JPH09181476A - 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体 - Google Patents
超微結晶磁性膜からなる電波吸収体Info
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- JPH09181476A JPH09181476A JP33840495A JP33840495A JPH09181476A JP H09181476 A JPH09181476 A JP H09181476A JP 33840495 A JP33840495 A JP 33840495A JP 33840495 A JP33840495 A JP 33840495A JP H09181476 A JPH09181476 A JP H09181476A
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
- H01F1/0045—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
- H01F1/0063—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use in a non-magnetic matrix, e.g. granular solids
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波領域における電波吸収特性に優れた超
微結晶磁性膜からなる電波吸収体を提供する。 【解決手段】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを
含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であっ
て、セラミックス相がＯ，Ｎ，Ｃのうちの少なくとも１
つとこれらに対する親和性が強磁性超微結晶相を構成す
る元素Ｆｅ，Ｃｏよりも高い少なくとも２つのセラミッ
クス相構成元素Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｇｄ，Ｓ
ｍとを含んで構成されており、１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の領域内の周波数において透磁率実数成分の値０．１以
下且つ透磁率虚数成分／透磁率実数成分の値５以上且つ
電気抵抗率５００［μΩｃｍ］以上を実現できる様にし
た。セラミックス相構成元素を複数用いることで、高周
波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜か
らなる電波吸収体を比較的低い温度下で製造できる。
微結晶磁性膜からなる電波吸収体を提供する。 【解決手段】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを
含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であっ
て、セラミックス相がＯ，Ｎ，Ｃのうちの少なくとも１
つとこれらに対する親和性が強磁性超微結晶相を構成す
る元素Ｆｅ，Ｃｏよりも高い少なくとも２つのセラミッ
クス相構成元素Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｇｄ，Ｓ
ｍとを含んで構成されており、１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の領域内の周波数において透磁率実数成分の値０．１以
下且つ透磁率虚数成分／透磁率実数成分の値５以上且つ
電気抵抗率５００［μΩｃｍ］以上を実現できる様にし
た。セラミックス相構成元素を複数用いることで、高周
波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜か
らなる電波吸収体を比較的低い温度下で製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電波吸収技術に属
するものであり、特にセラミックス相と強磁性超微結晶
相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体に
関する。
するものであり、特にセラミックス相と強磁性超微結晶
相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】高度情
報化社会の進展と電子技術の進歩とに伴い、電子機器の
多機能化やデジタル化が加速度的に進んでいる。これに
伴い、各種電子機器からの電磁波の漏洩による電波障害
が問題となっている。
報化社会の進展と電子技術の進歩とに伴い、電子機器の
多機能化やデジタル化が加速度的に進んでいる。これに
伴い、各種電子機器からの電磁波の漏洩による電波障害
が問題となっている。
【０００３】そこで、このような電波障害を発生させな
いため或は障害電波の侵入を防止するために、各種電子
機器などを電波吸収体により覆って電磁波を外部へと漏
洩させない様にしたり或は外部からの電波の侵入を阻止
することがなされている。
いため或は障害電波の侵入を防止するために、各種電子
機器などを電波吸収体により覆って電磁波を外部へと漏
洩させない様にしたり或は外部からの電波の侵入を阻止
することがなされている。
【０００４】従来使用されている電波吸収体としては、
ゴムや樹脂等の導電損失材料やフェライト等の磁性損失
材料が挙げられる。電子機器等で問題となる周波数帯域
は１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波帯域であり、この
帯域では主として磁性損失材料が電波吸収体として選択
される。
ゴムや樹脂等の導電損失材料やフェライト等の磁性損失
材料が挙げられる。電子機器等で問題となる周波数帯域
は１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波帯域であり、この
帯域では主として磁性損失材料が電波吸収体として選択
される。
【０００５】この電波吸収体としての磁性損失材料に
は、所望の高周波領域で、渦電流による電磁波の反射を
防止するために電気抵抗率が大きいこと、及び入射する
電磁波を効率よく吸収するために複素透磁率の実数成分
μ’が小さく且つ複素透磁率の虚数成分（遅れ成分）
μ”が大きいこと、が求められる。
は、所望の高周波領域で、渦電流による電磁波の反射を
防止するために電気抵抗率が大きいこと、及び入射する
電磁波を効率よく吸収するために複素透磁率の実数成分
μ’が小さく且つ複素透磁率の虚数成分（遅れ成分）
μ”が大きいこと、が求められる。
【０００６】しかして、磁性損失材料からなる電波吸収
体として現在用いられているフェライトは、電気抵抗率
が５００Ωｍと著しく大きいものの、図８に示されてい
る様に、例えば１ＧＨｚにおいて複素透磁率実数成分
μ’が１であり十分小さくはなく且つ複素透磁率虚数成
分μ”が３であり十分大きくはないため電磁波を良好に
吸収するためには約１４ｍｍもの厚さを必要とする。こ
のため、小型化が指向される電子機器への適用は困難で
あり、またレーダー電波やテレビジョン放送電波の反射
防止のために建築物などの大面積の表面に適用するには
量が多くなり過ぎて費用の点で実現困難である。更に、
フェライトは基本的に鉄系酸化物材料であるため比重が
５程度と大きく、重量の点でも問題が生ずる。
体として現在用いられているフェライトは、電気抵抗率
が５００Ωｍと著しく大きいものの、図８に示されてい
る様に、例えば１ＧＨｚにおいて複素透磁率実数成分
μ’が１であり十分小さくはなく且つ複素透磁率虚数成
分μ”が３であり十分大きくはないため電磁波を良好に
吸収するためには約１４ｍｍもの厚さを必要とする。こ
のため、小型化が指向される電子機器への適用は困難で
あり、またレーダー電波やテレビジョン放送電波の反射
防止のために建築物などの大面積の表面に適用するには
量が多くなり過ぎて費用の点で実現困難である。更に、
フェライトは基本的に鉄系酸化物材料であるため比重が
５程度と大きく、重量の点でも問題が生ずる。
【０００７】ところで、最近、磁気ヘッドやマイクロ磁
気デバイスの材料として、強磁性超微結晶をセラミック
ス相中に分散した形態のヘテログラニュラー構造の膜
（超微結晶磁性膜）が提案されている。
気デバイスの材料として、強磁性超微結晶をセラミック
ス相中に分散した形態のヘテログラニュラー構造の膜
（超微結晶磁性膜）が提案されている。
【０００８】超微結晶磁性膜を製造する方法としては、
鉄（Ｆｅ）やコバルト（Ｃｏ）等の強磁性元素ならびに
酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）とこれらに対し
親和性の高いセラミックス相構成元素とを同時にスパッ
タしてこれら元素を含むアモルファス膜を成膜し、次い
で該アモルファス膜を熱処理することでセラミックス相
中に強磁性超微結晶を生成させ２相構造を得ることが提
案されている。
鉄（Ｆｅ）やコバルト（Ｃｏ）等の強磁性元素ならびに
酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）とこれらに対し
親和性の高いセラミックス相構成元素とを同時にスパッ
タしてこれら元素を含むアモルファス膜を成膜し、次い
で該アモルファス膜を熱処理することでセラミックス相
中に強磁性超微結晶を生成させ２相構造を得ることが提
案されている。
【０００９】以上の様な超微結晶磁性膜によれば、強磁
性超微結晶による軟磁性とセラミックス相による高電気
抵抗率とを実現し、これによって渦電流損失を低減して
高周波領域での高透磁率を実現できる。
性超微結晶による軟磁性とセラミックス相による高電気
抵抗率とを実現し、これによって渦電流損失を低減して
高周波領域での高透磁率を実現できる。
【００１０】しかして、従来より研究及び提案されてい
る超微結晶磁性膜は、磁気ヘッドのためのものが大部分
であり、その用途におけるガラス溶着封止等の高温熱処
理に耐え得る十分な耐熱性を考慮したものであった。ま
た、従来の超微結晶磁性膜では、Ｏ、Ｎ及びＣに対し親
和性の高いセラミックス相構成元素としては１種類のも
のが用いられてるのが一般的である。
る超微結晶磁性膜は、磁気ヘッドのためのものが大部分
であり、その用途におけるガラス溶着封止等の高温熱処
理に耐え得る十分な耐熱性を考慮したものであった。ま
た、従来の超微結晶磁性膜では、Ｏ、Ｎ及びＣに対し親
和性の高いセラミックス相構成元素としては１種類のも
のが用いられてるのが一般的である。
【００１１】即ち、従来、超微結晶磁性膜を高周波領域
での電波吸収体として利用することは提案されていな
い。
での電波吸収体として利用することは提案されていな
い。
【００１２】ところで、超微結晶磁性膜を電波吸収体と
して利用する際には、該超微結晶磁性膜を例えば有機フ
ィルム上に作製することが要求されると考えられる。そ
のためには、成膜時点あるいはその後の熱処理の際の温
度が有機フィルムの耐熱温度（例えば３５０℃）以下の
低温であることが要求される。
して利用する際には、該超微結晶磁性膜を例えば有機フ
ィルム上に作製することが要求されると考えられる。そ
のためには、成膜時点あるいはその後の熱処理の際の温
度が有機フィルムの耐熱温度（例えば３５０℃）以下の
低温であることが要求される。
【００１３】本発明は、高周波領域における電波吸収特
性に優れた電波吸収体を提供することを目的とするもの
である。
性に優れた電波吸収体を提供することを目的とするもの
である。
【００１４】更に、本発明は、高周波領域における電波
吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を
提供することを目的とするものである。
吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を
提供することを目的とするものである。
【００１５】更に、本発明は、高周波領域における電波
吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を
比較的低い温度下で製造できる様にし、かくして有機フ
ィルム等の比較的耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性
膜電波吸収体の作製を可能ならしめることを目的とする
ものである。
吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を
比較的低い温度下で製造できる様にし、かくして有機フ
ィルム等の比較的耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性
膜電波吸収体の作製を可能ならしめることを目的とする
ものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、セラミックス相と強磁
性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電
波吸収体であって、前記セラミックス相が酸素、窒素及
び炭素のうちの少なくとも１つとこれらに対する親和性
が前記強磁性超微結晶相を構成する元素よりも高いセラ
ミックス相構成元素とを含んで構成されていることを特
徴とする、電波吸収体、が提供される。
如き目的を達成するものとして、セラミックス相と強磁
性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電
波吸収体であって、前記セラミックス相が酸素、窒素及
び炭素のうちの少なくとも１つとこれらに対する親和性
が前記強磁性超微結晶相を構成する元素よりも高いセラ
ミックス相構成元素とを含んで構成されていることを特
徴とする、電波吸収体、が提供される。
【００１７】また、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、セラミックス相と強磁性超微結晶
相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体で
あって、前記セラミックス相を酸素、窒素及び炭素のう
ちの少なくとも１つとこれらに対し親和性のあるセラミ
ックス相構成元素とを用いて構成することによって１０
ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率実
数成分の値０．１以下且つ電気抵抗率５００［μΩｃ
ｍ］以上を実現できる様にしてなることを特徴とする、
電波吸収体、が提供される。
達成するものとして、セラミックス相と強磁性超微結晶
相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体で
あって、前記セラミックス相を酸素、窒素及び炭素のう
ちの少なくとも１つとこれらに対し親和性のあるセラミ
ックス相構成元素とを用いて構成することによって１０
ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率実
数成分の値０．１以下且つ電気抵抗率５００［μΩｃ
ｍ］以上を実現できる様にしてなることを特徴とする、
電波吸収体、が提供される。
【００１８】本発明の一態様においては、１０ＭＨｚ〜
１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率虚数成分／
透磁率実数成分の値が５以上好ましくは１０以上更に好
ましくは５０以上となる状態を実現できる様にしてな
る。
１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率虚数成分／
透磁率実数成分の値が５以上好ましくは１０以上更に好
ましくは５０以上となる状態を実現できる様にしてな
る。
【００１９】電気抵抗率は例えば１０5 ［μΩｃｍ］以
下であり、透磁率虚数成分は例えば５以上２０００以下
である。
下であり、透磁率虚数成分は例えば５以上２０００以下
である。
【００２０】本発明の一態様においては、前記セラミッ
クス相は前記セラミックス相構成元素を複数含んで構成
されている。
クス相は前記セラミックス相構成元素を複数含んで構成
されている。
【００２１】本発明の一態様においては、前記セラミッ
クス相構成元素はホウ素、アルミニウム、シリコン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、ガドリニウムまたはサマリウ
ムである。
クス相構成元素はホウ素、アルミニウム、シリコン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、ガドリニウムまたはサマリウ
ムである。
【００２２】本発明の一態様においては、前記セラミッ
クス相はホウ素とアルミニウム、シリコン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、ガドリニウムまたはサマリウムのうち
の少なくとも１つとを含んで構成されている。
クス相はホウ素とアルミニウム、シリコン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、ガドリニウムまたはサマリウムのうち
の少なくとも１つとを含んで構成されている。
【００２３】本発明の一態様においては、前記強磁性超
微結晶相は鉄及びコバルトのうちの少なくとも１つを含
んで構成されている。
微結晶相は鉄及びコバルトのうちの少なくとも１つを含
んで構成されている。
【００２４】
【作用】セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んで
なる超微結晶磁性膜を電波吸収体として利用し、該超微
結晶磁性膜のセラミックス相を酸素、窒素及び炭素のう
ちの少なくとも１つとこれらに対し親和性のあるセラミ
ックス相構成元素とを用いて構成することによって、１
０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率
実数成分の値０．１以下で透磁率虚数成分／透磁率実数
成分の値５以上で且つ電気抵抗率５００［μΩｃｍ］以
上の電波吸収体を得ることができ、これによれば高周波
領域における優れた電波吸収特性が得られる。
なる超微結晶磁性膜を電波吸収体として利用し、該超微
結晶磁性膜のセラミックス相を酸素、窒素及び炭素のう
ちの少なくとも１つとこれらに対し親和性のあるセラミ
ックス相構成元素とを用いて構成することによって、１
０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率
実数成分の値０．１以下で透磁率虚数成分／透磁率実数
成分の値５以上で且つ電気抵抗率５００［μΩｃｍ］以
上の電波吸収体を得ることができ、これによれば高周波
領域における優れた電波吸収特性が得られる。
【００２５】特に、上記超微結晶磁性膜の製造におい
て、セラミックス相を、酸素、窒素及び炭素のうちの少
なくとも１つとこれらに対する親和性の高い少なくとも
２つのセラミックス相構成元素とから構成することで、
３５０℃以下の比較的低い温度で熱処理しても、高周波
領域における優れた電波吸収特性をもつ電波吸収体を得
ることができる。これにより、有機フィルム等の比較的
耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性膜電波吸収体の作
製が可能となる。
て、セラミックス相を、酸素、窒素及び炭素のうちの少
なくとも１つとこれらに対する親和性の高い少なくとも
２つのセラミックス相構成元素とから構成することで、
３５０℃以下の比較的低い温度で熱処理しても、高周波
領域における優れた電波吸収特性をもつ電波吸収体を得
ることができる。これにより、有機フィルム等の比較的
耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性膜電波吸収体の作
製が可能となる。
【００２６】本発明の電波吸収体によれば、高周波領域
で、電気抵抗率が大きいので渦電流による電磁波の反射
を防止でき、更に複素透磁率の実数成分μ’が小さく且
つ複素透磁率の虚数成分（遅れ成分）μ”が大きいので
入射電磁波を効率よく吸収することができ、優れた電波
吸収特性が得られる。
で、電気抵抗率が大きいので渦電流による電磁波の反射
を防止でき、更に複素透磁率の実数成分μ’が小さく且
つ複素透磁率の虚数成分（遅れ成分）μ”が大きいので
入射電磁波を効率よく吸収することができ、優れた電波
吸収特性が得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態及び実施例】以下、図面を参照しな
がら本発明の実施の形態及び実施例を説明する。
がら本発明の実施の形態及び実施例を説明する。
【００２８】尚、以下において、磁気的特性のデータに
ついてはＶＳＭ（振動試料型磁束計）により、電気抵抗
率については直流四端子法により、膜の結晶相と平均結
晶粒径についてはＣｕＫα線を用いたＸ線回折法によ
り、それぞれ測定したものである。透磁率の測定はワン
ターン・コイル法により行なった。
ついてはＶＳＭ（振動試料型磁束計）により、電気抵抗
率については直流四端子法により、膜の結晶相と平均結
晶粒径についてはＣｕＫα線を用いたＸ線回折法によ
り、それぞれ測定したものである。透磁率の測定はワン
ターン・コイル法により行なった。
【００２９】（１）基板としてスライドガラス（松浪製
＃７０５９）を用い、該基板上に、ＲＦマグネトロンス
パッタ法を用いて、次の様にして超微結晶磁性膜等の磁
性膜を製造した： 成膜装置；ＲＦマグネトロンスパッタ装置 ターゲット；９９．９９％ＦｅにＢ2 Ｏ3 チップ及びＡ
ｌ2 Ｏ3 チップを載せたもの 成膜条件； 到達圧力＜２×１０-6［Ｔｏｒｒ］ アルゴン圧力＝４［ｍＴｏｒｒ］ 成膜速度＝３０〜８０［Å／ｍｉｎ］ 熱処理条件； 到達圧力＜５×１０-6［Ｔｏｒｒ］ 処理時圧力＜１×１０-5［Ｔｏｒｒ］ 処理時間＝１［時間］ 直流磁場＝５００［Ｏｅ］。
＃７０５９）を用い、該基板上に、ＲＦマグネトロンス
パッタ法を用いて、次の様にして超微結晶磁性膜等の磁
性膜を製造した： 成膜装置；ＲＦマグネトロンスパッタ装置 ターゲット；９９．９９％ＦｅにＢ2 Ｏ3 チップ及びＡ
ｌ2 Ｏ3 チップを載せたもの 成膜条件； 到達圧力＜２×１０-6［Ｔｏｒｒ］ アルゴン圧力＝４［ｍＴｏｒｒ］ 成膜速度＝３０〜８０［Å／ｍｉｎ］ 熱処理条件； 到達圧力＜５×１０-6［Ｔｏｒｒ］ 処理時圧力＜１×１０-5［Ｔｏｒｒ］ 処理時間＝１［時間］ 直流磁場＝５００［Ｏｅ］。
【００３０】上記熱処理の際の温度（アニール温度Ｔ
ａ）を変化させた場合に得られる磁性膜の飽和磁化（４
πＭｓ）、保磁力（Ｈｃ）及び電気抵抗率（ρ）の変化
を図１に示す。また、図２には、それぞれの熱処理条件
で得られた磁性膜のＸ線回折パターンを示す。
ａ）を変化させた場合に得られる磁性膜の飽和磁化（４
πＭｓ）、保磁力（Ｈｃ）及び電気抵抗率（ρ）の変化
を図１に示す。また、図２には、それぞれの熱処理条件
で得られた磁性膜のＸ線回折パターンを示す。
【００３１】図２から、成膜直後はアモルファスである
が、アニール温度２００℃では結晶化が生じ（超微結晶
磁性膜化）、ピーク中心がα−Ｆｅの位置となっている
ことがわかる。これは、２００℃の低温から既にα−Ｆ
ｅの析出とＦｅ中のセラミックス構成元素と酸素の吐出
しが始まっているものと推察される。
が、アニール温度２００℃では結晶化が生じ（超微結晶
磁性膜化）、ピーク中心がα−Ｆｅの位置となっている
ことがわかる。これは、２００℃の低温から既にα−Ｆ
ｅの析出とＦｅ中のセラミックス構成元素と酸素の吐出
しが始まっているものと推察される。
【００３２】図１から、保磁力Ｈｃが最低となるアニー
ル温度は２５０℃であり、その際に得られる超微結晶磁
性膜の電気抵抗率ρは２１００［μΩｃｍ］で飽和磁化
４πＭｓは９．８１［ｋＧ］であった。
ル温度は２５０℃であり、その際に得られる超微結晶磁
性膜の電気抵抗率ρは２１００［μΩｃｍ］で飽和磁化
４πＭｓは９．８１［ｋＧ］であった。
【００３３】尚、得られた超微結晶磁性膜の組成は原子
比でＦｅ53−Ｂ4 −Ａｌ16−Ｏ27であった。
比でＦｅ53−Ｂ4 −Ａｌ16−Ｏ27であった。
【００３４】この超微結晶磁性膜の透磁率（Ｐｅｒｍｅ
ａｂｉｌｉｔｙ）の周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存
性を、図３に示す。図３から、９７０ＭＨｚ〜１．１Ｇ
Ｈｚの高周波領域において、透磁率実数成分μ’が０．
１以下と著しく小さく、且つ透磁率虚数成分μ”が５以
上であり、μ”／μ’が５０以上と著しく大きいことが
わかる。
ａｂｉｌｉｔｙ）の周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存
性を、図３に示す。図３から、９７０ＭＨｚ〜１．１Ｇ
Ｈｚの高周波領域において、透磁率実数成分μ’が０．
１以下と著しく小さく、且つ透磁率虚数成分μ”が５以
上であり、μ”／μ’が５０以上と著しく大きいことが
わかる。
【００３５】以上の様に、十分な低温熱処理にて、１ｍ
ｍ程度の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電
波吸収性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現す
ることができた。
ｍ程度の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電
波吸収性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現す
ることができた。
【００３６】（２）スパッタ時に、ターゲットとして９
９．９９％ＦｅにＡｌ2 Ｏ3 チップのみを載せたものを
使用する以外は上記と同様にして磁性膜を製造した。
９．９９％ＦｅにＡｌ2 Ｏ3 チップのみを載せたものを
使用する以外は上記と同様にして磁性膜を製造した。
【００３７】上記熱処理の際の温度（アニール温度Ｔ
ａ）を変化させた場合に得られる磁性膜の飽和磁化（４
πＭｓ）、保磁力（Ｈｃ）及び電気抵抗率（ρ）の変化
を図４に示す。また、図５には、それぞれの熱処理条件
で得られた磁性膜のＸ線回折パターンを示す。
ａ）を変化させた場合に得られる磁性膜の飽和磁化（４
πＭｓ）、保磁力（Ｈｃ）及び電気抵抗率（ρ）の変化
を図４に示す。また、図５には、それぞれの熱処理条件
で得られた磁性膜のＸ線回折パターンを示す。
【００３８】図５から、成膜直後から既に平均結晶粒径
約４０Åの結晶相が析出しており、この結晶相はアニー
ル温度４００℃まで殆ど同じであり結晶成長が抑制され
ていることがわかる。また、アニール温度が増加すると
ともに、ピーク中心がα−Ｆｅ（１１０）に近付いてい
くことがわかる。これは、アニール温度の増加に伴って
α−Ｆｅが析出しＦｅ中のセラミックス構成元素と酸素
が吐出されているものと推察される。
約４０Åの結晶相が析出しており、この結晶相はアニー
ル温度４００℃まで殆ど同じであり結晶成長が抑制され
ていることがわかる。また、アニール温度が増加すると
ともに、ピーク中心がα−Ｆｅ（１１０）に近付いてい
くことがわかる。これは、アニール温度の増加に伴って
α−Ｆｅが析出しＦｅ中のセラミックス構成元素と酸素
が吐出されているものと推察される。
【００３９】図４から、保磁力Ｈｃが最低となるアニー
ル温度は４００℃であるが、２５０〜３５０℃において
比較的低い保磁力が得られる。アニール温度２５０〜３
５０℃の場合に得られる超微結晶磁性膜の電気抵抗率ρ
は約２０００〜４０００［μΩｃｍ］である。
ル温度は４００℃であるが、２５０〜３５０℃において
比較的低い保磁力が得られる。アニール温度２５０〜３
５０℃の場合に得られる超微結晶磁性膜の電気抵抗率ρ
は約２０００〜４０００［μΩｃｍ］である。
【００４０】尚、得られた超微結晶磁性膜の組成は原子
比でＦｅ49−Ａｌ17−Ｏ34であった。
比でＦｅ49−Ａｌ17−Ｏ34であった。
【００４１】アニール温度は４００℃で得られる超微結
晶磁性膜の電気抵抗率ρは約１０００［μΩｃｍ］で飽
和磁化４πＭｓは８．８２［ｋＧ］であった。この超微
結晶磁性膜の透磁率（Ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の周
波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存性を、図６に示す。図
６から、９３０ＭＨｚ〜１．１ＧＨｚの高周波領域にお
いて、透磁率実数成分μ’が０．１以下と著しく小さ
く、且つ透磁率虚数成分μ”が５以上であり、μ”／
μ’が５０以上と著しく大きいことがわかる。
晶磁性膜の電気抵抗率ρは約１０００［μΩｃｍ］で飽
和磁化４πＭｓは８．８２［ｋＧ］であった。この超微
結晶磁性膜の透磁率（Ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の周
波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存性を、図６に示す。図
６から、９３０ＭＨｚ〜１．１ＧＨｚの高周波領域にお
いて、透磁率実数成分μ’が０．１以下と著しく小さ
く、且つ透磁率虚数成分μ”が５以上であり、μ”／
μ’が５０以上と著しく大きいことがわかる。
【００４２】以上の様に、低温熱処理にて、１ｍｍ程度
の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電波吸収
性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現すること
ができた。
の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電波吸収
性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現すること
ができた。
【００４３】（３）以上の実施例において、Ｂ2 Ｏ3 の
代わりにＢＮやＢ4 Ｃを用いた場合、Ａｌ2 Ｏ3 の代わ
りにＡｌの窒化物や炭化物を用いた場合、及び、Ａｌの
代わりにシリコン（Ｓｉ）やジルコニウム（Ｚｒ）やハ
フニウム（Ｈｆ）やガドリニウム（Ｇｄ）やサマリウム
（Ｓｍ）を用いた場合にも同様の結果が得られた。
代わりにＢＮやＢ4 Ｃを用いた場合、Ａｌ2 Ｏ3 の代わ
りにＡｌの窒化物や炭化物を用いた場合、及び、Ａｌの
代わりにシリコン（Ｓｉ）やジルコニウム（Ｚｒ）やハ
フニウム（Ｈｆ）やガドリニウム（Ｇｄ）やサマリウム
（Ｓｍ）を用いた場合にも同様の結果が得られた。
【００４４】（４）スパッタ時に、ターゲットとして９
９．９９％ＦｅにＧｄ2 Ｏ3 チップのみを載せたものを
使用する以外は上記と同様にして磁性膜を製造した。ア
ニール温度は３５０℃とした。
９．９９％ＦｅにＧｄ2 Ｏ3 チップのみを載せたものを
使用する以外は上記と同様にして磁性膜を製造した。ア
ニール温度は３５０℃とした。
【００４５】得られた超微結晶磁性膜の組成は原子比で
Ｆｅ70−Ｇｄ10−Ｏ20であり、電気抵抗率ρは約１００
０［μΩｃｍ］であった。
Ｆｅ70−Ｇｄ10−Ｏ20であり、電気抵抗率ρは約１００
０［μΩｃｍ］であった。
【００４６】この超微結晶磁性膜の透磁率（Ｐｅｒｍｅ
ａｂｉｌｉｔｙ）の周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存
性を、図７に示す。図７から、９００ＭＨｚ〜２．３Ｇ
Ｈｚの高周波領域において、透磁率実数成分μ’が０．
１以下と著しく小さく、且つ透磁率虚数成分μ”が５以
上であり、μ”／μ’が５０以上と著しく大きいことが
わかる。
ａｂｉｌｉｔｙ）の周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）依存
性を、図７に示す。図７から、９００ＭＨｚ〜２．３Ｇ
Ｈｚの高周波領域において、透磁率実数成分μ’が０．
１以下と著しく小さく、且つ透磁率虚数成分μ”が５以
上であり、μ”／μ’が５０以上と著しく大きいことが
わかる。
【００４７】以上の様に、十分な低温熱処理にて、１ｍ
ｍ程度の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電
波吸収性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現す
ることができた。
ｍ程度の膜厚でも高周波領域にて高電気抵抗率且つ高電
波吸収性の超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を実現す
ることができた。
【００４８】
【発明の効果】以上の様に、本発明によれば、高周波領
域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からな
る電波吸収体が提供される。
域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からな
る電波吸収体が提供される。
【００４９】更に、本発明によれば、セラミックス相
を、酸素、窒素及び炭素のうちの少なくとも１つとこれ
らに対する親和性の高い少なくとも２つのセラミックス
相構成元素とから構成することで、高周波領域における
電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収
体を比較的低い温度下で製造できる、かくして有機フィ
ルム等の比較的耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性膜
電波吸収体の作製が可能となる。
を、酸素、窒素及び炭素のうちの少なくとも１つとこれ
らに対する親和性の高い少なくとも２つのセラミックス
相構成元素とから構成することで、高周波領域における
電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収
体を比較的低い温度下で製造できる、かくして有機フィ
ルム等の比較的耐熱性の低い基材上での超微結晶磁性膜
電波吸収体の作製が可能となる。
【図１】アニール温度を変化させた場合に得られる磁性
膜の飽和磁化、保磁力及び電気抵抗率の変化を示すグラ
フである。
膜の飽和磁化、保磁力及び電気抵抗率の変化を示すグラ
フである。
【図２】磁性膜のＸ線回折パターンを示すグラフであ
る。
る。
【図３】超微結晶磁性膜の透磁率の周波数依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】アニール温度を変化させた場合に得られる磁性
膜の飽和磁化、保磁力及び電気抵抗率の変化を示すグラ
フである。
膜の飽和磁化、保磁力及び電気抵抗率の変化を示すグラ
フである。
【図５】磁性膜のＸ線回折パターンを示すグラフであ
る。
る。
【図６】超微結晶磁性膜の透磁率の周波数依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】超微結晶磁性膜の透磁率の周波数依存性を示す
グラフである。
グラフである。
【図８】フェライト膜の透磁率の周波数依存性を示すグ
ラフである。
ラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを
含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であっ
て、前記セラミックス相が酸素、窒素及び炭素のうちの
少なくとも１つとこれらに対する親和性が前記強磁性超
微結晶相を構成する元素よりも高いセラミックス相構成
元素とを含んで構成されていることを特徴とする、電波
吸収体。 - 【請求項２】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを
含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であっ
て、前記セラミックス相を酸素、窒素及び炭素のうちの
少なくとも１つとこれらに対し親和性のあるセラミック
ス相構成元素とを用いて構成することによって１０ＭＨ
ｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波数において透磁率実数成
分の値０．１以下且つ電気抵抗率５００［μΩｃｍ］以
上を実現できる様にしてなることを特徴とする、電波吸
収体。 - 【請求項３】 １０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの領域内の周波
数において透磁率虚数成分／透磁率実数成分の値が５以
上となる状態を実現できる様にしてなることを特徴とす
る、請求項２に記載の電波吸収体。 - 【請求項４】 前記セラミックス相は前記セラミックス
相構成元素を複数含んで構成されていることを特徴とす
る、請求項１〜３のいずれかに記載の電波吸収体。 - 【請求項５】 前記セラミックス相構成元素はホウ素、
アルミニウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、
ガドリニウムまたはサマリウムであることを特徴とす
る、請求項１〜４のいずれかに記載の電波吸収体。 - 【請求項６】 前記セラミックス相はホウ素とアルミニ
ウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、ガドリニ
ウムまたはサマリウムのうちの少なくとも１つとを含ん
で構成されていることを特徴とする、請求項５に記載の
電波吸収体。 - 【請求項７】 前記強磁性超微結晶相は鉄及びコバルト
のうちの少なくとも１つを含んで構成されていることを
特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の電波吸収
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33840495A JPH09181476A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33840495A JPH09181476A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181476A true JPH09181476A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18317849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33840495A Pending JPH09181476A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181476A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308574A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Tokin Corp | Ｅｓｄ抑制シート |
| JP2002158486A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 電磁波吸収膜 |
| EP1377150A1 (en) * | 2000-01-24 | 2004-01-02 | Nec Tokin Corporation | Magnetic substance with maximum complex permeability in quasi-microwave band and method for production of the same |
| WO2004015836A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | In-Hyun Cho | Power saving equipment |
| JP2006140430A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-06-01 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 伝導ノイズ抑制体および伝導ノイズ抑制体付電子部品 |
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| WO2008001897A1 (fr) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Élément de câblage à suppression de bruit et planchette de câblage imprimé |
| US7625633B2 (en) | 2003-03-25 | 2009-12-01 | Shin-Etsu Polymer., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, article with electromagnetic noise suppressing function, and their manufacturing methods |
| US7625640B2 (en) | 2004-02-24 | 2009-12-01 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, structure with electromagnetic noise suppressing function, and method of manufacturing the same |
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| JP2009295929A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁性基体及びその製造方法 |
| CN103056354A (zh) * | 2013-01-09 | 2013-04-24 | 南京邮电大学 | 一种s波段复合电磁吸波材料的制备方法 |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP33840495A patent/JPH09181476A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8017255B2 (en) | 2004-02-24 | 2011-09-13 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, structure with electromagnetic noise suppressing function, and method of manufacturing the same |
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| EP2222144A2 (en) | 2006-06-30 | 2010-08-25 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Noise suppressing structure and printed wiring board |
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