JP2001291989A - 金属筐体を備えた電子部品 - Google Patents
金属筐体を備えた電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速動作する半導体素子や電子回路などを収
容した金属筐体の不要輻射を低減した金属筐体を備えた
電子部品を提供すること。 【解決手段】 ケース１５とカバー１６とからなる金属
筐体内に電子回路又は回路素子を備えた電子部品１０に
おいて、前記金属筐体の内壁面の少なくとも一部に磁気
損失材料からなる磁性薄膜１を設けた。この磁気損失材
料は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
の内の少なくとも一種、ＸはＭおよびＹ以外の元素の内
の少なくとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一
種）からなり、前記磁気損失材料の複素透磁率における
虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００
ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前
記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数
帯域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”５０が、
２００％以内である。
容した金属筐体の不要輻射を低減した金属筐体を備えた
電子部品を提供すること。 【解決手段】 ケース１５とカバー１６とからなる金属
筐体内に電子回路又は回路素子を備えた電子部品１０に
おいて、前記金属筐体の内壁面の少なくとも一部に磁気
損失材料からなる磁性薄膜１を設けた。この磁気損失材
料は、組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
の内の少なくとも一種、ＸはＭおよびＹ以外の元素の内
の少なくとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一
種）からなり、前記磁気損失材料の複素透磁率における
虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００
ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前
記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数
帯域をその中心周波数で規格化した半値巾μ”５０が、
２００％以内である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，金属筐体を備えた
電子部品に関し、詳しくは、高周波での磁気損失特性に
優れた磁性体を使用し、この磁性体が，高速動作する能
動素子あるいは高周波電子部品および電子機器において
問題となる金属筐体の反射あるいは共振による電磁干渉
や不要輻射の抑制に有効である複素透磁率特性に優れた
磁気損失材料を設けた金属筐体を備えた電子部品に関す
る。
電子部品に関し、詳しくは、高周波での磁気損失特性に
優れた磁性体を使用し、この磁性体が，高速動作する能
動素子あるいは高周波電子部品および電子機器において
問題となる金属筐体の反射あるいは共振による電磁干渉
や不要輻射の抑制に有効である複素透磁率特性に優れた
磁気損失材料を設けた金属筐体を備えた電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波にまで及ぶ
電磁干渉あるいは、輻射ノイズが誘発され易い状況とな
っている。
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波にまで及ぶ
電磁干渉あるいは、輻射ノイズが誘発され易い状況とな
っている。
【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高速化
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
【０００６】また、金属筐体を備えた電子部品は、この
金属筐体の放射あるいは共振によって、電磁干渉や不要
輻射を生じるという問題があった。
金属筐体の放射あるいは共振によって、電磁干渉や不要
輻射を生じるという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の技術的課題は、このよう
な高速動作する半導体素子や電子回路などを収容した金
属筐体による電磁干渉や不要輻射を低減した金属筐体を
備えた電子部品を提供することにある。
な高速動作する半導体素子や電子回路などを収容した金
属筐体による電磁干渉や不要輻射を低減した金属筐体を
備えた電子部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
【０００９】例えば、半導体素子のモールド内部のよう
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
【００１０】本発明者らは、スパッタ法あるいは蒸着法
による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒
子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散さ
れたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、
磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究し
た結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒子の
濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優
れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−Ｘ−Ｙ
（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれ
か、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒
子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散さ
れたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、
磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究し
た結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒子の
濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優
れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−Ｘ−Ｙ
（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれ
か、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュ
ラー磁性体については、これまでに多くの研究がなさ
れ、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
【００１１】本発明者らは、Ｍ−Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属
元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、ＸはＭ、Ｙ以
外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性体におい
て、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した結果、い
ずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲にある場
合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すことを見出し
た。
元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、ＸはＭ、Ｙ以
外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性体におい
て、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した結果、い
ずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲にある場
合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すことを見出し
た。
【００１２】Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみからなるバル
ク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の飽和磁化
を示すような最も高い領域は、従来より盛んに研究され
ている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁
性体の領域である。この領域にある材料は、実数部透磁
率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、前述した
高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気デバイス
に用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成分の占め
る割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。その為に膜
厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の発生に伴
って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ対策に用
いるような比較的厚い磁性膜には不向きである。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領
域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃｍ以上と比
較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あってもうず
電流による損失が少なく、磁気損失はほとんど自然共鳴
による損失となる。その為、磁気損失項μ”の周波数分
散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対
策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分の比率が、
Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいため
に、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ成分間の磁
気的な相互作用が小さくなることで、スピンの熱擾乱が
大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、そ
の結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな値を示すよ
うになる。したがって、この組成領域は広帯域な高周波
電流の抑制に適している。
ク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の飽和磁化
を示すような最も高い領域は、従来より盛んに研究され
ている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁
性体の領域である。この領域にある材料は、実数部透磁
率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、前述した
高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気デバイス
に用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成分の占め
る割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。その為に膜
厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の発生に伴
って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ対策に用
いるような比較的厚い磁性膜には不向きである。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領
域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃｍ以上と比
較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あってもうず
電流による損失が少なく、磁気損失はほとんど自然共鳴
による損失となる。その為、磁気損失項μ”の周波数分
散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対
策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分の比率が、
Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいため
に、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ成分間の磁
気的な相互作用が小さくなることで、スピンの熱擾乱が
大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、そ
の結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな値を示すよ
うになる。したがって、この組成領域は広帯域な高周波
電流の抑制に適している。
【００１３】一方、Ｍ成分の比率が本発明の領域よりも
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
【００１４】電子回路の直近に磁気損失材料を配設して
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
【００１５】このような現状を鑑みて、本発明者らは、
金属筐体を備えた電子部品に上記グラニュラー磁性体を
適用できることを見出し本発明を為すに至ったものであ
る。
金属筐体を備えた電子部品に上記グラニュラー磁性体を
適用できることを見出し本発明を為すに至ったものであ
る。
【００１６】本発明によれば、金属筐体内に電子回路又
は回路素子を備えた電子部品において、前記金属筐体に
磁気損失材料からなる磁性薄膜を設けたことを特徴とす
る金属筐体を備えた電子部品が得られる。
は回路素子を備えた電子部品において、前記金属筐体に
磁気損失材料からなる磁性薄膜を設けたことを特徴とす
る金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記金属筐体を備
えた電子部品において、前記磁性薄膜は前記金属筐体の
高周波電流の通過箇所に設けられていることを特徴とす
る金属筐体を備えた電子部品が得られる。
えた電子部品において、前記磁性薄膜は前記金属筐体の
高周波電流の通過箇所に設けられていることを特徴とす
る金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記金属筐体を備
えた電子部品において、前記磁性薄膜は、前記金属筐体
の内壁面の少なくとも一部に設けられていることを特徴
とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
えた電子部品において、前記磁性薄膜は、前記金属筐体
の内壁面の少なくとも一部に設けられていることを特徴
とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記金属筐体を備
えた電子部品において、前記金属筐体の内壁の全面に前
記磁性薄膜を設けたことを特徴とする金属筐体を備えた
電子部品が得られる。
えた電子部品において、前記金属筐体の内壁の全面に前
記磁性薄膜を設けたことを特徴とする金属筐体を備えた
電子部品が得られる。
【００２０】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、組
成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の
少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素内の少な
くとも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）
で表される磁気損失材料からなり、前記磁気損失材料の
複素透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍ
ａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在す
ると共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上
となる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失材料で
あることを特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得ら
れる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、組
成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の
少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素内の少な
くとも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）
で表される磁気損失材料からなり、前記磁気損失材料の
複素透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍ
ａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在す
ると共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上
となる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失材料で
あることを特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得ら
れる。
【００２１】また、本発明によれば、前記金属筐体を備
えた電子部品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の
大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の
８０％から６０％の範囲内に有ることを特徴とする金属
筐体を備えた電子部品が得られる。
えた電子部品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の
大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の
８０％から６０％の範囲内に有ることを特徴とする金属
筐体を備えた電子部品が得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、組
成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少
なくとも一種、ＸはＭおよびＹ以外の元素の内の少なく
とも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）で表
される磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素
透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘ
が１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると
共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上とな
る周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅μ”
５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料からな
ることを特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られ
る。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、組
成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少
なくとも一種、ＸはＭおよびＹ以外の元素の内の少なく
とも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）で表
される磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素
透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍａｘ
が１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると
共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上とな
る周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅μ”
５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料からな
ることを特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られ
る。
【００２３】また、本発明によれば、前記金属筐体を備
えた電子部品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の
大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の
６０％から３５％の範囲に有る事を特徴とする金属筐体
を備えた電子部品が得られる。
えた電子部品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の
大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の
６０％から３５％の範囲に有る事を特徴とする金属筐体
を備えた電子部品が得られる。
【００２４】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、直流電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ
・ｃｍの範囲にある狭帯域磁気損失材料であることを特
徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、直流電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ
・ｃｍの範囲にある狭帯域磁気損失材料であることを特
徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００２５】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、直流電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値
を有する広帯域磁気損失材料であることを特徴とする金
属筐体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、直流電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値
を有する広帯域磁気損失材料であることを特徴とする金
属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００２６】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料の
Ｘ成分は、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少なくと
も一種からなることを特徴とする金属筐体を備えた電子
部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料の
Ｘ成分は、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少なくと
も一種からなることを特徴とする金属筐体を備えた電子
部品が得られる。
【００２７】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、前
記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散された
グラニュラー状の形態で存在する事を特徴とする金属筐
体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、前
記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散された
グラニュラー状の形態で存在する事を特徴とする金属筐
体を備えた電子部品が得られる。
【００２８】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料の
グラニュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、
１ｎｍから４０ｎｍの範囲にある事を特徴とする金属筐
体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料の
グラニュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、
１ｎｍから４０ｎｍの範囲にある事を特徴とする金属筐
体を備えた電子部品が得られる。
【００２９】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、異方性磁界Ｈｋが６００Ｏｅ（４．７４×１０４Ａ
／ｍ）以下であることを特徴とする金属筐体を備えた電
子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、異方性磁界Ｈｋが６００Ｏｅ（４．７４×１０４Ａ
／ｍ）以下であることを特徴とする金属筐体を備えた電
子部品が得られる。
【００３０】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで示されることを特徴とする
金属筐体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで示されることを特徴とする
金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００３１】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
が、Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで示されることを特徴とする
金属筐体を備えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
が、Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで示されることを特徴とする
金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００３２】また、本発明によれば、前記いずれかの金
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、スパッタ法又は蒸着法の内の少なくとも１種の方法
によって作製されていることを特徴とする金属筐体を備
えた電子部品が得られる。
属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、スパッタ法又は蒸着法の内の少なくとも１種の方法
によって作製されていることを特徴とする金属筐体を備
えた電子部品が得られる。
【００３３】さらに、本発明によれば、前記いずれかの
金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、厚さが０．３μｍから２０μｍの範囲にあることを
特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失材料
は、厚さが０．３μｍから２０μｍの範囲にあることを
特徴とする金属筐体を備えた電子部品が得られる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００３５】図１は本発明の実施の形態による誘電体共
振器の構造の一部を示す正面断面図である。この例にお
いては、誘電体共振器により、フィルタを構成してい
る。
振器の構造の一部を示す正面断面図である。この例にお
いては、誘電体共振器により、フィルタを構成してい
る。
【００３６】図１を参照すると、フィルタ１０は、金属
キャビティを形成する金属ケース１５の底面に支持台２
１乃至２４を夫々介して設けられた誘電体共振器１１乃
至１４を夫々備えている。この支持台２１乃至２４の材
質は、通常、誘電体共振器のＱ値をできるだけ劣化させ
ない様な材質のものが使用されている。
キャビティを形成する金属ケース１５の底面に支持台２
１乃至２４を夫々介して設けられた誘電体共振器１１乃
至１４を夫々備えている。この支持台２１乃至２４の材
質は、通常、誘電体共振器のＱ値をできるだけ劣化させ
ない様な材質のものが使用されている。
【００３７】また、金属ケース１５の両側には、入出力
プローブ１９，２０を備えた入出力端子１７，１８が夫
々設けられている。金属キャビティをなす金属ケース１
５の上端の開口部を覆うように、金属カバー１６が設け
られている。この金属カバー１６は、周波数調整用金属
ネジ２５乃至２８が取り付けられており、夫々誘電体共
振器１１乃至１４と金属ネジ２５乃至２８との間隔を調
整することにより、周波数の調整を行うことができる。
プローブ１９，２０を備えた入出力端子１７，１８が夫
々設けられている。金属キャビティをなす金属ケース１
５の上端の開口部を覆うように、金属カバー１６が設け
られている。この金属カバー１６は、周波数調整用金属
ネジ２５乃至２８が取り付けられており、夫々誘電体共
振器１１乃至１４と金属ネジ２５乃至２８との間隔を調
整することにより、周波数の調整を行うことができる。
【００３８】入出力プローブ１９及び２０は、誘電体共
振器１１及び１４と個々に電磁界的に結合するため、金
属ケース１５の内側に取り付けられ、電磁界的結合が最
適な位置として、円柱状の誘電体共振器１１及び１４の
高さの中心位置とほぼ同等の高さに取り付けられてい
る。
振器１１及び１４と個々に電磁界的に結合するため、金
属ケース１５の内側に取り付けられ、電磁界的結合が最
適な位置として、円柱状の誘電体共振器１１及び１４の
高さの中心位置とほぼ同等の高さに取り付けられてい
る。
【００３９】以上までは、従来の誘電体共振器フィルタ
とほぼ同様な構成を有している。
とほぼ同様な構成を有している。
【００４０】しかし、本発明の実施の形態による誘電体
共振器フィルタでは、金属キャビティを構成する金属ケ
ース１５及び金属カバー１６の内側面の全面にスパッタ
法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラ
ー磁性薄膜１が形成されている点で従来技術によるもの
と異なっている。
共振器フィルタでは、金属キャビティを構成する金属ケ
ース１５及び金属カバー１６の内側面の全面にスパッタ
法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニュラ
ー磁性薄膜１が形成されている点で従来技術によるもの
と異なっている。
【００４１】このグラニュラー磁性薄膜１を形成するこ
とによって、不要電磁波のフィルタ１０内部における部
品間の電磁干渉抑制と放射抑制、あるいは外部からの高
周波ノイズを吸収することができる。
とによって、不要電磁波のフィルタ１０内部における部
品間の電磁干渉抑制と放射抑制、あるいは外部からの高
周波ノイズを吸収することができる。
【００４２】尚、上記第１の実施の形態において、グラ
ニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用い
たが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される
磁性体を用いれば良く、上記第１の実施の形態に限定さ
れるものではない。
ニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用い
たが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される
磁性体を用いれば良く、上記第１の実施の形態に限定さ
れるものではない。
【００４３】図２は本発明の第２の実施の形態によるチ
ューナーボックスを示す断面図である。図２を参照する
と、金属ケース３１及び金属カバー３２からなる金属筐
体内に、シールド板３５，ＩＣ素子３４、コンデンサ３
７、インダクター３８、ループインダクタ３６等の電子
部品を実装した配線基板３３が収容されている。尚、そ
の他に筐体の外に突出してフォノジャック３９が設けら
れている。
ューナーボックスを示す断面図である。図２を参照する
と、金属ケース３１及び金属カバー３２からなる金属筐
体内に、シールド板３５，ＩＣ素子３４、コンデンサ３
７、インダクター３８、ループインダクタ３６等の電子
部品を実装した配線基板３３が収容されている。尚、そ
の他に筐体の外に突出してフォノジャック３９が設けら
れている。
【００４４】以上までは、従来のチューナーボックスと
ほぼ同様な構成を有している。しかし、本発明の実施の
形態によるチューナーボックスでは、金属筐体をなす金
属ケース３１及び金属カバー３２の内側面の全面にスパ
ッタ法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニ
ュラー磁性薄膜２が形成されている点で従来技術による
ものと異なっている。
ほぼ同様な構成を有している。しかし、本発明の実施の
形態によるチューナーボックスでは、金属筐体をなす金
属ケース３１及び金属カバー３２の内側面の全面にスパ
ッタ法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからなるグラニ
ュラー磁性薄膜２が形成されている点で従来技術による
ものと異なっている。
【００４５】このグラニュラー磁性薄膜２を形成するこ
とによって、チューナーボックス内部における部品間の
電磁干渉抑制と不要電磁波の放射抑制、あるいは、外部
からの高周波ノイズを吸収することができる。
とによって、チューナーボックス内部における部品間の
電磁干渉抑制と不要電磁波の放射抑制、あるいは、外部
からの高周波ノイズを吸収することができる。
【００４６】尚、上記第２の実施の形態において、グラ
ニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用い
たが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される
磁性体を用いれば良く、上記第２の実施の形態に限定さ
れるものではない。
ニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用い
たが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される
磁性体を用いれば良く、上記第２の実施の形態に限定さ
れるものではない。
【００４７】次に，本発明によるグラニュラー状磁性体
Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方法の具体例について、
図３を参照して説明する。
Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方法の具体例について、
図３を参照して説明する。
【００４８】図３は本発明の実施の形態によるスパッタ
装置の構成を示す図である。図３に示すように、スパッ
タ装置４０は、真空ポンプ４７によって排気可能な真空
チャンバー４１内に、ターゲット試料台４２及び基板４
３とを設けている。ターゲット試料台４２は外部からの
ＲＦ電源４４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット４５とその上に載せられたチップ４６と
を有している。ターゲット試料台と基板４３との間に
は、基板を覆うように、シャッタ４８が設けられてい
る。尚、符号４９はチャンバー内にガスを供給するため
のガス供給部である。
装置の構成を示す図である。図３に示すように、スパッ
タ装置４０は、真空ポンプ４７によって排気可能な真空
チャンバー４１内に、ターゲット試料台４２及び基板４
３とを設けている。ターゲット試料台４２は外部からの
ＲＦ電源４４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット４５とその上に載せられたチップ４６と
を有している。ターゲット試料台と基板４３との間に
は、基板を覆うように、シャッタ４８が設けられてい
る。尚、符号４９はチャンバー内にガスを供給するため
のガス供給部である。
【００４９】（試料１）図３に示すように、グラニュラ
ー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガ
ラス製の基板４３上に作製した。得られたスパッタ膜を
３００℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１を
得た。
ー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガ
ラス製の基板４３上に作製した。得られたスパッタ膜を
３００℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１を
得た。
【００５０】得られた試料１を蛍光Ｘ線分析分析したと
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
【００５１】また、試料１の膜厚は２．０μｍ、直流抵
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１．４２
×１０３Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ
（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値巾
であるμ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化
とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値
は、７２．２％であった。
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１．４２
×１０３Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ
（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値巾
であるμ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化
とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値
は、７２．２％であった。
【００５２】
【表１】
【００５３】試料の磁気損失特性を検証するためにμ−
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
【００５４】（比較試料１）Ａｌ２Ｏ３チップの数を９
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
【００５５】得られた比較試料１を蛍光Ｘ線分析分析し
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１．７４
×１０３Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ
（１．８８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％
であった。
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１．７４
×１０３Ａ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ
（１．８８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％
であった。
【００５６】図４は本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示
す図である。図４を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
す図である。図４を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
【００５７】図５は、比較試料１のμ”−ｆ特性を示す
図である。図５を参照すると、比較試料１は、飽和磁化
Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示している
が、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電流
損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率（磁
気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁率特
性が悪くなっていることが分かる。
図である。図５を参照すると、比較試料１は、飽和磁化
Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示している
が、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電流
損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率（磁
気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁率特
性が悪くなっていることが分かる。
【００５８】これらの結果より、本発明の試料１の磁性
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
【００５９】図６は筐体共振測定システムを示す図であ
る。図６に示すように、被測定物である一辺が３００ｍ
ｍの立方体構造の金属筐体７１を電子装置の筐体とみな
して測定されている。金属筐体７１の内側面には、グラ
ニュラー磁性薄膜１が設けられ、一面に端子部７４、こ
の一面に隣接する他面に端子部７５が夫々設けられてい
る。一方の端子部７４は、スペクトラムアナライザー７
２に接続されている。また、他方の端子部７５は、トラ
ッキングジェネレータに接続されている。スペクトラム
アナライザ７２及びトラッキングジェネレータ７３は、
互いに接続されている。
る。図６に示すように、被測定物である一辺が３００ｍ
ｍの立方体構造の金属筐体７１を電子装置の筐体とみな
して測定されている。金属筐体７１の内側面には、グラ
ニュラー磁性薄膜１が設けられ、一面に端子部７４、こ
の一面に隣接する他面に端子部７５が夫々設けられてい
る。一方の端子部７４は、スペクトラムアナライザー７
２に接続されている。また、他方の端子部７５は、トラ
ッキングジェネレータに接続されている。スペクトラム
アナライザ７２及びトラッキングジェネレータ７３は、
互いに接続されている。
【００６０】図７は図６の筐体共振の抑制と吸収材料面
積の依存性を示す図である。図７において、ａは全く形
成されていないもの、ｂは試料４５面積４５×４５，ｃ
は面積６５×６５，ｄは面積８５×８５，ｅは面積１０
５×１０５，ｆは面積１２５×１２５，ｇは面積１４５
×１４５，ｈは面積１６５×１６５，ｉは面積１８５×
１８５，ｊは面積２０５×２０５，ｋは面積２２５×２
２５，ｌは面積２４５×２４５，ｍは面積２６５×２６
５を夫々示している。
積の依存性を示す図である。図７において、ａは全く形
成されていないもの、ｂは試料４５面積４５×４５，ｃ
は面積６５×６５，ｄは面積８５×８５，ｅは面積１０
５×１０５，ｆは面積１２５×１２５，ｇは面積１４５
×１４５，ｈは面積１６５×１６５，ｉは面積１８５×
１８５，ｊは面積２０５×２０５，ｋは面積２２５×２
２５，ｌは面積２４５×２４５，ｍは面積２６５×２６
５を夫々示している。
【００６１】図７から、共振の強さは、グラニュラー磁
性薄膜の面積に依存していることが判明した。
性薄膜の面積に依存していることが判明した。
【００６２】図８は筐体共振放射の測定装置の概略構成
を示す図である。図８に示すように、測定装置は、被測
定物である一辺が３００ｍｍの立方体構造の金属筐体７
１を電子装置の筐体とみなして測定されている。金属筐
体７１の内側面には、グラニュラー磁性薄膜１が設けら
れ、一面に端子部７４、この一面に隣接する他面に端子
部７５が夫々設けられている。一方の端子部７４は、外
方に延在して開放端７４ａとなっており、また、他方の
端子部７５は、トラッキングジェネレータに接続されて
いる。スペクトラムアナライザ７２に、アンテナ７６と
してログベリオデッィクアンテナ（５００ＭＨｚ〜２Ｇ
Ｈｚ）を用いて、開放端７４ａに対向するように、その
先端を配置して測定した。試料の寸法は、２６５×２６
５ｍｍのグラニュラー磁性膜である。尚、トラッキング
ジェネレータ７３とこのスペクトロアナライザ７２とは
互いに接続されている。
を示す図である。図８に示すように、測定装置は、被測
定物である一辺が３００ｍｍの立方体構造の金属筐体７
１を電子装置の筐体とみなして測定されている。金属筐
体７１の内側面には、グラニュラー磁性薄膜１が設けら
れ、一面に端子部７４、この一面に隣接する他面に端子
部７５が夫々設けられている。一方の端子部７４は、外
方に延在して開放端７４ａとなっており、また、他方の
端子部７５は、トラッキングジェネレータに接続されて
いる。スペクトラムアナライザ７２に、アンテナ７６と
してログベリオデッィクアンテナ（５００ＭＨｚ〜２Ｇ
Ｈｚ）を用いて、開放端７４ａに対向するように、その
先端を配置して測定した。試料の寸法は、２６５×２６
５ｍｍのグラニュラー磁性膜である。尚、トラッキング
ジェネレータ７３とこのスペクトロアナライザ７２とは
互いに接続されている。
【００６３】図９は筐体共振の低減によりＥＭＩ放射が
抑制された例を示す図である。図９に示すように、筐体
内の電界強度が増えるとケーブルなどから筐体共振周波
数で強い電界が観測される。これらの対策として、グラ
ニュラー磁性薄膜１を設けることによって、筐体の共振
を抑制し、空間への電磁放射も抑制されることが分か
る。
抑制された例を示す図である。図９に示すように、筐体
内の電界強度が増えるとケーブルなどから筐体共振周波
数で強い電界が観測される。これらの対策として、グラ
ニュラー磁性薄膜１を設けることによって、筐体の共振
を抑制し、空間への電磁放射も抑制されることが分か
る。
【００６４】尚、以上延べたグラニュラー磁性薄膜は、
Ｆｅ８６Ａｌ６Ｏ８についてのみであるが、本発明のグ
ラニュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の
成分が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａ
あるいは希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分が
Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であっ
ても、同様な効果を得ることができることは明らかであ
る。
Ｆｅ８６Ａｌ６Ｏ８についてのみであるが、本発明のグ
ラニュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の
成分が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａ
あるいは希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分が
Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であっ
ても、同様な効果を得ることができることは明らかであ
る。
【００６５】また、成膜方法に関しては、上記実施の形
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損
失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定さ
れない。
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損
失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定さ
れない。
【００６６】また、本発明の実施の形態においては、金
属筐体として、誘電体共振器及びチューナーボックスに
ついて述べたが、その他の金属筐体内に収容されたパソ
コン等のあらゆる金属筐体を備えた電子部品に適用でき
ることは明らかである。
属筐体として、誘電体共振器及びチューナーボックスに
ついて述べたが、その他の金属筐体内に収容されたパソ
コン等のあらゆる金属筐体を備えた電子部品に適用でき
ることは明らかである。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属筐体を備えた電子部品の不要電磁波の除去に極めて
有効な高周波磁気損失特性に優れた磁性薄膜を有する金
属筐体を備えた電子部品を提供することができる。
金属筐体を備えた電子部品の不要電磁波の除去に極めて
有効な高周波磁気損失特性に優れた磁性薄膜を有する金
属筐体を備えた電子部品を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に誘電体共振器フィ
ルタを示す正面断面図である。
ルタを示す正面断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態によるチューナーボ
ックスを示す図である。
ックスを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態によるスパッタ装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態による試料１のμ”の周波
数依存性例を示す図である。
数依存性例を示す図である。
【図５】比較試料１にかかるμ”の周波数依存性の例を
示す図である。
示す図である。
【図６】筐体共振測定システムを示す図である。
【図７】図６の筐体共振の抑制と吸収材料面積の依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図８】筐体共振放射の測定装置の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図９】筐体共振の低減によりＥＭＩ放射が抑制された
例を示す図である。
例を示す図である。
１，２ グラニュラー磁性薄膜 １０ 誘電体共振器フィルタ １１〜１４ 誘電体共振器 １５，３１ 金属ケース １６、３２ 金属カバー １９，２０ 入出力プローブ ２１〜２４ 支持台 ２５〜２８ 金属ネジ ３０ チューナーボックス ３４ ＩＣ素子 ３５ シールド板 ３６ ループインダクタ ３７ コンデンサ ３８ インダクター ３９ フォノジャック ４０ スパッタ装置 ４１ 真空チャンバー ４２ ターゲット試料台 ４３ 基板 ４４ ＲＦ電源 ４５ ターゲット ４６ チップ ４７ 真空ポンプ ４８ シャッター ４９ ガス供給部 ７１ 金属筐体 ７２ スペクトラムアナライザ ７３ トラッキングジェネレータ ７４，７５ 端子部 ７４ａ 開放端 ７６ アンテナ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白鳥 聡 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AC00 BA27 BA30 DB02 DB10 5E321 AA02 AA21 BB23 BB53
Claims (18)
- 【請求項１】 金属筐体内に電子回路又は回路素子を備
えた電子部品において、前記金属筐体に磁気損失材料か
らなる磁性薄膜を設けたことを特徴とする金属筐体を備
えた電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載の金属筐体を備えた電子部
品において、前記磁性薄膜は前記金属筐体の高周波電流
の通過箇所に設けられていることを特徴とする金属筐体
を備えた電子部品。 - 【請求項３】 請求項１記載の金属筐体を備えた電子部
品において、前記磁性薄膜は、前記金属筐体の内壁面の
少なくとも一部に設けられていることを特徴とする金属
筐体を備えた電子部品。 - 【請求項４】 請求項３記載の金属筐体を備えた電子部
品において、前記金属筐体の内壁の全面に前記磁性薄膜
を設けたことを特徴とする金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
金属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、
組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内
の少なくとも一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素内の少
なくとも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一
種）で表される磁気損失材料からなり、前記磁気損失材
料の複素透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値
μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に
存在すると共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０
％以上となる周波数帯域をその中心周波数で規格化した
半値幅μ”５０が、２００％以内である挟帯域磁気損失
材料であることを特徴とする金属筐体を備えた電子部
品。 - 【請求項６】 請求項５記載の金属筐体を備えた電子部
品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさが，
Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の８０％から
６０％の範囲内に有ることを特徴とする金属筐体を備え
た電子部品。 - 【請求項７】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
金属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜は、
組成がＭ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の
少なくとも一種、ＸはＭおよびＹ以外の元素の内の少な
くとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種）で
表される磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複
素透磁率の虚数成分である損失項μ”の最大値μ”ｍａ
ｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範囲に存在する
と共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し５０％以上と
なる周波数帯域をその中心周波数で規格化した半値幅
μ”５０が、１５０％以上である広帯域磁気損失材料か
らなることを特徴とする金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項８】 請求項７記載の金属筐体を備えた電子部
品において、前記磁気損失材料の飽和磁化の大きさが，
Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の６０％から
３５％の範囲に有る事を特徴とする金属筐体を備えた電
子部品。 - 【請求項９】 請求項５又は６記載の金属筐体を備えた
電子部品において、前記磁気損失材料は、直流電気抵抗
率が１００μΩ・ｃｍ乃至７００μΩ・ｃｍの範囲にあ
る狭帯域磁気損失材料であることを特徴とする金属筐体
を備えた電子部品。 - 【請求項１０】 請求項７又は８記載の金属筐体を備え
た電子部品において、前記磁気損失材料は、直流電気抵
抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値を有する広帯域
磁気損失材料であることを特徴とする金属筐体を備えた
電子部品。 - 【請求項１１】 請求項５乃至１０の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料のＸ成分は、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚ
ｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の内の少
なくとも一種からなることを特徴とする金属筐体を備え
た電子部品。 - 【請求項１２】 請求項５乃至１１の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁性薄膜
は、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中に分散
されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴とする
金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項１３】 請求項５乃至１１の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料のグラニュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子
径が、１ｎｍから４０ｎｍの範囲にある事を特徴とする
金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項１４】 請求項５乃至１２の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料は、異方性磁界Ｈｋが６００Ｏｅ（４．７４×１０
４Ａ／ｍ）以下であることを特徴とする金属筐体を備え
た電子部品。 - 【請求項１５】 請求項５乃至１４の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料が、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで示されることを特徴と
する金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項１６】 請求項５乃至１５の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料が、Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで示されることを特徴と
する金属筐体を備えた電子部品。 - 【請求項１７】 請求項５乃至１６の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料は、スパッタ法又は蒸着法の内の少なくとも１種の
方法によって作製されていることを特徴とする金属筐体
を備えた電子部品。 - 【請求項１８】 請求項５乃至１７の内のいずれかに記
載の金属筐体を備えた電子部品において、前記磁気損失
材料は、厚さが０．３μｍから２０μｍの範囲にあるこ
とを特徴とする金属筐体を備えた電子部品。
Priority Applications (9)
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|---|---|---|---|
| JP2000102467A JP2001291989A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 金属筐体を備えた電子部品 |
| KR1020010017566A KR20010095254A (ko) | 2000-04-04 | 2001-04-03 | 자기 손실 물질이 제공된 금속 케이스를 포함하는 전자부품 |
| MYPI20011618A MY124809A (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electronic component comprising a metallic case provided with a magnetic loss material |
| US09/825,949 US6635819B2 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electronic component comprising a metallic case provided with a magnetic loss material |
| EP01108516A EP1143780A1 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electronic component comprising a metallic case provided with a magnetic loss material |
| SG200102012A SG96613A1 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electronic component comprising a metallic case provided with a magnetic loss material |
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|---|---|---|---|
| JP2000102467A JP2001291989A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 金属筐体を備えた電子部品 |
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|---|---|
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ID=18616344
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|---|---|---|---|
| JP2000102467A Withdrawn JP2001291989A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 金属筐体を備えた電子部品 |
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| CN (1) | CN1192954C (ja) |
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| NO (1) | NO20011709L (ja) |
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- 2001-04-03 KR KR1020010017566A patent/KR20010095254A/ko not_active Application Discontinuation
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Cited By (1)
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