JP6478001B2 - 電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、回路基板、該回路基板に実装された表面実装部品、および、回路基板の表面を覆うシールド部材を備える電子機器に関する。
従来、電子機器には、基板に各種の表面実装部品が実装された電子部品が多く用いられている。例えば、特許文献1、2には、電子部品として電子回路パッケージが記載されている。
特許文献1に記載の電子部品(電子回路パッケージ)は、基板、複数の表面実装部品、モールド樹脂、磁性膜、および、金属膜を備える。
複数の表面実装部品は、基板の表面に実装されている。モールド樹脂は、基板の表面を覆っており、磁性膜は、モールド樹脂の少なくとも上面を覆っている。金属膜は、磁性膜およびモールド樹脂を覆っている。
特許文献2に記載の電子部品(電子回路パッケージ)は、特許文献1に記載の電子部品と同様に、基板、複数の表面実装部品、モールド樹脂、磁性膜、および、金属膜を備え、基本的な構造は、特許文献1に記載の電子回路パッケージと同様である。特許文献2に記載の電子部品では、さらに、金属膜がモールド樹脂を覆い、当該金属膜におけるノイズの影響を受け易いICチップに近接する部分の表面に磁性膜が配置されている。
このようなノイズ対策を行った電子部品は、電子機器のベース回路基板に実装され、金属膜は、ベース回路基板のグランド導体に接続されている。
特許第5988003号明細書 特許第5988004号明細書
しかしながら、特許文献1、2に記載の構成では、表面実装部品が発生するノイズを効果的に抑制できないことがある。
具体的には、表面実装部品が発生するノイズは、高周波成分(高周波ノイズ)と低周波成分(低周波ノイズ)とを有する。このうち、低周波ノイズは、回り込み易い。
通常、表面実装部品のグランド端子は、ベース回路基板のグランド導体に接続されている。したがって、表面実装部品のグランド端子と金属膜とは、ベース回路基板のグランド導体を介して接続されている。このため、表面実装部品で発生した低周波ノイズは、ベース回路基板のグランド導体を介して、金属膜に伝搬され、金属膜から外部に輻射されてしまう。特に、ベース回路基板のグランド導体に流れる低周波ノイズの振幅は大きい傾向にあり、このような振幅の大きな低周波ノイズが外部に輻射されてしまう。
したがって、本発明の目的は、電子部品からの低周波ノイズの輻射を効果的に抑制する構成を提供することにある。
この発明の電子部品は、基板、表面実装部品、非磁性樹脂層、金属シールド層、および、磁性シールド層を備える。基板は、互いに対向する第1主面と第2主面とを有し、磁性体層を含む。表面実装部品は、基板の第1主面に実装されている。非磁性樹脂層は、第1主面上において、表面実装部品の全面を覆っている。金属シールド層は、第1主面上において、非磁性樹脂層を覆っている。磁性シールド層は、第1主面上において、非磁性樹脂層および金属シールド層の全面を覆っている。
この構成では、表面実装部品が、磁性シールド層と、基板の磁性体層とによって囲まれることによって、表面実装部品から発生する低周波ノイズの外部への輻射が抑制される。また、当該電子部品が実装されるベース回路基板等を介して金属シールド層に回り込んだ低周波ノイズの外部への輻射も、磁性シールド層によって抑制される。なお、高周波ノイズの外部への輻射は、金属シールド層によって抑制される。
また、この発明の電子部品は、第1主面上において、金属シールド層は、非磁性樹脂層の全面を覆っていることが好ましい。
この構成では、表面実装部品から発生する高周波ノイズの外部への輻射の抑制効果が向上する。
また、この発明の電子部品は、次の構成であることが好ましい。基板は、グランド用外部端子導体、金属シールド用ランド導体、および、第1接続導体を備える。グランド用外部端子導体は、第2主面に形成されている。金属シールド用ランド導体は、第1主面に形成され、金属シールド層に接続されている。第1接続導体は、磁性体層の内部を通り、グランド用外部端子導体と金属シールド用ランド導体とを接続する。
この構成では、第1接続導体のビーズ効果によって、金属シールド層に回り込む低周波ノイズが抑制される。これにより、低周波ノイズの外部への輻射は、さらに抑制される。
また、この発明の電子部品は、次の構成であることが好ましい。基板は、入出力用外部端子導体と第2接続導体とを備える。入出力用外部端子導体は、第2主面に形成されている。第2接続端子は、磁性体層の外側を通り、入出力用外部端子導体と表面実装部品の端子とを接続している。
この構成では、表面実装部品に入出力される信号は、磁性体層内を通らないので、当該信号の伝送損失が抑制される。
また、この発明の電子部品では、金属シールド層と磁性シールド層とに挟まれた非磁性の中間層を備えることが好ましい。
この構成では、磁性シールド層と金属シールド層とが当接する構成と比較して、金属シールド層のL性が低下し、ノイズのシールド効果が向上する。
また、この発明の電子部品では、次の構成であることが好ましい。基板は、磁性体層と、磁性体層の厚み方向の両端に配置された非磁性体層と、の積層構造である。磁性体層は、磁性セラミックを材料とし、非磁性体層は、非磁性セラミックを材料とする。
この構成では、低周波ノイズの外部への輻射が効果的に抑制される。また、上述のビーズ効果を利用する際の第1接続導体での低周波ノイズの減衰が大きくなる。
また、この発明の電子部品では、磁性シールド層は、磁性体粉が含有された樹脂を材料とするとことが好ましい。
この構成では、低周波ノイズの輻射の抑制と高周波ノイズの輻射の抑制とが効果的に実現される。
また、この発明の電子部品では、低周波数領域における磁性体層の透磁率は、磁性シールド層の透磁率よりも高く、高周波数領域における磁性シールド層の透磁率は、磁性体層の透磁率よりも高いことが好ましい。
この構成では、低周波ノイズの輻射の抑制と高周波ノイズの輻射の抑制とが効果的に実現される。
また、この発明の電子部品では、表面実装部品は複数あり、複数の表面実装部品を覆う非磁性樹脂層は単一層であることが好ましい。
この構成では、表面実装部品が複数ある場合における非磁性樹脂層の形成が容易になる。
この発明によれば、電子部品からの低周波ノイズの輻射を効果的に抑制できる。
本発明の第1の実施形態に係る電子部品の側面断面図である。 本発明の第1の実施形態に係る電子部品の平面断面図である。 フェライトと磁性体粉含有樹脂との透磁率の周波数特性を示すグラフである。 本発明の第1の実施形態に係る電子部品におけるノイズの外部への輻射の抑制概念を説明する図である。 (A)、(B)、(C)は、本実施形態に係る電子部品の各製造過程での状態を示す側面断面図である。 (A)、(B)、(C)は、本実施形態に係る電子部品の各製造過程での状態を示す側面断面図である。 本発明の第2の実施形態に係る電子部品の側面断面図である。 本発明の第3の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す平面断面図である。 (A)、(B)は、本発明の第4の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す部分拡大の側面断面図である。 (A)、(B)は、本発明の第5の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す部分拡大の側面断面図である。
本発明の第1の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品の側面断面図である。図2は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品の平面断面図である。図2は、図1におけるA−A断面を示している。なお、図1では、電子部品の構成を識別し易くするために、構成要素を識別するための記号の付記を適宜省略している。
図1、図2に示すように、電子部品10は、基板20、表面実装部品51、52、非磁性樹脂層60、金属シールド層70、および、磁性シールド層80を備える。
基板20は、互いに対向する第1主面と第2主面とを有する形状(例えば平板状)である。基板20は、磁性体層201と非磁性体層202、203とを有している。非磁性体層202は、磁性体層201の第1主面側に当接しており、非磁性体層203は、磁性体層201の第2主面側に当接している。言い換えれば、非磁性体層202と非磁性体層203とは、磁性体層201の厚み方向(基板20の厚み方向)に沿って、磁性体層201を挟んで配置されている。磁性体層201は、磁性セラミックを材料としており、非磁性体層202、203は、非磁性セラミックを材料としている。
磁性体層201、非磁性体層202、203には、導体パターン221および層間接続導体等が形成されている。導体パターン221は、厚み方向に直交する方向に延びる形状であり、層間接続導体は、厚み方向に平行な方向に延びる形状である。これら導体パターン221および層間接続導体は、基板20で実現する回路に応じて適宜形成されている。
非磁性体層202における磁性体層201に当接する面と反対側の面、すなわち、基板20の第1主面には、部品用ランド導体411、412、および、金属シールド用ランド導体401、402、403、404が形成されている。部品用ランド導体411、412、および、金属シールド用ランド導体401、402、403、404は、平面視して矩形である。なお、これら部品用ランド導体411、412、および、金属シールド用ランド導体401、402、403、404の形状は矩形に限るものではない。
金属シールド用ランド導体401、402、403、404は、第1主面の四隅付近にそれぞれ形成されている。部品用ランド導体411、412は、第1主面を平面視して、金属シールド用ランド導体401、402、403、404によって囲まれる領域内に形成されている。
非磁性体層203における磁性体層201に当接する面と反対側の面、すなわち、基板20の第2主面には、グランド用外部端子導体301、および、入出力用外部端子導体311が形成されている。グランド用外部端子導体301は、基板20を平面視した中央に形成されており、入出力用外部端子導体311は、第2主面のおける側面の近傍に形成されている。なお、これらの形成位置は、適宜設計変更可能であるが、入出力用外部端子導体311は、第2主面のおける側面の近傍にあることが好ましい。また、図示していないが、表面実装部品51がグランド端子を備えている場合、当該グランド端子は、グランド用外部端子導体301に接続されている。
基板20には、導体パターン211、および、層間接続導体212、213が形成されている。導体パターン211は、磁性体層201内に形成されており、厚み方向に対して直交する方向に延びる形状である。層間接続導体212は、磁性体層201と非磁性体層202とに形成されており、厚み方向に平行な方向に延びる形状である。層間接続導体212は、導体パターン211と金属シールド用ランド導体401とを接続している。層間接続導体213は、磁性体層201と非磁性体層203とに形成されており、厚み方向に平行な方向に延びる形状である。層間接続導体213は、導体パターン211とグランド用外部端子導体301とを接続している。導体パターン211、および、層間接続導体212、213によって、金属シールド用ランド導体401とグランド用外部端子導体301とを接続する接続導体210が形成される。このように、接続導体210は、磁性体層201内を通る導体パターンである。この接続導体210が本発明の「第1接続導体」に対応する。なお、導体パターン211は、非磁性体層202、203内に形成されていてもよい。
基板20には、接続導体222が形成されている。接続導体222は、基板20の側面に沿い、厚み方向に延びる形状である。このように、接続導体222は、磁性体層201の外側を通る導体パターンである。この接続導体222が本発明の「第2接続導体」に対応する。接続導体222は、入出力用外部端子導体311に接続されており、当該入出力用外部端子導体311を、部品用ランド導体411、412に接続する。接続導体222が接続する部品用ランド導体411、412は、電子部品10が実現する回路構成によって決まっている。
表面実装部品51は、部品用ランド導体411に接合されており、表面実装部品52は、部品用ランド導体412に接合されている。すなわち、表面実装部品51、52は、基板20の第1主面に実装されている。
非磁性樹脂層60は、表面実装部品51、52を覆っている。
金属シールド層70は、非磁性樹脂層60の全面を覆っており、金属シールド用ランド導体401、402、403、404に接続されている。
磁性シールド層80は、金属シールド層70、および、基板20の第1主面の全てを覆っている。磁性シールド層80は、金属シールド層70の全面のみでなく、基板20を平面視して、金属シールド用ランド導体401、402、403、404における金属シールド層70よりも外側に突出する部分も覆っている。磁性シールド層80は、磁性粉を含有した樹脂(磁性粉含有樹脂)を材料としている。
このような構成とすることによって、電子部品10は、次に示すように、表面実装部品から生じるノイズが外部に輻射されることを抑制する。図3は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品におけるノイズの外部への輻射の抑制概念を説明する図である。なお、図3では、表面実装部品51が発生するノイズの輻射を抑制する状態を示すが、他の表面実装部品に対しても同様の作用効果が得られる。
図3に示すように、表面実装部品51から高周波ノイズNHが輻射されると、高周波ノイズNHは、非磁性樹脂層60を伝搬し、金属シールド層70に到達する。金属シールド層70は、高周波ノイズNHをグランドに落とすので、金属シールド層70よりも外方に輻射される高周波ノイズNHは抑制される。
また、図3に示すように、表面実装部品51から低周波ノイズNLDが輻射されると、低周波ノイズNLDは、非磁性樹脂層60、金属シールド層70を伝搬し、磁性シールド層80に到達する。磁性シールド層80は、低周波ノイズNLDを減衰させるので、磁性シールド層80よりも外方に輻射される低周波ノイズNLDは抑制される。
また、図3に示すように、表面実装部品51の上面側および側面側の全面に磁性シールド層80が配置され、表面実装部品51の下面側に磁性体層201が配置されている。このように、表面実装部品51が磁性体に囲まれているので、表面実装部品51から発した低周波ノイズの外部への輻射は抑制される。
さらに、電子部品10は、次の原理によってグランドから回り込んで外部に輻射される低周波ノイズを抑制する。
図4は、フェライトと磁性体粉含有樹脂との透磁率の周波数特性を示すグラフである。図4において、100MHzよりも低い周波数帯域が低周波領域であり、100MHzよりも高い周波数帯域が高周波領域である。この高周波領域と低周波領域との閾値は、100MHzに限るものではなく、数百MHz程度に設定され、例えば電源回路であれば、当該電源回路のスイッチングICのスイッチング周波数に基づいて設定されている。
図4に示すように、フェライトの透磁率は、低周波領域で高く、高周波領域では急激に低下する。一方、磁性体粉含有樹脂の透磁率は、周波数による変動が少ないが、低周波領域と比較して高周波領域の方が高く、高周波領域内においてピークを有する。
電子部品10では、フェライトすなわち磁性セラミックは、磁性体層201を形成している。したがって、表面実装部品51の下面側へ輻射された低周波ノイズは、磁性体層201で効果的に減衰される。
さらに、ビーズ効果によって、低周波領域では、接続導体210の損失は大きくなる。これによって、図3に示すように、グランド用外部端子導体301を介して回り込んだ低周波ノイズNLIは、接続導体210で大きく減衰され、金属シールド層70に到達する際には小さくなる。したがって、金属シールド層70から磁性シールド層80側に輻射される低周波ノイズは、小さくなり、磁性シールド層80でさらに減衰されることによって、外部への輻射がさらに抑制される。
一方、フェライトすなわち磁性セラミックは高周波での損失が小さく、金属シールド層70に伝搬された高周波ノイズは、グランド用外部端子導体301に効果的に伝送され、グランドに落とされる。
また、磁性体粉含有樹脂は、磁性シールド層80を形成している。したがって、磁性シールド層80は、広い周波数帯域で低周波ノイズの減衰効果が得られる。したがって、低周波ノイズの周波数に関係なく、低周波ノイズを減衰させることができる。また、磁性シールド層80は、高周波領域においても減衰効果が得られるので、高周波ノイズの外部輻射の抑制の補助効果を得ることもできる。
また、低周波領域では、フェライトの透磁率が磁性体粉含有樹脂の透磁率よりも高く、高周波領域では、磁性体粉含有樹脂の透磁率がフェライトの透磁率よりも高い。これにより、グランド用外部端子導体301から回り込んだノイズの周波数が低ければ、磁性体層201でノイズを効果的に減衰させ、グランド用外部端子導体301から回り込んだノイズの周波数が高くても、磁性シールド層80で減衰させることができる。
したがって、電子部品10は、ノイズの周波数に依存することなく、ノイズの外部への輻射を効果的に抑制できる。
また、電子部品10は、接続導体222が磁性体層201に囲まれていない。したがって、表面実装部品51、52に対して入出力する信号に対する磁性体層201による損失は抑制される。したがって、信号伝送効率の良い電子部品10を実現できる。
このような構成からなる電子部品は、次に示す製造方法によって製造される。図5(A)、図5(B)、図5(C)、図6(A)、図6(B)、および、図6(C)は、本実施形態に係る電子部品の各製造過程での状態を示す側面断面図である。
まず、図5(A)に示すように、基板20を形成する。基板20は、磁性セラミックからなる磁性体層201と、非磁性セラミックからなる非磁性体層202、203との積層体からなる既知の多層基板の製造方法によって製造される。
次に、図5(B)に示すように、基板20の部品用ランド導体411に表面実装部品51を接合し、部品用ランド導体412に表面実装部品52を接合する。これら接合は、はんだ等の蝋材を用いた接合、超音波接合等を用いることができる。
次に、図5(C)に示すように、基板20の第1主面に非磁性樹脂層60を形成する。非磁性樹脂層60は、非磁性の樹脂材料を塗布して硬化する等の手法によって形成される。
次に、図6(A)に示すように、非磁性樹脂層60を研削する。この際、非磁性樹脂層60における側面から所定距離内側までの部分が研削される。この処理によって、基板20の第1主面側に、金属シールド用ランド導体401、402が露出する。
次に、図6(B)に示すように、非磁性樹脂層60の上面および側面の全面と、金属シールド用ランド導体401、402の表面の少なくとも一部とに金属シールド層70を形成する。金属シールド層70は、スパッタリング法等によって形成される。これにより、非磁性樹脂層60を上面および側面の全面を覆い、且つ、金属シールド用ランド導体401、402に接続された金属シールド層70が形成される。
次に、図6(C)に示すように、金属シールド層70の上面および側面の全面を覆い、且つ基板20の第1主面の露出面を覆う形状で、磁性シールド層80を形成する。磁性シールド層80は、磁性体粉含有樹脂を塗布して硬化する等の手法によって形成される。
このような製造方法を用いることによって、ノイズの外部への輻射を抑制した電子部品10を製造できる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図7は、本発明の第2の実施形態に係る電子部品の側面断面図である。
図7に示すように、第2の実施形態に係る電子部品10Aは、第1の実施形態に係る電子部品10に対して、中間層90を追加した点で異なる。電子部品10Aの他の構成は、電子部品10と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
中間層90は、非磁性体であり、金属シールド層70と磁性シールド層80との間に配置されている。これにより、金属シールド層70は、磁性シールド層80から離間し、金属シールド層70の外面の全体は非磁性体で覆われる。したがって、金属シールド層70のL性を低下でき、高周波ノイズをグランドに、より効果的に流すことができる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す平面断面図である。
図8に示すように、第3の実施形態に係る電子部品10Bは、金属シールド用ランド導体400Bの形状において、第1の実施形態に係る電子部品10と異なる。電子部品10Bの他の構成は、電子部品10と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
金属シールド用ランド導体400Bは、基板20の側面(非磁性体層202)の側面に沿った環状である。金属シールド層70は、金属シールド用ランド導体400Bに対して全周に亘って接続されている。
このような構成とすることによって、表面実装部品51、52の上面および側面は、金属シールド層70および金属シールド用ランド導体400Bによって完全に覆われる。したがって、高周波ノイズの抑制効果が向上する。
次に、本発明の第4の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図9(A)、図9(B)は、本発明の第4の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す部分拡大の側面断面図である。図9(A)、図9(B)は、金属シールド用ランド導体401を含む部分の拡大図である。図9(A)は、非磁性樹脂層60の研削時に基板20を削っていない状態を示し、図9(B)は、非磁性樹脂層60の研削時に基板20を削った状態を示す。
図9(A)、図9(B)に示すように、第4の実施形態に係る電子部品10Cは、層間接続導体212Cの形状において、第1の実施形態に係る電子部品10と異なる。電子部品10Cの他の構成は、電子部品10と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
層間接続導体212Cは、基板20の厚み方向に延びる形状である。層間接続導体212Cは、基板20を平面視して、金属シールド用ランド導体401と、電子部品10として完成した状態における非磁性樹脂層60の側面とが重なる領域を含み、当該領域から基板20の側面側に所定幅を有する領域に亘る形状である。
このような構成とすることによって、図9(B)に示すように、非磁性樹脂層60を研削する際に、非磁性樹脂層60のみでなく、基板20の非磁性体層202を所定の深さで研削してしまっても、金属シールド層70は、金属シールド用ランド導体401の側面と層間接続導体212Cとに接続する。これにより、金属シールド層70の電気的な浮きを防止でき、高周波ノイズを確実にグランドに落とすことができる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図10(A)、図10(B)は、本発明の第5の実施形態に係る電子部品の特徴的構成を示す部分拡大の側面断面図である。図10(A)、図10(B)は、金属シールド用ランド導体401を含む部分の拡大図である。図10(A)は、非磁性樹脂層60の研削時に基板20を削っていない状態を示し、図10(B)は、非磁性樹脂層60の研削時に基板20を削った状態を示す。
図10(A)、図10(B)に示すように、第5の実施形態に係る電子部品10Dは、補助導体層214を備える点において、第1の実施形態に係る電子部品10と異なる。電子部品10Dの他の構成は、電子部品10と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
補助導体層214は、非磁性体層202内に形成されている。補助導体層214は、平面視して、金属シールド用ランド導体401と略同じ形状であり、金属シールド用ランド導体401に重なっている。層間接続導体212Dは、基板20の厚み方向に延びる形状である。層間接続導体212Dは、基板20を平面視して、金属シールド用ランド導体401および補助導体層214と、電子部品10として完成した状態における非磁性樹脂層60の側面とが重なる領域を含み、当該領域から基板20の側面側に所定幅を有する領域に亘る形状である。
このような構成とすることによって、図10(B)に示すように、非磁性樹脂層60を研削する際に、非磁性樹脂層60のみでなく、基板20の非磁性体層202を所定の深さで研削してしまっても、金属シールド層70は、金属シールド用ランド導体401の側面と、層間接続導体212D、または、層間接続導体212Dおよび補助導体層214とに接続する。これにより、金属シールド層70の電気的な浮きを防止でき、高周波ノイズを確実にグランドに落とすことができる。
なお、上述の実施形態において、非磁性樹脂層60は、基板20の第1主面上において、少なくとも表面実装部品51、52の全面を覆っていればよい。すなわち、表面実装部品51、52毎に非磁性樹脂層60で覆っていてもよい。ただし、表面実装部品51、52を単一層の非磁性樹脂層60で覆うことによって、非磁性樹脂層60の形成が容易になる。
また、金属シールド層70は、非磁性樹脂層60の少なくとも所望部(高周波ノイズを外部に輻射させたくない部分)を覆っていればよく、非磁性樹脂層60の全面を覆っていることが好ましい。
10、10A、10B、10C、10D:電子部品
20:基板
51、52:表面実装部品
60:非磁性樹脂層
70:金属シールド層
80:磁性シールド層
90:中間層
201:磁性体層
202、203:非磁性体層
210:接続導体
211、221:導体パターン
212、212C、212D、213:層間接続導体
214:補助導体層
222:接続導体
301:グランド用外部端子導体
311:入出力用外部端子導体
400B、401、402、403、404:金属シールド用ランド導体
411、412:部品用ランド導体
NH:高周波ノイズ
NLD:低周波ノイズ
NLI:低周波ノイズ

Claims (9)

  1. 互いに対向する第1主面と第2主面とを有し、磁性体層を含む基板と、
    前記基板の前記第1主面に実装された表面実装部品と、
    前記第1主面上において、前記表面実装部品の全面を覆う非磁性樹脂層と、
    前記第1主面上において、前記非磁性樹脂層を覆う金属シールド層と、
    前記第1主面上において、前記非磁性樹脂層および前記金属シールド層の全面を覆う磁性シールド層と、
    を備えた、
    電子部品。
  2. 前記第1主面上において、前記金属シールド層は、前記非磁性樹脂層の全面を覆う、
    請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記基板は、
    前記第2主面に形成されたグランド用外部端子導体と、
    前記第1主面に形成され、前記金属シールド層に接続する金属シールド用ランド導体と、
    前記磁性体層の内部を通り、前記グランド用外部端子導体と前記金属シールド用ランド導体とを接続する第1接続導体と、
    を備える、
    請求項1または請求項2に記載の電子部品。
  4. 前記基板は、
    前記第2主面に形成された入出力用外部端子導体と、
    前記磁性体層の外側を通り、前記入出力用外部端子導体と前記表面実装部品の端子とを接続する第2接続導体と、
    を備える、
    請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品。
  5. 前記金属シールド層と前記磁性シールド層とに挟まれた非磁性の中間層を備える、
    請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子部品。
  6. 前記基板は、
    前記磁性体層と、
    前記磁性体層の厚み方向の両端に配置された非磁性体層と、の積層構造であり、
    前記磁性体層は、磁性セラミックを材料とし、
    前記非磁性体層は、非磁性セラミックを材料とする、
    請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電子部品。
  7. 前記磁性シールド層は、磁性体粉が含有された樹脂を材料とする、
    請求項1乃至請求項6に記載の電子部品。
  8. 低周波数領域における前記磁性体層の透磁率は前記磁性シールド層の透磁率よりも高く、
    高周波数領域における前記磁性シールド層の透磁率は前記磁性体層の透磁率よりも高い、
    請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の電子部品。
  9. 前記表面実装部品は複数あり、
    複数の前記表面実装部品を覆う前記非磁性樹脂層は単一層である、
    請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電子部品。
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