一半的值的频率，而且是比峰值的频率大的频率)超出了装置的测定界限，该测定界限为9GHz。此外，该电磁波吸收特性是，1GHz的反射衰减量为-9.5dB、透射衰减量为-5.5dB，10GHz的反射衰减量为-14dB、透射衰减量为-20dB。
(实施例2)
在作为支撑体的厚度为12μm的进行了分型处理的聚对苯二甲酸乙脂薄膜上，设置作为粘合剂的厚度为25μm的B台状的环氧树脂(硬化前的切变模量为8×106(Pa)、硬化后的切变模量为2×109(Pa))，在该环氧树脂上通过对向靶磁控溅射，进行换算膜厚为10nm的Fe-Ni系的软磁性金属的物理蒸镀，形成复合层。此时，基板温度保持常温，并且只施加很小的负电压，进行溅射，以使蒸发粒子具有8eV的粒子能。接着，从聚对苯二甲酸乙脂薄膜剥离下来，并将该环氧片从中间裁断，再将裁断的两片重合在一起，使呈复合层相互交替状。以40℃的温度对其进行6小时加热，然后再以120℃的温度加热2小时，从而使环氧树脂硬化，获得电磁波噪声抑制体。如图7所示，复数磁导率的虚部是，μ″L的相对强度值为200，μ″H的相对强度值大，是上述值的大约5倍。此外，磁共振频率(是成为μ′峰值的一半的值的频率，而且是比峰值的频率大的频率)超出了装置的测定界限，该测定界限为9GHz。此外，作为该电磁波吸收特性的去耦合系数，3GHz的内部去耦合系数为-8dB，相互去耦合系数为-7dB。
(实施例3)
在作为支撑体的厚度为12μm的聚酰亚胺薄膜的一面上蒸镀30nm的Ni金属，在这一面和另外一面上，设置作为粘合剂的厚度为7μm的硫化了的导电硅橡胶(常温的切变模量为2×107(Pa)、含有颜料用炭黑15质量％)，在该导电硅橡胶上通过对向靶磁控溅射，进行换算膜厚为20nm的Fe-Ni系的软磁性金属的物理蒸镀，在其正面和背面形成复合层，从而获得电磁波噪声抑制体。此时，基板温度保持常温，并且只施加很小的负电压，进行溅射，以使蒸发粒子具有8eV的粒子能。复数磁导率的虚部是，μ″L的相对强度值为180，μ″H的相对强度值大，是上述值的大约6倍。此外，磁共振频率(是成为μ′峰值的一半的值的频率，而且是比峰值的频率大的频率)超出了装置的测定界限，该测定界限为9GHz。此外，作为该电磁波吸收特性的去耦合系数，1GHz的内部去耦合系数为-3dB，相互去耦合系数为-4dB。
(实施例4)
在聚酰亚胺薄膜上设置的布线间距为0.3mm的束线状金属导体上，设置了含有NBR的B台状的环氧树脂(硬化前的切变模量为8×106(Pa)、硬化后的切变模量为8×108(Pa))，在该环氧树脂上通过对向靶磁控溅射，进行换算膜厚为15nm的Fe-Ni系的软磁性金属的物理蒸镀，形成复合层。此时，基板温度保持常温，并且只施加很小的负电压，进行溅射，以使蒸发粒子具有8eV的粒子能。以40℃的温度对其进行6小时加热，然后再以120℃的温度加热2小时，使环氧树脂硬化，从而获得设置有电磁波噪声抑制体的印刷电路板。
将该印刷电路板与用于手机的LCD(控制器LSI设置在玻璃上)以及CPU之间连接。绘制动画，并与没有电磁波噪声抑制体的设备进行比较，其结果是和没有电磁波噪声抑制体的设备相比，没有串扰(交调失真)的影响，可以获得没有信号缺陷的图像。
产业上的实施可能性
本发明的电磁波噪声抑制体，可以用于覆盖电子设备、电子部件等结构体，在整个准微波波段的范围内持续充分发挥电磁波噪声抑制效果，并可以实现电子设备、电子部件的小型化、轻量化。

Claims (11)

1.一种电磁波噪声抑制体，
磁共振频率为8GHZ以上，
在8GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″H比在5GHZ的频率中复数磁导率的虚部μ″L大，
其特征在于：所述电磁波噪声抑制体具有复合层，所述复合层具有磁体以纳米级与粘合剂整体化而形成的结构，所述复合层的厚度大于等于0.005μm、且小于等于3μm。
2.根据权利要求1所述的电磁波噪声抑制体，其特征在于：所述复合层是将磁体物理蒸镀到粘合剂上而形成的。
3.根据权利要求1所述的电磁波噪声抑制体，其特征在于：所述粘合剂是树脂或橡胶。
4.根据权利要求2所述的电磁波噪声抑制体，其特征在于：所述粘合剂是树脂或橡胶。
5.根据权利要求1所述的电磁波噪声抑制体，其特征在于：所述粘合剂是硬化性树脂。
6.根据权利要求2所述的电磁波噪声抑制体，其特征在于：所述粘合剂是硬化性树脂。
7.一种用于获得权利要求1所述的电磁波噪声抑制体的制造方法，其特征在于：在一次的物理蒸镀步骤中，将磁体物理蒸镀到粘合剂上，在粘合剂表面形成复合层，从而获得电磁波噪声抑制体，其中，所述磁体的蒸镀质量为磁体单品的膜厚换算值大于等于0.5nm且小于等于200nm的蒸镀质量。
8.一种具有电磁波噪声抑制功能的结构体，其特征在于：结构体表面的至少一部分，被根据权利要求1至6任何一项所述的电磁波噪声抑制体覆盖。
9.根据权利要求8所述的具有电磁波噪声抑制功能的结构体，其特征在于：所述结构体是安装了电子部件的印刷电路板。
10.根据权利要求8所述的具有电磁波噪声抑制功能的结构体，其特征在于：所述结构体是半导体集成电路。
11.一种具有电磁波噪声抑制功能的结构体的制造方法，所述具有电磁波噪声抑制功能的结构体是根据权利要求8所述的具有电磁波噪声抑制功能的结构体，所述具有电磁波噪声抑制功能的结构体的制造方法包括：
覆盖工序，将结构体表面的至少一部分用粘合剂覆盖；
蒸镀工序，将磁体物理蒸镀到粘合剂上，在粘合剂表面形成复合层，
所述具有电磁波噪声抑制功能的结构体的制造方法的特征在于：
在一次的所述蒸镀步骤中，所述磁体的蒸镀质量为磁体单品的膜厚换算值大于等于0.5nm且小于等于200nm的蒸镀质量。
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