CN210223996U - 带薄膜屏蔽层的电子部件 - Google Patents

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Hirokazu Yazaki
矢崎浩和
Keito Yonemori
米森启人
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Abstract

本实用新型提供有效地抑制来自电子部件的低频噪声的辐射的结构。带薄膜屏蔽层的电子部件(10)具备布线基板(20)、在布线基板(20)的第1主面(201)搭载的表面安装部件(51、52)、金属薄膜屏蔽层(70)、以及磁性金属薄膜屏蔽层(80)。金属薄膜屏蔽层(70)通过非磁性金属材料的薄膜工艺，覆盖表面安装部件(51、52)的顶面侧和侧面侧的整体。另外，金属薄膜屏蔽层(70)具有顶面部和侧面部。磁性金属薄膜屏蔽层(80)通过磁性金属材料的薄膜工艺覆盖包括金属薄膜屏蔽层(70)的顶面部和侧面部连接的边缘部(700)整体的顶面部和侧面部。

Description

带薄膜屏蔽层的电子部件
技术领域
本实用新型涉及电路基板、安装于该电路基板的表面安装部件、和具备覆盖电路基板的表面的屏蔽构件的电子部件。
背景技术
以往，电子设备中多使用将各种表面安装部件安装于基板的电子部件。例如，专利文献1、2、3中，作为电子部件而记载有电子电路封装。
专利文献1记载的电子部件(模块)具备基板、表面安装部件、密封部和金属膜。
表面安装部件安装于基板的表面。密封部覆盖基板的表面。金属膜覆盖密封部、基板的最表层。
专利文献2记载的电子部件(电子电路封装)具备基板、多个表面安装部件、模制树脂、磁性膜和金属膜。
多个表面安装部件安装于基板的表面。模制树脂覆盖基板的表面，磁性膜覆盖模制树脂的至少上表面。金属膜覆盖磁性膜和模制树脂。
与专利文献1记载的电子部件相同，专利文献3记载的电子部件(电子电路封装)具备基板、多个表面安装部件、模制树脂和覆盖模制树脂的金属膜。基本构造与专利文献1记载的电子部件相同。对于专利文献3记载的电子部件而言，还在金属膜中的与容易受到噪声的影响的IC芯片接近的部分的表面配置有磁性膜。
专利文献1:日本特开2011-77430号公报
专利文献2:日本特许第5988003号说明书
专利文献3:日本特许第5988004号说明书
然而，在专利文献1、2、3记载的结构中，有时无法有效地抑制表面安装部件所产生的噪声。
具体而言，表面安装部件所产生的噪声具有高频成分(高频噪声)和低频成分(低频噪声)。其中，低频噪声容易通过金属屏蔽层亦即金属膜传播。
在专利文献1记载的结构中，金属屏蔽层亦即金属膜具备于最表层，因此到达该金属膜的低频噪声辐射。特别是从最表层的金属膜中的电流容易集中的边缘部辐射低频噪声。
在专利文献2、3记载的结构中，表面安装部件的接地端子与基底电路基板的接地导体连接。因此，有时表面安装部件的接地端子和金属膜经由基底电路基板的接地导体连接。因此，表面安装部件所产生的低频噪声经由基底电路基板的接地导体向金属膜传播，从金属膜的边缘部向外部辐射。特别是，在基底电路基板的接地导体流动的低频噪声的振幅存在变大的趋势，导致这样的振幅较大的低频噪声向外部辐射。
发明内容
因此，本实用新型的目的在于提供能够有效地抑制来自电子部件的低频噪声的辐射的结构。
该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件具备：布线基板、在布线基板的第1主面搭载的表面安装部件、金属薄膜屏蔽层、以及磁性金属薄膜屏蔽层。金属薄膜屏蔽层通过非磁性金属材料的薄膜工艺覆盖表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体。另外，金属薄膜屏蔽层具有顶面部和侧面部。磁性金属薄膜屏蔽层通过磁性金属材料的薄膜工艺，包含金属薄膜屏蔽层的使顶面部和侧面部连接的边缘部的整体地，覆盖顶面部和侧面部。
在该结构中，金属薄膜屏蔽层的边缘部的整体由磁性金属薄膜屏蔽件覆盖，由此可抑制低频噪声从低频噪声容易辐射的位置向外部辐射。高频噪声向外部的辐射由金属薄膜屏蔽层抑制。
另外，该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件优选为，密封树脂层覆盖表面安装部件，金属薄膜屏蔽层设置于密封树脂层的外侧。
在该结构中，表面安装部件由密封树脂层保护。另外，能够容易形成金属薄膜屏蔽层。
另外，该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件优选为以下结构。金属薄膜屏蔽层的顶面部和侧面部、与磁性金属薄膜屏蔽层抵接。
在该结构中，金属薄膜屏蔽层与磁性金属屏蔽层间的紧贴性提高，可靠性提高。
另外，该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件优选为以下结构。布线基板具备接地电极，金属薄膜屏蔽层连接于该接地电极。
在该结构中，将高频噪声从金属薄膜屏蔽层高效地向接地件引导。
另外，在该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件中，优选布线基板为包含磁性体层的磁性体基板。
在该结构中，通过磁性金属屏蔽层和磁性体基板，形成闭合磁路，低频噪声的辐射的抑制效果提高。
另外，在该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件中，优选为以下的结构。还设置有包含磁性材料的树脂层，以覆盖表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体。
在该结构中，低频噪声的辐射的抑制效果进一步提高。
另外，在该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件中，优选为以下的结构。在俯视金属薄膜屏蔽层的顶面部时，金属薄膜屏蔽层至少在与一个表面安装部件重叠的部分具有开口。
在该结构中，成为与低频噪声和高频噪声各自的频率特性匹配的构造，低频噪声、高频噪声的辐射的抑制效果进一步提高。
另外，在该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件中，优选为以下的结构。金属薄膜屏蔽层对多个表面安装部件中的一部分表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体进行覆盖。
在该结构中，通过表面安装部件的模块的结构、电子部件的种类，能够得到最佳的屏蔽效果，低频噪声、高频噪声的辐射的抑制效果进一步提高。
另外，在该实用新型的带薄膜屏蔽层的电子部件中，优选为以下的结构。金属薄膜屏蔽层的边缘部局部具有曲率。
在该结构中，可缓和电流在边缘部集中，成为抑制来自该部分的辐射的构造，噪声的辐射的抑制效果进一步提高。
根据该实用新型，能够有效地抑制来自电子部件的低频噪声的辐射。
附图说明
图1是本实用新型的第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。
图2是本实用新型的第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。
图3是表示磁性金属、铁氧体以及含有磁性体粉的树脂的透磁率的频率特性的坐标图。
图4是本实用新型的第3实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。
图5是本实用新型的第4实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。
图6的(A)、(B)是本实用新型的第5实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图6的(C)是对本实用新型的第5实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行了俯视的概要图。
图7的(A)是本实用新型的第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图7的(B)是对本实用新型的第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行了俯视的概要图。图7的(C)是本实用新型的第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的电路图。
图8的(A)是本实用新型的第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图8的(B)是对本实用新型的第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行了俯视的概要图。图8的(C)是本实用新型的第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的电路图。
具体实施方式
(第1实施方式)
参照附图对本实用新型的第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图1是本实用新型的第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。此外，图1中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。
如图1所示，带薄膜屏蔽层的电子部件10具备布线基板20、表面安装部件51、52、密封树脂层60、金属薄膜屏蔽层70、以及磁性金属薄膜屏蔽层80。
布线基板20是具有相互对置的第1主面201和第2主面202的形状(例如平板状)。布线基板20具有使第1主面201和第2主面202连接的侧面。布线基板20例如是玻璃环氧基板。
在布线基板20形成有导体图案211和层间连接导体212。导体图案211是沿与厚度方向正交的方向延伸的形状，层间连接导体212是沿与厚度方向平行的方向延伸的形状。此外，一部分导体图案211在布线基板20的侧面暴露。
在布线基板20的第1主面201形成有部件用连接盘导体411、412。另外，在布线基板20的第2主面202形成有接地用端子导体301、外部连接用端子导体311。
部件用连接盘导体411、412经由导体图案211、层间连接导体212以规定的电路图案连接于接地用端子导体301、外部连接用端子导体311。由此，实现由布线基板20构成的电路。
表面安装部件51安装于部件用连接盘导体411，表面安装部件52安装于部件用连接盘导体412。即，表面安装部件51、52安装于布线基板20的第1主面201。表面安装部件51例如是IC芯片，表面安装部件52例如是贴片电容器。
密封树脂层60覆盖表面安装部件51、52和第1主面201。密封树脂层60的侧面与布线基板20的侧面共面。密封树脂层60由环氧树脂等构成。优选包含氧化铝、二氧化硅等非金属填料，但不包含磁性金属、非磁性金属的填料。
金属薄膜屏蔽层70覆盖密封树脂层60的顶面和侧面的整个面。换言之，金属薄膜屏蔽层70覆盖密封树脂层60的外侧，并覆盖表面安装部件51、52的顶面侧和侧面侧的整体。并且，金属薄膜屏蔽层70沿着厚度方向覆盖至布线基板20的侧面的中途位置。即，金属薄膜屏蔽层70覆盖至密封树脂层60的侧面的整个面和布线基板20的侧面的靠第1主面201侧的区域。
金属薄膜屏蔽层70通过溅射等薄膜工艺形成，因此紧贴性好。金属薄膜屏蔽层70按SUS、Cu、SUS的顺序由三层形成。优选金属薄膜屏蔽层70的厚度为3μm～5μm以上。
金属薄膜屏蔽层70与在布线基板20的侧面暴露的导体图案211连接。由此，金属薄膜屏蔽层70与接地用端子导体301连接。
优选在密封树脂层60的使顶面和侧面连接的边缘部形成有使角变圆的圆弧倒角。由此边缘部在其局部具有曲率。密封树脂层60的边缘部被圆弧倒角，由此在通过溅射等薄膜工艺形成的金属薄膜屏蔽层70的使顶面和侧面连接的边缘部700也形成有圆弧倒角。因此，能够缓和电流在金属薄膜屏蔽层70的边缘部700集中的情况，能够抑制来自该部分的辐射。
磁性金属薄膜屏蔽层80包含金属薄膜屏蔽层70的边缘部700，覆盖顶面的整个面和侧面。并且，磁性金属薄膜屏蔽层80在厚度方向上覆盖布线基板20的侧面到中途位置为止。磁性金属薄膜屏蔽层80以坡莫合金等镍系的合金作为材料。磁性金属薄膜屏蔽层80优选在可得到所希望的低频噪声的遮挡效果的范围内尽可能薄。
通过成为这样的结构，带薄膜屏蔽层的电子部件10通过金属薄膜屏蔽层70抑制从表面安装部件产生的高频噪声向外部辐射，通过磁性金属薄膜屏蔽层80抑制低频噪声向外部辐射。并且，金属薄膜屏蔽层70的边缘部700由磁性金属薄膜屏蔽层覆盖，因此即便低频噪声向金属薄膜屏蔽层70传播，从容易辐射的边缘部700辐射，也能够由磁性金属薄膜屏蔽层80抑制。
另外，金属薄膜屏蔽层70和磁性金属薄膜屏蔽层80为薄膜，因此能够使带薄膜屏蔽层的电子部件10的厚度变小。另外，金属薄膜屏蔽层70和磁性金属薄膜屏蔽层80为薄膜，因此紧贴性高。因此，可靠性提高。并且，是比含金属填料的树脂层、含磁性金属填料的树脂层那样复合类型致密的薄膜，因此能够提高低频噪声的除去能力。
(第2实施方式)
参照附图对本实用新型的第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图2是本实用新型的第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。此外，在图2中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。
如图2所示，相比于第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10，第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件在布线基板21、密封树脂层61、金属薄膜屏蔽层71、磁性金属薄膜屏蔽层80A、磁性屏蔽层90A和金属屏蔽用连接盘导体450的形状方面不同。带薄膜屏蔽层的电子部件10A的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10相同，省略相同部位的说明。此外，布线基板21例如是磁性体多层基板，例如是铁氧体陶瓷等LTCC多层基板。密封树脂层61与密封树脂层60对应，金属薄膜屏蔽层71与金属薄膜屏蔽层70对应。
布线基板21是具有相互对置的第1主面203和第2主面204的形状(例如平板状)。布线基板21具有使第1主面203和第2主面204连接的侧面。
在布线基板21形成有导体图案213和层间连接导体214。导体图案213是沿与厚度方向正交的方向延伸的形状，层间连接导体214是沿与厚度方向平行的方向延伸的形状。
在布线基板21的第1主面203上形成有部件用连接盘导体411、412和多个金属屏蔽用连接盘导体450。另外，在布线基板21的第2主面202上形成有接地用端子导体301和外部连接用端子导体311。
部件用连接盘导体411、412经由导体图案213、层间连接导体214以规定的电路图案与接地用端子导体301、外部连接用端子导体311连接。由此，可实现由布线基板21构成的电路。
金属屏蔽用连接盘导体450形成于第1主面203。在俯视第1主面203时，部件用连接盘导体411、412形成于由多个金属屏蔽用连接盘导体450围起的区域内。
金属薄膜屏蔽层71覆盖密封树脂层61的整个面，与金属屏蔽用连接盘导体450连接。此外，金属屏蔽用连接盘导体450与未图示的带薄膜屏蔽层的电子部件10A的接地件连接。通过这样，能够将传播至金属薄膜屏蔽层71的高频噪声高效地向带薄膜屏蔽层的电子部件10A的接地件引导。
优选在密封树脂层61的使顶面和侧面连接的边缘部形成有圆弧倒角。由此边缘部在其局部具有曲率。密封树脂层61的边缘部被圆弧倒角，由此在由溅射等薄膜工艺形成的金属薄膜屏蔽层71的使顶面和侧面连接的边缘部710也形成有圆弧倒角。因此，缓和电流在金属薄膜屏蔽层71的边缘部710集中的情况。
磁性屏蔽层90A覆盖金属薄膜屏蔽层71、密封树脂层61和布线基板21的第1主面203的全部。在俯视布线基板21时，磁性屏蔽层90A也覆盖金属屏蔽用连接盘导体450中的比金属薄膜屏蔽层71向外侧突出的部分。磁性屏蔽层90A以含有磁性粉的树脂(含有磁性粉的树脂)作为材料。
磁性金属薄膜屏蔽层80A覆盖磁性屏蔽层90A、金属薄膜屏蔽层71、密封树脂层61和布线基板21的第1主面203。磁性金属薄膜屏蔽层80A以坡莫合金等镍系的合金作为材料。优选在可得到所希望的低频噪声的遮挡效果的范围内尽可能薄。
通过成为这样的结构，带薄膜屏蔽层的电子部件10A通过金属薄膜屏蔽层71抑制从表面安装部件产生的高频噪声向外部辐射，通过磁性屏蔽层90A、磁性金属薄膜屏蔽层80A抑制低频噪声向外部辐射。并且，金属薄膜屏蔽层71的边缘部710由磁性屏蔽层90A、磁性金属薄膜屏蔽层80A覆盖，因此即便低频噪声向金属薄膜屏蔽层70传播、从容易辐射的边缘部710辐射，也能够由磁性屏蔽层90A、磁性金属薄膜屏蔽层80A抑制。
另外，金属薄膜屏蔽层71和磁性金属薄膜屏蔽层80A为薄膜，因此能够使作为电子部件的带薄膜屏蔽层的电子部件10A的厚度变小。此外，金属薄膜屏蔽层71和磁性金属薄膜屏蔽层80A为薄膜，因此紧贴性高。由此，可靠性提高。
此外，如上述那样，在本实用新型的第2实施方式中磁性屏蔽层90A使用含有磁性粉的树脂(含有磁性粉的树脂)的情况下，能够使带薄膜屏蔽层的电子部件10A针对表面安装部件51、52封闭磁性。
图3是表示磁性金属(坡莫合金)和含有磁性体粉的树脂的透磁率的频率特性的坐标图。在图3中，比100MHz低的频带是低频区域，比100MHz高的频带是高频区域。该高频区域和低频区域的阈值不局限于100MHz，设定为数百MHz左右，例如若为电源电路，则基于该电源电路的开关IC的开关频率来设定。
如图3所示，对于磁性金属(坡莫合金)的透磁率而言，在极低频例如10～100Hz左右，非常高，随着频率变高，从相对较低的频率的透磁率降低。另一方面，含有磁性体粉的树脂的透磁率由频率引起的变动少，但在极低频区域和高频区域双方大致恒定，在低频区域中，比磁性金属的透磁率低，但在100MHz附近变得比磁性金属高。
即，对于仅有磁性金属(坡莫合金)而言，不容易在到低频区域100MHz为止的所有带域中实现较高的遮挡率，通过组合由含有磁性粉的树脂构成的磁性屏蔽层90A，能够在较宽频带使低频噪声的遮挡性能变高，抑制低频噪声的辐射。
另外，对于带薄膜屏蔽层的电子部件10A而言，磁性金属薄膜屏蔽层80A由磁性金属(坡莫合金)形成。因此，从表面安装部件51、52辐射的极低频的低频噪声被磁性金属薄膜屏蔽层80A有效地遮挡。
因此，带薄膜屏蔽层的电子部件10A不取决于噪声的频率，能够有效地抑制噪声向外部辐射。
此外，磁性屏蔽层90A也可以由非磁性体构成。通过这样，金属薄膜屏蔽层71不与磁性体相接，因此能够使寄生电感成分变小。
(第3实施方式)
参照附图对本实用新型的第3实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图4是本实用新型的第3实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。此外，图3中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。
如图4所示，相比于第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10，第3实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10B在磁性金属薄膜屏蔽层80B的形状方面不同。带薄膜屏蔽层的电子部件10B的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10相同，省略相同的位置的说明。
磁性金属薄膜屏蔽层80B覆盖包含金属薄膜屏蔽层70的使顶面和侧面连接的边缘部700在内、金属薄膜屏蔽层70的顶面和侧面的整个面、金属薄膜屏蔽层70的侧面的端部亦即端面。换言之，磁性金属薄膜屏蔽层80B是完全覆盖金属薄膜屏蔽层70的形状。
通过成为这样的结构，带薄膜屏蔽层的电子部件10B通过金属薄膜屏蔽层70抑制从表面安装部件产生的高频噪声向外部辐射，通过磁性金属薄膜屏蔽层80B抑制低频噪声向外部辐射。并且，在低频噪声传播至金属薄膜屏蔽层70的情况下，也使由于金属薄膜屏蔽层70被磁性金属薄膜屏蔽层80B完全覆盖，所以能够更加提高低频噪声的抑制效果。
(第4实施方式)
参照附图对本实用新型的第4实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图5是本实用新型的第4实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。此外，图5中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。
如图5所示，相比于第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10A，第4实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件在磁性金属薄膜屏蔽层80C、磁性屏蔽层90C的形状方面不同。即，带薄膜屏蔽层的电子部件10C是对第2实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10A中的磁性金属薄膜屏蔽层80A和磁性屏蔽层90A的层叠顺序进行了调换的构造。带薄膜屏蔽层的电子部件10C的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10A相同，省略相同部位的说明。
磁性金属薄膜屏蔽层80C覆盖金属薄膜屏蔽层71、密封树脂层61、金属屏蔽用连接盘导体450和布线基板21的第1主面203。即在俯视布线基板21时，磁性金属薄膜屏蔽层80C也覆盖金属屏蔽用连接盘导体450中的比金属薄膜屏蔽层71向外侧突出的部分。磁性金属薄膜屏蔽层80C以坡莫合金等镍系的合金作为材料。磁性金属薄膜屏蔽层80C优选在可得到所希望的低频噪声的遮挡效果的范围内尽可能薄。
磁性屏蔽层90C覆盖磁性金属薄膜屏蔽层80C、金属薄膜屏蔽层71、密封树脂层61、金属屏蔽用连接盘导体450和布线基板21的第1主面203的全部。磁性屏蔽层90C以含有磁性粉的树脂(含有磁性粉的树脂)作为材料。
通过成为这样的结构，从而带薄膜屏蔽层的电子部件10C通过金属薄膜屏蔽层71抑制从表面安装部件产生的高频噪声向外部辐射，通过磁性金属薄膜屏蔽层80C、磁性屏蔽层90C抑制低频噪声向外部辐射。并且，金属薄膜屏蔽层71的边缘部710被磁性金属薄膜屏蔽层80C、磁性屏蔽层90C覆盖，因此即便低频噪声向金属薄膜屏蔽层71传播，从容易辐射的边缘部710辐射，也能够由磁性金属薄膜屏蔽层80C、磁性屏蔽层90C抑制。
通过成为这样的结构，能够得到与第2实施方式相同的作用效果。另外，金属薄膜屏蔽层71、磁性金属薄膜屏蔽层80C均为薄膜工艺，因此容易形成，紧贴性高。
(第5实施方式)
参照附图对本实用新型的第5实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图6的(A)是本实用新型的第5实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图6的(B)是将图6的(A)的侧视剖视图的局部放大的图。图6的(C)是从第1主面201侧即厚度方向俯视带薄膜屏蔽层的电子部件10D的图。
此外，在图6的(A)、图6的(B)、图6的(C)中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。另外，在图6的(C)中，为了容易理解构造，省略一部分剖面线。
此外，在本实施方式中，表面安装部件51成为IC芯片等产生低频噪声、高频噪声的电子部件，表面安装部件52成为闭合磁路型线圈等产生低频噪声的电子部件。
如图6的(A)、图6的(B)所示，相比于第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10，第5实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件在金属薄膜屏蔽层70D、磁性金属薄膜屏蔽层80D的形状方面不同。带薄膜屏蔽层的电子部件10D的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10相同，省略相同部位的说明。
如图6的(A)所示，金属薄膜屏蔽层70D是具有开口75的形状。磁性金属薄膜屏蔽层80D是覆盖开口75的形状。
如将图6的(A)的侧视剖视图的局部放大得到的图6的(B)所示，开口75在金属薄膜屏蔽层70D的与表面安装部件52对置的位置形成。磁性金属薄膜屏蔽层80D形成为覆盖金属薄膜屏蔽层70D的开口75即填埋开口75，在表面安装部件52的第1主面201侧(顶面)仅形成有磁性金属薄膜屏蔽层80D。
另外，如图6的(C)所示，开口75是覆盖表面安装部件52的整个面的形状。
通过成为这样的结构，从表面安装部件51产生的低频噪声和高频噪声由金属薄膜屏蔽层70D、磁性金属薄膜屏蔽层80D抑制。另外，从表面安装部件52产生的低频噪声被磁性金属薄膜屏蔽层80D抑制。
即，能够分别高效地抑制从表面安装部件51、52产生的低频噪声和高频噪声。
并且，成为作为线圈的表面安装部件52的开口面和金属薄膜屏蔽层70D不对置的构造，能得到不使线圈的Q值劣化这样的效果。另外，无论表面安装部件52亦即线圈的卷绕方向与第1主面201平行、还是垂直均得到相同的效果。
此外，在俯视时，开口75的形状为至少与表面安装部件52相同的大小即可。优选在俯视时从表面安装部件52的各侧面大10％左右的形状即可。此外，在本实施方式中，开口75为方形，但不限定于此。也可以是方形以外的三角形、多边形、或者L字型那样的复杂的形状。
(第6实施方式)
参照附图对本实用新型的第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图7的(A)是本实用新型的第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图7的(B)是从厚度方向即顶面侧俯视带薄膜屏蔽层的电子部件的图。图7的(C)是带薄膜屏蔽层的电子部件的电路图。
此外，在图7的(A)、图7的(B)中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。另外，在图7的(B)中，为了容易理解构造，省略一部分剖面线。
如图7的(A)、图7的(B)、图7的(C)所示，相比于第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10，第6实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件在具备表面安装部件53、54、以及磁性金属薄膜屏蔽层80E的形状方面不同。带薄膜屏蔽层的电子部件10E的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10相同，省略相同部位的说明。
图7的(A)、图7的(B)、图7的(C)所示的带薄膜屏蔽层的电子部件10E是降压型的DC-DC转换器模块。
如图7的(A)、图7的(B)所示，带薄膜屏蔽层的电子部件10E具备表面安装部件51、52、53、54和磁性金属薄膜屏蔽层80E。例如，表面安装部件51是IC芯片，表面安装部件52是输入电容器，表面安装部件53是输出电容器，表面安装部件54是闭合磁路型的扼流线圈。
如图7的(A)所示，磁性金属薄膜屏蔽层80E是包围表面安装部件52的顶面和全部侧面的形状。另外，表面安装部件52的顶面侧和表面安装部件52的与带薄膜屏蔽层的电子部件10E的侧面接近的侧面由金属薄膜屏蔽层70、磁性金属薄膜屏蔽层80E覆盖。
图7的(B)是在厚度方向上，从顶面侧俯视图7的(A)的构造的图，磁性金属薄膜屏蔽层80E是覆盖表面安装部件52的顶面和全部侧面的形状。
图7的(C)是使用了上述结构的带薄膜屏蔽层的电子部件10E的电路图。IC芯片亦即表面安装部件51具备场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2。在输入端子Pin连接有表面安装部件51和表面安装部件52。在表面安装部件54的一端连接有表面安装部件51，在表面安装部件51的另一端连接有输出端子Pout和表面安装部件53。另外，表面安装部件51、52、53与接地GND连接。
通过使用该电路使表面安装部件51的场效应晶体管FET1、FET2接通、断开，使输入端子Pin的输入电压降压，从输出端子Pout输出。
输入端子Pin的输入电压比输出端子Pout的输出电压高。即，与输出电容器亦即表面安装部件53比较，输入电容器亦即表面安装部件52更容易成为产生噪声的原因。
因此，表面安装部件52的全部侧面和顶面由磁性金属薄膜屏蔽层80E覆盖，由此能够有效地抑制噪声。
通过成为这样的结构，从表面安装部件52产生的低频噪声和高频噪声由金属薄膜屏蔽层70、磁性金属薄膜屏蔽层80E抑制。
另外，通过使从表面安装部件51、52产生的低频噪声、高频噪声与各自的特性匹配地，选择金属薄膜屏蔽层70或者磁性金属薄膜屏蔽层80E，从而能够高效地提高屏蔽效果。
此外，也可以是，通过各个其他的密封树脂层包围表面安装部件51、52，单独由金属屏蔽层70或者磁屏蔽层80E、或者由金属屏蔽层70和磁屏蔽层80E双方包围各个密封树脂层。在该结构中，能够构成与从表面安装部件51、52产生的低频噪声、高频噪声的特性匹配的屏蔽。因此，通过该结构能够提高屏蔽效果。此时也可以构成为，各屏蔽件不与布线基板20的侧面重叠。
(第7实施方式)
参照附图对本实用新型的第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件进行说明。图8的(A)是本实用新型的第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件的侧视剖视图。图8的(B)是从厚度方向即顶面侧俯视带薄膜屏蔽层的电子部件的图。图8的(C)是带薄膜屏蔽层的电子部件的电路图。
此外，在图8的(A)、图8的(B)中，为了容易识别电子部件的结构，适当地省略用于识别构成要素的附图标记的标注。另外，在图8的(B)中，为了容易理解构造，省略一部分剖面线。
同样，如图8的(A)、图8的(B)、图8的(C)所示，相比于第1实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件10，第7实施方式所涉及的带薄膜屏蔽层的电子部件在具备表面安装部件53、54、而且磁性金属薄膜屏蔽层80F的形状方面不同。带薄膜屏蔽层的电子部件10F的其他结构与带薄膜屏蔽层的电子部件10相同，省略相同部位的说明。
图8的(A)、图8的(B)、图8的(C)所示的带薄膜屏蔽层的电子部件10F是升压型的DC-DC转换器模块。
如图8的(A)、图8的(B)所示，带薄膜屏蔽层的电子部件10F具备表面安装部件51、52、53、54和磁性金属薄膜屏蔽层80F。例如，表面安装部件51是IC芯片，表面安装部件52是输入电容器，表面安装部件53是输出电容器，表面安装部件54是闭合磁路型的扼流线圈。
如图8的(A)所示，磁性金属薄膜屏蔽层80F是包围表面安装部件53的顶面和全部侧面的形状。另外，表面安装部件53的顶面侧和带薄膜屏蔽层的电子部件10F的侧面所接近的表面安装部件53的侧面由金属薄膜屏蔽层70、磁性金属薄膜屏蔽层80F覆盖。
图8的(B)是在厚度方向上，从顶面侧俯视图8的(A)的构造的图，磁性金属薄膜屏蔽层80F是覆盖表面安装部件53的顶面和全部侧面的形状。
图8的(C)是使用上述结构的带薄膜屏蔽层的电子部件10F的电路图。IC芯片亦即表面安装部件51具备场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2。在输入端子Pin上连接有表面安装部件52和表面安装部件54。在表面安装部件54的一端连接有表面安装部件51，在表面安装部件51的另一端连接有输出端子Pout和表面安装部件53。另外，表面安装部件51、52、53与接地GND连接。
通过使用该电路，使表面安装部件51的场效应晶体管FET1、FET2接通、断开，使输入端子Pin的输入电压升压，从输出端子Pout输出。
输入端子Pin的输出电压比输出端子Pout的输入电压高，因此输出电容器亦即表面安装部件53与输入电容器亦即表面安装部件52比较，更容易成为产生噪声的原因。
因此，表面安装部件53的全部侧面和顶面由磁性金属薄膜屏蔽层80F覆盖，由此能够有效地抑制噪声。
通过成为这样的结构，从表面安装部件53产生的低频噪声和高频噪声由金属薄膜屏蔽层70、磁性金属薄膜屏蔽层80F抑制。
另外，通过使从表面安装部件51、52产生的低频噪声、高频噪声与各自的特性匹配地选择金属薄膜屏蔽层70或者磁性金属薄膜屏蔽层80F，从而能够高效地提高屏蔽效果。
此外，也可以是，由各个其他的密封树脂层包围表面安装部件51、52，单独由金属屏蔽层70或磁屏蔽层80F、或者由金属屏蔽层70或磁屏蔽层80F双方包围各个密封树脂层。在该结构中，能够构成与从表面安装部件51、52产生的低频噪声、高频噪声的特性匹配的屏蔽件。因此，通过该结构，能够提高屏蔽效果。此时各屏蔽件也可以构成为不与布线基板20的侧面重叠。
此外，不局限于上述各实施方式的结构，也可以变更上述实施方式的组合。
附图标记说明
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F…带薄膜屏蔽层的电子部件；20、21…布线基板；51、52、53、54…表面安装部件；60、61…密封树脂层；70、70D、71…金属薄膜屏蔽层；75…开口；700、710…边缘部；80、80A、80B、80C、80D、80E、80F…磁性金属薄膜屏蔽层；90A、90C…磁性屏蔽层；201、203…第1主面；202、204…第2主面；211、213…导体图案；212、214…层间连接导体；301…接地用端子导体；311…外部连接用端子导体；411、412…部件用连接盘导体；450…金属屏蔽用连接盘导体；GND…接地；Pin…输入端子；Pout…输出端子；FET1、FET2…场效应晶体管。

Claims (8)

1.一种带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，具备：
布线基板；
表面安装部件，其搭载于所述布线基板的第1主面；
金属薄膜屏蔽层，其通过非磁性金属材料的薄膜工艺覆盖所述表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体，并具有顶面部和侧面部；以及
磁性金属薄膜屏蔽层，其通过磁性金属材料的薄膜工艺，包含所述金属薄膜屏蔽层的使所述顶面部和所述侧面部连接的边缘部的整体地，覆盖所述顶面部和所述侧面部，
还设置有包含磁性材料的树脂层，以覆盖所述表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体。
2.根据权利要求1所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
覆盖所述表面安装部件地设置有密封树脂层，
所述金属薄膜屏蔽层设置于所述密封树脂层的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
所述金属薄膜屏蔽层的所述顶面部和所述侧面部、与
所述磁性金属薄膜屏蔽层抵接而层叠。
4.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
所述布线基板具备接地电极，
所述金属薄膜屏蔽层与所述接地电极连接。
5.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
所述布线基板是包含磁性体层的磁性体基板。
6.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
在俯视所述金属薄膜屏蔽层的所述顶面部时，
所述金属薄膜屏蔽层至少在与一个所述表面安装部件重叠的部分具有开口。
7.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
所述磁性金属薄膜屏蔽层对多个所述表面安装部件中的一部分表面安装部件的顶面侧和侧面侧的整体进行覆盖。
8.根据权利要求1或2所述的带薄膜屏蔽层的电子部件，其特征在于，
所述金属薄膜屏蔽层的所述边缘部具有曲率。
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