TW501149B - High-frequency current suppression body using magnetic loss material exhibiting outstanding complex permeability characteristics - Google Patents

Description

501149 五、發明説明(1 發明背景 (1) 發明領域 本發明是有關於磁體其係在高頻時具有優異的磁損 特徵，而且更特別的是有關於可顯示出優異的複合導磁 率特徵，其係可有效地抑制會在主動裝置（其係在高速 度下操作，高頻電子構件，以及電子設備）中造成問題的 亂真幅射（spurious radiation)和其製造方法，以及一高 頻電流抑制體和藉此磁損材料的抑制方法。 (2) 相關技術描述 在最近幾年中，高度地整合的半導體裝置（其係在高 速度下而操作）的激增一直是値得注意的。包含的實例 有隨機存取記憶體（RAM)，唯讀記憶體（R〇M)5微處理器 (MPU)，中央處理單元（CPU)，影像處理計算邏輯單元 (IPALU)，以及其它邏輯迴路裝置。在這些主動裝置中， 以計算速度和信號處理速度的觀點來看，正在以一驚人 的速率以完成更高的速度，而且因爲在相關的快速電壓 和電流改變，所以此透過該高速電子迴路的電氣訊號已 變成了感應的和高頻雜訊的主要原因。同時，朝向更輕 的重量，更薄的輪廓以及更小的尺寸的電子構件和電子 設備的趨勢正快速地且不衰地持續下去。與此趨勢有 關連的是，在半導體裝置中正在被整合的程度和在印刷 配線基板中正被實現的更高的電子搆件固定密度也同 樣地令人値得注意。根據地，電子裝置和訊號線過度地 且濃密地被整合或被固定而變成極度地相互靠近。如 501149 五、發明説明6 ) 之前所談論的，現在該情形爲在該正被完成的較高信號 處理的接面中容易地感應出高頻亂真輻射（S p U r i 〇 u s r a d i a t i ο η)雜訊。 已描出從電源線出來的用來啓動在此最近的電子積 體裝置和配線板中裝置的亂真幅射問題，爲反抗前述的 情形，方法有例如插入吸收蓄電器（decoupling condenser)或 其它集中的固定構件於該電源線中。. 然而，因爲在較高的速度下操作的電子積體裝置和配 線板所產生的雜訊會包含有諧波的成份，所以訊號路徑 會顯示出一分配的固定行爲（distributed constant behavior)，而且情況會發生在反抗雜訊的方法情形下， 該方法意味著傳統的集中固定迴路是無效的。 本發明的說明 本發明的目的是要提供片形（s h e e t - f ο 1· m )高頻電流抑 制體其係包括有磁材料，該磁材料可有效地反抗來自半 導體裝置和電子迴路（在高速下操作）的亂真幅射，如上 所述。 此外，本發明的特殊目的是要提供一高頻電流抑制體 其係包括有磁損材料，該磁損材料會顯示出一大的磁損 因數μ 〃，該有效的方法（反抗亂真幅射）可藉由一具有較 小的體積的磁體而被實施。 根據本發明的觀點之一，是要提供一高頻電流抑制其 係具有一片形（s h e e t s h a p e )，該片形包括一黏著層或一 壓力感應黏著層於一磁薄膜的至少一表面。 -4- 501149 五、發明説明(3 ) 根據本發明的另一個觀點之一，提供有一高頻電流抑 制方法，藉由此方法，下述的高頻電流抑制體是以緊接 觸於或靠近接近於一電子迴路而被裝設。在該筒頻電 流抑制體中，該實質上由一磁損材料所組成的磁薄膜具 有一M-X-Y組合，其中Μ是至少Fe，Co,以及Ni之一，Y 是至少F，N，以及0之一，以及X是至少除了 Μ或Y之 外的一元素j亥前述的磁損材料是一寬頻率（broad band) 磁損材料，如此以致於該損失因數# 〃的最大値// 〃 m a x (其在上述的該磁損材料的複合導磁率中是一想像的部 份）會存在於一 100MHZ至10GHZ的頻率範圍內而且 以致於一相關的頻寬（b a n d w i d t h) b w r不是小於1 5 0 % 。其中該相關的頻率bwr是藉由從一介於兩頻率（在該 兩頻率上，該μ 〃的値是最大的#〃 max的50%)之間的頻 寬（frequency bandwidth)擷取出來而且使該在其中央頻 率的頻寬標準化；該前述的磁損的飽和磁化（saturation magnetization)的大小是在一金屬磁體（僅由μ成份所 組成）的飽和磁化的6 0 %至3 5 %的範圍之中；以及該磁 損材料具有一大於5 0 0 μ Ω · cm的D C電阻値。 又，根據本發明的另一個觀點，是提供一高頻電流抑 制體形成方法，藉由該方法，被形成於一可剝去的片形 基板上的一磁薄膜是被放置於一物體上而且藉由一來 自該基板邊的壓力，I亥fe薄膜的部份（其中有施加該壓 力）是被轉移至該物體上。 圖式簡單描述 501149

五、發明説明（4 ) 第1圖是本發明的在第一實例中的一高頻電流抑制 體的前剖面圖； 第2圖是一圖表其係幫助來描述使用在第1圖中所 圖示的高頻電流抑制體的方法； 第3圖是一圖表其係幫助來描述使用在第1圖中所 圖示的高頻電流抑制體的方法； 第4圖是根據本發明的一第二實例的一高頻電流抑

制體的一前剖面圖； 第5圖是一圖表其係幫助來描述使用在第4圖中所 圖示的高頻電流抑制體的方法； 第6圖是根據本發明的一第三實例的一高頻電流抑 制體的一前剖面圖； 第7 A，7 B以及7 C圖是圖表其係幫助來描述使用在 第6圖中所圖示的高頻電流抑制體的方法；

第8圖是一用於形成一粒狀的磁薄膜的裝置的構造 的簡化圖表； 第9圖是根據本發明的一實例1的#〃的頻率依賴的 狀態的實例圖表； 第1 〇圖是影響一比較實例1的Μ 〃的該頻率依賴的 狀態的實例圖表； 第1 1圖是用於觀察一高頻電流抑制體（根據本發明 是由磁損材料所組成）的抑制效果的一測量系統的一斜 視圖； 第〗2 Α圖是根據本發明的一實例的例子1的傳輸特 ^υιΐ49

五、發明説明（5 ) 1喊（S 2 1 )的一圖表； 第1 2 B圖是一混合的磁體片（其係是一比較例子）的 傳輸特徵（S 2 1 )的一圖表； 第1 3圖是根據本發明的一實例的用於一磁體的一相 等的迴路的圖表； 第1 4 A圖是根據本發明的一實例的R値的圖表，該R 値是從例子1的傳輸特徵中所計算而來。

第1 4B圖是R値的圖表，該R値是從混合的磁體片 (其係是一比較例子）的傳輸特徵中所計算而來的。 較佳實例說明 在描述本發明的實例之前，先描述本發明的歷史。

本發明人先前已發明一混合的磁體其在高頻中會顯 示出大的磁損，而且也發現一方法，藉此方法，從前述的半 導體裝置和電子迴路等中所產生的亂真的幅射藉由設 置該混合的磁體於亂真幅射源的鄰近地區中而可有效 地被抑制。眾所皆知，從最近的對亂真幅射減少的主動 機構（藉由使用該磁損）以致於因爲相等的電阻機會分 佈至由亂真幅射所組成的電子電路，所以亂真幅射會增 加。在此，相等的電阻構件的大小是依該磁體的磁損因 數# 〃的大小而定。特別是，當該磁體的地區不變時，則 該電阻構件大小是相等地被插入於一電子迴路中且大 致上與μ 〃以及和該磁體的厚度成比例。根據地，一更 大的〃變得是必要的以藉由一更小的或更薄的磁體來 獲得一所需的亂真幅射減少。 -7-

五、發明説明（6 ) 比如說，爲了要施行該反抗亂真幅射的方法（其係 藉由使用在一極小的區域中的一磁損體）例如在一半導 體裝置模型的內部中，一用於該磁損因數的極大値變得 是需要的，在其上可以找到具有顯著地大於傳統的磁損 材料的// 〃的磁體。 本發明人，在他們的對藉由使用濺鍍或氣相沈積方法 的軟式磁材料的硏究過程中，記錄下粒狀的磁體的優異 的導磁率，其中非常細微的磁金屬粒子被均勻地擴散於 一非磁體中，例如一陶瓷且硏究磁金屬粒子的微狀結構和 圍繞它們的非磁體。結果，本發明人發現到當在一粒狀 的磁體中的磁金屬粒子的集中是在一某特定的範圍時， 則在局頻區域中可獲得優異的磁損特徵。已做過很多 硏究以硏究具有Μ - X - Y混合物的粒狀的磁體，其中Μ 是一磁金屬元素，Υ不是〇，Ν就是F，以及X是一除了 Μ或Υ之外的元素，而且眾所皆知這些都是低損且會顯 示出大的飽和磁化。在這些Μ - X - Υ粒狀的磁體中，該 飽和磁化的大小是依藉由Μ成份而被說明的體積比例 而定。所以Μ成份的比例必須要夠高以獲得大的飽和 磁化。爲了這理由，於普通的使用下的在一 Μ-Χ-Υ粒 狀的磁體中的Μ成份的比例（例如使用爲在一高頻感 應裝置或變壓器或類同物中的一磁核心）已受限於一範 圍，藉此該範圍一大約80%的飽和磁化或更大可被實現 以用於該主體（bulk)金屬磁體（其係由非Μ成份所組成） 的飽和磁化。 501149

五、發明説明（7 ) 本發明人已硏究在粒狀的磁體（具有該Μ - X · Y混合 物）中的Μ成份的比例，其中Μ是一磁金屬元素，γ不是 〇，Ν就是F，以及X是除了 Μ或Υ之外的一元素，橫跨 一廣泛的範圍，結果已發現出當該磁金屬Μ是出現於一 特定的濃度範圍中時，則藉由每一個混合物系統，大的 磁損是會被顯示出於高頻區域中。 該最高的區域（其中該Μ成份顯示出8 0 %的一飽和 磁化或更大以相對應一主體金屬磁體（其係由非Μ成 份所組成）的該飽和磁化）是在高的飽和磁化下低損的 Μ-Χ_Υ粒狀的磁體區域（該飽和磁化已被廣泛的硏究已 有一段時間了）。因爲真的部份（r e a 1 - p a 1· t)導磁率（μ 〇 和該飽和磁化兩者皆是大的，所以在此區域中的材料.是 被使用於高頻微磁裝置中，例如上述的高頻誘導器，但 是藉由該會影響電氣電阻的X - Υ成份而被說明的比例 是小的，因此電氣電阻也是小的。爲了這個理由，當該 膜的厚度變成薄時，則在高頻中的導磁率會惡化於與在 高頻區域中的漩渦電流損失（eddy current loss)的接面 中，因此這些材料並不適用於相對地厚的磁膜，例如被 使用以抑制雜訊。 用於Μ成份比例顯示出一 8 0 %的飽和磁化或更少但 爲6 0%或更多的一主體金屬磁體（其係只由Μ成份所組 成）的飽和磁化的該區域中，該電氣電阻在大約1 00以Ω • cm或更大時是相對地大。所以，即使該材料的厚度是 在幾個μ m的次序之上，但是由於漩渦電流之故，所以該 501149

五、發明説明（8 ) 損失很小，而且由於自然共振（n a t ur a 1 r e s ο n a n c e )之故， 所以幾乎所有的磁損會變小。爲了這理由，該頻率散播 寬度（其係用於磁損因數μ 〃會變成窄的。因此，此材料 適合於反雜訊（anti-noise)方法，|卩，高頻電流抑制於窄 頻（11 a r r 〇 w - b a η d )範圍。 用於M成份比例顯示出一 60%的飽和磁化或更少但 爲3 5%或更大的一主體金屬金屬磁體（其係只由Μ成份 所組成）的飽和磁化的該區域中，該電氣電阻在大約5 0 0 // Ω · cm或更大時會變得更大，所以由於漩渦電流之故， 該損失會極端地小，而且因爲在Μ成份之間的磁互動 (m a g n e t i c i n t e r a c t i ο η)變小，所以旋轉熱阻礙（s p i η t h e r m a 1 d i s t u r b a n c e )會變大，而且顫抖（q u i v e r i n g )會發 生在有自然共振產生的頻率中。結果，該磁損因素 會顯示出一橫跨一寬廣範圍的一大的値。根據地，該混 合區域是適合於寬頻高頻電流抑制。 在區域中其中Μ成份比例是小於本發明的區域中的 情形下，另一方面，因爲在Μ成份之間的磁互動幾乎不 會出現，所以超常磁性（s u p e卜η ο 1· m a 1 m a g n e t i s m)會發 生。 當一磁損材料立刻被安置於一電子迴路的附近時而 且高頻電流是要被抑制時，則該材料設計標準是藉由該 磁損因數# 〃以及該磁損材料的厚度δ而被給定，也就 是說，μ 〃· δ，而且，爲了有效地抑制在幾百個Μ Η Ζ的範 圍中的高頻電流，大約的需求爲// 〃 · δ 2 1 0 0 0 ( μ m )。根 >10- 501149 五、發明説明（9 ) 據地，使用一顯示出#〃= 1 〇 〇 〇的磁損材料，1 # m或更 大的厚度會變成所必須的，據此一低的電氣電阻的材料 (其易受到漩渦電流損失而被影響）並不適合，而適合的 材料是爲一混合物，藉此，該電氣電阻變成1 # Ω · cm 或更大，也就是說，在本發明的混合物系統中，該Μ成份 比例是在一飽和磁化是被顯示出有80%或低於該一主 體金屬體（其係只由Μ成份所組成，而且超常磁化並不 明確）的範圍中，也就是說，一顯示出飽和磁化的區域是 3 5 %或更大相對應於該主體金屬體（其係只由Μ成份所 組成）的飽和磁化。 本發明人已硏究過其結構，當應用此磁材料時，則有 可能更容易地且更簡單地安置它們於所需的地點上，且 因此達成本發明。 現在要描述本發明的實例。 參考第1圖，一高頻電流抑制體1 5具有一粒狀的磁 薄膜19(由FeaAlpOY所組成）其係藉由濺鍍而被形成在 一合成樹脂片或膜基板1 7的一表面上。在該粒狀的磁 薄膜1 9的上部之上，提供有一合成樹脂塗層2以剝除 且加強該粒狀的磁薄膜。在基板1 7的另一個表面上， 同時形成有一接合黏著劑或壓力敏感黏著層（p r e s s u resensitive adhesive iayer )23(其係 由一合 成樹脂 的橡膠 或類同物所組成），一剝除片或移除片2 5分別地被提 供。在此，該合成樹脂片或膜基板1 7可由任何的合成 樹脂所組成，例如 ρ ο 1 y e t h y 1 e n e t e r e p h t h a U t e (P E T )， -11- 501149 五、發明説明（〗〇 ) polyester ether keto n e(PEEK)，或 polyamide，等等，只要 它在濺鍍製程或氣相沈積期間不會變形。爲了用於接 合劑或壓力敏感黏著層23的接合黏著，一有溶解力的 系統或感光劑系統樹脂，可以使用例如acryIic acid ester, polyvinyl ether, polyvinyl acetate, polystyrene， 或p o 1 y v i n y 1 b u t y r a 1 r e s i n。爲了黏的黏著劑，那些相同 的樹脂其中包含有樹脂或一衍生物的增黏劑（tack ifier)， 可以使用terpene樹脂或其它terpene衍生物，以及一 cyclopentadiene, styrene, phenol, xy 1 ene?^ ,coumarοne-i n d e n e 樹月旨，或一 silicone, polyurethane，fluorine,^； acrylic橡膠，藉此，其中特別地較佳地，可使用防火絕緣， 彈性的矽化物橡膠，但是可 使用任何具有足夠的黏著 力而不會從i亥合成樹脂片或構成該基板2的膜基板剝 除的任何的接合黏著劑或黏的黏著劑用於該剝除片2 5， 只要能輕易地從該黏著表面輕易地剝除，可使用不是一 表面已處理的紙就是樹脂或類同物。和用於該合成樹 脂塗層5，當被塗覆且會乾只要會形成一相對地彈性合 成樹脂層，可以使用任何東西。可選擇地，在熱之下，可 以加壓於熱塑性的樹脂片。 參考第2圖和第3圖，該剝除片2 5是被形成於該高 頻電流抑制體1 5(其係具有一預定的尺寸）的一邊上。 在剝除片2 5被剝除之後，高頻電流抑制體〗5是黏著地 被塗覆在所需的地點上。 在第3圖中所圖示的實例中5—高頻電流抑制體27 -12- 501149 五、發明説明（】】） 是被塗覆以便覆蓋被固定的構件3】（例如已被固定於 一基板2 9上的I C s或L S 1 s )的整個表面。 該高頻電流抑制體27可被塗覆至帶線（strip lines) 或跳躍線（jumper lines)(未顯示）。 因此，藉由覆該高頻電流抑制體1 5，有可能抑制亂真 電磁幅射（其係雜訊的來源）且可能抑制來自外界的高 頻雜訊。 在上述的第一實例中，用於粒狀的磁薄膜1 9的東西 是藉由Fea-Alp-0Y來代表，但是，在本發明中，足夠的可 使用一磁體混合物其係藉由該一般的方程式M-X-Y代 表，而且本發明並不受限於藉由先前中所描述的第一實 例。同時，如果容易處理的話，則可省略基板1 7或表面 保護層2 5其中之一或兩者。 參考第4圖，根據本發明的第2實例，一高頻電流電 流抑制體33具有一粒狀的磁薄膜19(由Fea-A^〇Y所 組成）其係藉由、濺敏而被形成於一合成樹脂片或膜基板 3 5的表面上。在粒狀的磁薄膜丨9的上部之上，形成有 具有類似的混合物的合成樹脂層3 7 (藉由塗覆和乾燥 而形成）。黏著層3 9和4 1被安置在每一個袠面上。在 黏著丨曾3 9和4 1之上，剝除片4 3和4 5分別地被安置。 根據地，形成高頻電流抑制體33(其係具有〜黏著層於 其兩邊）°用於合成樹脂層4 3和4 5以及黏著層3 9和 4 1，可使用如同使用於第〗實例中的相同材料。 如第5圖中所圖示的，當其被使用時，則高頻電流抑 -13- 501149

五、發明説明（) 制體33的剝除片是被剝除而且電子構件49和51被連 接在一起。因此，藉由在電子構件（每一構件會產生尚 頻雜訊）之間安置一高頻電流抑制主體4 7，可以藉由抑 制亂真電磁幅射來預防在電子構件之間的相互千擾或 類同物，而且也可抑制來自外界的局頻雜訊。 在先前所描述的第2實例中，此外，使用Fe«-A1P-〇Y 於粒狀的磁薄膜1 9，但是，在本發明中，可使用藉由一般 的方程式M -x -γ所表達的任何磁體5而且本發明並不 受限於該第2實例。同時，如果容易處理的話，則可省 略基板3 5和3 7其中之一或兩者。 參考第6圖，根據本發明的第3實例，一高頻電流抑 制體5 3具有一剝除基板5 5 (由一載體帶或類同物所製 成），一粒狀的磁膜5 7 (被安置在剝除基板55上），以及一 壓力敏感黏著層5 9 (被安置在粒狀的磁膜5 7上）。提供 一剝除片6 1以預防黏著。用於壓力敏感黏著層5 9，司 以使用任何例舉於第1實例中物質° 如第7Α圖所圖示的，當使用高頻電流抑制體53時， 則剝除片6 1已從高頻電流抑制體5 3而被移除。在此 之後，高頻電流抑制體5 3的表面是被定位以使面對一 基板6 7所需的表面。如第7Β圖所圖示的，使用來自表 面的一沖頭6 5來施加壓力於背面上（來自面對表面）° 因此，如第7C圖所示，形成重疊於其上的黏著層59和 粒狀的磁薄膜5 7 —起從剝除基板5 5分開，根嫌沖頭6 5 的外形，且黏附至基板6 7以做爲一高頻電流抑制體膜 -14-

501149 五、發明説明（) 6 9 °因此，可在所需的地點上形成所需的外形的一高頻 電流抑制體膜。 此外，在本發明的第3實例中，使用剝除基板$ 5，但是 亦可使用一具有加熱機構，效果加熱以及熔合的沖頭 6 5，當施加壓力，凝固該結果熔合的樹脂以及黏著地塗 覆該粒狀的磁薄膜而不需要提供黏著層59和剝除片 6 1° 可能會有具有橡膠或合成樹脂（其顯示出介於剝除基 板5 5和粒狀的磁薄膜5 7之間的黏著，在此案例中不需 要提供一具有加熱機構的沖頭5 7。 現在要描述使用於本發明中的實例的粒狀的磁體M-的結構其係隨著爲此的一製造方法的一特定例子， 請參考第8圖。 參考第8圖，一濺鍍裝置7 1具有一目標樣品平台 (t a r g e t s a m ρ 1 e t a b 1 e ρ 1 a t f ο 1· m) 7 7 和板子（b ο 1· a d ) 7 9 於一 真空腔內部其係可藉由一真空幫浦7 3而把裏面的空氣 排出去。目標樣品平台7 7是被連接至一來自外界的 RF電源供應8 1。在目標樣品平台77上的是一目標83 和晶片8 5被放置於其上。在目標樣品平台7 7和板子 7 9之間放置有一開閉器87以便覆蓋板子79。記號89 代表的是一氣體供應單元其係用於供應氣體至該腔的 內部。 接下來要描述一製造例子。 (樣品1 ) 501149 五、發明説明（η ) 使用如第8圖中所圖示的裝置，一粒狀的磁薄膜藉由 濺鍍而被製造於玻璃板子7 9上以第1表下所提的狀況 中。藉此所獲得的濺鍍膜在3 0 0 °C持續2小時於真空 磁場中受到一熱處理以產生樣品1。 當樣品1受到螢光鏡X光分析時，則該膜的混合物被 發現爲F e 7 2 A1】】7。在樣品1中的膜厚度爲2 · 0 μ m 5 該 DC 電阻爲 5 3 0 μ Ω .cm，Hk 爲 1 8〇e( 1 422A/m),Ms 爲 .16800 Gauss(1.68T)，以及相關的頻寬bwi·爲148%。該相 關的頻寬bwi:是藉由擷取一在兩頻率之間的頻率頻寬 而獲得，其中在該兩頻率上，該从〃的値是μ "max的50% 和使該頻率頻寬常態化於其上的中央頻率上。介於樣 品1的飽和磁化和一金屬體（只由Μ成份所組成）的 飽和磁化之間的比例的値爲7 2.2 %。 第1表 在沈積之前的真空程度 <lxlO"6T〇rr(=l .33χ 1 0'4Pa) 一旦沈積之後的環境 Ar 電源供應 RF 目標 F e (直徑0 = 1 〇 〇腿） A 12 0 3 + 晶片（1 2 0 片） (晶片尺寸5 _ χ 5 _ χ 2 mm t) 爲了證實該樣品的磁損特徵，已檢查該μ - f特徵。藉 由把該樣品插入一檢查線圈（其外形爲一帶狀外形）來 測量該- f特徵，以及測量阻抗而施加一偏壓磁場。因 此，可獲得該磁損因數//〃的頻率特徵 (比較樣品1) -1 6- 501149

五、發明説明（15 ) 除了有A 12 0 3晶片的號碼爲9 0之外5藉由樣品1相 同的方法和相同的情形下，來獲得比較樣品1。 當所獲得的比較樣品1受到螢光鏡X光分析，可發現 該膜的混合物爲F e 8 6 A 16 Ο 8。該膜的厚度爲1 . 2 // m，在 比較樣品1中的DC電阻爲74 # Ω · cm，該非等方性的 磁場爲 220e( 1 7 3 8 A/m)，以及 Ms 爲 1 8800 Gauss (1 . 8 8T)。在比較樣品1的飽和磁化和一金屬磁體（只由 Μ成份所組成）的飽和磁化之間的比例，也就是說， {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 的値爲 85.7% 參考第9圖，在本發明的用於樣品1的μ 〃-f特徵中， 該高峰（peak)非常高，而且該散播很陡峭，使用高達在 700MHZ附近的共振頻率。 參考第1 0圖，在該//〃 - f特徵中，比較樣品1顯示出 一大的/z 〃，其反應的事實爲該飽和磁化Ms是大的。然 而，因爲該樣品的電阻値是小的，所以游渦電流Ϊ頁失會 隨著頻率上升而產生。因此，明顯的是從該低頻區域 中該導磁率（磁損特徵）已產生惡化而且在高頻上的導 磁率特徵已變差。 從這些結果可以得知，本發明在樣品1中的磁體顯示 出在高頻區域中非常高的磁損特徵。 接下來要來描述試驗，其係被完成以證實藉由使用本 發明的實例所獲得的該等樣品是有雜訊抑制效果。 藉由使用在第1 1圖中所圖示的測量系統以證實雜訊 抑制效果，而且藉由使用一高頻電流抑制體其係包括有 -17- 501149 五、發明説明（】6 ) 樣品1的粒狀的磁薄膜，該樣品1具有如第4圖和第5 圖所圖示的導磁率特徵其係形成在一邊上的方塊2 0 mm (具有一膜厚度爲2.0# m)其係直接地被放置在一具有 一線長度爲7 5腦和特徵阻抗爲5 〇 ω的微帶線上，而在 兩埠之間的傳輸特徵藉由一網路分析器（HP 87 5 3D)而被 決定。 在第2表中，用於粒狀的磁薄膜樣品1的高頻電流抑 制體片的導磁率特徵是與用於該相同的區域（由平坦 Sen dust粉末和一聚合體（被使用爲一比較樣品）的該特 徵一起被給定。 第2表 導磁率特徵 粒狀的磁薄膜 混合物磁片 β V7 0 0MHZ 大約1 8 0 0 大約3 . 0 B w r 148 196 粒狀的磁薄膜樣品1的μ 〃會顯示出一大小爲μ 〃max = 大約1 800於700MHZ附近的次微波帶（sub-microwave band)中的散播。此爲6 00倍的大於可顯示出在相同的 帶中的μ 〃散播的該比較樣品的μ 〃。此外，相關的帶寬 與該比較樣品比較起來是小的，其中可看到的是此爲一 窄帶。當高頻電流藉由採用一磁損材料於一雜訊傳輸 通道附近且給予一相等的電阻構件至該傳輸通道而被 抑制時，則可以相信的是抑制效果的水準會大約地成比 例於μ 〃的尺寸和該磁體（//〃· δ)的厚度，因此，當比較抑 制效果時，則一混合物磁體片（其中δ= 1 . 〇画]在/Ζ "与3 -18- 501149 五、發明説明（1 7 ) 時，如此以致於μ 〃的値會在相同的次序上）已被使用爲 該比較例子。 更特別的是，如第1 1圖所圖示的，該高頻電流抑制體 片被直接地安置於一微帶線95的導體上如由虛線97所指 出的，而且在傳輸特徵S2!中的變化已被決定。在第1 1 圖中，該數字99代表一同軸線。 在第1 2 A和1 2B圖中，當分別地採用粒狀的磁薄膜 樣品1和該混合物磁體片的高頻電流抑制體片時，則 可圖示出S 2!特徵。藉由粒狀的磁薄膜樣品1的安 置，S2i特徵在100MHZ和100MHZ以上會減少，然後在 顯示出靠近2GHZ的極度地小的- l〇dB的値之後會增 加。另一方面，在混合物磁體片的情形下，S21特徵簡單 地減少自幾百個MHZ，其顯示出在3GHZ上的大約-1 〇dB 。這些結果指出S 2 !傳輸特徵是依該磁體的#〃散播而 定而且指出該抑制效果的水準是依該μ 〃· δ產品而定。 因此，假定該磁體是一尺寸λ分配常數線，例如而第1 3 圖所圖示的，而且，在發現每一個單位長度（△ λ )(從傳 輸特徵Sm和Su中）的相等的電路常數之後，要計算該 相等的電路常數以被轉成該樣品尺寸（λ )。如本硏究 中，當一磁體是被放置於一微帶線上。由於相等的電阻 構件是以串聯形式而加入，所以在傳輸特徵中的改變是 主要的，該相當的電阻R是被發現，以及其上的頻率從 屬（frequency d e p e n d e n c y)是被檢查 〇 參考第14A和14B圖，在本發明中和在混合物磁體片

一 I VJ 501149 五、發明説明（) (其是比較樣品）中的相等的電阻中的頻率的改變中，在 此兩種情形下，該相等的電阻R只簡單地增加於次微波 頻帶中，其係在3 G Η Z下變成幾十歐姆。該相等的電阻 R的頻率從屬明顯地具有一與#〃（其係在1 H G ζ的附近 中變成極端地大）的頻率散播的頻率從屬的不同的趨勢， 在此兩種情形下，但是它被認爲是反應該事貫的結果， 該事實爲，除了前述的#〃 · 5產品之外，樣品尺寸和波 長的比例會簡單地增加。 在本發明的實例中，所指出的製造例子是根據濺鍍或 真空氣相沈積程序，但製造方法也可使用離子束氣相沈 積或氣體沈積，而且只要本發明的磁損材料能被均勻地 實行，則方法並不受到限制。 此外，在本發明的實例中，具有一沈積膜，但是在藉由 在一真空磁場中實施一熱處理之後，該性能和特徵可被 改變。 根據先前所描述的，明顯的是本發明的樣品（其會顯 示出在次微波頻帶中的μ 〃散播）會顯示出一高頻電流 抑制效果，其係相等於一具有一厚度的混合物磁體片， 該厚度是大約5 00倍大且此材料被使用以減少ΕΜΙ,該 ΕΜΙ係在包括有半導體積體裝置或類同物之間（其係在 高速頻率下接近1HGZ運做而操作且電子搆件容易相 5受到千擾的影響以及使用高頻的電子構件和電路裝 置以及類同物）。 在先:前所描述的該粒狀的磁膜只有關於Fei, A] 3 0y， —· -20- 501149 五、發明説明（！ 9 ) 但是明顯的是本發明的粒狀的磁薄膜可以引出相同的 效果，反之，即使具有一般公式Mu的磁體的成份爲 Μ 是 Ni，Fe 或 Co,X 成份是 C,B，Si，Al，Mg，Ti，Zn，Hf，Sr， Nb，Ta，或一罕有的成份或，可選擇地，前述之混合物，以 及Y成份是F，N，或0,或選擇地，前述之混合物。 前述中所描述的使用於實例中的膜形成方法是濺鍍， 但是其它方法，例如氣相沈積或類同物也可以被採用。 此外，製造方法，例如離子束沈積或氣體沈積也可被使 用。只要能均勻地實現本發明的粒狀的磁薄膜，則本發 明並不對方法設限制。 此外，在本發明的實例中，所描述的高頻電流抑制體 包括有合成樹脂基板或一黏著層或壓力敏感黏著層（其 係包括一合成樹脂），但是其可允許直接地形成該粒狀 的磁膜於使用的地點上，而且形成一保護層或類同物於 使用的地點上，而且本發明並不受限於方法或所附加 的。 根據本發明，如先前所描述的，能提供一具有一磁薄 β旲的闻頻電流抑制體，s亥丨尬薄il吳會威不出優異的高頻磁 損特徵其係極度地有效於消除由電磁雜訊或亂真電磁 幅射（其係來自使用電子構件且/或高頻的電路板）所造 成的干擾。 付7i虎說明 2…基板 5 ...合成樹脂塗層 -21- 501149 五、發明説明（20 ) 15.. .高頻電流抑制體 17…基板 19.. .磁薄膜 2 3 ...壓力敏感黏著層 2 5 移除片/剝除片表面保護層 2 7 ...咼頻電流抑制體 2 9 ...基板 31…構件 3 3 ...高頻電流抑制體 3 5…合成樹脂片 3 7…基板/樹脂層 3 9 ...黏著層 4 ]...黏著層 43…剝除片/樹脂層 45…彔y P余片/樹脂層 47…高頻電流抑制主體 49…構件 5 1…構件 5 3 ...商頻電流抑制體 5 5…剝除基板 5 7···膜 5 9 ...黏著層 6 1 ...剝除片 65…沖頭 -22- 501149 五、發明説明（21 ) 6 7 ...基板 6 9...高頻電流抑制體膜 7 1…濺鍍裝置 73…真空腔 75…真空幫浦 77…樣品平台

7 9…板子 8 1 ...電源供應 83 .··目標 8 5…晶片 87...開閉器 8 9 ...氣體供應單元 95…微帶線 99…同軸線

-23-

Claims (1)

1. 501149

   、申請專利範圍 第90 1 09 1 42號「利用磁損材料顯示優異的複合導磁率特徵 之高頻電流抑制體」專利案 (91年7月10日修正） 六申請專利範圍： 1 . 一種高頻電流抑制體，其係具有一片形而且包括有一 黏著層或壓力敏感黏著層於一磁薄膜的至少一表面上 2 ·如申請專利範圍第1項之高頻電流抑制體，其中該磁薄 膜是被設置於一膜或是由一合成樹脂所組成的片形基 板的一表面上。 3 .如申請專利範圍第2項之高頻電流抑制體，其中該黏著 層或壓力敏感黏著層是被設置於具有該基板插入於其 中的該磁薄膜的一表面上。 4 .如申請專利範圍第1項之高頻電流抑制體，其中該薄膜 胃®設置於一膜或片形基板的一表面上如此以致於該 磁膜能從該基板而被剝除。 5 .如申請專利範圍第1項之高頻電流抑制體，其中該磁薄 膜貫質地由一具有一 Μ - X - γ成份的磁損材料所組成，其 中Μ是至少Fe，Co,以及Ni之一，Υ是至少F，N，以及〇 之一 ’以及X是除了 Μ或Y之外的至少一元素，而且該 磁丨貝材料是一窄頻的磁材料損如此以致於損失因數 #的最大値會存在於1〇〇ΜΗΖ至l〇GHZ的頻率 簞E圍中，該損失因數μ，，在該磁損材料的複合導磁率中 501149 六、申請專利範圍 是一想像的部份，而且以致於一相關的頻寬bwr不是大 於200%其中該相關的頻寬bwr是藉由擷取一在兩頻率 之間的頻率頻寬而獲得，其中在該兩頻率上，”的値 是最大値是50%和使該頻率頻寬常態化於其上 的中央頻率上。 6 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料具有一 〇 . 3 /z m至20 /z m範圍的厚度。 7 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料的飽和磁化的大小是在祇由Μ成份所組成的金屬 磁體的飽和磁化的80%至60%的範圍內。 8 .如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料顯示出一在一 1 0 0 /ζ Ω · cm至7 0 0 μ Ω · cm範圍中 的DC電氣電阻。 9 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中在該磁 損材料中的 X成份是由至少 C，B，Si，Al，Mg，Ti， Zn , H f，S r，Nb，Ta，以及稀有的地球元素之一所組成。 1 0 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中在該磁 損材料中的M成份存在於一粒狀的形式中，該形式以該 X - Y混合物會被驅散於該X - Y混合物的母體中。 1 1 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中具有該 粒狀的形式的粒子Μ成份的中間的粒子直徑是在1 nm 至40nm的範圍內。 1 2 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 501149 六、申請專利範圍 材料顯不出6000e(4.74Xl04A/m)或更少的一非等方 性的磁場Hk。 1 3 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料具有一混合物其係藉由一般的公式Fe«-Ab-〇Y 來代表。 1 4 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料具有一混合物其係藉由一般的公式Fea_Sh-〇Y 來代表。 1 5 ·如申請專利範圍第5項之高頻電流抑制體，其中該磁損 材料是一薄膜磁體，其係藉由一濺鍍或氣相沈積方法 而被製造。 1 6 .如申請專利範圍第丨項之高頻電流抑制體，其中該磁薄 膜貫質地由一具有一 Μ - X - Y成份的磁損材料所組成，其 中Μ是至少Fe，Co,以及Ni之一，Υ是至少F，N，以及0 之一，以及X是除了 Μ或Y之外的至少一元素，而且該 磁損材料是一寬頻的磁損材料如此以致於損失因數 的最大値// n max會存在於100ΜΗΖ至10GHZ的頻率 範圍中，該損失因數μ ”在該磁損材料的複合導磁率中 是一想像的部份，而且以致於一相關的頻寬b w r是小於 20%其中該相關的頻寬bwr是藉由擷取一在兩頻率之間 的頻率頻寬而獲得，其中在該兩頻率上，”的値是 最大値” max是5 0%和使該頻率頻寬常態化於其上的 中央頻率上。 501149 六、申請專利範圍 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之高頻電流抑制體，其中該磁 損材料具有一飽和磁化的大小其係在只由Μ成份所組 成的金屬磁體的飽和磁化的60%至35%的範圍內。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之高頻電流抑制體，其中該磁 損材料顯示出一大於500 μ Ω · cm的DC電氣電阻値。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之高頻電流抑制體，其中高頻 電流抑制體是被設置成與一電子電路做緊密接觸，或 接近於一電子電路。 20 · —種高頻電流抑制體的形成方法，其中形成於一可剝 除的片形基板的一表面上的一磁薄膜是被放置於一物 體上，而且，藉由施加一從該基板邊的壓力，有壓力被 施加的該磁薄膜的部份是被轉移至該物體上。