CN1229827C - 采用呈突出复导磁率特性的磁损耗材料的高频电流抑制体 - Google Patents

Abstract

为了提供一种表现出显著高频磁损耗特性、能极为有效地消除来自非常密集地集成的电子微电路如半导体集成周边器件的高频传输噪声的磁损耗材料，及其制造方法和所用到的高频电流抑制体，本发明是一种片状、包括在磁性薄膜(19)的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层(23)的高频电流抑制体。这种磁性薄膜是包括M-X-Y的磁损耗材料，其中，M为Fe，Co和Ni中的至少一种，X为不同于M或Y的至少一种元素，而Y为F，N和O中的至少一种。

Description

采用呈突出复导磁率特性 的磁损耗材料的高频电流抑制体

技术领域

本发明涉及在高频具有突出磁损耗特性的磁体。更具体地说，涉及表现出突出的复导磁率特性的磁损耗材料连同其制造方法，所述磁损耗材料能有效抑制在工作于高速的有源器件、高频电子元件和电子设备中导致问题的寄生辐射，以及采用这种磁损耗材料的高频电流抑制体和抑制方法。

背景技术

近年来，工作于高速的高度集成的半导体设备有显著的激增。实例包括随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，微处理器(MPU)，中央处理器(CPU)，图像处理算术逻辑单元(IPALU)以及其他逻辑电路器件。在这些有源器件中，正以惊人的进度获得在计算速度和信号处理速度方面更高的速度，并且经这些高速电子电路传输的电信号，因为与之相关的电压和电流的快速变化，已经成为产生感应噪声和高频噪声的主要原因。同时，电子元件和电子设备向着重量更轻、剖面更薄、尺寸更小的趋势在迅速不断地发展。与这种趋势一起，在半导体器件中获得的集成度和在印刷电路衬底上实现的更高的电子元件安装密度也是显著的。因此，过度密集地集成或安装电子器件和信号线路使得它们相互间过于接近。正如前面所述，现在的情况如此，导致伴随着获得的更高信号处理速度易于感应高频寄生辐射噪声。

在这种新近的电子集成器件和电路板中，有源器件所具有的来自电源线路的寄生辐射的问题已经被指出，相应地已经采取了诸如在电源线路中插入去耦电容器或其他集总常数元件的措施。

然而，由于在电子集成器件和电路板的较高速运行中产生的所述噪声包含谐波分量，所以信号路径表现出分布常数特性，并且出现了这样的情况：把希望寄托在传统集总常数电路上的防止噪声的措施已经无效了。

发明内容

本发明的一个目的是提供含有磁性材料的片状高频电流抑制体，所述磁性材料能有效地抵销上述来自工作于高速的半导体器件和电子电路的寄生辐射。

而且，本发明的一个特殊目的是，提供一种含有表现出大的磁损耗因子μ”的磁损耗材料的高频电流抑制体，由此可用更小体积的磁体来实现克服寄生辐射的有效措施。

根据本发明的一个方面，提供一种具有薄片形状的高频电流抑制体，它包括在磁性薄膜的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层。

根据本发明的另一个方面，提供一种高频电流抑制方法，在该方法中，下述高频电流抑制体配置成或者紧密接触或者接近电子电路。在所述高频电流抑制体中，磁性薄膜主要由含有M-X-Y组合物的磁损耗材料构成，其中M是Fe(铁)、Co(钴)和Ni(镍)中的至少一种，Y是F(氟)、N(氮)和O(氧)中的至少一种，X是不同于M或Y的至少一种元素，上述磁损耗材料是宽带磁损耗材料，使得作为上述磁损耗材料的复导磁率的虚部的损耗因子μ”的最大值μ”max存在于100MHz至10GHz的频率范围内，并且相对带宽bwr不小于150％，其中相对带宽bwr通过以下方法获得：提取这样两个频率点之间的频带宽度，在这两个频率点上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心频率将所述带宽归一化；上述磁损耗材料的饱和磁化强度在仅含有M成分的金属磁体的饱和磁化强度60％至35％的范围内；而且该磁损耗材料具有大于500μΩ·cm的直流电阻率值。

按照本发明的又一方面，提供一种高频电流抑制体的形成方法，它是通过以下过程实现的：把在可剥落片状衬底一个表面上形成的磁性薄膜放置在某物体上，并且通过从衬底侧施加压力，由此将磁性薄膜的被施加压力的部分转移到该物体上。

附图说明

图1是本发明的第一实施例中高频电流抑制体的正剖视图；

图2是辅助描述图1所示的高频电流抑制体的使用方法的示意图；

图3是辅助描述图1所示的高频电流抑制体的使用方法的示意图；

图4是按照本发明的第二实施例的高频电流抑制体的正剖视图；

图5是辅助描述图4所示的高频电流抑制体的使用方法的示意图；

图6是按照本发明的第三实施例的高频电流抑制体的正剖视图；

图7A，7B，7C是辅助描述图6所示的高频电流抑制体的使用方法的示意图；

图8是用于形成粒状磁性薄膜的装置的结构的简化示意图；

图9是基于本发明的实施例的样品1的μ”的频率依从关系的实例的曲线图；

图10是影响对比样品1的μ”的频率依从关系的实例的曲线图。

图11是用于观察基于本发明的含有磁损耗材料的高频电流抑制体的抑制效果的测量系统的斜剖视图；

图12A是根据本发明的实施例的样品1的传输特性(S21)的曲线图；

图12B是作为对比样品的合成磁体片的传输特性(S21)的曲线图；

图13是根据本发明的实施例的磁体的等效电路图；

图14A是按照本发明的实施例，从样品1的传输特性中计算出的R值的曲线图；

图14B是从作为对比样品的合成磁体片的传输特性中计算出的R值的曲线图。

具体实施方式

在描述本发明的实施例之前，先介绍本发明的历史。

本发明人曾经发明了在高频呈现大的磁损耗的合成磁体，并发现了通过在寄生辐射源附近设置所述合成磁体来有效地抑制前述的来自半导体器件和电子电路等的寄生辐射的产生的方法。从最近有关利用这种磁损耗达到衰减寄生辐射的作用机制的研究得知，出现这种情况是因为等效电阻元件加至构成寄生辐射源的电子电路中。这里，等效电阻元件的大小取决于所述磁体的磁损耗因子μ”的大小。更具体地说，当所述磁体的面积为常数时，电阻元件的大小被等效地插入电子电路中，并且大体上与μ”和磁体厚度成比例。因此，为了用更小或更薄的磁体得到所希望的寄生辐射衰减，μ”必须更大。

例如，为了使在诸如半导体器件模盘(mold)内部的极小区域内采用磁损耗体的防止寄生辐射的措施生效，所述磁损耗因子必须有一个极大的值，于是一直在寻找具有比传统的磁损耗材料大得多的μ”的磁体。

本发明人在研究用溅射或汽相淀积方法制成的软磁性材料的过程中，注意到其中非常细小的磁性金属微粒均匀地分散在非磁性物质如陶瓷中的粒状磁体的突出的导磁率，并且他们对磁性金属微粒及其周围的非磁性物质进行了研究。结果是，本发明人发现当磁性金属微粒在粒状磁体中的密度在一定范围内时，在高频区可得到突出的磁损耗特性。到此为止，关于含有M-X-Y组合物的粒状磁体，已做了许多研究，其中，M是磁性金属元素，Y或者是O，N或者是F，而X是不同于M或Y的一种元素，并且众所周知，这些都是低损耗的且表现出大的饱和磁化强度。在这些M-X-Y粒状磁体中，饱和磁化强度取决于M成分所占的体积比。因而，必须使M成分的比率高以便获得大的饱和磁化强度。为此原因，对于普通应用，诸如用作高频感应器或变压器中的磁芯等等，已经将M成分在M-X-Y粒状磁体中的比率限定在一个范围内。因此，可以实现相当于仅由M成分组成的块状金属磁体的饱和磁化强度的大约80％或更多的饱和磁化强度。

本发明人广泛地研究了含有M-X-Y组合物的粒状磁体中M成分的比率，其中M是磁性金属元素，Y或者为O、N、或者为F，而X为不同于M或Y的一种元素。结果发现，对于每种组合物系统，当磁性金属M在特定的密度范围内时，在高频区会呈现出大的磁损耗。

在M成分呈现出相对于仅包括M成分的块状金属磁体的饱和磁化强度的80％或更多的饱和磁化强度的最高区域即为在高饱和磁化强度下的低损耗M-X-Y粒状磁体区域，对此已经广泛研究了一段时间。在此区域内的材料被用于高频微磁性器件中，如上面提到的高频感应器，因为导磁率实部(μ’)的值和饱和磁化强度都大，但X-Y成分所占比值(它影响到电阻)是小的，因此电阻率也小。由于上述原因，当薄膜的厚度变薄时，高频下的导磁率随着高频区中的涡流损耗的产生而恶化，因此这些材料不适合用于相对厚的、如用于抑制噪声的磁性薄膜中。在M成分的比率呈现出仅包括M成分的块状金属磁体的饱和磁化强度的不大于80％且不小于60％的饱和磁化强度的区域中，电阻率相对较大，大约为100μΩ·cm或更大。因此，既使所述材料的厚度是在几十微米的数量级，涡流导致的损耗小，而几乎所有磁损耗都是自然谐振引起的。因为上述原因，对于磁损耗因子μ”，频率分散宽度将变得狭窄，因此这类材料适用于在窄带频率范围内的防噪声措施即高频电流抑制。在M成分的比率呈现出仅包括M成分的块状金属磁体的饱和磁化强度的不大于60％且不小于35％的饱和磁化强度的区域中，电阻率甚至会更大，大约为500μΩ·cm或更大，所以涡流导致的损耗将会非常小。并且，因为M成分间的磁相互作用力变小，自旋热干扰变大，而且在自然谐振发生处的频率抖动加剧。结果，磁损耗因子μ”将会在宽范围内呈现出大的数值。因此，所述组合物区域适用于宽带高频电流抑制。

另一方面，在M成分的比率甚至比在本发明的区域中还小的区域中，因为几乎完全不出现M成分间的磁相互作用，所以会出现异常的磁特性。

当紧靠近电子电路设置了磁损耗材料且要抑制高频电流时，所述材料设计标准由磁损耗因子μ”和磁损耗材料的厚度δ之积来确定，即μ”·δ，并且为了有效地抑制几百兆赫频率的高频电流，大体上要求μ”·δ≥1000(μm)。因此，在磁损耗材料呈现出μ”＝1000的情况下，厚度就必须为1μm或更大，于是，易受涡流损耗影响的低电阻材料不适用，但是具有电阻率变为100μΩ·cm或更大的组合物是适用的。也就是说，在本发明的组合物系统中，M成分的比率在一个区域内，在该区域中呈现出的饱和磁化强度为仅包括M成分的块状金属磁体的饱和磁化强度的80％或更少，且不会显示异常磁特性，也就是呈现出的饱和磁化强度为相对于仅包括M成分的所述块状金属磁体的饱和磁化强度的35％或更多的区域。

本发明人研究了配置，由此在应用这种磁性材料时，可能更容易更简单地将他们设置在所需的位置，因而获得本发明的结果。

现在描述本发明的实施例。

参考图1，高频电流抑制体15具有包括通过溅射形成于合成树脂片或薄膜衬底17的一个表面的Fe_αAl_βO_γ的粒状磁性薄膜19。在粒状磁性薄膜19的上面，设置了合成树脂涂层21，以便于剥离或加固该粒状磁性薄膜。同时，在衬底17的另一表面，分别设置了包括橡胶或合成树脂等的压焊粘性层或压敏粘性层23，以及形成于其上的剥离片或卸除片25。这里，所述合成树脂片或薄膜衬底17可含有任何合成树脂，如聚对酞酸乙二酯(PET)，聚酯醚酮(PEEK)，或者聚酰亚胺等，只要它在溅射处理或汽相淀积过程中不变形。对于用于压焊粘性层或压敏粘性层23的粘合剂，可采用溶剂方式或乳胶方式的树脂，如丙烯酸酯，聚乙烯醚，多乙酸乙烯酯，聚苯乙烯或聚乙烯丁缩醛树脂。对于发粘的粘合剂，上述那些树脂可能用了增粘剂，其中增粘剂包括松香或其衍生物、萜烯树脂或其他萜烯衍生物，以及环戊烯、苯乙烯、苯酚、二甲苯，或者苯并呋喃茚，或硅酮、聚氨酯、氟，或聚丙烯橡胶，最好是同时在其中使用阻燃的绝缘软硅橡胶，但是任何可能用到的、具有足够的粘附力以使其不从所述合成树脂片或薄膜衬底上剥离的压焊粘合剂或发粘的粘合剂构成衬底17。

对于剥离片25，可使用经表面处理的纸张或树脂等，只要它能轻易地从粘合表面剥离。而且对于所述合成树脂涂层21，可以使用任何材料，只要它在被敷用和干燥时形成比较有弹性的合成树脂层。另外，可经加热将热塑性的树脂片压上去。

参考图2和3，剥离片25形成于具有预定规格的高频电流抑制体15的一侧表面上。在剥掉剥离层25后，高频电流抑制体15被粘贴在所要的部位。

在图3所示的实例中，应用高频电流抑制体27使得它覆盖所安装的元件31诸如已安装在衬底29上的IC(集成电路)或LSI(大规模集成电路)的全部表面。

高频电流抑制体27也可加在带状线或跳线上(未示出)。

因而，通过使用所述高频电流抑制体15，有可能抑制作为噪声源的寄生电磁辐射和来自外部的高频噪声。

在上述第一个实施例中，用于所述粒状磁性薄膜19的材料由Fe_α-Al_β-O_γ来表示，但是，在本发明中，使用其中组合物由通式M-X-Y表示的磁体就足够了，且本发明并不限于上述第一实施例。而且，如果容易处理的话，可以省略衬底17或表面保护层中的一个或两者。

参考图4，按照本发明的第二实施例的高频电流抑制体33具有粒状磁性薄膜19，后者包括通过溅射形在于合成树脂片或薄膜衬底35的一个表面上的Fe_α-Al_β-O_γ。在粒状磁性薄膜19的上部，通过涂敷和干燥形成的含有类似组合物的合成树脂衬底37。在每个表面上设置粘性层39和41。在粘性层39和41上，分别设置了剥离层43和45。因此，形成的所述高频电流抑制体33在其两面都有粘性层。对于合成树脂层43和45以及粘性层39和41，可使用如在第一个实施例中用的同样材料。

如图5所示，在使用时，高频电流抑制体33的剥离片被剥掉并且电子元件49和51被连接在一起。因而，通过在每个产生高频噪声的电子元件中间设置高频电流抑制体47，通过抑制寄生电磁辐射来防止电子元件间的相互干扰，而且来自外部的高频噪声也能被抑制。

另外，在前述的第二个实施例中，Fe_α-Al_β-O_γ被用于粒状磁性薄膜19，但是，在本发明中，可以使用任何由通式M-X-Y表示的磁体，且本发明不限于第二实施例。而且如果容易处理的话，可以省略衬底35或37中的一个或两者。

参考图6，按照本发明的第三实施例的高频电流抑制体53含有：由承载带等制成的可剥离衬底55；设置在可剥离衬底55上的粒状磁性薄膜57；以及设置在所述粒状磁性薄膜57上的压敏粘性层59。用剥离片61来防止粘连。对于所述压敏粘性层59，可采用类似第一个实施例中列举的那些物质。

如图7A所示，当使用所述高频电流抑制体53时，从高频电流抑制体53的表面拆除剥离片61。然后，将高频电流抑制体63的表面安置成正对衬底67的所要求的表面。如图7B所示，用冲头从正对衬底的表面的背面的表面施加压力。由此，如图7C所示，在其上叠加形成的粘性层59和粒状磁性薄膜57一起，按照所用压制冲头的形状，从可剥离衬底55上分离，并且作为高频电流抑制体薄膜69粘附在衬底67上。因此，可在所需位置形成所需形状的高频电流抑制体。

而且，在本发明的第三实施例中，使用了剥离衬底55，但是也允许采用有加热装置的冲头65，在施加压力时可加热和熔化树脂，使熔化得到的树脂凝固，并且无须粘性层59和剥离片61可用粘附的方式使用所述的粒状磁性薄膜。

在可剥离衬底55和粒状磁性薄膜57之间有表现出粘性的橡胶或合成树脂或许有些作用。在这种情况下，无须提供带有加热装置的冲头57。

现在参考图8，描述用于本发明的实施例的粒状磁性物体M-X-Y的结构以及制造它的方法的具体实例。

参考图8，溅射装置71有一个靶样品台式平台77和一个位于真空室75内的板79，该真空室能够使其中的空气被真空泵73抽尽。靶样品平台77与来自外部的RF电源相连。在靶样品平台77上是放置在它上面的靶83和芯片85。在靶样品平台77和板79之间设置了遮挡板87以便遮盖板79。标号89表示用于向所述真空室内提供气体的供气装置。

接下来将描述制造过程的实例。

(样品1)

使用图8所示的装置，在下列表1所示条件下，通过溅射在玻璃板79上制造粒状磁性薄膜。由此得到的溅射薄膜在300℃、真空中和磁场下经过两小时的热处理，而生成样品1。

当对此样品1进行荧光X射线分析时，发现所述薄膜的组合物为Fe₇₂Al₁₁O₁₇。在样品1中，薄膜厚度为2.0微米(μm)，直流电阻率为530微欧姆厘米(μΩ·cm)，各向异性磁场(Hk)为18奥斯特(Oe)(1422安/米(A/m))，饱和磁化强度(Ms)为16800高斯(Gauss)(1.68特斯拉(T))，并且相对带宽bwr是148％，其中相对带宽bwr通过以下方法获得：提取这样两个频率点之间的频带宽度，在这两个频率点上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心频率将所述带宽归一化。样品1与仅由M成分组成的金属磁体的饱和磁化强度的比值为72.2％。

表1

淀积前的真空度	＜1×10-6乇(＝1.33×10-4帕)
		淀积的气氛	Ar
电源	RF
		靶	Fe(直径Φ：100mm)+Al2O3芯片(120片)(芯片尺寸：5mm×5mm×2mm)

为了验证该样品的磁损耗特性，对μ-f特性进行研究。通过将样品插入制成带状的测试线圈中来测量μ-f特性，并且在加上偏磁场时测量其阻抗。由此获得磁损耗因子μ”的频率特性。

(对比样品1)

除了Al₂O₃芯片的数量设为90以外，对比样品1是用与样品1同样的方法在同样条件下获得的。

对这样得到的对比样品1进行荧光X射线分析，发现所述薄膜的组合物为Fe₈₆Al₆O₈。在对比样品1中，薄膜厚度为1.2微米(μm)，直流电阻率为74微欧姆厘米(μΩ·cm)，各向异性磁场(Hk)为22奥斯特(Oe)(738安/米(A/m))，饱和磁化强度(Ms)为18800高斯(Gauss)(1.88特斯拉(T))。对比样品1与仅包括M成分的金属磁体的饱和磁化强度之比，即{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100的值为85.7％。

参考图9，在本发明的样品1的μ”-f特性中，峰值非常高，分散性很大，具有在700MHz附近的尖锐的共振频率。

参考图10，在μ”-f特性中，对比样品1表现出大的μ”，反映出饱和磁化强度(Ms)是大的。然而，因为这个样品的电阻值低，随着频率的升高产生涡流损耗。因而显然导磁率(磁损耗特性)的恶化从低频区发展，并且到了高频区，所述导磁率特性已经变得很坏。可从这些结果看出，本发明的样品1中的磁体在高频区表现出非常高的磁损耗特性。

下面将介绍用于验证使用由本发明的实施例获得的样品的噪声抑制效果的测试。

采用图11所示的测量系统来验证噪声抑制效果，并且用包含具有图4和5所示的导磁率特性的样品1的粒状磁性薄膜的高频电流抑制体，所述薄膜形成边长为20mm的正方形，膜厚为2.0μm，被直接放置在线长为75mm且特征阻抗为50Ω的微带线上面，并且通过网络分析仪(HP8753D)确定两端口间的传输特性。

表2

导磁率特性

	粒状磁性薄膜	合成磁性片
			μ”/700MHz	约1800	约3.0
bwr	148	196

在上面的表2中，一起给出所述粒状磁性薄膜样品1的高频电流抑制体片的导磁率特性，以及作为对比样品的由一层铝硅铁粉和一个聚合物组成的同样面积的合成磁体的导磁率特性。所述粒状磁性薄膜样品1的μ”呈示出在亚微波段的分散，同时在700MHz附近μ”max＝约1800。这比在同样波段呈现出μ”分散的对比样品的μ”大了约600倍。另外，与所述对比样品相比，相对带宽小，由此可见这是窄带。在通过紧靠着噪声传输路径设置磁损耗材料和在传输路径中插入等效电阻元件来抑制高频电流时，可认为抑制效果的水平将与μ”的大小和所述磁体厚度之积(μ”·δ)大致成比例。因而，在比较抑制效果时，在μ”≈3时其中δ＝1.0mm使得μ”·δ将在同样的数量级的合成磁体片被用作对比实例。

更具体地说，如图11所示，直接将高频电流抑制体片置于由虚线97表示的微带线95的电感器上方，由此确定传输特性S₂₁的变化。在图11中，符号99表示同轴线。

在图12A和12B中，在分别用粒状磁性薄膜样品1的高频电流抑制体片和合成磁体片时，绘出S₂₁特性。在用粒状磁性薄膜样品1的情况下，S₂₁特性在100MHz及其以上是减小的，在2GHz附近出现极小值-10dB后开始增大。另一方面，在合成磁体片的情况下，S₂₁特性从几百MHz起是单调减小的，在3GHz大约为-10dB。这些结果表明，S₂₁传输特性取决于所述磁体的μ”的分散，且抑制效果取决于μ”·δ之积。因而，把所述磁体假想为尺寸为λ的分布常数线，如图13如示。而且，在从传输特性S₁₁和S₂₁中得出每单位长度(Δλ)的等效电路常数后，等效电路常数经计算以换算成该样品的尺寸(λ)。在此项研究中，当磁体被置于微带线的上方，传输特性的变化主要是由增加的串联等效电阻元件引起的，得到所述等效电阻R，并且测出其频率依从关系。

参考图14A和14B，在本发明中和作为对比样品的合成磁体片中的等效电阻R的频率变化关系中，在两种情况下，等效电阻R在亚微波段都是单调增加的，且在3GHz变为几十欧姆。等效电阻R的频率依从关系呈现出具有与两种情况下在1GHz附近变得极大的μ”的频率分散性不同的趋势，但是这被认为是反映了一个事实的结果，该事实即除了前述的μ”·δ之积外，所述样品尺寸与波长之比也是单调增加的。

在本发明的实施例中，已经指出制造样品是基于溅射或真空汔相淀积的工序，但也可使用诸如离子束汽相淀积或气体淀积之类的制造方法，并且对于方法没有限制，只要用该方法能够同样地实现本发明的所述磁损耗材料。

此外，在本发明的实施例中，是一个淀积成的薄膜，但是薄膜在真空、磁场中经过热处理的加工后其性能和特性会改变。

根据上文所述，显然，在亚微波段表现出μ”分散性的本发明的样品表现出相当于具有比所述样品约大500倍的厚度的合成磁体片的高频电流抑制效果，并且这样的样品有望作为将在包括半导体集成器件之类在约1GHz的高频时钟下工作的器件的电子元件和易受干扰影响的电子元件之间、以及在高频使用的电子元件和电路器件等内的EMI(电磁干扰)最小化的材料。

上述粒状磁性薄膜仅涉及Fe_αAl_βO_γ，但是显然本发明的粒状磁性薄膜用下述由通式M-X-Y表示的磁体的成分来代替可以得到同样的效果，其中M为Ni，Fe或Co，X成分为C，B，Si，Al，Mg，Ti，Zn，Hf，Sr，Nb，Ta或稀土，或者是那些的混合物，而Y成分是F，N或O，或者是那些的混合物。

在上述实施例中使用的薄膜形成方法是溅射，但是也能使用如汽相淀积之类的其他方法。另外，还可使用诸如离子束淀积或气体淀积的制造方法。对于方法没有限制，只要用该方法能同样实现本发明的所述粒状磁性薄膜。

另外，在本发明的实施例中，已给出对高频电流抑制体的描述，所述高频电流抑制体包括合成树脂衬底或含有合成树脂的粘性层或压敏粘性层，但是允许直接在所要用的位置f上形成所述粒状磁性薄膜并且在其上形成保护膜等，而且本发明不限于用粘合或粘贴的方法。

根据本发明，如上所述，有可能提供一种具有表现出显著的高频磁损耗特性的磁性薄膜的高频电流抑制体，它能有效地消除由来自使用电子元件和\或工作在高频的电路板的电磁噪声或寄生电磁辐射所引起的干扰。

Claims (11)

1.一种高频电流抑制体，它具有薄片的形状并且包括粘性层和磁性薄膜，

其中，所述磁性薄膜由M-X-Y组合物的磁损耗材料构成，其中M为Fe、Co和Ni中的至少一种，Y为F、N和O中的至少一种，而X为不同于M或Y的至少一种元素，以及

所述磁损耗材料中M的含量使得所述磁损耗材料的饱和磁化强度达到仅由M成分组成的金属磁体的饱和磁化强度的35％至80％范围内，X成分由C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和稀土元素中的至少一种构成，且具有100μΩ.cm至700μΩ.cm之间的直流电阻率，磁损耗材料的复导磁率的虚部损耗因子μ”的最大值μ”_max的出现在100MHz至10GHz的频率范围内，磁性薄膜的厚度在0.3μm至20μm的范围内。

2.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：还包括含有合成树脂的衬底。

3.如权利要求2的高频电流抑制体，其特征在于：所述衬底放置在所述粘性层(23)和所述磁性薄膜之间。

4.如权利要求2的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁性薄膜固定在衬底上。

5.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料中的M成分具有分散在X-Y复合物基质中的颗粒形状。

6.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料的M成分具有颗粒形状，由平均微粒直径在1nm至40nm之间的微粒形成。

7.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料呈现出的各向异性磁场强度Hk为4.74×10⁴A/m或更小。

8.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料具有作为M-X-Y组合物的、用通式Fe_α-Al_β-O_γ表示的组合物。

9.如权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料是通过溅射或汽相淀积方法制造的薄膜磁体。

10.一种电子元件，包括如权利要求1所述的高频电流抑制体。

11.一种将高频电流抑制膜(69)留在衬底(67)上的方法，包括以下步骤：

准备一个具有片形衬底(55)的片状的高频电流抑制体(63，69)、一个在片形衬底(55)上的磁性薄膜(57)、和在磁性薄膜(57)上的粘性层(59)，所述磁性薄膜(57)由具有M-X-Y组合物的磁损耗材料构成，其中M是Fe、Co和Ni中的至少一种，Y是F、N和O中的至少一种，而X是不同于M或Y的至少一种元素，且所述磁损耗材料中M的含量使得所述磁损耗材料的饱和磁化强度达到仅由M成分组成的金属磁体的饱和磁化强度的35％至80％范围内，X成分由C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和稀土元素中的至少一种构成，且具有100μΩ.cm至700μΩ.cm之间的直流电阻率，磁损耗材料的复导磁率的虚部损耗因子μ”的最大值μ”_max的出现在100MHz至10GHz的频率范围内，磁性薄膜的厚度在0.3μm至20μm的范围内；

将所述高频电流抑制体(63)放置在所述衬底(67)上；以及

连同粘性层(59)的一部分一起，从片形衬底(55)上去除所述磁性薄膜(57)的一部分，以将由所述粘性层(59)和所述磁性薄膜(57)构成的所述高频电流抑制膜留在所述衬底(67)上。

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