JP2002158486A - 電磁波吸収膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は，電気比抵抗，飽和磁化と異方性磁界
が共に大きく，且つＧＨｚ帯域で大きな電磁波の吸収特
性を有するナノグラニュラー軟磁性膜からなる電磁波吸
収膜を提供することにある． 【解決手段】本発明は，一般式Ｍ_{１００−Ｘ}Ｉ_Ｘで表さ
れ，ＭはＦｅ，Ｃｏ及びＮｉのいずれか１種または２種
以上の元素からなる１０ｎｍ以下の粒径を有する強磁性
微粒子が高密度に分布してなり，ＩはＭからなる強磁性
微粒子を囲む酸化物，窒化物又はフッ化物等の絶縁物か
らなる粒界物質であり，当該Ｉの原子比Ｘが１０＜Ｘ＜
５０であり，６ｋＧ以上の飽和磁化，３０Ｏｅ以上の異
方性磁界及び１５０μΩｃｍ以上の電気比抵抗を有し，
且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが３０
以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特
徴とする電磁波吸収膜である．

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は１ＧＨｚ以上の高周波帯
域で大きな電磁波吸収効果を示す電磁波吸収膜に関する
ものである．

【０００２】

【従来の技術】近年の高度情報化社会における機器は，
小型化とともに動作周波数の高周波化が加速度的に進ん
でいる．代表的なものがパーソナル・コンピューターで
あり，その中央演算処理装置の動作周波数は１ＧＨｚを
越えつつある．その他，通信機器では，携帯電話（０．
９，１．５，１．９ＧＨｚ），衛星放送（１１．７〜１
２．０ＧＨｚ），無線ＬＡＮ（２．４５，５．０，１
９．０ＧＨｚ）などが実施，もしくは検討されている．
さらに，高度道路交通システム（ＩＴＳ）におけるノン
ストップ自動料金収受システム（ＥＴＣ）（５．８ＧＨ
ｚ），追突防止レーダー（７．６ＧＨｚ）等が用いられ
るようになっており，今後ますますＧＨｚ帯域での高
速，高集積な半導体集積素子の利用は増加することが予
想される．これらの半導体素子や電子回路において，最
近，不要輻射などのＥＭＩ（電磁波障害）が盛んに指摘
されて，大きな問題になっており，かつ機器の小型化や
高性能化を阻害する重大な技術的要因となっている．そ
の総合的な対策としてＥＭＣ（環境電磁工学）が重視さ
れ，この分野の研究が盛んになり始めている．

【０００３】機器の駆動周波数が数ｋＨｚ〜数ＭＨｚの
電磁遮蔽は装置毎に軟磁性材料で覆い，遮蔽すれば良か
ったが，それが数１０〜数１００ＭＨｚになると回路ブ
ロック毎にシールドする必要がある．そして，さらに高
いＧＨｚ以上の電子機器では，電磁波の波長が個々のデ
バイスや配線のスケールとほぼ同程度になるため，従来
のＥＭＣのやり方や材料では対応ができなくなってきて
いる．高周波帯域での微細な部分からノイズ電波を遮蔽
するためには，新しい方法（マイクロＥＭＣ）や，その
ための材料が必要である．

【０００４】最近，高周波帯における電磁波の吸収体と
して，磁性体の磁気損失を利用する方法が注目されてい
る．磁性体の磁気損失を利用した不要輻射減衰の作用機
構は，ノイズ源と磁気損失材料との位置関係などにより
異なってくるが，磁性体がノイズ伝送路の直近にあるよ
うな場合には，伝送路に等価的な抵抗成分が付与される
ことによって，高周波電流が抑制されることが分ってい
る．ここで等価的な抵抗成分の大きさは，磁気損失項も
しくは複素透磁率の虚数部（μ”）の大きさに依存し，
磁性体の面積が一定の場合にはμ”の大きさにほぼ比例
する．しかし，従来の材料はいずれもＧＨｚ以上での透
磁率の虚数部は１０前後もしくはそれ以下と小さいた
め，十分な遮蔽効果を得るためには遮蔽材の厚さを１ｍ
ｍ以上にする必要があった．

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような厚い材料
は，微細加工が難しく，かつ遮蔽部から放熱が困難であ
り，遮蔽材の自己発熱をも伴うため，マイクロＥＭＣの
領域に適用することは極めて困難である．そのため，マ
イクロＥＭＣ用として所望のノイズ減衰を得るために
は，極めて薄い磁性体で，相当に大きなμ”を有する膜
が必要となる．また素子の作製工程中に，同時に遮蔽膜
を作製できることが望まれる．

【０００６】本発明は上記の点を鑑みてなされたもの
で，１ＧＨｚ以上の高周波帯域で透磁率の虚数部が大き
な値を示すナノグラニュラー軟磁性膜からなる電磁波吸
収膜を提供することを目的とする．

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の事情
を鑑みて鋭意努力した結果，粒界に少量のセラミックス
を含むナノグラニュラー軟磁性膜において，厚さがμｍ
サイズでも十分な電磁波吸収効果を，広いマイクロ波
（ＧＨｚ）帯域で示す膜が得られることを見い出し，本
発明に至ったものである．

【０００８】本発明の特徴とするところは次の通りであ
る．第１の発明は，一般式Ｍ_{１００−Ｘ}Ｉ_Ｘで表され，
ＭはＦｅ，Ｃｏ，及びＮｉのいずれか１種又は２種以上
の元素からなる１０ｎｍ以下の粒径を有する強磁性微粒
子で，高密度に分布してなり，ＩはＭからなる強磁性微
粒子を囲む酸化物，窒化物又はフッ化物のいずれか１種
又は２種以上の絶縁物からなる粒界物質であり，当該Ｉ
の原子比Ｘが１０＜Ｘ＜５０で，飽和磁化６ｋＧ以上，
異方性磁界３０Ｏｅ以上及び電気比抵抗１５０μΩｃｍ
以上を有し，且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の
大きさが３０以上であるナノグラニュラー軟磁性膜から
なることを特徴とする電磁波吸収膜に関する．

【０００９】第２の発明は，Ｉの原子比Ｘが，２０＜Ｘ
＜４０であり，且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部
の大きさが５０以上であるナノグラニュラー軟磁性膜か
らなることを特徴とする第１発明の電磁波吸収膜に関す
る．

【００１０】第３の発明は，Ｉが，Ａｌ−Ｎ，Ａｌ−
Ｏ，Ｚｒ−Ｏ，Ｈｆ−Ｏ，ＲＥ−Ｏ（ＲＥ：希土類元
素），Ｍｇ−Ｆ及びＣａ−Ｆのいずれか一種叉は２種以
上の絶縁物質で，且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数
部の大きさが８０以上であるナノグラニュラー軟磁性膜
からなることを特徴とする第１又は２発明の電磁波吸収
膜に関する．

【００１１】第４の発明は，飽和磁化８ｋＧ以上，異方
性磁界７０Ｏｅ以上及び電気比抵抗５００μΩｃｍ以上
の値を有し，且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の
大きさが１００以上であるナノグラニュラー軟磁性膜か
らなることを特徴とする第１ないし３発明の電磁波吸収
膜に関する．

【００１２】第５の発明は，異方性磁界が３０Ｏｅ以上
になるように，１００℃以上４００℃以下の温度範囲に
おいて，静磁界又は回転磁界中で熱処理されたナノグラ
ニュラー軟磁性膜からなることを特徴とする第１ないし
４発明の電磁波吸収膜に関する．

【００１３】第６の発明は，スパッタ蒸着法等の物理的
成膜法又は化学的成膜法により，作製したナノグラニュ
ラー軟磁性膜からなることを特徴とする第１ないし５発
明の電磁波吸収膜に関する．

【００１４】第７の発明は，Ｍが，Ｐｄ及びＰｔの１種
叉は２種合計の組成比で３５％以下を含み，且つＧＨｚ
帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが８０以上である
ナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特徴とする請
求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波吸収膜に
関する．

【００１５】第８の発明は，請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載のナノグラニュラー軟磁性膜と絶縁物，非
磁性物質又は強磁性物質からなる薄膜とを交互に積層さ
せた多層膜において，ＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数
部の大きさが８０以上であることを特徴とする電磁波吸
収膜に関する．

【００１６】第９の発明は，全膜厚が，０．１μｍ以上
５μｍ以下であるナノグラニュラー軟磁性膜からなるこ
とを特徴とする第１ないし８発明の電磁波吸収膜に関す
る．

【００１７】

【作用】

【００１８】特定の周波数帯域で大きな電磁波吸収効果
を示す物質を得るためには，その周波数帯域で透磁率の
虚数部（μ”）が大きな値を示す材料が必要である（吉
田等，マグネティックス研究会資料，００−１−７，Ｍ
Ｓ−６−７）．すなわち，ＧＨｚ帯域で優れた電磁波吸
収特性を持つ磁性材料を得るためには，ＧＨｚ帯域で大
きなμ”を示す材料が必要となり，その材料には大きな
飽和磁束密度（Ｂｓ），異方性磁界（Ｈｋ）及び電気比
抵抗（ρ）を併せ持つことが求められる（細野等，日本
応用磁気学会誌，１２，（１９８８）２９５）．一般式
Ｍ_{１００−Ｘ}Ｉ_Ｘで表される本発明のナノグラニュラー
軟磁性膜（Ｍ：強磁性金属，Ｉ：絶縁物からなる粒界物
質）は６ｋＧ以上の大きなＢｓ，３０Ｏｅ以上のＨｋ及
び１５０μΩｃｍ以上のρを有するため，目的とするＧ
Ｈｚ帯域で優れた電磁波吸収特性を示す．但し，Ｘが５
０％以上になると，超常磁性膜になるため，大きなμ”
は得られない．また１０％未満では，膜のρが極端に小
さくなるとともに，垂直磁化膜になってしまうため，
μ”は３０以下と小さくなるので好ましくない．

【００１９】粒界を形成するＩは，必ずしも酸化物ばか
りでなく，生成熱が大きい物質であれば，窒化物でも，
フッ化物でも構わない．ナノグラニュラー磁性膜の粒径
が１０ｎｍ以上になると，膜は大きな保磁力（Ｈｃ）と
ともに垂直磁化膜になるので，大きなμ”は実現しな
い．

【００２０】ナノグラニュラー軟磁性膜のＢｓ＜６ｋＧ
でＨｋ＜３０Ｏｅの場合は共鳴周波数が５００ＭＨｚ以
下となるので，たとえρが大きくても，μ”のピークは
１ＧＨｚに達しない．また，ＢｓやＨｋが大きくても，
ρ＜１５０μΩｃｍの場合はうず電流損失が大きくなる
ため，μ”のピークは小さくなる．

【００２１】一方，得られる膜を１００℃以上の静磁界
もしくは回転磁界中で熱処理すると，ほぼ任意の大きさ
に異方性磁界の大きさを制御することが出来，かつ膜中
の歪みを取り除くことができるため，優れた高周波μ”
特性を示す膜を得ることができる．しかし，熱処理温度
が４００℃以上になると粒界拡散が起こり，グラニュラ
ー構造が破壊されてしまい，諸特性は劣化し始める．

【００２２】ナノグラニュラー軟磁性膜は，通常スパッ
タ蒸着法などの物理的成膜法で作製される．しかし組成
的にはかなり限定されるが，メッキ法などの化学的成膜
法でも作製できる．ナノグラニュラー軟磁性膜を，絶縁
物などの異種物質からなる薄膜と交互に積層した多層膜
では，磁性層間の静磁結合により軟磁性化が促進し，磁
性膜の組成の選択の範囲が拡がる．またうず電流損失も
更に小さくなるため，大きなμ”を示す範囲がさらに高
周波帯域まで伸びる．

【００２３】ナノグラニュラー軟磁性膜の強磁性金属
（Ｍ）に組成比で３５％以下のＰｄやＰｔを添加する
と，軟磁性を示す組成範囲は拡大するとともに，透磁率
の周波数特性を制御する異方性磁界が大きくなり，動作
周波数の高周波化に寄与する．

【００２４】膜厚が０．１μｍ以下になると，吸収効果
が極端に小さくなり，遮蔽効果が期待出来なくなる．一
方，５μｍ以上になると，理論上の共鳴周波数がＧＨｚ
を越えていても，うず電流損失が大きいために，μ”の
最大値を示す周波数はＧＨｚ以下になるので，好ましく
ない．また，膜厚が５μｍ以上の膜を得るためには，成
膜にかなりの時間を要し，経済的に不利であると共に，
成膜中に膜表面が発熱し，改質してしまう懸念がある．

【００２５】

【実施例】（実施例−１）ＲＦマグネトロンスパッタ装
置を用いて，Ｃｏ_８２Ｚｒ_１８（原子％）ターゲットを
（Ａｒ＋Ｏ_２）混合ガス雰囲気中での反応スパッタ法に
より以下に示す条件でＣｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）
_４１薄膜を作製した．

【００２６】 スパッタガス圧 ５ｘ１０^−３Ｔｏｒｒ 投入電力 ２００Ｗ 基板温度 ２５℃ 基板 Ｃｏｒｎｉｎｇ＃７０５９（厚さ０．５ｍｍ） 膜厚 １．０〜２．０μｍ 酸素流量比 ０．０〜１．０％ 印加磁界 １００Ｏｅ（一対の永久磁石）

【００２７】得られる試料の直流磁気特性を試料振動型
磁力計により測定した．結果の一 は垂直（⊥）に励磁して測定した結果である。高周波磁
気特性に大きな影響を及ぼす垂直方向の保磁力は数Ｏｅ
と小さい．試料は，成膜時の印加磁界方向が容易磁化方
向となるＨｋを有しており，その大きさは約１６０Ｏｅ
である．また，Ｂｓは９ｋＧを越えていることから，理
論上の膜の自然共鳴周波数（ｆｒ）は３ＧＨｚ以上にな
る．さらに膜のρが１，０００μΩｃｍを越えているこ
とから，膜厚に起因する渦電流損失はほとんど無視でき
る．以上のことから，本発明膜は高周波軟磁性材料とし
て優れた特性を示すことが期待される．

【００２８】図２には３ＧＨｚまで求めた前記の本発明
膜の透磁率の周波数依存性を示す．透磁率の実数部
（μ’）は１ＧＨｚ付近までほぼフラットであり，それ
以上では徐々に増加し，測定限界の３ＧＨｚでもまだ共
鳴点特有の急峻な落ち込みは観察されない．μ”はμ’
と同様に周波数とともに増加し，３ＧＨｚになってもま
だｆｒ付近でのμ”の鋭いピークが観察されないことか
ら，ｆｒは３ＧＨｚ以上であることが分かる．吉田等
（前述）によれば電磁波の吸収特性は磁性体の膜厚と
μ”との積と一致する．このことから，３ＧＨｚ以上の
周波数帯域にｆｒを持ち，かつそのときのμ”が１００
以上の大きな値を示す本発明膜はＧＨｚ帯域での優れた
電磁波吸収体であることが分かる．

【００２９】得られたＣｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）
_４１膜の伝送特性を線路長７５ｍｍ，特性インピーダン
ス５０Ωのマイクロストリップ線路上に磁性体を配置し
て評価した（図３）．伝送特性Ｓ２１は材料の遮蔽もし
くは吸収効果に対応する．伝送特性は周波数の増加と共
に著しく減少し，１．５ＧＨｚ付近で−３０ｄＢにな
る．その後，５ＧＨｚ付近で，共鳴によると考えられる
Ｓ２１の少しの増加が見られるが，全体的には周波数と
共に少しずつ減少する．このことから本磁性膜は図２の
透磁率の周波数依存性の結果を反映して，約１ＧＨｚ以
上の広い周波数帯域で極めて大きな電磁波吸収特性を示
す．

【００３０】（実施例−２）実施例−１と同一条件で作
製したＣｏ_５８（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）_４２膜と，Ｓｉ
Ｏ_２膜とを交互に積層し，Ｃｏ_５８（Ｚｒ_０．３Ｏ
_０．７）_４２／ＳｉＯ_２多層膜を作製した．積層回数は
４回で，それぞれの膜厚はＣｏ_５８（Ｚｒ_０．３Ｏ
_０．７）_４２膜が２５０ｎｍ，ＳｉＯ_２膜が５０ｎｍで
ある．なお，Ｃｏ_５８（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）_４２膜の
特性は，Ｂｓ＝８．４ｋＧ，Ｈｋ＝１６６Ｏｅ，ρ＝１
６３０μΩｃｍである．この多層膜の透磁率の周波数特
性を図４に示す．μ’は図２と同様に１ＧＨｚまでほぼ
フラットであり，その後増加し，測定限界の３ＧＨｚ付
近で１００を越える．多層膜化することにより各磁性層
の膜厚が薄くなるため，μ”はうず電流損失を零として
計算した結果と同じ周波数特性を示す．なお，この場合
の自然共鳴周波数（ｆｒ）の計算結果は４．２ＧＨｚで
あり，わずかではあるが，単層膜よりは周波数特性が改
善する．この結果から実測のｆｒはさらに高周波側にシ
フトしている事が推察でき，その付近の周波数帯域で大
きな吸収特性を示す．

【００３１】（実施例−３）Ｃｏ_８５Ｓｉ_１５合金ター
ゲットにＰｄチップ（５ｘ５ｍｍ）を張付けた複合ター
ゲットを用いて，実施例−１と同様の条件で成膜した．
得られた（Ｃｏ_０．８Ｐｄ_０．３）_６４（Ｓｉ_０．２Ｏ
_０．８）_３６膜の直流磁気特性を図５に示す．容易磁化
方向のＨｃはかなり大きいが，高周波特性に寄与する困
難磁化方向のＨｃは２．１Ｏｅと小さい．膜のρは１２
００μΩｃｍとかなり大きい．注目すべき結果はＨｋの
大きさと磁化曲線の形状である．この膜はＨｋ＝１９０
Ｏｅの大きなＨｋを有し，磁化曲線には異方性の分散が
ほとんど観察されない．本発明膜は実施例−１の膜以上
に大きなＨｋを有している事から，さらに高いＧＨｚ帯
域に共鳴周波数が存在する事が期待され，その付近の周
波数帯域で大きな吸収特性を示す．

【００３２】（実施例−４）前記の方法で作製した本発
明の薄膜の一部とそれらの諸特性を表１に示す．

【００３３】

【表１】

【００３４】表１に示した試料は，いずれも請求項記載
の組成範囲の膜である．表中の（）で示している数字
は，共鳴周波数が評価装置の周波数限界を越えてしまう
ために計算で求めた結果である．従来の高周波軟磁性薄
膜材料と比較して，本発明膜はＨｋとρとが著しく大き
いという，特徴を有している．その結果，いずれの膜も
共鳴周波数がＧＨｚ帯域にあり，かつ共鳴周波数での
μ”はいずれも１００を越えている．

【００３５】［比較例］比較のため，強磁性微粉末をポ
リマー中に高密度に分散させた複合磁性シート（市販の
電磁波吸収体），フレキシールド（ＴＤＫ製）を実施例
１と同様の方法で，その伝送特性を評価した（図６）．
本発明のＣｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）_４１軟磁性膜
（膜厚が約２μｍ）は１ＧＨｚ付近から大きな吸収特性
を示すのに対して，図６から明らかなように，フレキシ
ールドの吸収特性は膜厚が約４００μｍを有しているに
もかかわらず，周波数と共に少しずつ増大し，６ＧＨｚ
付近でＣｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）_４１膜の２ＧＨ
ｚ付近の結果とほぼ同レベルの約−３０ｄＢに達する．
先に述べたように，吸収特性は透磁率の虚数部と膜厚と
の積で表されるので，Ｃｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）
_４１膜の膜厚がフレキシールドの膜厚の２００分の１以
下であるにもかかわらず，フレキシールドの数倍の吸収
特性を示すことから，Ｃｏ_５９（Ｚｒ_０．３Ｏ_０．７）
_４１膜はフレキシールドの数１００倍の電磁波吸収特性
を有していることがわかる．

【００３６】

【発明の効果】本発明の電磁波吸収膜はＨｋ，Ｂｓ及び
ρが共に大きく，ＧＨｚ帯域で大きな透磁率の虚数部を
示すため，その周波数帯域で優れた電磁波吸収特性を示
すナノグラニュラー軟磁性膜からなる．また，ナノグラ
ニュラー軟磁性膜の合金組成を選択することにより，膜
のＨｋとＢｓの大きさを，かなりの広い範囲で随意に変
えることができる．このことは，膜のｆｒを随意に変え
ることが出来ることを意味し，そのために，各種の磁気
デバイスのＧＨｚ周波数帯域において優れた電磁波吸収
特性を有する薄膜を容易に提供することが可能となる．
さらに，本発明の電磁波吸収膜は薄膜であるため，放熱
が容易で，また電子デバイスの作製プロセス中に成膜が
出来るなどの特長があり，ＧＨｚ帯域における優れた電
磁波吸収膜として，その工業的意義は大きい．

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の合金薄膜の直流磁気特性を示す図であ
る．

【図２】本発明の合金薄膜の透磁率の周波数依存性を示
す特性図である．

【図３】本発明の合金薄膜の伝送特性の周波数特性を説
明するための特性図である．

【図４】本発明の合金薄膜の透磁率の周波数特性を説明
するための特性図である．

【図５】本発明の合金薄膜の直流磁気特性を説明するた
めの特性図である．

【図６】比較例として，市販フレキシートの伝送特性の
周波数依存性を示す特性図である．

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式Ｍ_{１００−Ｘ}Ｉ_Ｘで表され，ＭはＦ
   ｅ，Ｃｏ，及びＮｉのいずれか１種又は２種以上の元素
   からなる１０ｎｍ以下の粒径を有する強磁性微粒子で，
   高密度に分布してなり，ＩはＭからなる強磁性微粒子を
   囲む酸化物，窒化物又はフッ化物のいずれか１種又は２
   種以上の絶縁物からなる粒界物質であり，当該Ｉの原子
   比Ｘが１０＜Ｘ＜５０で，飽和磁化６ｋＧ以上，異方性
   磁界３０Ｏｅ以上及び電気比抵抗１５０μΩｃｍ以上を
   有し，且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさ
   が３０以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなるこ
   とを特徴とする電磁波吸収膜．
2. 【請求項２】Ｉの原子比Ｘが，２０＜Ｘ＜４０であり，
   且つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが５０
   以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特
   徴とする請求項１記載の電磁波吸収膜．
3. 【請求項３】Ｉが，Ａｌ−Ｎ，Ａｌ−Ｏ，Ｚｒ−Ｏ，Ｈ
   ｆ−Ｏ，ＲＥ−Ｏ（ＲＥ：希土類元素），Ｍｇ−Ｆ及び
   Ｃａ−Ｆのいずれか一種叉は２種以上の絶縁物質で，且
   つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが８０以
   上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特徴
   とする請求項１又は２に記載の電磁波吸収膜．
4. 【請求項４】飽和磁化８ｋＧ以上，異方性磁界７０Ｏｅ
   以上及び電気比抵抗５００μΩｃｍ以上の値を有し，且
   つＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが１００
   以上であるナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特
   徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁
   波吸収膜．
5. 【請求項５】異方性磁界が３０Ｏｅ以上になるように，
   １００℃以上４００℃以下の温度範囲において，静磁界
   又は回転磁界中で熱処理されたナノグラニュラー軟磁性
   膜からなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
   か１項に記載の電磁波吸収膜．
6. 【請求項６】スパッタ蒸着法等の物理的成膜法又は化学
   的成膜法により，作製したナノグラニュラー軟磁性膜か
   らなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１
   項に記載の電磁波吸収膜．
7. 【請求項７】Ｍが，Ｐｄ及びＰｔの１種叉は２種合計の
   組成比で３５％以下を含み，且つＧＨｚ帯域での複素透
   磁率の虚数部の大きさが８０以上であるナノグラニュラ
   ー軟磁性膜からなることを特徴とする請求項１ないし６
   のいずれか１項に記載の電磁波吸収膜．
8. 【請求項８】請求項１ないし７のいずれか１項に記載の
   ナノグラニュラー軟磁性膜と絶縁物，非磁性物質又は強
   磁性物質からなる薄膜とを交互に積層させた多層膜にお
   いて，ＧＨｚ帯域での複素透磁率の虚数部の大きさが８
   ０以上であることを特徴とする電磁波吸収膜．
9. 【請求項９】全膜厚が，０．１μｍ以上５μｍ以下であ
   るナノグラニュラー軟磁性膜からなることを特徴とする
   請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波吸収
   膜．