JP2001308574A

JP2001308574A - Ｅｓｄ抑制シート

Info

Publication number: JP2001308574A
Application number: JP2000124511A
Authority: JP
Inventors: Koji Kamei; 浩二亀井; Hiroshi Nakano; 浩仲野
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 2000-04-25
Filing date: 2000-04-25
Publication date: 2001-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】高速動作する半導体素子や電子回路などにお
いて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによっ
て、誤動作や素子が破壊されることを防止するととも
に、より体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ
対策ができるとともに所望する部位に容易に設けること
ができるＥＳＤ抑制シートを提供すること。【解決手段】 ESD抑制シートは、電子機器の静電気印
加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であって、
電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含むシ
ート材から実質的になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，ＥＳＤ（静電気印
加）抑制効果に優れた磁性体を含むＥＳＤ抑制シートに
関し、詳しくは，電子機器のＥＳＤによる誤動作、不要
輻射や高周波電流の抑制に有効である磁性体を備えたＥ
ＳＤ抑制シートに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。

【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。

【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。

【０００５】一方、電気機器使用者が電気機器の金属板
に近接するか又は触れたときに、使用者の体に帯びた静
電気等の金属板への放電（ＥＳＤ）によって、この金属
板を備えた電気機器に誤動作が発生しやすい環境となっ
てきている。

【０００６】図１０は従来の静電気による起こり得る電
子機器の誤動作の説明に供せられる部分断面図である。
図１０を参照すると、電子機器のシャーシとして金属板
１０１を備えた電子機器１００は、内部にＰＣＢ等によ
って形成された基板１０２が収容され、この基板１０２
には、ＬＳＩ等の能動回路素子１０３が表面実装されて
いる。ここで、矢印１０４に示すように静電気が放電等
によって印加されると、これによって矢印１０５に示す
ように、高周波電流Ｉ_ＥＳＤが金属板１０１の表面を流
れる。それによって、矢印１０６に示すような磁界Ｈが
発生する。この磁界Ｈによって破線１０７に示すよう
に、電流が誘起され、能動回路素子１０３内に電流が流
れる。この電流は、ノイズ及び能動回路素子１０３の誤
動作の原因となるばかりか、場合によっては、能動回路
素子１０３を破壊してしまう。

【０００７】また、電気機器から数ｍ離れた場所におい
ても、静電気の放電によるノイズ発生があることが知ら
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述の高速された電子
集積回路素子あるいは、配線基板においては、発生する
ノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分布定
数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数回路
を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じてい
た。

【０００９】また、電子集積回路素子の動作電圧レベル
の低下に伴い、そのノイズマージンがますます厳しくな
っている。

【００１０】図１１は図１０の能動回路素子１０３の誤
動作の説明に供せられる図であり、図１１（ａ）は従来
における内部ロジック動作電圧を概略的に示し、図１１
（ｂ）は最近の内部ロジック動作電圧を示している。

【００１１】図１１（ａ）を参照すると、従来において
は、内部ロジック電圧のＶｃｃは５Ｖで、ハイ（Ｈｉｇ
ｈ）のスレッショルド電圧は３．５Ｖ、ロー（Ｌｏｗ）
のスレッショルド電圧は１．３Ｖであり、ノイズマージ
ンは、Ｈｉｇｈ電圧レベルで１．５Ｖ程度、Ｌｏｗ電圧
レベルでは１．２Ｖであった。従って、ノイズ１１１，
１１２等が加えられても、能動回路素子の動作には影響
を与えなかった。

【００１２】図１１（ｂ）を参照すると、最近におい
て、内部ロジック電圧のＶｃｃは１．８Ｖで、ハイ（ｈ
ｉｇｈ）スレッショルド電圧は１．２Ｖ、ロー（Ｌｏ
ｗ）スレッショルド電圧は０．６Ｖ程度と次第に低レベ
ルとなる傾向にある。従って、ノイズ１１３，１１４等
が加えられると、スレッショルド電圧に達し、誤動作し
てしまうので、ノイズマージンが厳しくなってきてい
る。ちなみに、ノイズマージンは、Ｈｉｇｈ電圧レベル
で、０．６Ｖ、Ｌｏｗ電圧レベルで０．４Ｖ程度であ
る。

【００１３】そこで、本発明の技術的課題は、このよう
な高速動作する半導体素子や電子回路などにおいて、静
電気放電によるノイズ対策を施すことによって、誤動作
や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑制シートを
提供することにある。

【００１４】また、本発明の特別な技術的課題は、より
体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策がで
きるとともに所望する部位に容易に設けることができる
ＥＳＤ抑制シートを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。

【００１６】しかしながら、静電気の印加によるノイズ
障害、電磁干渉や電子機器の誤動作等を抑制する対策
（以下、これらを含めて単にＥＳＤ対策と呼ぶ）に関し
ては、全く研究がなされていなかった。

【００１７】そこで、本発明者らは、前記複合磁性体を
ＥＳＤ対策に用いることができることを見出し、さら
に、複合磁性体に限らず、軟磁性体であれば、ＥＳＤ対
策に用いることができることを見出し、本発明をなすに
至ったものである。

【００１８】即ち、本発明によれば、電子機器への静電
気印加による影響を防止するためのＥＳＤ抑制体であっ
て、電子機器の所望する部位に設けられる軟磁性体を含
むシート材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑
制シートが得られる。

【００１９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内
部のケーブルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ
抑制シートが得られる。

【００２０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記電子機器内部の能動素子を覆うよう
に設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが
得られる。

【００２１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記電子機器の開口部付近に設けられて
いることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。

【００２２】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記電子機器の筐体に設けられることを
特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。

【００２３】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記筐体のシールド面又は端部に設けら
れていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られ
る。

【００２４】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記軟
磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネタ
イトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥＳ
Ｄ抑制シートが得られるが得られる。

【００２５】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で
含有された複合磁性材から実質的になることを特徴とす
るＥＳＤ抑制シートが得られる。

【００２６】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥ
ＳＤ抑制シートが得られる。

【００２７】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ
系合金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑
制シートが得られる。

【００２８】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを
特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られる。

【００２９】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設
けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得ら
れる。

【００３０】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但
し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一
種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一
種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる
磁気損失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート
が得られる。

【００３１】また、本発明によれば、前記ＥＳＤ抑制シ
ートにおいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、或いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混
在物であることを特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られ
る。

【００３２】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合
物のマトリックス中に分散されたグラニュラー状の形態
で存在する事を特徴とするＥＳＤ抑制シートが得られ
る。

【００３３】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
に記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料
が、Ｆｅ_α−Ａｌ_β−Ｏ_γであることを特徴とするＥＳ
Ｄ抑制シートが得られる。

【００３４】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
に記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材料
が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によっ
て作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳＤ
抑制シートが得られる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００３６】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対
策が施される部位に関する説明に供せられる斜視図であ
る。図１を参照すると、ノート型パーソナルコンピュー
タ（以下、ノートＰＣと呼ぶ）１は、ＰＣ本体２と、Ｌ
ＣＤ素子３ａやＣＣＤカメラ３ｂが設けられた表示部３
とを備え、ＰＣ本体２の一端側を軸として、表示部３が
回動可能に形成されている。ＰＣ本体２の一面には、キ
ーボード４が設けられ、表示部３を下方に回転したと
き、即ち、ノートＰＣ１を閉じたときに、このキーボー
ド４はＬＣＤ素子３ａと互いに対向するように、形成さ
れている。

【００３７】ここで、本発明の実施の形態において、Ｅ
ＣＤ対策が施されるのは、次の（ｉ）〜（ｉｖ）に示さ
れた４個所である。

【００３８】(i) 記号Ａで示される部分の筐体内のフ
ラットケーブル； (ii) 記号Ｂで示される2個所の筐体のシールド面； (iii) 記号Ｃで示されるPC本体側部に設けられたコネ
クタ等の開口の周辺；及び (iv) 記号Dで示される本体内の能動回路素子、例え
ば、IC。

【００３９】（第1の実施の形態）図２は本発明の第1の
実施の形態によるＥＳＤ対策方法の説明に供せられる図
である。図２に示すように、図１の記号Ａで示される部
分は金属からなるか又は金属めっきが施された導電性の
筐体１１に近接してフレキシブルフラットケーブル又は
フレキシブル配線基板（以下、両方を纏めてＦＰＣと呼
ぶ）１３が設けられている。ここで、矢印５に示すよう
に、静電気の放電（ＥＳＤ）が起こると、矢印１４に示
すように、高周波電流（Ｉ）が筐体１１表面を流れる。
これによって、矢印１５に示されるように、磁界（Ｈ）
が誘起されることは前述した通りである。

【００４０】しかし、ＦＰＣ１３の一面に、複合磁性体
または、薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１２を設
けることによって、筐体１１に流れる高周波電流によっ
て誘起された磁界を吸収し、この磁界によって生じる２
次的な電流の発生を抑制するので、ＦＰＣ１３の信号ラ
インへのノイズの重畳を抑制することができる。

【００４１】具体的には、図１に示されたＬＣＤ部にお
いては、ＬＣＤ３ａ及びＣＣＤカメラ３ｂの画像のちら
つき、ＰＣ本体２内のＨＤＤ、ＦＤＤにおいては、書き
込み／読み取りの際のエラーを防止することができる。
また、ＦＰＣ１３が多層に構成されている場合には、基
板間の相互干渉を抑制することができる。

【００４２】（第2の実施の形態）図３は本発明の第2の
実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例の説明に供せら
れる図である。図３を参照すると、図１の記号Ｂで示さ
れる部分では、電子部品１７を覆う筐体１６の内側面に
複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳＤ抑制シート１
８を設けることによって、ＥＳＤによるＬＣＤ駆動回路
の誤動作や輻射ノイズを防ぐことができる。

【００４３】図４は本発明の第2の実施の形態によるＥ
ＳＤ対策方法の他の一例の説明に供せられる図である。
図４を参照すると、図１の記号Ｂで示されるパソコン本
体２のマザーボード２４に対向してキーボード２１の板
金（ＦＧ）部２２が形成されている。この板金部２２
は、通常はＧＮＤに接続してＦＧとしている。しかし、
設計上等の制約などによって、十分に設置できない場合
がある。その際、ＥＳＤによって、板金シールドに流れ
た矢印２５によって示される高周波電流（Ｉ）が板金端
部（電磁界は端部から再放射しやすい。）から、再び放
射ノイズとしてＰＣ内部に放射され、信号ライン等にノ
イズが重畳し、ＣＰＵ等の誤動作を引き起こす。

【００４４】従って、図４に示すように、シールド板金
２２の端部に、複合磁性体又は薄膜磁性体からなるＥＳ
Ｄ抑制シート２３を設けることによって、端部からの再
放射ノイズを抑制することができる。

【００４５】（第3の実施の形態）図５は本発明の第3の
実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図、図６
は図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面図であ
る。図５及び図６に示すように、図１の記号Ｃに示され
る位置において、コネクタ３３に接続されたケーブル３
４にＥＳＤ５が加わると、矢印３５に示されるように、
ケーブル３４を伝わって筐体に流れ、これによって生じ
る磁界によって誘起されてＩＣやＬＳＩの素子内部に電
流を誘起して、これら能動素子の誤動作や破壊を生じ、
例え、破壊されなくともノイズとして動作に悪影響をも
たらす。

【００４６】本発明の第3の実施の形態においては、筐
体の開口部付近に図５に示すように複合磁性体又は薄膜
磁性体からなるＥＳＤ抑制シート３２を設けることによ
って、ＥＳＤによって生じる電流ルートを遮断すること
によって、筐体３１に流れる電流を抑制し、上記したよ
うな能動素子の誤動作や破壊、放射ノイズを抑制するこ
とができる。

【００４７】（第４の実施の形態）図７は本発明の第4
の実施の形態によるＥＳＤ対策方法の一例を示す図であ
る。図７に示すように、図１の記号Ｄに示される位置に
おいて、ＩＣ等の能動素子３７は、高周波数領域におい
ては、高周波ノイズを放出し易く、また、外部からの不
要輻射ノイズ等によっても、誤動作し易い。特に、最近
はスレッショルド電圧のレベル低下によってますますノ
イズの影響を受け易くなっている。従って、ＩＣ等のパ
ッケージ３７の上面を覆うように、ＥＳＤ抑制シート３
８を設けることによって、ＥＳＤによる誤動作や素子の
破壊を防止できるとともに、不要輻射ノイズや放射ノイ
ズに関しても、抑制することができる。

【００４８】次に、本発明の実施の形態によるＥＳＤ抑
制シートについてさらに詳しく説明する。

【００４９】（試料１）磁性粉末として比表面積が０．
８ｍ^２／ｇの偏平状Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ粉末を作製し、下
記表１の配合からなる軟磁性体ペーストを調合して、こ
れをドクターブレード法によって成膜し、熱プレスを施
した後に、８５℃にて２４時間キュアリングを行った。

【００５０】図８は得られた試料の透磁率特性を示して
いる。この結果より、複素透磁率における虚数項である
磁気損失項μ”の分布も広い領域に渡るようになり、ノ
イズ対策用素材として好ましい複合磁性体が得られるこ
とが判る。

【００５１】

【表１】（試料２）ＥＳＤ抑制体として、グラニュラー磁性薄膜
を、下記表２に示す条件にてスパッタ法でガラス基板上
に作製した。得られたスパッタ膜を300℃にて2時間真空
磁場中熱処理を施し、試料２を得た。

【００５２】得られた試料２を蛍光Ｘ線分析分析したと
ころ膜の組成は、Fe₇₂Al₁₁O₁₇であった。

【００５３】また、試料２の膜厚は2.0μｍ、直流抵抗
率は、530μΩ・ｃｍ、Hkは18Oe（１４２２Ａ／ｍ）であ
り、Mｓは16800Gauss（１．６８Ｔ）、中心周波数で規
格化したμ”の半値幅であるμ”_５０は１４８％であっ
た。試料２の飽和磁化とＭ成分のみからなる金属磁性体
の飽和磁化の比率の値は、72.2％であった。

【００５４】

【表２】試料の磁気損失特性を検証するためにμ−ｆ特性を調べ
た。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工した検出コイル
に挿入して、バイアス磁場を印加しながらインピーダン
スを測定することにより行い、磁気損失項μ”の周波数
特性を得た。

【００５５】図９本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示
す。これをみると、そのピークは非常に大きく、また、
分散も急峻になっており、共鳴周波数も７００ＭＨｚ付
近と高くなっていることがわかる。

【００５６】以上説明した本発明の実施の形態において
は、ＥＳＤ抑制体を構成する複合磁性体として、金属磁
性体、例えば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ粉末をポリウレタン樹
脂と混合して作製した複合磁性体シートを示したが、軟
属磁性粉末であるならば、フェライト、マグネタイト、
Ｆｅ−Ｎｉ粉末も用いることができ、また、樹脂として
は、ポリウレタン以外に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエチレン樹脂等も用いることができ、成形でき
る合成樹脂であるならば、これらに限定されるものでは
ない。

【００５７】また、本発明の実施の形態においては、Ｅ
ＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性体をスパッタ法によっ
て形成した例を示したが、スパッタ法以外にも、真空蒸
着法によっても製造でき、さらには、イオンビーム蒸着
法やガス・デポジション法などの製造方法でも良く、本
発明の磁気損失材料が均一に実現できる方法であれば、
製法に限定されない。

【００５８】また、ＥＳＤ抑制シートとして、薄膜磁性
体をポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リエチレン樹脂等のシートの一面に形成したものも用い
ることができる。この場合、所望する部位に貼り付ける
には、接着剤、粘着材もしくは、粘着テープで覆うこと
によって可能で、接着方法には限定されない。

【００５９】また、本発明の実施の形態においては、製
膜後に真空磁場中での熱処理を施しているが、アズ・デ
ポジションの膜で、本発明の性能が得られる組成あるい
は製膜法であれば、実施例に記載の製膜後処理に限定さ
れない。

【００６０】以上より、準マイクロ波帯にμ”分散を示
す本発明の試料は、厚さが約５００倍の複合磁性体シー
トと同等の高周波電流抑制効果を示し、１ＧＨｚに近い
高速クロックで動作するような半導体集積素子等のＥＳ
ＤやＥＭＩ対策に用いる材料として有望であるといえ
る。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
このような高速動作する半導体素子や電子回路などにお
いて、静電気放電によるノイズ対策を施すことによっ
て、誤動作や素子が破壊されることを防止するＥＳＤ抑
制シートを提供することができる。

【００６２】また、本発明の特別な技術的課題は、より
体積の小さなＥＳＤ抑制体で、効果的なＥＳＤ対策がで
きるとともに所望する部位に容易に設けることができる
ＥＳＤ抑制シートを提供することにある。

【００６３】また、本発明によれば、半導体集積回路素
子のような高密度集積された微少な電子回路の高周波伝
導ノイズの除去に極めて有効な高周波磁気損失特性に優
れた磁気損失材料とその製造方法及びそれを用いた高周
波電流抑制体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の実施の形態によるＥＳＤ対策が
施される部位に関する説明に供せられる斜視図である。

【図２】本発明の第1の実施の形態によるＥＳＤ対策方
法の説明に供せられる図である。

【図３】図３は本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ
対策方法の一例の説明に供せられる図である。

【図４】本発明の第2の実施の形態によるＥＳＤ対策方
法の他の一例の説明に供せられる図である。

【図５】本発明の第3の実施の形態によるＥＳＤ対策方
法の一例を示す図である。

【図６】図５に示されたコネクタ部分の概略を示す平面
図である。

【図７】本発明の第４の実施の形態によるＥＳＤ対策方
法の一例を示す図である。

【図８】本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示す図であ
る。

【図９】本発明の試料２のμ”−ｆ特性を示す図であ
る。

【図１０】従来の静電気による起こり得る電子機器の誤
動作の説明に供せられる部分断面図である。

【図１１】図１０の能動回路素子１０３の誤動作の説明
に供せられる図であり、（ａ）は従来における内部ロジ
ック動作電圧を概略的に示し、（ｂ）は最近の内部ロジ
ック動作電圧を示している。

【符号の説明】

１ノート型パーソナルコンピュータ（ノートＰＣ）２ＰＣ本体３ａＬＣＤ素子３表示部４キーボード５ＥＳＤ１１筐体１２，１８，２３，３２，３８ＥＳＤ抑制シート１３ＦＰＣ１４，１５，２５矢印１６筐体１７電子部品２１キーボード２２板金（ＦＧ）部２４マザーボード３１筐体３３コネクタ３４ケーブル３７パッケージ１００電子機器１０１金属板１０２基板１０３能動回路素子１０４，１０５，１０６矢印１１１，１１２ノイズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子機器への静電気印加による影響を防
止するためのＥＳＤ抑制体であって、電子機器の所望す
る部位に設けられる軟磁性体を含むシート材から実質的
になることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項２】請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記ＥＳＤ抑制シートは前記電子機器内部のケーブ
ルに設けられていることを特徴とするＥＳＤ抑制シー
ト。
【請求項３】請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記電子機器内部の能動素子を覆うように設けられ
ていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項４】請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記電子機器の開口部付近に設けられていることを
特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項５】請求項１記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記電子機器の筐体に設けられることを特徴とする
ＥＳＤ抑制シート。
【請求項６】請求項５記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記筐体のシールド面又は端部に設けられているこ
とを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項７】請求項２乃至６の内のいずれか一つに記
載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記シート材は、前記
軟磁性体として、金属磁性体、フェライト、及びマグネ
タイトの内の少なくとも一種を含むことを特徴とするＥ
ＳＤ抑制シート。
【請求項８】請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記軟磁性体が合成樹脂中に粉末形状で含有された
複合磁性材から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑
制シート。
【請求項９】請求項８記載のＥＳＤ抑制シートにおい
て、前記軟磁性体は、扁平形状のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金粉末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シ
ート。
【請求項１０】請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにお
いて、前記軟磁性体は、扁平形状のＮｉ−Ｆｅ系合金粉
末から実質的になることを特徴とするＥＳＤ抑制シー
ト。
【請求項１１】請求項７記載のＥＳＤ抑制シートにお
いて、前記軟磁性体が薄膜磁性体であることを特徴とす
るＥＳＤ抑制シート。
【請求項１２】請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートに
おいて、前記薄膜磁性体は合成樹脂シート上に設けられ
ていることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１３】請求項１１記載のＥＳＤ抑制シートに
おいて、前記軟磁性体は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍ
は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種、Ｙ
は、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）からなる磁気損
失材料であることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１４】請求項１３記載のＥＳＤ抑制シートに
おいて、前記磁気損出材料のＸ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、或
いは希土類元素のいづれか、もしくはそれらの混在物で
あることを特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１５】請求項１３又は１４記載のＥＳＤ抑制
シートにおいて、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリッ
クス中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事
を特徴とするＥＳＤ抑制シート。
【請求項１６】請求項１３乃至１５の内のいずれか一
つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材
料が、Ｆｅ_α−Ａｌ_β−Ｏ_γであることを特徴とするＥ
ＳＤ抑制シート。
【請求項１７】請求項１３乃至１６の内のいずれか一
つに記載のＥＳＤ抑制シートにおいて、前記磁気損失材
料が、スパッタ法及び蒸着法の内の少なくとも一種によ
って作製された薄膜磁性体であることを特徴とするＥＳ
Ｄ抑制シート。