JP2001284947A - 高周波電流抑制体を用いたアンテナ - Google Patents
高周波電流抑制体を用いたアンテナInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンテナから放射される使用周波数以外の高
調波を除去し、アンテナの放射効率が高められたアンテ
ナを提供すること。 【解決手段】 使用する波長の電磁波を送信及び／又は
受信する導体からなるアンテナエレメント１１を備えた
アンテナであって、前記アンテナエレメント１１の導体
の一部であって、前記使用波長成分の高調波電流の電流
分布が大きくなる部分に高周波電流抑制体としてグラニ
ュラー磁性膜１，２を備えている。
調波を除去し、アンテナの放射効率が高められたアンテ
ナを提供すること。 【解決手段】 使用する波長の電磁波を送信及び／又は
受信する導体からなるアンテナエレメント１１を備えた
アンテナであって、前記アンテナエレメント１１の導体
の一部であって、前記使用波長成分の高調波電流の電流
分布が大きくなる部分に高周波電流抑制体としてグラニ
ュラー磁性膜１，２を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高周波での磁気損
失特性に優れた磁性体を用いたアンテナに関し，詳しく
は，高速動作する能動素子あるいは高周波電子部品およ
び電子機器において問題となる高周波の不要輻射抑制も
しくは吸収に有効である複素透磁率特性に優れた磁気損
失材料からなる高周波電流抑制体を用いたアンテナに関
する。
失特性に優れた磁性体を用いたアンテナに関し，詳しく
は，高速動作する能動素子あるいは高周波電子部品およ
び電子機器において問題となる高周波の不要輻射抑制も
しくは吸収に有効である複素透磁率特性に優れた磁気損
失材料からなる高周波電流抑制体を用いたアンテナに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。
【０００４】このような近年の電子集積素子あるいは配
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
線基板においては、能動素子への電源供給ラインからの
不要輻射の問題が指摘され、電源ラインにデカップリン
グコンデンサ等の集中定数部品を挿入する等の対策がな
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高速化
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
するノイズが高調波成分を含むために、信号の経路が分
布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定数
回路を前提にしたノイズ対策が効を発しない状況が生じ
ていた。
【０００６】また、高周波を用いたアンテナから放射さ
れる電波には、必ず使用周波数の高調波成分が含まれて
おり、これが、アンテナの高周波の放射効率の低下に繋
がっていた。
れる電波には、必ず使用周波数の高調波成分が含まれて
おり、これが、アンテナの高周波の放射効率の低下に繋
がっていた。
【０００７】そこで、本発明の技術的課題は、アンテナ
から放射される使用周波数以外の高調波を除去し、アン
テナの放射効率が高められたアンテナを提供することに
ある。
から放射される使用周波数以外の高調波を除去し、アン
テナの放射効率が高められたアンテナを提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。
【０００９】例えば、半導体素子のモールド内部のよう
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
な微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策を
行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値である
必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大きな
μ”を有する磁性体が求められていた。
【００１０】また、本発明者らは、スパッタ法あるいは
蒸着法による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性
金属粒子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に
分散されたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着
目し、磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を
研究した結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属
粒子の濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域にお
いて優れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−
Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのい
づれか、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラ
ニュラー磁性体については、これまでに多くの研究がな
され、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
蒸着法による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性
金属粒子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に
分散されたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着
目し、磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を
研究した結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属
粒子の濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域にお
いて優れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−
Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのい
づれか、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラ
ニュラー磁性体については、これまでに多くの研究がな
され、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。
【００１１】さらに、本発明者らは、Ｍ−Ｘ−Ｙ（Ｍは
磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、Ｘは
Ｍ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性
体において、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した
結果、いずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲
にある場合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すこと
を見出した。
磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、Ｘは
Ｍ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性
体において、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した
結果、いずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲
にある場合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すこと
を見出した。
【００１２】ここで、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみから
なるバルク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の
飽和磁化を示すような最も高い領域は、従来より盛んに
研究されている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニ
ュラー磁性体の領域である。この領域にある材料は、実
数部透磁率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、
前述した高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気
デバイスに用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成
分の占める割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。そ
の為に膜厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の
発生に伴って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ
対策に用いるような比較的厚い磁性膜には不向きであ
る。Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁
性体の飽和磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁
化を示す領域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃ
ｍ以上と比較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あ
ってもうず電流による損失が少なく、磁気損失はほとん
ど自然共鳴による損失となる。その為、磁気損失項μ”
の周波数分散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲で
のノイズ対策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の６０％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域
は、電気抵抗率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に
大きいために、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ
成分間の磁気的な相互作用が小さくなることで、スピン
の熱擾乱が大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎ
が生じ、その結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな
値を示すようになる。したがって、この組成領域は広帯
域な高周波電流の抑制に適している。
なるバルク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の
飽和磁化を示すような最も高い領域は、従来より盛んに
研究されている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニ
ュラー磁性体の領域である。この領域にある材料は、実
数部透磁率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、
前述した高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気
デバイスに用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成
分の占める割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。そ
の為に膜厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の
発生に伴って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ
対策に用いるような比較的厚い磁性膜には不向きであ
る。Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁
性体の飽和磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁
化を示す領域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃ
ｍ以上と比較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あ
ってもうず電流による損失が少なく、磁気損失はほとん
ど自然共鳴による損失となる。その為、磁気損失項μ”
の周波数分散幅が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲で
のノイズ対策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の６０％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域
は、電気抵抗率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に
大きいために、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ
成分間の磁気的な相互作用が小さくなることで、スピン
の熱擾乱が大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎ
が生じ、その結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな
値を示すようになる。したがって、この組成領域は広帯
域な高周波電流の抑制に適している。
【００１３】一方、Ｍ成分の比率が本発明の領域よりも
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。
【００１４】電子回路の直近に磁気損失材料を配設して
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。
【００１５】このような現状に鑑み、本発明者らは、ア
ンテナの電磁波放射に関しても、上記グラニュラー磁性
体を用いてその高調波成分等が除去でき、アンテナの放
射効率を高めることができることを見出し本発明をなす
に至ったものである。
ンテナの電磁波放射に関しても、上記グラニュラー磁性
体を用いてその高調波成分等が除去でき、アンテナの放
射効率を高めることができることを見出し本発明をなす
に至ったものである。
【００１６】即ち、本発明によれば、使用する波長の電
磁波を送信又は受信する導体からなるアンテナエレメン
トを備えたアンテナであって、前記アンテナエレメント
の導体の一部であって、前記使用波長成分の高調波電流
の電流分布が大きくなる部分に高周波電流抑制体を備え
ていることを特徴とする高周波電流抑制体を用いたアン
テナが得られる。
磁波を送信又は受信する導体からなるアンテナエレメン
トを備えたアンテナであって、前記アンテナエレメント
の導体の一部であって、前記使用波長成分の高調波電流
の電流分布が大きくなる部分に高周波電流抑制体を備え
ていることを特徴とする高周波電流抑制体を用いたアン
テナが得られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体を用いたアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体
は、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
の内の少なくとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくと
も一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも
一種）で表される磁気損失材料から実質的になり、前記
磁気損失材料の複素透磁率特性μにおける虚数透磁率で
ある損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１
０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前記μ”が前
記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数帯域をその
中心周波数で規格化した半値幅μ”５０が、２００％以
内である挟帯域磁気損失材料からなることを特徴とする
高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
制体を用いたアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体
は、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
の内の少なくとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくと
も一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも
一種）で表される磁気損失材料から実質的になり、前記
磁気損失材料の複素透磁率特性μにおける虚数透磁率で
ある損失項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１
０ＧＨｚの周波数範囲に存在すると共に、前記μ”が前
記μ”ｍａｘに対し５０％以上となる周波数帯域をその
中心周波数で規格化した半値幅μ”５０が、２００％以
内である挟帯域磁気損失材料からなることを特徴とする
高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体を用いたアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体
の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体
の飽和磁化の８０％から６０％の範囲に有る事を特徴と
する高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
制体を用いたアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体
の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体
の飽和磁化の８０％から６０％の範囲に有る事を特徴と
する高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体を用いたアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体
は、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの
内の少なくとも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくと
も一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも
一種）で表される磁気損失材料であって，前記磁気損失
材料の複素透磁率特性μにおける虚数透磁率である損失
項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の周波数範囲に存在すると共に、前記μ”が前記μ”ｍ
ａｘに対し５０％以上となる周波数帯域をその中心周波
数で規格化した半値巾μ”５０が、１５０％以上である
広帯域磁気損失材料からなることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナが得られる。
制体を用いたアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体
は、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの
内の少なくとも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくと
も一種、Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも
一種）で表される磁気損失材料であって，前記磁気損失
材料の複素透磁率特性μにおける虚数透磁率である損失
項μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の周波数範囲に存在すると共に、前記μ”が前記μ”ｍ
ａｘに対し５０％以上となる周波数帯域をその中心周波
数で規格化した半値巾μ”５０が、１５０％以上である
広帯域磁気損失材料からなることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００２０】また、本発明によれば、前記高周波電流抑
制体を用いたアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体
の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体
の飽和磁化の６０％から３５％の範囲に有ることを特徴
とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
制体を用いたアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体
の飽和磁化の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体
の飽和磁化の６０％から３５％の範囲に有ることを特徴
とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、直流電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７０
０μΩ・ｃｍの範囲にあることを特徴とする高周波電流
抑制体を用いたアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、直流電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７０
０μΩ・ｃｍの範囲にあることを特徴とする高周波電流
抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００２２】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、直流電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大
きい値であることを特徴とする高周波電流抑制体を用い
たアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、直流電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大
きい値であることを特徴とする高周波電流抑制体を用い
たアンテナが得られる。
【００２３】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、Ｘ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の
内の少なくとも一種からなることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、Ｘ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の
内の少なくとも一種からなることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００２４】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中
に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴
とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス中
に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特徴
とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００２５】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記グラニ
ュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、１〜４
０ｎｍの範囲内にある事を特徴とする高周波電流抑制体
を用いたアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記グラニ
ュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、１〜４
０ｎｍの範囲内にある事を特徴とする高周波電流抑制体
を用いたアンテナが得られる。
【００２６】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、異方性磁界Ｈｋが４７．４（ｋＡ／ｍ）以下
である事を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテ
ナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、異方性磁界Ｈｋが４７．４（ｋＡ／ｍ）以下
である事を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテ
ナが得られる。
【００２７】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで表されること
を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得ら
れる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγで表されること
を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得ら
れる。
【００２８】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで表されること
を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得ら
れる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏγで表されること
を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナが得ら
れる。
【００２９】また、本発明によれば、前記いずれかの高
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、スパッタ法及び蒸着法の内のいずれかにより
作製された薄膜磁性体からなることを特徴とする高周波
電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気損
失材料は、スパッタ法及び蒸着法の内のいずれかにより
作製された薄膜磁性体からなることを特徴とする高周波
電流抑制体を用いたアンテナが得られる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００３１】図１は本発明の第１の実施の形態によるア
ンテナの要部を示す正面図である。図１を参照すると、
モノポール（ｍｏｎｏ−ｐｏｌｅ）型のアンテナ１０
は、一端が給電部１２に接続されたロッドアンテナであ
る。この種のアンテナ１０は、通常使用周波数における
波長λの４分の１、即ち、λ／４の長さを有し、基本モ
ードで使用されている。ここで、アンテナ１０の放射電
波又は入射電波として送受可能なのは、基本モード以外
の高調波成分も含まれる。
ンテナの要部を示す正面図である。図１を参照すると、
モノポール（ｍｏｎｏ−ｐｏｌｅ）型のアンテナ１０
は、一端が給電部１２に接続されたロッドアンテナであ
る。この種のアンテナ１０は、通常使用周波数における
波長λの４分の１、即ち、λ／４の長さを有し、基本モ
ードで使用されている。ここで、アンテナ１０の放射電
波又は入射電波として送受可能なのは、基本モード以外
の高調波成分も含まれる。
【００３２】例えば、図１において、波長３λ／４の高
調波に対するアンテナ１０上の電流分布（電流の絶対値
│Ｉ│）は、図の破線１３で示されている。
調波に対するアンテナ１０上の電流分布（電流の絶対値
│Ｉ│）は、図の破線１３で示されている。
【００３３】本発明の第１の実施の形態においては、ア
ンテナ１０上の高調波成分の電流が最大となるところ
に、スパッタ法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからな
るグラニュラー磁性薄膜１を形成することによって、高
調波成分の電流を抑制することができる。
ンテナ１０上の高調波成分の電流が最大となるところ
に、スパッタ法によって、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγからな
るグラニュラー磁性薄膜１を形成することによって、高
調波成分の電流を抑制することができる。
【００３４】従って、アンテナ１０から放射する不要
（高次）モードの抑制や、給電部に前記磁性薄膜のバラ
ン（ｂａｌｕｎ）あるいはその補助的な用途にも適用す
ることができる。尚、上記第１の実施の形態において、
グラニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを
用いたが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示さ
れる磁性体を用いれば良く、上記第１の実施の形態に限
定されるものではない。
（高次）モードの抑制や、給電部に前記磁性薄膜のバラ
ン（ｂａｌｕｎ）あるいはその補助的な用途にも適用す
ることができる。尚、上記第１の実施の形態において、
グラニュラー磁性薄膜として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを
用いたが、本発明においては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示さ
れる磁性体を用いれば良く、上記第１の実施の形態に限
定されるものではない。
【００３５】図２（ａ）は本発明の第２の実施の形態に
よるアンテナの要部を示す斜視図、図２（ｂ）は図２
（ａ）の断面図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、アンテナ２０は、逆Ｆ型アンテナと呼ばれるタイ
プであり、地板１４と、地板１４に一端を接する逆Ｌ字
形のパッチ１６と、この地板１４を貫通して、その先端
部１５ａがパッチ１６下面にの入力インピーダンスの整
合する位置に同軸ケーブル１５を備えているものなどが
ある。
よるアンテナの要部を示す斜視図、図２（ｂ）は図２
（ａ）の断面図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、アンテナ２０は、逆Ｆ型アンテナと呼ばれるタイ
プであり、地板１４と、地板１４に一端を接する逆Ｌ字
形のパッチ１６と、この地板１４を貫通して、その先端
部１５ａがパッチ１６下面にの入力インピーダンスの整
合する位置に同軸ケーブル１５を備えているものなどが
ある。
【００３６】この種のアンテナ２０においては、パッチ
１６の長さが通常の使用周波数の略λ／４波長となるよ
うに構成されており、アンテナ２０に励振される基本モ
ードにおいて使用される場合が多い。
１６の長さが通常の使用周波数の略λ／４波長となるよ
うに構成されており、アンテナ２０に励振される基本モ
ードにおいて使用される場合が多い。
【００３７】この場合にも、アンテナ２０の放射電波又
は入射電波として送受可能なのは、基本モード以外の高
調波成分も含まれる。
は入射電波として送受可能なのは、基本モード以外の高
調波成分も含まれる。
【００３８】例えば、図２において、波長３λ／４の使
用電波以外の高調波に対するアンテナ２０上の電流分布
（絶対値│Ｉ│）は、図の細線１７で示されている。
用電波以外の高調波に対するアンテナ２０上の電流分布
（絶対値│Ｉ│）は、図の細線１７で示されている。
【００３９】本発明の第２の実施の形態においては、ア
ンテナ２０上の高調波成分の電流が最大となるところを
横断するように、スパッタ法によってＦｅα−Ａｌβ−
Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜の帯３を形成したも
のを用いることによって、高調波成分の電流を抑制する
ことができる。
ンテナ２０上の高調波成分の電流が最大となるところを
横断するように、スパッタ法によってＦｅα−Ａｌβ−
Ｏγからなるグラニュラー磁性薄膜の帯３を形成したも
のを用いることによって、高調波成分の電流を抑制する
ことができる。
【００４０】従って、本発明の第２の実施の形態におい
ては、アンテナ２０から放射する不要（高次）モードの
抑制や、給電部に前記磁性薄膜を用いれば、バランある
いはその補助的な用途にも適用することができる。尚、
上記第１の実施の形態において、グラニュラー磁性薄膜
として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用いたが、本発明にお
いては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される磁性体を用いれば
良く、上記第２の実施の形態に限定されるものではな
い。
ては、アンテナ２０から放射する不要（高次）モードの
抑制や、給電部に前記磁性薄膜を用いれば、バランある
いはその補助的な用途にも適用することができる。尚、
上記第１の実施の形態において、グラニュラー磁性薄膜
として、Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏγを用いたが、本発明にお
いては、一般式Ｍ−Ｘ−Ｙで示される磁性体を用いれば
良く、上記第２の実施の形態に限定されるものではな
い。
【００４１】次に、本発明によるグラニュラー状磁性体
Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方法の具体例について、
図３を参照して説明する。
Ｍ−Ｘ−Ｙの構造と、その製造方法の具体例について、
図３を参照して説明する。
【００４２】図３は本発明の実施の形態によるスパッタ
装置の構成を示す図である。図３に示すように、スパッ
タ装置３０は、真空ポンプ２７によって排気可能な真空
チャンバー２１内に、ターゲット試料台２２及び基板２
３とを設けている。ターゲット試料台２２は外部からの
ＲＦ電源２４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット２５とその上に載せられたチップ２６と
を有している。ターゲット試料台２２と基板２３との間
には、基板を覆うように、シャッタ２８が設けられてい
る。尚、符号２９はチャンバー内にガスを供給するため
のガス供給部である。
装置の構成を示す図である。図３に示すように、スパッ
タ装置３０は、真空ポンプ２７によって排気可能な真空
チャンバー２１内に、ターゲット試料台２２及び基板２
３とを設けている。ターゲット試料台２２は外部からの
ＲＦ電源２４に接続されている。ターゲット試料台上に
は、ターゲット２５とその上に載せられたチップ２６と
を有している。ターゲット試料台２２と基板２３との間
には、基板を覆うように、シャッタ２８が設けられてい
る。尚、符号２９はチャンバー内にガスを供給するため
のガス供給部である。
【００４３】（試料１）図３に示すように、グラニュラ
ー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガ
ラス基板２３上に作製した。得られたスパッタ膜を３０
０℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１を得
た。
ー磁性薄膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガ
ラス基板２３上に作製した。得られたスパッタ膜を３０
０℃にて２時間真空磁場中熱処理を施し、試料１を得
た。
【００４４】得られた試料１を蛍光Ｘ線分析分析したと
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
ころ膜の組成は、Ｆｅ７２Ａｌ１１Ｏ１７であった。
【００４５】また、試料１の膜厚は２．０μｍ、直流抵
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１．４２
２ｋＡ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ
（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値幅
であるμ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化
とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値
は、７２．２％であった。
抗率は、５３０μΩ・ｃｍ、Ｈｋは１８Ｏｅ（１．４２
２ｋＡ／ｍ）であり、Ｍｓは１６８００Ｇａｕｓｓ
（１．６８Ｔ）、中心周波数で規格化したμ”の半値幅
であるμ”５０は１４８％であった。試料１の飽和磁化
とＭ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率の値
は、７２．２％であった。
【００４６】
【表１】
【００４７】試料の磁気損失特性を検証するためにμ−
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
ｆ特性を調べた。μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工し
た検出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながら
インピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項
μ”の周波数特性を得た。
【００４８】（比較試料１）Ａｌ２Ｏ３チップの数を９
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
０個とした以外は試料１と同様な条件、方法にて比較試
料１を得た。
【００４９】得られた比較試料１を蛍光Ｘ線分析分析し
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１．７３
８ｋＡ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ
（１．８８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％
であった。
たところ膜の組成は、Ｆｅ８６Ａｌ ６Ｏ８であった。ま
た、試料膜厚は１．２μｍ、比較試料１の直流抵抗率は
７４μΩ・ｃｍ、異方性磁界Ｈｋは２２Ｏｅ（１．７３
８ｋＡ／ｍ）であり、Ｍｓは１８８００Ｇａｕｓｓ
（１．８８Ｔ）であった。比較試料１の飽和磁化とＭ成
分のみからなる金属磁性体の飽和磁化の比率｛Ｍｓ（Ｍ
−Ｘ−Ｙ）／Ｍｓ（Ｍ）｝×１００の値は、８５．７％
であった。
【００５０】図４は本発明の試料１のμ”−ｆ特性を示
す図である。図４を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
す図である。図４を参照すると、そのピークは非常に大
きく、また、分散も急峻になっており、共鳴周波数も７
００ＭＨｚ付近と高くなっていることがわかる。
【００５１】図５は、比較試料１のμ”−ｆ特性を示す
図である。図５を参照すると、比較試料１は、飽和磁化
Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示している
が、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電流
損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率（磁
気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁率特
性が悪くなっていることが分かる。
図である。図５を参照すると、比較試料１は、飽和磁化
Ｍｓが大きいことを反映して大きなμ”を示している
が、試料の抵抗値が低い為に周波数の上昇と共に渦電流
損失が発生し、そのために低周波数領域から透磁率（磁
気損失特性）の劣化が生じており、高周波での透磁率特
性が悪くなっていることが分かる。
【００５２】これらの結果より、本発明の試料１の磁性
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
体は、高周波領域において非常に大きな磁気損失特性を
示すことがわかる。
【００５３】尚、以上延べたグラニュラー磁性膜は、Ｆ
ｅ８６Ａｌ６Ｏ８についてのみであるが、本発明のグラ
ニュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の成
分が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａある
いは希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分がＦ，
Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であって
も、同様な効果を得ることができることは明らかであ
る。
ｅ８６Ａｌ６Ｏ８についてのみであるが、本発明のグラ
ニュラー磁性薄膜は、他に一般式Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の成
分が、ＭがＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｘ成分がＣ，Ｂ，Ｓｉ，
Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｔａある
いは希土類もしくは、それらに混在物、Ｙ成分がＦ，
Ｎ，Ｏのいずれか、もしくはそれらの混在物であって
も、同様な効果を得ることができることは明らかであ
る。
【００５４】また、成膜方法に関しては、上記実施の形
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損
失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定さ
れない。
態においては、スパッタ法を用いたがその他にも蒸着法
等も適用でき、さらに、イオンビーム蒸着法やガス・デ
ポジション法などの製造方法でも良く、本発明の磁気損
失材料が均一に実現できる方法であれば、製法に限定さ
れない。
【００５５】また、本発明の実施の形態においては、モ
ノポール型アンテナ及び逆Ｆ型アンテナについて述べた
が、本発明は、アンテナエレメントを備えた高周波用の
アンテナであるならば、これらに限定されるものではな
く、また、アンテナエレメントの一部としても用いるこ
とが可能である。
ノポール型アンテナ及び逆Ｆ型アンテナについて述べた
が、本発明は、アンテナエレメントを備えた高周波用の
アンテナであるならば、これらに限定されるものではな
く、また、アンテナエレメントの一部としても用いるこ
とが可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アンテナ素子のような高周波に置いて用いられる不要電
磁波の除去に極めて有効な高周波磁気損失特性に優れた
磁性薄膜を有するアンテナを提供することができる。
アンテナ素子のような高周波に置いて用いられる不要電
磁波の除去に極めて有効な高周波磁気損失特性に優れた
磁性薄膜を有するアンテナを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるアンテナを示
す図である。
す図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態によるアン
テナの要部を示す斜視図である。（ｂ）は図２（ａ）の
断面図である。
テナの要部を示す斜視図である。（ｂ）は図２（ａ）の
断面図である。
【図３】本発明の実施の形態によるスパッタ装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態による試料１のμ”の周波
数依存性例を示す図である。
数依存性例を示す図である。
【図５】比較試料１にかかるμ”の周波数依存性の例を
示す図である。
示す図である。
１，３ グラニュラー磁性膜 １０，２０ アンテナ １１ アンテナエレメント １２ グランドプレーン １３ 高調波の電流分布を示す破線 １４ 地板 １５ 同軸ケーブル １５ａ 先端部 １６ パッチ １７ 高調波の電流分布を示す破線 ２１ 真空チャンバー ２２ ターゲット試料台 ２３ 基板 ２４ ＲＦ電源 ２５ ターゲット ２６ チップ ２７ 真空ポンプ ２８ シャッター ２９ ガス供給部 ３０ スパッタ装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AC00 BA11 5J045 AA05 AA27 DA08 HA06 MA04 NA01
Claims (15)
- 【請求項１】 使用する波長の電磁波を送信及び／又は
受信する導体からなるアンテナエレメントを備えたアン
テナであって、前記アンテナエレメントの導体の一部で
あって、前記使用波長とは異なる高調波成分の電流分布
が大きくなる部分に高周波電流抑制体を備えていること
を特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波電流抑制体を用い
たアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体は、一般式
Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少な
くとも一種、ＹはＦ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）で表
される磁気損失材料から実質的になり、前記磁気損失材
料の複素透磁率特性μにおける虚数透磁率である損失項
μ”の最大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの
周波数範囲に存在すると共に、前記μ”が前記μ”ｍａ
ｘに対し５０％以上となる周波数帯域をその中心周波数
で規格化した半値幅μ”５０が、２００％以内である挟
帯域磁気損失材料からなることを特徴とする高周波電流
抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項３】 請求項２記載の高周波電流抑制体を用い
たアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の飽和磁化
の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化
の８０％から６０％の範囲に有る事を特徴とする高周波
電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項４】 請求項１記載の高周波電流抑制体を用い
たアンテナにおいて、前記高周波電流抑制体は、一般式
Ｍ−Ｘ−Ｙ（但し、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内の少なく
とも１種、Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内の少なくとも一種、Ｘ
は、ＭおよびＹ以外の元素の内の少なくとも一種）で表
される磁気損失材料であって，前記磁気損失材料の複素
透磁率特性μにおける虚数透磁率である損失項μ”の最
大値μ”ｍａｘが１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数範
囲に存在すると共に、前記μ”が前記μ”ｍａｘに対し
５０％以上となる周波数帯域をその中心周波数で規格化
した半値巾μ”５０が、１５０％以上である広帯域磁気
損失材料からなることを特徴とする高周波電流抑制体を
用いたアンテナ。 - 【請求項５】 請求項４記載の高周波電流抑制体を用い
たアンテナにおいて、前記Ｍ−Ｘ−Ｙ磁性体の飽和磁化
の大きさが，Ｍ成分のみからなる金属磁性体の飽和磁化
の６０％から３５％の範囲に有ることを特徴とする高周
波電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項６】 請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気
損失材料は、直流電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ乃至７
００μΩ・ｃｍの範囲にあることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項７】 請求項４又は５記載の高周波電流抑制体
を用いたアンテナにおいて、前記磁気損失材料は、直流
電気抵抗率が５００μΩ・ｃｍよりも大きい値であるこ
とを特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項８】 請求項２乃至７の内のいずれかに記載の
高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気
損失材料は、Ｘ成分が、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｔａ、及び希土類元素の
内の少なくとも一種からなることを特徴とする高周波電
流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項９】 請求項２乃至８の内のいずれかに記載の
高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記磁気
損失材料は、前記Ｍが前記Ｘ−Ｙ化合物のマトリックス
中に分散されたグラニュラー状の形態で存在する事を特
徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項１０】 請求項２乃至９の内のいずれかに記載
の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記グ
ラニュラー状の形態を有する粒子Ｍの平均粒子径が、１
〜４０ｎｍの範囲内にある事を特徴とする高周波電流抑
制体を用いたアンテナ。 - 【請求項１１】 請求項２乃至１０の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記
磁気損失材料は、異方性磁界Ｈｋが４７．４（ｋＡ／
ｍ）以下である事を特徴とする高周波電流抑制体を用い
たアンテナ。 - 【請求項１２】 請求項２乃至１１の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記
磁気損失材料は、一般式Ｆｅα−Ａｌβ−Ｏ γで表され
ることを特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテ
ナ。 - 【請求項１３】 請求項２乃至１１の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記
磁気損失材料は、一般式Ｆｅα−Ｓｉβ−Ｏ γで表され
ることを特徴とする高周波電流抑制体を用いたアンテ
ナ。 - 【請求項１４】 請求項２乃至１２の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記
磁気損失材料は、スパッタ法及び蒸着法の内のいずれか
により作製された薄膜磁性体からなることを特徴とする
高周波電流抑制体を用いたアンテナ。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４の内のいずれかに記
載の高周波電流抑制体を用いたアンテナにおいて、前記
磁気損失材料は、０．３〜２０μｍの範囲内の厚さを備
えている高周波電流抑制体であることを特徴とする高周
波電流抑制体を用いたアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101690A JP2001284947A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 高周波電流抑制体を用いたアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000101690A JP2001284947A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 高周波電流抑制体を用いたアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284947A true JP2001284947A (ja) | 2001-10-12 |
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ID=18615686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000101690A Withdrawn JP2001284947A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 高周波電流抑制体を用いたアンテナ |
Country Status (1)
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|---|---|
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-
2000
- 2000-04-04 JP JP2000101690A patent/JP2001284947A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060605 |
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| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070612 |