JP2001284132A - 磁気コア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気ケーブルから漏洩する、比較的低い周波
数の高周波電流ばかりでなく、比較的高い周波数の高周
波電流をも抑制すること。 【解決手段】 磁気コア（１０）は、一対の割りコア
（１０−１、１０−２）から成り、これら一対の割りコ
アを合わせた断面形状は、環状をしている。割りコア
（１０−１、１０−２）の各々は内周面（１０−１ａ、
１０−２ａ）を有する。このような構造の磁気コア（１
０）において、内周面（１０−１ａ、１０−２ａ）に、
それぞれ、磁気損失膜（１５−１、１５−２）を形成し
ている。また、磁気損失膜としては、グラニュラー磁性
薄膜を使用することができる。グラニュラー磁性薄膜
は、例えば、スパッタ法により形成されたスパッタ膜で
あっても良いし、蒸着法により形成された蒸着膜であっ
ても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気コアに関し、
特に、電気ケーブルから漏洩する高周波電流を抑制する
ために、電気ケーブルに装着して使用される割りコアな
どの磁気コアに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像プロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波ノ
イズの主要因となっている。

【０００３】一方，電子部品や電子機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配線基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。従って、過密に集積あるいは実装された電子素子
や信号線が、互いに極めて接近することになり，前述し
た信号処理速度の高速化と併わせて、高周波輻射ノイズ
が誘発され易い状況となっている。

【０００４】このような高周波輻射ノイズは、上記電子
部品や電子機器から、それに接続された同軸ケーブルな
どの電気ケーブルを介して高周波電流として漏洩するこ
とになる。

【０００５】従来、このような漏洩する高周波電流を抑
制するために、電気ケーブルに割りコアなどの磁気コア
を装着することが行われている。そのような磁気コアの
材料としてはフェライトが使用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなフェライトから磁気コアは、比較的低い周波数
（例えば、数十ＭＨｚ）の高周波電流しか抑制すること
ができず、比較的高い周波数（例えば、１ＧＨｚ付近）
の高周波電流を抑制することは困難である。

【０００７】したがって、本発明の目的は、電気ケーブ
ルから漏洩する、比較的低い周波数の高周波電流ばかり
でなく、比較的高い周波数の高周波電流をも抑制するこ
とが可能な磁気コアを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以前に高
周波での磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを
不要輻射源の近傍に配置する事で、上記した半導体素子
や電子回路などから発生する不要輻射を効果的に抑制す
る方法を見出している。この様な磁気損失を利用した不
要輻射減衰の作用機構については、最近の研究から、不
要輻射源となっている電子回路に対して等価的な抵抗成
分が付与されることによることが分かっている。ここ
で、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁気損失項
μ”の大きさに依存している。より詳しくは、電子回路
に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁性体の面
積が一定の場合にはμ”と磁性体の厚さに略比例する。
したがって、より小さなあるいはより薄い磁性体で所望
の不要輻射減衰を得るためには、より大きなμ”が必要
になってくる。例えば、半導体素子のモールド内部のよ
うな微小領域において磁気損失体を用いた不要輻射対策
を行う為には、磁気損失項μ”がきわめて大きな値であ
る必要があり、従来の磁気損失材料に比べて格段に大き
なμ”を有する磁性体が求められていた。本発明は、か
かる現状に鑑みてなされたものである。

【０００９】また、本発明者らは、スパッタ法あるいは
蒸着法による軟磁性体の研究過程において、微小な磁性
金属粒子が、セラミックスのような非磁性体中に均質に
分散されたグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着
目し、磁性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を
研究した結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属
粒子の濃度が特定の範囲にある場合に、高周波領域にお
いて優れた磁気損失特性が得られる事を見出した。Ｍ−
Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのい
づれか、ＸはＭ、Ｙ以外の元素）なる組成を有するグラ
ニュラー磁性体については、これまでに多くの研究がな
され、低損失で大きな飽和磁化を有する事が知られてい
る。このＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体において、飽和
磁化の大きさは、Ｍ成分の占める体積率に依存するの
で、大きな飽和磁化を得るためには、Ｍ成分の比率を高
くする必要がある。そのため、高周波インダクタ素子あ
るいはトランス等の磁心として用いるような一般的な用
途にはＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁性体中のＭ成分の割合
は、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の
おおむね８０％以上の飽和磁化が得られる範囲に限られ
ていた。

【００１０】本発明者らは、Ｍ−Ｘ−Ｙ（Ｍは磁性金属
元素、ＹはＯあるいはＮ，Ｆのいづれか、ＸはＭ、Ｙ以
外の元素）なる組成を有するグラニュラー磁性体におい
て、Ｍ成分の占める割合を広い範囲で検討した結果、い
ずれの組成系でも磁性金属Ｍが特定濃度の範囲にある場
合に、高周波領域で大きな磁気損失を示すことを見出
し、本発明に至った。

【００１１】Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみからなるバル
ク金属磁性体の飽和磁化に対して８０％以上の飽和磁化
を示すような最も高い領域は、従来より盛んに研究され
ている高飽和磁化で低損失なＭ−Ｘ−Ｙグラニュラー磁
性体の領域である。この領域にある材料は、実数部透磁
率（μ’）と飽和磁化の値が共に大きいため、前述した
高周波インダクタのような高周波マイクロ磁気デバイス
に用いられるが、電気抵抗を左右するＸ−Ｙ成分の占め
る割合が少ないので、電気抵抗率が小さい。その為に膜
厚が厚くなると高周波領域でのうず電流損失の発生に伴
って高周波での透磁率が劣化するので、ノイズ対策に用
いるような比較的厚い磁性膜には不向きである。Ｍ成分
の比率が、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和
磁化の８０％以下で６０％以上となる飽和磁化を示す領
域は、電気抵抗率がおおむね１００μΩ・ｃｍ以上と比
較的大きい為に、材料の厚さが数μｍ程度あってもうず
電流による損失が少なく、磁気損失はほとんど自然共鳴
による損失となる。その為、磁気損失項μ”の周波数分
散巾が狭くなるので、挟帯域な周波数範囲でのノイズ対
策（高周波電流抑制）に適している。Ｍ成分の比率が、
Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化の６０
％以下で３５％以上の飽和磁化を示す領域は、電気抵抗
率がおおむね５００μΩ・ｃｍ以上と更に大きいため
に、うず電流による損失は極めて小さく、Ｍ成分間の磁
気的な相互作用が小さくなることで、スピンの熱擾乱が
大きくなり自然共鳴の生じる周波数に揺らぎが生じ、そ
の結果、磁気損失項μ”は広い範囲で大きな値を示すよ
うになる。したがって、この組成領域は広帯域な高周波
電流の抑制に適している。

【００１２】一方、Ｍ成分の比率が本発明の領域よりも
更に小さな領域は、Ｍ成分間の磁気的相互作用がほとん
ど生じなくなるので超常磁性となる。

【００１３】電子回路の直近に磁気損失材料を配設して
高周波電流を抑制する際の材料設計の目安は、磁気損失
項μ”と磁気損失材料の厚さδの積μ”・δで与えら
れ、数１００ＭＨｚの周波数の高周波電流に対して効果
的な抑制を得るには、おおむねμ”・δ≧１０００（μ
ｍ）が必要となる。したがって、μ”＝１０００の磁気
損失材料では１μｍ以上の厚さが必要になり、うず電流
損失の生じ易い低電気抵抗な材料は好ましくなく、電気
抵抗率が１００μΩｃｍ以上となるような組成、すなわ
ち本発明の組成系では、Ｍ成分の比率が、Ｍ成分のみか
らなるバルク金属磁性体の飽和磁化の８０％以下となる
飽和磁化を示し、かつ、超常磁性の発現しない領域即
ち、Ｍ成分のみからなるバルク金属磁性体の飽和磁化に
対して３５％以上の飽和磁化を示す領域が適している。

【００１４】本発明は、上述したグラニュラー磁性薄膜
のような磁気損失膜を応用した発明である。ここで、
「グラニュラー磁性薄膜」とは、磁性を担う粒子の大き
さが数ｎｍ〜数十ｎｍと極めて小さく、各々の粒子がセ
ラミック成分からなる粒界にて区切られた微細構造を有
し、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波において非常に大き
な磁気的損失を示す磁性薄膜のことをいい、この技術分
野では「微結晶薄膜」とも呼ばれている。

【００１５】すなわち、本発明によれば、内周面を有す
る筒状の磁気コアにおいて、内周面に磁気損失膜を形成
してなる磁気コアが得られる。

【００１６】上記磁気コアは、例えば、割りコアであっ
て良い。また、磁気損失膜としては、グラニュラー磁性
薄膜を使用することができる。グラニュラー磁性薄膜
は、例えば、スパッタ法により形成されたスパッタ膜で
あっても良いし、蒸着法により形成された蒸着膜であっ
ても良い。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１８】図１を参照して、本発明の一実施の形態に
係る磁気コア１０について説明する。図示の磁気コア１
０は、一対の割りコア１０−１および１０−２から成
り、これら一対の割りコア１０−１および１０−２を合
わせた断面形状は、環状をしている。割りコア１０−１
および１０−２の各々は内周面１０−１ａおよび１０−
２ａを有する。割りコア１０−１および１０−２はフェ
ライトから成る。

【００１９】このような構造の磁気コア１０において、
本発明では、内周面１０−１ａおよび１０−２ａに、そ
れぞれ、磁気損失膜１５−１および１５−２を形成して
いる。

【００２０】ここで、磁気損失膜１５−１および１５−
２としては、本発明者らが既に出願済み（平成１２年１
月２４日出願の２０００年特願第５２５０７号）のグラ
ニュラー磁性薄膜（以下、「先願」と呼ぶ。）を使用す
ることができる。そのようなグラニュラー磁性薄膜は、
先願の明細書中に記載されているように、スパッタ法や
反応性スパッタ法或いは蒸着法を用いて製造することが
できる。換言すれば、グラニュラー磁性薄膜は、スパッ
タ法や反応性スパッタ法により形成されたスパッタ膜で
あっても良いし、或いは、蒸着法により形成された蒸着
膜であっても良い。尚、グラニュラー磁性薄膜を製造す
る場合、実際には、上記スパッタ膜や上記蒸着膜を所定
温度にて所定時間、真空磁場中で熱処理を施している。

【００２１】尚、グラニュラー磁性薄膜の詳細な製造方
法については、上記先願に詳しく説明してあるので、そ
れを参照されたい。

【００２２】このようにして形成されるグラニュラー磁
性薄膜は、膜厚が薄く（例えば、２．０μｍ以下）て
も、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波において非常に大き
な磁気的損失を示すことを、本発明者らは実験で既に確
認している。

【００２３】そして、本発明者らは、準マイクロ波帯に
磁気損失項μ”分散を示す本発明に係るグラニュラー磁
性薄膜は、厚さが約５００倍の複合磁性体シートと同等
の高周波電流抑制効果を示すことを実験で既に確認して
いる。従って、本発明に係るグラニュラー磁性薄膜は、
１ＧＨｚに近い高速クロックで動作するような半導体集
積素子等のＥＭＩ対策に用いる材料として有望であると
いえる。

【００２４】次に、図２を参照して、磁気損失膜１５と
してのグラニュラー磁性薄膜を製造する装置の一例とし
てスパッタリング製造装置について説明する。このスパ
ッタリング製造装置は、真空容器（チャンバ）１８と、
このチャンバ１８に結合されたガス供給装置２２及び真
空ポンプ２３とを備える。チャンパ１８内では、シャッ
タ２１を挟んで基板２３とターゲット２５とが対向した
配置されている。ターゲット２５は、組成分Ｘ，Ｙ、或
いは組成分Ｘから成るチップ２４を所定の間隔で配置さ
れた組成分Ｍから成る。チップ２４及びターゲット２５
の支持部側には、ＲＦ電源２６の一端が接続され、ＲＦ
電源２６の他端は接地されている。

【００２５】次に、このような構成のスパッタリング製
造装置を用いて製造されるグラニュラー磁性薄膜（試料
１）の製造例について説明する。

【００２６】先ず、ターゲット２５となる直径φ＝１０
０ｍｍのＦｅ製円板上にチップ２４となる寸法＝縦５ｍ
ｍ×横５ｍｍ×厚さ２ｍｍの総計１２０個のＡｌ₂Ｏ₃チ
ップを配備した。そして、真空ポンプ２７で真空容器１
８内を真空度約１．３３×１０^-4Ｐａとなるように保っ
た状態で、ガス供給装置２２により真空容器１８内へＡ
ｒガスを供給することにより、真空容器１８内をＡｒガ
ス雰囲気にする。この状態において、ＲＦ電源２６より
高周波の電源を供給する。このような条件下において、
スパッタ法により基板２３となるガラス基板上に磁性薄
膜を成膜した。その後、更に得られた磁性薄膜を３００
℃の温度条件の真空磁場中で２時間熱処理を施すことに
よって、上述したグラニュラー磁性薄膜による試料１を
得た。

【００２７】このようにして得られた試料１を蛍光Ｘ線
分析したところ膜の組成は、Ｆｅ₇₂Ａｌ₁₁Ｏ₁₇の組成を
有し、膜厚は２．０μｍ、直流抵抗率は５３０μΩ・ｃ
ｍであった。また、試料１の異方性磁界Ｈ_kは１８（Ｏ
ｅ）であり、飽和磁化Ｍ_sは１．６８Ｔ（テスラ）であ
った。さらに、試料１の複素透磁率特性上で磁気損失項
μ”にあっても最大値μ”_maxに対して５０％以上とな
る周波数帯域をその中心周波数で規格化した半幅分相当
の半値巾μ”₅₀は１４８％であった。また、試料１の飽
和磁化Ｍ_s（Ｍ−Ｘ−Ｙ）と組成分Ｍのみから成る金属
磁性体の飽和磁化Ｍ_s（Ｍ）との比率{Ｍ_s（Ｍ−Ｘ−
Ｙ）／Ｍ_s（Ｍ）}×１００％は７２．２％であった。

【００２８】又、試料１の磁気損失特性を検証するため
に、周波数ｆに対する透磁率μ特性（μ−ｆ特性）を次
のようにして調べた。すなわち、μ−ｆ特性の測定は、
短冊状に加工した検出コイルに試料１を挿入して、バイ
アス磁場を印加しながらインピーダンスを測定すること
により行った。この結果に基づいて、磁気損失項μ”の
周波数特性（μ”−ｆ特性）を得た。

【００２９】図３はこの試料１のμ”−ｆ特性を示す図
である。図３において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を、
縦軸は磁気損失項μ”をそれぞれ表している。図３か
ら、試料１の磁気損失項μ”は、その分散がやや急峻で
ピーク値が非常に大きくなっており、共鳴周波数も７０
０ＭＨｚ付近と高くなっていることが判る。

【００３０】更に、図４に示すような高周波電磁干渉抑
制効果測定装置３０を用いて試料１における高周波電磁
干渉抑制効果を検証実験した。但し、高周波電磁干渉抑
制効果測定装置３０は、線路長が７５ｍｍで特性インピ
ーダンスＺc＝５０Ωのマイクロストリップ線路３１の
長手方向の両側にマイクロストリップ線路３１と図示し
ないネットワークアナライザ（ＨＰ８７５３Ｄ）とを接
続するための同軸線路３２を配備した上で、マイクロス
トリップ線路３１の試料配置部３１ａの真上に磁性体試
料３３を配置することにより、２ポート間の伝送特性Ｓ
₂₁を測定可能なものである。

【００３１】この高周波電磁干渉抑制効果測定装置３０
の構成のように、伝送路の真近に磁気損失材料を配置し
た伝送路に等価的な抵抗成分を付与することで高周波電
流を抑制する場合において、高周波電流の抑制効果の大
きさは磁気損失項μ”の大きさと磁性体の厚さδとの積
μ”・δにほぼ比例すると考えられる。

【００３２】図５は、高周波電流抑制効果測定装置３０
により試料磁性体の高周波電流抑制効果を測定した結果
を示す周波数ｆ（ＭＨｚ）に対する伝送特性Ｓ₂₁（ｄ
Ｂ）を示したものである。

【００３３】図５から、試料１の伝送特性Ｓ₂₁は、１０
０ＭＨｚ以上から減少し、２ＧＨｚ近くで−１０ｄＢの
極小値を示した後に増加していることが判る。この結果
により、伝送特性Ｓ₂₁が磁性体の磁気損失項μ”の分散
に依存すると共に、抑制効果の大きさが上述した積μ”
・δに依存することが判る。

【００３４】ところで、このような試料１のような磁性
体は、図６に示されるように、寸法がｌであって、透磁
率μ、誘電率εの分布定数線路として構成されるものと
みなすことができる。この場合、単位長さ（Δｌ）当た
りの等価回路定数として、直列接続された形態の単位イ
ンダクタンスΔＬ、単位抵抗ΔＲ、並びにこれらと接地
線との間に介在される単位静電容量ΔＣ、単位接地コン
ダクタンスΔＧを有する。これらを伝送特性Ｓ₂₁に基づ
いて試料寸法に換算した場合、試料１は、等価回路定数
としてインダクタンスＬ、抵抗Ｒ、並びに静電容量Ｃ、
接地コンダクタンスＧを有する等価回路とみなすことが
できる。

【００３５】ここでの高周波電磁干渉の抑制効果での検
討のように、磁性体のマイクロストリップ線路３１上に
配置した場合、伝送特性Ｓ21の変化は等価回路において
主にインダクタンスＬに対して直列に付加される抵抗Ｒ
の成分によるものであることから、抵抗Ｒの値を求めて
その周波数依存性を調べることができる。

【００３６】図７は、図５に示した伝送特性Ｓ₂₁におい
て、図６に示した等価回路のインダクタンスＬに対して
直列に付加される抵抗Ｒの値に基づいて算出した、周波
数ｆ（ＭＨｚ）に対する抵抗値Ｒ（Ω）の特性を示した
ものである。

【００３７】図７から、抵抗値Ｒは準マイクロ波帯の領
域で単調に増加し、３ＧＨｚでは数１０Ωとなり、その
周波数依存特性は１ＧＨｚ付近に極大を持った磁気損失
項μ”の周波数分散とは異なる傾向になっていることが
判る。これは上述した積μ”・δに加えて波長に対する
試料寸法の比率が単調増加することを反映している結果
と考えられる。

【００３８】以上の結果から、準マイクロ波帯に磁気損
失項μ”分散を示す試料は、厚さが約５００倍の複合磁
性体シートと同等の高周波電流抑制効果を示すため、１
ＧＨｚにおける高周波電磁干渉抑制対策へ適用すること
が有効であるといえる。

【００３９】前述したように、本実施の形態に係る磁気
コア１０は、その内周面に磁気損失膜１５−１および１
５−２を形成している。磁気損失膜１５−１および１５
−２を除く磁気コア１０それ自体の磁気損失項μ”は、
比較的低い周波数（例えば、数十ＭＨｚ）でピークを持
つ周波数特性を有しているのに対して、磁気損失膜それ
自体の磁気損失項μ”は、比較的高い周波数（例えば、
１ＧＨｚ付近）でピークを持つ周波数特性を有してい
る。したがって、磁気コア１０の磁気損失項μ”は、そ
れら２つの特性を合わせた２つのピークを持つ周波数特
性となる。その結果、このような磁気損失項μ”の周波
数特性を持つ磁気コア１０を、電気ケーブル（図示せ
ず）に装着することにって、その電気ケーブルから漏洩
した、比較的低い周波数の高周波電流ばかりでなく、比
較的高い周波数の高周波電流をも抑制することできる。

【００４０】尚、本発明は上述した実施の形態に限定せ
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更・
変形が可能なのは勿論である。例えば、本発明の実施の
形態では、グラニュラー磁性薄膜の製造方法としてスパ
ッタ法による製造例のみを示したが、真空蒸着法やイオ
ンビーム蒸着法、ガス・デポジション法などの他の製造
方法でも良く、本発明に係る磁気損失膜が均一に実現で
きる方法であれば、製法に限定されない。

【００４１】また、本発明の実施の形態では、成膜後に
真空磁場中での熱処理を施しているが、アズ・デポジシ
ョンの膜で、本発明の性能が得られる組成あるいは成膜
法であれば、実施の形態に記載の成膜後処理に限定され
ない。

【００４２】さらに、上述した実施の形態では、磁気コ
ア１０として割りコアを例に挙げて説明したが、一体コ
アにも適用可能であるのは勿論である。

【００４３】また、上述した実施の形態では、磁気コア
１０（割りコア１０−１および１０−２）の内周面１０
−１ａおよび１０−２ａに磁気損失膜１５−１および１
５−２を直接形成した場合の例についてのみ説明してい
るが、例えば、磁気損失膜が表面に形成されている粘着
テープを、磁気コアの内周面に貼り付けるようにしても
良いのは勿論である。また、上記実施の形態では、磁気
損失膜１５−１および１５−２がグラニュラー磁性薄膜
である場合を例に挙げて説明したが、それに限定され
ず、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波において非常に大き
な磁気的損失を示すものであればどのような膜でも良
い。

【００４４】さらに、上述した実施の形態では、円筒状
のコアを例に挙げて説明したが、コア形状は角筒状でも
良いのは勿論である。

【００４５】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、磁気
コアの内周面に磁気損失膜を形成しているので、スペー
スをとらずに、電気ケーブルの外周に生じる漏洩高周波
電流（比較的低い周波数のものばかりでなく比較的高い
周波数のもの）を効率的に抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による磁気コアの一例を
示す概略正面図である。

【図２】スパッタ法による試料作製装置の概略断面図で
ある。

【図３】磁気損失膜としての試料１に係る磁気損失項
μ”の周波数依存性の一例を示す図である。

【図４】磁気損失膜としての試料１からなる高周波電流
抑制体の抑制効果を見るための測定系を示す斜視図であ
る。

【図５】磁気損失膜としての試料１の伝送特性（Ｓ₂₁）
の周波数特性を示す図である。

【図６】磁気損失膜である磁性体の等価回路を示す図で
ある。

【図７】磁気損失膜としての試料１の伝送特性（Ｓ₂₁）
より算出した抵抗値Ｒの周波数特性を示す図である。

【符号の説明】

１０ 磁気コア １０−１，１０−２ 割りコア １０−１ａ，１０−２ａ 内周面 １５−１，１５−２ 磁気損失膜（グラニュラー磁性
薄膜）

フロントページの続き (72)発明者 仲野 浩 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 5E058 BB19 5E070 AA01 AB01 BA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内周面を有する筒状の磁気コアにおい
   て、前記内周面に磁気損失膜を形成してなる磁気コア。
2. 【請求項２】 前記磁気コアが割りコアである、請求項
   １に記載の磁気コア。
3. 【請求項３】 前記磁気損失膜がグラニュラー磁性薄膜
   である、請求項１又は請求項２に記載の磁気コア。
4. 【請求項４】 前記グラニュラー磁性薄膜がスパッタ法
   により形成されたスパッタ膜である、請求項３に記載の
   磁気コア。
5. 【請求項５】 前記グラニュラー磁性薄膜が蒸着法によ
   り形成された蒸着膜である、請求項３に記載の磁気コ
   ア。