JP2001297905A - 高周波電流抑制体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路素子のような高密度集積され
た微少な電子回路の高周波伝導ノイズの除去に極めて有
効な高周波磁気損失特性に優れた磁気損失材料とその製
造方法及びそれを用いた高周波電流抑制体を提供する。 【解決手段】 磁性薄膜１の少なくとも一面に、接着剤
層３又は粘着層を備えたシート形状を有する高周波電流
抑制体である。この磁性薄膜は、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ
（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在
物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいづれか、もしくはそれ
らの混在物）からなる磁気損失材料であって，前記磁気
損失材料の損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨ
ｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前記
μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数帯
域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”５０が、２
００％以内である。
た微少な電子回路の高周波伝導ノイズの除去に極めて有
効な高周波磁気損失特性に優れた磁気損失材料とその製
造方法及びそれを用いた高周波電流抑制体を提供する。 【解決手段】 磁性薄膜１の少なくとも一面に、接着剤
層３又は粘着層を備えたシート形状を有する高周波電流
抑制体である。この磁性薄膜は、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混在物）−Ｘ
（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそれらの混在
物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいづれか、もしくはそれ
らの混在物）からなる磁気損失材料であって，前記磁気
損失材料の損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨ
ｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前記
μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数帯
域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”５０が、２
００％以内である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高周波での磁気損
失特性に優れた磁性体に関し，詳しくは，高速動作する
能動素子あるいは高周波電子部品および電子機器におい
て問題となる不要輻射の抑制に有効である複素透磁率特
性に優れた磁気損失材料と，その製造方法、およびそれ
を用いた高周波電流の抑制体と抑制方法に関する。
失特性に優れた磁性体に関し，詳しくは，高速動作する
能動素子あるいは高周波電子部品および電子機器におい
て問題となる不要輻射の抑制に有効である複素透磁率特
性に優れた磁気損失材料と，その製造方法、およびそれ
を用いた高周波電流の抑制体と抑制方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。
【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高速化
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
【０００６】そこで、本発明の技術的課題は、このよう
な高速動作する半導体素子や電子回路などの不要輻射対
策に有効な磁性材料を備えたシート状の高周波電流抑制
体を提供することにある。
な高速動作する半導体素子や電子回路などの不要輻射対
策に有効な磁性材料を備えたシート状の高周波電流抑制
体を提供することにある。
【０００７】また、本発明の特別な技術的課題は、より
体積の小さな磁性体で効果的な不要輻射対策が出来る磁
気損失項μ”の大きな磁気損失材料を備えた高周波電流
抑制体を提供することにある。
体積の小さな磁性体で効果的な不要輻射対策が出来る磁
気損失項μ”の大きな磁気損失材料を備えた高周波電流
抑制体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
【０００９】例えば、半導体素子のモールド内部のよう
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
【００１０】本発明者らは、スパッタ法あるいは蒸着法
による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒
子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散さ
れたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、
磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究し
た結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒子の
濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優
れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−Ｘ−Ｙ
（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれ
か、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒
子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散さ
れたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、
磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究し
た結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒子の
濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優
れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−Ｘ−Ｙ
（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれ
か、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
【００１１】本発明者らは、Ｍ−Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属
元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、ＸはＭ、Ｙ以
外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性体におい
て、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した結果、い
ずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲にある場
合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すことを見出し
たものである。
元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、ＸはＭ、Ｙ以
外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性体におい
て、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した結果、い
ずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲にある場
合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すことを見出し
たものである。
【００１２】Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみからなるバル
ク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の飽和磁化
を示すような最も高い領域は、従来より盛んに研究され
ている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁
性体の領域である。この領域にある材料は、実数部透磁
率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、前述した
高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気デバイス
に用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成分の占め
る割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。その為に膜
厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の発生に伴
って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ対策に用
いるような比較的厚い磁性膜には不向きである。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領
域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃｍ以上と比
較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あってもうず
電流による損失が少なく、磁気損失はほとんど自然共鳴
による損失となる。その為、磁気損失項μ”の周波数分
散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対
策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分の比率が、
Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいため
に、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ成分間の磁
気的な相互作用が小さくなることで、スピンの熱擾乱が
大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、そ
の結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな値を示すよ
うになる。したがって、この組成領域は広帯域な高周波
電流の抑制に適している。
ク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の飽和磁化
を示すような最も高い領域は、従来より盛んに研究され
ている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁
性体の領域である。この領域にある材料は、実数部透磁
率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、前述した
高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気デバイス
に用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成分の占め
る割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。その為に膜
厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の発生に伴
って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ対策に用
いるような比較的厚い磁性膜には不向きである。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領
域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃｍ以上と比
較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あってもうず
電流による損失が少なく、磁気損失はほとんど自然共鳴
による損失となる。その為、磁気損失項μ”の周波数分
散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対
策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分の比率が、
Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいため
に、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ成分間の磁
気的な相互作用が小さくなることで、スピンの熱擾乱が
大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、そ
の結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな値を示すよ
うになる。したがって、この組成領域は広帯域な高周波
電流の抑制に適している。
【００１３】一方、Ｍ成分の比率が本発明の領域よりも
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
【００１４】電子回路の直近に磁気損失材料を配設して
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
【００１５】本発明者らは、係る磁性体を適用するに際
して、より容易に簡単に所望する部位に設けることが可
能な構成を検討し、本発明をなすに至ったものである。
して、より容易に簡単に所望する部位に設けることが可
能な構成を検討し、本発明をなすに至ったものである。
【００１６】即ち、本発明によれば、磁性薄膜の少なく
とも片面側に、接着剤層又は粘着層を備えたシート形状
を有することを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
とも片面側に、接着剤層又は粘着層を備えたシート形状
を有することを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
【００１７】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂からなるフィ
ルム又はシート状の基体の一面に設けられていることを
特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂からなるフィ
ルム又はシート状の基体の一面に設けられていることを
特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂からなるフィ
ルム又はシート状の基体の一面に設けられていることを
特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂からなるフィ
ルム又はシート状の基体の一面に設けられていることを
特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂又は紙からな
るフィルム又はシート状の基体の一面に、当該基体から
剥離可能に設けられていることを特徴とする高周波電流
抑制体。
制体において、前記磁性薄膜は、合成樹脂又は紙からな
るフィルム又はシート状の基体の一面に、当該基体から
剥離可能に設けられていることを特徴とする高周波電流
抑制体。
【００２０】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ−
Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくと
も一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）から
なる磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透
磁率の内の虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘ
が、１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在する
と共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上と
なる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失材料か
ら実質的になることを特徴とする高周波電流抑制体が得
られる。
周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ−
Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくと
も一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）から
なる磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透
磁率の内の虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘ
が、１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在する
と共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上と
なる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失材料か
ら実質的になることを特徴とする高周波電流抑制体が得
られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさ
が，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の８０％
から６０％の範囲に有る事を特徴とする高周波電流抑制
体が得られる。
制体において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさ
が，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の８０％
から６０％の範囲に有る事を特徴とする高周波電流抑制
体が得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ−
Ｘ−Ｙ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくとも一
種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘは、Ｍ
およびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）からなる磁
気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透磁率に
おける虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１
００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共
に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる
周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”
５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料から実
質的になることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ−
Ｘ−Ｙ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくとも一
種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘは、Ｍ
およびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）からなる磁
気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透磁率に
おける虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１
００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共
に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる
周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”
５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料から実
質的になることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
【００２３】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさ
が，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の６０％
から３５％の範囲に有ることを特徴とする高周波電流抑
制体が得られる。
制体において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさ
が，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の６０％
から３５％の範囲に有ることを特徴とする高周波電流抑
制体が得られる。
【００２４】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、直流電
気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ・ｃｍの範
囲にあることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、直流電
気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ・ｃｍの範
囲にあることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
【００２５】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、直流電
気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値であること
を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、直流電
気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値であること
を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００２６】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、Ｘ成分
が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少なくとも一種
からなることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、Ｘ成分
が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少なくとも一種
からなることを特徴とする高周波電流抑制体が得られ
る。
【００２７】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、前記Ｍ
が前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラ
ニュラー状の形態で存在する事を特徴とする高周波電流
抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、前記Ｍ
が前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散されたグラ
ニュラー状の形態で存在する事を特徴とする高周波電流
抑制体が得られる。
【００２８】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記グラニュラー状の形態を
有する粒子Ｍの平均粒子径が、１ｎｍから４０ｎｍの範
囲にある事を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記グラニュラー状の形態を
有する粒子Ｍの平均粒子径が、１ｎｍから４０ｎｍの範
囲にある事を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００２９】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、異方性
磁界Ｈｋが６００ Ｏｅ（４．７４×１０４Ａ／ｍ）以
下である事を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、異方性
磁界Ｈｋが６００ Ｏｅ（４．７４×１０４Ａ／ｍ）以
下である事を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００３０】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組成は、
一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで表されることを特徴とす
る高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組成は、
一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで表されることを特徴とす
る高周波電流抑制体が得られる。
【００３１】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組成が、
一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで表されることを特徴とす
る高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組成が、
一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで表されることを特徴とす
る高周波電流抑制体が得られる。
【００３２】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、スパッ
タ法又は蒸着法により作製された薄膜磁性体であること
を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、スパッ
タ法又は蒸着法により作製された薄膜磁性体であること
を特徴とする高周波電流抑制体が得られる。
【００３３】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は０．３μ
ｍから２０μｍの範囲の厚さを備えていることを特徴と
する高周波電流抑制体が得られる。
周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は０．３μ
ｍから２０μｍの範囲の厚さを備えていることを特徴と
する高周波電流抑制体が得られる。
【００３４】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体を、電子回路に密着乃至その近傍に配設することを
特徴とする高周波電流の抑制方法が得られる。
制体を、電子回路に密着乃至その近傍に配設することを
特徴とする高周波電流の抑制方法が得られる。
【００３５】また、本発明によれば、剥離可能なシート
状の基体の一面に形成された磁性薄膜を、対象物上に置
き、前記基体側から押圧することによって、前記磁性薄
膜の押圧部分を前記対象物上に転写することを特徴とす
る高周波電流抑制体の形成方法が得られる。
状の基体の一面に形成された磁性薄膜を、対象物上に置
き、前記基体側から押圧することによって、前記磁性薄
膜の押圧部分を前記対象物上に転写することを特徴とす
る高周波電流抑制体の形成方法が得られる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て、説明する。
て、説明する。
【００３７】図１は本発明の実施の形態による高周波電
流抑制体の構造の一部を示す断面図である。図１を参照
すると、高周波電流抑制体１０は、合成樹脂製シート又
はフィルム基体２の一面に、スパッタ法によって、Ｆｅ
α−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜１が形
成されている。さらに、この上にグラニュラー磁性薄膜
の剥離１及び強度補強のために、合成樹脂コーティング
５が施されている。一方、基体２の他面には、ゴムや合
成樹脂等からなる接着剤又は粘着剤層３と、その上に形
成された剥離シート（離型シート）４とを備えている。
ここで、合成樹脂製シート又はフィルム基体２は、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエー
テルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド等のスパッタ処理
又は蒸着の際に変形をしないものであるならばどのよう
な合成樹脂でも使用することができる。また、接着剤又
は粘着剤層３に用いられる接着剤として、溶剤系、エマ
ルジョン系、例えば、アクリル酸エステル系、ポリビニ
ルエーテル系、ポリ酢酸ビニール系、ポリスチレン系、
ポリビニルブチラール系の樹脂を用いることができる。
また、粘着剤としては、これらの樹脂にロジン又はその
誘導体、テルペン系樹脂などのテルペン誘導体、及びシ
クロペンタジエン系、スチレン系、フェノール系、キシ
レン系、クマロインデン系の樹脂等を含む粘着付与剤を
添加したものや、シリコーン系、ポリウレタン系、フッ
素系、アクリル系のゴム等を挙げることができ、特に、
難燃性、絶縁性、柔軟性を有するシリコーンゴムを用い
たものが好ましいが、基体２を構成する合成樹脂製シー
ト又はフィルム基板から剥離しない接着強度を備えてい
ればどのような接着剤や粘着剤も用いることができる。
また、剥離シート４は、この接着剤表面から容易に剥離
できるものであるならば、表面処理した紙、樹脂等いず
れも用いることができる。また、合成樹脂コーティング
５は、塗布して乾燥した際に比較的弾性を備えた合成樹
脂層を形成するものであるならば、どのようなものも使
用することができる。また、熱可塑性樹脂シートを熱圧
着しても良い。
流抑制体の構造の一部を示す断面図である。図１を参照
すると、高周波電流抑制体１０は、合成樹脂製シート又
はフィルム基体２の一面に、スパッタ法によって、Ｆｅ
α−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜１が形
成されている。さらに、この上にグラニュラー磁性薄膜
の剥離１及び強度補強のために、合成樹脂コーティング
５が施されている。一方、基体２の他面には、ゴムや合
成樹脂等からなる接着剤又は粘着剤層３と、その上に形
成された剥離シート（離型シート）４とを備えている。
ここで、合成樹脂製シート又はフィルム基体２は、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルエー
テルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド等のスパッタ処理
又は蒸着の際に変形をしないものであるならばどのよう
な合成樹脂でも使用することができる。また、接着剤又
は粘着剤層３に用いられる接着剤として、溶剤系、エマ
ルジョン系、例えば、アクリル酸エステル系、ポリビニ
ルエーテル系、ポリ酢酸ビニール系、ポリスチレン系、
ポリビニルブチラール系の樹脂を用いることができる。
また、粘着剤としては、これらの樹脂にロジン又はその
誘導体、テルペン系樹脂などのテルペン誘導体、及びシ
クロペンタジエン系、スチレン系、フェノール系、キシ
レン系、クマロインデン系の樹脂等を含む粘着付与剤を
添加したものや、シリコーン系、ポリウレタン系、フッ
素系、アクリル系のゴム等を挙げることができ、特に、
難燃性、絶縁性、柔軟性を有するシリコーンゴムを用い
たものが好ましいが、基体２を構成する合成樹脂製シー
ト又はフィルム基板から剥離しない接着強度を備えてい
ればどのような接着剤や粘着剤も用いることができる。
また、剥離シート４は、この接着剤表面から容易に剥離
できるものであるならば、表面処理した紙、樹脂等いず
れも用いることができる。また、合成樹脂コーティング
５は、塗布して乾燥した際に比較的弾性を備えた合成樹
脂層を形成するものであるならば、どのようなものも使
用することができる。また、熱可塑性樹脂シートを熱圧
着しても良い。
【００３８】図２及び図３はこの高周波電流抑制体を用
いたシート１０の使用方法の説明に供せられる図であ
る。図２及び図３を参照すると、予め定められた大きさ
の高周波電流抑制体１０の一面側の剥離シート４を剥が
して、所望する部位に貼り付ける。
いたシート１０の使用方法の説明に供せられる図であ
る。図２及び図３を参照すると、予め定められた大きさ
の高周波電流抑制体１０の一面側の剥離シート４を剥が
して、所望する部位に貼り付ける。
【００３９】図３の例においては、基板５０上に実装さ
れたＩＣ、ＬＳＩ等の実装部品５１の全面を覆うよう
に、高周波電流抑制体本体１１が設けられている。
れたＩＣ、ＬＳＩ等の実装部品５１の全面を覆うよう
に、高周波電流抑制体本体１１が設けられている。
【００４０】また、ストリップラインやジャンパー線５
２に対しても、高周波電流抑制体本体１１を設けること
ができる。
２に対しても、高周波電流抑制体本体１１を設けること
ができる。
【００４１】このように、高周波電流抑制体１０を設け
ることによって、ノイズの源となる不要電磁波の放射抑
制と、外部からの高周波ノイズを抑制することができ
る。
ることによって、ノイズの源となる不要電磁波の放射抑
制と、外部からの高周波ノイズを抑制することができ
る。
【００４２】尚、上記第１の実施の形態において、グラ
ニュラー磁性薄膜１として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで示
されるものを用いたが、本発明においては、組成が一般
式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される磁性体を用いれば良く、上記第
１の実施の形態に限定されるものではない。また、取り
扱い易いのであるならば、基体２や表面保護層５の一方
または両方を省略することもできる。
ニュラー磁性薄膜１として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで示
されるものを用いたが、本発明においては、組成が一般
式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される磁性体を用いれば良く、上記第
１の実施の形態に限定されるものではない。また、取り
扱い易いのであるならば、基体２や表面保護層５の一方
または両方を省略することもできる。
【００４３】図４は本発明の第２の実施の形態による高
周波電流抑制体を示す断面図である。図４を参照する
と、高周波電流抑制体２０は、合成樹脂製シート又はフ
ィルム基体６の一面に、スパッタ法によって、Ｆｅα−
Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜１が形成さ
れている。さらに、この上に、同様な組成を合成樹脂層
６’を塗布乾燥することによって形成し、各夫々の表面
に接着剤層７，７’が夫々設けられて、さらに、夫々剥
離シート８，８’が夫々設けられ、両面に接着剤層を持
つ高周波電流抑制体２０が形成されている。合成樹脂層
６，６’及び接着剤層７，７’に関しては、上記第１の
実施の形態で用いたものと同様なものを使用することが
できる。
周波電流抑制体を示す断面図である。図４を参照する
と、高周波電流抑制体２０は、合成樹脂製シート又はフ
ィルム基体６の一面に、スパッタ法によって、Ｆｅα−
Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜１が形成さ
れている。さらに、この上に、同様な組成を合成樹脂層
６’を塗布乾燥することによって形成し、各夫々の表面
に接着剤層７，７’が夫々設けられて、さらに、夫々剥
離シート８，８’が夫々設けられ、両面に接着剤層を持
つ高周波電流抑制体２０が形成されている。合成樹脂層
６，６’及び接着剤層７，７’に関しては、上記第１の
実施の形態で用いたものと同様なものを使用することが
できる。
【００４４】図５は図４の高周波電流抑制体の使用例を
示す図である。図５に示すように、電子部品１２，１３
を高周波電流抑制体２０の剥離シートをはがして、互い
に接合している。このように、夫々高周波ノイズを発生
する電子部品間に高周波電流抑制体２１を設けることに
よって、不要電磁波の放射抑制による電子部品相互の干
渉などを防止し、外部からの高周波のノイズを抑制する
ことができる。
示す図である。図５に示すように、電子部品１２，１３
を高周波電流抑制体２０の剥離シートをはがして、互い
に接合している。このように、夫々高周波ノイズを発生
する電子部品間に高周波電流抑制体２１を設けることに
よって、不要電磁波の放射抑制による電子部品相互の干
渉などを防止し、外部からの高周波のノイズを抑制する
ことができる。
【００４５】尚、上記第２の実施の形態において、グラ
ニュラー磁性薄膜１として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用
いたが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示され
る磁性体を用いれば良く、上記第２の実施の形態に限定
されるものではない。また、取り扱い易いのであるなら
ば、基体６，６’の一方または両方を省略することもで
きる。
ニュラー磁性薄膜１として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用
いたが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示され
る磁性体を用いれば良く、上記第２の実施の形態に限定
されるものではない。また、取り扱い易いのであるなら
ば、基体６，６’の一方または両方を省略することもで
きる。
【００４６】図６は本発明の第３の実施の形態による高
周波電流抑制体を示す断面図である。
周波電流抑制体を示す断面図である。
【００４７】図６に示すように、高周波電流抑制体３０
は、キャリアテープ等からなる剥離基体３１と、剥離基
体３１上に設けられたグラニュラー磁性膜３２と、グラ
ニュラー磁性膜３２上に設けられた粘着剤層３３とを備
え、さらに、粘着防止のための剥離シート３４とを備え
ている。この粘着剤層としては、第１の実施の形態であ
げてものと同様なものを用いることができる。
は、キャリアテープ等からなる剥離基体３１と、剥離基
体３１上に設けられたグラニュラー磁性膜３２と、グラ
ニュラー磁性膜３２上に設けられた粘着剤層３３とを備
え、さらに、粘着防止のための剥離シート３４とを備え
ている。この粘着剤層としては、第１の実施の形態であ
げてものと同様なものを用いることができる。
【００４８】図７（ａ）乃至（ｃ）は図６の高周波電流
抑制体３０の使用方法を示す図である。図７（ａ）に示
すように、基板３７の所望する一面に、高周波電流抑制
体３０の剥離シート３４を除去した面を対向させて、こ
の対向面の後側の面から、図７（ｂ）に示すように、ポ
ンチ３６で押圧すると、図７（ｃ）に示すように、押圧
したポンチ３６の型通りに、接着層３３とこの上重ねて
形成されたグラニュラー磁性薄膜３２とが一緒に剥離基
体３１から離れ、基板３２上に高周波電流抑制体膜３８
として付着する。このようにして、所望する部位に所望
する形状の高周波電流抑制体を形成することができる。
抑制体３０の使用方法を示す図である。図７（ａ）に示
すように、基板３７の所望する一面に、高周波電流抑制
体３０の剥離シート３４を除去した面を対向させて、こ
の対向面の後側の面から、図７（ｂ）に示すように、ポ
ンチ３６で押圧すると、図７（ｃ）に示すように、押圧
したポンチ３６の型通りに、接着層３３とこの上重ねて
形成されたグラニュラー磁性薄膜３２とが一緒に剥離基
体３１から離れ、基板３２上に高周波電流抑制体膜３８
として付着する。このようにして、所望する部位に所望
する形状の高周波電流抑制体を形成することができる。
【００４９】尚、本発明の第３の実施の形態において
は、剥離基体３１を用いたが、接着層３３及び剥離シー
ト３４を設けないで、ポンチ３６に加熱機構を設けて、
押圧の際に加熱溶融して、この溶融した樹脂の固化によ
って、グラニュラー磁性薄膜を接着してもよい。
は、剥離基体３１を用いたが、接着層３３及び剥離シー
ト３４を設けないで、ポンチ３６に加熱機構を設けて、
押圧の際に加熱溶融して、この溶融した樹脂の固化によ
って、グラニュラー磁性薄膜を接着してもよい。
【００５０】また、剥離基体３１とグラニュラー磁性薄
膜３２との間に粘着性を有するゴム、合成樹脂を有する
ものであっても良く、この場合には、ポンチ３６に加熱
機構を設ける必要はない。
膜３２との間に粘着性を有するゴム、合成樹脂を有する
ものであっても良く、この場合には、ポンチ３６に加熱
機構を設ける必要はない。
【００５１】次に，本発明の実施の形態に用いるによる
グラニュラー状磁性体Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方
法の具体例について、図８を参照して説明する。
グラニュラー状磁性体Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方
法の具体例について、図８を参照して説明する。
【００５２】図８は本発明の実施の形態によるスパッタ
装置の構成を示す図である。図８に示すように、スパッ
タ装置４０は、真空ポンプ４７によって排気可能な真空
チャンバー４１内に、ターゲット試料台４２及び基板４
３とを設けている。ターゲット試料台４２は外部からの
ＲＦ電源４４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット４５とその上に載せられたチップ４６と
を有している。ターゲット試料台４２と基板４３との間
には、基板４３を覆うように、シャッタ４８が設けられ
ている。尚、符号４９はチャンバー内にガスを供給する
ためのガス供給部である。
装置の構成を示す図である。図８に示すように、スパッ
タ装置４０は、真空ポンプ４７によって排気可能な真空
チャンバー４１内に、ターゲット試料台４２及び基板４
３とを設けている。ターゲット試料台４２は外部からの
ＲＦ電源４４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット４５とその上に載せられたチップ４６と
を有している。ターゲット試料台４２と基板４３との間
には、基板４３を覆うように、シャッタ４８が設けられ
ている。尚、符号４９はチャンバー内にガスを供給する
ためのガス供給部である。
【００５３】次に、製造例について説明する。
【００５４】（試料１）図８に示す装置によって、グラ
ニュラー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ
法でガラス基板４３上に作製した。得られたスパッタ膜
を３００℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１
を得た。
ニュラー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ
法でガラス基板４３上に作製した。得られたスパッタ膜
を３００℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１
を得た。
【００５５】得られた試料１を蛍光Ｘ線分析分析したと
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
【００５６】また、試料１の膜厚は２．０μｍ、直流抵
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１４２２
Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ（１．６
８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値巾である
μ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値は、７
２．２％であった。
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１４２２
Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ（１．６
８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値巾である
μ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値は、７
２．２％であった。
【００５７】
【表１】
【００５８】試料の磁気損失特性を検証するためにμ−
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
【００５９】（比較試料１）Ａｌ２Ｏ３チップの数を９
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
【００６０】得られた比較試料１を蛍光Ｘ線分析分析し
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１７３８
Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ（１．８
８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成分のみか
らなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ−Ｘ−
Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％であっ
た。
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１７３８
Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ（１．８
８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成分のみか
らなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ−Ｘ−
Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％であっ
た。
【００６１】図９は本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示
す図である。図９を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
す図である。図９を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
【００６２】図１０は、比較試料１のμ”−ｆ特性を示
す図である。図１０を参照すると、比較試料１は、飽和
磁化Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示してい
るが、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電
流損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率
（磁気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁
率特性が悪くなっていることが分かる。
す図である。図１０を参照すると、比較試料１は、飽和
磁化Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示してい
るが、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電
流損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率
（磁気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁
率特性が悪くなっていることが分かる。
【００６３】これらの結果より、本発明の試料１の磁性
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
【００６４】次に、本発明の実施の形態にて得られた試
料を用いたノイズ抑制効果の検証実験について説明す
る。
料を用いたノイズ抑制効果の検証実験について説明す
る。
【００６５】ノイズ抑制効果の検証には図１１に示す測
定系を用い、更に、図４乃至５に示した透磁率特性を有
し、一辺が２０ｍｍの正方形をなし、膜厚が２．０μｍ
であるグラニュラー磁性薄膜の試料１を備えた高周波電
流抑制体を用いて、これを線路長７５ｍｍ、特性インピ
ーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路の直上に配置
し、ネットワークアナライザ（ＨＰ８７５３Ｄ）を用い
て２Ｐｏｒｔ間の伝送特性を求めた。
定系を用い、更に、図４乃至５に示した透磁率特性を有
し、一辺が２０ｍｍの正方形をなし、膜厚が２．０μｍ
であるグラニュラー磁性薄膜の試料１を備えた高周波電
流抑制体を用いて、これを線路長７５ｍｍ、特性インピ
ーダンス５０Ωのマイクロストリップ線路の直上に配置
し、ネットワークアナライザ（ＨＰ８７５３Ｄ）を用い
て２Ｐｏｒｔ間の伝送特性を求めた。
【００６６】
【表２】
【００６７】上記表２に、グラニュラー磁性薄膜試料１
の高周波電流抑制体シートの透磁率特性を、比較試料と
した偏平状センダスト粉末とポリマーからなる同面積の
複合磁性体シートの特性と共に示す。グラニュラー磁性
薄膜試料１のμ”は準マイクロ波帯に分散を示し、その
大きさは７００ＭＨｚ付近でμ”ｍａｘ＝約１８００で
あり、同じ帯域にμ”分散を示す比較試料のμ”に比べ
て６００倍程大きい。また、前記μ”が前記μ”ｍａｘ
の５０％となる半値巾μ”５０の中心周波数に対する比
率は比較試料に比べて小さく、狭帯域であることがわか
る。ノイズ伝送路の直近に磁気損失材料を配置して伝送
路に等価的な抵抗成分を付与することで高周波電流を抑
制する場合において、抑制効果の大きさはμ”の大きさ
と磁性体の厚さの積（μ”・δ）にほぼ比例すると考え
られるので、抑制効果の比較にあたり、μ”・δの値が
同じオーダーとなる様μ”≒３でδ＝１．０ｍｍの複合
磁性体シートを比較試料とした。
の高周波電流抑制体シートの透磁率特性を、比較試料と
した偏平状センダスト粉末とポリマーからなる同面積の
複合磁性体シートの特性と共に示す。グラニュラー磁性
薄膜試料１のμ”は準マイクロ波帯に分散を示し、その
大きさは７００ＭＨｚ付近でμ”ｍａｘ＝約１８００で
あり、同じ帯域にμ”分散を示す比較試料のμ”に比べ
て６００倍程大きい。また、前記μ”が前記μ”ｍａｘ
の５０％となる半値巾μ”５０の中心周波数に対する比
率は比較試料に比べて小さく、狭帯域であることがわか
る。ノイズ伝送路の直近に磁気損失材料を配置して伝送
路に等価的な抵抗成分を付与することで高周波電流を抑
制する場合において、抑制効果の大きさはμ”の大きさ
と磁性体の厚さの積（μ”・δ）にほぼ比例すると考え
られるので、抑制効果の比較にあたり、μ”・δの値が
同じオーダーとなる様μ”≒３でδ＝１．０ｍｍの複合
磁性体シートを比較試料とした。
【００６８】具体的には、図１１に示すようにマイクロ
ストリップ線路６５の直上に高周波電流抑制体シートを
配置し、伝送特性Ｓ２１の変化を求めた。図１２（ａ）
および（ｂ）に、各々グラニュラー磁性薄膜試料１の高
周波電流抑制体シート、および複合磁性体シートを配置
したときのＳ２１特性を示す。グラニュラー磁性薄膜試
料１の配置により、Ｓ２１特性は１００ＭＨｚ以上から
減少し、２ＧＨｚ近くで−１０ｄＢの極小値を示した後
に増加する。一方、複合磁性体シートの場合は、数１０
０ＭＨｚから単調に減少し、３ＧＨｚで約−１０ｄＢを
示した。これらの結果は、Ｓ２１伝送特性が磁性体の
μ”分散に依存すると共に、抑制効果の大きさがμ”・
δ積に依存することを示している。そこで、磁性体を図
１３に示すような寸法ｌの分布定数線路とみなし、伝送
特性Ｓ１１およびＳ２１から、単位長さ（Δｌ）当たり
の等価回路定数を求めた後、試料寸法（ｌ）に換算した
等価回路定数を算出した。本検討のように、磁性体をマ
イクロストリップ線路上に配置した場合には、伝送特性
の変化は主に直列に付加される等価抵抗成分によるもの
であることから、等価抵抗Ｒを求めその周波数依存性を
調べてみた。図１４（ａ）および（ｂ）に、各々本発明
及び比較試料である複合磁性体シートにおける等価抵抗
Ｒの周波数変化を示す。等価抵抗Ｒはいずれの場合も準
マイクロ波帯の領域で単調に増加し、３ＧＨｚでは数１
０Ωとなる。等価抵抗Ｒの周波数依存性は、共に１ＧＨ
ｚ付近に極大をもつμ”の周波数分散とは異なる傾向に
みえるが、これは前述のμ”・δ積に加えて波長に対す
る試料寸法の比率が単調増加することを反映している結
果と考えられる。
ストリップ線路６５の直上に高周波電流抑制体シートを
配置し、伝送特性Ｓ２１の変化を求めた。図１２（ａ）
および（ｂ）に、各々グラニュラー磁性薄膜試料１の高
周波電流抑制体シート、および複合磁性体シートを配置
したときのＳ２１特性を示す。グラニュラー磁性薄膜試
料１の配置により、Ｓ２１特性は１００ＭＨｚ以上から
減少し、２ＧＨｚ近くで−１０ｄＢの極小値を示した後
に増加する。一方、複合磁性体シートの場合は、数１０
０ＭＨｚから単調に減少し、３ＧＨｚで約−１０ｄＢを
示した。これらの結果は、Ｓ２１伝送特性が磁性体の
μ”分散に依存すると共に、抑制効果の大きさがμ”・
δ積に依存することを示している。そこで、磁性体を図
１３に示すような寸法ｌの分布定数線路とみなし、伝送
特性Ｓ１１およびＳ２１から、単位長さ（Δｌ）当たり
の等価回路定数を求めた後、試料寸法（ｌ）に換算した
等価回路定数を算出した。本検討のように、磁性体をマ
イクロストリップ線路上に配置した場合には、伝送特性
の変化は主に直列に付加される等価抵抗成分によるもの
であることから、等価抵抗Ｒを求めその周波数依存性を
調べてみた。図１４（ａ）および（ｂ）に、各々本発明
及び比較試料である複合磁性体シートにおける等価抵抗
Ｒの周波数変化を示す。等価抵抗Ｒはいずれの場合も準
マイクロ波帯の領域で単調に増加し、３ＧＨｚでは数１
０Ωとなる。等価抵抗Ｒの周波数依存性は、共に１ＧＨ
ｚ付近に極大をもつμ”の周波数分散とは異なる傾向に
みえるが、これは前述のμ”・δ積に加えて波長に対す
る試料寸法の比率が単調増加することを反映している結
果と考えられる。
【００６９】本発明の実施例では、スパッタ法乃至真空
蒸着法による製造例を示したが、イオンビーム蒸着法や
ガス・デポジション法などの製造方法でも良く、本発明
の磁気損失材料が均一に実現できる方法であれば、製法
に限定されない。
蒸着法による製造例を示したが、イオンビーム蒸着法や
ガス・デポジション法などの製造方法でも良く、本発明
の磁気損失材料が均一に実現できる方法であれば、製法
に限定されない。
【００７０】また、本発明の実施の形態においては、ア
ズ・デポジションの膜であるが、製膜後に真空磁場中で
の熱処理を施すことによって、性能又は特性を変化させ
ることができる。
ズ・デポジションの膜であるが、製膜後に真空磁場中で
の熱処理を施すことによって、性能又は特性を変化させ
ることができる。
【００７１】以上より、準マイクロ波帯にμ”分散を示
す本発明の試料は、厚さが約５００倍の複合磁性体シー
トと同等の高周波電流抑制効果を示し、１ＧＨｚに近い
高速クロックで動作するような半導体集積素子等を備え
た電子部品や相互に干渉の生じ易い電子部品間や、高周
波を用いる電子部品、回路素子等のＥＭＩ対策に用いる
材料として、有望であるといえる。
す本発明の試料は、厚さが約５００倍の複合磁性体シー
トと同等の高周波電流抑制効果を示し、１ＧＨｚに近い
高速クロックで動作するような半導体集積素子等を備え
た電子部品や相互に干渉の生じ易い電子部品間や、高周
波を用いる電子部品、回路素子等のＥＭＩ対策に用いる
材料として、有望であるといえる。
【００７２】尚、以上延べたグラニュラー磁性膜は、Ｆ
ｅαＡｌβＯγについてのみであるが、本発明のグラニ
ュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の成分
が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａあるい
は希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分がＦ，Ｎ，
Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であっても、同
様な効果を得ることができることは明らかである。
ｅαＡｌβＯγについてのみであるが、本発明のグラニ
ュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の成分
が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓｉ，Ａ
ｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａあるい
は希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分がＦ，Ｎ，
Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であっても、同
様な効果を得ることができることは明らかである。
【００７３】また、成膜方法に関しては、上記実施の形
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明のグラニ
ュラー磁性薄膜が均一に実現できる方法であれば、製法
に限定されない。
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明のグラニ
ュラー磁性薄膜が均一に実現できる方法であれば、製法
に限定されない。
【００７４】また、本発明の実施の形態においては、合
成樹脂の基体や合成樹脂を含む接着剤層又は粘着剤層を
備えた高周波電流抑制体についてのべたが、直接グラニ
ュラー磁性膜を使用部位に形成し、その上に保護等を形
成しても良く、付着又は貼着の方法には、限定されるも
のではない。
成樹脂の基体や合成樹脂を含む接着剤層又は粘着剤層を
備えた高周波電流抑制体についてのべたが、直接グラニ
ュラー磁性膜を使用部位に形成し、その上に保護等を形
成しても良く、付着又は貼着の方法には、限定されるも
のではない。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子部品や高周波を用いる回路基板などの不要電磁波放
射や電磁ノイズによる干渉の除去に極めて有効な高周波
磁気損失特性に優れた磁性薄膜を有する高周波電流抑制
体を提供することができる。
電子部品や高周波を用いる回路基板などの不要電磁波放
射や電磁ノイズによる干渉の除去に極めて有効な高周波
磁気損失特性に優れた磁性薄膜を有する高周波電流抑制
体を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に高周波電流抑制体
を示す正面断面図である。
を示す正面断面図である。
【図２】図１の高周波電流抑制体の使用方法の説明に供
せられる図である。
せられる図である。
【図３】図１の高周波電流抑制体の使用方法の説明に供
せられる図である。
せられる図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による高周波電流抑
制体を示す正面断面図である。
制体を示す正面断面図である。
【図５】図４の高周波電流抑制体の使用方法の説明に供
せられる図である。
せられる図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態による高周波電流抑
制体を示す正面断面図である。
制体を示す正面断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ），及び（ｃ）は図６の高周波電
流抑制体の使用方法の説明に供せられる図である。
流抑制体の使用方法の説明に供せられる図である。
【図８】グラニュラー磁性薄膜を形成するための概略的
な装置構成を示す図である。
な装置構成を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態による試料１のμ”の周波
数依存性例を示す図である。
数依存性例を示す図である。
【図１０】比較試料１にかかるμ”の周波数依存性の例
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】本発明による磁気損失材料からなる高周波電
流抑制体の抑制効果を見るための測定系を示す斜視図で
ある。
流抑制体の抑制効果を見るための測定系を示す斜視図で
ある。
【図１２】（ａ）は本発明の実施の形態による試料１の
伝送特性（Ｓ２１）であり、（ｂ）は比較試料であるの
複合磁性体シートの伝送特性（Ｓ２１）である。
伝送特性（Ｓ２１）であり、（ｂ）は比較試料であるの
複合磁性体シートの伝送特性（Ｓ２１）である。
【図１３】本発明の実施の形態による磁性体の等価回路
である。
である。
【図１４】（ａ）は本発明の実施の形態による、試料１
の伝送特性より算出したＲ値を示す図であり、（ｂ）は
比較試料である複合磁性体シートの伝送特性より算出し
たＲ値を示す図である。
の伝送特性より算出したＲ値を示す図であり、（ｂ）は
比較試料である複合磁性体シートの伝送特性より算出し
たＲ値を示す図である。
１，３２ グラニュラー磁性膜 ２ 基体 ３，７，７’，３３ 接着剤層 ４，３４ 剥離シート ５ 合成樹脂コーティング ６，６’ 合成樹脂層 １０，２０，３０ 高周波電流抑制体 １１，２１，３８ 高周波電流抑制体本体 ３１ 剥離基体 ３７ 基板 ４０ スパッタ装置 ４１ 真空チャンバー ４２ ターゲット試料台 ４３ 基板 ４４ ＲＦ電源 ４５ ターゲット ４６ チップ ４７ 真空ポンプ ４８ シャッタ ４９ ガス供給部 ５１ 能動回路素子 ５２ ジャンパー線 ６０ 測定系 ６１ マイクロストリップ線路 ６２ 同軸線路 ６３ 磁性体試料 ６４ 試料配置部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粟倉 由夫 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 5E040 AA11 AA14 AA19 AC05 CA13 HB05 NN06 NN15 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 BA27 CC05 GC01 HC01 5E321 AA23 BB21 BB44 BB53 CC16 GG05 GG07 5J020 EA02 EA07 EA10
Claims (20)
- 【請求項１】 磁性薄膜の少なくとも片面側に、接着剤
層又は粘着剤層を備えたシート形状を有することを特徴
とする高周波電流抑制体。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波電流抑制体におい
て、前記磁性薄膜は、合成樹脂からなるフィルム又はシ
ート状の基体の一面に設けられていることを特徴とする
高周波電流抑制体。 - 【請求項３】 請求項２記載の高周波電流抑制体におい
て、前記接着剤層又は粘着剤層は、前記基体を介して、
前記磁性薄膜の一面に設けられていることを特徴とする
高周波電流抑制体。 - 【請求項４】 請求項１記載の高周波電流抑制体におい
て、前記磁性薄膜は、合成樹脂又は紙からなるフィルム
又はシート状の基体の一面に、当該基体から剥離可能に
設けられていることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
高周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ
−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なく
とも一種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）から
なる磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透
磁率の内の虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘ
が、１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在する
と共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上と
なる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失材料か
ら実質的になることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項６】 請求項５記載の高周波電流抑制体におい
て、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分の
みからなる金属磁性体の飽和磁化の８０％から６０％の
範囲に有る事を特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項７】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
高周波電流抑制体において、前記磁性薄膜は、組成がＭ
−Ｘ−Ｙ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なくとも一
種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘは、Ｍ
およびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）からなる磁
気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素透磁率に
おける虚数項である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１
００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共
に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる
周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”
５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料から実
質的になることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項８】 請求項７記載の高周波電流抑制体におい
て、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分の
みからなる金属磁性体の飽和磁化の６０％から３５％の
範囲に有ることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項９】 請求項５又は６記載の高周波電流抑制体
において、前記磁気損失材料は、直流電気抵抗率が１０
０μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ・ｃｍの範囲にあることを
特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１０】 請求項７又は８記載の高周波電流抑制
体において、前記磁気損失材料は、直流電気抵抗率が５
００μΩ・ｃｍよりも大きい値であることを特徴とする
高周波電流抑制体。 - 【請求項１１】 請求項５乃至１０の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、
Ｘ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少なくと
も一種からなることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１２】 請求項５乃至１１の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、
前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散され
たグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とする高周
波電流抑制体。 - 【請求項１３】 請求項５乃至１２の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記グラニュラー状の
形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、１ｎｍから４０ｎ
ｍの範囲にある事を特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１４】 請求項５乃至１３の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、
異方性磁界Ｈｋが６００ Ｏｅ（４．７４×１０４Ａ／
ｍ）以下である事を特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１５】 請求項５乃至１４の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組
成は、一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで表されることを特
徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１６】 請求項５乃至１５の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料の組
成が、一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで表されることを特
徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１７】 請求項５乃至１６の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は、
スパッタ法又は蒸着法により作製された薄膜磁性体であ
ることを特徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１８】 請求項４乃至１７内のいずれかに記載
の高周波電流抑制体において、前記磁気損失材料は０．
３μｍから２０μｍの範囲の厚さを備えていることを特
徴とする高周波電流抑制体。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の高周波電流抑制体
を、電子回路に密着乃至その近傍に配設することを特徴
とする高周波電流の抑制方法。 - 【請求項２０】 剥離可能なシート状の基体の一面に形
成された磁性薄膜を、対象物上に置き、前記基体側から
押圧することによって、前記磁性薄膜の押圧部分を前記
対象物上に転写することを特徴とする高周波電流抑制体
の形成方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114667A JP2001297905A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 高周波電流抑制体 |
| SG200102151A SG96614A1 (en) | 2000-04-17 | 2001-04-16 | High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics |
| US09/836,711 US6921573B2 (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics |
| DE60106123T DE60106123T2 (de) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | HF-Strom-Abschirmung aus weichmagnetischem Werkstoff mit ausserordentlich komplexen Permeabilitätseigenschaften |
| MYPI20011829A MY128406A (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics |
| EP01109527A EP1148773B1 (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics |
| CNB011166991A CN1229827C (zh) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | 采用呈突出复导磁率特性的磁损耗材料的高频电流抑制体 |
| NO20011896A NO20011896L (no) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | Höyfrekvent strömdempingslegeme som anvender et magnetisk tapsmateriale med utmerkede karakteristikker vedrörende denkomplekse permeabiliteten |
| TW090109142A TW501149B (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics |
| KR1020010020396A KR100773197B1 (ko) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | 복소 투자율 특성을 나타내는 자기 손실 재료를 이용한고주파 전류 억제체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114667A JP2001297905A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 高周波電流抑制体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297905A true JP2001297905A (ja) | 2001-10-26 |
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ID=18626434
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000114667A Pending JP2001297905A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 高周波電流抑制体 |
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|---|---|
| US (1) | US6921573B2 (ja) |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017888A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Polymatech Co Ltd | 電波吸収シート |
| JP2003023287A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Polymatech Co Ltd | 電波吸収シート |
| JP2003273571A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
| JP2007208156A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Nagoya Institute Of Technology | 高周波軟磁性体膜及びその製造方法 |
| WO2010122877A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | アルプス電気株式会社 | 磁性部材を有するデバイス及びその製造方法 |
| KR20130002237A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-07 | 조인셋 주식회사 | 페라이트 시트 어셈블리 및 그 제조방법 |
| JP2017045782A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 日本合成化学工業株式会社 | 電磁波抑制シートおよびこれを用いた電磁波抑制粘着シート |
| JP2017059627A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 日本合成化学工業株式会社 | 電磁波抑制シートおよびこれを用いた電磁波抑制粘着シート、電磁波抑制用樹脂組成物、電磁波抑制層 |
| WO2019176612A1 (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | マクセルホールディングス株式会社 | 電磁波吸収体用組成物、電磁波吸収体三次元造形物、それを用いた電子部品及び電子機器、並びにその電子部品及び電子機器の製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1585148A4 (en) * | 2002-12-27 | 2008-04-02 | Tdk Corp | GRAIN SUBSTANCE, THIN MAGNETIC FILM AND MAGNETIC DEVICE |
| WO2004086837A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付物品、およびそれらの製造方法 |
| CN100455178C (zh) * | 2004-02-24 | 2009-01-21 | 信越聚合物株式会社 | 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法 |
| WO2005086556A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Nec Tokin Corporation | 電磁雑音吸収薄膜 |
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| KR100746184B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-08-03 | 훙-치 우 | 테이프 유형 자석 |
| US7342172B1 (en) | 2007-01-03 | 2008-03-11 | Apple Inc. | Cable with noise suppression |
| JP6144868B2 (ja) | 2010-11-18 | 2017-06-07 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 |
| KR101399023B1 (ko) * | 2011-12-21 | 2014-05-27 | 주식회사 아모센스 | 무선 충전기용 자기장 차폐시트 및 그의 제조방법과 이를 이용한 무선충전기용 수신장치 |
| KR101399022B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-05-27 | 주식회사 아모센스 | 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기 |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3631696A1 (de) * | 1986-09-18 | 1988-04-07 | Wilde Membran Impuls Tech | Metallisiertes, textiles flaechengebilde als schirmschutz gegen elektromagnetische strahlung bei elektrischen und elektronischen geraeten und bauteilen |
| US5439754A (en) * | 1990-07-05 | 1995-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ferromagnetic film, method of manufacturing the same, and magnetic head |
| CA2092371C (en) * | 1993-03-24 | 1999-06-29 | Boris L. Livshits | Integrated circuit packaging |
| JPH0993034A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Tokin Corp | 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体 |
| JPH1074613A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Tokin Corp | テープ、粘着テープ及び自己融着テープ |
| JP3900559B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2007-04-04 | 大同特殊鋼株式会社 | 磁気遮蔽用シートとその製造方法及びこれを用いたケーブル |
| EP1028611B1 (en) | 1997-06-24 | 2004-06-09 | Bridgestone Corporation | Electromagnetic wave shielding and light transmitting plate |
| WO2000019792A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Hihakaikensa Co., Ltd | Blindage de protection contre l'action des ondes radioelectriques ou des ondes magnetiques et structure de blindage pour l'effet de bord |
| JP3970610B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2007-09-05 | 富士通株式会社 | 磁性薄膜および記録ヘッド |
| SG96612A1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-06-16 | Nec Tokin Corp | Electronic component of a high frequency current suppression type and bonding wire for the same |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000114667A patent/JP2001297905A/ja active Pending
-
2001
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017888A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Polymatech Co Ltd | 電波吸収シート |
| JP2003023287A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Polymatech Co Ltd | 電波吸収シート |
| JP2003273571A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 素子間干渉電波シールド型高周波モジュール |
| JP2007208156A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Nagoya Institute Of Technology | 高周波軟磁性体膜及びその製造方法 |
| WO2010122877A1 (ja) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | アルプス電気株式会社 | 磁性部材を有するデバイス及びその製造方法 |
| KR20130002237A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-07 | 조인셋 주식회사 | 페라이트 시트 어셈블리 및 그 제조방법 |
| KR101716344B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2017-03-15 | 조인셋 주식회사 | 페라이트 시트 어셈블리 및 그 제조방법 |
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